DE102017212534A1 - Optisches System, Lithographieanlage, Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems sowie Verfahren zum Austauschen eines Moduls - Google Patents

Optisches System, Lithographieanlage, Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems sowie Verfahren zum Austauschen eines Moduls Download PDF

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Abstract

Optisches System (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit einem ersten Modul (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen, einem mit dem ersten Modul (202) verbindbaren zweiten Modul (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, und einer an dem ersten Modul (202) vorgesehenen Sensoreinrichtung (228), die dazu eingerichtet ist, eine Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) zu erfassen, um das erste Modul (202) und das zweite Modul (204) basierend auf von der Sensoreinrichtung (228) erfassten Messwerten zueinander auszurichten.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System für eine Lithographieanlage. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System. Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung verschiedene Ausführungsformen eines Verfahrens zum Herstellen eines derartigen optischen Systems. Zudem betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Austausch eines Moduls eines derartigen optischen Systems für eine Lithographieanlage.
  • Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewandt. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat (zum Beispiel ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
  • Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 bis 30 nm (Nanometer), insbesondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption von Licht dieser Wellenlänge der meisten Materialien reflektierende Optiken, d. h. Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, d. h. Linsen, eingesetzt werden.
  • Projektionsobjektive einer Lithographieanlage können modular aufgebaut sein. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn die Projektionsobjektive eine bestimmte Größe überschreiten. Beispielsweise können Module eines Projektionsobjektivs zu einem Einsatzort der Lithographieanlage gebracht werden und erst am Einsatzort zusammengesetzt bzw. verbunden werden. Das Zusammensetzen derartiger Module hat hohe Genauigkeitsanforderungen.
  • Beispielsweise können die Positionen von zwei zu verbindenden Modulen mit Hilfe einer Koordinatenmessmaschine (KMG) erfasst werden. Aus den erfassten Positionen kann eine Lagebeziehung zwischen den Modulen ermittelt werden. Die Koordinatenmessmaschine referenziert beim Erfassen der Lage eines Moduls Außenflächen des Moduls. Dadurch kann eine Zugänglichkeit der Module für Montagepersonal eingeschränkt werden. Daher kann eine Ausrichtung eines Moduls relativ zu einem anderen Modul anhand der erfassten Daten erst erfolgen, nachdem die einzelnen Positionen der Module erfasst und daraus die Lagebeziehung ermittelt wurde. Es sind somit mindestens zwei Messiterationen erforderlich, bis eine zufriedenstellende Lagebeziehung zwischen den Modulen von dem Montagepersonal eingestellt wird.
  • Außerdem werden somit Module in Bezug auf einen Endanschlag zueinander referenziert. Bei Modulen, die beispielsweise eine Masse von über 100 kg oder sogar über 250 kg aufweisen, können daher Fehlpositionierungen auftreten, die eine geforderte Genauigkeit von z.B. 40 µm übersteigen. Derartige Fehlpositionierungen können beispielsweise aufgrund begrenzter Aktuator-Ranges nicht kompensiert werden.
  • Weiterhin müssen derartige Koordinatenmessmaschinen an eine Größe der Module angepasst sein, sodass bei großen Modulen große Koordinatenmessmaschinen bereitgestellt werden müssen und entsprechende fertigungstechnische Grenzen erreicht werden können.
  • Ferner sind Koordinatenmessmaschinen bekannt, die mit Hilfe induktiver Sensoren arbeiten. Weiterhin sind Koordinatenmessmaschinen bekannt, die beispielsweise durch eine mechanische Antastung, also Berührung, messen. Sobald eine vorgegebene Anpresskraft des Tasters an den Prüfling erreicht wird, wird die Position als Datenpunkt aufgenommen. Zur Ermittlung der Anpresskraft werden beispielsweise sogenannte Kraftmessdosen verwendet. Die Bestimmung der Position des Tastkopfes der Koordinatenmessmaschine erfolgt beispielsweise mittels Sensoren, die einen strukturierten Glasmaßstab verwenden, wie z.B. Gittersensoren.
  • Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes optisches System, eine verbesserte Lithographieanlage, ein verbessertes Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems sowie ein verbessertes Verfahren zum Austausch eines Moduls bereitzustellen.
  • Demgemäß wird ein optisches System für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, mit einem ersten Modul, das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs zu umschließen, einem mit dem ersten Modul verbindbaren zweiten Modul, das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs zu umschließen, und einer an dem ersten Modul vorgesehenen Sensoreinrichtung, die dazu eingerichtet ist, eine Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul zu erfassen, um das erste Modul und das zweite Modul basierend auf von der Sensoreinrichtung erfassten Messwerten zueinander auszurichten.
  • Indem die Sensoreinrichtung am ersten Modul vorgesehen ist, kann die Lage des zweiten Moduls relativ zum ersten Modul direkt erfasst werden. Dadurch ist es möglich, aus dem Inneren der Module zu messen, sodass z.B. eine Innenfläche oder ein Innenbereich des zweiten Moduls für die Sensoreinrichtung als Messreferenz dient. Weiterhin ergibt sich der Vorteil, dass dadurch zeitgleich zum Erfassen der Lage eine Ausrichtung des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul erfolgen kann, da z.B. eine Zugänglichkeit der beiden Module für Montagepersonal durch einen Messvorgang mittels der Sensoreinrichtung nicht eingeschränkt wird.
  • Unter „Strahlengang“ wird der geometrische Verlauf von Lichtstrahlen (Arbeitslicht) hin zu einem Zielobjekt, beispielsweise einem zu belichtenden Wafer, verstanden. Unter „Arbeitslicht“ ist vorliegend Licht bzw. ein Lichtbündel zu verstehen, das zur Belichtung in dem optischen System genutzt wird, um eine Maskenstruktur auf eine lichtempfindliche Beschichtung des Substrats (insbesondere mikrostrukturiertes Bauelement) zu übertragen.
