DE102017208705A1 - Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in die Umgebung - Google Patents

Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in die Umgebung Download PDF

Info

Publication number
DE102017208705A1
DE102017208705A1 DE102017208705.6A DE102017208705A DE102017208705A1 DE 102017208705 A1 DE102017208705 A1 DE 102017208705A1 DE 102017208705 A DE102017208705 A DE 102017208705A DE 102017208705 A1 DE102017208705 A1 DE 102017208705A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
section
emitter
supply
unit
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102017208705.6A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans-Jochen Schwarz
Stefan Spiessberger
Martin Kastner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102017208705.6A priority Critical patent/DE102017208705A1/de
Priority to KR1020197037378A priority patent/KR102555227B1/ko
Priority to PCT/EP2018/061976 priority patent/WO2018215211A1/de
Priority to CN201880033578.3A priority patent/CN110662979B/zh
Priority to EP18723820.9A priority patent/EP3631495A1/de
Priority to US16/615,479 priority patent/US11579261B2/en
Priority to JP2019564787A priority patent/JP2020521139A/ja
Publication of DE102017208705A1 publication Critical patent/DE102017208705A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/483—Details of pulse systems
    • G01S7/484—Transmitters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G01S17/10—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
    • G01S7/4815—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone using multiple transmitters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/497—Means for monitoring or calibrating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0615—Q-switching, i.e. in which the quality factor of the optical resonator is rapidly changed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
    • H01S5/06253—Pulse modulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/42—Simultaneous measurement of distance and other co-ordinates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)

