DE102020211696A1

DE102020211696A1 - Messanordnung zur Ermittlung der Position und/oder der Orientierung eines optischen Elements sowie Projektionsbelichtungsanlage

Info

Publication number: DE102020211696A1
Application number: DE102020211696.2A
Authority: DE
Inventors: Marwene Nefzi; Lavanya Ravi
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2019-10-08
Filing date: 2020-09-18
Publication date: 2021-04-08
Also published as: DE102019215369A1

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Messanordnung (1) zur Ermittlung der Position und/oder Orientierung eines optischen Elements (2), umfassend:a) wenigstens eine Sensoreinrichtung (9), aufweisend einen von dem optischen Element (2,2') beabstandet angeordneten Sensor (12) und ein dem Sensor (12) zugeordnetes, mittels einer stoffschlüssigen Verbindung (8) an dem optischen Element (2,2') befestigtes Messtarget (7), wobei der Sensor (12) und das Messtarget (7) derart aufeinander ausgerichtet sind, dass zur Bestimmung einer Ist-Distanz (LIST) zwischen dem Sensor (12) und dem Messtarget (7) eine Funktionsfläche des Messtargets (7) einen Messstrahl des Sensors (12) optisch reflektiert, undb) eine Steuereinrichtung (13), welche zur Bestimmung der Position und/oder Orientierung des optischen Elements (2) anhand der wenigstens einen erfassten Ist-Distanz (LIST) eingerichtet ist, wobeic) eine Position und/oder eine räumliche Orientierung wenigstens eines Messtargets (7) auf dem optischen Element (2,2') derart gewählt sind, dass ein durch eine parasitäre Targetdrift und/oder parasitäre Schwingungen des wenigstens einen Messtargets (7) bedingter Fehler bei der Ermittlung der Position und/oder Orientierung des optischen Elements (2,2') minimiert wird.

Description

Die Erfindung betrifft eine Messanordnung zur Ermittlung der Position und/oder der Orientierung eines optischen Elements mit wenigstens einer Sensoreinrichtung, aufweisend einen von dem optischen Element beabstandet angeordneten Sensor und ein dem Sensor zugeordnetes, mittels einer stoffschlüssigen Verbindung an dem optischen Element befestigtes Messtarget.
Die Erfindung betrifft ferner eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einem Beleuchtungssystem, mit einer Strahlungsquelle sowie einer Optik, welche wenigstens ein optisches Element aufweist.
Aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung von Halbleiterschaltungen erhöhen sich die Anforderungen an Auflösung und Genauigkeit von Projektionsbelichtungsanlagen gleichermaßen. Entsprechend hohe Anforderungen werden auch an die dort verwendeten optischen Elemente, die unter anderem den Strahlengang innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage beeinflussen, gestellt. Insbesondere auch die Anforderungen an die Positionierung der optischen Elemente, beispielsweise der Spiegel einer EUV („Extreme Ultra Violet“) - Projektionsbelichtungsanlage, sind auflösungsbedingt mittlerweile sehr hoch.
Die sich derzeit in Entwicklung befindenden EUV-Optiken sollen zudem über eine numerische Apertur (NA) verfügen, die es ermöglicht, die im Lithografie-Prozess erzielten kritischen Strukturgrößen noch weiter zu reduzieren. Die aktuellen EUV-Systeme basieren auf Optiken mit einer NA von 0,33, wohingegen die neuen Optiken über eine NA größer als 0,5 (auch als High-NA bezeichnet) verfügen sollen.
Generell benötigen immer mehr optische Elemente zusätzliche Funktionsflächen, um mechanische Referenzpunkte zu bestimmen, als Targetflächen für Sensoren oder als Anbindestellen für Sensoren.
Insbesondere bei den vorgenannten High-NA-Spiegeln einer Projektionsbelichtungsanlage muss die Position und die Bewegung aller Spiegel über Sensoren möglichst exakt bestimmt werden. Die Sensoren benötigen dabei am Spiegel exakte und driftstabile Referenz- bzw. Targetflächen (Funktionsflächen).
Aufgrund der fertigungsspezifischen Erfordernisse ist es nicht bzw. nur mit enormem Aufwand möglich, die Referenzflächen monolithisch bzw. einstückig an dem optischen Element, insbesondere einem optischen Element einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere einem Spiegel, herzustellen.
Bei Verwendung von Interferometern als Sensoren müssen diese Targetflächen dazu geeignet sein, die Messstrahlen der Sensoren zu reflektieren. Die Targetflächen sind im Regelfall durch eine Verspiegelung ausgebildet. Da die Position der Targetflächen die direkte Referenz für die Spiegel darstellen, werden besonders hohe Anforderungen an deren Driftstabilität gestellt, da während einer Waferbelichtung keine sonstige Korrekturmöglichkeit zur Verfügung steht.
Aus dem Stand der Technik, zum Beispiel der DE 10 2018 218 162 A1 , ist es bekannt, die Targetfläche (Funktionsfläche) auf einem von dem optischen Element unabhängigen Trägersubstrat auszubilden und das Trägersubstrat an einer Fügefläche stoffschlüssig mit dem optischen Element zu verbinden.
Die für eine Regelung erforderliche Positionserfassung der optischen Elemente einer Projektionsbelichtungsanlage kann sehr genau unter Verwendung von interferometrischen Sensoreinrichtungen erfolgen. Hierzu können optisch reflektierende sogenannte „Targetspiegel“, nachfolgend auch in verallgemeinerter Form als „Messtarget“ bezeichnet, an den optischen Elementen, beispielsweise an den Spiegeln, befestigt und deren Abstand zu einer Rahmenstruktur unter Verwendung eines Interferometers gemessen werden. Auf Grundlage dieser Abstandsmessung kann schließlich auf die Ausrichtung des optischen Elements geschlossen werden. Eine beispielhafte interferometrische Messanordnung ist aus der DE 10 2019 201 146 A1 bekannt, die eine interferometrische Messanordnung in einem optischen System, insbesondere in einem optischen System für die Mikrolithografie, betrifft.
