DE102019106997A1

DE102019106997A1 - SAW-Resonator mit reduzierten Störmoden, elektroakustisches Filter und Multiplexer

Info

Publication number: DE102019106997A1
Application number: DE102019106997.1A
Authority: DE
Inventors: Matthias Knapp; Veit Meister; Ingo Bleyl
Original assignee: RF360 Europe GmbH
Current assignee: RF360 Singapore Pte Ltd
Priority date: 2019-03-19
Filing date: 2019-03-19
Publication date: 2020-09-24
Also published as: WO2020187825A1

Abstract

SAW-Resonatoren mit reduzierten Störmoden sind bereitgestellt. Zum Beispiel separiert ein Wellenmodenseparator zwischen einem Trägersubstrat und einer Elektrodenstruktur eine akustische Störmode von einer gewollten akustischen Mode.

Description

Die vorliegende Anmeldung betrifft elektroakustische Resonatoren, die in Trägeraggregationsanwendungen verwendet werden können und die reduzierte Störmoden aufweisen.
Der anhaltende Trend zu einer höheren Anzahl an Funktionalitäten, größeren Datenübertragungsraten und kleineren räumlichen Abmessungen erfordert verbesserte Vorrichtungen zur Mobilkommunikation und verbesserte Komponenten für solche Vorrichtungen. Die Entwicklung von Mobilkommunikationssystemen der nächsten Generation erfordert Vorrichtungen mit herausragender Leistungsfähigkeit.
In elektroakustischen Resonatoren wandelt eine Elektrodenstruktur in Kombination mit einem piezoelektrischen Material - aufgrund des piezoelektrischen Effekts - zwischen elektromagnetischen und akustischen HF-Signalen. Jedoch können in realen Vorrichtungen ungewollte Störmoden zusätzlich zu gewollten akustischen Moden angeregt werden. Die ungewollten akustischen Störmoden verschlechtern die Leistungsfähigkeit des entsprechenden Filters, wodurch es schwieriger oder unmöglich gemacht wird, dass herkömmliche Resonatoren aktuellen oder zukünftigen Spezifikationen entsprechen.
Aus US 9,190,981 B2 und aus US 9,413,334 B2 sind Schichtkonstruktionen für elektroakustische Resonatoren bekannt.
Aus US 2015/0102705 A1 sind elektroakustische Resonatoren bekannt, die dielektrische funktionale Schichten umfassen.
Aus DE 10 2017 111 448 A1 ist die Verwendung eines Siliciummaterials als ein Trägersubstrat bekannt.
Jedoch umfassen herkömmliche elektroakustische Resonatoren, z. B. SAW-Resonatoren (SAW: Surface Acoustic Wave - akustische Oberflächenwelle), zusätzliche funktionale Schichten, z. B. zur Temperaturkompensation, zur Passivierung und dergleichen, welche die Erzeugung ungewollter Störmoden erleichtern.
Dementsprechend ist ein elektroakustischer Resonator gewollt, der HF-Filter, z. B. für Mobilkommunikationsanwendungen, ermöglicht, die eine herausragende Leistungsfähigkeit aufweisen, eine große Bandbreite bereitstellen, einen niedrigen Temperaturkoeffizienten der Frequenz (TCF: Temperature Coefficient of Frequency) aufweisen, die mit Trägeraggregationsanwendungen kompatibel sind, in denen andere Leistungsfähigkeitsparameter nicht verschlechtert sind, die strengen Spezifikationen entsprechen, die mit unterschiedlichen Frequenzbereichen verwendet werden können und die eine reduzierte Stärke ungewollter Störmoden, wie etwa Moden höherer Ordnung oder Volumenmoden, aufweisen.
Zu diesem Zweck ist ein SAW-Resonator gemäß dem unabhängigen Anspruch 1 bereitgestellt. Abhängige Ansprüche stellen bevorzugte Ausführungsformen bereit.
Der SAW-Resonator mit reduzierten Störmoden kann ein Trägersubstrat und eine Elektrodenstruktur oberhalb des Trägersubstrats umfassen. Ferner kann der Resonator eine piezoelektrische Schicht zwischen dem Trägersubstrat und der Elektrodenstruktur aufweisen.
Es ist möglich, dass - während des Betriebs des Resonators - eine akustische Störmode von einer gewollten akustischen Mode separiert wird.
Ferner ist es möglich, dass ein Wellenmodenseparator zwischen dem Trägersubstrat und der Elektrodenstruktur angeordnet ist.
Insbesondere ist es möglich, dass der Wellenmodenseparator - während des Betriebs - die akustische Störmode von der gewollten akustischen Mode separiert.
In SAW-Resonatoren wird eine gewollte akustische Mode durch die Elektrodenstruktur unter Nutzung des piezoelektrischen Materials angeregt. Die Elektrodenstruktur weist üblicherweise fingerartig ineinandergreifende kammartige Elektroden auf, die zwei Sammelschienen und Elektrodenfinger, die elektrisch mit einer der zwei Sammelschienen verbunden sind, aufweisen. Die gewollte akustische Mode propagiert typischerweise in einer Richtung senkrecht zu der Ausdehnung der Elektrodenfinger an der Oberfläche des piezoelektrischen Materials.