Abstract

Sendeeinheit (100-1) zur Emission von Strahlung (209, 209-1, 209-2) in die Umgebung mit• wenigstens einem Halbleiterlaser (102), aufweisend wenigstens einen ersten Emitter mit einer ersten Sektion (202) und einer zweiten Sektion (203), und• wenigstens einer Steuerungseinheit (101) zur Ansteuerung des Halbleiterlasers (102),dadurch gekennzeichnet, dass• die Steuerungseinheit (101) dazu ausgebildet ist, die erste Sektion (202) des wenigstens einen Emitters mit einer ersten Versorgungsgröße (204) und die zweite Sektion (203) des wenigstens einen Emitters mit einer sich von der ersten Versorgungsgröße (204) unterscheidenden zweiten Versorgungsgröße (205, 301-1, 301-2) zu beaufschlagen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in die Umgebung und ein Verfahren zur Ansteuerung einer Sendeeinheit gemäß dem Oberbegriff der unabhängig formulierten Ansprüche.
  • Stand der Technik
  • Die Veröffentlichung PORTNOI, E. L. et al., Superhigh-Power Picosecond Optical Pulses from Q-Switched Diode Laser. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. April 1997, Vol. 3, No. 2, Seiten 256-260 offenbart einen Halbleiterlaser, der mittels passiver Güteschaltung betrieben wird.
  • Aus der US7428342 ist ein LiDAR-System bekannt, in welchem ein Festkörperlaser mittels passiver Güteschaltung betrieben wird.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung geht aus von einer Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in die Umgebung mit wenigstens einem Halbleiterlaser, aufweisend wenigstens einen ersten Emitter mit einer ersten Sektion und einer zweiten Sektion, und wenigstens einer Steuerungseinheit zur Ansteuerung des Halbleiterlasers.
  • Erfindungsgemäß ist die Steuerungseinheit dazu ausgebildet, die erste Sektion des wenigstens einen Emitters mit einer ersten Versorgungsgröße und die zweite Sektion des wenigstens einen Emitters mit einer sich von der ersten Versorgungsgröße unterscheidenden zweiten Versorgungsgröße zu beaufschlagen.
  • Eine Versorgungsgröße kann elektrische Ladung sein. Eine Versorgungsgröße kann beispielsweise ein Strom oder eine Spannung sein. Die erste Sektion kann Verstärkersektion genannt werden. Hier können z. B. Ladungsträger gespeichert werden. Die zweite Sektion kann Schaltsektion genannt werden. Die zweite Sektion kann schnell geschaltet werden. Die Strahlung kann Laserstrahlung sein. Die Laserstrahlung kann gepulst sein.
  • Die erste und die zweite Versorgungsgröße können sich beispielsweise in ihren Beträgen voneinander unterscheiden. Der Zeitpunkt des Beaufschlagens der ersten Sektion mit der ersten Versorgungsgröße kann sich vom Zeitpunkt des Beaufschlagens der zweiten Sektion mit der zweiten Versorgungsgröße unterscheiden. Hierfür kann sich die Kontaktierung der ersten Sektion von der Kontaktierung der zweiten Sektion unterscheiden.
  • Der Vorteil der Erfindung besteht darin, dass der Halbleiterlaser mittels aktiver Güteschaltung, also mit mindestens einer zweiten Versorgungsgröße, gezielt beeinflusst werden kann. Somit kann der Zeitpunkt des Aussendens von Laserstrahlung durch den Halbleiterlaser sehr genau gesteuert werden. Die Sendeeinheit kann kurze Laserpulse mit hoher Energie und hoher Leistung emittieren (aussenden). Im Vergleich zu beispielsweise der Verwendung von Festkörperlasern können mittels des Halbleiterlasers hohe Pulswiederholraten, insbesondere im Bereich von 100 kHz bis 1 MHz, erreicht werden. Der Halbleiterlaser bietet den Vorteil der geringeren Baugröße und geringer Kosten. Im Vergleich zu Sendeeinheiten mit Lasern, die nicht gütegeschaltet werden, können bei gleicher Pulsenergie höhere Pulsleistungen ermöglicht werden. Dies ist vorteilhaft in Bezug auf die Augensicherheit der Sendeeinheit und der Detektionsreichweiter der Empfangseinheit (Verbessertes Signal-zu-Rauschverhältnis).
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die erste Sektion einen ersten Bereich mit wenigstens einem halbleitenden Material aufweist. Die zweite Sektion weist einen zweiten Bereich mit wenigstens einem halbleitenden Material auf. Der erste Bereich und der zweite Bereich sind voneinander beabstandet.
  • Der erste und der zweite Bereich können aus unterschiedlichen Materialien aufgebaut sein. Der erste und der zweite Bereich können unterschiedlich strukturiert sein. Durch die Beabstandung des ersten und des zweiten Bereichs kann ein dritter Bereich zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich ausgebildet sein. Dieser dritte Bereich kann z. B. ein Isolierbereich sein, so dass keine elektrische Ladung direkt vom ersten zum zweiten Bereich, oder umgekehrt, übertragen werden kann. Der erste und der zweite Bereich können somit mindestens in der Kontaktierungsebene elektrisch getrennt sein.
  • Der Vorteil besteht darin, dass an den halbleitenden Materialien eine Kontaktierung der ersten und der zweiten Sektion des Halbleiterlasers ermöglicht wird. Durch die Beabstandung des ersten und des zweiten Bereichs kann die Beaufschlagung der ersten Sektion mit der ersten Versorgungsgröße und die Beaufschlagung der zweiten Sektion mit der zweiten Versorgungsgröße definiert und sehr genau geschehen. So kann beispielsweise ein Ladungsträgeraustausch zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich vermieden werden. Hierdurch kann gezielt die Verstärkersektion mit elektrischer Ladung beaufschlagt werden. Die zweite Sektion kann gezielt und schnell geschaltet werden.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung kann der Halbleiterlaser genau einen Emitter aufweisen. Der Vorteil besteht darin, dass die Sendeeinheit die Laserstrahlung in Form eines punktförmigen Laserstrahls mit hoher Energie und hoher Leistung emittieren kann.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist der Halbleiterlaser wenigstens zwei Emitter auf. Jeder der wenigstens zwei Emitter weist eine jeweils dem Emitter zugeordnete erste Sektion und eine jeweils dem Emitter zugeordnete zweite Sektion auf.