Aufgrund der geforderten hohen Genauigkeit müssen die Positionen und/oder die Orientierungen der optischen Elemente vorzugsweise in allen sechs Freiheitsgraden präzise bestimmt werden, um Aberrationen und damit einhergehende Beeinträchtigungen des Abbildungsergebnisses zu vermeiden oder zumindest auf ein tolerierbares Maß zu reduzieren. Im Rahmen der Positionsbestimmung der optischen Elemente einer Projektionsbelichtungsanlage können zum Beispiel über eine Weglänge von einem Meter Genauigkeiten der Längenmessung im Pikometerbereich gefordert sein.
Die bekannten Fügeverfahren, um das Messtarget mit dem optischen Element zu verbinden, sind jedoch mit Nachteilen verbunden. Insbesondere zeigen die verwendeten Hilfsstoffe, insbesondere ein Klebstoff, bei Veränderung der Umgebungsbedingungen ein Driftverhalten. Dieses Driftverhalten führt beispielsweise beim bevorzugten Fügen durch Kleben zu einem Driften der Fügefläche, die über den für High-NA-Spiegel notwendigen Anforderungen liegt.
Im Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage kann es insbesondere durch Temperaturänderungen oder Feuchtigkeitsschwankungen zu einer Beeinträchtigung des Klebstoffs kommen, wodurch das Messtarget eine parasitäre Bewegung erfährt bzw. driftet. Diese parasitäre Targetbewegung kann schließlich zu einem nicht unwesentlichen Fehler bei der Positionsbestimmung des optischen Elements führen.
Das Problem von Feuchtigkeitsschwankungen besteht selbst bei EUV-Projektionsbelichtungsanlagen, deren Projektionsobjektiv im Betrieb einem Vakuum ausgesetzt ist, da deren Projektionsobjektiv im Rahmen von Wartungsarbeiten belüftet und nachfolgend wieder entlüftet werden muss. Bei diesem Vorgang kann der Kleber bzw. der Klebstoff Luftfeuchtigkeit aufnehmen und/oder abgeben. Die mitunter mehrere Tage dauernde Veränderung der Luftfeuchtigkeit in der Umgebung der Klebstoffverbindung(en) während der Wartung kann schließlich zu der genannten unerwünschten parasitären Targetbewegung und einer anschließenden Messabweichung führen.
Zudem kann bedingt durch die geometrische Anordnung der Messtargets auf dem optischen Element eine Fehlerverstärkung zwischen den parasitären Bewegungen der Messtargets und den fehlerhaft detektierten Bewegungen des optischen Elements auftreten. Diesbezüglich konzentrieren sich bekannte Lösungen auf die Steuerungsbandbreite des optischen Elements sowie auf die Unterdrückung von Messrauschen. Zu diesem Zweck wird die Konditionszahl der Transformationsmatrix minimiert, welche die kinematischen Empfindlichkeiten des optischen Elements in Reaktion auf Bewegungen der Messtargets angibt. Die Konditionszahl der Transformationsmatrix berücksichtigt jedoch nicht die kinematische Verstärkung der Targetdrifts und deren Einfluss auf die Bewegung des optischen Elements.
Aufgrund wechselnder Wärmebelastungen der EUV-Spiegel infolge von EUV- und IR-Licht beim Start der Projektionsbelichtung oder bei einem sogenannten Setting-Wechsel und der Wärmedissipation der Aktuatoren entstehen Temperaturgradienten, die zu einer sich zeitlich ändernden thermischen Ausdehnung des Klebstoffs und des Messtargets führen, insbesondere aufgrund unterschiedlicher Wärmeausdehnungskoeffizienten. Diese thermisch induzierte zeitliche Änderung der Targetposition (thermische Drift) führt dazu, dass das Messsystem einen Spiegelkipp detektiert. Die Regelung korrigiert fälschlicherweise den Kipp, was zu einem Sichtlinienfehler führt.
Die Problematik wird insbesondere auch in der DE 10 2018 218 162 A1 und der DE 10 2019 200 746 A1 beschrieben. In der DE 10 2018 218 162 A1 wird zur Vermeidung des Problems vorgeschlagen, ein Maß für die relative Feuchte in der Umgebung der Klebestelle zwischen dem optischen Element und dem Messtarget zu bestimmen und anhand dieses Maßes auf eine Volumenänderung des Klebstoffs an der Klebestelle zu schließen. In der DE 10 2019 200 746 A1 wird hingegen vorgeschlagen, speziell konstruierte Messtargets zu verwenden, die eine Volumenänderung der Klebeverbindung zu kompensieren vermögen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Messanordnung zur Ermittlung der Position und/oder der Orientierung eines optischen Elements zur Verfügung zu stellen, bei der Messabweichungen aufgrund von Bewegungen des Messtargets weitgehend vermieden werden.
Des Weiteren ist es Aufgabe der Erfindung, eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie bereitzustellen, bei der die Position und/oder die Orientierung eines optischen Elements mit hoher Genauigkeit erfasst werden kann, insbesondere wenigstens um die Ausrichtung des wenigstens einen optischen Elements mit hoher Präzision regeln zu können.
Die Aufgabe wird für die Messanordnung durch die in Anspruch 1 aufgeführten Merkmale gelöst. Hinsichtlich der Projektionsbelichtungsanlage wird die Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 6 gelöst.
Die abhängigen Ansprüche und die nachfolgend beschriebenen Merkmale betreffen vorteilhafte Ausführungsformen und Varianten der Erfindung.
Erfindungsgemäß wird eine Messanordnung zur Ermittlung der Position und/oder Orientierung eines optischen Elements vorgeschlagen, umfassend:

a) wenigstens eine Sensoreinrichtung, aufweisend einen von dem optischen Element beabstandet angeordneten Sensor und ein dem Sensor zugeordnetes, mittels einer stoffschlüssigen Verbindung an dem optischen Element befestigtes Messtarget, wobei der Sensor und das Messtarget derart aufeinander ausgerichtet sind, dass zur Bestimmung einer Ist-Distanz zwischen dem Sensor und dem Messtarget eine Funktionsfläche des Messtargets einen Messstrahl des Sensors optisch reflektiert, und
b) eine Steuereinrichtung, welche zur Bestimmung der Position und/oder Orientierung des optischen Elements anhand der wenigstens einen erfassten Ist-Distanz anhand des Messsignals eingerichtet ist, wobei
c) eine Position und/oder eine räumliche Orientierung wenigstens eines Messtargets auf dem optischen Element derart gewählt sind, dass ein durch eine parasitäre Targetdrift und/oder parasitäre Schwingungen des wenigstens einen Messtargets bedingter Fehler bei der Ermittlung der Position und/oder Orientierung des optischen Elements minimal ist oder minimiert wird.

Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen wird erreicht, dass der Einfluss der parasitären Targetdrift und/oder parasitärer Schwingungen des wenigstens einen Messtargets auf die Messabweichung bei der Bestimmung der Position und/oder der Orientierung des optischen Elements minimal wird.
Das wenigstens eine Messtarget kann zumindest in der Nähe eines Bereichs des optischen Elements angeordnet sein, welcher durch niedrigfrequente Eigenschwingungen des optischen Elements nicht oder nur gering angeregt ist. Dadurch können Schwingungen bzw. Vibrationen der Messtargets während der Messungen wirksam vermieden oder zumindest reduziert werden.
Die Position und/oder die räumliche Orientierung des wenigstens Messtargets, insbesondere einer Funktionsfläche des wenigstens einen Messtargets können derart optimal ausgelegt sein, dass eine Fehlerverstärkung zwischen parasitären Bewegungen des wenigstens einen Messtargets und hierdurch fehlerhaft detektierten Bewegungen des optischen Elements entlang einer oder mehrerer translatorischer Richtungen und/oder um eine oder mehrere rotatorische Achsen minimal ist oder minimiert wird.
Dadurch kann die Übertragung der parasitären Targetbewegung auf die gemessene fiktive Bewegung des optischen Elements reduziert werden. Im Falle eines Spiegels als optisches Element kann das Spiegelkörperdesign basierend auf der Minimierung der Fehlerverstärkung so gewählt werden, dass die Targetdrift reduziert wird. Dabei kann auch ein Abstand zwischen einer optisch wirksamen Fläche des optischen Elements und einem Momentanpol des optischen Elements minimal sein oder minimiert werden.
Eine Transformationsmatrix, welche kinematische Empfindlichkeiten des optischen Elements in Reaktion auf Bewegungen des wenigstens einen Messtargets aufweist, kann berücksichtigt werden.
Es können weitere Metriken, insbesondere eine Konditionszahl der Transformationsmatrix, für zusätzliche Optimierungen berücksichtigt werden.
Bei dem optischen Element, mit dem das Messtarget verbunden ist, kann es sich insbesondere um eine Linse oder einen Spiegel, vorzugsweise einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, die insbesondere über eine numerische Apertur von größer als 0,5 verfügt (sogenannte High-NA), handeln. Hierauf ist die Erfindung jedoch nicht beschränkt. Mit der erfindungsgemäßen Lösung kann grundsätzlich die Position und/oder die Orientierung eines beliebigen optischen Elements ermittelt werden.
Die stoffschlüssige Verbindung zwischen dem Messtarget und dem optischen Element wird vorzugsweise durch einen Klebstoff hergestellt. Grundsätzlich kann jedoch auch eine andere stoffschlüssige Verbindung, beispielsweise Löten oder Schweißen, eingesetzt werden. Dies kann auch vom optischen Element abhängig sein, das mit dem Messtarget verbunden werden soll.
Die wenigstens eine Sensoreinrichtung kann als interferometrische Sensoreinrichtung ausgeführt sein. Als Sensor kann ein Interferometer verwendet werden. Die Messanordnung kann insbesondere als Interferometer-Anordnung ausgeführt sein.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass die wenigstens eine Sensoreinrichtung als interferometrische Sensoreinrichtung ausgeführt ist, wobei der Sensor als Interferometer ausgeführt ist, welcher zur Erfassung der Ist-Distanz auf das optisch reflektierende Messtarget ausgerichtet ist.
Die Messung kann somit vorzugsweise interferometrisch erfolgen. Es sei erwähnt, dass sich die Erfindung grundsätzlich auch zur Verbesserung der Messgenauigkeit anders ausgebildeter Sensoreinrichtungen eignen kann, bei denen ein optisch, elektronisch oder taktil erfasstes Messtarget stoffschlüssig, insbesondere mittels einer Klebstoffverbindung, an dem optischen Element befestigt wird.
Insbesondere zur Verwendung innerhalb einer Projektionsbelichtungsanlage hat sich eine interferometrische Messung bzw. ein interferometrisches Messverfahren als besonders geeignet herausgestellt.
Von Vorteil ist es, wenn eine Messung durch die Messanordnung während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage, vorzugsweise fortlaufend während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage, durchgeführt wird. Alternativ oder ergänzend kann auch vorgesehen sein, dass eine Messung durch die Messanordnung beim Setup des optischen Elements, insbesondere der Projektionsbelichtungsanlage, erfolgt und/oder die Messung zum Einstellen des optischen Elements, insbesondere der Projektionsbelichtungsanlage, erfolgt.
Es kann im Rahmen der Erfindung genau eine Sensoreinrichtung vorgesehen sein, die genau einen Sensor und genau ein dem Sensor zugeordnetes Messtarget aufweist. Es können allerdings auch mehrere Sensoreinrichtungen vorgesehen sein, beispielsweise zwei Sensoreinrichtungen, drei Sensoreinrichtungen, vier Sensoreinrichtungen, fünf Sensoreinrichtungen, sechs Sensoreinrichtungen oder noch mehr Sensoreinrichtungen, mit jeweils einem Sensor und jeweils einem dem Sensor zugeordneten Messtarget. Vorzugsweise sind genau sechs Sensoreinrichtungen vorgesehen, um vorzugsweise die Ausrichtung bzw. die Position und/oder die Orientierung des optischen Elements in allen sechs Freiheitsgraden erfassen zu können.
Eine vorteilhafte Anzahl der Sensoreinrichtungen kann sich auch aus der Geometrie des optischen Elements und/oder des Gesamtsystems ergeben. Der Sensor der Sensoreinrichtung kann an einer dem optischen Element benachbarten Rahmenstruktur angeordnet sein. Die Rahmenstruktur kann das optische Element vorzugsweise teilweise oder vollständig umgeben. Bei der Rahmenstruktur kann es sich um einen sogenannten „Sensorframe“ handeln, der zur definierten Anordnung verschiedener Sensoren einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere zur Anordnung von Sensoren zur Erfassung von Ausrichtungen optischer Elemente einer Projektionsoptik bzw. einer sogenannten „projektionsoptischen Baugruppe“ (POB) dienen kann.
