DE102010029905A1 - Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit wenigstens einer Spiegelanordnung (200), welche eine Mehrzahl von Spiegelelementen aufweist, die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind, und einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung (300, 800, 900) aus einer ersten Lambda/2-Platte (310, 810, 910) und wenigstens einer zweiten Lambda/2-Platte (320, 820, 920).The invention relates to an optical system of a microlithographic projection exposure system, with at least one mirror arrangement (200), which has a plurality of mirror elements that can be adjusted independently of one another to change an angular distribution of the light reflected by the mirror arrangement, and an optical arrangement (300, 800) that influences polarization , 900) from a first lambda / 2 plate (310, 810, 910) and at least one second lambda / 2 plate (320, 820, 920).

Description

Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Insbesondere betrifft die Erfindung ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, welches eine erhöhte Flexibilität bei der Bereitstellung einer gewünschten Polarisationsverteilung ermöglicht.The invention relates to an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus. In particular, the invention relates to an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus which allows increased flexibility in providing a desired polarization distribution.

Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits or LCDs. The microlithography process is carried out in a so-called projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective. The image of a mask (= reticle) illuminated by means of the illumination device is hereby projected onto a substrate (eg a silicon wafer) coated with a photosensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection objective in order to place the mask structure onto the mask transfer photosensitive coating of the substrate.

Im Betrieb einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage besteht der Bedarf, definierte Beleuchtungssettings, d. h. Intensitätsverteilungen in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung, gezielt einzustellen. Hierzu ist außer der Verwendung diffraktiver optischer Elemente (sogenannter DOE's) auch der Einsatz von Spiegelanordnungen, z. B. aus WO 2005/026843 A2 , bekannt. Solche Spiegelanordnungen umfassen eine Vielzahl unabhängig voneinander einstellbarer Mikrospiegel.In the operation of a microlithographic projection exposure apparatus, there is a need to set defined illumination settings, ie intensity distributions in a pupil plane of the illumination device, in a targeted manner. For this purpose, in addition to the use of diffractive optical elements (so-called DOE's) and the use of mirror arrangements, z. B. off WO 2005/026843 A2 , known. Such mirror assemblies include a plurality of independently adjustable micromirrors.

Es sind ferner verschiedene Ansätze bekannt, in der Beleuchtungseinrichtung zur Optimierung des Abbildungskontrastes gezielt bestimmte Polarisationsverteilungen in der Pupillenebene und/oder im Retikel einzustellen. Zum Stand der Technik wird beispielsweise auf die WO 2005/069081 A2 , WO 2005/031467 A2 , US 6,191,880 B1 , US 2007/0146676 A1 , WO 2009/034109 A2 , WO 2008/019936 A2 , WO 2009/100862 A1 , DE 10 2008 009 601 A1 und DE 10 2004 011 733 A1 verwiesen.Furthermore, various approaches are known for selectively setting specific polarization distributions in the pupil plane and / or in the reticle in the illumination device in order to optimize the imaging contrast. The state of the art, for example, on the WO 2005/069081 A2 . WO 2005/031467 A2 . US 6,191,880 B1 . US 2007/0146676 A1 . WO 2009/034109 A2 . WO 2008/019936 A2 . WO 2009/100862 A1 . DE 10 2008 009 601 A1 and DE 10 2004 011 733 A1 directed.

Insbesondere ist es sowohl in der Beleuchtungseinrichtung als auch im Projektionsobjektiv bekannt, für eine kontrastreiche Abbildung eine tangentiale Polarisationsverteilung einzustellen. Unter „tangentialer Polarisation” (oder „TE-Polarisation”) wird eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen linear polarisierten Lichtstrahlen annähernd senkrecht zum auf die optische Systemachse gerichteten Radius orientiert sind. Hingegen wird unter „radialer Polarisation” (oder „TM-Polarisation”) eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen linear polarisierten Lichtstrahlen annähernd radial zur optischen Systemachse orientiert sind.In particular, both in the illumination device and in the projection objective, it is known to set a tangential polarization distribution for a high-contrast image. "Tangential polarization" (or "TE polarization") is understood to mean a polarization distribution in which the oscillation planes of the electric field strength vectors of the individual linearly polarized light beams are oriented approximately perpendicular to the radius directed onto the optical system axis. By contrast, "radial polarization" (or "TM polarization") is understood to mean a polarization distribution in which the oscillation planes of the electric field strength vectors of the individual linearly polarized light beams are oriented approximately radially to the optical system axis.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung sowie ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, welche eine erhöhte Flexibilität bei der Bereitstellung einer gewünschten Polarisationsverteilung ermöglichen.The object of the present invention is to provide a polarization-influencing optical arrangement as well as an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, which allow increased flexibility in providing a desired polarization distribution.

Diese Aufgabe wird durch das optische System gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst.This object is achieved by the optical system according to the features of independent claim 1.

Ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage weist auf:

  • – wenigstens eine Spiegelanordnung, welche eine Mehrzahl von Spiegelelementen aufweist, die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung reflektierten Lichtes unabhängig, voneinander verstellbar sind; und
  • – eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung aus einer ersten Lambda/2-Platte und wenigstens einer zweiten Lambda/2-Platte.
An optical system of a microlithographic projection exposure apparatus has:
  • - At least one mirror assembly having a plurality of mirror elements, which are independent of each other to change an angular distribution of the reflected light from the mirror assembly, are adjustable from each other; and
  • A polarization-influencing optical arrangement comprising a first lambda / 2 plate and at least one second lambda / 2 plate.

Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, durch Verwendung von wenigstens zwei Lambda/2-Platten in Kombination mit einer Spiegelanordnung wenigstens zwei Bereiche zu schaffen, welche bei Lichtdurchtritt abhängig davon, ob dieser durch nur eine der Lambda/2-Platten hindurch, durch beide Lambda/2-Platten hindurch oder durch keine der Lambda/2-Platten hindurch erfolgt, in Verbindung mit der Spiegelanordnung unterschiedliche Ausgangspolarisationsverteilungen erzeugen. Die Erfindung bietet somit die Möglichkeit, etwa bei Verwendung von zwei Lambda/2-Platten vier unterschiedliche Polarisationszustände mit frei wählbaren Licht- bzw. Intensitätsanteilen zu erzeugen.In particular, the invention is based on the concept of creating at least two regions by using at least two lambda / 2 plates in combination with a mirror arrangement which, when passing through light, passes through both through only one of the lambda / 2 plates Lambda / 2 plates through or through none of the lambda / 2 plates through, in conjunction with the mirror assembly produce different output polarization distributions. The invention thus offers the possibility of generating four different polarization states with freely selectable light or intensity components, for example when using two lambda / 2 plates.

Studien haben ergeben, dass mit den durch teilweise Überlappung von zwei Lambda/2-Platten einstellbaren vier Polarisationszuständen bereits in recht großem Ausmaß dem Einfluss der Polarisationseigenschaften für die Abbildungseigenschaften Rechnung getragen werden kann. Dabei können z. B. durch relative Verschiebung der zwei Lambda/2-Platten (die z. B. in x- und y-Richtung verfahrbar sein können) zugleich auch die relativen Anteile an der Gesamtintensität variiert werden (also z. B. 80% x-polarisiertes Licht und 20% y-polarisiertes Licht etc.).Studies have shown that with the four polarization states, which can be set by partial overlapping of two lambda / 2 plates, the influence of the Polarization properties for the imaging properties can be taken into account. This z. B. by relative displacement of the two lambda / 2 plates (which may be, for example, in the x and y directions can be moved) at the same time the relative proportions of the total intensity are varied (ie, for example, 80% x-polarized Light and 20% y-polarized light etc.).

Die erfindungsgemäß in einer Projektionsbelichtungsanlage ermöglichte flexible Einstellung unterschiedlicher Polarisationsverteilungen bzw. Beleuchtungssettings kann insbesondere ohne Erfordernis zusätzlicher optischer Komponenten erfolgen, was den konstruktiven Aufwand sowie die Kosten etwa für einen Lithographieprozess reduziert. Des Weiteren wird ein mit einem Einsatz zusätzlicher optischer Komponenten einhergehender Transmissionsverlust vermieden.The flexible adjustment of different polarization distributions or illumination settings made possible in accordance with the invention in a projection exposure apparatus can, in particular, be carried out without the need for additional optical components, which reduces the design effort and costs, for example for a lithographic process. Furthermore, a transmission loss associated with the use of additional optical components is avoided.

Gemäß einer Ausführungsform sind die Lambda/2-Platten bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung hintereinander im optischen System angeordnet.According to one embodiment, the lambda / 2 plates are arranged one behind the other in the optical system with respect to the light propagation direction.

Gemäß einer Ausführungsform sind die Lambda/2-Platten in ihrer Relativposition zueinander verstellbar. Insbesondere können die Lambda/2-Platten in Lichtausbreitungsrichtung einen variablen Überlappungsgrad aufweisen. Durch die Erfindung lassen sich somit mittels Variation des Überlappungsgrades von wenigstens zwei Lambda/2-Platten in Verbindung mit der Spiegelanordnung in flexibler Weise voneinander verschiedene polarisierte Beleuchtungssettings einstellen, ohne dass für den Wechsel zwischen diesen Beleuchtungssettings die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung ausgewechselt werden muss.According to one embodiment, the lambda / 2 plates are adjustable relative to one another in their relative position. In particular, the lambda / 2 plates can have a variable degree of overlap in the light propagation direction. Thus, by means of the invention, different polarized illumination settings can be adjusted in a flexible manner by varying the degree of overlap of at least two lambda / 2 plates in conjunction with the mirror arrangement, without having to replace the polarization-influencing optical arrangement for the changeover between these illumination settings.

Die Verstellbarkeit der Lambda/2-Platten in ihrer Relativposition zueinander kann ein translatorisches Verfahren wenigstens einer der Lambda/2-Platten und/oder eine Rotation wenigstens einer der Lambda/2-Platten umfassen. Im letztgenannten Falle wird gegebenenfalls lediglich die relative Lage der jeweiligen schnellen Achsen geändert, was im Sinne der vorliegenden Anmeldung ebenfalls als relative Verstellung der Lambda/2-Platten zueinander verstanden wird.The adjustability of the lambda / 2 plates in their relative position to one another may comprise a translatory method of at least one of the lambda / 2 plates and / or a rotation of at least one of the lambda / 2 plates. In the latter case, if necessary, only the relative position of the respective fast axes is changed, which is also understood in the context of the present application as a relative adjustment of the lambda / 2 plates to each other.