  • Der Vorteil besteht darin, dass die Sendeeinheit, bei Anordnung der wenigstens zwei Emitter nebeneinander, die Laserstrahlung in Form eines linienförmigen Laserstrahls mit hoher Energie und hoher Leistung emittieren kann. Je nach Anordnung der wenigstens zwei Emitter sind weitere Geometrien des Laserstrahls denkbar.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist die Steuerungseinheit dazu ausgebildet, die jeweils zweite Sektion jedes der wenigstens zwei Emitter mit einer, dem jeweiligen Emitter zugeordneten, zweiten Versorgungsgröße zu beaufschlagen, wobei die zweiten Versorgungsgrößen insbesondere unterschiedlich sind.
  • Der Vorteil besteht darin, dass jeder der wenigstens zwei Emitter einzeln geschaltet werden kann.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist durch das Beaufschlagen der jeweils zweiten Sektion jeder der wenigstens zwei Emitter mit einer, dem jeweiligen Emitter zugeordneten, zweiten Versorgungsgröße eine zeitkorrelierte Emission der Strahlung erzeugbar.
  • Der Vorteil besteht darin, dass noch höhere Pulsleistungen und noch geringere Pulsbreiten realisierbar werden.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist die Sendeeinheit weiterhin einen Detektor zur Detektion wenigstens einer Referenzstrahlung auf. Die dem jeweiligen Emitter zugeordnete, zweite Versorgungsgröße ist abhängig von der wenigstens einen Referenzstrahlung.
  • Der Vorteil besteht darin, dass hierdurch eine Analyse der von jedem der wenigstens zwei Emitter ausgesendeten Laserstrahlungs möglich wird. Ausgehend davon kann die dem jeweiligen Emitter zugeordnete zweite Versorgungsgröße angepasst werden. Diese Anpassung kann z. B. derart sein, dass die Emission der Strahlung noch besser zeitkorreliert sein kann.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist die Sendeeinheit weitere optische Elemente auf. Die Sendeeinheit weist insbesondere eine Ablenkeinheit zur Ablenkung der vom Halbleiterlaser ausgesendeten Strahlung entlang einer Ablenkrichtung in die Umgebung auf. Die Ablenkeinheit kann beweglich und ihre Bewegung ansteuerbar sein. Die Ablenkeinheit kann z. B. ein Spiegel sein.
  • Der Vorteil besteht darin, dass die vom Halbleiterlaser ausgesendete Strahlung in ihrer Gestalt und Ausbreitungsrichtung verändert werden kann. So kann die Ausbreitungsrichtung durch optische Elemente wie z. B. Spiegel oder Strahlteiler verändert werden. Die Gestalt der Strahlung kann z. B. durch optische Linsen oder Prismen verändert werden. Durch die Ansteuerung der beweglichen Ablenkeinheit kann die Sendeeinheit verwendbar für Systeme werden, bei denen die Laserstrahlung in verschiedene Raumrichtungen ablenkbar sein muss.
  • Die vorliegende Erfindung geht weiterhin aus von einem LiDAR-Sensor mit einer Sendeeinheit, wie sie eben beschrieben wurde. Der LiDAR-Sensor weist weiterhin eine Empfangseinheit zum Empfangen von Strahlung, die von einem Objekt in der Umgebung reflektiert wurde, auf. Die Empfangseinheit kann einen Detektor zur Detektion der empfangenen Strahlung aufweisen. Der Detektor kann insbesondere ein Einzelphotonen-Lawinenphotodioden-Detektor (engl. Single Photon Avalanche Diode, SPAD) sein.
  • Der Vorteil besteht darin, dass sich durch die aktive Güteschaltung des Halbleiterlasers ein verbessertes Signal-zu-Rauschverhältnis für den LiDAR-Sensor ergibt. Das gute Signal-zu-Rauschverhältnis kann hierbei durch die kurzen Laserpulse mit hoher Energie und hoher Leistung der Sendeeinheit bedingt sein. Die Systemauflösung für den LiDAR-Sensor kann erhöht werden. Die Reichweite des hier beschriebenen LIDAR-Sensors kann signifikant größer sein als bei LiDAR-Sensoren, deren Sendeeinheit keinen Halbleiterlaser mit aktiver Güteschaltung aufweist.
  • Die vorliegende Erfindung geht weiterhin aus von einem Verfahren zur Ansteuerung einer Sendeeinheit mit wenigstens einem Halbleiterlaser, aufweisend wenigstens einen ersten Emitter mit einer ersten Sektion und einer zweiten Sektion, zur Emission von Strahlung in die Umgebung. Das Verfahren weist den Schritt der Beaufschlagung der ersten Sektion mittels einer Steuerungseinheit mit einer ersten Versorgungsgröße auf. Das Verfahren weist weiterhin den Schritt der Beaufschlagung der zweiten Sektion mittels der Steuerungseinheit, mit einer sich von der ersten Versorgungsgröße unterscheidenden zweiten Versorgungsgröße auf.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist der Halbleiterlaser wenigstens zwei Emitter auf. Jeder der wenigstens zwei Emitter weist eine jeweils dem Emitter zugeordnete erste Sektion und eine jeweils dem Emitter zugeordnete zweite Sektion auf. Die jeweils zweite Sektion jedes der wenigstens zwei Emitter wird mit einer, dem jeweiligen Emitter zugeordneten, zweiten Versorgungsgröße beaufschlagt. Die zweiten Versorgungsgrößen sind insbesondere unterschiedlich.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist das Verfahren den weiteren Schritt der Detektion wenigstens einer Referenzstrahlung mittels eines Detektors auf. In einem weiteren Schritt wird die wenigstens eine Referenzstrahlung analysiert. In einem weiteren Schritt wird die dem jeweiligen Emitter zugeordnete, zweite Versorgungsgröße wird in Abhängigkeit der Analyse angepasst.