Vorzugsweise sind die Sensoren der Sensoreinrichtungen an der Rahmenstruktur, insbesondere an dem Sensorframe angeordnet.
Vorgesehen ist eine Steuereinrichtung, die die Position und/oder die Orientierung des optischen Elements anhand der wenigstens einen erfassten Ist-Distanz der wenigstens einen Sensoreinrichtung berechnet. Die Steuereinrichtung kann als Mikroprozessor ausgebildet sein. Anstelle eines Mikroprozessors kann auch eine beliebige weitere Einrichtung zur Implementierung der Steuereinrichtung vorgesehen sein, beispielsweise eine oder mehrere Anordnungen diskreter elektrischer Bauteile auf einer Leiterplatte, eine speicherprogrammierbare Steuerung (SPS), eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC) oder eine sonstige programmierbare Schaltung, beispielsweise auch ein field programmable gate array (FPGA), eine programmierbare logische Anordnung (PLA) und/oder ein handelsüblicher Computer.
Das Messverfahren kann mittels der erfindungsgemäßen Messanordnung während des Betriebs der Gesamtanlage, beispielsweise der Projektionsbelichtungsanlage, und/oder während der Ersteinrichtung und/oder während der Wartung der Anlage durchgeführt werden.
Die Erfindung betrifft ferner eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einem Beleuchtungssystem mit einer Strahlungsquelle sowie einer Optik, welche wenigstens ein, insbesondere auszurichtendes optisches Element aufweist, wobei die Position und/oder die Orientierung des wenigstens einen optischen Elements mittels einer erfindungsgemäßen Messanordnung gemäß den vorstehenden und nachfolgenden Ausführungen ermittelt wird.
Das bisher bestehende Problem, dass eine Drift bzw. eine parasitäre Bewegung des Messtargets, insbesondere von Interferometertargets bzw. optisch reflektierenden Messtargets, aufgrund von Temperatur- oder Feuchtigkeitsänderungen des Klebstoffs zu einem Messfehler führt, der insbesondere für High-NA POBs nicht mehr akzeptabel ist, wird durch die erfindungsgemäße Messanordnung gelöst.
Die Erfindung eignet sich insbesondere zur Verwendung mit einer mikrolithografischen DUV („Deep Ultra Violet“) - Projektionsbelichtungsanlage und ganz besonders zur Verwendung mit einer mikrolithografischen EUV-Projektionsbelichtungsanlage. Eine mögliche Verwendung der Erfindung betrifft auch die Immersionslithographie.
Merkmale, die im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Messanordnung beschrieben wurden, sind selbstverständlich auch für die Projektionsbelichtungsanlage vorteilhaft umsetzbar - und umgekehrt. Ferner können Vorteile, die bereits im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Messanordnung genannt wurden, auch auf die Projektionsbelichtungsanlage bezogen verstanden werden - und umgekehrt.
Es sei erwähnt, dass die als Stand der Technik zitierten Druckschriften DE 10 2019 201 146 A1 , DE 10 2018 218 162 A1 und DE 10 2019 200 746 A1 ergänzende Merkmale und Weiterbildungen enthalten können, die auch vorteilhaft im Rahmen der vorliegenden Erfindung umgesetzt bzw. mit der vorliegenden Erfindung kombiniert werden können. Der Inhalt der genannten Druckschriften sei aus diesem Grunde durch Bezugnahme in die vorliegende Beschreibung integriert.
Ergänzend sei darauf hingewiesen, dass Begriffe wie „umfassend“, „aufweisend“ oder „mit“ keine anderen Merkmale oder Schritte ausschließen. Ferner schließen Begriffe wie „ein“ oder „das“, die auf eine Einzahl von Schritten oder Merkmalen hinweisen, keine Mehrzahl von Merkmalen oder Schritten aus - und umgekehrt.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher beschrieben.
Die Figuren zeigen jeweils bevorzugte Ausführungsbeispiele, in denen einzelne Merkmale der vorliegenden Erfindung in Kombination miteinander dargestellt sind. Merkmale eines Ausführungsbeispiels sind auch losgelöst von den anderen Merkmalen des gleichen Ausführungsbeispiels umsetzbar und können dementsprechend von einem Fachmann ohne Weiteres zu weiteren sinnvollen Kombinationen und Unterkombinationen mit Merkmalen anderer Ausführungsbeispiele verbunden werden.
In den Figuren sind funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen.
Es zeigen schematisch:

1 eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage;
2 eine DUV-Projektionsbelichtungsanlage;
3 eine immersionslithographische Projektionsbelichtungsanlage;
4 eine erfindungsgemäße Messanordnung mit einem optischen Element, zwei beispielhaften Sensoreinrichtungen und einer Steuereinrichtung;
5 einen Spiegel einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit sechs über jeweilige Klebstoffverbindungen mit dem Spiegel verbundenen Messtargets für eine jeweilige interferometrische Sensoreinrichtung;
6 einen Ausschnitt auf eine Sensoreinrichtung, beispielsweise eine Sensoreinrichtung gemäß 4, mit einem Sensor und einem Messtarget;
7 eine perspektivische Ansicht eines weiteren Spiegels einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit Messtargets; und
8 ein vereinfachtes Diagramm zur Verdeutlichung der Erfindung.

1 zeigt exemplarisch den prinzipiellen Aufbau einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage 400 für die Halbleiterlithographie, für die die Erfindung Anwendung finden kann. Ein Beleuchtungssystem 401 der Projektionsbelichtungsanlage 400 weist neben einer Strahlungsquelle 402 eine Optik 403 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 404 in einer Objektebene 405 auf. Beleuchtet wird ein im Objektfeld 404 angeordnetes Retikel 406, das von einem schematisch dargestellten Retikelhalter 407 gehalten ist. Eine lediglich schematisch dargestellte Projektionsoptik 408 dient zur Abbildung des Objektfeldes 404 in ein Bildfeld 409 in einer Bildebene 410. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 406 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 409 in der Bildebene 410 angeordneten Wafers 411, der von einem ebenfalls ausschnittsweise dargestellten Waferhalter 412 gehalten ist.
Die Strahlungsquelle 402 kann EUV-Strahlung 413, insbesondere im Bereich zwischen 5 Nanometer und 30 Nanometer, emittieren. Zur Steuerung des Strahlungswegs der EUV-Strahlung 413 werden optisch verschieden ausgebildete und mechanisch verstellbare optische Elemente 415, 416, 418, 419, 420 eingesetzt. Die optischen Elemente sind bei der in 1 dargestellten EUV-Projektionsbelichtungsanlage 400 als verstellbare Spiegel in geeigneten und nachfolgend nur beispielhaft erwähnten Ausführungsformen ausgebildet.
Die mit der Strahlungsquelle 402 erzeugte EUV-Strahlung 413 wird mittels eines in der Strahlungsquelle 402 integrierten Kollektors derart ausgerichtet, dass die EUV-Strahlung 413 im Bereich einer Zwischenfokusebene 414 einen Zwischenfokus durchläuft, bevor die EUV-Strahlung 413 auf einen Feldfacettenspiegel 415 trifft. Nach dem Feldfacettenspiegel 415 wird die EUV-Strahlung 413 von einem Pupillenfacettenspiegel 416 reflektiert. Unter Zuhilfenahme des Pupillenfacettenspiegels 416 und einer optischen Baugruppe 417 mit Spiegeln 418, 419, 420 werden Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 415 in das Objektfeld 404 abgebildet.
In 2 ist eine beispielhafte DUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 dargestellt. Die Projektionsbelichtungsanlage 100 weist ein Beleuchtungssystem 103, eine Retikelstage 104 genannte Einrichtung zur Aufnahme und exakten Positionierung eines Retikels 105, durch welches die späteren Strukturen auf einem Wafer 102 bestimmt werden, einen Waferhalter 106 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung des Wafers 102 und eine Abbildungseinrichtung, nämlich ein Projektionsobjektiv 107, mit mehreren optischen Elementen 108, die über Fassungen 109 in einem Objektivgehäuse 140 des Projektionsobjektivs 107 gehalten sind, auf.
Die optischen Elemente 108 können als einzelne refraktive, diffraktive und/oder reflexive optische Elemente 108, wie z. B. Linsen, Spiegel, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen, ausgebildet sein.
Das grundsätzliche Funktionsprinzip der Projektionsbelichtungsanlage 100 sieht vor, dass die in das Retikel 105 eingebrachten Strukturen auf den Wafer 102 abgebildet werden.
Das Beleuchtungssystem 103 stellt einen für die Abbildung des Retikels 105 auf den Wafer 102 benötigten Projektionsstrahl 111 in Form elektromagnetischer Strahlung bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in dem Beleuchtungssystem 103 über optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl 111 beim Auftreffen auf das Retikel 105 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
Mittels des Projektionsstrahls 111 wird ein Bild des Retikels 105 erzeugt und von dem Projektionsobjektiv 107 entsprechend verkleinert auf den Wafer 102 übertragen. Dabei können das Retikel 105 und der Wafer 102 synchron verfahren werden, so dass praktisch kontinuierlich während eines sogenannten Scanvorganges Bereiche des Retikels 105 auf entsprechende Bereiche des Wafers 102 abgebildet werden.
In 3 ist eine dritte Projektionsbelichtungsanlage 200 in Ausbildung als immersionslithographische DUV-Projektionsbelichtungsanlage beispielhaft dargestellt. Zum weiteren Hintergrund einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage 200 wird beispielsweise auf die WO 2005/069055 A2 verwiesen, deren Inhalt durch Bezugnahme in die vorliegende Beschreibung integriert sei; auf die genaue Funktionsweise wird an dieser Stelle deshalb nicht im Detail eingegangen.
Erkennbar ist, vergleichbar mit der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 gemäß 2, eine Retikelstage 104, durch welche die späteren Strukturen auf dem Wafer 102, der auf dem Waferhalter 106 bzw. Wafertisch angeordnet ist, bestimmt werden. Die Projektionsbelichtungsanlage 200 der 3 weist hierzu ebenfalls mehrere optische Elemente, insbesondere Linsen 108 und Spiegel 201, auf.
Die Verwendung der Erfindung ist nicht auf den Einsatz in Projektionsbelichtungsanlagen 100, 200, 400 beschränkt, insbesondere nicht auf Projektionsbelichtungsanlagen 100, 200, 400 mit dem beschriebenen Aufbau. Die erfindungsgemäße Messanordnung, und das erfindungsgemäße Messverfahren eignen sich grundsätzlich zur Ermittlung der Ausrichtung bzw. der Position und/oder der Orientierung beliebiger optischer Elemente.
In besonders vorteilhafter Weise eignet sich die Erfindung für EUV-Projektionsbelichtungsanlagen, insbesondere für die dort verwendeten projektionsoptischen Baugruppen (POB) insbesondere mit einer numerischen Apertur (NA) größer als 0,5.
Die nachfolgenden Figuren stellen die Erfindung lediglich beispielhaft und stark schematisiert dar.
4 zeigt eine erfindungsgemäße Messanordnung 1 zur Ermittlung der Position und/oder der Orientierung eines optischen Elements 2. Das optische Element 2 ist vorzugsweise als optisches Element 2 einer Projektionsbelichtungsanlage 100, 200, 400 für die Halbleiterlithografie ausgebildet. Das optische Element 2 ist im Ausführungsbeispiel als Spiegel einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage ausgebildet und umfasst ein Substrat 3 und eine reflektierende Beschichtung 4, die zur Reflexion der EUV-Strahlung 413 ausgebildet ist. Beispielhaft ist eine Kippachse 6 dargestellt, um die das optische Element 2 zur Steuerung des Strahlengangs der EUV-Strahlung 413 verkippt werden kann.
An dem optischen Element 2 sind beispielhaft zwei Messtargets 7 stoffschlüssig befestigt. Im Ausführungsbeispiel ist zur Verbindung eine Klebstoffverbindung 8 vorgesehen. Die Messtargets 7 sind Teil einer jeweiligen Sensoreinrichtung 9, die im Ausführungsbeispiel - rein beispielhaft - als interferometrische Sensoreinrichtung ausgebildet ist. Die Messtargets 7 weisen jeweils ein Trägersubstrat 10 sowie eine optisch reflektierende Funktionsfläche 11 auf. Die Sensoreinrichtung 9 weist jeweils einen dem jeweiligen Messtarget 7 zugeordneter Sensor 12 (im Ausführungsbeispiel ein Interferometer) auf. Der Sensor 12 ist dabei dem Messtarget 7 der Sensoreinrichtung 9 zugeordnet und sendet eine Messstrahlung aus (strichliniert dargestellt), die von dem jeweiligen Messtarget 7 reflektiert und zu dem Sensor 12 zurückgeworfen wird. Der Sensor 12 ermöglicht es, die Ist-Distanzen L_IST zu dem zugeordneten Messtargets 7 auf optische Weise zu erfassen.
Eine in 4 strichliniert angedeutete Steuereinrichtung 13 berechnet schließlich die Position und/oder die Orientierung des optischen Elements 2 anhand der erfassten Ist-Distanzen L_IST der Sensoreinrichtungen 9.
Im Ausführungsbeispiel ist (optional) vorgesehen, dass die Sensoren 12 an einer dem optischen Element 2 benachbarten Rahmenstruktur 14 angeordnet sind.
In 5 ist beispielhaft ein optisches Element 2 beispielsweise ein Spiegel einer Projektionsbelichtungsanlage 100, 200, 400 in perspektivischer Darstellung gezeigt. Vorzugsweise soll im Rahmen des erfindungsgemäßen Messverfahrens die Position und/oder die Orientierung des optischen Elements 2 in allen sechs Freiheitsgraden erfasst werden. Diesbezüglich kann es von Vorteil sein, mehrere Sensoreinrichtungen 9 bestehend aus jeweils einem Sensor 12 und einem dem Sensor 12 zugeordneten Messtarget 7 zu verwenden, vorzugsweise sechs Sensoreinrichtungen 9. In der 5 sind beispielhaft sechs Messtargets 7 auf dem optischen Element 2 positioniert.
Das Grundprinzip der Ermittlung der Position bzw. der Ausrichtung des optischen Elements 2 unter Verwendung der wenigstens einen Sensoreinrichtung 9 ist in 6 anhand des Standes der Technik dargestellt. Der Sensor 12 bzw. das Interferometer ist vorzugsweise unmittelbar, d. h. ohne eine Klebstoffverbindung 8, an der dem optischen Element 2 benachbarten Rahmenstruktur 14 angeordnet und erfasst somit seine Ist-Distanz L_IST zu dem ihm zugeordneten Messtarget 7. Die erfasste Ist-Distanz L_IST kann schließlich zur Ermittlung der Ausrichtung des optischen Elements 2 herangezogen werden. Problematisch bei dieser Art der Messung ist es, dass eine parasitäre Bewegung (Drift) des Messtargets 7 in Richtung auf den zugeordneten Sensor 12 zu einem Messfehler ΔL_IST führen kann. Somit kann beispielsweise eine feuchtigkeits- oder temperaturbedingte Dehnung des Klebstoffs bzw. der Klebstoffverbindung 8 die gemessene Ist-Distanz L_IST um den Messfehler ΔL_IST verändern, im Ausführungsbeispiel verkürzen, und somit zu einer ungenau bzw. falsch erfassten Ausrichtung des optischen Elements 2 führen.
Wie aus 4 ersichtlich und punktiert angedeutet, gibt die wenigstens eine Sensoreinrichtung 9 ein die Ist-Distanz L_IST zwischen dem Sensor 12 und dem Messtarget 7 charakterisierendes Messsignal aus, welches an die Steuereinrichtung 13 übergeben wird, wobei die Steuereinrichtung 13 die Position und/oder die Orientierung des optischen Elements 2 anhand des Messsignals bestimmt.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass eine Position und/oder eine räumliche Orientierung des wenigstens einen Messtargets 7 auf dem optischen Element 2 derart gewählt sind, dass ein durch die parasitäre Targetdrift bedingter Fehler und/oder parasitäre Schwingungen des wenigstens einen Messtargets 7 bei der Ermittlung der Position und/oder Orientierung des optischen Elements 2 minimal ist oder minimiert wird.
In 7 ist ein weitere Ausführungsform eines Spiegels einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage als optisches Element 2' gezeigt. Auf dem optischen Element 2' sind Messtargets 7 vorhanden, mit welchen entsprechende Sensorsignale S1 bis S6 über in 7 nicht dargestellte Sensoren 9 erzeugbar sind. Das dem Sensorsignal S4 zugeordnete Messtarget 7 befindet sich auf der abgewandten Seite des optischen Elements 2' und ist in 7 daher nicht erkennbar. Bedingt durch die geometrische Anordnung der Messtargets 7 auf dem optischen Element 2' könnte ohne die erfindungsgemäßen Maßnahmen eine Fehlerverstärkung zwischen den parasitären Bewegungen der Messtargets 7 und den hierdurch fehlerhaft detektierten Bewegungen des optischen Elements 2' auftreten. Eine Targetdrift in positiver Z-Richtung könnte mit einer Translation des optischen Elements 2' in Y-Richtung und mit einer Rotation des optischen Elements 2' um die X-Achse einhergehen. Wenn sich der Spiegel in negativer Z-Richtung bewegt und um die X-Achse rotiert, könnten die Messtargets eine positive Bewegung in der lokalen Z-Richtung erfahren (nicht näher dargestellt).
