DE102015214477A1 - Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method - Google Patents

Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method Download PDF

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    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets

Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie ein mikrolithographisches Belichtungsverfahren. Ein optisches System weist eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, welche wenigstens ein Array von polarisationsbeeinflussenden Elementen (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b) aufweist, und eine zur Erzeugung eines magnetischen Feldes im Bereich dieser polarisationsbeeinflussenden Elemente geeigneten Anordnung auf, wobei die polarisationsbeeinflussenden Elemente (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b) derart ausgelegt sind, dass sie jeweils für auftreffendes Licht eine von dem magnetischen Feld abhängige Faraday-Rotation des Polarisationszustandes bewirken.The invention relates to an optical system for a microlithographic projection exposure apparatus, and to a microlithographic exposure method. An optical system comprises a polarization-influencing optical arrangement, which has at least one array of polarization-influencing elements (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b), and one for generating a magnetic field in the region of this polarization-influencing Elements of suitable arrangement, wherein the polarization-influencing elements (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b) are designed such that they each for incident light a dependent of the magnetic field Faraday rotation of Cause polarization state.

Description

Die Erfindung betrifft ein optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie ein mikrolithographisches Belichtungsverfahren.The invention relates to an optical system for a microlithographic projection exposure apparatus, and to a microlithographic exposure method.

Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlagen werden zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD’s, angewendet. Eine solche Projektionsbelichtungsanlage weist eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv auf. Im Mikrolithographieprozess wird das Bild einer mit Hilfe der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. Microlithographic projection exposure equipment is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits or LCDs. Such a projection exposure apparatus has an illumination device and a projection objective. In the microlithography process, the image of a mask (= reticle) illuminated by means of the illumination device is projected onto a photosensitive layer (photoresist) coated with a photosensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection objective (eg, a silicon wafer) to project the mask structure onto the photosensitive layer Transfer coating of the substrate.

Im Betrieb einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage besteht der Bedarf, definierte Beleuchtungssettings, d.h. Intensitätsverteilungen in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung, gezielt einzustellen. Hierzu ist neben der Verwendung diffraktiver optischer Elemente (sogenannter DOE’s) auch der Einsatz von Spiegelanordnungen, z.B. aus WO 2005/026843 A2 , bekannt. Solche Spiegelanordnungen umfassen eine Vielzahl unabhängig voneinander einstellbarer Mikrospiegel.In the operation of a microlithographic projection exposure apparatus, there is a need to set defined illumination settings, ie intensity distributions in a pupil plane of the illumination device, in a targeted manner. In addition to the use of diffractive optical elements (so-called DOEs), the use of mirror arrangements, for example of WO 2005/026843 A2 , known. Such mirror assemblies include a plurality of independently adjustable micromirrors.

Des Weiteren sind verschiedene Ansätze bekannt, in der Beleuchtungseinrichtung zur Optimierung des Abbildungskontrastes gezielt bestimmte Polarisationsverteilungen in der Pupillenebene und/oder im Retikel einzustellen.Furthermore, various approaches are known for selectively setting specific polarization distributions in the pupil plane and / or in the reticle in the illumination device for optimizing the image contrast.

Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf WO 2009/100862 A1 , WO 2013/072352 A1 und WO 2009/100862 A1 verwiesen.The prior art is merely an example WO 2009/100862 A1 . WO 2013/072352 A1 and WO 2009/100862 A1 directed.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mikrolithographisches Belichtungsverfahren bereitzustellen, welche eine möglichst flexible und dynamische Einstellung unterschiedlicher Polarisationsverteilungen ermöglicht.The object of the present invention is to provide an optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and a microlithographic exposure method, which enables the most flexible and dynamic adjustment of different polarization distributions.

Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst.This object is achieved according to the features of the independent claims.

Ein erfindungsgemäßes optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage weist auf:

  • – eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, welche wenigstens ein Array von polarisationsbeeinflussenden Elementen aufweist; und
  • – eine zur Erzeugung eines magnetischen Feldes im Bereich dieser polarisationsbeeinflussenden Elemente geeignete Anordnung;
  • – wobei die polarisationsbeeinflussenden Elemente derart ausgelegt sind, dass sie jeweils für auftreffendes Licht eine von dem magnetischen Feld abhängige Faraday-Rotation des Polarisationszustandes bewirken.
An optical system according to the invention for a microlithographic projection exposure apparatus has:
  • A polarization-influencing optical arrangement comprising at least one array of polarization-influencing elements; and
  • - An arrangement suitable for generating a magnetic field in the region of these polarization-influencing elements;
  • - Wherein the polarization-influencing elements are designed such that they each cause an incident of light dependent on the magnetic field Faraday rotation of the polarization state.

Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, in einem optischen System – insbesondere der Beleuchtungseinrichtung – einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage eine Polarisationseinstellung basierend auf dem in einer Mehrzahl von polarisationsbeeinflussenden Elementen stattfindenden Faraday-Effekt, d.h. einer in Abhängigkeit von einem jeweils anliegenden Magnetfeld erfolgenden Polarisationsdrehung (auch als Faraday-Rotation bezeichnet), zu erzielen. Die einzelnen polarisationsbeeinflussenden Elemente weisen jeweils ein den Faraday-Effekt zeigendes, bei der jeweiligen Arbeitswellenlänge hinreichend transmissives Material (z.B. amorphes Quarzglas, SiO2) auf. Infolge der von der jeweiligen Magnetfeldstärke unmittelbar abhängigen Polarisationsdrehung im Bereich der einzelnen polarisationsbeeinflussenden Elemente kann so im Ergebnis eine dynamische Polarisationseinstellung im Betrieb des optischen Systems erreicht werden, da die jeweils erzeugte Ausgangspolarisationsverteilung flexibel entsprechend den jeweils aktuellen Anforderungen geändert werden kann. The invention is based in particular on the concept of a polarization adjustment based on the Faraday effect taking place in a plurality of polarization-influencing elements in an optical system-in particular the illumination device-of a microlithographic projection exposure apparatus, ie a polarization rotation taking place as a function of a respective applied magnetic field Faraday rotation called) to achieve. The individual polarization-influencing elements each have a Faraday-effect, at the respective operating wavelength sufficiently transmissive material (eg, amorphous quartz glass, SiO 2 ) on. As a result of the directly dependent on the respective magnetic field strength polarization rotation in the region of the individual polarization-influencing elements as a result, a dynamic polarization adjustment in the operation of the optical system can be achieved because the output polarization distribution generated in each case can be flexibly changed according to the current requirements.

Im Sinne der vorliegenden Anmeldung ist unter einem „Array“ von polarisationsbeeinflussenden Elementen eine Anordnung zu verstehen, welche aus wenigstens vier polarisationsbeeinflussenden Elementen aufgebaut ist, wobei in jeder von zwei zueinander senkrechten Raumrichtungen innerhalb der Ebene dieser Anordnung jeweils wenigstens zwei dieser polarisationsbeeinflussenden Elemente benachbart zueinander angeordnet sind. Dabei ist das „Array“ nicht auf periodische oder äquidistante Anordnungen beschränkt. Des Weiteren können die einzelnen polarisationsbeeinflussenden Elemente hinsichtlich ihrer optisch genutzten Wirkfläche eine quadratische, rechteckige, hexagonale oder auch andere geeignete Geometrie aufweisen. Andererseits können die polarisationsbeeinflussenden Elemente auch (teilweise oder sämtlich) periodisch hinsichtlich ihrer Ausdehnung in wenigstens einer der zueinander senkrechten Raumrichtungen angeordnet sein. For the purposes of the present application, an "array" of polarization-influencing elements is an arrangement which is made up of at least four polarization-influencing elements, wherein in each of two mutually perpendicular spatial directions within the plane of this arrangement at least two of these polarization-influencing elements are arranged adjacent to one another are. The "array" is not limited to periodic or equidistant arrangements. Furthermore, the individual polarization-influencing elements can have a square, rectangular, hexagonal or other suitable geometry with regard to their optically utilized effective area. On the other hand, the polarization-influencing elements may also (partially or completely) be arranged periodically with regard to their extension in at least one of the mutually perpendicular spatial directions.

Wenngleich das wenigstens eine Array aus wenigstens vier polarisationsbeeinflussenden Elementen aufgebaut ist, ist die Anzahl der polarisationsbeeinflussenden Elemente innerhalb jedes Arrays typischerweise wesentlich größer und kann lediglich beispielhaft 100 (z.B. in einer 10·10-Rasteranordung) oder auch mehrere 100 betragen. Dabei kann die Anzahl der polarisationsbeeinflussenden Elemente innerhalb des Arrays in Abhängigkeit von dem jeweils zu erzeugenden Beleuchtungssetting gewählt werden.Although the at least one array is made up of at least four polarization-influencing elements, the number of polarization-influencing elements within each array is typically substantially larger and may only 100 by way of example (for example in a 10 × 10 grid arrangement) or even several hundred. In this case, the number of polarization-influencing elements within the array can be selected as a function of the respective illumination setting to be generated.

Gemäß einer Ausführungsform ist die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung dazu ausgelegt, eine vorgegebene Eingangspolarisationsverteilung von im Betrieb des optischen Systems auf die Anordnung auftreffendem Licht infolge der in den polarisationsbeeinflussenden Elementen in Abhängigkeit von dem magnetischen Feld erfolgenden Faraday-Rotation in eine gewünschte Ausgangspolarisationsverteilung umzuwandeln.According to one embodiment, the polarization-influencing optical arrangement is designed to convert a predetermined input polarization distribution of light incident on the device during operation of the optical system as a result of the Faraday rotation taking place in the polarization-influencing elements into a desired output polarization distribution.

Gemäß einer Ausführungsform weist das optische System wenigstens eine Spiegelanordnung mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente auf.According to one embodiment, the optical system has at least one mirror arrangement with a plurality of mutually independently adjustable mirror elements.