  • Figurenliste
  • Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung anhand der beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen in den Figuren bezeichnen gleiche oder gleichwirkende Elemente. Es zeigen:
    • 1 einen LiDAR-Sensor mit einer erfindungsgemäßen Sendeeinheit;
    • 2 ein erstes Ausführungsbeispiel einer Sendeeinheit;
    • 3 ein zweites Ausführungsbeispiel einer Sendeeinheit
    • 4A die emittierte Laserstrahlung einer Sendeeinheit ohne Zeitkorrelation
    • 4B die emittierte Laserstrahlung einer Sendeeinheit mit Zeitkorrelation;
    • 5 den Querschnitt eines Emitters des Halbleiterlasers.
  • 1 zeigt beispielhaft den schematischen Aufbau eines LIDARr-Sensors 100. Der LiDAR-Sensor 100 weist die Sendeeinheit 100-1 auf. Diese wiederrum weist die Steuerungseinheit 101 auf. Mittels der Steuerungseinheit 101 wird der Halbleiterlaser 102 angesteuert und somit betrieben. Der Halbleiterlaser 102 emittiert Strahlung in Form von Laserstrahlung. Die Laserstrahlung kann gepulst sein. Die Laserstrahlung kann mittels wenigstens einem weiteren optischen Element 103 der Sendeeinheit 100-1 in Gestalt und Ausbreitungsrichtung verändert werden. Das optische Element 103 ist hierbei nur schematisch dargestellt. Das optische Element 103 kann beispielsweise ein Spiegel, ein Strahlteiler, eine Linse oder ein Prisma sein.
  • Die Laserstrahlung kann in die Umgebung emittiert (ausgesendet) werden. Die Laserstrahlung kann nach der Veränderung mittels des optischen Elements 103 in die Umgebung emittiert (ausgesendet) werden. In der Umgebung kann die Laserstrahlung von einem Objekt 104 reflektiert werden. In der Umgebung kann die Laserstrahlung von einem Objekt 104 gestreut werden. Die vom Objekt 104 reflektierte und/oder gestreute Strahlung kann von der Empfangseinheit 100-2 des Lidar-Sensors 100 empfangen werden. Hierfür kann auch die Empfangseinheit 100-2 optische Elemente 105 aufweisen. Die empfangene Strahlung kann auf einen Detektor 106 geleitet werden. Hierdurch werden am Detektor Signale generiert. Mittels einer Vorrichtung zur Signalverarbeitung 107 können diese Signale ausgewertet werden.
  • 2 zeigt als erstes Ausführungsbeispiel die Sendeeinheit 100-1A. Der gezeigte Halbleiterlaser 102 weist die sechs Emitter 201-1 bis 201-6 auf (im Folgenden als 201-x bezeichnet). Der Übersicht halber sind nur die Emitter 201-1 und 201-2, sowie diesen beiden Emittern 201-1 und 201-2 weitere zugehörige Merkmale beschriftet. Jeder der Emitter 201-x des Halbleiterlasers 102 weist eine erste Sektion 202-x und eine zweite Sektion 203-x auf. Die ersten Sektionen 202-x können die Verstärkersektionen sein. Die zweiten Sektionen 203-x können die Schaltsektionen sein. Ein Beispiel für den genauen Aufbau eines solchen Emitters 201-x ist weiter unten in der 5 beschrieben.
  • Mittels der Steuerungseinheit 101 werden die ersten Sektionen 202-x der gezeigten sechs Emitter 201-x mit einer ersten Versorgungsgröße 204 beaufschlagt. Es kann jede der ersten Sektionen 202-x mit der ersten Versorgungsgröße 204 beaufschlagt werden. Zum Beispiel fließt der Strom 204 zu den Verstärkersektionen 202-x. Mittels der Steuerungseinheit 101 werden die zweiten Sektionen 203-x der gezeigten sechs Emitter 201-x mit einer zweiten Versorgungsgröße 205 beaufschlagt. Es kann jede der zweiten Sektionen mit der zweiten Versorgungsgröße 205 beaufschlagt werden. Zum Beispiel fließt der Strom 205 zu den Schaltsektionen 203-x. Die Steuerungseinheit 201 ist bevorzugt dazu ausgebildet, die Beaufschlagung der ersten Sektionen 202-x mit der ersten Versorgungsgröße 204 unabhängig von der Beaufschlagung der zweiten Sektionen 203-x mit der zweiten Versorgungsgröße 205 durchzuführen. Hierfür kann es sich bei der Steuerungseinheit 201 z. B. um einen Mehrsektions-Laserdiodentreiber handeln. Durch das aktive Beaufschlagen der zweiten Sektionen 203-x mit der zweiten Versorgungsgröße 205 können die Emitter 201-x freigeschaltet werden. Hierdurch können die Einzelpulse der sechs Emitter 201-x zeitkorreliert werden. Die Einzelpulse der Emitter 201-x können synchronisiert werden. Hierdurch können hohe Pulsenergien und hohe Pulsleistungen erzielt werden.
  • Die Lokalisation der ersten Sektionen 202-x und der zweiten Sektionen 203-x ist variabel. Die ersten Sektionen 202-x und die zweiten Sektionen 203-x können auch derart positioniert sein, dass die zweiten Sektionen 203-x näher an der Steuerungseinheit 201 lokalisiert sind. Dies hat den Vorteil einer kurzen elektrischen Verbindung der Steuerungseinheit 201 zu den Schaltsektionen 203-x. Hierdurch ergibt sich eine geringere Induktivität, was zu einem schnelleren Schaltprozess bei geringeren Spannungen führt. Die Schaltsektionen 203-x können auch mittig zum Halbleiterlaser 102 angebracht sein. Die Schaltsektionen 203-x können auch variabel versetzt angeordnet sein. Es können auch mehrere Schaltsektionen 203-x-y (y = 1 bis z) pro Emitter 201-x eingebaut werden.