Gemäß einer Ausführungsform sind die erste Lambda/2-Platte und/oder die zweite Lambda/2-Platte zwischen einer ersten Position, in der sich die jeweilige Lambda/2-Platte vollständig außerhalb des optisch wirksamen Bereichs der Spiegelanordnung befindet, und einer zweiten Position, in der sich die jeweilige Lambda/2-Platte vollständig innerhalb des optisch wirksamen Bereichs der Spiegelanordnung befindet, verstellbar. Auf diese Weise kann somit die jeweilige Lambda/2-Platte je nach gewünschter Polarisationsverteilung auch vollständig aus dem optisch wirksamen Bereich der Spiegelanordnung herausgefahren werden, wodurch die Flexibilität des gesamten Systems bei der Bereitstellung einer gewünschten Polarisationsverteilung weiter erhöht wird. Dabei wird unter dem Kriterium, dass sich die jeweilige Lambda/2-Platte innerhalb des optisch wirksamen Bereichs der Spiegelanordnung befindet, eine Anordnung verstanden, bei der im Betrieb des optischen Systems sämtliche durch die Lambda/2-Platte hindurchtretenden Lichtstrahlen auch von der Spiegelanordnung reflektiert werden. Entsprechend bedeutet eine Anordnung der jeweiligen Lambda/2-Platte außerhalb des optisch wirksamen Bereichs der Spiegelanordnung, dass von der Spiegelanordnung reflektierte Lichtstrahlen nicht durch die jeweilige Lambda/2-Platte hindurchtreten.According to one embodiment, the first lambda / 2 plate and / or the second lambda / 2 plate are between a first position, in which the respective lambda / 2 plate is located completely outside the optically active region of the mirror arrangement, and a second position in which the respective lambda / 2 plate is located completely within the optically active region of the mirror arrangement, adjustable. In this way, the respective lambda / 2 plate can thus also be moved out completely from the optically active region of the mirror arrangement, depending on the desired polarization distribution, whereby the flexibility of the entire system in providing a desired polarization distribution is further increased. In this case, under the criterion that the respective lambda / 2 plate is located within the optically active region of the mirror arrangement, an arrangement is understood in which all light beams passing through the lambda / 2 plate also reflect from the mirror arrangement during operation of the optical system become. Correspondingly, an arrangement of the respective lambda / 2 plate outside the optically active region of the mirror arrangement means that light beams reflected by the mirror arrangement do not pass through the respective lambda / 2 plate.

Die Erfindung ist nicht auf relativ zueinander verstellbare Lambda/2-Platten beschränkt. So können, wie im Weiteren noch näher erläutert, bereits mit einer statischen Realisierung der Lambda/2-Platten unter Ausnutzung der Verstellbarkeit der Spiegelelemente der Spiegelanordnung unterschiedlich polarisierte Beleuchtungssettings eingestellt werden.The invention is not limited to relatively adjustable Lambda / 2 plates. Thus, as explained in more detail below, differently polarized illumination settings can already be set with a static realization of the lambda / 2 plates by utilizing the adjustability of the mirror elements of the mirror arrangement.

Die erfindungsgemäße Anordnung kann insbesondere so eingestellt sein, dass sich in einem ersten Nicht-Überlappungsbereich nur die erste Lambda/2-Platte befindet, wobei sich in einem zweiten Nicht-Überlappungsbereich nur die zweite Lambda/2-Platte befindet.In particular, the arrangement according to the invention can be set such that only the first lambda / 2 plate is located in a first non-overlap region, with only the second lambda / 2 plate being located in a second non-overlap region.

Gemäß einer Ausführungsform weist die erste Lambda/2-Platte eine erste schnelle Achse der Doppelbrechung auf, und die zweite Lambda/2-Platte weist eine zweite schnelle Achse der Doppelbrechung auf, wobei die Orientierungen der ersten Achse und der zweiten Achse voneinander verschieden sind.According to one embodiment, the first lambda / 2 plate has a first fast axis of birefringence, and the second lambda / 2 plate has a second fast axis of birefringence, wherein the orientations of the first axis and the second axis are different from each other.

Gemäß einer Ausführungsform sind die erste schnelle Achse und die zweite schnelle Achse in einem Winkel vom 45° ± 5° zueinander angeordnet.According to one embodiment, the first fast axis and the second fast axis are arranged at an angle of 45 ° ± 5 ° to each other.

Gemäß einer Ausführungsform verläuft die erste schnelle Achse in einem Winkel von 22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung eines auf die Anordnung auftreffenden Lichtbündels, und die zweite schnelle Achse verläuft in einem Winkel von –22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung eines auf die Anordnung auftreffenden Lichtbündels.According to one embodiment, the first fast axis extends at an angle of 22.5 ° ± 2 ° to the preferred polarization direction of a light beam impinging on the array, and the second fast Axis runs at an angle of -22.5 ° ± 2 ° to the polarization preferred direction of an incident on the array light beam.

Gemäß einer Ausführungsform wird die Schwingungsebene eines ersten linear polarisierten Lichtstrahls, welcher nur die erste Lambda/2-Platte durchquert, um einen ersten Drehwinkel gedreht, und die Schwingungsebene eines zweiten linear polarisierten Lichtstrahls, welcher nur die zweite Lambda/2-Platte durchquert, wird um einen zweiten Drehwinkel gedreht, wobei der erste Drehwinkel von dem zweiten Drehwinkel verschieden ist.According to one embodiment, the plane of oscillation of a first linearly polarized light beam, which traverses only the first lambda / 2 plate, is rotated by a first rotation angle, and the vibration plane of a second linearly polarized light beam, which traverses only the second lambda / 2 plate, becomes rotated by a second angle of rotation, wherein the first angle of rotation is different from the second angle of rotation.

Gemäß einer Ausführungsform stimmen der erste Drehwinkel und der zweite Drehwinkel betragsmäßig überein und weisen entgegengesetzte Vorzeichen auf.According to one embodiment, the first rotation angle and the second rotation angle are equal in magnitude and opposite in sign.

Gemäß einer Ausführungsform bilden die erste Lambda/2-Platte und die zweite Lambda/2-Platte in dem Überlappungsbereich miteinander einen 90°-Rotator aus.In one embodiment, the first lambda / 2 plate and the second lambda / 2 plate in the overlap region form a 90 ° rotator with each other.

Gemäß einer Ausführungsform weist die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung genau zwei Lambda/2-Platten auf. Hierdurch wird unter Realisierung eines besonders einfachen Aufbaus ausgenutzt, dass schon mit nur zwei Lambda/2-Platten infolge der hierdurch wie vorstehend beschrieben einstellbaren vier Polarisationszustände bereits in recht großem Ausmaß dem Einfluss der Polarisationseigenschaften für die Abbildungseigenschaften Rechnung getragen werden kann.According to one embodiment, the polarization-influencing optical arrangement has exactly two lambda / 2 plates. This makes use of a particularly simple design that even with only two lambda / 2 plates, as a result of the four polarization states which can be set as described above, the influence of the polarization properties on the imaging properties can already be taken into account quite extensively.

Gemäß einer Ausführungsform weist die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung wenigstens drei, insbesondere wenigstens sieben Lambda/2-Platten auf. Eine Anordnung mit wenigstens drei Lambda/2-Platten hat den Vorteil, dass auf eine Verstell- bzw. Verschiebbarkeit der Lambda/2-Platten in voneinander verschiedenen (insbesondere zueinander senkrechten) Richtungen, z. B. in x- und y-Richtung, verzichtet werden kann und bereits mit einer Verschiebbarkeit der Lambda/2-Platten entlang einer gemeinsamen Richtung (z. B. in x-Richtung) eine hohe Flexibilität hinsichtlich der Einstellung unterschiedlicher Polarisationsverteilungen erzielt wird.According to one embodiment, the polarization-influencing optical arrangement has at least three, in particular at least seven lambda / 2 plates. An arrangement with at least three lambda / 2 plates has the advantage that an adjustment or displacement of the lambda / 2 plates in mutually different (in particular mutually perpendicular) directions, for. B. in the x and y direction, can be dispensed with and already with a displacement of the lambda / 2 plates along a common direction (eg., In the x direction) a high flexibility in terms of setting different polarization distributions is achieved.

Gemäß einer Ausführungsform ist die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung derart einstellbar, dass sie im Betrieb des optischen Systems in Kombination mit der Spiegelanordnung eine lineare Polarisationsverteilung mit einer über den Lichtbündelquerschnitt konstanten Polarisationsvorzugsrichtung eines auf die Anordnung auftreffenden Lichtbündels in eine näherungsweise tangentiale Polarisationsverteilung umwandelt.According to one embodiment, the polarization-influencing optical arrangement is adjustable in such a way that it converts a linear polarization distribution into an approximately tangential polarization distribution with a polarization preferential direction of a light beam impinging on the arrangement during operation of the optical system in combination with the mirror arrangement.

Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein mikrolithographisches Belichtungsverfahren, bei welchem mittels einer Lichtquelle erzeugtes Licht einer Beleuchtungseinrichtung (einer Projektionsbelichtungsanlage zur Beleuchtung einer Objektebene eines Projektionsobjektivs zugeführt wird und bei welchem die Objektebene mittels des Projektionsobjektivs in eine Bildebene des Projektionsobjektivs abgebildet wird, wobei in der Beleuchtungseinrichtung

  • – wenigstens eine Spiegelanordnung, welche eine Mehrzahl von Spiegelelementen aufweist, die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind; und
  • – eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung aus einer ersten Lambda/2-Platte und wenigstens einer zweiten Lambda/2-Platte eingesetzt werden.
According to a further aspect, the invention relates to a microlithographic exposure method, in which light generated by a light source is supplied to a lighting device (a projection exposure system for illuminating an object plane of a projection lens and in which the object plane is imaged by the projection lens into an image plane of the projection lens, wherein in the lighting device
  • At least one mirror arrangement which has a plurality of mirror elements which are independently adjustable for changing an angular distribution of the light reflected by the mirror arrangement; and
  • - A polarization-influencing optical arrangement of a first lambda / 2 plate and at least one second lambda / 2 plate are used.

Gemäß einer Ausführungsform werden wenigstens zwei voneinander verschiedene Beleuchtungssettings durch Änderung der Relativposition der ersten Lambda/2-Platte und der zweiten Lambda/2-Platte eingestellt.According to one embodiment, at least two mutually different illumination settings are set by changing the relative position of the first lambda / 2 plate and the second lambda / 2 plate.

Gemäß einer Ausführungsform werden bei Einstellung wenigstens eines dieser Beleuchtungssettings die erste Lambda/2-Platte und die zweite Lambda/2-Platte derart angeordnet, dass diese einander in Lichtausbreitungsrichtung unter Ausbildung wenigstens eines Überlappungsbereichs und wenigstens eines Nicht-Überlappungsbereichs teilweise überlappen.According to one embodiment, when adjusting at least one of these illumination settings, the first lambda / 2 plate and the second lambda / 2 plate are arranged such that they partially overlap one another in the light propagation direction, forming at least one overlap region and at least one non-overlap region.

Gemäß einer Ausführungsform werden zur Einstellung des wenigstens einen dieser Beleuchtungssettings sowohl der Überlappungsbereich als auch der Nicht-Überlappungsbereich wenigstens partiell ausgeleuchtet.According to one embodiment, both the overlapping area and the non-overlapping area are at least partially illuminated to set the at least one of these lighting settings.