Die Erfindung beinhaltet somit weiter insbesondere das Konzept, die vorstehend beschriebene polarisationsbeeinflussende optische Anordnung aus wenigstens einem Array von den Faraday-Effekt zeigenden polarisationsbeeinflussenden optischen Elementen in Kombination mit einer Spiegelanordnung aus einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente einzusetzen, wobei die betreffenden polarisationsbeeinflussenden Elemente bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung im optischen Strahlengang vor (d.h. stromaufwärts) der Spiegelanordnung, nach (d.h. stromabwärts) der Spiegelanordnung oder auch auf den Spiegelelementen der Spiegelanordnung selbst angeordnet sein können. Ein sich bei sämtlichen dieser Ausgestaltungen ergebender Vorteil ist, dass die betreffenden polarisationsbeeinflussenden optischen Elemente bzw. deren den Faraday-Effekt aufweisende Bereiche im optischen Strahlengang jeweils doppelt (nämlich vor und nach der Reflexion an der Spiegelanordnung) durchlaufen werden und somit die für eine gegebene Dicke der polarisationsbeeinflussenden Elemente erzielte Polarisationsdrehung gegenüber einem nur einmaligem Lichtdurchtritt verdoppelt wird. The invention thus further includes in particular the concept of using the above-described polarization-influencing optical arrangement of at least one array of Faraday effect polarization-influencing optical elements in combination with a mirror arrangement of a plurality of independently adjustable mirror elements, wherein the relevant polarization-influencing elements with respect to Light propagation direction in the optical beam path before (ie upstream) of the mirror assembly, after (ie downstream) of the mirror assembly or on the mirror elements of the mirror assembly itself may be arranged. An advantage that results in all of these embodiments is that the respective polarization-influencing optical elements or their Faraday-effect regions in the optical beam path are traversed twice (namely before and after reflection on the mirror arrangement) and thus for a given thickness the polarization-influencing elements achieved polarization rotation is doubled compared to a single passage of light.

Des Weiteren kann aufgrund der unabhängigen Verstellbarkeit der Spiegelelemente der über die jeweiligen polarisationsbeeinflussenden Elemente aufgrund der Faraday-Rotation mit einem gezielt einstellbaren Polarisationszustand beaufschlagte Strahl je nach gewünschtem polarisierten Beleuchtungssetting in den entsprechend gewünschten Bereich (z.B. einer nachfolgenden Pupillenebene) gelenkt werden, wodurch die Flexibilität hinsichtlich der dynamischen Polarisationseinstellung weiter gesteigert wird.Furthermore, owing to the independent adjustability of the mirror elements, the beam which is acted upon by the polarization-influencing elements due to the Faraday rotation can be directed into the corresponding desired area (eg a subsequent pupil plane) depending on the desired polarized illumination setting, thereby providing flexibility the dynamic polarization setting is further increased.

Gemäß einer Ausführungsform ist jedes der polarisationsbeeinflussenden Elemente an jeweils einem der Spiegelelemente angeordnet. In dieser Ausgestaltung ist somit erfindungsgemäß die Funktionalität der als Faraday-Rotation erzielten Polarisationsdrehung unmittelbar an der Spiegelanordnung selbst realisiert, so dass insoweit keine zusätzliche separate Optik im optischen Strahlengang vor oder nach der Spiegelanordnung benötigt wird. According to one embodiment, each of the polarization-influencing elements is arranged on in each case one of the mirror elements. In this embodiment, therefore, according to the invention, the functionality of the polarization rotation achieved as Faraday rotation is realized directly on the mirror arrangement itself, so that insofar no additional separate optics in the optical beam path before or after the mirror arrangement is needed.

In einer anderen Ausführungsform ist die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung als von der Spiegelanordnung separates optisches Bauteil ausgestaltet. Hierdurch können sowohl etwaige Abschattungseffekte oder auch mechanische Probleme z.B. infolge eines Verkantens benachbarter Spiegelelemente, welche grundsätzlich mit einer Realisierung der polarisationsbeeinflussenden Elemente unmittelbar auf den Spiegelelementen einhergehen könnten, vermieden werden. In another embodiment, the polarization-influencing optical arrangement is configured as a separate optical component from the mirror arrangement. As a result, any possible shading effects or also mechanical problems, e.g. as a result of tilting adjacent mirror elements, which in principle could be accompanied by realization of the polarization-influencing elements directly on the mirror elements.

Die Erfindung ist nicht auf die Realisierung in einem eine Spiegelanordnung mit unabhängig voneinander einstellbaren Spiegelelementen aufweisenden optischen System beschränkt. Der erfindungsgemäße Ansatz ermöglicht es vielmehr auch, die flexible Einstellung unterschiedlicher Polarisationszustände auch in einer Beleuchtungseinrichtung zu realisieren, welche keine Spiegelanordnung mit unabhängig voneinander einstellbaren Spiegelelementen (d.h. kein sogenanntes MMA) aufweist, sondern z.B. wie im Weiteren noch beschrieben mit einem diffraktiven optischen Element und einem Zoom-Axikon-System ausgestaltet ist.The invention is not limited to the realization in a mirror arrangement with independently adjustable mirror elements having optical system. On the contrary, the approach according to the invention also makes it possible to realize the flexible setting of different polarization states also in a lighting device which does not have a mirror arrangement with mutually adjustable mirror elements (i.e., no so-called MMA), but e.g. as further described below with a diffractive optical element and a zoom axicon system is designed.

Gemäß einer Ausführungsform weist das optische System ferner eine Umlenkeinrichtung auf, welche eine bezogen auf den optischen Strahlengang vor der Spiegelanordnung angeordnete erste Umlenkfläche und eine bezogen auf den optischen Strahlengang nach der Spiegelanordnung angeordnete zweite Umlenkfläche aufweist, wobei sowohl an der ersten Umlenkfläche als auch an der zweiten Umlenkfläche jeweils eine Umlenkung der optischen Achse auftritt.According to one embodiment, the optical system further comprises a deflecting device, which with respect to the optical beam path in front of the Mirror arrangement arranged first deflection surface and arranged with respect to the optical beam path after the mirror assembly second deflection surface, wherein in each case a deflection of the optical axis occurs at both the first deflection surface and on the second deflection surface.

Die Erfindung betrifft weiter auch ein optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit

  • – einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung, welche wenigstens ein Array von polarisationsbeeinflussenden Elementen aufweist,
  • – einer zur Erzeugung eines magnetischen Feldes im Bereich dieser polarisationsbeeinflussenden Elemente geeigneten Anordnung,
  • – einer Spiegelanordnung mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente, und
  • – einer Umlenkeinrichtung, welche eine bezogen auf den optischen Strahlengang vor der Spiegelanordnung angeordnete erste Umlenkfläche und eine bezogen auf den optischen Strahlengang nach der Spiegelanordnung angeordnete zweite Umlenkfläche aufweist, wobei sowohl an der ersten Umlenkfläche als auch an der zweiten Umlenkfläche jeweils eine Umlenkung der optischen Achse auftritt,
  • – wobei die polarisationsbeeinflussenden Elemente derart ausgelegt sind, dass sie jeweils für auftreffendes Licht eine von dem magnetischen Feld abhängige Modifikation des Polarisationszustandes bewirken.
The invention further relates to an optical system for a microlithographic projection exposure apparatus, with
  • A polarization-influencing optical arrangement which has at least one array of polarization-influencing elements,
  • A device suitable for generating a magnetic field in the region of these polarization-influencing elements,
  • - A mirror arrangement with a plurality of independently adjustable mirror elements, and
  • A deflection device which has a first deflecting surface arranged in front of the mirror arrangement relative to the optical beam path and a second deflecting surface arranged relative to the optical beam path after the mirror arrangement, wherein in each case a deflection of the optical axis at both the first deflecting surface and at the second deflecting surface occurs
  • - Wherein the polarization-influencing elements are designed such that they each cause an incident of light dependent on the magnetic field modification of the polarization state.

Gemäß einer Ausführungsform weist die zur Erzeugung eines magnetischen Feldes im Bereich der polarisationsbeeinflussenden Elemente geeignete Anordnung eine Mehrzahl von unabhängig voneinander mit elektrischem Strom beaufschlagbaren Spulen auf.According to one embodiment, the arrangement suitable for generating a magnetic field in the region of the polarization-influencing elements has a plurality of coils which can be acted upon independently by electric current.

Gemäß einer Ausführungsform weist das Array die polarisationsbeeinflussenden Elemente in einer hexagonalen Anordnung auf.According to one embodiment, the array has the polarization-influencing elements in a hexagonal arrangement.

Gemäß einer Ausführungsform weist die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung wenigstens zwei Arrays von polarisationsbeeinflussenden Elementen auf.According to one embodiment, the polarization-influencing optical arrangement has at least two arrays of polarization-influencing elements.

Gemäß einer Ausführungsform kann die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung für jeden einer Vielzahl von durch die Anordnung verlaufenden Kanälen in Abhängigkeit von dem im Bereich des jeweiligen Kanals vorhandenen Magnetfeld für den jeweiligen Kanal durchlaufendes, linear polarisiertes Licht unterschiedliche Polarisationsdrehwinkel erzeugen. According to one embodiment, the polarization-influencing optical arrangement may produce different polarization rotation angles for each of a plurality of channels passing through the array, in dependence on the magnetic field present in the region of the respective channel for the respective channel.

Gemäß einer Ausführungsform ist mittels selektiver Beaufschlagung der polarisationsbeeinflussenden Elemente mit einem magnetischen Feld eine konstant lineare Polarisationsverteilung von das optische System durchlaufendem Licht in eine quasitangentiale Polarisationsverteilung oder eine quasiradiale Polarisationsverteilung umwandelbar. Dabei wird allgemein unter einer „tangentialen Polarisationsverteilung“ eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors senkrecht zu dem auf die optische Systemachse gerichteten Radius verläuft. Von einer „quasitangentialen Polarisationsverteilung“ wird dementsprechend dann gesprochen, wenn die vorstehende Bedingung näherungsweise bzw. für einzelne Bereiche in der betreffenden Ebene (z.B. Pupillenebene) erfüllt ist. Entsprechend wird allgemein unter einer „radialen Polarisationsverteilung“ eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors parallel zu dem auf die optische Systemachse gerichteten Radius verläuft. Von einer „quasiradialen Polarisationsverteilung“ wird dementsprechend dann gesprochen, wenn die vorstehende Bedingung näherungsweise bzw. für einzelne Bereiche in der betreffenden Ebene erfüllt ist.According to one embodiment, by means of selectively applying to the polarization-influencing elements with a magnetic field, a constant linear polarization distribution of light passing through the optical system can be converted into a quasi-tangential polarization distribution or a quasi-radial polarization distribution. In this case, a "tangential polarization distribution" is generally understood to mean a polarization distribution in which the direction of oscillation of the electric field strength vector is perpendicular to the radius directed onto the optical system axis. Accordingly, a "quasi-potential polarization distribution" is used when the above condition is fulfilled approximately for individual regions in the relevant plane (for example, pupil plane). Accordingly, a "radial polarization distribution" is generally understood to mean a polarization distribution in which the direction of oscillation of the electric field strength vector runs parallel to the radius directed onto the optical system axis. Accordingly, a "quasiradial polarization distribution" is used when the above condition is fulfilled approximately or for individual regions in the relevant plane.