  • Beispielsweise meint „Lage“ eine Orientierung und/oder Position des zweiten Moduls relativ zum ersten Modul oder umgekehrt. Eine Orientierung meint beispielsweise eine Lagebeziehung, die durch zumindest einen rotatorischen Freiheitsgrad, insbesondere drei rotatorische Freiheitsgrade, beschrieben ist. Eine Position meint beispielsweise eine Lagebeziehung, die durch zumindest einen translatorischen Freiheitsgrad, insbesondere drei translatorische Freiheitsgrade, beschrieben ist. Das „Erfassen“ einer Lage kann beispielsweise auch als Messen bezeichnet werden.
  • „Umschließen des Strahlengangs“ meint, dass der Strahlengang durch das erste und zweite Modul verläuft. Vorzugsweise umfasst das erste Modul ein erstes Modulgehäuse und das zweite Modul ein zweites Modulgehäuse, wobei das erste Modulgehäuse an das zweite Modulgehäuse anflanschbar ist oder umgekehrt. Die Modulgehäuse sind beispielsweise aus einem Vollmaterial gebildet. Dabei ist das erste Modulgehäuse derart mit dem zweiten Modulgehäuse verbindbar, dass eine Ausrichtung zueinander einstellbar ist. Vorzugsweise ist eine Einstellvorrichtung, insbesondere ein Druckmechanismus, an zumindest einem der Module vorgesehen, um eine Lage des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul oder umgekehrt, einzustellen. Der Druckmechanismus kann Einstellschrauben und/oder Mikrometerschrauben umfassen. Mit anderen Worten ist eine Einstellung der Module zueinander, d.h. die Lageänderung zueinander, beispielsweise durch ein Verschieben eines der beiden Module auf einer gemeinsamen Schnittstellen- bzw. Interfacefläche vollziehbar. Ein Einbringen einer dazu benötigten Einstellkraft kann beispielsweise mittels Klopfens mit einem Werkzeug oder mittels des Druckmechanismus erfolgen. Beispielsweise kann für eine Reduzierung einer Reibung bzw. von Reibkräften dieser Prozess bei einer gewissen Gewichtsentlastung erfolgen, sodass auch die Einstellkraft verringert ist.
  • Das erste und zweite Modul sind insbesondere dazu eingerichtet, miteinander verbunden zu werden. Beispielsweise umfasst das erste und/oder das zweite Modul zumindest ein optisches Element, insbesondere eine Linse oder einen Spiegel, das den Strahlengang zumindest teilweise definiert bzw. geometrisch formt. Weiterhin kann ein Modul Aktuatoren für insbesondere jedes optische Element umfassen, die einem optischen Element zugeordnet und dazu eingerichtet sind, eine Lage des optischen Elements einzustellen oder zu verändern. Die Aktuatoren können auch als Aktoren oder Stellelemente bezeichnet werden. Es versteht sich, dass ein Modul auch mehr als ein optisches Element umfassen kann, z.B. zwei, drei, vier oder fünf optische Elemente. Vorzugsweise umfasst das erste und/oder zweite Modul eine Lichteintrittsöffnung, die für einen Eintritt des Arbeitslichts in das Modul, und eine Lichtaustrittsöffnung, die für einen Austritt des Arbeitslichts aus dem Modul vorgesehen ist. Die Sensoreinrichtung kann beispielsweise ein oder mehrere Messtaster aufweisen oder als Messtaster ausgebildet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform umschließt das erste Modul ein erstes Innenvolumen und das zweite Modul ein zweites Innenvolumen, wobei in verbundenem Zustand des ersten Moduls mit dem zweiten Modul das erste Innenvolumen und das zweite Innenvolumen zu einem Gesamtinnenvolumen verbunden sind und wobei die Sensoreinrichtung innerhalb des Gesamtinnenvolumens angeordnet ist.
  • Das Vorsehen der Sensoreinrichtung innerhalb der Module hat den Vorteil, dass das Erfassen der Lage des zweiten Moduls in einem Inneren der Module erfolgen kann und dadurch ein geringerer Platzbedarf für das Erfassen notwendig ist. Beispielsweise umfasst das zweite Modul eine Innenfläche oder einen Innenbereich, der als Messreferenz für die Sensoreinrichtung dient. Vorzugsweise ist in dem verbundenen Zustand der Module eine Lichteintrittsöffnung des zweiten Moduls einer Lichtaustrittsöffnung des ersten Moduls zugewandt, sodass das Arbeitslicht hindernisfrei von dem ersten Modul in das zweite Modul gelangen kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das erste Modul und/oder das zweite Modul ein Gewicht von größer 100 kg oder größer 250 kg auf.
  • „Gewicht“ kann vorliegend auch als Masse bezeichnet werden. Ein derartiges direktes Erfassen der Lage des zweiten Moduls relativ zum ersten Modul ist für große und entsprechend schwere Module besonders vorteilhaft, da nicht zwangsweise von außen gemessen werden muss. Dadurch kann eine Messanordnung bereitgestellt werden, die kostengünstig ist. Vorzugsweise weist das erste Modul und/oder das zweite Modul ein Gewicht von 100 kg bis 250 kg oder 250 kg bis 500 kg auf.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die Sensoreinrichtung einen kapazitiven oder induktiven Sensor und/oder einen Encoder.
  • Ein kapazitiver Sensor hat den Vorteil, dass Abstandsmessungen mit Nanometer-Genauigkeit gemessen werden können. Die Sensoreinrichtung kann eine Vielzahl an Sensoren umfassen. Vorzugsweise umfasst die Sensoreinrichtung einen Abstandssensor, einen Wegsensor und/oder einen Winkelsensor. Der Encoder ist beispielsweise ein optischer Encoder. Alternativ oder zusätzlich kann die Sensoreinrichtung einen optischen Sensor umfassen. Es versteht sich, dass eine Vielzahl von kapazitiven, induktiven oder optischen Sensoren vorgesehen sein kann. Beispielsweise umfasst die Sensoreinrichtung lediglich kapazitive, induktive oder optische Sensoren.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die Sensoreinrichtung eine Messbrückenschaltung, insbesondere eine Kapazitätsmessbrücke oder Induktivitätsmessbrücke.
  • Derartige Messbrückenschaltungen zeichnen sich durch eine hohe Empfindlichkeit aus. Außerdem werden an die Präzision der Einzelelemente nur moderate Ansprüche gestellt. Beispielsweise ist die Messbrückenschaltung als eine Wien-Brücke oder Wien-Maxwell-Brücke ausgebildet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische System ein Strukturelement auf, an welchem die Sensoreinrichtung befestigt ist, wobei das Strukturelement mit dem ersten Modul verbindbar und von diesem entfernbar vorgesehen ist.
  • Das Strukturelement ist beispielsweise eine Mess-Lehre, die mit dem ersten Modul verbunden werden kann, um die Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul zu erfassen. In diesem Fall wird die Sensoreinrichtung mittelbar oder indirekt mit dem ersten Modul verbunden. Dies hat den Vorteil, dass das Strukturelement samt Sensoreinrichtung nach einer zueinander Ausrichtung des ersten Moduls zum zweiten Modul von dem ersten Modul entfernt werden kann, sodass eine anderweitige Verwendung für weitere Module möglich ist. Vorzugsweise ist das Strukturelement relativ zu dem ersten Modul ausrichtbar oder justierbar.
  • Alternativ kann die Sensoreinrichtung unmittelbar oder direkt mit einem Abschnitt des ersten Modulgehäuses verbunden sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform erstreckt sich das Strukturelement in mit dem ersten Modul verbundenem Zustand durch das erste Innenvolumen.
  • Beispielsweise ist das Strukturelement mit einer Innenseite des ersten Modulgehäuses verbindbar oder dazu eingerichtet, mit der Innenseite des ersten Modulgehäuses verbunden zu werden. Dies hat den Vorteil, dass außerhalb des Modulgehäuses im Wesentlichen kein Platz für das Strukturelement bereitgestellt werden muss.
  • Weiterhin wird ein Projektionsobjektiv für eine Lithographieanlage mit einem optischen System, wie vorstehend beschrieben, vorgeschlagen, wobei das Projektionsobjektiv insbesondere für eine Transportierbarkeit und/oder Handhabbarkeit modular aufgebaut ist.
  • Außerdem wird eine Lithographieanlage mit einem optischen System, wie vorstehend beschrieben, vorgeschlagen.
  • Bei der Lithographieanlage kann es sich insbesondere um eine EUV-Lithographieanlage handeln. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultra violet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 und 30 nm. DUV steht für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultra violet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm.
  • Zudem wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems, insbesondere wie vorstehend beschrieben, für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines ersten Moduls, das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs zu umschließen, b) Bereitstellen eines mit dem ersten Modul verbindbaren zweiten Moduls, das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs zu umschließen, c) Bereitstellen einer an dem ersten Modul vorgesehenen Sensoreinrichtung, d) Verbinden des ersten Moduls mit dem zweiten Modul, e) Erfassen einer Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul mittels der Sensoreinrichtung, und f) zueinander Ausrichten des ersten Moduls und des zweiten Moduls basierend auf der in Schritt e) erfassten Lage.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Sensoreinrichtung mit einem Strukturelement verbunden, welches mit dem ersten Modul zeitweise verbunden wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das Strukturelement samt Sensoreinrichtung nach Beendigung des Schritts f) von dem ersten Modul entfernt.
  • Dies hat den Vorteil, dass für den Lithographieprozess unnötige Elemente, wie z.B. das Strukturelement, entfernt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform werden der Schritt e) und der Schritt f) zeitgleich ausgeführt.
  • Dies hat den Vorteil, dass dem Montagepersonal, beispielsweise während der Vornahme der Ausrichtung der Module zueinander, die Daten zu der erfassten Lage zur Verfügung stehen. Damit kann eine Ausrichtung zeiteffizient durchgeführt werden. Vorzugsweise umfasst das optische System eine Schnittstelle, insbesondere ein Display, die in Echtzeit die Daten zu der erfassten Lage ausgibt bzw. anzeigt.
  • Beispielsweise können das erste Modul und das zweite Modul vor den Schritten e) und f) mit Hilfe einer Koordinatenmessmaschine, insbesondere einzeln, vermessen werden. Insbesondere kann anhand der Messwerte der Koordinatenmessmaschine eine gewünschte Lageänderung des ersten Moduls zu dem zweiten Modul ermittelt werden. Beispielsweise wird für den Schritt c) das Strukturelement mit dem ersten Modul zeitweise verbunden. In einem weiteren Schritt wird ein Messtaster der Sensoreinrichtung auf „Null“ gesetzt und/oder wird eine erste Messreferenz mit Hilfe des Messtasters ermittelt und insbesondere damit Schritt e) ausgeführt. Insbesondere wird in einem weiteren Schritt die gewünschte Lageänderung des ersten Moduls zu dem zweiten Modul oder umgekehrt in Differenzen von Tastermesswerten umgerechnet.
  • Vorzugsweise wird im Anschluss Schritt f), insbesondere iterativ, ausgeführt bis mit Hilfe des Messtasters die umgerechnete Differenz ermittelt, gemessen und/oder angezeigt wird, sodass insbesondere darauf geschlossen werden kann, dass die gewünschte Lageänderung eingestellt ist. Beispielsweise werden im Anschluss die Module miteinander fixiert bzw. fest miteinander verbunden, z.B. verschraubt. Vorzugsweise wird im Anschluss erneut Schritt e) ausgeführt, um die Lage der Module zueinander zu kontrollieren. Weiterhin kann z.B. in einem nachgelagerten Schritt das Strukturelement von dem ersten Modul getrennt bzw. demontiert werden. Ein derartiges Verfahren ist besonders für Modulanordnungen vorteilhaft, die aufgrund ihrer Gesamtgröße nicht von einer Koordinatenmessmaschine vermessen werden können. Vorzugsweise können mit Hilfe dieses Verfahrens auch drei, vier, fünf oder mehr Module zusammengebaut werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform, werden der Schritt e) und der Schritt f) solange wiederholt, bis eine Abweichung einer Ist-Lage von einer Soll-Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul in mindestens einer Raumrichtung, insbesondere in jeder von zwei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinander verlaufen) oder in jeder von drei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinander verlaufen), zwischen 0 und 40 µm, bevorzugt zwischen 0 und 38 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 36 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 34 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 32 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 30 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 20 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 10 µm, beträgt.