Gemäß einer Ausführungsform werden zumindest zwei Teilstrahlen, die von unterschiedlichen Spiegelelementen der Spiegelanordnung reflektiert werden und infolge der Wirkung der polarisationsbeeinflussenden Anordnung unterschiedliche Polarisationsrichtungen aufweisen, einander überlagert. According to one embodiment, at least two partial beams, which are reflected by different mirror elements of the mirror arrangement and have different polarization directions due to the effect of the polarization-influencing arrangement, are superimposed on one another.

Die Erfindung betrifft ferner eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie ein Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente.The invention further relates to a microlithographic projection exposure apparatus and to a method for microlithographic production of microstructured components.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.Further embodiments of the invention are described in the description and the dependent claims.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention will be explained in more detail with reference to embodiments shown in the accompanying drawings.

Es zeigen:Show it:

1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; 1 a schematic representation for explaining the structure of a microlithographic projection exposure apparatus with a polarization-influencing optical arrangement according to an embodiment of the invention;

2 eine schematische Darstellung zur Erläuterung von Aufbau und Funktion einer in der Projektionsbelichtungsanlage von 1 vorhandenen Spiegelanordnung; 2 a schematic representation for explaining the structure and function of a in the projection exposure of 1 existing mirror arrangement;

3a–f schematische Darstellungen zur Erläuterung der Wirkungsweise einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung gemäß einem konkreten Ausführungsbeispiel der Erfindung; 3a F schematic representations for explaining the operation of a polarization-influencing optical arrangement according to a concrete embodiment of the invention;

4a–b schematische Darstellungen zur Erläuterung eines weiteren Anwendungsbeispiels der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung von 2; 4a -B are schematic diagrams for explaining another application example of the polarization-influencing optical arrangement of 2 ;

5a–c schematische Darstellungen weiterer erfindungsgemäß einstellbarer Polarisationsverteilungen; 5a -C schematic representations of further inventively adjustable polarization distributions;

6 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung; und 6 a schematic representation for explaining a polarization-influencing optical arrangement according to another embodiment of the invention; and

79 schematische Darstellungen zur Erläuterung weiterer Anwendungsbeispiele einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. 7 - 9 schematic representations for explaining further application examples of a polarization-influencing optical arrangement according to another embodiment of the invention.

Im Weiteren wird zunächst unter Bezugnahme auf 1 ein prinzipieller Aufbau einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einem erfindungsgemäßen optischen System erläutert. Die Projektionsbelichtungsanlage weist eine Beleuchtungseinrichtung 10 sowie ein Projektionsobjektiv 20 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 10 dient zur Beleuchtung einer Struktur tragenden Maske (Retikel) 30 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit 1, welche beispielsweise einen ArF-Excimerlaser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst. Generell sind die Beleuchtungseinrichtung 10 sowie das Projektionsobjektiv 20 bevorzugt für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 400 nm, insbesondere weniger als 250 nm, weiter insbesondere weniger als 200 nm, ausgelegt.In addition, first with reference to 1 a basic structure of a microlithographic projection exposure system with an optical system according to the invention explained. The projection exposure apparatus has a lighting device 10 as well as a projection lens 20 on. The lighting device 10 serves to illuminate a structure-carrying mask (reticle) 30 with light from a light source unit 1 which comprises, for example, an ArF excimer laser for a working wavelength of 193 nm as well as a parallel beam generating beam shaping optics. Generally, the lighting device 10 as well as the projection lens 20 preferably designed for an operating wavelength of less than 400 nm, in particular less than 250 nm, more particularly less than 200 nm.

Gemäß der Erfindung ist Bestandteil der Beleuchtungseinrichtung 10 insbesondere eine Spiegelanordnung 200, wie im Weiteren unter Bezugnahme auf 2 näher erläutert wird. In Lichtausbreitungsrichtung vor der Spiegelanordnung 200 ist eine im Weiteren unter Bezugnahme auf 3ff. noch näher erläuterte polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 300 angeordnet. Gemäß 1 ist ferner eine Ansteuerungseinheit 305 zur Ansteuerung eine Verstellung der Anordnung 300 über geeignete Aktuatoren vorgesehen. Aktuatoren zur Verstellung der Anordnung 300 können in beliebiger Weise, z. B. als Bandantriebe, Festkörpergelenkelemente, Piezo-Aktuatoren, Linearantriebe, Gleichstrom(DC-)Motoren mit oder ohne Getriebe, Spindelantriebe, Zahnriemenantriebe, Zahnradantriebe oder Kombinationen dieser bekannten Bauelemente ausgestaltet sein.According to the invention is part of the lighting device 10 in particular a mirror arrangement 200 as further referred to below 2 is explained in more detail. In the light propagation direction in front of the mirror assembly 200 is one with reference to below 3f f. explained in more detail polarization-influencing optical arrangement 300 arranged. According to 1 is also a drive unit 305 for controlling an adjustment of the arrangement 300 provided via suitable actuators. Actuators for adjusting the arrangement 300 can in any way, for. B. as belt drives, solid-state articulated elements, piezo actuators, linear drives, DC (DC) motors with or without gearbox, spindle drives, belt drives, gear drives or combinations of these known components can be configured.

Die Beleuchtungseinrichtung 10 weist eine optische Einheit 11 auf, die u. a. im dargestellten Beispiel einen Umlenkspiegel 12 umfasst. In Lichtausbreitungsrichtung nach der optischen Einheit 11 befindet sich im Strahlengang eine Lichtmischeinrichtung (nicht dargestellt), welche z. B. in für sich bekannter Weise eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann, sowie eine Linsengruppe 14, hinter der sich eine Feldebene mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes REMA-Objektiv 15 auf die Struktur tragende, in einer weiteren Feldebene angeordnete Maske (Retikel) 30 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel begrenzt. Die Struktur tragende Maske 30 wird mit dem Projektionsobjektiv 20 auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht versehenes Substrat 40 bzw. einen Wafer abgebildet. Das Projektionsobjektiv 20 kann insbesondere für den Immersionsbetrieb ausgelegt sein. Ferner kann es eine numerische Apertur NA größer als 0.85, insbesondere größer als 1.1, aufweisen.The lighting device 10 has an optical unit 11 on, inter alia, in the example shown, a deflection mirror 12 includes. In the light propagation direction after the optical unit 11 is located in the beam path, a light mixing device (not shown), which z. B. in a conventional manner may have a suitable for obtaining a light mixture arrangement of micro-optical elements, and a lens group 14 , behind which there is a field level with a reticle masking system (REMA), which by a light propagation direction subsequent REMA objective 15 on the structure bearing, arranged in a further field level mask (reticle) 30 and thereby limits the illuminated area on the reticle. The structure wearing mask 30 becomes with the projection lens 20 on a substrate provided with a photosensitive layer 40 or a wafer imaged. The projection lens 20 can be designed in particular for immersion operation. Furthermore, it can have a numerical aperture NA greater than 0.85, in particular greater than 1.1.

Vorzugsweise sind die Abmessungen der Lambda/2-Platten 310, 320 so gewählt, dass jede dieser Lambda/2-Platten 310, 320 jeweils die Spiegelanordnung 200 „abdecken” kann, also sämtliche von der Spiegelanordnung 200 reflektierten Lichtstrahlen auch durch die Lambda/2-Platten 310, 320 hindurchtritt. Des Weiteren werden die Lambda/2-Platten 310, 320 und die Spiegelanordnung 200 vorzugsweise so gemeinsam ausgelegt, dass sich keine Abschattung der Spiegelanordnung 200 durch die Anordnung 300 ergibt und somit eine optimale Transmission erzielt wird.Preferably, the dimensions of the lambda / 2 plates 310 . 320 so chosen that each of these lambda / 2 plates 310 . 320 in each case the mirror arrangement 200 Can "cover", so all of the mirror assembly 200 reflected light rays through the lambda / 2 plates 310 . 320 passes. Furthermore, the lambda / 2 plates 310 . 320 and the mirror assembly 200 preferably designed together so that no shading of the mirror assembly 200 through the arrangement 300 results and thus optimum transmission is achieved.

Die Spiegelanordnung 200 weist in dem in 2 schematisch dargestellten Aufbau eine Mehrzahl von Spiegelelementen 200a, 200b, 200c, ... auf. Die Spiegelelemente 200a, 200b, 200c, ... sind zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung 200 reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar, wobei gemäß 1 eine Ansteuerungseinheit 205 zur Ansteuerung dieser Verstellung (z. B. über geeignete Aktuatoren) vorgesehen sein kann.The mirror arrangement 200 points in the in 2 schematically illustrated construction a plurality of mirror elements 200a . 200b . 200c , ... on. The mirror elements 200a . 200b . 200c , ... are for changing an angular distribution of the mirror assembly 200 reflected light independently adjustable, according to 1 a drive unit 205 to control this adjustment (eg via suitable actuators) may be provided.

2 zeigt zur Erläuterung von Aufbau und Funktion der gemäß der Erfindung in der Beleuchtungseinrichtung 10 eingesetzten Spiegelanordnung 200 einen beispielhaften Aufbau eines Teilbereichs der Beleuchtungseinrichtung 10, der im Strahlengang eines Laserstrahls 210 aufeinanderfolgend einen Umlenkspiegel 211, ein refraktives optisches Element (ROE) 212, eine (lediglich beispielhaft eingezeichnete) Linse 213, eine Mikrolinsenanordnung 214, die erfindungsgemäße Spiegelanordnung 200, einen Diffusor 215, eine Linse 216 sowie die Pupillenebene PP umfasst. Die Spiegelanordnung 200 umfasst eine Vielzahl von Mikrospiegeln 200a, 200b, 200c, ..., und die Mikrolinsenanordnung 214 weist eine Vielzahl von Mikrolinsen zur gezielten Fokussierung auf diese Mikrospiegel sowie zur Verringerung oder Vermeidung einer Ausleuchtung von „toter Fläche” auf. Die Mikrospiegel 200a, 200b, 200c, ... können jeweils individuell, z. B. in einem Winkelbereich von –2° bis +2°, insbesondere –5° bis +5°, weiter insbesondere –10° bis +10°, verkippt werden. Durch eine geeignete Verkippungsanordnung der Mikrospiegel 200a, 200b, 200c, ... in der Spiegelanordnung 200 kann in der Pupillenebene PP eine gewünschte Lichtverteilung, z. B. ein annulares Beleuchtungssetting oder auch ein Dipol-Setting oder ein Quadrupol-Setting, ausgebildet werden, indem das zuvor homogenisierte und kollimierte Laserlicht je nach gewünschtem Beleuchtungssetting durch die Mikrospiegel 200a, 200b, 200c, ... jeweils in die entsprechende Richtung gelenkt wird. 2 shows for explanation of structure and function of the invention in the lighting device 10 used mirror arrangement 200 an exemplary construction of a portion of the illumination device 10 , in the beam path of a laser beam 210 successively a deflection mirror 211 , a refractive optical element (ROE) 212 , a (only exemplary drawn) lens 213 , a microlens array 214 , the mirror assembly according to the invention 200 , a diffuser 215 , a lens 216 and the pupil plane PP includes. The mirror arrangement 200 includes a variety of micromirrors 200a . 200b . 200c , ..., and the microlens array 214 has a multiplicity of microlenses for targeted focusing on these micromirrors as well as for reducing or avoiding illumination of "dead area". The micromirrors 200a . 200b . 200c , ... can each individually, z. B. in an angular range of -2 ° to + 2 °, in particular -5 ° to + 5 °, more particularly -10 ° to + 10 °, tilted. By a suitable Verkippungsanordnung the micromirror 200a . 200b . 200c , ... in the mirror arrangement 200 can in the pupil plane PP a desired light distribution, z. B. an annular illumination setting or a dipole setting or a quadrupole setting, are formed by the previously homogenized and collimated laser light depending on the desired illumination setting by the micromirrors 200a . 200b . 200c , ... is directed in the respective direction.