  • Die gepulsten Laserstrahlen aller Emitter 201-x werden im gezeigten Beispiel mittels einer optischen Linse 206 gebündelt und auf einen beweglichen Spiegel 207 fokussiert. Die Laserstrahlung 209 wird in Form eines linienförmigen Laserstrahls entlang der Ablenkrichtung 208 in die Umgebung der Sendeeinheit 100-1A emittiert.
  • 3 zeigt als zweites Ausführungsbeispiel die Sendeeinheit 100-1B. Bezugszeichen, die gleich zu 1 oder 2 sind, bezeichnen gleiche oder gleichwirkende Elemente. Analog zum Ausführungsbeispiel aus 2 kann auch die Sendeeinheit 100-1B weitere optische Elemente, wie z. B. eine optische Linse oder einen Ablenkspiegel, aufweisen. Diese weiteren optischen Elemente sind in 3 nicht extra gezeigt,
  • Der gezeigte Halbleiterlaser 102 der Sendeeinheit 100-1B weist sechs Emitter 201-x auf. Jeder der Emitter 201-x weist eine erste Sektion 202-x, die Verstärkersektion, und eine zweite Sektion 203-x, die Schaltsektion, auf.
  • Die Sendeeinheit 100-1B weist weiterhin den Detektor 303 zur Detektion der Referenzstrahlung 302-x aus der Rückfacette der Emitter 201-x auf. Der Detektor 303 kann z. B. ein Monitor-Diodenarray sein. Die Referenzstrahlung kann analysiert werden. Anhand der Referenzstrahlung 302-x kann die zeitliche Abfolge der Laserpulse 209-x der Emitter 201-x erfasst werden. Ein Signal 304, welches die Information zur zeitlichen Abfolge repräsentiert, kann an die Steuerungseinheit 101 übermittelt werden.
  • Mittels der Steuerungseinheit 101 können die ersten Sektionen 202-x der gezeigten sechs Emitter 201-x mit einer ersten Versorgungsgröße 204 beaufschlagt werden. Es kann jede der ersten Sektionen 202-x mit der ersten Versorgungsgröße 204 beaufschlagt werden. Hierbei kann die Versorgungsgröße 204 für alle der sechs Emitter 201-x den gleichen Betrag aufweisen. Die Verstärkersektionen 202-x aller Emitter 201-x werden durch einen gemeinsamen Strom 204 geladen.
  • Mittels der Steuerungseinheit 101 können die zweiten Sektionen 203-x der gezeigten sechs Emitter 201-x mit einer, dem jeweiligen Emitter zugeordneten, zweiten Versorgungsgröße 205-x beaufschlagt werden. Beispielsweise kann der Strom 205-1, der zur Schaltsektion 203-1 fließt, einen anderen Betrag haben, als der Strom 205-2, der zur Schaltsektion 203-2 fließt, usw.. Insbesondere können anhand der Information zur zeitlichen Abfolge der Laserpulse 209-x der Emitter 201-x die zweiten Versorgungsgrößen 205-x derart angepasst werden, dass die Emission der Laserpulse 209-x noch besser zeitkorreliert ist. Die Synchronität der emittierten Laserpulse 209-x wird gesteigert.
  • 4A zeigt ein Diagramm bei dem die optische Leistung 401 über der Zeit 402 aufgetragen ist. Es sind qualitativ die Einzelpulse 209-x der Emitter 201-x einer Sendeeinheit, wie sie z. B. 3 zeigt, ohne Zeitkorrelation/Synchronisation dargestellt.
  • 4B zeigt ebenfalls ein Diagramm bei dem die optische Leistung 401 über der Zeit 402 aufgetragen ist. Es sind qualitativ die Einzelpulse 209-x der Emitter 201-x einer Sendeeinheit 100-1, wie sie z. B. 3 zeigt, mit Zeitkorrelation/Synchronisation dargestellt. Die Synchronizität der Laserpulse 209-x ist im Vergleich zu 4A eindeutig erhöht.
  • Der Detektor 303 der Sendeeinheit 100-1B kann alternativ eine einzelne Monitordiode sein. Mittels eines Computerprogrammprodukts mit Programmcode zur Optimierung können die Schaltzeiten der einzelnen Emitter 201-x angeglichen werden.
  • Weiterhin ist es möglich, die Emitter 201-x des Halbleiterlasers 102 einer Sendeeinheit 100-1 einzeln anzusteuern. Zum Beispiel können einzelne Emitter 201-x gezielt abgeschaltet werden. Dies kann von Vorteil sein, wenn sich stark reflektierende Objekte im Messpfad befinden, die die Messung stören.
  • 5 zeigt den Querschnitt eines Emitters 201 eines Halbleiterlasers 102, wie ihn eine in den vorherigen Figuren gezeigte Sendeeinheit 100-1 aufweisen kann. Der Emitter 201 weist die erste Sektion 202 auf, welche mit der ersten Versorgungsgröße 204 beaufschlagt werden kann. Der Emitter 201 weist weiterhin die zweite Sektion 203 auf, welche mit der zweiten Versorgungsgröße 205 beaufschlagt werden kann. Der Emitter 201 kann Laserpulse 209 emittieren.
  • Die erste Sektion 202 weist einen ersten Bereich 502 mit wenigstens einem halbleitenden Material auf. Die zweite Sektion 203 weist einen zweiten Bereich 503 mit wenigstens einem halbleitenden Material auf. Der erste Bereich 502 und der zweite Bereich 503 sind beabstandet voneinander. Im Beispiel ist zwischen dem ersten Bereich 502 und dem zweiten Bereich 503 ein Isolierbereich 501. Der erste Bereich 502 und der zweite Bereich 503 sind auf Schichten angeordnet, die sich die erste Sektion 202 und die zweite Sektion gemeinsam teilen können. Der erste Bereich 502 und der zweite Bereich 503 können auf einer gemeinsamen Wellenführungsschicht 504 angeordnet sein. In der Mitte der Wellenführungsschicht 504 kann die aktive Zone 505 angeordnet sein. Die erste Sektion 202 und die zweite Sektion 203 können sich weiterhin ein gemeinsames Substrat 506 teilen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 7428342 [0003]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • PORTNOI, E. L. et al., Superhigh-Power Picosecond Optical Pulses from Q-Switched Diode Laser. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. April 1997, Vol. 3, No. 2, Seiten 256-260 [0002]