Gemäß einer Ausführungsform weisen die polarisationsbeeinflussenden Elemente ferner eine vom Anliegen eines elektrischen Feldes abhängige Doppelbrechung auf. Die polarisationsbeeinflussenden Elemente können insbesondere als Pockelszellen, weiter insbesondere als transversale Pockelszellen, ausgestaltet sein. Hierdurch kann zusätzlich zu der erfindungsgemäßen Polarisationsdrehung bzw. Faraday-Rotation eine unerwünschte, im optischen System vorhandene Verzögerung („Systemretardierung“) unter Ausnutzung des Pockels-Effekts (d.h. der Erzeugung einer Verzögerung aufgrund einer an dem Element anliegenden elektrischen Spannung) kompensiert werden. Mit „Verzögerung“ (oder „Retardierung“) wird die Differenz der optischen Wege zweier orthogonaler (senkrecht zueinander stehender) Polarisationszustände bezeichnet.According to one embodiment, the polarization-influencing elements also have a birefringence dependent on the application of an electric field. The polarization-influencing elements can in particular be designed as Pockels cells, more particularly as transverse Pockels cells. In this way, in addition to the polarization rotation or Faraday rotation according to the invention, an undesirable delay ("system retardation") present in the optical system can be compensated by utilizing the Pockels effect (i.e., the generation of a delay due to an electrical voltage applied to the element). "Delay" (or "retardation") refers to the difference in the optical paths of two orthogonal (perpendicular) polarization states.

Die Erfindung betrifft weiter ein mikrolithographisches Belichtungsverfahren, bei welchem mittels einer Lichtquelle erzeugtes Licht einer Beleuchtungseinrichtung einer Projektionsbelichtungsanlage zur Beleuchtung einer Objektebene eines Projektionsobjektivs zugeführt wird und bei welchem die Objektebene mittels des Projektionsobjektivs in eine Bildebene des Projektionsobjektivs abgebildet wird,

  • – wobei die Beleuchtungseinrichtung eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung mit wenigstens einem Array von polarisationsbeeinflussenden Elementen aufweist; und
  • – wobei mittels unterschiedlicher selektiver Beaufschlagung der polarisationsbeeinflussenden Elemente mit einem magnetischen Feld unterschiedliche Polarisationsverteilungen in der Beleuchtungseinrichtung dadurch eingestellt werden, dass die polarisationsbeeinflussenden Elemente für auftreffendes Licht eine von dem magnetischen Feld abhängige Faraday-Rotation des Polarisationszustandes bewirken.
The invention further relates to a microlithographic exposure method in which light generated by a light source is supplied to a lighting device of a projection exposure apparatus for illuminating an object plane of a projection lens and in which the object plane is imaged by means of the projection lens into an image plane of the projection lens,
  • - wherein the illumination device has a polarization-influencing optical arrangement with at least one array of polarization-influencing elements; and
  • - By means of different selective loading of the polarization-influencing elements with a magnetic field different polarization distributions are set in the illumination device, that the polarization-influencing elements for incident light cause a dependent of the magnetic field Faraday rotation of the polarization state.

Die Erfindung betrifft ferner eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist.The invention further relates to a microlithographic projection exposure apparatus having an illumination device and a projection objective, wherein the illumination device has an optical system with the features described above.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen. Further embodiments of the invention are described in the description and the dependent claims.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention will be explained in more detail with reference to embodiments shown in the accompanying drawings.

Es zeigen: Show it:

1–12b schematische Darstellungen zur Erläuterung des Aufbaus und der Funktionsweise eines optischen Systems in unterschiedlichen Ausführungsformen der Erfindung; und 1 - 12b schematic diagrams for explaining the structure and operation of an optical system in different embodiments of the invention; and

13–14 schematische Darstellungen des möglichen Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. 13 - 14 schematic representations of the possible structure of a microlithographic projection exposure apparatus.

Gemäß 1 ist Bestandteil der Beleuchtungseinrichtung insbesondere eine Spiegelanordnung 100, welche mitunter auch als MMA („micro mirror array“ = Mikrospiegelanordnung) oder auch als räumlicher Lichtmodulator (= „spatial light modulator“) bezeichnet wird und – wie in 1 schematisch angedeutet – eine Mehrzahl von Spiegelelementen 100a, 100b, 100c, ... aufweist, die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung 100 reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind. Eine Ansteuerung dieser Verstellung kann über eine Ansteuerungseinheit unter Verwendung geeigneter Aktuatoren erfolgen. Die Spiegelelemente 100a, 100b, 100c, ... können jeweils individuell, z.B. in einem Winkelbereich von –2.5° bis +2.5°, verkippt werden. In Lichtausbreitungsrichtung vor der Spiegelanordnung 100 kann in für sich bekannter Weise eine Mikrolinsenanordnung (nicht dargestellt) vorgesehen sein, welche eine Vielzahl von Mikrolinsen zur gezielten Fokussierung auf die Spiegelelemente 100a, 100b, 100c, ... sowie zur Verringerung oder Vermeidung von Lichtverlust sowie Streulichtgenerierung in den Bereichen zwischen den Spiegelelementen 100a, 100b, 100c, ... durch Überstrahlung der Spiegelelemente aufweist. According to 1 is part of the illumination device, in particular a mirror assembly 100 , which is sometimes referred to as MMA ("micro mirror array" = micromirror array) or as a spatial light modulator (= "spatial light modulator") and - as in 1 schematically indicated - a plurality of mirror elements 100a . 100b . 100c , ..., which for changing an angular distribution of the mirror assembly 100 reflected light are independently adjustable. A control of this adjustment can be done via a drive unit using suitable actuators. The mirror elements 100a . 100b . 100c , ... can each be tilted individually, eg in an angle range from -2.5 ° to + 2.5 °. In the light propagation direction in front of the mirror assembly 100 a microlens arrangement (not shown) can be provided in a manner known per se, which microlenses have a multiplicity of microlenses for targeted focusing on the mirror elements 100a . 100b . 100c , ... as well as to reduce or avoid light loss and generate stray light in the areas between the mirror elements 100a . 100b . 100c , ... by over-irradiation of the mirror elements.

Durch eine geeignete Verkippungsanordnung der Spiegelelemente 100a, 100b, 100c, ... in der Spiegelanordnung 100 kann in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung eine gewünschte Licht- bzw. Intensitätsverteilung, z.B. ein annulares Beleuchtungssetting oder auch ein Dipol-Setting oder ein Quadrupol-Setting, ausgebildet werden, indem das (ggf. zuvor homogenisierte und kollimierte) Laserlicht je nach gewünschtem Beleuchtungssetting durch die Spiegelelemente 100a, 100b, 100c, ... der Spiegelanordnung 100 jeweils in die entsprechende Richtung gelenkt wird.By a suitable Verkippungsanordnung the mirror elements 100a . 100b . 100c , ... in the mirror arrangement 100 a desired light or intensity distribution, for example an annular illumination setting or else a dipole setting or a quadrupole setting, can be formed in a pupil plane of the illumination device by the (possibly previously homogenized and collimated) laser light through the illumination depending on the desired illumination setting mirror elements 100a . 100b . 100c , ... the mirror arrangement 100 each directed in the appropriate direction.

Gemäß 1 trifft das von einer Lichtquelleneinheit (sowie ggf. einer Einrichtung zur Einstellung des Polarisationszustandes) kommende Licht vor dem Auftreffen auf die Spiegelanordnung 100 zunächst auf eine Umlenkeinrichtung 110. Die Umlenkeinrichtung 110 weist bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung sowohl vor als auch nach der Spiegelanordnung 100 jeweils eine Umlenkfläche 111 bzw. 112 auf. Dabei wird das Beleuchtungslicht an der ersten Umlenkfläche 111 in Richtung der Spiegelanordnung 100 abgelenkt und nach Reflexion an der Spiegelanordnung 100 von der zweiten Umlenkfläche 112 wieder entlang der ursprünglichen Ausbreitungsrichtung umgelenkt. According to 1 the light coming from a light source unit (as well as possibly a device for setting the state of polarization) hits the mirror arrangement before striking it 100 first on a deflection device 110 , The deflection device 110 with reference to the light propagation direction both before and after the mirror arrangement 100 one deflection area each 111 respectively. 112 on. In this case, the illumination light is at the first deflection surface 111 in the direction of the mirror arrangement 100 deflected and after reflection on the mirror assembly 100 from the second deflection surface 112 again deflected along the original direction of propagation.

Aufgrund der Umlenkeinrichtung 110 wird es ermöglicht, die zur flexiblen Einstellung unterschiedlicher Beleuchtungssettings dienende Spiegelanordnung 100 nach Art eines Moduls (vergleichbar mit dem „Plug-and-Play“-Prinzip) in einer zur Einstellung eines gewünschten Beleuchtungssettings z.B. mit einem diffraktiven optischen Element (DOE) ausgestatteten Beleuchtungseinrichtung durch Ersatz dieses DOE’s einzusetzen, da das Beleuchtungslicht mittels der Umlenkeinrichtung 110 und ohne Erfordernis weiterer Modifikationen im übrigen optischen Design der Beleuchtungseinrichtung in einfacher Weise aus dem optischen Strahlengang ausgekoppelt sowie in den optischen Strahlengang wieder eingekoppelt wird. Due to the deflection 110 it is possible, which serves for the flexible adjustment of different lighting settings mirror arrangement 100 in the manner of a module (comparable to the "plug-and-play" principle) in a set for setting a desired Beleuchtssettings eg with a diffractive optical element (DOE) equipped lighting device by replacing this DOE's, since the illumination light by means of the deflection 110 and coupled without requiring further modifications in the remaining optical design of the illumination device in a simple manner from the optical beam path and is coupled into the optical beam path again.