3a zeigt in schematischer Darstellung die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 300 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 300 umfasst im Ausführungsbeispiel einander teilweise überlappende Lambda/2-Platten 310, 320, die jeweils aus einem geeigneten doppelbrechenden Material von bei der gewünschten Arbeitswellenlänge hinreichender Transparenz hergestellt sind, beispielsweise aus Magnesiumfluorid (MgF2), Saphir (Al2O3) oder kristallinem Quarz (SiO2). Des Weiteren weisen die Lambda/2-Platten 310, 320 (ohne das die Erfindung hierauf beschränkt wäre) in Anpassung an die Geometrie der Spiegelanordnung 200 jeweils eine rechteckige Geometrie auf. 3a shows a schematic representation of the polarization-influencing optical arrangement 300 according to an embodiment of the invention. The polarization-influencing optical arrangement 300 comprises in the embodiment, each other partially overlapping lambda / 2 plates 310 . 320 each made of a suitable birefringent material of sufficient transparency at the desired operating wavelength, for example magnesium fluoride (MgF 2 ), sapphire (Al 2 O 3 ) or crystalline quartz (SiO 2 ). Furthermore, the lambda / 2 plates 310 . 320 (without which the invention would be limited thereto) in adaptation to the geometry of the mirror assembly 200 each have a rectangular geometry.

In 3a ebenfalls eingezeichnet sind, für den Fall der Einstrahlung von linear polarisiertem Licht mit konstanter, in y-Richtung verlaufender Polarisationsvorzugsrichtung P, die sich jeweils nach Lichtdurchtritt durch die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 300 ergebenden Polarisationsvorzugsrichtungen. Dabei ist die sich jeweils ergebende Polarisationsvorzugsrichtung für den ersten Nicht-Überlappungsbereich „B-1” (d. h. den nur von der ersten Lambda/2-Platte 310 abgedeckten Bereich) mit P', für den zweiten Nicht-Überlappungsbereich „B-2” (d. h. den nur von der zweiten Lambda/2-Platte 320 abgedeckten Bereich) mit P'', und für den Überlappungsbereich „A” (d. h. den sowohl von der ersten Lambde/2-Platte 310 als auch von der zweiten Lambda/2-Platte 320 abgedeckten Bereich) mit P''' bezeichnet.In 3a are also drawn, in the case of the irradiation of linearly polarized light with a constant, in the y-direction polarization preferential direction P, which in each case after passage of light through the polarization-influencing optical arrangement 300 resulting polarization preferred directions. In this case, the respective polarization preferred direction for the first non-overlapping region "B-1" (ie, only from the first lambda / 2 plate 310 covered area) with P ', for the second non-overlap area "B-2" (ie only from the second lambda / 2 plate 320 covered area) with P ", and for the overlap area" A "(ie, that of both the first lambda / 2 plate 310 as well as from the second lambda / 2-plate 320 covered area) with P '''.

Das Zustandekommen der jeweiligen Polarisationsvorzugsrichtungen in den vorstehend genannten Bereichen ist schematisch in 3b–e dargestellt, wobei die jeweilige Lage der schnellen doppelbrechenden Achse (welche in Richtung hoher Brechzahl verläuft) für die erste Lambda/2-Platte 310 durch die gestrichelte Linie „fa-1” und für die zweite Lambda/2-Platte 320 durch die gestrichelte Linie „fa-2” angedeutet ist. Im Ausführungsbeispiel verläuft die schnelle Achse „fa-1” der Doppelbrechung der ersten Lambda/2-Platte 310 in einem Winkel von 22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 300 auftreffenden Lichtbündels (d. h. zur y-Richtung), und die schnelle Achse „fa-2” der Doppelbrechung der zweiten Lambda/2-Platte 320 verläuft in einem Winkel von –22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 300 auftreffenden Lichtbündels.The occurrence of the respective polarization preferential directions in the above-mentioned ranges is schematically shown in FIG 3b -E, the respective position of the fast birefringent axis (which runs in the direction of high refractive index) for the first lambda / 2 plate 310 by the dashed line "fa-1" and for the second lambda / 2 plate 320 is indicated by the dashed line "fa-2". In the exemplary embodiment, the fast axis "fa-1" runs the birefringence of the first lambda / 2 plate 310 at an angle of 22.5 ° ± 2 ° to the preferred polarization direction P of the device 300 incident light beam (ie to the y-direction) and the fast axis "fa-2" of the birefringence of the second lambda / 2 plate 320 runs at an angle of -22.5 ° ± 2 ° to the polarization preferred direction P of the arrangement 300 incident light beam.

Die sich nach Lichtdurchtritt durch die erste Lambda/2-Platte 310 ergebende Polarisationsvorzugsrichtung P' entspricht einer Spiegelung der ursprünglichen (Eingangs-)Polarisationsvorzugsrichtung Pan der schnellen Achse „fa-1” (vgl. 3b), und die sich nach Lichtdurchtritt durch die zweite Lambda/2-Platte 320 ergebende Polarisationsvorzugsrichtung P'' entspricht einer Spiegelung der ursprünglichen (Eingangs-)Polarisationsvorzugsrichtung P an der schnellen Achse „fa-2” (vgl. 3c). Die sich nach Lichtdurchtritt durch die Nicht-Überlappungsbereiche „B-1” und „B-2” ergebenden Polarisationsvorzugsrichtungen P' bzw. P'' verlaufen folglich unter einem Winkel von ±45° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 300 auftreffenden Lichtbündels.The light passes through the first lambda / 2 plate 310 resulting polarization preferred direction P 'corresponds to a reflection of the original (input) polarization preferred direction Pan of the fast axis "fa-1" (see. 3b ), and after passage of light through the second lambda / 2 plate 320 resulting polarization preferred direction P "corresponds to a reflection of the original (input) polarization preferred direction P on the fast axis" fa-2 "(see FIG. 3c ). The polarization preferential directions P 'and P "resulting after passage of light through the non-overlapping areas" B-1 "and" B-2 "thus extend at an angle of ± 45 ° to the polarization preferential direction P of the device 300 incident light beam.

Für das auf die Anordnung 300 im Überlappungsbereich „A” auftreffende Lichtbündel gilt, dass die Polarisationsvorzugsrichtung P' des aus der ersten Lambda/2-Platte 310 austretenden Lichtbündels (vgl. 3d) der Eingangspolarisationsverteilung des auf die zweite Lambda/2-Platte 320 auftreffenden Lichtbündels entspricht, so dass die in 3e mit P''' bezeichnete Polarisationsvorzugsrichtung des aus dem Überlappungsbereich „A” austretenden Lichtbündels unter einem Winkel von 90° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 300 auftreffenden Lichtbündels verläuft.For that on the arrangement 300 in the overlapping area "A" incident light beam that the polarization preferred direction P 'of the first lambda / 2 plate 310 emerging light beam (see. 3d ) of the input polarization distribution of the second lambda / 2 plate 320 incident light beam corresponds, so that in 3e Polarization preferred direction of the light beam emerging from the overlap region "A" with P '''at an angle of 90 ° to the polarization preferred direction P of the arrangement 300 incident light beam runs.

Die Erfindung ist nicht auf relativ zueinander verstellbare Lambda/2-Platten beschränkt. So können bereits mit einer statischen Realisierung der Lambda/2-Platten unter Ausnutzung der Verstellbarkeit der Spiegelelemente der Spiegelanordnung unterschiedlich polarisierte Beleuchtungssettings eingestellt werden. Beispielsweise kann zwischen einer quasi-tangentialen Polarisationsverteilung und einer quasi-radialen Polarisationsverteilung umgeschaltet werden, indem etwa die durch die Anordnung 300 um 90° in ihrer Polarisationsrichtung gedrehten Lichtanteile entweder unter „12:00” Uhr und „6:00” Uhr oder unter „3:00” Uhr und „9:00” Uhr in die Pupillenebene gelenkt werden.The invention is not limited to relatively adjustable Lambda / 2 plates. Thus, even with a static realization of the lambda / 2 plates by utilizing the adjustability of the mirror elements of the mirror arrangement differently polarized lighting settings can be adjusted. For example, it is possible to switch over between a quasi-tangential polarization distribution and a quasi-radial polarization distribution, for example, that caused by the arrangement 300 The light components rotated by 90 ° in their polarization direction can be directed either into the pupil plane below "12:00" and "6:00" or below "3:00" and "9:00".

Wenngleich in dem Ausführungsbeispiel beide Lambda/2-Platten 310, 320 bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor der Spiegelanordnung 200 angeordnet sind, ist die Erfindung nicht hierauf beschränkt. So kann in weiteren Ausführungsformen auch eine der Lambda/2-Platten 310, 320 bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor und die andere nach der Spiegelanordnung 200 angeordnet sein, oder es können auch beide Lambda/2-Platten 310, 320 nach der Spiegelanordnung 200 angeordnet sein. Die zuletzt genannte Ausgestaltung hat dabei den Vorteil, dass eine durch die Anordnung 300 eingestellte (Ausgangs-)Polarisationsverteilung mehr durch Reflexion an der Spiegelanordnung 200 verändert wird.Although in the embodiment both lambda / 2 plates 310 . 320 relative to the light propagation direction in front of the mirror assembly 200 are arranged, the invention is not limited thereto. Thus, in other embodiments, one of the lambda / 2 plates 310 . 320 in front of the light propagation direction and the other after the mirror arrangement 200 can be arranged, or it can also both lambda / 2 plates 310 . 320 after the mirror arrangement 200 be arranged. The last-mentioned embodiment has the advantage that one through the arrangement 300 set (output) polarization distribution more by reflection at the mirror assembly 200 is changed.

Die Platzierung der Lambda/2-Platten 310, 320 sowie deren Abstand zur Spiegelanordnung 200 sind ferner jeweils so zu wählen, dass die auf die einzelnen Spiegel der Spiegelanordnung 200 auftreffenden Lichtanteile hinsichtlich des Polarisationszustandes in dem Sinne wohldefiniert sind, als das an jeweils an einem der Spiegel der Spiegelanordnung 200 reflektierte Licht mit einem definierten Polarisationszustand – und nicht etwa mit zwei oder mehr voneinander verschiedenen Polarisationszuständen – beaufschlagt wird.The placement of the lambda / 2 plates 310 . 320 as well as their distance to the mirror arrangement 200 are also each to be chosen so that the on the individual mirrors of the mirror assembly 200 incident light components with respect to the polarization state in the sense are well defined, as that at each one of the mirror of the mirror assembly 200 reflected light with a defined polarization state - and not with two or more mutually different polarization states - is acted upon.