  • „Ist-Lage“ meint dabei eine Lage, die mittels der Sensorreinrichtung erfasst wird. „Soll-Lage“ meint dabei eine Lage, die in einem Idealfall vorliegt, z.B. eine errechnete oder vorbestimmte Lage, für die die Module ausgelegt sind oder die Lithographieanlage ausgelegt ist.
  • Dies hat den Vorteil, dass Fehlpositionierungen (Abweichung der Ist-Lage zur Soll-Lage) der Module zueinander derart klein sind, dass Aktuator-Ranges, von Aktuatoren, die dazu eingerichtet sind, eine Lage eines optischen Elementes der Module zu verstellen, ausreichen, um die Fehlpositionierung zu kompensieren und die gewünschte Funktion der Module oder der Lithographieanlage zu gewährleisten.
  • Es versteht sich, dass das Verfahren auch angewendet werden kann, wenn das erste oder zweite Modul bereits mit einem anderen Modul verbunden ist, das dazu ausgebildet ist, einen weiteren Teil des Strahlengangs zu umschließen.
  • Ferner wird ein Verfahren zum Austauschen eines Moduls eines optischen Systems, insbesondere wie vorstehend beschrieben, für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines optischen Systems mit einem ersten Modul, das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs zu umschließen, und einem mit dem ersten Modul verbundenem zweiten Modul, das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs zu umschließen, b) Bereitstellen eines Strukturelements und einer damit verbundenen Sensoreinrichtung, c) Verbinden des Strukturelements mit dem ersten Modul, d) Erfassen einer Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul mittels der Sensoreinrichtung, e) Trennen des ersten Moduls von dem zweiten Modul, f) Bereitstellen eines Ersatzmoduls zum Ersetzen des ersten Moduls und Verbinden des Strukturelements mit dem Ersatzmodul, g) Verbinden des Ersatzmoduls mit dem zweiten Modul, h) zueinander Ausrichten des Ersatzmoduls und des zweiten Moduls basierend auf der in Schritt d) erfassten Lage.
  • Mit Hilfe eines derartigen Verfahrens ist es möglich, zeiteffizient und mit hoher Präzision ein beispielsweise beschädigtes oder wartungsbedürftiges Modul auszutauschen.
  • Gemäß einer Ausführungsform, wird der Schritt h) solange ausgeführt oder widerholt, bis eine Abweichung einer Ist-Lage von einer Soll-Lage des zweiten Moduls relativ zu dem Ersatzmodul in mindestens einer Raumrichtung, insbesondere in jeder von zwei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinander verlaufen) oder in jeder von drei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinander verlaufen), zwischen 0 und 40 µm, bevorzugt zwischen 0 und 38 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 36 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 34 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 32 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 30 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 20 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 10 µm, beträgt.
  • In Schritt e) kann beispielsweise das gleiche Strukturelement, das nach Schritt d) aus dem ersten Modul entfernt wird, für das Ersatzmodul verwendet werden. Alternativ kann auch ein anderes, insbesondere baugleiches, Strukturelement für den Schritt f) bereitgestellt werden.
  • Daneben wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems, insbesondere wie vorstehend beschrieben, für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines ersten Moduls, das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs zu umschließen, b) Bereitstellen eines mit dem ersten Modul verbindbaren zweiten Moduls, das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs zu umschließen, c) Bereitstellen eines kapazitiven Sensors, d) Verbinden des ersten Moduls mit dem zweiten Modul, e) Erfassen einer Lage des ersten Moduls und einer Lage des zweiten Moduls mittels des kapazitiven Sensors, und f) zueinander Ausrichten des ersten Moduls und des zweiten Moduls basierend auf der in Schritt e) erfassten Lagen.
  • Indem mit Hilfe eines kapazitiven Sensors die Lagen des ersten und zweiten Moduls ermittelt werden, kann eine hohe Genauigkeit der Messung erreicht werden. Abstandsmessungen können z.B. mit Nanometer-Genauigkeit gemessen werden. Weiterhin kann eine Vielzahl an kapazitiven Sensoren vorgesehen sein. Vorzugsweise ist der Sensor als Abstandssensor, Wegsensor oder Winkelsensor ausgebildet. Weiterhin sind beispielsweise kapazitive Abstandssensoren und Winkelsensoren vorgesehen. Ferner werden z.B. die Lagen mit Hilfe einer Kapazitätsmessbrücke ermittelt.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der kapazitive Sensor an einer Koordinatenmessmaschine vorgesehen, die zum Erfassen der Lagen in Schritt e) neben dem ersten und/oder zweiten Modul angeordnet wird.
  • Dies hat den Vorteil, dass eine Messung von einer Außenseite der Module durchgeführt werden kann. Alternativ oder zusätzlich kann eine Messung mit Hilfe eines Strukturelements, auf dem der kapazitive Sensor angeordnet ist, von innen durchgeführt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform, werden der Schritt e) und der Schritt f) solange wiederholt, bis eine Abweichung einer Ist-Lage von einer Soll-Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul in mindestens einer Raumrichtung, insbesondere in jeder von zwei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinander verlaufen) oder in jeder von drei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinander verlaufen), zwischen 0 und 40 µm, bevorzugt zwischen 0 und 38 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 36 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 34 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 32 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 30 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 20 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 10 µm, beträgt.
  • Die für das vorgeschlagene optische System beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die vorgeschlagenen Verfahren entsprechend und umgekehrt. Die für die Verfahren zum Herstellen des optischen Systems beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für das vorgeschlagene Verfahren zum Austauschen des Moduls des optischen Systems entsprechend und umgekehrt. Die für das erste Modul beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für das zweite Modul entsprechend und umgekehrt.
  • „Ein“ ist vorliegend nicht zwangsweise als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine genaue Beschränkung auf genau die entsprechende Anzahl von Elementen verwirklicht sein muss. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich.
  • Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.
    • 1A zeigt eine Ansicht einer EUV-Lithographieanlage;
    • 1B zeigt eine Ansicht einer DUV-Lithographieanlage;
    • 2 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß 1A oder 1B;
    • 3 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß 1A oder 1B;
    • 4 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß 1A oder 1B;
    • 5 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß 1A oder 1B;
    • 6 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen des optischen Systems gemäß einer der 2, 3 oder 5;
    • 7 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Austauschen eines Moduls des optischen Systems gemäß einer der 2 - 5; und
    • 8 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen des optischen Systems gemäß 4 oder 5.
  • In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Soweit ein Bezugszeichen vorliegend mehrere Bezugslinien aufweist, heißt dies, dass das entsprechende Element mehrfach vorhanden ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
  • 1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (englisch: extreme ultra violet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 und 30 nm. Das Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum-Gehäuse vorgesehen, wobei das Vakuum-Gehäuse mithilfe einer nicht dargestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren bzw. Einstellen der optischen Elemente vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein.
  • Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder Synchrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletter Bereich), also z. B. im Wellenlängenbereich von 5 bis 20 nm, aussendet. Im Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV-Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.
  • Das in 1A dargestellte Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf eine Fotomaske (englisch: reticle) 120 geleitet. Die Fotomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Fotomaske 120 gelenkt werden. Die Fotomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.
  • Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel M1 bis M6 zur Abbildung der Fotomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Spiegel M1 bis M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel vorgesehen sein. Beispielsweise kann das Projektionssystem 104 zehn Spiegel umfassen. Des Weiteren sind die Spiegel in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt. In einer anderen Ausführungsform kann das Projektionssystem 104 ohne optische Achse ausgeführt sein, wobei ein oder mehrere Spiegel M1 bis M6 als Freiformflächen ausgeführt sind.
  • 1B zeigt eine schematische Ansicht der DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (englisch: deep ultra violet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm.
  • Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emittiert.
  • Das in 1B dargestellte Strahlungsformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Fotomaske 120. Die Fotomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Fotomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einem Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.
  • Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Fotomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen und Spiegel der DUV-Anlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen und/oder Spiegel vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
  • Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex größer 1 aufweist. Das flüssige Medium kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithografie bezeichnet und weist eine erhöhte fotolithografische Auflösung auf.
  • 2 zeigt in einer schematischen Schnittansicht ein optisches System 200 für die Lithographieanlage 100A, 100B. Das optische System umfasst ein Modul 202 und ein Modul 204. Das Modul 202 kann z.B. als erstes Modul und das Modul 204 kann z.B. als zweites Modul bezeichnet werden. Das Modul 202 umfasst ein Modulgehäuse 206, das eine äußere Wandung des Moduls 202 ausbildet. Das Modulgehäuse 206 weist eine Lichteintrittsöffnung 208 auf, durch die Arbeitslicht 210 in das Modulgehäuse 206 einfallen kann. Das Modulgehäuse 206 umschließt ein Innenvolumen 230, durch welches sich das Arbeitslicht 210 ausbreiten kann. Ferner umfasst das Modulgehäuse 206 eine Lichtaustrittsöffnung 209, durch die das Arbeitslicht 210 fällt und das Modul 202 verlässt. Das Modul 202 kann an der Lichteintrittsöffnung 208 mit einem weiteren Modul (in 2 nicht gezeigt) verbunden sein.
  • Weiterhin ist in dem Modul 202 ein optisches Element 212, insbesondere ein Spiegel, vorgesehen, auf das das Arbeitslicht 210 fällt und von diesem z.B. reflektiert wird. Das Arbeitslicht 210 folgt einem Verlauf in dem optischen System und bildet dadurch einen Strahlengang 214 aus. Dabei ist das Modul 202 dazu ausgebildet, einen ersten Teil eines Strahlengangs 214 mittels des Modulgehäuses 206 zu umschließen. Ferner umfasst das Modulgehäuse 206 eine Lichtaustrittsöffnung, durch die das Arbeitslicht 210 das Modul 202 verlässt und direkt im Anschluss in das Modul 204 fällt. Das optische Element 212 ist z.B. einer der Spiegel M1 - M6, der Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 (siehe 1A) oder eine der Linsen 128 (siehe 1B).
  • Das Modul 204 umfasst ein Modulgehäuse 216, das eine äußere Wandung des Moduls 204 ausbildet. Das Modulgehäuse 216 weist eine Lichteintrittsöffnung 218 auf, durch die Arbeitslicht 210 in das Modulgehäuse 216 einfallen kann. Das Modulgehäuse 216 umschließt ein Innenvolumen 232, durch welches sich das Arbeitslicht 210 ausbreiten kann. Weiterhin umfasst das Modul 204 eine Lichtaustrittsöffnung 220, durch die das Arbeitslicht 210 fällt und das Modul 204 verlässt. Das Modul 204 kann an der Lichtaustrittsöffnung 220 mit einem weiteren Modul (in 2 nicht gezeigt) verbunden sein. Weiterhin ist in dem Modul 204 ein optisches Element 222, insbesondere ein Spiegel, vorgesehen, auf das das Arbeitslicht 210 fällt und von diesem z.B. in Richtung der Lichtaustrittsöffnung 220 reflektiert wird. Dabei ist das Modul 204 dazu ausgebildet, einen zweiten Teil des Strahlengangs 214 mittels des Modulgehäuses 216 zu umschließen. Das optische Element 222 ist z.B. einer der Spiegel M1 - M6, der Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 (siehe 1A) oder eine der Linsen 128 (siehe 1B). Das Modul 202 und/oder das Modul 204 weisen ein Gewicht von größer 100 kg oder größer 250 kg auf.
  • Das Modul 202 ist mit dem Modul 204 verbindbar und in dem in 2 dargestellten Fall mit dem Modul 204 an einer Fügestelle 224 verbunden. Dabei kann das Modul 202 an das Modul 204 mit Hilfe von Verbindungsmitteln 226 angeflanscht sein. Beispielsweise umfasst eines der Verbindungsmittel 226 Schrauben. Die Schrauben können z.B. durch das Modul 202, insbesondere ein Durchgangsloch des Moduls 202, gesteckt und in ein Gewinde (nicht gezeigt) des Moduls 204 geschraubt werden.
  • Alternativ oder zusätzlich können die Schrauben durch beide Module 202, 204, insbesondere Durchgangslöcher (nicht gezeigt) der beiden Module 202, 204, gesteckt und mittels Muttern (nicht gezeigt) fixiert werden, sodass eine Verbindungskraft zwischen den Modulen 202, 204 vorherrscht. Alternativ oder zusätzlich können die Module 202, 204 Ränder umfassen, die durch einen Klemmmechanismus zusammengedrückt werden (nicht gezeigt). Ein derartiger Klemmmechanismus ist z.B. mittels Schrauben, insbesondere Einstellschrauben, betätigbar.
  • In verbundenem Zustand des Moduls 202 mit dem Modul 204 sind das Innenvolumen 230 und das Innenvolumen 232 zu einem Gesamtinnenvolumen 234 verbunden. Dabei ist die Lichtaustrittsöffnung 209 der Lichteintrittsöffnung 218 zugewandt, wobei sich die Lichtaustrittsöffnung 209 und die Lichteintrittsöffnung 218 zumindest teilweise überdecken, sodass das Arbeitslicht 210 von dem Modul 202 in das Modul 204 fällt.
  • Ferner weist das optische System 200 eine Sensoreinrichtung 228 auf, die dazu eingerichtet ist, eine Lage des Moduls 204 relativ zu dem Modul 202 zu erfassen. Die Sensoreinrichtung 228 ist innerhalb des Gesamtinnenvolumens 234 angeordnet. Bei einem Fügen der beiden Module 202, 204 erfolgt basierend auf von der Sensorreinrichtung 228 erfassten Messwerten ein Ausrichten des Moduls 202 zu Modul 204. Das Modulgehäuse 216 umfasst eine Innenfläche 236 oder einen Innenbereich, die dazu eingerichtet ist, von der Sensoreinrichtung 228 referenziert zu werden, um die Lage des Moduls 204 zu erfassen. Es versteht sich, dass auch mehrere Innenflächen oder Innenbereiche dazu eingerichtet sein können, von der Sensoreinrichtung 228 referenziert zu werden.
  • Die Sensoreinrichtung 228 umfasst z.B. einen kapazitiven oder induktiven Sensor. Dabei kann die Sensoreinrichtung 228 eine Messbrückenschaltung, insbesondere eine Kapazitätsmessbrücke oder Induktivitätsmessbrücke umfassen.
  • In 2 ist in den Modulen 202, 204 jeweils ein optisches Element 212, 222 gezeigt. Es versteht sich, dass in jedem der Module 202, 204, zwei, drei oder mehr optische Elemente vorgesehen sein können. Beispielsweise kann in einem oder beiden Module 212, 222 auch kein optisches Element vorgesehen sein.
  • 3 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems 200. Im Unterschied zu 2 umfasst das optische System 200 ein Strukturelement 300, an welchem die Sensoreinrichtung 228 befestigt ist. Das Strukturelement 300 ist mit dem Modul 202 verbunden und kann von diesem zerstörungsfrei entfernt werden. Dabei erstreckt sich das Strukturelement 300 über eine gesamte Länge L des Innenvolumens 230, wobei das Strukturelement 300 zum Befestigen an einer Außenseite 302 des Modulgehäuses 206 aus dem Innenvolumen 230 durch die Lichteintrittsöffnung 208 herausragen kann. Beispielsweise ist ein Befestigungsmittel 304 zum Befestigen des Strukturelements 300 an der Außenseite 302 vorgesehen. Weiterhin ragt das Strukturelement 300 in das Innenvolumen 232 herein, wobei die Sensoreinrichtung 228 in dem Innenvolumen 232 vorgesehen ist.
  • Vorzugsweise ist eine Einstellvorrichtung 306, insbesondere ein Druckmechanismus, an dem Modul 202, dem Modul 204 und/oder in einem Schnittstellenbereich 308 zwischen dem Modul 202 und dem Modul 204 vorgesehen, um die Lage des Moduls 202 relativ zu dem Modul 204 oder umgekehrt, einzustellen.
  • 4 zeigt eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems 200. Im Unterschied zu 3 umfasst das optische System 200 keine Sensoreinrichtung 228 und kein Strukturelement 300, die innerhalb des Gesamtinnenvolumens 234 angeordnet sind.
  • Das optische System 200 umfasst einen kapazitiven Sensor 400, der an einer Koordinatenmessmaschine 402 vorgesehen ist und der dazu eingerichtet ist, eine Lage des Moduls 202 und eine Lage des zweiten Moduls 204 relativ zu der Koordinatenmessmaschine 402 zu erfassen. Basierend auf den von dem kapazitiven Sensor 400 erfassten Lagen ist das Modul 202 relativ zu dem Modul 204 ausrichtbar.
  • Die Koordinatenmessmaschine 402 ist dabei neben dem Modul 202 und/oder dem Modul 204 angeordnet. Dabei referenziert der kapazitive Sensor 400 eine Außenfläche 404 des Modulgehäuses 206, die dem kapazitiven Sensor 400 zugewandt ist. Weiterhin referenziert der kapazitive Sensor 400 eine Außenfläche 406 des Modulgehäuses 204, die dem kapazitiven Sensor 400 zugewandt ist.
  • Es versteht sich, dass eine Vielzahl an kapazitiven Sensoren 400 vorgesehen sein kann, um die Lage des Moduls 202 und die Lage des zweiten Moduls 204 zu erfassen. Weiterhin können auch andere Arten von Sensoren vorgesehen sein. Die Koordinatenmessmaschine 402 kann auch in der in 2 gezeigten Ausführungsform zusätzlich verwendet werden, um ergänzende Messdaten zu erfassen.
  • 5 zeigt eine schematische Schnittansicht einer weiteren Ausführungsform eines optischen Systems 200. Dabei zeigt die 5 eine Weiterbildung der 3. Zusätzlich zu der in 3 gezeigten Ausführungsform umfasst das optische System 200 die in 5 gezeigte Koordinatenmessmaschine 402. An der Koordinatenmessmaschine 402 ist eine Sensoreinrichtung 228 und/oder ein kapazitiver Sensor 400 vorgesehen, die die Außenflächen 404, 406 referenziert. Eine derartige Anordnung hat den Vorteil, dass sowohl von außen die Lage des Moduls 202 und des Moduls 204 relativ zu der Koordinatenmessmaschine 402 als auch von innen eine Lage des Moduls 204 relativ zu dem Modul 202 erfasst werden kann.
  • Beispielsweise erfolgt das Erfassen der Lage mittels der Sensoreinrichtung 228 von innen in Echtzeit oder online und das Erfassen der Lagen mit Hilfe der Koordinatenmessmaschine 404 iterativ nach einem abgeschlossenen Ausrichtungsschritt des Moduls 202 relativ zu dem Modul 204 durch das Montagepersonal.
  • 6 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen des optischen Systems 200 für die Lithographieanlage 100A, 100B gemäß einer der 2, 3 oder 5. In einem Schritt S1 wird das Modul 202 bereitgestellt. In einem Schritt S2 wird das mit dem Modul 202 verbindbare Modul 204 bereitgestellt. In einem Schritt S3 wird die an dem Modul 202 vorgesehene Sensoreinrichtung 228 bereitgestellt. In einem Schritt S4 wird das Modul 202 mit dem Modul 204 verbunden. In einem weiteren Schritt S5 wird eine Lage des Moduls 204 relativ zu dem Modul 202 mittels der Sensoreinrichtung 228 erfasst. Außerdem werden in einem Schritt S6 das Modul 202 und das Modul 202 basierend auf der in dem Schritt S5 erfassten Lage zueinander ausgerichtet.
  • Das Strukturelement 300 wird samt Sensoreinrichtung 228 nach Beendigung des Schritts S6 von dem Modul 202 entfernt bzw. getrennt. Vorzugsweise werden der Schritt S5 und der Schritt S6 zeitgleich ausgeführt.
  • 7 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Austauschen eines Moduls des optischen Systems 200 gemäß einer der 2 - 5. Dabei wird in einem Schritt S10 das optische System 200 mit dem Modul 202 und dem mit dem Modul 202 verbundenen Modul 204 bereitgestellt.
  • In einem Schritt S20 wird das Strukturelement 300 und die damit verbundene Sensoreinrichtung 228 bereitgestellt. In einem Schritt S30 wird das Strukturelement 300 mit dem Modul 202 verbunden. Weiterhin wird in einem Schritt S40 eine Lage des Moduls 204 relativ zu dem Modul 202 mittels der Sensoreinrichtung 228 erfasst. In einem Schritt S50 wird das Modul 202 von dem Modul 204 getrennt. In einem Schritt S60 wird ein Ersatzmodul zum Ersetzen des Moduls 202 und Verbinden des Strukturelements 300 mit dem Ersatzmodul bereitgestellt. In einem Schritt S70 wird das Ersatzmodul mit dem Modul 204 verbunden. Außerdem werden in einem Schritt S80 das Ersatzmodul und das Modul 204 basierend auf der in Schritt S40 erfassten Lage zueinander ausgerichtet.
  • 8 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen des optischen Systems 200 gemäß 4 oder 5. Dabei wird in einem Schritt S100 das Modul 202 bereitgestellt.
  • Weiterhin wird in einem Schritt S200 das mit dem Modul 202 verbindbare Modul 204 bereitgestellt. In einem Schritt S300 wird der kapazitive Sensor 400 bereitgestellt. In einem Schritt S400 wird das Modul 202 mit dem Modul 204 verbunden. In einem Schritt S500 wird die Lage des Moduls 202 und die Lage des Moduls 204 mittels des kapazitiven Sensors 400 erfasst. Weiterhin werden in einem Schritt S600 das Modul 202 und das Modul 204 basierend auf den in Schritt S500 erfassten Lagen zueinander ausgerichtet.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.
  • Bezugszeichenliste
  • 100A
    EUV-Lithographieanlage
    100B
    DUV-Lithographieanlage
    102
    Strahlungs- und Beleuchtungssystem
    104
    Projektionssystem, Projektionsobjektiv
    106a
    EUV-Lichtquelle
    106b
    DUV-Lichtquelle
    108a
    EUV-Strahlung
    108b
    DUV-Strahlung
    110 - 118
    Spiegel
    120
    Photomaske, Retikel
    122
    Spiegel, Grazing-Incidence-Spiegel
    124
    Wafer
    126
    optische Achse
    128
    Linse
    130
    Spiegel
    132
    Immersionsflüssigkeit
    200
    optisches System
    202
    Modul
    204
    Modul
    206
    Modulgehäuse
    208
    Lichteintrittsöffnung
    209
    Lichtaustrittsöffnung
    210
    Arbeitslicht
    212
    optisches Element
    214
    Strahlengang
    216
    Modulgehäuse
    218
    Lichteintrittsöffnung
    220
    Lichtaustrittsöffnung
    222
    optisches Element
    224
    Fügestelle
    226
    Verbindungsmittel
    228
    Sensoreinrichtung
    230
    Innenvolumen
    232
    Innenvolumen
    234
    Gesamtinnenvolumen
    236
    Innenfläche
    300
    Strukturelement
    302
    Außenseite
    304
    Befestigungsmittel
    306
    Einstellvorrichtung
    308
    Schnittstellenbereich
    400
    Sensor
    402
    Koordinatenmessmaschine
    404
    Außenfläche
    406
    Außenfläche
    L
    Länge
    S1
    Schritt
    S2
    Schritt
    S3
    Schritt
    S4
    Schritt
    S5
    Schritt
    S6
    Schritt
    S10
    Schritt
    S20
    Schritt
    S30
    Schritt
    S40
    Schritt
    S50
    Schritt
    S60
    Schritt
    S70
    Schritt
    S80
    Schritt
    S100
    Schritt
    S200
    Schritt
    S300
    Schritt
    S400
    Schritt
    S500
    Schritt
    S600
    Schritt

Claims (16)

  1. Optisches System (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit einem ersten Modul (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen, einem mit dem ersten Modul (202) verbindbaren zweiten Modul (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, und einer an dem ersten Modul (202) vorgesehenen Sensoreinrichtung (228), die dazu eingerichtet ist, eine Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) zu erfassen, um das erste Modul (202) und das zweite Modul (204) basierend auf von der Sensoreinrichtung (228) erfassten Messwerten zueinander auszurichten.
  2. Optisches System nach Anspruch 1, wobei das erste Modul (202) ein erstes Innenvolumen (230) und das zweite Modul (204) ein zweites Innenvolumen (232) umschließen, wobei in verbundenem Zustand des ersten Moduls (202) mit dem zweiten Modul (204) das erste Innenvolumen (230) und das zweite Innenvolumen (232) zu einem Gesamtinnenvolumen (234) verbunden sind und wobei die Sensoreinrichtung (228) innerhalb des Gesamtinnenvolumens (234) angeordnet ist.
  3. Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Modul (202) und/oder das zweite Modul (204) ein Gewicht von größer 100 kg oder größer 250 kg aufweist.
  4. Optisches System nach einem der Ansprüche 1-3, wobei die Sensoreinrichtung (228) einen kapazitiven oder induktiven Sensor und/oder einen Encoder umfasst.
  5. Optisches System nach einem der Ansprüche 1-4, wobei die Sensoreinrichtung (228) eine Messbrückenschaltung, insbesondere eine Kapazitätsmessbrücke oder Induktivitätsmessbrücke, umfasst.
  6. Optisches System nach einem der Ansprüche 1-5, ferner aufweisend ein Strukturelement (300), an welchem die Sensoreinrichtung (228) befestigt ist, wobei das Strukturelement (300) mit dem ersten Modul (202) verbindbar und von diesem entfernbar vorgesehen ist.
  7. Optisches System nach Anspruch 2 und 6, wobei sich das Strukturelement (300) in mit dem ersten Modul (202) verbundenem Zustand durch das erste Innenvolumen (230) erstreckt.
  8. Lithographieanlage (100A, 100B) mit einem optischen System (200) nach einem der Ansprüche 1-7.
  9. Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit den Schritten: a) Bereitstellen (S1) eines ersten Moduls (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen, b) Bereitstellen (S2) eines mit dem ersten Modul (202) verbindbaren zweiten Moduls (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, c) Bereitstellen (S3) einer an dem ersten Modul (202) vorgesehenen Sensoreinrichtung (228), d) Verbinden (S4) des ersten Moduls (202) mit dem zweiten Modul (204), e) Erfassen (S5) einer Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) mittels der Sensoreinrichtung (228), und f) zueinander Ausrichten (S6) des ersten Moduls (202) und des zweiten Moduls (204) basierend auf der in Schritt e) erfassten Lage.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Sensoreinrichtung (228) mit einem Strukturelement (300) verbunden ist, welches mit dem ersten Modul (202) zeitweise verbunden wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Strukturelement (300) samt Sensoreinrichtung (228) nach Beendigung des Schritts f) von dem ersten Modul (202) entfernt wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9-11, wobei der Schritt e) und der Schritt f) zeitgleich ausgeführt werden.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9-12, wobei der Schritt e) und der Schritt f) solange wiederholt werden, bis eine Abweichung einer Ist-Lage von einer Soll-Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) in mindestens einer Raumrichtung zwischen 0 und 40 µm, bevorzugt zwischen 0 und 38 µm, weiter bevorzugt zwischen 0 und 36 µm, weiter bevorzugt 0 und 34 µm, 0 und 32 µm, weiter bevorzugt 0 und 30 µm, weiter bevorzugt 0 und 20 µm, weiter bevorzugt 0 und 10 µm, beträgt.
  14. Verfahren zum Austauschen eines Moduls (202) eines optischen Systems (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit den Schritten: a) Bereitstellen (S10) eines optischen Systems (200) mit einem ersten Modul (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen, und eines mit dem ersten Modul (202) verbundenem zweiten Moduls (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, b) Bereitstellen (S20) eines Strukturelements (300) und einer damit verbundenen Sensoreinrichtung (228), c) Verbinden (S30) des Strukturelements (300) mit dem ersten Modul (202), d) Erfassen (S40) einer Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) mittels der Sensoreinrichtung (228), e) Trennen (S50) des ersten Moduls (202) von dem zweiten Modul (204), f) Bereitstellen (S60) eines Ersatzmoduls zum Ersetzen des ersten Moduls (202) und Verbinden des Strukturelements (300) mit dem Ersatzmodul, g) Verbinden (S70) des Ersatzmoduls mit dem zweiten Modul (204), h) zueinander Ausrichten (S80) des Ersatzmoduls und des zweiten Moduls (204) basierend auf der in Schritt d) erfassten Lage.
  15. Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit den Schritten: a) Bereitstellen (S100) eines ersten Moduls (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen, b) Bereitstellen (S200) eines mit dem ersten Modul (202) verbindbaren zweiten Moduls (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, c) Bereitstellen (S300) eines kapazitiven Sensors (400), d) Verbinden (S400) des ersten Moduls (202) mit dem zweiten Modul (204), e) Erfassen (S500) einer Lage des ersten Moduls (202) und einer Lage des zweiten Moduls (204) mittels des kapazitiven Sensors (400), und f) zueinander Ausrichten (S600) des ersten Moduls (202) und des zweiten Moduls (204) basierend auf der in Schritt e) erfassten Lagen.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der kapazitive Sensor (400) an einer Koordinatenmessmaschine (402) vorgesehen ist, die zum Erfassen der Lagen in Schritt e) neben dem ersten und/oder zweiten Modul (202, 204) angeordnet wird.
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