Claims (11)

  1. Sendeeinheit (100-1) zur Emission von Strahlung (209, 209-1, 209-2) in die Umgebung mit • wenigstens einem Halbleiterlaser (102), aufweisend wenigstens einen ersten Emitter mit einer ersten Sektion (202) und einer zweiten Sektion (203), und • wenigstens einer Steuerungseinheit (101) zur Ansteuerung des Halbleiterlasers (102), dadurch gekennzeichnet, dass • die Steuerungseinheit (101) dazu ausgebildet ist, die erste Sektion (202) des wenigstens einen Emitters mit einer ersten Versorgungsgröße (204) und die zweite Sektion (203) des wenigstens einen Emitters mit einer sich von der ersten Versorgungsgröße (204) unterscheidenden zweiten Versorgungsgröße (205, 301-1, 301-2) zu beaufschlagen.
  2. Sendeeinheit (100-1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Sektion (202) einen ersten Bereich (502) mit wenigstens einem halbleitenden Material aufweist, und dass die zweite Sektion (203) einen zweiten Bereich (503) mit wenigstens einem halbleitenden Material aufweist, und dass der erste Bereich (502) und der zweite Bereich (503) beabstandet voneinander sind.
  3. Sendeeinheit (100-1) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterlaser wenigstens zwei Emitter (201-1, 201-2) aufweist, wobei • jeder der wenigstens zwei Emitter (201-1, 201-2) eine jeweils dem Emitter zugeordnete erste Sektion (202-1, 202-2) und eine jeweils dem Emitter zugeordnete zweite Sektion (203-1, 203-2) aufweist.
  4. Sendeeinheit (100-1) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerungseinheit (101) dazu ausgebildet ist, die jeweils zweite Sektion (203-1, 203-2) jedes der wenigstens zwei Emitter (201-1, 201-2) mit einer, dem jeweiligen Emitter (201-1, 201-2) zugeordneten, zweiten Versorgungsgröße (301-1, 301-2) zu beaufschlagen, wobei die zweiten Versorgungsgrößen (301-1, 301-2) insbesondere unterschiedlich sind.
  5. Sendeeinheit (100-1) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass durch das Beaufschlagen der jeweils zweiten Sektion (203-1, 203-2) jeder der wenigstens zwei Emitter (201-1, 201-2) mit einer, dem jeweiligen Emitter (201-1, 201-2) zugeordneten, zweiten Versorgungsgröße (301-1, 301-2) eine zeitkorrelierte Emission der Strahlung (209-1, 209-2) erzeugbar ist.
  6. Sendeeinheit (100-1) nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Sendeeinheit (100-1) weiterhin einen Detektor (303) zur Detektion wenigstens einer Referenzstrahlung (302-1, 302-2) aufweist und, dass die dem jeweiligen Emitter (201-1, 201-2) zugeordnete, zweite Versorgungsgröße (301-1, 301-2) abhängig von der wenigstens einen Referenzstrahlung (302-1, 302-2) ist.
  7. Sendeeinheit (100-1) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Sendeeinheit weitere optische Elemente (103), insbesondere eine Ablenkeinheit (207) zur Ablenkung der vom Halbleiterlaser ausgesendeten Strahlung (209-1, 209-2) entlang einer Ablenkrichtung (208) in die Umgebung aufweist.
  8. Lidar-Sensor (100) mit einer Sendeeinheit (100-1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Lidar-Sensor weiterhin eine Empfangseinheit (100-2) zum Empfangen von Strahlung, die von einem Objekt (104) in der Umgebung reflektiert wurde, aufweist.
  9. Verfahren zur Ansteuerung einer Sendeeinheit (100-1) mit wenigstens einem Halbleiterlaser (102), aufweisend wenigstens einen ersten Emitter mit einer ersten Sektion (202) und einer zweiten Sektion (203), zur Emission von Strahlung (209-1, 209-2) in die Umgebung, aufweisend die Schritte • Beaufschlagung der ersten Sektion (202) mittels einer Steuerungseinheit (101) mit einer ersten Versorgungsgröße (204), und • Beaufschlagung der zweiten Sektion (203) mittels der Steuerungseinheit (101), mit einer sich von der ersten Versorgungsgröße (204) unterscheidenden zweiten Versorgungsgröße (205, 301-1, 301-2).
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass • der Halbleiterlaser (102) wenigstens zwei Emitter (201-1, 201-2) aufweist, wobei jeder der wenigstens zwei Emitter (201-1, 201-2) eine jeweils dem Emitter (201-1, 201-2) zugeordnete erste Sektion (202-1, 202-2) und eine jeweils dem Emitter (201-1, 201-2) zugeordnete zweite Sektion (203-1, 203-2) aufweist, und dass • die jeweils zweite Sektion (203-1, 203-2) jedes der wenigstens zwei Emitter (201-1, 201-2) mit einer, dem jeweiligen Emitter (201-1, 201-2) zugeordneten, zweiten Versorgungsgröße (301-1, 301-2) beaufschlagt wird, wobei die zweiten Versorgungsgrößen (301-1, 301-2) insbesondere unterschiedlich sind.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die weiteren Schritte aufweist: • Detektion wenigstens einer Referenzstrahlung (302-1, 302-2) mittels eines Detektors (303); • Analyse der wenigstens einen Referenzstrahlung (302-1, 302-2), und • Anpassung der dem jeweiligen Emitter (201-1, 201-2) zugeordneten, zweiten Versorgungsgröße (301-1, 301-2) in Abhängigkeit der Analyse.
DE102017208705.6A 2017-05-23 2017-05-23 Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in die Umgebung Pending DE102017208705A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017208705.6A DE102017208705A1 (de) 2017-05-23 2017-05-23 Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in die Umgebung
KR1020197037378A KR102555227B1 (ko) 2017-05-23 2018-05-09 주변 환경 내로 방사선을 방출하기 위한 송신 유닛
PCT/EP2018/061976 WO2018215211A1 (de) 2017-05-23 2018-05-09 Sendeeinheit zur emission von strahlung in die umgebung
CN201880033578.3A CN110662979B (zh) 2017-05-23 2018-05-09 用于发射辐射到周围环境中的发送单元
EP18723820.9A EP3631495A1 (de) 2017-05-23 2018-05-09 Sendeeinheit zur emission von strahlung in die umgebung
US16/615,479 US11579261B2 (en) 2017-05-23 2018-05-09 Transmitter unit for emitting radiation into a surrounding area
JP2019564787A JP2020521139A (ja) 2017-05-23 2018-05-09 環境に放射線を放出するための送出ユニット