Ein Beispiel einer mit der Anordnung von 3a einstellbaren Polarisationsverteilung ist in 3f gezeigt. Die gemäß 3f erzeugte Polarisationsverteilung ist eine quasi-tangentiale Polarisationsverteilung 350 mit acht kreissegmentförmigen Bereichen, in welchen die Polarisationsrichtung jeweils konstant sowie zumindest näherungsweise tangential, d. h. senkrecht zum auf die (in z-Richtung verlaufende) optische Achse gerichteten Radius, verläuft. Die Polarisationsverteilung in den jeweiligen kreissegmentförmigen Bereichen ergibt sich daraus, dass die Polarisationsrichtung wie vorstehend erläutert relativ zur Polarisationsrichtung des auf die Anordnung 300 auftreffenden Lichtes um 0°, 45°, –45° bzw. 90° gedreht wurde. Mittels der Polarisationsverteilung 350 können z. B. Fertigungsprozesse, welche mittels des OPC-Verfahrens (OPC = „optical proximity correction” = „optische Nahfeldkorrektur”) auf ein quasi-tangentiales Beleuchtungssetting optimiert worden sind, weiter betrieben werden, wobei aber auch zusätzlich z. B. ein Beleuchtungssetting mit quasi-tangentialer Polarisationsverteilung in um 45° verdrehten Beleuchtungspolen genutzt werden kann.An example of one with the arrangement of 3a adjustable polarization distribution is in 3f shown. The according to 3f generated polarization distribution is a quasi-tangential polarization distribution 350 with eight circular segment-shaped regions in which the polarization direction in each case is constant and at least approximately tangential, ie perpendicular to the radius directed towards the (in the z-direction) optical axis. The polarization distribution in the respective circular segment-shaped regions results from the fact that the polarization direction as explained above relative to the polarization direction of the device 300 incident light was rotated by 0 °, 45 °, -45 ° or 90 °. By means of the polarization distribution 350 can z. B. manufacturing processes, which have been optimized by means of the OPC method (OPC = "optical proximity correction" = "optical near field correction") to a quasi-tangential lighting setting, continue to operate, but also in addition z. B. an illumination setting with quasi-tangential polarization distribution in rotated by 45 ° illumination poles can be used.

Anhand von 4a–b wird ein mögliches weiteres Anwendungsbeispiel der Anordnung 300 erläutert. Dabei wird im Aufbau von 1 zusätzlich zu der Anordnung 300 ein weiterer Polarisationsmanipulator 400 in der Pupillenebene angeordnet (die Abbildung in 4a stellt nur eine Prinzipskizze dar, da sich der Polarisationsmanipulator 400 in Lichtausbreitungsrichtung hinter der Anordnung 300 befindet). Dieser weitere Polarisationsmanipulator 400 ist aus WO 2005/069081 A2 bekannt und in 4b schematisch dargestellt. Der Polarisationsmanipulator 400 ist aus optisch aktivem Material (insbesondere kristallinem Quarz mit entlang der Lichtausbreitungsrichtung verlaufender Kristallachse) hergestellt und besitzt ein in Lichtausbreitungsrichtung variierendes Dickenprofil. Der Polarisationsmanipulator 400 weist in einem zentralen Bereich ein Loch 405 auf und erzeugt, wie in WO 2005/069081 A2 beschrieben, in dem Bereich außerhalb des Loches 405 aufgrund des Dickenprofils sowie zirkularer Doppelbrechung eine tangentiale Polarisationsverteilung.Based on 4a -B becomes a possible further application example of the arrangement 300 explained. It is in the construction of 1 in addition to the arrangement 300 another polarization manipulator 400 arranged in the pupil plane (the illustration in 4a represents only a schematic diagram, since the polarization manipulator 400 in the light propagation direction behind the arrangement 300 located). This further polarization manipulator 400 is out WO 2005/069081 A2 known and in 4b shown schematically. The polarization manipulator 400 is made of optically active material (in particular crystalline quartz with a crystal axis running along the light propagation direction) and has a direction of light propagation varying thickness profile. The polarization manipulator 400 has a hole in a central area 405 up and generated, as in WO 2005/069081 A2 described in the area outside the hole 405 due to the thickness profile as well as circular birefringence a tangential polarization distribution.

Im Beispiel von 4a decken die beiden Lambda/2-Platten 310 und 320 der Anordnung 300 übereinander liegend nur einen verhältnismäßig kleinen Teil der Spiegelanordnung 200 ab (d. h. nur ein kleiner Teil des gesamten an der Spiegelanordnung 200 reflektierten Lichtes verläuft auch durch die Lambda/2-Platten 310 und 320). Für diesen zugleich auch das Loch 405 des Polarisationsmanipulators 400 durchlaufenden Lichtanteil erhält man nach dem vorstehend anhand von 3a beschriebenen Prinzip eine quasitangentiale Polarisation. Diese ist zum einen gebildet aus einem Bereich mit y-Polarisation für Licht, welches den nicht durch die Lambda/2-Platten 310, 320 abgedeckten Bereich sowie das Loch 405 des Polarisationsmanipulators 400 durchläuft, da in den Bereichen 421 und 422 der sich nach Lichtdurchtritt durch die Anordnung 400 ergebenden Polarisationsverteilung keine der Lambda/2-Platten 310, 320 angeordnet ist und somit dort die Polarisationsvorzugsrichtung der ursprünglichen Polarisationsvorzugsrichtung (d. h. der y-Richtung) entspricht. Des Weiteren erhält man einen Bereich mit x-Polarisation aufgrund der Wirkung der beiden Lambda/2-Platten 310, 320, d. h. für Licht, welches den durch die beiden Lambda/2-Platten 310, 320 abgedeckten Bereich sowie das Loch des Polarisationsmanipulators 400 durchläuft.In the example of 4a cover the two lambda / 2 plates 310 and 320 the arrangement 300 superposed only a relatively small part of the mirror assembly 200 (ie only a small part of the total at the mirror assembly 200 reflected light also passes through the lambda / 2 plates 310 and 320 ). For this also the hole 405 of the polarization manipulator 400 continuous light component is obtained according to the above with reference to 3a described principle quasitangentiale polarization. This is formed on the one hand from a region with y polarization for light, which is not the lambda / 2 plates 310 . 320 covered area as well as the hole 405 of the polarization manipulator 400 goes through there in the fields 421 and 422 itself after passage of light through the arrangement 400 resulting polarization distribution none of the lambda / 2 plates 310 . 320 is arranged and thus there corresponds to the polarization preferred direction of the original polarization preferred direction (ie the y-direction). Furthermore, one obtains an area with x-polarization due to the effect of the two lambda / 2 plates 310 . 320 ie for light passing through the two lambda / 2 plates 310 . 320 covered area and the hole of the polarization manipulator 400 passes.

In einem Außenbereich der Pupillenebene (für den die Spiegelanordnung 200 nicht durch die Anordnung 300 abgedeckt wird und für Licht, welches den Bereich des Polarisationsmanipulators 400 außerhalb des Loches 405 durchläuft) wird eine tangentiale Polarisationsverteilung eingestellt.In an outside area of the pupil plane (for which the mirror arrangement 200 not by the arrangement 300 is covered and for light, which is the area of the polarization manipulator 400 outside the hole 405 passes through) a tangential polarization distribution is set.

In 5a–c sind weitere Beispiele erfindungsgemäß einstellbarer Polarisationsverteilungen gezeigt. Je nach Einstellung der Lambda/2-Platten 310, 320 können in flexibler Weise auch diese sowie andere Polarisationsverteilungen eingestellt werden, ohne dass für den Wechsel zwischen diesen Beleuchtungssettings die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 300 ausgewechselt werden muss.In 5a C show further examples of adjustable polarization distributions according to the invention. Depending on the setting of the lambda / 2 plates 310 . 320 can be set in a flexible manner, these and other polarization distributions, without the polarization-influencing optical arrangement for the change between these Beleuchtungssettings 300 must be replaced.

Dabei weisen gemäß 5a und 5b die Polarisationsverteilungen jeweils in einem zentralen Bereich der Pupillenebene bzw. für Licht, welches den Bereich des Polarisationsmanipulators 400 innerhalb des Loches 405 durchläuft, eine konstant lineare Polarisationsrichtung auf, wobei diese Polarisationsrichtung in 5a, b über die Kombination aus Spiegelanordnung 200 und qpolarisationsbeeinflussender Anordnung 300 unterschiedlich eingestellt wurde. Gemäß dem in 5c dargestellten Beispiel können zueinander senkrecht polarisierte Lichtanteile (mit x-Polarisation und mit y-Polarisation) auch einander überlagert werden, um durch diese Überlagerung unpolarisiertes Licht in einem zentralen Bereich bzw. für Licht, welches den Bereich des Polarisationsmanipulators 400 innerhalb des Loches 405 durchläuft, zu erzeugen.In this case, according to 5a and 5b the polarization distributions in each case in a central region of the pupil plane or for light, which is the region of the polarization manipulator 400 inside the hole 405 goes through, a constant linear polarization direction, said polarization direction in 5a , b on the combination of mirror arrangement 200 and qpolarisationsbeeinflussender arrangement 300 was set differently. According to the in 5c In the example shown, mutually perpendicularly polarized light components (with x-polarization and with y-polarization) can also be superimposed on one another in order to produce unpolarized light in a central region or for light which covers the region of the polarization manipulator 400 inside the hole 405 goes through to produce.

6 zeigt als weitere Ausführungsform eine Anordnung aus zwei rotierbaren Lambda/2-Platten 610 und 620. Aktuatoren zur Drehung der Lambda/2-Platten 610 und 620 können in beliebiger Weise z. B. als Bandantriebe, Festkörpergelenkelemente, Piezo-Aktuatoren oder Kombinationen dieser bekannten Bauelemente ausgestaltet sein. 6 shows a further embodiment of an arrangement of two rotatable lambda / 2 plates 610 and 620 , Actuators to rotate the lambda / 2 plates 610 and 620 can in any way z. B. be configured as belt drives, solid-state articulated elements, piezo actuators or combinations of these known components.

