DE19823069A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halblei
terbauelement, welches einen Hochleistungsausgangstransi
storchip enthält und als synthetischer Hochfrequenzlei
stungs-IC verwendet wird. Insbesondere bezieht sich die Er
findung auf ein Halbleiterbauelement, welches einen kamm
förmigen Transistor enthält, bei welchem eine Mehrzahl von
Transistorzellen parallel zueinander angeordnet sind und
jede Transistorzelle eine Mehrzahl von Transistorelementen
aufweist, deren Source- und Drainelektroden einander gegen
überliegend abwechselnd angeordnet sind.
Fig. 9 zeigt einen herkömmlichen synthetischen Lei
stungs-IC, bei welchem ein Hochleistungsausgangstransi
storchip 23 zwischen einer Eingangsanpassungsschaltung 30
und einer Ausgangsanpassungsschaltung 31 angeordnet ist.
Die Eingangsanpassungsschaltung 30 und die Ausgangsanpas
sungsschaltung 31 sind auf einem Substrat 22 angeordnet,
welches eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweist, und
das Substrat 22 ist auf einem Keramiksubstrat 21 angeord
net. Die Eingangsanpassungsschaltung 30 ist mittels vier
Drähten 33 mit einem Eingangsanschluß 34 verbunden, und die
Ausgangsanpassungsschaltung 31 ist mittels vier Drähten 33
mit einem Ausgangsanschluß 35 verbunden.
Die Eingangsanpassungsschaltung 30 ist in zwei Struktu
ren 30a und 30b unterteilt, und die Ausgangsanpassungs
schaltung 31 ist in zwei Strukturen 31a und 31b unterteilt.
Der Zweck des Unterteilens der Anpassungsschaltung in eine
Mehrzahl von Strukturen besteht darin, die Charakteristik
der Schaltung jeder Struktur gleichförmig zu machen, da ei
ne große Anpassungsschaltung von Bereich zu Bereich Abwei
chungen der Charakteristik aufweisen kann.
Bei einem als synthetischer Hochfrequenzleistungs-IC
verwendeten Hochleistungsausgangstransistor sind üblicher
weise eine Mehrzahl von Transistorzellen (hiernach der Ein
fachheit halber als Zellen bezeichnet) parallel verbunden.
Bei dem in Fig. 9 dargestellten Transistor sind zwölf Zel
len parallel miteinander verbunden, und die Hälfte der
zwölf Zellen, d. h. sechs Zellen, sind durch Drähte 32 mit
der Eingangsanpassungsstruktur 30a und der Ausgangsanpas
sungsstruktur 31a verbunden, während die andere Hälfte der
Zellen über Drähte 32 mit der Eingangsanpassungsstruktur
30b und der Ausgangsanpassungsstruktur 31b verbunden sind.
Fig. 10 stellt einen kammförmigen Transistor dar, bei
welchem Drainelektroden 1 und Sourceelektroden 2 einander
gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind, als Beispiel
des Hochleistungsausgangstransistorchips 23. Die Source
elektroden 2 sind über eine Brücke 3 mit Sourcekontaktstel
len 4 verbunden und über Kontaktlöcher 5 mit einer (nicht
dargestellten) Rückseitenelektrode auf der Rückseite eines
halbisolierenden GaAs-Substrats 18 verbunden. In dem kamm
förmigen Transistor weist eine einzige Transistorzelle
vierzehn Gatefinger auf, und eine Gatekontaktstelle 7 ist
für die vierzehn Gatefinger vorgesehen. Jeder Gatefinger
wird durch einen Gatebus 8 beliefert.
Darüber hinaus besteht bei einem Hochfrequenz- und
Hochleistungsausgangstransistor die Möglichkeit, daß der
Transistor oszillieren kann und eine Resonanzschaltung bil
det, wenn ein Gleichstrom- oder ein Hochfrequenzsignal
daran angelegt wird, da bezüglich der Zellen Abweichungen
der Charakteristik und der Impedanz auftreten. Wenn der
Transistor eine derartige Resonanzschaltung bildet, wird
der Betrieb des Transistors instabil, d. h. es wird kein Si
gnal ausgegeben oder es werden unnötige Signale verstärkt,
wodurch die Effizienz des Aufbaus spürbar reduziert wird.
Bei dem in Fig. 9 dargestellten Transistor sind die
Strukturen 30a und 30b der Eingangsanpassungsschaltung 30
über einen Widerstand 92 miteinander verbunden, und die
Strukturen 31a und 31b der Ausgangsanpassungsschaltung 31
sind über einen Widerstand 93 miteinander verbunden, wo
durch die Widerstände 92 und 93 als Verstärkungsverlustkom
ponenten dienen, um zu verhindern, daß der Transistor os
zilliert, wenn ein Gleichstrom- oder ein Hochfrequenzsignal
angelegt wird. In diesem Fall kann jedoch eine Oszillation
zwischen benachbarten Zellen in dem Transistorchip nicht
verhindert werden.
In der Zwischenzeit wird durch die veröffentlichte ja
panische Patentanmeldung Nr. Hei. 4-11743 ein Halbleiter
bauelement vorgeschlagen, das zum Verhindern einer uner
wünschten Oszillation innerhalb eines Transistors geeignet
ist. Dieses Halbleiterbauelement ist in Fig. 11 darge
stellt. Entsprechend Fig. 11 sind ein Busleiter 110, wel
cher Gateelektroden 101 von sechs Transistorzellen und eine
gemeinsame Drainelektrode 102 der sechs Transistorzellen
jeweils in zwei Teile unterteilt, so daß jeder Teil drei
Transistorzellen aufweist, und die abgetrennten Busleiter
110 sind über eine Widerstandsschicht 41 miteinander ver
bunden, während die abgetrennten Drainelektroden 102 über
eine Widerstandsschicht 42 miteinander verbunden sind, wo
bei Widerstands schichten auf einem Halbleitersubstrat 104
angeordnet sind. Entsprechend Fig. 11 bezeichnen Bezugszei
chen 113 und 123 Gatebondinseln bzw. Drainbondinseln. Bei
diesem Halbleiterbauelement wird jedoch eine Oszillation
zwischen benachbarten Zellen wegen Abweichungen der Charak
teristik und von Impedanzen bezüglich der Zellen nicht ver
hindert, insbesondere wenn ein Hochfrequenzsignal angelegt
wird.