Die Spiegelbewegungen bzw. die Bewegungen eines Koordinatensystems auf der optisch wirksamen Fläche des optischen Elements 2' ergeben sich wie folgt anhand einer geometrischen Transformationsmatrix T_6x6, welche die kinematischen Empfindlichkeiten des optischen Elements 2' in Reaktion auf Bewegungen der Messtargets 7 angibt. Die Transformationsmatrix T_6x6 hängt von der Position und der räumlichen Orientierung der Messtargets 7 ab: $\underset{S p i e g e l b e w e g u n g}{\underset{︸}{(\begin{matrix} X \\ Y \\ Z \\ R_{x} \\ R_{y} \\ R_{z} \end{matrix})}} = \underset{Transformationsmatrix T_{6 x 6}}{\underset{︸}{(\begin{matrix} a_{11} & a_{12} & \dots \\ ⋮ & ⋱ \\ a_{41} & a_{42} \\ ⋮ & ⋱ \\ a_{66} \end{matrix})}} \underset{S e n s o r s i g n a l e}{\underset{︸}{(\begin{matrix} S 1 \\ S 2 \\ S 3 \\ S 4 \\ S 5 \\ S 6 \end{matrix})}}$
Erfindungsgemäß kann zunächst das wenigstens eine Messtarget 7 zumindest in der Nähe eines Bereichs des optischen Elements 2' angeordnet werden, welcher während des Betriebs durch niedrigfrequente Eigenschwingungen des optischen Elements 2' nicht oder nur gering angeregt ist (nicht näher dargestellt).
Des Weiteren kann eine räumliche Orientierung des wenigstens einen Messtargets 7 auf dem optischen Element 2' wie folgt gewählt werden: $min_{Messtargetorientierung} \underset{Spiegelbewegung}{(\begin{matrix} X \\ Y \\ Z \\ R_{x} \\ R_{y} \\ R_{z} \end{matrix})}$
Beispielsweise kann somit für die Rotation R_x um die X-Achse gelten: $R_{x} = \sum_{j = 1}^{6} a_{4j} S_{j} \to min .$
Ohne Optimierung der räumlichen Orientierung des wenigstens einen Messtargets 7 auf dem optischen Element 2' kann für S₁ = S₂ ... = S₆ = 1 pm eine Verstärkung des Fehlers bei R_x um einen Faktor von 25,4 vorliegen: $\begin{array}{l} \underset{S p i e g e l b e w e g u n g}{\underset{︸}{(\begin{matrix} X \\ Y \\ Z \\ R_{x} \\ R_{y} \\ R_{z} \end{matrix})}} = \\ \underset{Transformationsmatrix T_{6 x 6}}{\underset{︸}{(\begin{matrix} 0,2256 & 0,2145 & - 0,6711 & 0,8445 & - 0,1269 & - 0,0973 \\ - 0,7549 & - 0,3630 & - 0,2791 & - 0,2211 & - 0,0243 & - 0,4983 \\ 0,4003 & - 0,8478 & 0,2882 & 0,1063 & - 0,2139 & 0,5892 \\ - 0,2141 & - 5,4478 & - 1,6806 & - 1,6838 & - 9,9702 & - 6,4237 \\ 0,7322 & - 0,4194 & 5,7906 & - 0,8067 & 0,4593 & - 0,8793 \\ 3,9572 & - 0,7225 & 0,1924 & - 0,2487 & 5,6706 & - 2,6173 \end{matrix})}} \underset{S e n s o r s i g n a l e}{\underset{︸}{(\begin{matrix} S 1 \\ S 2 \\ S 3 \\ S 4 \\ S 5 \\ S 6 \end{matrix})}} \end{array}$
Das optische Element 2' reagiert somit sehr empfindlich auf die Targetdrift.
Die Position und/oder die räumliche Orientierung des wenigstens Messtargets 7, insbesondere einer Funktionsfläche des wenigstens einen Messtargets 7 können derart optimal ausgelegt sein, dass eine Fehlerverstärkung zwischen parasitären Bewegungen des wenigstens einen Messtargets 7 und hierdurch fehlerhaft detektierten Bewegungen des optischen Elements 2' entlang einer oder mehrerer translatorischer Richtungen (X, Y, Z) und/oder um eine oder mehrere rotatorische Achsen (R_x, R_y, R_z) minimal ist oder minimiert wird.
Mit der erfindungsgemäßen Optimierung der räumlichen Orientierung des wenigstens einen Messtargets 7 auf dem optischen Element 2' kann für S₁ = S₂ ... = S₆ = 1 pm eine reduzierte Verstärkung des Fehlers bei R_x um einen Faktor von 6,17 vorliegen: $\begin{array}{l} \underset{S p i e g e l b e w e g u n g}{\underset{︸}{(\begin{matrix} X \\ Y \\ Z \\ R_{x} \\ R_{y} \\ R_{z} \end{matrix})}} = \\ \underset{Transformationsmatrix T_{6 x 6}}{\underset{︸}{(\begin{matrix} 0,6984 & 0,1378 & 0,0018 & - 0,0368 & - 0,2404 & - 0,2887 \\ - 0,4089 & 0,0190 & - 0,2211 & - 0,0918 & 0,0764 & - 0,6686 \\ 0,1628 & - 0,0137 & 0,3162 & 1,1000 & - 0,2121 & 0,3227 \\ - 0,2300 & 1,0802 & - 1,7310 & - 1,1957 & - 1,0597 & - 0,8783 \\ 0,6085 & - 1,8612 & 2,0193 & - 2,0845 & 0,3793 & - 2,5741 \\ 3,0450 & - 0,3405 & - 0,1609 & 0,1437 & 2,7910 & - 1,3808 \end{matrix})}} \underset{S e n s o r s i g n a l e}{\underset{︸}{(\begin{matrix} S 1 \\ S 2 \\ S 3 \\ S 4 \\ S 5 \\ S 6 \end{matrix})}} \end{array}$
Das optische Element 2' reagiert somit nach der Optimierung weniger empfindlich auf die Targetdrift.
8 zeigt ein vereinfachtes dreidimensionales Diagramm zur Verdeutlichung der Erfindung. Dabei sind Bewegungen in X-Richtung, Y-Richtung und vertikal in Z-Richtung aufgetragen. Die Messtargets 7 sind in 8 stark vereinfacht in Form von Kästen eingezeichnet. Des Weiteren ist eine optisch wirksame Fläche des optischen Elements 2' bzw. deren Referenzkoordinatensystem mit dem Bezugszeichen 14 versehen. Gestrichelte Linien markieren Abstände zwischen einem ursprünglichen Momentalpol MP1 des optischen Elements 2' und den Messtargets 7. Messsignale einer Targetdrift sind durch Linien 15 angedeutet. Pfeile 16 zeigen die durch die Targetdrift bedingte ursprüngliche Bewegung des optischen Elements 2' bzw. dessen optisch wirksamer Fläche 14 an.