Mit anderen Worten kann erfindungsgemäß bei vollständiger Kompatibilität zum vorhandenen optischen Design einer bereits bestehenden und z.B. mit einem DOE ausgestatteten Beleuchtungseinrichtung eine zusätzliche Ausrüstung der Beleuchtungseinrichtung dahingehend erfolgen, dass durch Austausch dieses DOE gegen das erfindungsgemäße Modul zusätzlich die flexible Einstellung unterschiedlicher Beleuchtungssettings erfolgen kann. Die vorstehend beschriebene Ein- bzw. Auskopplung des Beleuchtungslichtes ist ferner insofern vorteilhaft, als hierdurch gegebenenfalls eine optimale Ausnutzung des verfügbaren Bauraums ermöglicht wird.In other words, with full compatibility with the existing optical design of an existing and e.g. With a lighting device equipped with a DOE, additional equipment of the illumination device can be made in such a way that, by exchanging this DOE for the module according to the invention, the flexible setting of different illumination settings can additionally take place. The above-described coupling or uncoupling of the illumination light is also advantageous insofar as this optionally enables optimal utilization of the available installation space.

Den im Weiteren beschriebenen Ausführungsformen ist gemeinsam, dass in der Beleuchtungseinrichtung jeweils wenigstens eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung vorhanden ist, welche wenigstens ein Array von polarisationsbeeinflussenden Elementen aufweist, wobei diese polarisationsbeeinflussenden Elemente durch eine in Abhängigkeit von einem anliegenden magnetischen Feld erfolgende Faraday-Rotation eine vorgegebene Eingangspolarisationsverteilung in eine gewünschte Ausgangspolarisationsverteilung umwandeln.The embodiments described below have in common that at least one polarization-influencing optical arrangement is present in the illumination device, which has at least one array of polarization-influencing elements, these polarization-influencing elements by a taking place in response to an applied magnetic field Faraday rotation a predetermined input polarization distribution convert to a desired output polarization distribution.

Gemäß der Ausführungsform von 1 ist jedes der polarisationsbeeinflussenden Elemente an jeweils einem Spiegelelement 100a, 100b, 100c, ... der Spiegelanordnung 100 angeordnet.According to the embodiment of 1 is each of the polarization-influencing elements on each mirror element 100a . 100b . 100c , ... the mirror arrangement 100 arranged.

Gemäß 1 weist jedes der Spiegelelemente 100a, 100b, 100c, ... der Spiegelanordnung 100 jeweils eine auf einem Spiegelelementsubstrat 101 ausgebildete hochreflektierende (HR) Beschichtung 102 auf. Die erfindungsgemäßen, den Faraday-Effekt zeigenden polarisationsbeeinflussenden Elemente (in 1 mit „103“ bezeichnet) sind in dieser Ausführungsform unmittelbar auf der HR-Beschichtung 102 aufgebracht, was z.B. durch Ansprengen, Aufkleben oder eine beliebige anderweitige Fixierung erfolgen kann. According to 1 points each of the mirror elements 100a . 100b . 100c , ... the mirror arrangement 100 one each on a mirror element substrate 101 formed highly reflective (HR) coating 102 on. The polarization-influencing elements according to the invention which show the Faraday effect (in 1 With " 103 ") Are in this embodiment directly on the HR coating 102 applied, which, for example, by wringing, Sticking or any other fixation can be done.

Die an den einzelnen Spiegelelementen 100a, 100b, 100c, ... jeweils reflektierten Strahlen werden gemäß 1 aufgrund der mit doppeltem Durchlauf der polarisationsbeeinflussenden Elemente 103 einhergehenden Faraday-Rotation mit einem vom in dem jeweiligen Bereich anliegenden Magnetfeld abhängigen Polarisationszustand beaufschlagt, wie schematisch in 4a–b sowie 5a–b veranschaulicht ist. The at the individual mirror elements 100a . 100b . 100c , ... each reflected rays are according to 1 due to the double pass of the polarization-influencing elements 103 accompanying Faraday rotation with a dependent of the magnetic field applied in the respective field polarization state is applied, as schematically in 4a -B as well 5a -B is illustrated.

Wie jeweils in 4b und 5b angedeutet ist, folgt die Erzeugung des Magnetfeldes jeweils über eine mit elektrischem Strom beaufschlagbare, das jeweilige polarisationsbeeinflussende Element 103 umgebende Spule 130. Dabei können insbesondere in Ausführungsformen der Erfindung die den einzelnen polarisationsbeeinflussenden Elementen 103 zugeordneten Spulen 130 jeweils unabhängig voneinander mit elektrischem Strom beaufschlagt werden. Des Weiteren können die polarisationsbeeinflussende Elemente 103 jeweils einen magnetisierbaren bzw. paramagnetischen Kern (z.B. aus Eisen (Fe)) zur Verstärkung des magnetischen Feldes aufweisen.As in each case in 4b and 5b is indicated, the generation of the magnetic field follows in each case via an acted upon by electric current, the respective polarization-influencing element 103 surrounding coil 130 , In particular, in embodiments of the invention, the individual polarization-influencing elements 103 associated coils 130 each be subjected to electrical current independently. Furthermore, the polarization-influencing elements 103 each have a magnetizable or paramagnetic core (eg made of iron (Fe)) for amplifying the magnetic field.

Infolge der stufenlosen Einstellbarkeit des jeweiligen Spulenstromes bzw. der hierdurch erzeugten Magnetfeldstärke kann auch die für jedes der polarisationsbeeinflussenden Elemente 103 erzielte Polarisationsdrehung stufenlos erfolgen. Hierdurch wird die bei anderen herkömmlichen Ansätzen jeweils gegebene Einschränkung auf die Erzeugung diskreter Polarisationszustände vermieden und die Flexibilität der Polarisationseinstellung weiter erhöht. As a result of the infinitely variable adjustability of the respective coil current or of the magnetic field strength generated thereby, it is also possible for each of the polarization-influencing elements 103 achieved polarization rotation continuously. This avoids the limitation to the generation of discrete polarization states given in other conventional approaches and further increases the flexibility of the polarization setting.

Lediglich beispielhaft ist in 4a eine Situation angedeutet, in welcher die Polarisationsrichtung des Ausgangslichts (d.h. eines Lichtstrahls nach Reflexion an einem Spiegelelement bzw. der HR-Beschichtung 102) um einen Winkel von 90° relativ zur Polarisationsrichtung des einfallenden Lichtes (vor Auftreffen auf das jeweilige Spiegelelement) infolge der bei zweimaligem Durchlauf des polarisationsbeeinflussenden Elements 103 jeweils erfolgten Faraday-Rotation gedreht ist. 5a ist entsprechend eine Situation angedeutet, in welcher die erzielte Polarisationsdrehung nur 45° beträgt, was durch Halbierung der Magnetfeldstärke bzw. des hierdurch erzeugten Spulenstroms gegenüber der Situation von 4a erreicht wird. For example only is in 4a a situation indicated in which the polarization direction of the output light (ie a light beam after reflection on a mirror element or the HR coating 102 ) by an angle of 90 ° relative to the direction of polarization of the incident light (before hitting the respective mirror element) as a result of passing through the polarization-influencing element twice 103 each made Faraday rotation is rotated. 5a Accordingly, a situation is indicated in which the achieved polarization rotation is only 45 °, which is achieved by halving the magnetic field strength or the coil current generated thereby compared to the situation of 4a is reached.

In weiteren Ausführungsformen der Erfindung kann die vorstehend beschriebene Polarisationsdrehung auch auf zwei oder mehr – im optischen Strahlengang nacheinander durchlaufene – polarisationsbeeinflussende Elemente verteilt werden, wodurch die für jedes einzelne dieser Elemente zur Erzielung einer gewünschten Gesamtdrehung benötigte Materialdicke reduziert werden kann. Eine lediglich beispielhafte Realisierung ist in 6 angedeutet, wobei zu 1 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „200“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind. Gemäß 6 sind auf der zweiten Umlenkfläche 312 der Umlenkeinrichtung 310 ebenfalls Spiegelelemente 350a, 350b, 350c, ... unabhängig voneinander verstellbar angeordnet, welche ebenso wie die Spiegelelemente 300a, 300b, 300c, ... jeweils mit einem analog zu der vorstehend anhand von 1 beschriebenen Ausführungsform ausgestalteten polarisationsbeeinflussenden Element 303 ausgestattet sind. In further embodiments of the invention, the polarization rotation described above can also be distributed over two or more polarization-influencing elements in the optical beam path, whereby the material thickness required for each of these elements to achieve a desired overall rotation can be reduced. An exemplary embodiment is shown in FIG 6 indicated, with too 1 Analogous or substantially functionally identical components with " 200 "Increased reference numerals are designated. According to 6 are on the second deflection surface 312 the deflection 310 also mirror elements 350a . 350b . 350c , ... arranged independently adjustable, which as well as the mirror elements 300A . 300b . 300c , ... each with an analogous to the above with reference to 1 described embodiment designed polarization-influencing element 303 are equipped.

Die Erfindung ist nicht auf die vorstehend anhand von 1, 4a–b, 5a–b und 6 beschriebene Anordnung der polarisationsbeeinflussenden Elemente unmittelbar an den Spiegelelementen der Spiegelanordnung beschränkt. So kann in weiteren Ausführungsformen die erfindungsgemäße polarisationsbeeinflussende optische Anordnung auch als von der Spiegelanordnung separates optisches Bauteil ausgestaltet sein, wie in 2 und 3a–b anhand einer möglichen Ausführungsform angedeutet ist. Die einzelnen, den Faraday-Effekt zeigenden polarisationsbeeinflussenden Elemente 220a, 220b bilden gemäß 3a ein Array von Kanälen und sind aus einem geeigneten, d.h. den Faraday-Effekt zeigenden und bei Arbeitswellenlänge hinreichend transmissiven Material (z.B. amorphes Quarzglas, SiO2) hergestellt. Zur Erzielung einer möglichst hohen Polarisationsdrehung für eine jeweils vorgegebene Materialdicke wird vorzugsweise ein Material mit hoher Verdet-Konstante (welche die Stärke des Faraday-Effekts angibt) gewählt. The invention is not based on the above with reference to 1 . 4a -b, 5a -Federation 6 described arrangement of polarization-influencing elements directly limited to the mirror elements of the mirror assembly. Thus, in further embodiments, the polarization-influencing optical arrangement according to the invention can also be configured as an optical component separate from the mirror arrangement, as in FIG 2 and 3a B is indicated with reference to a possible embodiment. The individual, the Faraday effect polarization-influencing elements 220a . 220b form according to 3a an array of channels and are made of a suitable, ie the Faraday effect exhibiting and working at wavelength sufficiently transmissive material (eg amorphous silica, SiO 2 ). To achieve the highest possible polarization rotation for a respective given material thickness, a material with a high Verdet constant (which indicates the strength of the Faraday effect) is preferably selected.