Insbesondere wird durch die veröffentlichte japanische
Patentanmeldung Nr. Hei. 1-166564 ein Hochleistungsfeldef
fekttransistor für einen stabilen Transistorbetrieb vorge
schlagen. Dieser Transistor ist in Fig. 12 dargestellt.
Entsprechend Fig. 12 weist eine Transistorzelle eine Mehr
zahl von Transistorelementen auf, und Gateelektroden 37 der
Transistorelemente sind über eine Gateleiterelektrode 38
mit einer Gatebondinsel 39 verbunden. Ein Widerstand 36 ist
zwischen jeder Gateelektrode 37 und der Gateleiterelektrode
38 angeschlossen. Da jedoch bei diesem Transistor der Wi
derstand 36 mit der Gateelektrode 37 in Serie verbunden
ist, wird die Verstärkung des Transistorelements wesentlich
reduziert.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Halblei
terbauelement zu schaffen, bei welchem eine Oszillation
zwischen benachbarten Transistorzellen verhindert wird, oh
ne daß die Verstärkung jedes Transistorelements in der
Transistorzelle reduziert wird.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die in den neben
geordneten unabhängigen Ansprüchen angegebenen Merkmale.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
Entsprechend einem ersten Gesichtspunkt der Erfindung
enthält ein Halbleiterbauelement ein Halbleitersubstrat;
einen Hochleistungsausgangstransistorchip, der auf dem
Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei eine Mehrzahl von
Transistorzellen parallel verbunden sind; jede Transistor
zelle enthält eine Mehrzahl von streifenförmigen Gateelek
troden, die an einen Gatebus angeschlossen sind, eine Mehr
zahl von streifenförmigen Drainelektroden, die an eine
Drainkontaktstelle angeschlossen sind, und eine Mehrzahl
von streifenförmigen Sourceelektroden, die an eine Source
kontaktstelle angeschlossen sind, wobei die Drainelektroden
und die Soureceelktroden über die Gateelektroden einander
gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind; und einen Wi
derstand, welcher ein Teil des Gatebusses zwischen benach
barten Transistorzellen aufweist, zum Verhindern einer Os
zillation, die zwischen den benachbarten Transistorzellen
auftritt. Da der Widerstand als Verstärkungsverlustkompo
nente dient, wird eine unerwünschte Oszillation infolge ei
ner Unausgewogenheit der Charakteristik zwischen benachbar
ten Transistorzellen aufgehoben, wodurch die Aufbaueffizi
enz des Transistors verbessert wird. Da des weiteren der
Widerstand zwischen den benachbarten Transistorzellen ange
ordnet ist, dient dieser Widerstand nicht als Verstärkungs
verlustkomponente, wenn nicht eine Oszillation infolge ei
ner Unausgewogenheit der Charakteristik zwischen diesen
Zellen auftritt. Daher besteht nicht die Möglichkeit, daß
der Widerstand den Gatewiderstandswert oder die parasistäre
Kapazität erhöht, und daher ist es möglich, den Betrieb des
Transistors durch Aufheben einer Oszillation zu stabilisie
ren, ohne daß die Verstärkung des Transistors reduziert
wird.
Entsprechend einem zweiten Gesichtspunkt der Erfindung
enthält ein Halbleiterbauelement ein Halbleitersubstrat;
einen Hochleistungsausgangstransistorchip, der auf dem
Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei eine Mehrzahl von
Transistorzellen parallel angeschlossen sind; wobei jede
Transistorzelle eine Mehrzahl von streifenförmigen Gate
elektroden, die mit einem Gatebus verbunden sind, eine
Mehrzahl von streifenförmigen Drainelektroden, die mit ei
ner Drainkontaktstelle verbunden sind, und eine Mehrzahl
von streifenförmigen Sourceelektroden aufweist, die mit ei
ner Sourcekontaktstelle verbunden sind, wobei die Drain
elektroden und Sourceelektroden über die Gateelektroden
einander gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind; und
einen Widerstand, welcher die Drainkontaktstellen benach
barter Transistorzellen verbindet, zum Verhindern einer Os
zillation, die zwischen den benachbarten Transistorzellen
auftritt. Da ebenfalls in diesem Fall der Transistor als
Verstärkungsverlustkomponente dient, wird eine unerwünschte
Oszillation infolge einer Unausgewogenheit der Charakteri
stik zwischen den benachbarten Zellen aufgehoben, wodurch
die Effizienz des Aufbaus des Transistors verbessert wird.
Entsprechend einem dritten Gesichtspunkt der Erfindung
enthält ein Halbleiterbauelement ein Halbleitersubstrat;
einen Hochleistungsausgangstransistorchip, der auf dem
Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei eine Mehrzahl von
Transistorzellen parallel angeschlossen sind; wobei jede
Transistorzelle eine Mehrzahl von streifenförmigen Gate
elektroden, die mit einem Gatebus verbunden sind, eine
Mehrzahl von streifenförmigen Drainelektroden, die mit ei
ner Drainkontaktstelle verbunden sind, und eine Mehrzahl
von streifenförmigen Sourceelektroden aufweist, die mit ei
ner Sourcekontaktstelle verbunden sind, wobei Drainelektro
den und Sourceelektroden über die Gateelektroden einander
gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind; einen ersten
Widerstand, welcher einen Teil eines Gatebusses zwischen
benachbarten Zellen zum Verhindern einer Oszillation auf
weist, die zwischen den benachbarten Transistorzellen auf
tritt; und einen zweiten Widerstand, welcher die Drainkon
taktstellen benachbarter Transistorzellen verbindet, zum
Verhindern einer Oszillation, die zwischen den benachbarten
Transistorzellen auftritt. In diesem Fall wird im Vergleich
mit den oben beschriebenen Halbleiterbauelementen, bei wel
chen der Widerstand entweder an der Seite des Gatebusses
oder an der Seite der Drainkontaktstelle angeordnet ist,
eine Oszillation infolge einer Unausgewogenheit der Charak
teristik zwischen den benachbarten Zellen in einer kürzeren
Zeit aufgehoben.