Zusätzliche akustische Moden (Störmoden) können infolge von zum Beispiel linearen Effekten des piezoelektrischen Materials oder durch Reflexionseffekte innerhalb der entsprechenden Wellenleitungsstruktur für die gewollte akustische Mode angeregt werden. Insbesondere können Komponenten der Resonatoren, die zum Befolgen von speziellen Anforderungen notwendig sein können, z. B. TCF-Schichten und dergleichen, eine andere Quelle einer Anregung ungewollter Moden herstellen. Dementsprechend müssen Störmoden in herkömmlichen Resonatoren als unvermeidbare Nebeneffekte akzeptiert werden.
Die Separation einer Störmode von einer gewollten akustischen Mode, wie oben beschrieben, entfernt die Störmode wenigstens teilweise, so dass schädliche Effekte reduziert werden und die Leistungsfähigkeit des Resonators und des entsprechenden Filters verbessert wird.
Störmoden können bei Frequenzbereichen auftreten, die ausreichend weit von den Arbeitsfrequenzen des Resonators entfernt sind. Jedoch können, wenn Trägeraggregationssysteme betroffen sind, solche Störmoden dann den Betrieb eines anderen Frequenzbandes stören. Obwohl solche Störmoden in Systemen ohne Trägeraggregation möglicherweise toleriert werden konnten, können dementsprechend solche Moden in neuen Systemen, die Trägeraggregation unterstützen, nicht mehr akzeptiert werden und die oben beschriebene Separation ermöglicht, dass die vorliegenden Resonatoren in Trägeraggregationssystemen verwendet werden.
Es ist möglich, dass der Resonator eine Separationsgrenzfläche auf dem oder oberhalb des Trägersubstrats umfasst.
Die Separationsgrenzfläche kann als der Wellenmodenseparator zum Separieren der Störmode oder einiger Störmoden von der gewollten akustischen Hauptmode wirken.
Die Separationsgrenzfläche kann eine Grenzfläche zwischen einem Material des Trägersubstrats und einem Material der Elektrodenstruktur sein. Insbesondere kann sich die Separationsgrenzfläche auf der oberen Seite des Trägersubstrats, auf der unteren Seite der piezoelektrischen Schicht oder auf einer Zwischenschicht zwischen dem Trägersubstrat und der piezoelektrischen Schicht befinden.
Insbesondere kann die Separationsgrenzfläche eine Grenzfläche zwischen zwei unterschiedlichen Materialien sein.
Ferner ist es möglich, dass die zwei unterschiedlichen Materialien, zwischen denen sich die Separationsgrenzfläche befindet, unterschiedliche akustische Eigenschaften aufweisen.
Es ist möglich, dass der SAW-Resonator ferner eine erste Separationsschicht und/oder eine zweite Separationsschicht umfasst.
Die erste Separationsschicht kann einen Wellenmodenseparator herstellen oder kann zu der Wellenmodenseparation beitragen.
Außerdem kann die zweite Separationsschicht einen Wellenmodenseparator herstellen oder zu der Wellenmodenseparation beitragen.
Die Bereitstellung des Wellenmodenseparators weist einen Einfluss auf die Propagation akustischer Moden an der Oberfläche des SAW-Resonators und in dem Material unterhalb der Oberfläche des SAW-Resonators auf.
Die Materialien und das Materialsystem des SAW-Resonators, insbesondere die Bereitstellung des Wellenmodenseparators (z. B. in der Form der Separationsgrenzfläche, der ersten Separationsschicht und/oder der zweiten Separationsschicht) kann eine selektive Reflektivität für unterschiedliche Wellenmoden aufweisen. Für gewollte Wellenmoden kann die Reflektivität so hoch sein, dass gewollte Wellenmoden an der Oberfläche des SAW-Resonators beibehalten werden. Die Reflektivität kann für ungewollte Störwellenmoden so niedrig sein, dass eine Separation stattfindet und ungewollte Störwellenmoden von der akustischen Spur des Resonators weggeleitet werden.
Dies kann erreicht werden, indem die Materialien des Systems so gewählt werden, dass gewollte und ungewollte Moden unterschiedliche bevorzugte Propagationsrichtungen aufweisen.
Die Entkopplung gewollter von ungewollten Moden hält die gewollte akustische Energie in der akustischen Spur, während die Energie ungewollter akustischer Moden in das Volumenmaterial dissipieren kann.
Ferner können die Materialien und das Materialsystem und die Schichtanordnung so gewählt werden, dass die Anregung gewollter Moden verstärkt wird, während die Anregung ungewollter Moden reduziert wird.
Die Parameter der Materialien der entsprechenden Schichtkonstruktion des Resonators werden so gewählt, dass die obigen Effekte erhalten werden. Zum Beispiel können die oben beschriebenen Effekte durch Wählen der Steifigkeitskonstanten, der Gitterkonstanten und der Gitterorientierung der Schichten erhalten werden.