Die einzelnen polarisationsbeeinflussenden Elemente 220a, 220b, ... sind, wie in 3a–b angedeutet, jeweils von einer mit elektrischem Strom beaufschlagbaren Spule 230 umgeben, wobei durch stufenloses Einstellen des jeweiligen elektrischen Stroms das Magnetfeld im Bereich der polarisationsbeeinflussenden Elemente 220a, 220b, ... gezielt eingestellt werden kann. Die polarisationsbeeinflussenden Elemente 220a, 220b, ... bilden so ein Array aus Kanälen, welche einzeln oder auch clusterweise hinsichtlich des anliegenden Magnetfeldes bzw. der hierdurch bewirkten Polarisationsdrehung bzw. Faraday-Rotation angesteuert werden können. The individual polarization-influencing elements 220a . 220b , ... are, as in 3a -B indicated, in each case by a coil can be acted upon by electric current 230 surrounded by continuously adjusting the respective electrical current, the magnetic field in the region of polarization-influencing elements 220a . 220b , ... can be targeted. The polarization-influencing elements 220a . 220b , ... form such an array of channels, which can be controlled individually or cluster wise with respect to the applied magnetic field or the polarization rotation or Faraday rotation caused thereby.

Die durch die polarisationsbeeinflussenden Elemente 220a, 220b, ... erzeugten Kanäle können eine beliebige geeignete Geometrie aufweisen und insbesondere rund (3a), rechteckig oder auch hexagonal (7a) ausgestaltet sein. The polarization-influencing elements 220a . 220b , ... channels can have any suitable geometry and in particular round ( 3a ), rectangular or hexagonal ( 7a ) be configured.

8 zeigt eine schematische Darstellung in Seitenansicht und zur Erläuterung eines möglichen konkreten Ausführungsbeispiels. Dabei ist eine Verdet-Konstante von 2870°T–1m–1 und eine Spiegelfläche der einzelnen Spiegelelemente von 1mm2 zugrundegelegt. Für ein Magnetfeld von 2T (Tesla) ergibt sich für eine gewünschte 45°-Drehung der Polarisationsrichtung und unter Berücksichtigung des doppelten Durchlaufs des Materials eine Dicke von 4mm für das den Faraday-Effekt aufweisende Material der polarisationsbeeinflussenden Elemente. Die einzelnen Spiegelelemente sind im Beispiel jeweils um einen Kippwinkel von bis zu 1.4° kippbar. 8th shows a schematic representation in side view and to illustrate a possible concrete embodiment. There is one Verdet constant of 2870 ° T -1 m -1 and a mirror surface of the individual mirror elements of 1mm 2 based. For a magnetic field of 2T (Tesla), for a desired 45 ° rotation of the polarization direction and taking into account the double pass of the material, a thickness of 4mm results for the Faraday effect material of the polarization-affecting elements. In the example, the individual mirror elements can each be tilted by a tilt angle of up to 1.4 °.

Wie schematisch in 9 angedeutet ist, kann ein unerwünschtes „Übersprechen“ des magnetischen Feldes jeweils von einer, einem polarisationsbeeinflussenden Element bzw. Kanal zugeordneten Spule auf benachbarte Elemente bzw. Kanäle dadurch kompensiert werden, dass die jeweiligen Spulenströme in jeweils benachbarten Kanälen entsprechend angepasst werden (also ein geeignetes „Gegensteuern“ durch die in den jeweils benachbarten Kanälen erzeugten magnetischen Felder erfolgt). As schematically in 9 an unwanted "crosstalk" of the magnetic field in each case by a, a polarization-influencing element or channel associated coil can be compensated for adjacent elements or channels, that the respective coil currents in each adjacent channels are adjusted accordingly (ie a suitable " Countersteer "done by the magnetic fields generated in the respective adjacent channels).

Die Erfindung ist nicht auf die in den vorstehenden Ausführungsformen jeweils beschriebene Polarisationsdrehung in Transmission beschränkt. In weiteren Ausführungsformen kann eine Polarisationsdrehung auch unter Ausnutzung des magnetooptischen Kerr-Effekts realisiert werden, d.h. einer bei Reflexion in einem magnetischen Feld bzw. in Abhängigkeit einer vorhandenen Magnetisierung erfolgenden Polarisationsdrehung. 10 zeigt lediglich schematisch eine entsprechende, analog zu 1 ausgestaltete Ausführungsform, wobei analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „400“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind. Im Unterschied zu 1 ist in dem Aufbau von 10 auf dem jeweiligen Spiegelelementsubstrat 501 jeweils eine den Kerr-Effekt zeigende Beschichtung 502 vorgesehen. Die Beschichtung 502 kann ein ferromagnetisches, paramagnetisches oder magneto-elektrisches Material aufweisen. Insbesondere kann die Beschichtung eine Eisen(Fe)/Nickel(Ni)-Schicht sein oder mit Eisen(Fe)-, Nickel(Ni)– oder Mangan(Mn)-Ionen dotiert sein.The invention is not limited to the polarization rotation in transmission described in each case in the preceding embodiments. In further embodiments, a polarization rotation can also be realized by utilizing the magneto-optic Kerr effect, ie a polarization rotation taking place in the case of reflection in a magnetic field or as a function of an existing magnetization. 10 shows only schematically a corresponding, analogous to 1 configured embodiment, wherein analogous or substantially functionally identical components with um " 400 "Increased reference numerals are designated. In contrast to 1 is in the construction of 10 on the respective mirror element substrate 501 each one showing the Kerr effect coating 502 intended. The coating 502 may comprise a ferromagnetic, paramagnetic or magneto-electric material. In particular, the coating may be an iron (Fe) / nickel (Ni) layer or may be doped with iron (Fe), nickel (Ni) or manganese (Mn) ions.

In weiteren Ausführungsformen kann zusätzlich zu der vorstehend beschriebenen, unter Ausnutzung des Faraday-Effekts erfolgenden Polarisationseinstellung eine unerwünschte, im optischen System vorhandene Verzögerung („Systemretardierung“) unter Ausnutzung des Pockels-Effekts kompensiert werden. Hierzu können die in der erfindungsgemäßen polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung eingesetzten polarisationsbeeinflussenden Elemente als Pockelszellen ausgelegt sein. In further embodiments, in addition to the Faraday effect polarization adjustment described above, an undesirable delay in the optical system ("system retardation") can be compensated by utilizing the Pockels effect. For this purpose, the polarization-influencing elements used in the polarization-influencing optical arrangement according to the invention can be designed as Pockels cells.

Die polarisationsbeeinflussenden Elemente werden somit in Ausführungsformen aus einem Material hergestellt, welches sowohl den Faraday-Effekt als auch den Pockels-Effekt (d.h. die Erzeugung einer Verzögerung aufgrund einer an dem Element anliegenden elektrischen Spannung) aufweist. Geeignete Materialien mit hinreichender Transmission bei einer Arbeitswellenlänge von etwa 193 nm sind z.B. Kaliumdihydrogenphosphat (KDP, KH2PO4), Beta-Bariumborat (BBO, BaB2O4) oder auch andere nichtlineare optische Kristalle. The polarization-influencing elements are thus made in embodiments of a material which has both the Faraday effect and the Pockels effect (ie the generation of a delay due to an applied voltage to the element). Suitable materials with sufficient transmission at a working wavelength of about 193 nm are, for example, potassium dihydrogen phosphate (KDP, KH 2 PO 4 ), beta-barium borate (BBO, BaB 2 O 4 ) or other nonlinear optical crystals.

11a und 11b zeigen schematische Darstellungen zur Erläuterung einer beispielhaften Ausführungsform, in welcher die polarisationsbeeinflussenden Elemente als transversale Pockelszellen ausgebildet sind. Hierbei wird über in 11b angedeutete Elektroden 640, 641 ein elektrisches Feld senkrecht zur Lichtausbreitungsrichtung angelegt mit der Folge, dass kein Lichtdurchtritt durch die verwendeten Elektroden und somit auch keine transparente Ausgestaltung dieser Elektroden erforderlich ist. Die zur Erzeugung einer Verzögerung von Lambda/2 erforderliche elektrische Spannung liegt bei Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Elemente 603 aus KDP bei etwa 220V. Die erfindungsgemäße Ausnutzung des Pockelseffekts ist nicht auf die Realisierung transversaler Pockelszellen beschränkt, so dass grundsätzlich auch longitudinale Pockelszellen verwendbar sind. 11a and 11b show schematic representations for explaining an exemplary embodiment in which the polarization-influencing elements are formed as transverse Pockels cells. This is about in 11b indicated electrodes 640 . 641 an electric field applied perpendicular to the direction of light propagation, with the result that no light transmission through the electrodes used and thus no transparent configuration of these electrodes is required. The required for generating a delay of lambda / 2 electrical voltage is in design of the polarization-influencing elements 603 from KDP at about 220V. The utilization of the Pockels effect according to the invention is not limited to the realization of transverse Pockels cells, so that, in principle, longitudinal Pockels cells can also be used.

In 11a ist lediglich beispielhaft eine Situation dargestellt, in welcher eine konstant lineare Eingangspolarisation des auf ein polarisationsbeeinflussendes Element 603 auftreffenden Lichtstrahls in eine zirkulare Ausgangspolarisation des Lichtstrahls nach Reflexion an einer HR-Schicht 602 und zweifachem Durchlauf des polarisationsbeeinflussenden Elements 603 umgewandelt wird. In 11a By way of example only, a situation is illustrated in which a constant linear input polarization of the polarization-influencing element 603 incident light beam in a circular output polarization of the light beam after reflection at an HR layer 602 and two passes of the polarization-influencing element 603 is converted.

Die vorstehend beschriebene, erfindungsgemäße Ausnutzung des Pockels-Effekts kann, wie in 12a und 12b schematisch dargestellt und analog zu der zuvor unter Bezugnahme auf 2 und 3a–b beschriebenen Ausführungsform, auch in einem von der Spiegelanordnung separaten optischen Bauteil 700 erfolgen. Hier sind wiederum zu 3a analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „500“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet. Gemäß 12a ist lediglich beispielhaft eine hexagonale Ausgestaltung sowie Anordnung der polarisationsbeeinflussenden Elemente bzw. Kanäle 720a, 720b, ... gewählt. Es kann jedoch alternativ auch eine rechteckige, quadratische, runde oder anderweitige Geometrie der polarisationsbeeinflussenden Elemente bzw. Kanäle gewählt werden. The above-described use of the Pockels effect according to the invention can, as in 12a and 12b schematically illustrated and analogous to that previously with reference to 2 and 3a -B described embodiment, also in a separate from the mirror assembly optical component 700 respectively. Here are again too 3a Analogous or substantially functionally identical components with " 500 "Designated by reference numerals. According to 12a is merely an example of a hexagonal design and arrangement of the polarization-influencing elements or channels 720a . 720b , ... chosen. However, alternatively, a rectangular, square, round or other geometry of the polarization-influencing elements or channels can be selected.

Im Unterschied zur Ausführungsform von 3a–b sind in der Ausführungsform von 12a und 12b zusätzlich (in 12b angedeutete) Elektroden 740, 741 zur vorstehend bereits beschriebenen Erzeugung eines elektrischen Feldes im Bereich der polarisationsbeeinflussenden Elemente 703 vorgesehen. Dabei können alternativ jedem einzelnen polarisationsbeeinflussenden Element ein Elektrodenpaar oder auch einer Mehrzahl von polarisationsbeeinflussenden Elementen gruppenweise jeweils ein Elektrodenpaar zugeordnet sein. Gemäß 12b kann infolgedessen jedes polarisationsbeeinflussende Element zusätzlich zu dem (analog zu 2 und 3a–b) anliegenden magnetischen Feld mit einem elektrischen Feld beaufschlagt werden, um zusätzlich zu der unter Ausnutzung des Faraday-Effekts bewirkten Polarisationsdrehung eine gewünschte Verzögerung zwecks Kompensation einer im optischen System vorhandenen unerwünschten Verzögerung bzw. Systemretardierung zu erzielen. Des Weiteren können auch die polarisationsbeeinflussende Elemente 703 jeweils einen magnetisierbaren bzw. paramagnetischen Kern (z.B. aus Eisen (Fe)) zur Verstärkung des magnetischen Feldes aufweisen.In contrast to the embodiment of 3a -B are in the embodiment of 12a and 12b additionally (in 12b indicated) electrodes 740 . 741 to the above-described generation of an electric field in the region of the polarization-influencing elements 703 intended. As an alternative, anyone can do this individual polarization-influencing element a pair of electrodes or a plurality of polarization-influencing elements in groups each be assigned an electrode pair. According to 12b As a result, each polarization-influencing element in addition to the (analogous to 2 and 3a -B) applied to an applied magnetic field with an electric field in order to achieve in addition to the Faraday effect caused by the polarization rotation a desired delay to compensate for an existing in the optical system undesirable delay or system retardation. Furthermore, the polarization-influencing elements can also be used 703 each have a magnetizable or paramagnetic core (eg made of iron (Fe)) for amplifying the magnetic field.

Im Weiteren wird zunächst unter Bezugnahme auf 13 ein prinzipieller möglicher Aufbau einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einem erfindungsgemäßen optischen System erläutert. Der grundsätzliche in 13 dargestellte Aufbau ist z.B. aus US 2009/0116093 A1 bekannt und gehört als solcher nicht zum beanspruchten Gegenstand der vorliegenden Anmeldung.In addition, first with reference to 13 a principal possible construction of a microlithographic projection exposure apparatus with an optical system according to the invention is explained. The basic in 13 shown construction is eg off US 2009/0116093 A1 As such, it is not part of the claimed subject-matter of the present application.

Die Projektionsbelichtungsanlage gemäß 13 weist eine Beleuchtungseinrichtung 810 sowie ein Projektionsobjektiv 820 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 810 dient zur Beleuchtung einer Struktur tragenden Maske (Retikel) 850 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit 801, welche beispielsweise einen ArF-Excimerlaser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst. Generell sind die Beleuchtungseinrichtung 810 sowie das Projektionsobjektiv 820 bevorzugt für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 250 nm, insbesondere weniger als 200 nm, weiter insbesondere weniger als 160 nm, ausgelegt.The projection exposure apparatus according to 13 has a lighting device 810 as well as a projection lens 820 on. The lighting device 810 serves to illuminate a structure-carrying mask (reticle) 850 with light from a light source unit 801 which, for example, an ArF excimer laser for a working wavelength of 193 nm and a parallel beam generating beam-shaping optics comprises. Generally, the lighting device 810 as well as the projection lens 820 preferably designed for a working wavelength of less than 250 nm, in particular less than 200 nm, more particularly less than 160 nm.

Mit „800“ ist eine Spiegelanordnung mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente bezeichnet, welche z.B. entsprechend den in Fig. 1ff beschriebenen Ausführungsformen ausgestaltet sein kann. Durch eine geeignete, über eine Ansteuerungseinheit 805 ansteuerbare Verkippung der Spiegelelemente in der Spiegelanordnung 800 kann in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung 810 aus 13 eine gewünschte Licht- bzw. Intensitätsverteilung, z.B. ein annulares Beleuchtungssetting oder auch ein Dipol-Setting oder ein Quadrupol-Setting, ausgebildet werden, indem das (ggf. zuvor homogenisierte und kollimierte) Laserlicht je nach gewünschtem Beleuchtungssetting durch die Spiegelanordnung 800 jeweils in die entsprechende Richtung gelenkt wird.With " 800 "Is a mirror assembly with a plurality of independently adjustable mirror elements referred to, which may be configured, for example, according to the embodiments described in Fig. 1ff. By a suitable, via a drive unit 805 controllable tilting of the mirror elements in the mirror arrangement 800 may be in a pupil plane of the illumination device 810 out 13 a desired light or intensity distribution, for example an annular illumination setting or also a dipole setting or a quadrupole setting, be formed by the (possibly previously homogenized and collimated) laser light depending on the desired illumination setting by the mirror arrangement 800 each directed in the appropriate direction.

Gemäß 13 trifft das von der Lichtquelleneinheit 801 sowie einer Einrichtung 802 zur Einstellung des Polarisationszustandes kommende Licht vor dem Auftreffen auf die Spiegelanordnung 800 zunächst (analog z.B. zu 1) auf eine Umlenkeinrichtung 810, über welche das Beleuchtungslicht an einer ersten Umlenkfläche der Umlenkeinrichtung 810 in Richtung der Spiegelanordnung 800 abgelenkt und nach Reflexion an der Spiegelanordnung 800 von einer zweiten Umlenkfläche der Umlenkeinrichtung 810 wieder entlang der ursprünglichen Ausbreitungsrichtung umgelenkt wird. According to 13 this hits from the light source unit 801 as well as a facility 802 for adjusting the polarization state coming light before hitting the mirror assembly 800 first (analogous to eg 1 ) on a deflection device 810 , via which the illumination light at a first deflection surface of the deflection device 810 in the direction of the mirror arrangement 800 deflected and after reflection on the mirror assembly 800 from a second deflection surface of the deflection device 810 is redirected along the original propagation direction.

Mit anderen Worten kann erfindungsgemäß bei vollständiger Kompatibilität zum vorhandenen optischen Design der jeweils bestehenden und z.B. mit einem DOE ausgestatteten Beleuchtungseinrichtung eine zusätzliche Ausrüstung der Beleuchtungseinrichtung dahingehend erfolgen, dass durch Austausch dieses DOE gegen das erfindungsgemäße Modul zusätzlich die flexible Einstellung unterschiedlicher Beleuchtungssettings erfolgen kann. Die vorstehend beschriebene Ein- bzw. Auskopplung des Beleuchtungslichtes ist ferner insofern vorteilhaft, als hierdurch gegebenenfalls eine optimale Ausnutzung des verfügbaren Bauraums ermöglicht wird.In other words, according to the invention, with complete compatibility with the existing optical design of the existing and e.g. With a lighting device equipped with a DOE, additional equipment of the illumination device can be made in such a way that, by exchanging this DOE for the module according to the invention, the flexible setting of different illumination settings can additionally take place. The above-described coupling or uncoupling of the illumination light is also advantageous insofar as this optionally enables optimal utilization of the available installation space.

In Lichtausbreitungsrichtung nach der Umlenkeinrichtung 810 befindet sich im Strahlengang eine Fourier-Optik 820 in Form eines optischen Zoom-Systems, welche in 1 vereinfacht als einzige Linse dargestellt ist und dazu dient, die Winkelverteilung des auf die Fourier-Optik 820 auftreffenden Lichtes in eine Ortsverteilung in der nachfolgenden Pupillenebene PP umzuwandeln. Eine solche Fourier-Optik wird auch als Kondensor bezeichnet. Im Strahlengang folgen eine Lichtmischeinrichtung 803, welche z.B. eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann, sowie eine Linsengruppe 804, hinter der sich eine Feldebene mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) 805 befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes REMA-Objektiv 806 auf die Struktur tragende, in einer weiteren Feldebene auf einem Maskentisch (auch üblicherweise bezeichnet als „mask stage“ oder „reticle stage“) 851 angeordnete Maske (Retikel) 850 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel begrenzt. In the light propagation direction after the deflection device 810 is in the beam path a Fourier optics 820 in the form of an optical zoom system, which in 1 simplified as a single lens is shown and serves the angular distribution of the Fourier optics 820 to convert incident light into a spatial distribution in the subsequent pupil plane PP. Such a Fourier optic is also referred to as a condenser. In the beam path follow a light mixing device 803 which may have, for example, an arrangement of microoptical elements suitable for achieving a light mixture, and a lens group 804 behind which a field level with a reticle masking system (REMA) 805 which is due to a subsequent in the light propagation direction REMA objective 806 on the structure bearing, in another field level on a mask table (also commonly referred to as "mask stage" or "reticle stage") 851 arranged mask (reticle) 850 and thereby limits the illuminated area on the reticle.