Entsprechend einem vierten Gesichtspunkt der Erfindung
wird bei dem oben beschriebenen Halbleiterbauelement der
Widerstand, welcher einen Teil des Gatebusses zwischen be
nachbarten Transistorzellen aufweist, unter Verwendung ei
nes Teils einer aktiven Schicht hergestellt, welche auf dem
Halbleitersubstrat angeordnet ist, und der Widerstand be
findet sich in einem Ohmschen Kontakt mit dem Gatebus. Da
der Widerstand als Verstärkungsverlustkomponente dient,
wird ebenfalls in diesem Fall eine unerwünschte Oszillation
infolge einer Unausgewogenheit der Charakteristik zwischen
den benachbarten Transistorzellen aufgehoben, wodurch die
Effizienz des Aufbaus des Transistors verbessert wird.
Entsprechend einem fünften Aspekt der vorliegenden Er
findung enthält des weiteren das oben beschriebene Halblei
terbauelement eine Anpassungsschaltung zum Verbinden des
Transistorchips mit einem anderen Transistorchip, wobei die
Anpassungsschaltung in eine Mehrzahl von Strukturen unter
teilt ist; und einen Widerstand, welcher benachbarte Struk
turen miteinander verbindet, zum Verhindern einer Oszilla
tion, die zwischen den benachbarten Strukturen auftritt.
Daher wird eine unerwünschte Oszillation infolge einer Un
ausgewogenheit der Charakteristik zwischen benachbarten
Transistorzellen aufgehoben. Da der zwischen den benachbar
ten Strukturen angeordnete Widerstand als Verstärkungsver
lustkomponente dient, wird ebenfalls eine relativ nieder
frequente Resonanz aufgehoben, welche zwischen den benach
barten Strukturen auftritt.
Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Be
schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht, welche ein Halbleiterbau
element einer ersten Ausführungsform der Erfindung veran
schaulicht.
Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht, welche ein Tran
sistorelement veranschaulicht, das in dem in Fig. 1 darge
stellten Halbleiterbauelement enthalten ist, entlang der
Längsrichtung.
Fig. 3 zeigt eine Querschnittsansicht, welche einen
Teil des in Fig. 1 dargestellten Halbleiterbauelements ein
schließlich eines Gatefingers oder eines Gatebusses veran
schaulicht.
Fig. 4(a) bis 4(h) zeigen Querschnittsansichten,
welche Verfahrensschritte eines Verfahrens zur Herstellung
des Gatefingers oder des Gatebusses veranschaulicht, welche
in dem in Fig. 1 dargestellten Halbleiterbauelement enthal
ten sind.
Fig. 5(a) und 5(b) zeigen Querschnittsansichten,
welche Verfahrensschritte eines Verfahrens zur Herstellung
eines Widerstands veranschaulichen, der in dem in Fig. 1
dargestellten Halbleiterbauelement enthalten ist.
Fig. 6 zeigt eine Draufsicht, welche ein Halbleiterbau
element einer zweiten Ausführungsform der Erfindung veran
schaulicht.
Fig. 7 zeigt eine Draufsicht, welche ein Halbleiterbau
element einer dritten Ausführungsform der Erfindung veran
schaulicht.
Fig. 8 zeigt eine Draufsicht, welche ein Halbleiterbau
element einer vierten Ausführungsform der Erfindung veran
schaulicht.
Fig. 9 zeigt eine Draufsicht, welche ein Halbleiterbau
element veranschaulicht, das als IC für einen Leistungsauf
bau verwendet wird.
Fig. 10 zeigt eine Draufsicht, welche ein Halbleiter
bauelement nach dem Stand der Technik veranschaulicht.
Fig. 11 zeigt eine Draufsicht, welche ein anderes Halb
leiterbauelement nach dem Stand der Technik veranschau
licht.
Fig. 12 zeigt eine Draufsicht, welche ein weiteres
Halbleiterbauelement nach dem Stand der Technik veranschau
licht.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauele
ment einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung. Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht eines Transi
storelements in Längsrichtung, welches in dem in Fig. 1
dargestellten Halbleiterbauelement enthalten ist.
Das Halbleiterbauelement der ersten Ausführungsform ist
ein kammförmiger Transistor, der üblicherweise als Hochlei
stungsausgangstransistor bekannt ist, bei welchem eine
Mehrzahl von Transistorzellen, die jeweils eine Mehrzahl
von Transistorelementen enthalten, parallel an einen
Hochleistungsausgang angeschlossen sind. Insbesondere ent
hält der kammförmige Transistor ein halbisolierendes
GaAs-Substrat 18, eine Mehrzahl von Gatefingern 6, d. h. strei
fenförmigen Gateelektroden, die auf dem Substrat 18 ange
ordnet sind, eine Mehrzahl von streifenförmigen Drainelek
troden 1, die mit Drainkontaktstellen 10 verbunden sind,
und eine Mehrzahl von streifenförmigen Sourceelektroden 2,
die mit Sourcekontaktstellen 4 verbunden sind. Die Drain
elektroden 1 und die Sourceelektroden 2 sind jeweils ab
wechselnd einander gegenüberliegend angeordnet, wobei die
Gatefinger 6 jeweils dazwischen liegen.
Die Gatefinger 6 sind an einen Gatebus 8 angeschlossen,
welcher sich von einer Gatekontaktstelle 11 für eine Ver
bindung von Chip zu Chip erstreckt, und jeder Gatefinger 6
wird von dem Gatebus 8 gespeist. Bei dieser Ausführungsform
enthält eine Transistorzelle vierzehn Gatefinger, und es
ist eine Gatekontaktstelle 7 für die vierzehn Gatefinger 6
vorgesehen. Sieben Drainelektroden erstrecken sich von ei
ner Drainkontaktstelle 10, und sieben Sourceelektroden 2
erstrecken sich von einer Sourcekontaktstelle 4. Die Drain
elektroden 1 und die Sourceelektroden 2 sind über die Gate
finger 6 einander gegenüberliegend abwechselnd angeordnet.
Wie in Fig. 2 dargestellt ist jede Sourceelektrode 2 durch
eine Brücke 3 mit der Sourcekontaktstelle 4 derart verbun
den, daß der Gatebus 8 nicht kontaktiert wird. Des weiteren
ist die Sourceelektrode 2 über ein Kontaktloch 5 mit einer
Rückseitenelektrode 43 auf der Rückseite des halbisolieren
den GaAs-Substrats 1 verbunden.
Der Transistor dieser Ausführungsform ist durch die
Teile des Gatebusses 8 bestimmt, wobei jedes Teil, welches
zwei benachbarte Transistorzellen verbindet, Widerstände 9
aufweist. Entsprechend Fig. 1 werden die Brücken 3 zum Ver
binden der Sourceelektroden in Gebieten, in denen die Wi
derstände 9 vorhanden sind, nicht dargestellt, da die Wi
derstände 9 mit Vorrang dargestellt sind.
Fig. 3 zeigt eine Querschnittsansicht eines Teils des
Transistors einschließlich des Gatefingers 6 oder des Gate
busses 8 (hiernach als Gatestruktur bezeichnet).
Die Gatestruktur des Transistors wird wie folgt herge
stellt. Auf einem halbisolierenden GaAs-Substrat 18 werden
aufeinanderfolgend eine (aktive) Kanalschicht 17, eine
n⁻-Typ GaAs-Schicht 16 und eine n⁺-Typ GaAs-Schicht 15 ange
ordnet. Eine Aussparung wird durch Entfernen von Teilen der
GaAs-Schichten 15 und 16 gebildet, und es wird eine Gate
elektrode (Gatefinger 6 oder Gatebus 8) in der Aussparung
angeordnet. Ohmsche Elektroden 14, welche als die Drain
elektrode 1 und die Sourceelektrode 2 dienen, werden auf
der n⁺-Typ GaAs-Schicht 15 an gegenüberliegenden Seiten der
Gateelektrode angeordnet. Die Gateelektrode besitzt eine Doppelschichtstruktur, welche ein unteres Gate 12 und eine oberes Gate 13 aufweist. Vorzugsweise besteht das untere Gate 12 aus Al, was üblicherweise für eine Gateelektrode verwendet wird, oder aus einem feuerfesten Metall wie WSi oder WSiN für eine hohe Zuverlässigkeit, und das obere Gate 13 besteht aus einem Metall mit niedrigem Widerstandswert wie Au, um den Gatewiderstandswert zu reduzieren. Wenn der Gatebus 8 unter Verwendung derartiger Materialien wie oben erwähnt hergestellt wird, ist es möglich, den Widerstand 9 zwischen den Transistorzellen unter Verwendung der Materia lien des Gatebusses durch willkürliches Bestimmen der Brei te und der Länge des unteren WSi- oder des WSiN-Gates 12 herzustellen, um einen gewünschten Widerstandswert zu er langen, ohne daß das obere Au-Gate 13 in dem Gebiet gebil det wird, in welchem der Widerstand 9 benötigt wird. Die Gatelänge der Gateelektrode beträgt üblicherweise 0,1 bis 1 µm. Der Abstand zwischen den Ohmschen Elektroden 14 über der Gateelektrode beträgt 1,5 bis 5 µm.
Gateelektrode angeordnet. Die Gateelektrode besitzt eine Doppelschichtstruktur, welche ein unteres Gate 12 und eine oberes Gate 13 aufweist. Vorzugsweise besteht das untere Gate 12 aus Al, was üblicherweise für eine Gateelektrode verwendet wird, oder aus einem feuerfesten Metall wie WSi oder WSiN für eine hohe Zuverlässigkeit, und das obere Gate 13 besteht aus einem Metall mit niedrigem Widerstandswert wie Au, um den Gatewiderstandswert zu reduzieren. Wenn der Gatebus 8 unter Verwendung derartiger Materialien wie oben erwähnt hergestellt wird, ist es möglich, den Widerstand 9 zwischen den Transistorzellen unter Verwendung der Materia lien des Gatebusses durch willkürliches Bestimmen der Brei te und der Länge des unteren WSi- oder des WSiN-Gates 12 herzustellen, um einen gewünschten Widerstandswert zu er langen, ohne daß das obere Au-Gate 13 in dem Gebiet gebil det wird, in welchem der Widerstand 9 benötigt wird. Die Gatelänge der Gateelektrode beträgt üblicherweise 0,1 bis 1 µm. Der Abstand zwischen den Ohmschen Elektroden 14 über der Gateelektrode beträgt 1,5 bis 5 µm.
Als nächstes wird eine Beschreibung der Verfahrens
schritte eines Verfahrens zur Herstellung des Halbleiter
bauelements der ersten Ausführungsform der Erfindung gege
ben. Fig. 4(a) bis 4(h) zeigen Querschnittsansichten,
welche Verfahrensschritte der Herstellung der in Fig. 3
dargestellten Gatestruktur veranschaulichen. Fig. 5(a)
und 5(b) zeigen Querschnittsansichten, welche Verfahrens
schritte der Herstellung des Widerstands 9 veranschauli
chen.
Zu Anfang läßt man die (aktive) Kanalschicht 17, die
n⁻-Typ GaAs-Schicht 16 und die n⁺-Typ GaAs-Schicht 15 aufein
anderfolgend auf dem halbisolierenden GaAs-Substrat 18 vor
zugsweise durch MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposi
tion) aufwachsen, und es wird eine Resistschicht 24a, wel
che eine Öffnungsstruktur entsprechend den Gatefingern 6
und dem in Fig. 1 dargestellten Gatebus 8 besitzt auf der
n⁺-Typ GaAs-Schicht 15 gebildet, worauf ein Aussparungsät
zen folgt, um eine Aussparung in der n⁺-Typ GaAs-Schicht 15
zu bilden (Fig. 4(a)). Danach wird SiO oder dergleichen auf
der gesamten Oberfläche durch CVD zur Bildung einer Isolie
rungsschicht 25 aufgetragen, und die Isolierungsschicht
wird unter Verwendung einer Resiststruktur 24b als Maske
geätzt (Fig. 4(b)). Darauffolgend wird auf der gesamten
Oberfläche eine Isolierungsschicht 26 wie SiO durch CVD
aufgetragen (Fig. 4(c)), und zur Bildung von Seitenwänden
27 geätzt (Fig. 4(d)). Unter Verwendung der Seitenwände 27
als Maske wird das n⁻-Typ GaAs zur Bildung einer Aussparung
28 geätzt (Fig. 4(e)). Als nächstes wird WSi oder WSiN über
der Oberfläche durch Zerstäuben zur Bildung einer unteren
Gateschicht 12 aufgetragen, und es wird Au auf dem unteren
Gate 12 durch Zerstäuben oder Elektroplattieren bzw. galva
nische Metallabscheidung zur Bildung einer oberen Gate
schicht 13 aufgetragen (Fig. 4(f)). Als nächstes wird eine
Struktur einer Isolierungsschicht 29 entsprechend der Brei
te des Gatefingers 6 oder des Gatebusses 8 wie in Fig. 1
dargestellt auf der oberen Gateschicht 13 gebildet, und es
werden unter Verwendung der Isolierungsschicht 29 als Maske
die obere Gateschicht 13 und die untere Gateschicht 12 ge
ätzt (Fig. 4(g)). Zum Schluß werden die Isolierungsschich
ten 25 und 29 und die Seitenwände 27 entfernt, um den Gate
finger 6 oder den Gatebus 8 (Fig. 4(h)) fertigzustellen. Der
Gatefinger 6 und der Gatebus 8 werden nicht notwendigerwei
se in der Aussparung gebildet.
Wenn Teile des Gatebusses 8 als Widerstände 9 wie in
Fig. 1 dargestellt verwendet werden, werden nach der Auf
tragung der Au-Schicht 13 (Fig. 4(f)) Teile des Metalls Au
mit niedrigem Widerstandswert in Gebieten entfernt, in wel
chen die Widerstände 9 zu bilden sind, worauf das Entfernen
der Isolierungsschicht 25 und der Seitenwand 27 folgt (Fig.
5(b)). Die Größe der unteren WSi- oder WSiN-Gateschicht 12
wird entsprechend einem gewünschten Widerstandswert be
stimmt. Auf diese Weise werden die Widerstände 9 herge
stellt. Die aktiven (Kanal-)Schichten 17 in den Gebieten,
in denen die Widerstände 9 zu bilden sind, werden im voraus
durch Implantierung isoliert.
Obwohl die Gateelektrode eine Doppelschichtstruktur be
sitzt, welche das untere Gate 12 und das obere Gate 13 bei
dem oben beschriebenen Herstellungsverfahren aufweist, kann
sie eine Einschichtstruktur besitzen, welche lediglich das
untere Gate 12 aufweist. In diesem Fall wird die untere
WSi- oder WSiN-Gateschicht 12 durch Ionenstrahlätzen oder
dergleichen strukturiert, um eine gewünschte Gateelektrode
zu bilden.
Nach der Bildung der Gatefinger 6, des Gatebusses 8 und
der Widerstände 9 wie oben beschrieben werden die Drain
elektrode 1 und die Sourceelektrode 2 entsprechend ihrer in
Fig. 1 dargestellten Strukturen durch Auftragen eines Me
talls wie Al vorzugsweise durch Zerstäuben oder Aufdampfung
hergestellt. Die Drainkontaktstellen 10, die Sourcekon
taktstellen 4, die Gatekontaktstellen 7 und die Gatekon
taktstelle 11 für die Verbindung von Chip zu Chip können
gleichzeitig mit der Drainelektrode 1, der Sourceelektrode
2 beziehungsweise dem Gatebus 8 gebildet werden. Alternativ
können diese Kontaktstellen auf dem halbisolierenden
GaAs-Substrat 18 im voraus gebildet werden.
Wie oben beschrieben enthält bei dem Halbleiterbauele
ment der ersten Ausführungsform ein Teil des Gatebusses 8,
welcher die benachbarten Transistorzellen verbindet, den
Widerstand 9, und der Widerstand 9 dient als Verstärkungs
verlustkomponente. Daher wird eine unerwünschte Oszillation
infolge einer Unausgewogenheit der Charakteristik zwischen
den benachbarten Zellen aufgehoben, wodurch die Effizienz
des Aufbaus des Transistors verbessert wird.
Da des weiteren der Transistor 9 zwischen den benach
barten Transistorzellen angeordnet ist, dient der Wider
stand 9 nicht als Verstärkungsverlustkomponente, wenn nicht
eine Oszillation infolge einer Unausgewogenheit der Charak
teristik zwischen diesen Zellen auftritt. Bei dem herkömm
lichen in Fig. 12 dargestellten Transistor ist zum Vorsehen
eines stabilen Betriebs der Widerstand 36 mit jedem Transi
storelement verbunden, obwohl die Verstärkung des Transi
storelements etwas eingebüßt. Da bei dieser ersten Ausfüh
rungsform der Erfindung jedoch nicht die Möglichkeit be
steht, daß der Widerstand 9 den Gatewiderstandswert und die
parasitäre Kapazität erhöhen könnte, ist es möglich, durch
Aufheben einer Oszillation ohne Verringern der Verstärkung
des Widerstands den Betrieb des Transistors stabil zu ma
chen.
Des weiteren wird bei dieser ersten Ausführungsform ein
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements ge
schaffen, welches eine Mehrzahl von Transistorzellen ent
hält, wobei jede Zelle eine Mehrzahl von streifenförmigen
Gateelektroden, die mit einem Gatebus verbunden sind, eine
Mehrzahl von Drainelektroden und eine Mehrzahl von Source
elektroden aufweist, wobei die Drainelektroden und die
Sourceelektroden über die Gateelektroden einander gegen
überliegend abwechselnd angeordnet sind, und dieses Verfah
ren enthält die folgenden Verfahrensschritte: Bereitstellen
eines Halbleitersubstrats eines ersten Leitfähigkeitstyps;
aufeinanderfolgendes Aufwachsen einer aktiven Schicht und
einer Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps
auf dem Halbleitersubstrat; aufeinanderfolgendes Aufwachsen
eines feuerfesten Metalls und eines Metalls mit niedrigem
Widerstandswert auf der Halbleiterschicht des zweiten Leit
fähigkeitstyps; Bilden einer ersten Isolierungsschicht auf
dem Metall mit dem niedrigen Widerstandswert außer auf Tei
len des Metalls mit dem niedrigen Widerstandswert, aus wel
chen Teile des Gatebusses zwischen benachbarten Transistor
zellen werden; Ätzen des Metalls mit niedrigem Widerstands
wert unter Verwendung der ersten Isolierungsschicht als
Maske, um Teile des feuerfesten Metalls bloßzulegen; Bilden
nach Entfernen der ersten Isolierungsschicht einer zweiten
Isolierungsschicht mit einer Struktur entsprechend dem
Gatebus und den Gateelektroden auf dem feuerfesten Metall,
welches durch das Ätzen des Metalls mit niedrigem Wider
standswert bloßgelegt ist, und auf dem Metall mit niedrigem
Widerstandswert, welches nicht geätzt worden ist; Ätzen des
Metalls mit niedrigem Widerstandswert und des feuerfesten
Metalls unter Verwendung der zweiten Isolierungsschicht als
Maske, wodurch ein Gatebus und Gateelektroden mit einer
Doppelschichtstruktur des Metalls mit niedrigem Wider
standswert und des feuerfesten Metalls und Widerstände ge
bildet werden, welche das Metall mit niedrigem Widerstands
wert aufweisen; und Bilden von Drainelektroden und Source
elektroden auf der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähig
keitstyps derart, daß die Drainelektroden und die Source
elektroden über den Gateelektroden einander gegenüberlie
gend abwechselnd angeordnet sind. Nachdem das Metall der
Gatefinger 6 und des Gatebusses 8 aufgetragen worden ist,
werden nämlich die Widerstände 9 durch selektives Entfernen
des Metalls Au mit niedrigem Widerstandswert (oberes Gate
13) derart gebildet, daß Teile des Gatebusses 8 zwischen
den jeweiligen Transistorzellen die Widerstände bilden. Da
her können die Widerstände 9 ohne zusätzliche Verfahrens
schritte gebildet werden.
Fig. 6 zeigt eine Draufsicht, welche ein Halbleiterbau
element einer zweiten Ausführungsform der Erfindung veran
schaulicht.
Während bei der ersten Ausführungsform ein Widerstand 9
ein Teil des Gatebusses 8 zwischen zwei benachbarten Tran
sistorzellen aufweist, wird bei dieser Ausführungsform ein
Teil einer auf dem halbisolierenden GaAs-Substrat 18 ange
ordneten aktiven Schicht 19 als Widerstand verwendet, wel
cher zwei benachbarte Zellen verbindet, und die aktive
Schicht 19 befindet sich mit dem Gatebus 8 in einem Ohm
schen Kontakt (20). In der auf dem halbisolierenden
GaAs-Substrat 18 angeordneten aktiven Schicht 19 sind Teile,
welche als Widerstände verwendet werden, von Teilen iso
liert, welche als Kanäle der Transistorzellen verwendet
werden.
Wie oben bezüglich der zweiten Ausführungsform der Er
findung beschrieben wird ein Widerstand zwischen benachbar
ten Transistorzellen unter Verwendung eines Teils der akti
ven Schicht 19 gebildet, der auf dem halbisolierenden
GaAs-Substrat 18 angeordnet ist. Da ebenfalls in diesem Fall der
Widerstand als Verstärkungsverlustkomponente dient, wird
eine unerwünschte Oszillation infolge einer Unausgewogen
heit der Charakteristik zwischen den benachbarten Zellen
aufgehoben. Als Ergebnis wird die Effizienz des Aufbaus des
Transistors verbessert.
Fig. 7 zeigt eine Draufsicht, welche ein Halbleiterbau
element einer dritten Ausführungsform der Erfindung veran
schaulicht.
Bei dieser dritten Ausführungsform sind wie in Fig. 7
dargestellt Drainkontaktstellen 10 von benachbarten Transi
storzellen über einen Widerstand 91 zum Verhindern einer
Oszillation zwischen den Transistorzellen miteinander ver
bunden. Dieser Widerstand 91 kann unter Verwendung von WSi
oder WSiN auf dieselbe Weise wie der Widerstand 9 herge
stellt werden, welcher einen Teil des Gatebusses 8 der er
sten Ausführungsform aufweist. Alternativ kann er unter
Verwendung eines Teils der aktiven Schicht wie bezüglich
der zweiten Ausführungsform beschrieben hergestellt werden.
Da ebenfalls in diesem Fall der Widerstand 91, welcher
die Drainkontaktstelle 10 der benachbarten Transistorzellen
verbindet, als Verstärkungsverlustkomponente dient, wird
eine unerwünschte Oszillation infolge einer Unausgewogen
heit der Charakteristik zwischen den benachbarten Zellen
aufgehoben, wodurch die Effizienz des Aufbaus des Transi
stors verbessert wird.
Fig. 8 zeigt eine Draufsicht, welche ein Halbleiterbau
element einer vierten Ausführungsform der Erfindung veran
schaulicht.
Bei dieser vierten Ausführungsform ist wie in Fig. 8
dargestellt zum Verhindern einer Oszillation, die zwischen
benachbarten Transistorzellen auftritt, ein Widerstand 9 in
einem Teil des Gatebusses 8 zwischen den benachbarten Tran
sistorzellen gebildet, und des weiteren sind die Drainkon
taktstellen 10 der benachbarten Transistorzellen unter Ver
wendung eines Widerstands 91 miteinander verbunden.
In diesem Fall wird im Vergleich mit den Halbleiterbau
elementen der ersten bis dritten Ausführungsform, bei wel
chen die Widerstände entweder an der Gatebusseite oder der
Drainkontaktstellenseite angeordnet sind, eine Oszillation
infolge einer Unausgewogenheit der Charakteristik zwischen
benachbarten Zellen in einer kürzeren Zeit aufgehoben.
Bei einem Halbleiterbauelement einer fünften Ausfüh
rungsform der Erfindung ist ein Hochleistungsausgangstran
sistorchip entsprechend einer der ersten bis vierten Aus
führungsformen zwischen einer Eingangsanpassungsschaltung
30 und einer Ausgangsanpassungsschaltung 31 wie in Fig. 9
dargestellt angeschlossen. Die Eingangsanpassungsschaltung
30 ist in zwei Strukturen 30a und 30b unterteilt, und die
Ausgangsanpassungsschaltung 31 ist in zwei Strukturen 31a
und 31b unterteilt. Die Eingangsanpassungsschaltungs
strukturen 30a und 30b sind über einen Widerstand 92 mit
einander verbunden, und die Ausgangsanpassungsschaltungs
strukturen 31a und 31b sind über einen Widerstand 93 mit
einander verbunden, wodurch eine unerwünschte Oszillation
zwischen den benachbarten Strukturen vermieden wird. Andere
Bestandteile sind identisch zu den Bestandteilen, welche
bereits bezüglich des herkömmlichen Bauelements beschrieben
wurden.
Ebenfalls wird bei der fünften Ausführungsform der Er
findung eine Oszillation infolge einer Unausgewogenheit der
Charakteristik zwischen benachbarten Transistorzellen auf
gehoben. Da des weiteren der Widerstand 92 (93) zwischen
den in der Mehrzahl vorhandenen Strukturen, in welche die
Eingangsanpassungsschaltung 30 (Ausgangsanpassungsschaltung
31) unterteilt ist, angeordnet ist, dient dieser Widerstand
als Verstärkungsverlustkomponente, wodurch eine relativ
niederfrequente Resonanz, welche zwischen den benachbarten
Strukturen auftritt, ebenso aufgehoben wird.
Vorstehend wurde ein Halbleiterelement offenbart. Das
Halbleiterbauelement enthält einen Hochleistungsausgangs
transistorchip, bei welchem eine Mehrzahl von Transistor
zellen parallel miteinander verbunden sind; wobei jede
Transistorzelle eine Mehrzahl von streifenförmigen Gate
elektroden, welche mit einem Gatebus verbunden sind, eine
Mehrzahl von streifenförmigen Drainelektroden, welche mit
einer Drainkontaktstelle verbunden sind, und eine Mehrzahl
von streifenförmigen Sourceelektroden aufweist, welche mit
einer Sourcekontaktstelle verbunden sind, wobei die Drain
elektroden und die Sourceelektroden über die Gateelektroden
einander gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind; und
einen Widerstand, welcher einen Teil des Gatebusses zwi
schen benachbarten Transistorzellen aufweist, zum Verhin
dern einer Oszillation, die zwischen den benachbarten Tran
sistorzellen auftritt. Da der Widerstand als Verstärkungs
verlustkomponente dient, wird eine Oszillation infolge ei
ner Unausgewogenheit bzw. eines Ungleichgewichts der Cha
rakteristik zwischen den benachbarten Transistorzellen auf
gehoben, wodurch die Effizienz des Aufbaus des Transistors
verbessert wird. Da des weiteren der Widerstand zwischen
den benachbarten Zellen angeordnet ist, wirkt dieser Wider
stand nicht als Verstärkungsverlust, wenn nicht eine Oszil
lation infolge einer Unausgewogenheit der Charakteristik
zwischen diesen Zellen auftritt. Deshalb besteht nicht die
Möglichkeit, daß der Widerstand den Gatewiderstandswert
oder die parasitäre Kapazität erhöhen könnte, und daher ist
es möglich, durch Aufheben einer Oszillation ohne Verringe
rung der Verstärkung des Widerstands den Betrieb des Tran
sistors stabil zu machen.
Claims (5)
1. Halbleiterbauelement (Fig. 1) mit:
einem Halbleitersubstrat (18);
einem Hochleistungsausgangstransistorchip, welcher auf dem Halbleitersubstrat (18) angeordnet ist, wobei eine Mehrzahl von Transistorzellen parallel angeschlossen sind;
wobei jede Transistorzelle eine Mehrzahl von streifen förmigen Gateelektroden (6), welche an einen Gatebus (8) angeschlossen sind, eine Mehrzahl von streifenförmigen Drainelektroden (1), welche an eine Drainkontaktstelle (10) angeschlossen sind, und eine Mehrzahl von streifenförmigen Sourceelektroden (2) aufweist, welche an eine Sourcekon taktstelle (4) angeschlossen sind, wobei die Drainelektro den (1) und die Sourceelektroden (2) über die Gateelektro den (6) einander gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind; und
einem Widerstand (9), welcher ein Teil des Gatebusses (8) zwischen benachbarten Transistorzellen aufweist, zum Verhindern einer Oszillation, die zwischen den benachbarten Transistorzellen auftritt.
einem Halbleitersubstrat (18);
einem Hochleistungsausgangstransistorchip, welcher auf dem Halbleitersubstrat (18) angeordnet ist, wobei eine Mehrzahl von Transistorzellen parallel angeschlossen sind;
wobei jede Transistorzelle eine Mehrzahl von streifen förmigen Gateelektroden (6), welche an einen Gatebus (8) angeschlossen sind, eine Mehrzahl von streifenförmigen Drainelektroden (1), welche an eine Drainkontaktstelle (10) angeschlossen sind, und eine Mehrzahl von streifenförmigen Sourceelektroden (2) aufweist, welche an eine Sourcekon taktstelle (4) angeschlossen sind, wobei die Drainelektro den (1) und die Sourceelektroden (2) über die Gateelektro den (6) einander gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind; und
einem Widerstand (9), welcher ein Teil des Gatebusses (8) zwischen benachbarten Transistorzellen aufweist, zum Verhindern einer Oszillation, die zwischen den benachbarten Transistorzellen auftritt.