Erfindungsgemäß wird nun eine Position und/oder eine räumliche Orientierung des wenigstens einen Messtargets 7 auf dem optischen Element 2' derart gewählt, dass ein durch die parasitäre Targetdrift bedingter Fehler und/oder parasitäre Schwingungen des wenigstens einen Messtargets 7 bei der Ermittlung der Position und/oder Orientierung des optischen Elements 2 minimal ist oder minimiert wird. Dabei kann zunächst das wenigstens eine Messtarget 7 zumindest in der Nähe eines Bereichs des optischen Elements 2' angeordnet werden, welcher während des Betriebs durch niedrigfrequente Eigenschwingungen des optischen Elements 2' nicht oder nur gering angeregt ist.
Die Position und/oder die räumliche Orientierung des wenigstens Messtargets 7, insbesondere einer Funktionsfläche des wenigstens einen Messtargets 7 können derart optimal ausgelegt sein, dass eine Fehlerverstärkung zwischen parasitären Bewegungen des wenigstens einen Messtargets 7 und hierdurch fehlerhaft detektierten Bewegungen des optischen Elements 2' entlang einer oder mehrerer translatorischer Richtungen (X, Y, Z) und/oder um eine oder mehrere rotatorische Achsen (R_x, R_y, R_z) minimal ist oder minimiert wird.
Es ergibt sich ein neuer Momentanpol MP2. Neue Messsignale einer Targetdrift sind durch Linien 17 angedeutet. Pfeile 18 zeigen die durch die neue Targetdrift bedingte minimierte gemessene Bewegung des optischen Elements 2' bzw. dessen optisch wirksamer Fläche 14 an.
Vereinfachend ist in 8 bei der Optimierung keine Positionsveränderung der als Kästen dargestellten Messtargets 7 und der optisch wirksamen Fläche 14 gezeigt.
Befindet sich der Momentanpol MP1, MP2 sehr nah bzw. sogar auf der optisch wirksamen Fläche 14 des optischen Elements 2' könnten weitere Verbesserungen erzielt werden, so dass die Targetdrift zu keiner Bewegung des optischen Elements 2' mehr führt.
Die Transformationsmatrix T_6x6, welche kinematische Empfindlichkeiten des optischen Elements 2' in Reaktion auf Bewegungen des wenigstens einen Messtargets 7 aufweist, kann berücksichtigt werden.
Alternativ oder zusätzlich können weitere Metriken, insbesondere eine Konditionszahl der Transformationsmatrix T_6x6, für zusätzliche Optimierungen berücksichtigt werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102018218162 A1 [0009, 0017, 0045]
DE 102019201146 A1 [0010, 0045]
DE 102019200746 A1 [0017, 0045]
WO 2005/069055 A2 [0059]

Claims

Messanordnung (1) zur Ermittlung der Position und/oder Orientierung eines optischen Elements (2), umfassend: a) wenigstens eine Sensoreinrichtung (9), aufweisend einen von dem optischen Element (2,2') beabstandet angeordneten Sensor (12) und ein dem Sensor (12) zugeordnetes, mittels einer stoffschlüssigen Verbindung (8) an dem optischen Element (2,2') befestigtes Messtarget (7), wobei der Sensor (12) und das Messtarget (7) derart aufeinander ausgerichtet sind, dass zur Bestimmung einer Ist-Distanz (L_IST) zwischen dem Sensor (12) und dem Messtarget (7) eine Funktionsfläche des Messtargets (7) einen Messstrahl des Sensors (12) optisch reflektiert, und b) eine Steuereinrichtung (13), welche zur Bestimmung der Position und/oder Orientierung des optischen Elements (2) anhand der wenigstens einen erfassten Ist-Distanz (L_IST) eingerichtet ist, dadurch gekennzeichnet dass c) eine Position und/oder eine räumliche Orientierung wenigstens eines Messtargets (7) auf dem optischen Element (2,2') derart gewählt sind, dass ein durch eine parasitäre Targetdrift und/oder parasitäre Schwingungen des wenigstens einen Messtargets (7) bedingter Fehler bei der Ermittlung der Position und/oder Orientierung des optischen Elements (2,2') minimiert wird.
Messanordnung (1) nach Anspruch 1, wobei das wenigstens eine Messtarget (7) zumindest in der Nähe eines Bereichs des optischen Elements (2,2') angeordnet ist, welcher während des Betriebs durch niedrigfrequente Eigenschwingungen des optischen Elements (2,2') nicht oder nur gering angeregt ist.
Messanordnung (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Position und/oder die räumliche Orientierung des wenigstens Messtargets (7), insbesondere einer Funktionsfläche des wenigstens einen Messtargets (7) derart optimal ausgelegt sind, dass eine Fehlerverstärkung zwischen parasitären Bewegungen des wenigstens einen Messtargets (7) und hierdurch fehlerhaft detektierten Bewegungen des optischen Elements (2,2') entlang einer oder mehrerer translatorischer Richtungen und/oder um eine oder mehrere rotatorische Achsen minimiert wird.
Messanordnung (1) nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei eine Transformationsmatrix (T_6x6), welche kinematische Empfindlichkeiten des optischen Elements (2,2') in Reaktion auf Bewegungen des wenigstens einen Messtargets (7) aufweist, berücksichtigt wird.
Messanordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei weitere Metriken, insbesondere eine Konditionszahl der Transformationsmatrix (T_6×6), für zusätzliche Optimierungen berücksichtigt werden.
Projektionsbelichtungsanlage (100, 200, 400) für die Halbleiterlithografie mit einem Beleuchtungssystem (103, 401) mit einer Strahlungsquelle (402) sowie einer Optik (108, 403), welche wenigstens ein, insbesondere auszurichtendes optisches Element (415, 416, 418, 419, 420, 108, 201) aufweist, wobei die Position und/oder Orientierung des wenigstens einen optischen Elements (415, 416, 418, 419, 420, 108, 201) mittels einer Messanordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5 ermittelt wird.