Die Struktur tragende Maske 850 wird mit dem Projektionsobjektiv 820 auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht versehenes Substrat 860 bzw. einen Wafer, welcher auf einem Wafertisch (auch üblicherweise bezeichnet als „wafer stage“) 861 angeordnet ist, abgebildet. Das Projektionsobjektiv 820 kann insbesondere für den Immersionsbetrieb ausgelegt sein. Ferner kann es eine numerische Apertur NA größer als 0.85, insbesondere größer als 1.1, und insbesondere größer als 1.3, aufweisen.The structure wearing mask 850 becomes with the projection lens 820 on a substrate provided with a photosensitive layer 860 or a wafer which is on a wafer table (also commonly referred to as "wafer stage") 861 is arranged, pictured. The projection lens 820 can be designed in particular for immersion operation. Furthermore, it can have a numerical aperture NA greater than 0.85, in particular greater than 1.1, and in particular greater than 1.3.

In weiteren Anwendungen kann das erfindungsgemäße optische System auch in einer Beleuchtungseinrichtung realisiert werden, in welcher auf eine Spiegelanordnung mit unabhängig voneinander verstellbaren Spiegelelementen verzichtet wird und welche zur Erzeugung einer gewünschten Winkelverteilung z.B. ein diffraktives optisches Element (DOE) aufweisen kann. Ein beispielhafter Aufbau ist in 14 dargestellt. In further applications, the optical system according to the invention can also be implemented in an illumination device in which a mirror arrangement with mirror elements which can be adjusted independently of one another is dispensed with and which, for example, can have a diffractive optical element (DOE) for generating a desired angular distribution. An exemplary construction is in 14 shown.

Die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage 900 gemäß 14 weist eine Lichtquelleneinheit 901, eine Beleuchtungseinrichtung 902, eine Struktur tragende Maske 903, ein Projektionsobjektiv 904 und ein zu belichtendes Substrat 905 auf. Die Lichtquelleneinheit 901 kann als Lichtquelle beispielsweise einen ArF-Laser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm, sowie eine Strahlformungsoptik, welche ein paralleles Lichtbüschel erzeugt, umfassen. Ein von der Lichtquelleneinheit 901 ausgesandtes paralleles Lichtbüschel trifft zunächst auf ein diffraktives optisches Element (DOE) 906. Das DOE 906 erzeugt über eine durch die jeweilige beugende Oberflächenstruktur definierte Winkelabstrahlcharakteristik in einer Pupillenebene PP eine gewünschte Intensitätsverteilung, z.B. Dipol- oder Quadrupolverteilung. The microlithographic projection exposure machine 900 according to 14 has a light source unit 901 , a lighting device 902 , a structure-wearing mask 903 , a projection lens 904 and a substrate to be exposed 905 on. The light source unit 901 For example, the light source may include an ArF laser for a working wavelength of 193 nm, as well as a beam shaping optic that generates a parallel pencil of light. One from the light source unit 901 emitted parallel tuft of light first strikes a diffractive optical element (DOE) 906 , The DOE 906 generates a desired intensity distribution, eg dipole or quadrupole distribution, in a pupil plane PP via an angular radiation characteristic defined by the respective diffracting surface structure.

Ein im Strahlengang auf das DOE 906 nachfolgendes Objektiv 908 ist als Zoom-Objektiv ausgelegt, welches ein paralleles Lichtbüschel mit variablem Durchmesser erzeugt. Das parallele Lichtbüschel wird durch einen Umlenkspiegel 909 auf ein Axikon 911 gerichtet. Durch das Zoom-Objektiv 908 in Verbindung mit dem vorgeschalteten DOE 906 und dem Axikon 911 werden in der Pupillenebene PP je nach Zoom-Stellung und Position der Axikonelemente unterschiedliche Beleuchtungskonfigurationen erzeugt. In der Pupillenebene PP befindet sich gemäß 9 eine erfindungsgemäße polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 900 mit einem Aufbau entsprechend einer der zuvor beschriebenen Ausführungsformen von 2 und 3a, b oder 7a–b. One in the beam path on the DOE 906 following objective 908 is designed as a zoom lens, which generates a parallel tuft of light with variable diameter. The parallel tuft of light is through a deflection mirror 909 on an axicon 911 directed. Through the zoom lens 908 in conjunction with the upstream DOE 906 and the axicon 911 Depending on the zoom position and position of the axicon elements, different illumination configurations are generated in the pupil plane PP. In the pupil plane PP is according to 9 an inventive polarization-influencing optical arrangement 900 with a structure according to one of the previously described embodiments of 2 and 3a , b or 7a b.

Die Beleuchtungseinrichtung 902 umfasst ferner nach dem Axikon 911 ein im Bereich der Pupillenebene PP (in 9 unmittelbar danach) angeordnetes Lichtmischsystem 912, welches z.B. eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann. Auf das Lichtmischsystem 912 sowie ggf. weitere (lediglich durch eine einzelne Linse 910 angedeutete) optische Komponenten folgt ein Retikel-Maskierungssystem (REMA) 913, welches durch ein REMA-Objektiv 914 auf das Retikel 903 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel 903 begrenzt. Das Retikel 903 wird mit dem Projektionsobjektiv 904 auf das lichtempfindliche Substrat 905 abgebildet. Zwischen einem letzten optischen Element 915 des Projektionsobjektivs 904 und dem lichtempfindlichen Substrat 905 befindet sich in dem dargestellten Beispiel eine Immersionsflüssigkeit 916 mit einem von Luft verschiedenen Brechungsindex.The lighting device 902 also includes the axicon 911 one in the area of the pupil plane PP (in 9 immediately after) arranged light mixing system 912 which may have, for example, an arrangement of microoptical elements which is suitable for achieving a light mixture. On the light mixing system 912 as well as possibly further (only by a single lens 910 indicated optical components are followed by a reticle masking system (REMA) 913 which is powered by a REMA lens 914 on the reticle 903 and thereby the illuminated area on the reticle 903 limited. The reticle 903 becomes with the projection lens 904 on the photosensitive substrate 905 displayed. Between a last optical element 915 of the projection lens 904 and the photosensitive substrate 905 In the example shown, there is an immersion liquid 916 with a refractive index different from air.

Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.While the invention has been described in terms of specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments, e.g. by combination and / or exchange of features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be embraced by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • WO 2005/026843 A2 [0003] WO 2005/026843 A2 [0003]
  • WO 2009/100862 A1 [0005, 0005] WO 2009/100862 A1 [0005, 0005]
  • WO 2013/072352 A1 [0005] WO 2013/072352 A1 [0005]
  • US 2009/0116093 A1 [0059] US 2009/0116093 A1 [0059]

Claims (18)

Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit • einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung, welche wenigstens ein Array von polarisationsbeeinflussenden Elementen (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b) aufweist; und • einer zur Erzeugung eines magnetischen Feldes im Bereich dieser polarisationsbeeinflussenden Elemente geeigneten Anordnung; • wobei die polarisationsbeeinflussenden Elemente (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b) derart ausgelegt sind, dass sie jeweils für auftreffendes Licht eine von dem magnetischen Feld abhängige Faraday-Rotation des Polarisationszustandes bewirken.Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus, comprising • a polarization-influencing optical arrangement which comprises at least one array of polarization-influencing elements ( 103 . 220a . 220b . 303 . 420a . 420b . 502 . 603 . 720a . 720b ) having; and • an arrangement suitable for generating a magnetic field in the region of these polarization-influencing elements; Where the polarization-influencing elements ( 103 . 220a . 220b . 303 . 420a . 420b . 502 . 603 . 720a . 720b ) are designed such that they each cause a dependent of the magnetic field Faraday rotation of the polarization state for incident light. Optisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung dazu ausgelegt ist, eine vorgegebene Eingangspolarisationsverteilung von im Betrieb des optischen Systems auf die Anordnung auftreffendem Licht infolge der in den polarisationsbeeinflussenden Elementen in Abhängigkeit von dem magnetischen Feld erfolgenden Faraday-Rotation in eine gewünschte Ausgangspolarisationsverteilung umzuwandeln.An optical system according to claim 1, characterized in that the polarization-influencing optical arrangement is adapted to a predetermined input polarization distribution of incident on the device in operation of the optical system light due to the taking place in the polarization-influencing elements in response to the magnetic field Faraday rotation in a to convert desired output polarization distribution. Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass dieses wenigstens eine Spiegelanordnung (100, 200, 300, 350, 500) mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente (100a, 100b, 100c, 200a, 200b, 200c, 300a, 300b, 300c, 350a, 350b, 350c, 500a, 500b, 500c) aufweist. Optical system according to claim 1 or 2, characterized in that this at least one mirror arrangement ( 100 . 200 . 300 . 350 . 500 ) with a plurality of independently adjustable mirror elements ( 100a . 100b . 100c . 200a . 200b . 200c . 300A . 300b . 300c . 350a . 350b . 350c . 500a . 500b . 500c ) having. Optisches System nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass jedes der polarisationsbeeinflussenden Elemente (103, 303, 603) an jeweils einem der Spiegelelemente (100a, 100b, 100c, 300a, 300b, 300c, 350a, 350b, 350c) angeordnet ist.Optical system according to claim 3, characterized in that each of the polarization-influencing elements ( 103 . 303 . 603 ) on each of the mirror elements ( 100a . 100b . 100c . 300A . 300b . 300c . 350a . 350b . 350c ) is arranged. Optisches System nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (220, 420, 720) als von der Spiegelanordnung (200) separates optisches Bauteil ausgestaltet ist.Optical system according to claim 3 or 4, characterized in that the polarization-influencing optical arrangement ( 220 . 420 . 720 ) than the mirror assembly ( 200 ) is designed separate optical component. Optisches System nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass dieses ferner eine Umlenkeinrichtung (110, 210, 310, 510) aufweist, welche eine bezogen auf den optischen Strahlengang vor der Spiegelanordnung (100, 200, 300, 500) angeordnete erste Umlenkfläche (111, 211, 311, 511) und eine bezogen auf den optischen Strahlengang nach der Spiegelanordnung angeordnete zweite Umlenkfläche (112, 212, 312, 512) aufweist, wobei sowohl an der ersten Umlenkfläche als auch an der zweiten Umlenkfläche jeweils eine Umlenkung der optischen Achse (OA) auftritt.Optical system according to one of claims 3 to 5, characterized in that this further comprises a deflection device ( 110 . 210 . 310 . 510 ), which one with respect to the optical path in front of the mirror assembly ( 100 . 200 . 300 . 500 ) arranged first deflection surface ( 111 . 211 . 311 . 511 ) and arranged with respect to the optical beam path after the mirror assembly second deflection surface ( 112 . 212 . 312 . 512 ), wherein in each case a deflection of the optical axis (OA) occurs both at the first deflection surface and at the second deflection surface. Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit • einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung, welche wenigstens ein Array von polarisationsbeeinflussenden Elementen (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b) aufweist; • einer zur Erzeugung eines magnetischen Feldes im Bereich dieser polarisationsbeeinflussenden Elemente geeigneten Anordnung; • einer Spiegelanordnung (100, 200, 300, 350, 500) mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente (100a, 100b, 100c, 200a, 200b, 200c, 300a, 300b, 300c, 350a, 350b, 350c, 500a, 500b, 500c); und • einer Umlenkeinrichtung (110, 210, 310, 510), welche eine bezogen auf den optischen Strahlengang vor der Spiegelanordnung (100, 200, 300, 500) angeordnete erste Umlenkfläche (111, 211, 311, 511) und eine bezogen auf den optischen Strahlengang nach der Spiegelanordnung angeordnete zweite Umlenkfläche (112, 212, 312, 512) aufweist, wobei sowohl an der ersten Umlenkfläche als auch an der zweiten Umlenkfläche jeweils eine Umlenkung der optischen Achse (OA) auftritt; • wobei die polarisationsbeeinflussenden Elemente (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b) derart ausgelegt sind, dass sie jeweils für auftreffendes Licht eine von dem magnetischen Feld abhängige Modifikation des Polarisationszustandes bewirken.Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus, comprising • a polarization-influencing optical arrangement which comprises at least one array of polarization-influencing elements ( 103 . 220a . 220b . 303 . 420a . 420b . 502 . 603 . 720a . 720b ) having; A device suitable for generating a magnetic field in the region of these polarization-influencing elements; A mirror arrangement ( 100 . 200 . 300 . 350 . 500 ) with a plurality of independently adjustable mirror elements ( 100a . 100b . 100c . 200a . 200b . 200c . 300A . 300b . 300c . 350a . 350b . 350c . 500a . 500b . 500c ); and a deflection device ( 110 . 210 . 310 . 510 ), which in relation to the optical beam path in front of the mirror arrangement ( 100 . 200 . 300 . 500 ) arranged first deflection surface ( 111 . 211 . 311 . 511 ) and arranged with respect to the optical beam path after the mirror assembly second deflection surface ( 112 . 212 . 312 . 512 ), wherein in each case a deflection of the optical axis (OA) occurs both at the first deflection surface and at the second deflection surface; Where the polarization-influencing elements ( 103 . 220a . 220b . 303 . 420a . 420b . 502 . 603 . 720a . 720b ) are designed such that they cause a respective dependent on the magnetic field modification of the polarization state for incident light. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zur Erzeugung eines magnetischen Feldes im Bereich der polarisationsbeeinflussenden Elemente geeignete Anordnung eine Mehrzahl von unabhängig voneinander mit elektrischem Strom beaufschlagbaren Spulen (230, 430, 730) aufweist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the arrangement which is suitable for generating a magnetic field in the region of the polarization-influencing elements comprises a plurality of coils (which can be subjected to electric current independently of one another) ( 230 . 430 . 730 ) having. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Array die polarisationsbeeinflussenden Elemente (420a, 420b, 720a, 720b) in einer hexagonalen Anordnung aufweist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the array comprises the polarization-influencing elements ( 420a . 420b . 720a . 720b ) in a hexagonal arrangement. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung wenigstens zwei Arrays (300, 350) von polarisationsbeeinflussenden Elementen aufweist. Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the polarization-influencing optical arrangement comprises at least two arrays ( 300 . 350 ) of polarization-influencing elements. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung für jeden einer Vielzahl von durch die Anordnung verlaufenden Kanälen in Abhängigkeit von dem im Bereich des jeweiligen Kanals vorhandenen Magnetfeld für den jeweiligen Kanal durchlaufendes, linear polarisiertes Licht unterschiedliche Polarisationsdrehwinkel erzeugen kann. Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the polarization-influencing optical arrangement for each of a plurality of extending through the array channels depending on the present in the region of the respective magnetic field for the respective channel passing, linearly polarized light can produce different polarization rotation angle. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mittels selektiver Beaufschlagung der polarisationsbeeinflussenden Elemente mit einem magnetischen Feld eine konstant lineare Polarisationsverteilung von das optische System durchlaufendem Licht in eine quasitangentiale oder eine quasiradiale Polarisationsverteilung umwandelbar ist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that by means of selective loading of the polarization-influencing elements with a magnetic field, a constant linear polarization distribution of light passing through the optical system can be converted into a quasi-tangential or a quasi-radial polarization distribution. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussenden Elemente (603) ferner eine vom Anliegen eines elektrischen Feldes abhängige Doppelbrechung aufweisen.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the polarization-influencing elements ( 603 ) also have a dependent of the concern of an electric field birefringence. Optisches System nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussenden Elemente (603) als Pockelszellen, insbesondere transversale Pockelszellen, ausgestaltet sind.Optical system according to claim 13, characterized in that the polarization-influencing elements ( 603 ) are configured as Pockels cells, in particular transversal Pockels cells. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage ist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that this is a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung ein optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweist.Microlithographic projection exposure apparatus comprising an illumination device and a projection objective, the illumination device having an optical system according to one of the preceding claims. Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, bei welchem mittels einer Lichtquelle erzeugtes Licht einer Beleuchtungseinrichtung einer Projektionsbelichtungsanlage zur Beleuchtung einer Objektebene eines Projektionsobjektivs zugeführt wird und bei welchem die Objektebene mittels des Projektionsobjektivs in eine Bildebene des Projektionsobjektivs abgebildet wird, • wobei die Beleuchtungseinrichtung eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung mit wenigstens einem Array von polarisationsbeeinflussenden Elementen (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b) aufweist; und • wobei mittels unterschiedlicher selektiver Beaufschlagung der polarisationsbeeinflussenden Elemente mit einem magnetischen Feld unterschiedliche Polarisationsverteilungen in der Beleuchtungseinrichtung dadurch eingestellt werden, dass die polarisationsbeeinflussenden Elemente (103, 220a, 220b, 303, 420a, 420b, 502, 603, 720a, 720b) für auftreffendes Licht eine von dem magnetischen Feld abhängige Faraday-Rotation des Polarisationszustandes bewirken.A microlithographic exposure method in which light generated by a light source is supplied to a lighting device of a projection exposure apparatus for illuminating an object plane of a projection lens and wherein the object plane is imaged by the projection lens into an image plane of the projection lens, wherein the illumination device is a polarization-influencing optical arrangement having at least one array of polarization-influencing elements ( 103 . 220a . 220b . 303 . 420a . 420b . 502 . 603 . 720a . 720b ) having; and wherein different polarization distributions in the illumination device are set by means of different selective loading of the polarization-influencing elements with a magnetic field in that the polarization-influencing elements ( 103 . 220a . 220b . 303 . 420a . 420b . 502 . 603 . 720a . 720b ) cause a dependent of the magnetic field Faraday rotation of the polarization state for incident light. Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: • Bereitstellen eines Substrats, auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist; • Bereitstellen einer Maske, die abzubildende Strukturen aufweist; • Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 16; und • Projizieren wenigstens eines Teils der Maske auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage.Method for the microlithographic production of microstructured components with the following steps: Providing a substrate on which at least partially a layer of a photosensitive material is applied; Providing a mask having structures to be imaged; Providing a microlithographic projection exposure apparatus according to claim 16; and Projecting at least a portion of the mask onto a portion of the layer using the projection exposure apparatus.
DE102015214477.1A 2015-07-30 2015-07-30 Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method Ceased DE102015214477A1 (en)

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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
US20050078293A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Mackey Jeffrey L. Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing
US20090116093A1 (en) 2007-11-06 2009-05-07 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009100862A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Optcal system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
WO2013072352A1 (en) 2011-11-15 2013-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror system comprising at least one mirror for use for guiding illumination and imaging light in euv projection lithography
DE102012200371A1 (en) * 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102012223217B3 (en) * 2012-12-14 2014-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for use in illuminating device illuminating reticle in microlithographic projection exposure system to manufacture e.g. LCDs, has deflection device including reflection surfaces upstream and downstream of mirror arrangement
DE102013221386A1 (en) * 2013-10-22 2014-10-30 Carl Zeiss Smt Gmbh POLARIZATION CONTROL IN PROJECTION EXPOSURE EQUIPMENT AND ARRANGEMENTS THEREFOR

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
US20050078293A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Mackey Jeffrey L. Methods and systems for controlling radiation beam characteristics for microlithographic processing
US20090116093A1 (en) 2007-11-06 2009-05-07 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009100862A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Optcal system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
WO2013072352A1 (en) 2011-11-15 2013-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror system comprising at least one mirror for use for guiding illumination and imaging light in euv projection lithography
DE102012200371A1 (en) * 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102012223217B3 (en) * 2012-12-14 2014-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for use in illuminating device illuminating reticle in microlithographic projection exposure system to manufacture e.g. LCDs, has deflection device including reflection surfaces upstream and downstream of mirror arrangement
DE102013221386A1 (en) * 2013-10-22 2014-10-30 Carl Zeiss Smt Gmbh POLARIZATION CONTROL IN PROJECTION EXPOSURE EQUIPMENT AND ARRANGEMENTS THEREFOR

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