2. Halbleiterbauelement (Fig. 7) mit:
einem Halbleitersubstrat (18);
einem Hochleistungsausgangstransistorchip, welcher auf dem Halbleitersubstrat (18) angeordnet ist, wobei eine Mehrzahl von Transistorzellen parallel angeschlossen sind;
wobei jede Transistorzelle eine Mehrzahl von streifen förmigen Gateelektroden (6), welche an einen Gatebus (8) angeschlossen sind, eine Mehrzahl von streifenförmigen Drainelektroden (1), welche an eine Drainkontaktstelle (10) angeschlossen sind, und eine Mehrzahl von streifenförmigen Sourceelektroden (2) aufweist, welche an eine Sourcekon taktstelle (4) angeschlossen sind, wobei die Drainelektro den (1) und die Sourceelektroden (2) über die Gateelektro den (6) einander gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind; und
einem Widerstand (91), welcher die Drainkontaktstellen (10) der benachbarten Transistorzellen verbindet, zum Ver hindern einer Oszillation, die zwischen den benachbarten Transistorzellen auftritt.
einem Halbleitersubstrat (18);
einem Hochleistungsausgangstransistorchip, welcher auf dem Halbleitersubstrat (18) angeordnet ist, wobei eine Mehrzahl von Transistorzellen parallel angeschlossen sind;
wobei jede Transistorzelle eine Mehrzahl von streifen förmigen Gateelektroden (6), welche an einen Gatebus (8) angeschlossen sind, eine Mehrzahl von streifenförmigen Drainelektroden (1), welche an eine Drainkontaktstelle (10) angeschlossen sind, und eine Mehrzahl von streifenförmigen Sourceelektroden (2) aufweist, welche an eine Sourcekon taktstelle (4) angeschlossen sind, wobei die Drainelektro den (1) und die Sourceelektroden (2) über die Gateelektro den (6) einander gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind; und
einem Widerstand (91), welcher die Drainkontaktstellen (10) der benachbarten Transistorzellen verbindet, zum Ver hindern einer Oszillation, die zwischen den benachbarten Transistorzellen auftritt.
3. Halbleiterbauelement (Fig. 8) mit:
einem Halbleitersubstrat (18);
einem Hochleistungsausgangstransistorchip, welcher auf dem Halbleitersubstrat (18) angeordnet ist, wobei eine Mehrzahl von Transistorzellen parallel angeschlossen sind;
wobei jede Transistorzelle eine Mehrzahl von streifen förmigen Gateelektroden (6), die an einen Gatebus (8) ange schlossenen sind, eine Mehrzahl von streifenförmigen Drainelektroden (1), die an eine Drainkontaktstelle (10) angeschlossen sind, und eine Mehrzahl von streifenförmigen Sourceelektroden (2) aufweist, die an eine Sourcekon taktstelle (4) angeschlossen sind, wobei die Drainelektro den (1) und die Sourceelektroden (2) über die Gateelektro den (6) einander gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind;
einem ersten Widerstand (9), welcher einen Teil des Gatebusses (8) zwischen benachbarten Transistorzellen auf weist, zum Verhindern einer Oszillation, die zwischen den benachbarten Transistorzellen auftritt; und
einem zweiten Widerstand (91), welcher die Drainkon taktstellen (10) benachbarter Transistorzellen verbindet, zum Verhindern einer Oszillation, die zwischen den benach barten Transistorzellen auftritt.
einem Halbleitersubstrat (18);
einem Hochleistungsausgangstransistorchip, welcher auf dem Halbleitersubstrat (18) angeordnet ist, wobei eine Mehrzahl von Transistorzellen parallel angeschlossen sind;
wobei jede Transistorzelle eine Mehrzahl von streifen förmigen Gateelektroden (6), die an einen Gatebus (8) ange schlossenen sind, eine Mehrzahl von streifenförmigen Drainelektroden (1), die an eine Drainkontaktstelle (10) angeschlossen sind, und eine Mehrzahl von streifenförmigen Sourceelektroden (2) aufweist, die an eine Sourcekon taktstelle (4) angeschlossen sind, wobei die Drainelektro den (1) und die Sourceelektroden (2) über die Gateelektro den (6) einander gegenüberliegend abwechselnd angeordnet sind;
einem ersten Widerstand (9), welcher einen Teil des Gatebusses (8) zwischen benachbarten Transistorzellen auf weist, zum Verhindern einer Oszillation, die zwischen den benachbarten Transistorzellen auftritt; und
einem zweiten Widerstand (91), welcher die Drainkon taktstellen (10) benachbarter Transistorzellen verbindet, zum Verhindern einer Oszillation, die zwischen den benach barten Transistorzellen auftritt.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 und 3
(Fig. 6), dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (19),
welcher einen Teil des Gatebusses (8) zwischen benachbarten
Transistorzellen aufweist, unter Verwendung eines Teils ei
ner aktiven Schicht hergestellt wird, die auf dem Halblei
tersubstrat (18) angeordnet ist, und der Widerstand (19)
sich in einem Ohmschen Kontakt (20) mit dem Gatebus (8) be
findet.
5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4
(Fig. 9), gekennzeichnet durch:
eine Anpassungsschaltung zum Verbinden des Transistor chips mit einem anderen Transistorchip, wobei die Anpas sungsschaltung in eine Mehrzahl von Strukturen (30a, 30b, 31a, 31b) unterteilt ist; und
einen Widerstand (92 oder 93), welcher benachbarte Strukturen miteinander verbindet, zum Verhindern einer Os zillation, die zwischen den benachbarten Strukturen auf tritt.
eine Anpassungsschaltung zum Verbinden des Transistor chips mit einem anderen Transistorchip, wobei die Anpas sungsschaltung in eine Mehrzahl von Strukturen (30a, 30b, 31a, 31b) unterteilt ist; und
einen Widerstand (92 oder 93), welcher benachbarte Strukturen miteinander verbindet, zum Verhindern einer Os zillation, die zwischen den benachbarten Strukturen auf tritt.
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