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017208705.6A DE102017208705A1 (de) 2017-05-23 2017-05-23 Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in die Umgebung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017208705A1 true DE102017208705A1 (de) 2018-11-29

Family

ID=62148379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017208705.6A Pending DE102017208705A1 (de) 2017-05-23 2017-05-23 Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in die Umgebung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11579261B2 (de)
EP (1) EP3631495A1 (de)
JP (1) JP2020521139A (de)
KR (1) KR102555227B1 (de)
CN (1) CN110662979B (de)
DE (1) DE102017208705A1 (de)
WO (1) WO2018215211A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020225008A1 (de) 2019-05-09 2020-11-12 Robert Bosch Gmbh Sendeeinheit zur emission von strahlung in eine umgebung, lidar-sensor mit einer sendeeinheit und verfahren zur ansteuerung einer sendeeinheit
DE102019121384A1 (de) * 2019-08-07 2021-02-11 Forschungsverbund Berlin E.V. Optischer Pulsgenerator und Verfahren zum Betrieb eines optischen Pulsgenerators hoher Leistung und kurzen Pulsen

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2283858A (en) 1993-11-12 1995-05-17 British Tech Group Semiconductor laser
DE102007004609A1 (de) 2006-02-06 2007-08-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Vertikalresonatoroberflächenemissionslaser- (VCSEL-) Array-Laserabtaster
US7428342B2 (en) 2004-12-17 2008-09-23 Microsoft Corporation Reversible overlap operator for efficient lossless data compression
DE102008056096A1 (de) 2008-11-04 2010-05-12 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung und Verfahren zur selektiven Transmission eines optischen Signals

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6090058A (ja) * 1983-10-21 1985-05-21 Kawasaki Refract Co Ltd 吹付けノズル
US5151915A (en) * 1990-12-27 1992-09-29 Xerox Corporation Array and method of operating a modulated solid state laser array with reduced thermal crosstalk
JP2827930B2 (ja) * 1993-11-12 1998-11-25 日本電気株式会社 集積レーザ素子および光ビーム走査装置
JP2853545B2 (ja) 1993-12-27 1999-02-03 松下電器産業株式会社 充電器
EP0890204B1 (de) * 1996-03-29 1999-12-22 Heinrich-Hertz-Institut für Nachrichtentechnik Berlin GmbH Gütegesteuerter halbleiterlaser
JP3606183B2 (ja) * 2000-09-20 2005-01-05 日本電気株式会社 半導体光増幅装置及びそれに用いる利得調整方法
US6697408B2 (en) * 2001-04-04 2004-02-24 Coherent, Inc. Q-switched cavity dumped CO2 laser for material processing
US7680364B2 (en) * 2001-10-09 2010-03-16 Infinera Corporation Wavelength locking and power control systems for multi-channel photonic integrated circuits (PICS)
JP2004198697A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体パルス光源
CN100428589C (zh) * 2006-04-24 2008-10-22 何建军 Q-调制半导体激光器
US8471895B2 (en) 2008-11-25 2013-06-25 Paul S. Banks Systems and methods of high resolution three-dimensional imaging
JP5257053B2 (ja) * 2008-12-24 2013-08-07 株式会社豊田中央研究所 光走査装置及びレーザレーダ装置
WO2011147799A1 (de) * 2010-05-28 2011-12-01 Daniel Kopf Ultrakurzpuls-mikrochiplaser, halbleiterlaser, lasersystem und pumpverfahren für dünne lasermedien