Entsprechend ist es möglich, dass die erste Separationsschicht - falls vorhanden - ein Material umfasst oder daraus besteht, welches aus einem dielektrischen Material, einem polykristallinen Silicium, einem amorphen Material ausgewählt ist. Ferner kann die erste Separationsschicht eine Dicke y1 aufweisen, wobei gilt: 0,05 λ ≤ y1 ≤ λ (wobei λ die akustische Wellenlänge der gewollten Hauptmode ist).
Die zweite Separationsschicht kann - falls vorhanden - ein Material umfassen oder daraus bestehen, welches aus einem dielektrischen Material, einem Siliciumoxid, einem Siliciumdioxid, SiO₂, ausgewählt ist. Die zweite Separationsschicht kann eine Dicke y2 aufweisen, wobei 0,1 λ ≤ y2 ≤ A gilt.
Die erste Separationsschicht kann - falls vorhanden - zwischen dem Trägersubstrat und dem piezoelektrischen Material angeordnet sein.
Die zweite Separationsschicht kann - falls vorhanden - zwischen dem Trägersubstrat und der piezoelektrischen Schicht angeordnet sein. Die zweite Separationsschicht kann zwischen der ersten Separationsschicht und der piezoelektrischen Schicht angeordnet sein. Jedoch ist es auch möglich, dass die zweite Separationsschicht zwischen dem Trägersubstrat und der ersten Separationsschicht angeordnet ist.
Es ist möglich, dass das Trägersubstrat Silicium, z. B. monokristallines Silicium, umfasst oder daraus besteht.
Es ist möglich, dass die obere Oberfläche des Trägersubstrats parallel zu der [110]-Ebene oder parallel zu der [111]-Ebene ist. Ferner ist es möglich, dass das Trägersubstrat eine Kristallorientierung mit den Eulerwinkeln (-45°±10 ; -54°±10 ; 60°±20°) oder (-45°±10°; -90°±10°; 30°±30°) aufweist.
In diesem Zusammenhang bezeichnen die Zahlen 1, 1, 0 und die Zahlen 1, 1, 1 die Millerschen Indizes, die die Orientierung von Ebenen eines Kristalls definieren.
Durch das Bereitstellen der Millerschen Indizes ist die Orientierung der Ebene, d. h. der oberen Oberfläche des Trägersubstrats, mit Bezug auf die kristallografischen Achsen eindeutig definiert.
Durch das Bereitstellen der Eulerwinkel ist die Orientierung der kristallografischen Achsen relativ zu der oberen Oberfläche des Trägersubstrats ebenfalls eindeutig klar. Zusätzlich ist die Propagationsrichtung der akustischen Wellenmode relativ zu den kristallografischen Achsen durch die Eulerwinkel eindeutig definiert.
In diesem Fall sind die Eulerwinkel (λ', µ, θ) wie folgt definiert: zuerst wird ein Satz von Achsen x, y, z als eine Basis genommen, welche die kristallografischen Achsen des piezoelektrischen Materials sind.
Der erste Winkel, λ', spezifiziert, um welchen Betrag die x-Achse und die y-Achse um die z-Achse rotiert werden, wobei die x-Achse in der Richtung der y-Achse rotiert wird. Ein neuer Satz von Achsen x', y', z' entsteht entsprechend, wobei z = z' gilt.
In einer weiteren Rotation werden die z'-Achse und die y'-Achse um die x'-Achse um den Winkel µ rotiert. In diesem Fall wird die y'-Achse in der Richtung der z'-Achse rotiert. Ein neuer Satz von Achsen x'', y'', z'' entsteht entsprechend, wobei x' = x'' gilt.
In einer dritten Rotation werden die x''-Achse und die y''-Achse um die z''-Achse um den Winkel θ rotiert. In diesem Fall wird die x''-Achse in der Richtung der y''-Achse rotiert. Ein neuer Satz von Achsen x''', dritter y''', z''' entsteht entsprechend, wobei z'' = z''' gilt.
In diesem Fall sind die x'''-Achse und die y'''-Achse parallel zu der Oberfläche des Substrats. Die z'''-Achse ist die Normale zu der Oberfläche des Substrats. Die x'''-Achse spezifiziert die Propagationsrichtung der akustischen Wellen.
Die Definition stimmt mit dem internationalen Standard IEC 62276, 2005-05, Anhang A1 überein.
Eulerwinkel mit einem reduzierten Winkelbereich (z. B. 10° für alle drei Winkel, 5° für alle drei Winkel, 2° für alle drei Winkel) sind ebenfalls möglich.
Es ist möglich, dass die piezoelektrische Schicht ein Material umfasst oder daraus besteht, welches aus Lithiumtantalat (LiTaO₃) und Lithiumniobat (LiNbO₃) ausgewählt ist. Ferner kann die piezoelektrische Schicht eine Dicke y3 aufweisen, wobei 0,2 λ ≤ y3 ≤ λ gilt.
Ferner kann der SAW-Resonator ein Resonator eines elektroakustischen Filters sein.
Ferner kann das Filter ein Filter eines Multiplexers (z. B. für Trägeraggregations(CA: Carrier Aggregation)-Anwendungen sein.
Zentrale Aspekte des SAW-Resonators und Einzelheiten bevorzugter Ausführungsformen sind in den begleitenden schematischen Figuren gezeigt.
In den Figuren gilt:

1 zeigt einen Querschnitt durch eine mögliche Schichtkonstruktion;
2 zeigt eine Schichtkonstruktion, die eine erste Separationsschicht umfasst;
3 zeigt eine Schichtkonstruktion mit einer ersten und einer zweiten Separationsschicht;
4 zeigt - in einer Draufsicht - ein grundlegendes Layout der Elektrodenstruktur;
5 veranschaulicht mögliche Schaltkreistopologien eines Duplexers;
6 gibt die Definition der Eulerwinkel an;
7 zeigt die Realpfade von Admittanzkurven für unterschiedliche Eulerwinkel des Trägersubstrats (frequenzabhängig);
8 zeigt die entsprechenden Betragswerte;
9 zeigt die frequenzabhängigen Realpfade von Admittanzkurven für unterschiedliche Millersche Indizes; und
10 zeigt die entsprechenden Betragswerte.

1 veranschaulicht einen Querschnitt durch eine mögliche Schichtkonstruktion des SAW-Resonators SAWR. Die Schichtkonstruktion umfasst ein Trägersubstrat CS, auf dem weitere Schichtelemente angeordnet sind. Insbesondere ist die Elektrodenstruktur ES oberhalb des Trägersubstrats CS angeordnet. Zwischen dem Trägersubstrat CS und der Elektrodenstruktur ES ist die piezoelektrische Schicht PL, die ein piezoelektrisches Material umfasst oder daraus besteht, angeordnet. Ein Wellenmodenseparator WMS ist zwischen der piezoelektrischen Schicht PL und dem Trägersubstrat CS angeordnet. Der Wellenmodenseparator WMS kann als eine Grenzfläche I zwischen dem Material des Trägersubstrats CS und dem Material der piezoelektrischen Schicht PL hergestellt sein. Die Grenzfläche zwischen den zwei Materialien kann besonders gut als ein Wellenmodenseparator wirken, wenn die Materialparameter des Trägersubstrats CS und/oder der piezoelektrischen Schicht PL entsprechend gewählt sind. Jedoch werden in einem SAW-Resonator die kristallografischen Achsen des piezoelektrischen Materials so gewählt, dass ein angemessener elektroakustischer Kopplungskoeffizient erhalten wird. Dementsprechend sind typischerweise die piezoelektrischen Achsen parallel zu der Propagationsrichtung der akustischen Hauptmode x orientiert. Die Schichtkonstruktion weist ihre Schichten in der y-Richtung aufeinander angeordnet auf. Die Elektrodenstruktur ES weist Elektrodenfinger auf, deren Querschnitt in 1 gezeigt ist. Die Ausdehnung der Elektrodenfinger ist orthogonal zu der xy-Ebene, die den in 1 gezeigten Querschnitt definiert.
Ferner veranschaulicht 2 eine mögliche Schichtkonstruktion, wobei der Wellenmodenseparator WMS durch eine erste Separationsschicht SL1 realisiert oder verstärkt ist.
Es ist möglich, dass eine zusätzliche Separationsgrenzfläche zwischen dem Material des Trägersubstrats CS und dem Material der ersten Separationsschicht SL1 und/oder zwischen dem Material der ersten Separationsschicht SL1 und dem Material der piezoelektrischen Schicht PL vorhanden ist.
3 gibt die Möglichkeit des Anordnens einer zweiten Separationsschicht SL2 in der Schichtkonstruktion an. Die zweite Separationsschicht SL2 kann zwischen der ersten Separationsschicht SL1 und der piezoelektrischen Schicht PL angeordnet sein. Jedoch ist es auch möglich, dass die Reihenfolge der ersten Separationsschicht und der zweiten Separationsschicht umgekehrt ist.
4 veranschaulicht eine grundlegende Konfiguration eines SAW-Resonators in einer Draufsicht. Die Oberfläche des SAW-Resonators ist parallel zu der xz-Ebene. Die Propagationsrichtung der akustischen Wellen ist parallel zu der x-Richtung. Die Elektrodenfinger EFI weisen ihre Ausdehnung entlang der z-Richtung auf. Die Sammelschienen BB weisen eine Ausdehnung entlang der Longitudinalrichtung x auf. Die Elektrodenfinger EFI sind elektrisch mit einer der zwei Sammelschienen verbunden und stellen fingerartig ineinandergreifende Strukturen IDS her. Die fingerartig ineinandergreifenden Strukturen IDS stellen die Elektrodenstruktur ES her und sind zwischen akustischen Reflektoren R angeordnet, um akustische Energie auf die akustische Spur zu begrenzen. Die Elektrodenstruktur ES ist zusammen mit den Reflektoren R auf dem piezoelektrischen Material PM angeordnet.
5 veranschaulicht eine mögliche Schaltkreistopologie eines Duplexers als ein Beispiel für einen Multiplexer. Der Duplexer umfasst ein Übertragungsfilter TXF und ein Empfangsfilter RXF. Jedes der zwei Filter weist elektroakustische Resonatoren, z. B. SAW-Resonatoren, auf. Die Resonatoren können Reihenresonatoren SR sein, die elektrisch in Reihe in einem Signalpfad verbunden sind. Parallelresonatoren PR verbinden den Signalpfad elektrisch mit Masse. Ein gemeinsamer Port CP kann elektrisch mit einer Antenne AN verbunden sein. Ein Impedanzanpassungsschaltkreis IMC kann zwischen dem Übertragungsfilter TXF und dem Empfang RXF bereitgestellt sein, um Eingangs- und Ausgangsimpedanzen der Filter gemäß den entsprechenden Frequenzen anzupassen.
6 veranschaulicht die Definition der Eulerwinkel. Die resultierenden Achsen x''', y''' und z''' entsprechen den Achsen, die durch x, y, z in den obigen Figuren bezeichnet sind.
7 veranschaulicht einen Vergleich der Realpfade von Admittanzkurven von zwei Resonatoren. Kurve 1 entspricht einem Resonator, bei dem das Siliciumsubstrat Eulerwinkel (0°, 0°, 0°) aufweist. Kurve 2 entspricht einem Resonator, bei dem das Trägersubstrat die Eulerwinkel (0°, 0°, 45°) aufweist. Es kann klar gesehen werden, dass die Orientierung der kristallografischen Achsen des Trägersubstrats die Leistungsfähigkeit des Resonators wesentlich bestimmt.
Entsprechend zeigt 8 die frequenzabhängigen Beträge der Admittanzkurven der Resonatoren, die 7 entsprechen.
9 veranschaulicht den frequenzabhängigen Realpfad der Admittanzkurven für Resonatoren, wobei Kurve 1 einem Resonator entspricht, bei dem das Trägersubstrat eine obere Oberfläche parallel zu der Ebene bereitstellt, die durch die Millerschen Indizes 100 definiert ist. Kurve 2 zeigt den Realpfad der Admittanz eines Resonators, bei dem das Trägersubstrat eine obere Oberfläche parallel zu der Ebene bereitstellt, die durch die Millerschen Indizes 110 definiert ist.
Entsprechend veranschaulicht 10 die frequenzabhängigen Betragswerte der Admittanzkurven, die 9 entsprechen.
Der Resonator ist nicht auf die oben gezeigten Einzelheiten und Konfigurationen beschränkt. Zusätzliche Elemente, wie etwa TCF-Schichten, Passivierungsschichten, Wellenleitungselemente und ähnliche Elemente, können vorhanden sein. Trotz der Möglichkeit de Vorhandenseins mehrerer zusätzlicher Schichten - die zu möglichen Quellen ungewollter Störmoden führen würden - werden Störmoden reduziert und wird die Leistungsfähigkeit verbessert.
Bezugszeichenliste

AN:: Antenne
BB:: Sammelschiene
CP:: gemeinsamer Port
CS:: Trägersubstrat
EFI:: Elektrodenfinger
ES:: Elektrodenstruktur
I:: Grenzfläche
IDS:: fingerartig ineinandergreifende Struktur
IMC:: Impedanzanpassungsschaltkreis
PL:: piezoelektrische Schicht
PM:: piezoelektrisches Material
PR:: Parallelresonator
R:: akustischer Reflektor
RXF:: Empfangsfilter
SAWR:: SAW-Resonator
SL1, SL2:: erste, zweite Separationsschicht
SR:: Reihenresonator
TXF:: Übertragungsfilter
WMS:: Wellenmodenseparator

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 9190981 B2 [0004]
US 9413334 B2 [0004]
US 2015/0102705 A1 [0005]
DE 102017111448 A1 [0006]

Claims

SAW-Resonator mit reduzierten Störmoden, der Folgendes umfasst: - ein Trägersubstrat, - eine Elektrodenstruktur oberhalb des Trägersubstrats, - eine piezoelektrische Schicht zwischen dem Trägersubstrat und der Elektrodenstruktur, wobei - während des Betriebs eine akustische Störmode von einer gewollten akustischen Mode separiert wird.
SAW-Resonator mit reduzierten Störmoden, der Folgendes umfasst: - ein Trägersubstrat, - eine Elektrodenstruktur oberhalb des Trägersubstrats, - eine piezoelektrische Schicht zwischen dem Trägersubstrat und der Elektrodenstruktur, - einen Wellenmodenseparator zwischen dem Trägersubstrat und der Elektrodenstruktur.
SAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der Folgendes umfasst: eine Separationsgrenzfläche auf dem oder oberhalb des Trägersubstrats.
SAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der Folgendes umfasst: eine erste Separationsschicht, die einen Wellenmodenseparator herstellt.
SAW-Resonator nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die erste Separationsschicht - ein Material umfasst oder daraus besteht, das aus einem dielektrischen Material, einem polykristallinen Si, einem amorphen Material ausgewählt ist, und - eine Dicke y1 aufweist, wobei 0,05 λ ≤ y1 ≤ λ gilt.
SAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der Folgendes umfasst: eine zweite Separationsschicht, die einen Wellenmodenseparator herstellt.
SAW-Resonator nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die zweite Separationsschicht - ein Material umfasst oder daraus besteht, das aus einem dielektrischen Material, einem Siliciumoxid, SiO₂ ausgewählt ist, und - eine Dicke y2 aufweist, wobei 0,1 λ ≤ y2 ≤ λ gilt.
SAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Trägersubstrat Si umfasst oder daraus besteht.
SAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Trägersubstrat Folgendes aufweist: - eine obere Oberfläche parallel zu der [110]-Ebene oder parallel zu der [111]-Ebene, oder - eine Kristallorientierung mit den Eulerwinkeln (-45°±10°; -54°±10°; 60°±20°) oder (-45°±10°; -90°±10°; 30°±30°).
SAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die piezoelektrische Schicht - ein Material umfasst oder daraus besteht, das aus LiTaO₃ und LiNbO₃ ausgewählt ist, und - eine Dicke y3 aufweist, wobei 0,2 λ ≤ y3 ≤ λ gilt.
Elektroakustisches Filter, das einen SAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfasst.
Multiplexer für CA-Anwendungen, der das elektroakustische Filter nach dem vorhergehenden Anspruch umfasst.