Hier ergibt sich der Vorteil, dass über die zwei rotierbaren Lambda/2-Platten 610 und 620 zwei Polarisationszustände mit beliebiger Polarisationsvorzugsrichtung eingestellt werden können. Im Überlappungsbereich der Lambda/2-Platten 610 und 620 ergibt sich ein weiterer, dritter Polarisationszustand aus der kombinierten Wirkung der beiden Lambda/2-Platten 610 und 620 analog zu 3.Here there is the advantage that over the two rotatable lambda / 2 plates 610 and 620 two polarization states can be set with any polarization preferred direction. In the overlap area of the lambda / 2 plates 610 and 620 another, third state of polarization results from the combined effect of the two lambda / 2 plates 610 and 620 analogous to 3 ,

Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen können auch Lichtanteile, die von den Spiegeln reflektiert werden und infolge der Wirkung der polarisationsbeeinflussenden Anordnung 300 unterschiedliche Polarisationsrichtungen aufweisen, einander überlagert werden. Einer solchen, in 7 schematisch dargestellten Ausführungsform liegt die Überlegung zugrunde, dass sich beispielsweise durch eine (im rechten und unteren Teil von 7 angedeutete) Überlagerung der Polarisationsrichtungen 0° und 45° (jeweils bezogen auf die x-Achse im eingezeichneten Koordinatensystem) gemäß Vektoraddition eine resultierende Polarisationsrichtung unter 22.5° ergibt. Eine entsprechende Überlagerung kann auch kontinuierlich bzw. mit kontinuierlich variierenden Intensitätsanteilen von Licht mit verschiedenen Polarisationsrichtungen erfolgen, so dass das letztendlich erzeugte Beleuchtungssetting einen kontinuierlichen Übergang zwischen den benachbarten Polarisationsrichtungen aufweist. Mit anderen Worten wird die Spiegelanordnung dazu genutzt, durch Überlagerung diskreter Polarisationszustände eine (quasi-)kontinuierliche Polarisationseinstellung zu erzielen.According to further embodiments, also light components that are reflected by the mirrors and due to the effect of polarization-influencing arrangement 300 have different polarization directions, are superimposed on each other. One such, in 7 schematically illustrated embodiment is based on the consideration that, for example, by a (in the right and lower part of 7 indicated) superposition of the polarization directions 0 ° and 45 ° (in each case based on the x-axis in the drawn coordinate system) according to vector addition results in a resulting polarization direction below 22.5 °. A corresponding superimposition can also take place continuously or with continuously varying intensity proportions of light with different polarization directions, so that the finally generated illumination setting has a continuous transition between the adjacent polarization directions. In other words, the mirror arrangement is used to achieve (quasi) continuous polarization adjustment by superimposing discrete states of polarization.

Bei der vorstehend beschriebenen Überlagerung ist zu beachten, dass sich ein unpolarisierter Beitrag aufgrund der sich addierenden orthogonal polarisierten Lichtanteile ergibt, was zu einer Reduzierung des erreichbaren IPS-Wertes führt. Mit IPS-Wert wird hierbei der Grad der Verwirklichung eines gewünschten Polarisationszustandes an einem bestimmten Ort bezeichnet. Dabei ist IPS die Abkürzung für „Intensity in Preferred State”, und der IPS-Wert gibt das energetische Verhältnis der Lichtintensität in der Sollrichtung (die z. B. mit einem idealen Polarisator, dessen Durchlassrichtung in die Sollrichtung eingestellt ist, gemessen werden kann) zur Gesamtintensität an. Quantitativ ergibt sich ausgehend von 7, also bei Erzeugung von insgesamt acht Polarisationszuständen mittels der Kombination aus polarisationsbeeinflussender optischer Anordnung und Spiegelanordnung, für den Fall einer Überlagerung der Polarisationsrichtungen 0° und 22.5° ein IPS-Wert von etwa 96%. Zum Vergleich ergibt sich ausgehend von 3, also bei Erzeugung insgesamt vier Polarisationszuständen mittels der Kombination aus polarisationsbeeinflussender optischer Anordnung und Spiegelanordnung, für den Fall einer Überlagerung der Polarisationsrichtungen 0° und 45° ein IPS-Wert von etwa 85%.In the overlay described above, it should be noted that there is an unpolarized contribution due to the adding orthogonal polarized light components, resulting in a reduction of the achievable IPS value. IPS value refers to the degree of realization of a desired polarization state at a specific location. Where IPS is the abbreviation for Intensity in Preferred State, and the IPS value is the energy ratio of the light intensity in the desired direction (which can be measured, for example, with an ideal polarizer whose direction of passage is set in the desired direction). to the total intensity. Quantitatively, starting from 7 Thus, when generating a total of eight polarization states by means of the combination of polarization-influencing optical arrangement and mirror arrangement, in the case of a superposition of the polarization directions 0 ° and 22.5 °, an IPS value of about 96%. For comparison, starting from 3 Thus, when generating a total of four polarization states by means of the combination of polarization-influencing optical arrangement and mirror arrangement, in the case of a superposition of the polarization directions 0 ° and 45 °, an IPS value of about 85%.

Gemäß weiteren, im Folgenden anhand von 8 und 9 beschriebenen Ausführungsformen kann das optische System auch mehr als zwei Lambda/2-Platten aufweisen. Allgemein umfasst die vorliegende Erfindung Anordnungen mit beliebiger Anzahl (≥ 2) von Lambda/2-Platten mit beliebiger Orientierung der schnellen Achse der Doppelbrechung.As further described below 8th and 9 described embodiments, the optical system may also have more than two lambda / 2 plates. In general, the present invention includes arrays of any number (≥ 2) of lambda / 2 plates with any orientation of the fast axis of birefringence.

Gemäß 8 können durch Verwendung von drei Lambda/2-Platten 810, 820, 830 vier Polarisationszustände eingestellt werden, welche sich hinsichtlich der jeweils erzeugten Ausgangspolarisationsrichtung schrittweise um jeweils 45°. unterscheiden. Wie aus dem rechten Teil von 8 ersichtlich ist, kann durch die vorstehend beschriebene Überlagerung wiederum eine kontinuierliche Polarisationsverteilung erhalten werden, da über den Azimutwinkel das Intensitätsverhältnis zwischen den von jeweils zwei Spiegeln mit jeweils anderen, „zugeordneten” Polarisationszuständen reflektierten Lichtanteilen kontinuierlich geändert und somit die Polarisationsrichtung gedreht wird.According to 8th can by using three lambda / 2 plates 810 . 820 . 830 four polarization states are set, which with respect to the output polarization direction respectively generated stepwise by 45 °. differ. As from the right part of 8th can be seen, can be obtained by the overlay again described above, a continuous polarization distribution, since the azimuth angle, the intensity ratio between the two mirrors each with other, "associated" polarization states reflected light components continuously changed and thus the polarization direction is rotated.

Die für das Ausführungsbeispiel von 8 eingestellten Orientierungen der Lambda/2-Platten sowie die jeweils erzielten Polarisationsrichtungen sind aus Tabelle 1 ersichtlich. Tabelle 1: Platte m Drehwinkel (°) schnelle Achse (°) Polarisation hinter Platte (°) 0 0 1 45 22.5 45 2 45 67.5 90 3 45 112.5 135 The for the embodiment of 8th set orientations of the lambda / 2 plates and the respective polarization directions obtained are shown in Table 1. Table 1: Plate m Rotation angle (°) fast axis (°) Polarization behind plate (°) 0 0 1 45 22.5 45 2 45 67.5 90 3 45 112.5 135

Gemäß 9 können durch Verwendung von sieben Lambda/2-Platten 910, 920, 930, ... acht Polarisationszustände eingestellt werden, welche sich hinsichtlich der jeweils erzeugten Ausgangspolarisationsrichtung schrittweise um jeweils 22.5° unterscheiden bzw. bei denen die Polarisationsrichtung des aus der jeweiligen Lambda/2-Platte austretenden Lichtbündels in einem Winkel verläuft, der ein ganzzahliges Vielfaches von 22.5° beträgt. Konkret verläuft in der ersten Lambda/2-Platte 910 die schnelle Achse unter einem Winkel von 11.25° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 900 auftreffenden Lichtbündels, in der zweiten Lambda/2-Platte 920 verläuft die schnelle Achse unter einem Winkel von 11.25° + 22.5° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 900 auftreffenden Lichtbündels, und in der n-ten Lambda/2-Platte verläuft die schnelle Achse unter einem Winkel von 11.25° + (n – 1)·22.5° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 900 auftreffenden Lichtbündels.According to 9 can by using seven lambda / 2 plates 910 . 920 . 930 , ... eight polarization states are set, which differ stepwise with respect to the output polarization direction respectively generated by 22.5 ° or in which the polarization direction of the emerging from the respective lambda / 2 plate light beam at an angle which is an integer multiple of 22.5 ° is. Concretely runs in the first lambda / 2 plate 910 the fast axis at an angle of 11.25 ° to the polarization preferred direction P of the arrangement 900 incident light beam, in the second lambda / 2 plate 920 The fast axis is at an angle of 11.25 ° + 22.5 ° to the polarization preferred direction P of the arrangement 900 incident light beam, and in the n-th lambda / 2 plate, the fast axis is at an angle of 11.25 ° + (n - 1) · 22.5 ° to the polarization preferred direction P of the arrangement 900 incident light beam.

Mit anderen Worten verläuft in den Lambda/2-Platten 910, 920, 930, ... jeweils die schnelle Achse der Doppelbrechung unter einem Winkel von 11.25° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die betreffende Lambda/2-Platte jeweils auftreffenden Lichtbündels, so dass jeder Drehwinkel um weitere 22.5° sich infolge Spiegelung an der jeweiligen schnellen Achse ergibt.In other words, runs in the lambda / 2 plates 910 . 920 . 930 , ... in each case the fast axis of birefringence at an angle of 11.25 ° to the polarization preferred direction P of the light beam impinging on the relevant lambda / 2 plate, so that each rotation angle results in a further 22.5 ° due to reflection at the respective fast axis.

Die für das Ausführungsbeispiel von 9 eingestellten Orientierungen der Lambda/2-Platten sowie die jeweils erzielten Polarisationsrichtungen sind aus Tabelle 2 ersichtlich. Tabelle 2: Platte m Drehwinkel (°) schnelle Achse (°) Polarisation hinter Platte (°) 0 0 1 22.5 11.25 22.5 2 22.5 33.75 45 3 22.5 56.25 67.5 4 22.5 78.75 90 5 22.5 101.25 112.5 6 22.5 123.75 135 7 22.5 146.25 157.5 The for the embodiment of 9 set orientations of the lambda / 2 plates and the respective polarization directions obtained are shown in Table 2. Table 2: Plate m Rotation angle (°) fast axis (°) Polarization behind plate (°) 0 0 1 22.5 11:25 22.5 2 22.5 33.75 45 3 22.5 56.25 67.5 4 22.5 78.75 90 5 22.5 101.25 112.5 6 22.5 123.75 135 7 22.5 146.25 157.5

Auch hier kann durch die zuvor beschriebene Überlagerung im Ergebnis wiederum eine kontinuierliche Polarisationsverteilung erhalten werden, wobei ein vergleichsweise hoher IPS-Wert (im Beispiel ein IPS-Wert von etwa 96%) erzielt werden kann, da etwa im Vergleich zur Anordnung von 7 der Anteil an Depolarisation infolge Überlagerung der orthogonalen Polarisationszustände reduziert werden kann.Again, by the above-described superposition, a continuous polarization distribution can again be obtained, with a comparatively high IPS value (an IPS value of about 96% in the example) being achieved, as compared to the arrangement of FIG 7 the proportion of depolarization due to superposition of the orthogonal polarization states can be reduced.

Allgemein wird bei einer Anzahl n Lambda/2-Platten der Drehwinkel jeder Lambda/2-Platte zu 360°/(n + 1)/2 gewählt, wobei die schnellen Achsen jeweils unterschiedlich orientiert sind und wobei die Orientierung schnellen Achse der m-ten Lambda/2-Platte (m – 1)·360°/(n + 1)/2 + 360°/(n + 1)/4 gegeben ist. Die sich hinter der m-ten Lambda/2-Platte ergebende Polarisationsdrehung beträgt dann (m)·360°/(n + 1)/2.Generally, with a number n of lambda / 2 plates, the rotation angle of each lambda / 2 plate is chosen to be 360 ° / (n + 1) / 2, with the fast axes respectively oriented differently and with the fast axis orientation of the mth Lambda / 2-plate (m-1) x 360 ° / (n + 1) / 2 + 360 ° / (n + 1) / 4. The polarization rotation resulting behind the mth lambda / 2 plate is then (m) * 360 ° / (n + 1) / 2.

Die Lambda/2-Platten in den unter Bezugnahme auf 8 und 9 beschriebenen Ausführungsformen können analog zu den zuvor beschriebenen Ausführungsformen in ihrer Relativposition zueinander verstellbar angeordnet sein. Insoweit wird auf die vorangehenden Ausführungen im Zusammenhang mit 3ff Bezug genommen.The lambda / 2 plates in the referring to 8th and 9 described embodiments can be arranged to be adjustable relative to the embodiments described above in their relative position to each other. In that regard, it is related to the preceding remarks 3f f.

Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.While the invention has been described with reference to specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments will become apparent to those skilled in the art. B. by combination and / or exchange of features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be embraced by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • WO 2005/026843 A2 [0003] WO 2005/026843 A2 [0003]
  • WO 2005/069081 A2 [0004, 0058, 0058] WO 2005/069081 A2 [0004, 0058, 0058]
  • WO 2005/031467 A2 [0004] WO 2005/031467 A2 [0004]
  • US 6191880 B1 [0004] US 6191880 B1 [0004]
  • US 2007/0146676 A1 [0004] US 2007/0146676 A1 [0004]
  • WO 2009/034109 A2 [0004] WO 2009/034109 A2 [0004]
  • WO 2008/019936 A2 [0004] WO 2008/019936 A2 [0004]
  • WO 2009/100862 A1 [0004] WO 2009/100862 A1 [0004]
  • DE 102008009601 A1 [0004] DE 102008009601 A1 [0004]
  • DE 102004011733 A1 [0004] DE 102004011733 A1 [0004]

Claims (24)

Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit • wenigstens einer Spiegelanordnung (200), welche eine Mehrzahl von Spiegelelementen aufweist, die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind; und • einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung (300, 800, 900) aus einer ersten Lambda/2-Platte (310, 810, 910) und wenigstens einer zweiten Lambda/2-Platte (320, 920, 930).Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, with at least one mirror arrangement ( 200 ) having a plurality of mirror elements which are independently adjustable to change an angular distribution of the reflected light from the mirror assembly; and a polarization-influencing optical arrangement ( 300 . 800 . 900 ) from a first lambda / 2 plate ( 310 . 810 . 910 ) and at least one second lambda / 2 plate ( 320 . 920 . 930 ). Optisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Lambda/2-Platte (310) und die zweite Lambda/2-Platte (320) bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung hintereinander im optischen System angeordnet sind.Optical system according to claim 1, characterized in that the first lambda / 2 plate ( 310 ) and the second lambda / 2 plate ( 320 ) are arranged one behind the other in the optical system with respect to the light propagation direction. Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Lambda/2-Platte (310) und die zweite Lambda/2-Platte (320) in ihrer Relativposition zueinander verstellbar sind.Optical system according to claim 1 or 2, characterized in that the first lambda / 2 plate ( 310 ) and the second lambda / 2 plate ( 320 ) are adjustable in their relative position to each other. Optisches System nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstellbarkeit der ersten Lambda/2-Platte (310) und der zweiten Lambda/2-Platte (320) in ihrer Relativposition zueinander ein translatorisches Verfahren wenigstens einer der Lambda/2-Platten und/oder eine Rotation wenigstens einer der Lambda/2-Platten umfasst.Optical system according to claim 3, characterized in that the adjustability of the first lambda / 2-plate ( 310 ) and the second lambda / 2 plate ( 320 ) comprises in its relative position to one another a translational method of at least one of the lambda / 2 plates and / or a rotation of at least one of the lambda / 2 plates. Optisches System nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstellbarkeit der ersten Lambda/2-Platte (310) und der zweiten Lambda/2-Platte (320) in ihrer Relativposition zueinander in voneinander verschiedenen, insbesondere in zueinander senkrechten Raumrichtungen durchführbar ist.Optical system according to claim 3 or 4, characterized in that the adjustability of the first lambda / 2 plate ( 310 ) and the second lambda / 2 plate ( 320 ) in their relative position to each other in mutually different, in particular in mutually perpendicular directions in space is feasible. Optisches System nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Lambda/2-Platte (310) und die zweite Lambda/2-Platte (320) relativ zueinander mit einem in Lichtausbreitungsrichtung variablen Überlappungsgrad verstellbar sind.Optical system according to one of claims 3 to 5, characterized in that the first lambda / 2 plate ( 310 ) and the second lambda / 2 plate ( 320 ) are adjustable relative to each other with a variable in the light propagation direction degree of overlap. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Lambda/2-Platte (310) und/oder die zweite Lambda/2-Platte (320) zwischen einer ersten Position, in der sich die jeweilige Lambda/2-Platte vollständig außerhalb des optisch wirksamen Bereichs der Spiegelanordnung (200) befindet, und einer zweiten Position, in der sich die jeweilige Lambda/2-Platte vollständig innerhalb des optisch wirksamen Bereichs der Spiegelanordnung (200) befindet, verstellbar sind.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the first lambda / 2 plate ( 310 ) and / or the second lambda / 2 plate ( 320 ) between a first position in which the respective lambda / 2 plate is completely outside the optically active region of the mirror arrangement ( 200 ) and a second position in which the respective lambda / 2 plate is located completely within the optically active region of the mirror arrangement (FIG. 200 ) are adjustable. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Lambda/2-Platte (310) eine erste schnelle Achse (fa-1) der Doppelbrechung aufweist und die zweite Lambda/2-Platte (320) eine zweite schnelle Achse (fa-2) der Doppelbrechung aufweist, wobei die Orientierungen der ersten schnellen Achse (fa-1) und der zweiten schnellen Achse (fa-2) voneinander verschieden sind.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the first lambda / 2 plate ( 310 ) has a first fast axis (fa-1) of birefringence and the second lambda / 2 plate ( 320 ) has a second fast axis (fa-2) of birefringence, wherein the orientations of the first fast axis (fa-1) and the second fast axis (fa-2) are different from each other. Optisches System nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die erste schnelle Achse (fa-1) und die zweite schnelle Achse (fa-2) in einem Winkel vom 45° ± 5° zueinander angeordnet sind.An optical system according to claim 8, characterized in that the first fast axis (fa-1) and the second fast axis (fa-2) are arranged at an angle of 45 ° ± 5 ° to each other. Optisches System nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die erste schnelle Achse (fa-1) in einem Winkel von 22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung eines auf die Anordnung (300) auftreffenden Lichtbündels verläuft, und die zweite schnelle Achse (fa-2) in einem Winkel von –22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung eines auf die Anordnung (300) auftreffenden Lichtbündels verläuft.Optical system according to claim 8 or 9, characterized in that the first fast axis (fa-1) at an angle of 22.5 ° ± 2 ° to the polarization preferred direction of a on the arrangement ( 300 ) incident light beam, and the second fast axis (fa-2) at an angle of -22.5 ° ± 2 ° to the polarization preferred direction of a on the arrangement ( 300 ) incident light beam passes. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schwingungsebene eines ersten linear polarisierten Lichtstrahls, welcher nur die erste Lambda/2-Platte (310) durchquert, um einen ersten Drehwinkel gedreht wird, und die Schwingungsebene eines zweiten linear polarisierten Lichtstrahls, welcher nur die zweite Lambda/2-Platte (320) durchquert, um einen zweiten Drehwinkel gedreht wird, wobei der erste Drehwinkel von dem zweiten Drehwinkel verschieden ist.Optical system according to one of the preceding claims according to one of the preceding claims, characterized in that the plane of oscillation of a first linearly polarized light beam, which only the first lambda / 2-plate ( 310 ) is rotated through a first rotation angle, and the vibration plane of a second linearly polarized light beam, which only the second lambda / 2 plate ( 320 ) is rotated to a second rotation angle is rotated, wherein the first rotation angle is different from the second rotation angle. Optisches System nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Drehwinkel und der zweite Drehwinkel betragsmäßig übereinstimmen und entgegengesetzte Vorzeichen aufweisen.Optical system according to claim 11, characterized in that the first angle of rotation and the second angle of rotation coincide in magnitude and have opposite signs. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Lambda/2-Platte (310) und die zweite Lambda/2-Platte (320) in einem Überlappungsbereich miteinander einen 90°-Rotator ausbilden. Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the first lambda / 2 plate ( 310 ) and the second lambda / 2 plate ( 320 ) form a 90 ° rotator with each other in an overlapping area. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (300) genau zwei Lambda/2-Platten (310, 320) aufweist.Optical system according to one of claims 1 to 13, characterized in that the polarization-influencing optical arrangement ( 300 ) exactly two lambda / 2 plates ( 310 . 320 ) having. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (800, 900) wenigstens drei, insbesondere wenigstens sieben Lambda/2-Platten (810, 820, 830; 910970) aufweist.Optical system according to one of claims 1 to 13, characterized in that the polarization-influencing optical arrangement ( 800 . 900 ) at least three, in particular at least seven lambda / 2 plates ( 810 . 820 . 830 ; 910 - 970 ) having. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (300, 800, 900) derart einstellbar ist, dass sie in Kombination mit der Spiegelanordnung (200) im Betrieb des optischen Systems eine lineare Polarisationsverteilung mit einer über den Lichtbündelquerschnitt konstanten Polarisationsvorzugsrichtung eines auf die Anordnung auftreffenden Lichtbündels in eine näherungsweise tangentiale Polarisationsverteilung umwandelt.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that the polarization-influencing optical arrangement ( 300 . 800 . 900 ) is adjustable in such a way that, in combination with the mirror arrangement ( 200 ) In operation of the optical system, a linear polarization distribution with a constant over the light beam cross-section polarization preferred direction of an incident on the array light beam in an approximately tangential polarization distribution. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass diese ferner ein polarisationsbeeinflussendes optisches Element (400) aufweist, welches aus einem optisch aktiven Material hergestellt ist und ein variierendes Dickenprofil aufweist.Optical system according to one of the preceding claims, characterized in that it further comprises a polarization-influencing optical element ( 400 ) made of an optically active material and having a varying thickness profile. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung (110) und/oder das Projektionsobjektiv (130) ein optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweisen.Microlithographic projection exposure apparatus comprising a lighting device and a projection lens, wherein the illumination device ( 110 ) and / or the projection lens ( 130 ) comprise an optical system according to one of the preceding claims. Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, bei welchem mittels einer Lichtquelle erzeugtes Licht einer Beleuchtungseinrichtung (10) einer Projektionsbelichtungsanlage zur Beleuchtung einer Objektebene eines Projektionsobjektivs (20) zugeführt wird und bei welchem die Objektebene mittels des Projektionsobjektivs (20) in eine Bildebene des Projektionsobjektivs (20) abgebildet wird, wobei in der Beleuchtungseinrichtung • wenigstens eine Spiegelanordnung (200), welche eine Mehrzahl von Spiegelelementen aufweist, die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind; und • eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (300, 800, 900) aus einer ersten Lambda/2-Platte (310, 810, 910) und wenigstens einer zweiten Lambda/2-Platte (320, 920, 930) eingesetzt werden.Microlithographic exposure method in which light generated by a light source of a lighting device ( 10 ) of a projection exposure apparatus for illuminating an object plane of a projection objective ( 20 ) is supplied and in which the object plane by means of the projection lens ( 20 ) in an image plane of the projection lens ( 20 ), wherein in the illumination device at least one mirror arrangement ( 200 ) having a plurality of mirror elements which are independently adjustable to change an angular distribution of the reflected light from the mirror assembly; and • a polarization-influencing optical arrangement ( 300 . 800 . 900 ) from a first lambda / 2 plate ( 310 . 810 . 910 ) and at least one second lambda / 2 plate ( 320 . 920 . 930 ) are used. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei voneinander verschiedene Beleuchtungssettings durch Änderung der Relativposition der ersten Lambda/2-Platte (310, 810, 910) und der zweiten Lambda/2-Platte (320, 920, 930) eingestellt werden.A method according to claim 19, characterized in that at least two mutually different illumination settings by changing the relative position of the first lambda / 2 plate ( 310 . 810 . 910 ) and the second lambda / 2 plate ( 320 . 920 . 930 ). Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass bei Einstellung wenigstens eines dieser Beleuchtungssettings die erste Lambda/2-Platte (310, 810, 910) und die zweite Lambda/2-Platte (320, 920, 930) derart angeordnet werden, dass diese einander in Lichtausbreitungsrichtung unter Ausbildung wenigstens eines Überlappungsbereichs und wenigstens eines Nicht-Überlappungsbereichs teilweise überlappen.A method according to claim 20, characterized in that when setting at least one of these Beleuchtungssettings the first lambda / 2 plate ( 310 . 810 . 910 ) and the second lambda / 2 plate ( 320 . 920 . 930 ) are arranged such that they partially overlap one another in the light propagation direction to form at least one overlap area and at least one non-overlap area. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass zur Einstellung des wenigstens einen dieser Beleuchtungssettings sowohl der Überlappungsbereich als auch der Nicht-Überlappungsbereich wenigstens partiell ausgeleuchtet werden.A method according to claim 21, characterized in that for adjusting the at least one of these Beleuchtungssettings both the overlap region and the non-overlap region are at least partially illuminated. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei Teilstrahlen, die von unterschiedlichen Spiegelelementen der Spiegelanordnung (200) reflektiert werden und infolge der Wirkung der polarisationsbeeinflussenden Anordnung (300) unterschiedliche Polarisationsrichtungen aufweisen, einander überlagert werden.Method according to one of claims 19 to 22, characterized in that at least two partial beams, the different mirror elements of the mirror assembly ( 200 ) and due to the effect of the polarization-influencing arrangement ( 300 ) have different polarization directions, are superimposed on each other. Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: • Bereitstellen eines Substrats (40), auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist; • Bereitstellen einer Maske (30), die abzubildende Strukturen aufweist; • Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 18; und • Projizieren wenigstens eines Teils der Maske (30) auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage.Process for the microlithographic production of microstructured components comprising the following steps: 40 ) to which is at least partially applied a layer of a photosensitive material; • Providing a mask ( 30 ) having structures to be imaged; Providing a microlithographic projection exposure apparatus according to claim 18; and • projecting at least part of the mask ( 30 ) on an area of the layer by means of the projection exposure apparatus.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012206150B3 (en) * 2012-04-16 2013-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular a microlithographic projection exposure apparatus
DE102012205045A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013202656A1 (en) 2013-02-19 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic exposure method for microlithographic manufacturing of e.g. integrated circuits, involves varying adjustment of mirror elements and arrangement based on comparison of determined distribution with predetermined distribution
DE102012223217B3 (en) * 2012-12-14 2014-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for use in illuminating device illuminating reticle in microlithographic projection exposure system to manufacture e.g. LCDs, has deflection device including reflection surfaces upstream and downstream of mirror arrangement
DE102013201133A1 (en) 2013-01-24 2014-07-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009045223A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement in a projection exposure machine for EUV lithography
CN107479333B (en) 2011-10-24 2020-09-01 株式会社尼康 Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9732934B2 (en) * 2011-10-28 2017-08-15 Nikon Corporation Illumination device for optimizing polarization in an illumination pupil
DE102012200368A1 (en) 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-influencing optical arrangement, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus
DE102012200371A1 (en) 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102012203944A1 (en) * 2012-03-14 2013-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for adjusting an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
US9480529B2 (en) 2012-06-22 2016-11-01 S & Y Enterprises Llc Aesthetic treatment device and method
DE102012217769A1 (en) 2012-09-28 2014-04-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102014217612A1 (en) * 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for the projection lithograph
DE102015209176A1 (en) * 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for EUV projection lithography
DE102017115262B9 (en) * 2017-07-07 2021-05-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for characterizing a mask for microlithography

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6191880B1 (en) 1995-09-23 2001-02-20 Carl-Zeiss-Stiftung Radial polarization-rotating optical arrangement and microlithographic projection exposure system incorporating said arrangement
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
WO2005031467A2 (en) 2003-09-26 2005-04-07 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure
WO2005069081A2 (en) 2004-01-16 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-modulating optical element
DE102004011733A1 (en) 2004-03-04 2005-09-22 Carl Zeiss Smt Ag Transmission filter apparatus
US20070146676A1 (en) 2005-01-21 2007-06-28 Nikon Corporation Method of adjusting lighting optical device, lighting optical device, exposure system, and exposure method
WO2008019936A2 (en) 2006-08-17 2008-02-21 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
WO2009034109A2 (en) 2007-09-14 2009-03-19 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2009100862A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Optcal system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102008040611A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Carl Zeiss Smt Ag Method for modifying a polarization distribution in a microlithographic projection exposure apparatus, and a microlithographic projection exposure apparatus

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1340347A (en) * 1969-12-29 1973-12-12 Nippon Kogaku Kk Optical system
TWI304157B (en) * 2002-11-27 2008-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6975397B2 (en) * 2003-02-27 2005-12-13 Biotools, Inc. Polarization state conversion in optically active spectroscopy
JP2005091539A (en) 2003-09-16 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd Image recording method and device
TWI360158B (en) * 2003-10-28 2012-03-11 Nikon Corp Projection exposure device,exposure method and dev
US20070019179A1 (en) * 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
KR101459157B1 (en) * 2005-10-04 2014-11-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Device and method for influencing the polarization distribution in an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007220767A (en) 2006-02-15 2007-08-30 Canon Inc Exposure apparatus and method of manufacturing device
US7525642B2 (en) 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102007027985A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Optical system, in particular illumination device or projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
US7872731B2 (en) * 2007-04-20 2011-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1036786A1 (en) 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
TWI434143B (en) * 2008-09-22 2014-04-11 Nanya Technology Corp Lithography apparatus
JP5155972B2 (en) 2009-09-10 2013-03-06 日立アプライアンス株式会社 Drum type washer / dryer
DE102011003035A1 (en) 2010-02-08 2011-08-11 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Polarization-influencing optical arrangement, as well as optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
EP2369413B1 (en) * 2010-03-22 2021-04-07 ASML Netherlands BV Illumination system and lithographic apparatus
NL2007306A (en) * 2010-09-23 2012-03-26 Asml Netherlands Bv Source polarization optimization.

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6191880B1 (en) 1995-09-23 2001-02-20 Carl-Zeiss-Stiftung Radial polarization-rotating optical arrangement and microlithographic projection exposure system incorporating said arrangement
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
WO2005031467A2 (en) 2003-09-26 2005-04-07 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure
WO2005069081A2 (en) 2004-01-16 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-modulating optical element
US20070081114A1 (en) * 2004-01-16 2007-04-12 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
DE102004011733A1 (en) 2004-03-04 2005-09-22 Carl Zeiss Smt Ag Transmission filter apparatus
US20070146676A1 (en) 2005-01-21 2007-06-28 Nikon Corporation Method of adjusting lighting optical device, lighting optical device, exposure system, and exposure method
WO2008019936A2 (en) 2006-08-17 2008-02-21 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
WO2009034109A2 (en) 2007-09-14 2009-03-19 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2009100862A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Optcal system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102008009601A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102008040611A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Carl Zeiss Smt Ag Method for modifying a polarization distribution in a microlithographic projection exposure apparatus, and a microlithographic projection exposure apparatus

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012205045A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
US9182677B2 (en) 2012-03-29 2015-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102012206150B3 (en) * 2012-04-16 2013-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular a microlithographic projection exposure apparatus
DE102012206150B9 (en) * 2012-04-16 2014-06-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular a microlithographic projection exposure apparatus
US8891060B2 (en) 2012-04-16 2014-11-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102012223217B3 (en) * 2012-12-14 2014-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for use in illuminating device illuminating reticle in microlithographic projection exposure system to manufacture e.g. LCDs, has deflection device including reflection surfaces upstream and downstream of mirror arrangement
US8917433B2 (en) 2012-12-14 2014-12-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013201133A1 (en) 2013-01-24 2014-07-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2014114494A1 (en) 2013-01-24 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
US9405202B2 (en) 2013-01-24 2016-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013202656A1 (en) 2013-02-19 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic exposure method for microlithographic manufacturing of e.g. integrated circuits, involves varying adjustment of mirror elements and arrangement based on comparison of determined distribution with predetermined distribution

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Publication number Publication date
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US9323156B2 (en) 2016-04-26
KR101491229B1 (en) 2015-02-06
TWI483085B (en) 2015-05-01
WO2011154227A1 (en) 2011-12-15
EP2580625A1 (en) 2013-04-17
CN102939566B (en) 2015-01-21
JP5706519B2 (en) 2015-04-22
JP2013533615A (en) 2013-08-22
TW201214063A (en) 2012-04-01
US20130050673A1 (en) 2013-02-28

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