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2283858A (en) 1993-11-12 1995-05-17 British Tech Group Semiconductor laser
US7428342B2 (en) 2004-12-17 2008-09-23 Microsoft Corporation Reversible overlap operator for efficient lossless data compression
DE102007004609A1 (de) 2006-02-06 2007-08-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Vertikalresonatoroberflächenemissionslaser- (VCSEL-) Array-Laserabtaster
DE102008056096A1 (de) 2008-11-04 2010-05-12 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung und Verfahren zur selektiven Transmission eines optischen Signals

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PORTNOI, E. L. et al., Superhigh-Power Picosecond Optical Pulses from Q-Switched Diode Laser. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. April 1997, Vol. 3, No. 2, Seiten 256-260

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020225008A1 (de) 2019-05-09 2020-11-12 Robert Bosch Gmbh Sendeeinheit zur emission von strahlung in eine umgebung, lidar-sensor mit einer sendeeinheit und verfahren zur ansteuerung einer sendeeinheit
DE102019206675A1 (de) * 2019-05-09 2020-11-12 Robert Bosch Gmbh Sendeeinheit zur Emission von Strahlung in eine Umgebung, LIDAR-Sensor mit einer Sendeeinheit und Verfahren zur Ansteuerung einer Sendeeinheit
DE102019121384A1 (de) * 2019-08-07 2021-02-11 Forschungsverbund Berlin E.V. Optischer Pulsgenerator und Verfahren zum Betrieb eines optischen Pulsgenerators hoher Leistung und kurzen Pulsen

Also Published As

Publication number Publication date
CN110662979B (zh) 2024-04-30
US11579261B2 (en) 2023-02-14
KR102555227B1 (ko) 2023-07-14
EP3631495A1 (de) 2020-04-08
JP2020521139A (ja) 2020-07-16
CN110662979A (zh) 2020-01-07
KR20200009060A (ko) 2020-01-29
WO2018215211A1 (de) 2018-11-29
US20200116826A1 (en) 2020-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3729137B1 (de) Multipuls-lidarsystem zur mehrdimensionalen erfassung von objekten
WO2017081294A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur optischen distanzmessung
DE102017002235A1 (de) LIDAR-System mit flexiblen Scanparametern
WO2020259889A1 (de) Sensoranordnung zur charakterisierung von partikeln
WO2018215211A1 (de) Sendeeinheit zur emission von strahlung in die umgebung
DE102019133096A1 (de) Optoelektronischer Sensor und Verfahren zur Erfassung eines Objekts
DE102019115723A1 (de) Fahrerassistenzsystem zur Bestimmung einer Farbe eines Objektes in einer Fahrzeugumgebung
EP3798671B1 (de) Optoelektronischer sensor und verfahren zur erfassung von objekten
DE102007024857A1 (de) Bildgebende Massenspektrometrie für kleine Moleküle in flächigen Proben
DE102021111949A1 (de) Vorrichtung zur scannenden Messung des Abstands zu einem Objekt
DE102018214447A1 (de) Objektdetektionsvorrichtung
WO2020225008A1 (de) Sendeeinheit zur emission von strahlung in eine umgebung, lidar-sensor mit einer sendeeinheit und verfahren zur ansteuerung einer sendeeinheit
EP4162289A1 (de) Lidar system mit grobwinkelsteuerung
EP2884241A1 (de) Positionsmesssystem und Verfahren zum Betrieb eines Positionsmesssystems
WO2022223441A1 (de) Reichweitenoptimiertes lidar-system sowie lidar-vorrichtung (110) und steuereinrichtung für ein solches lidar-system
EP3694005B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur erzeugung einer einzelphotonenemission
DE102017101791A1 (de) Optoelektronische Sensoreinrichtung für ein Kraftfahrzeug und Kraftfahrzeug
EP4286886B1 (de) Optoelektronischer sensor zur entfernungsmessung mit einer routing-schicht
DE102021120638A1 (de) Optische sensoranordnung
DE102018117792A1 (de) Vorrichtung zur ortsaufgelösten Abstands- und/oder Geschwindigkeitsermittlung eines Objekts
EP4231045A1 (de) Optoelektronischer sensor
DE202022100888U1 (de) Optoelektronischer Sensor
DE102018212516B4 (de) LIDAR-Sensor und Verfahren zur optischen Erfassung eines Sichtfeldes
DE102017209941A1 (de) Vorrichtung zur Erfassung eines Objektes in der Umgebung
DE102018126754B4 (de) Vorrichtung zur scannenden Abstandsermittlung eines Objekts

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication