DE102013221386A1 - POLARIZATION CONTROL IN PROJECTION EXPOSURE EQUIPMENT AND ARRANGEMENTS THEREFOR - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem optischen Element, wobei das optische Element (151) eine Beschichtung aufweist, welche bei Anwesenheit eines äußeren Magnetfelds eine Drehung der Polarisationsebene von elektromagnetischer Strahlung bewirkt, und wobei die Anordnung mindestens eine Vorrichtung (153, 154) zur Erzeugung eines Magnetfelds umfasst, die zumindest teilweise an dem oder den optischen Elementen oder zumindest in der Nähe des oder der optischen Elemente angeordnet ist. Darüber hinaus betrifft die Erfindung eine entsprechende Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage sowie einen Wabenkondensor und einen Facettenspiegel hierfür.The present invention relates to an arrangement for a microlithography projection exposure system with at least one optical element, the optical element (151) having a coating which, in the presence of an external magnetic field, causes the plane of polarization of electromagnetic radiation to rotate, and the arrangement at least one device (153, 154) for generating a magnetic field, which is at least partially arranged on the optical element or elements or at least in the vicinity of the optical element or elements. The invention also relates to a corresponding microlithography projection exposure system and a honeycomb condenser and a facet mirror for this purpose.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION

Die Erfindung betrifft Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie sowie Anordnungen hierfür, insbesondere Facettenspiegel und Wabenkondensoren. The invention relates to projection exposure systems for microlithography and arrangements therefor, in particular facet mirrors and honeycomb condensers.

STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART

Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie dienen der Herstellung von mikrostrukturierten und nanostrukturierten Bauteilen der Elektrotechnik oder Mikrosystemtechnik. An derartige Projektionsbelichtungsanlagen werden hohe Anforderungen bezüglich der Abbildungsgenauigkeit gestellt, um die abzubildenden Strukturen mit hoher Genauigkeit darstellen zu können. Projection exposure systems for microlithography serve the production of microstructured and nanostructured components of electrical engineering or microsystem technology. At such projection exposure systems high demands are placed on the imaging accuracy to represent the structures to be imaged with high accuracy can.

Die Abbildungsleistung wird im hohen Maße auch durch den Polarisationsgrad und die Polarisationsrichtung des verwendeten Arbeitslichts beeinflusst. Entsprechend ist es wichtig die Polarisation in Projektionsbelichtungsanlagen kontrollieren und einstellen zu können, um die Abbildung zu verbessern und Polarisationsartefakte zu vermeiden oder im System zu kompensieren.The imaging performance is also greatly influenced by the degree of polarization and the direction of polarization of the working light used. Accordingly, it is important to be able to control and adjust the polarization in projection exposure equipment to improve imaging and avoid polarization artifacts or to compensate in the system.

Zwar gibt es hierzu bereits entsprechende Lösungsvorschläge, jedoch sind Alternativen zur weiteren Verbesserung weiterhin notwendig, insbesondere im Hinblick darauf, dass die alternativen Lösungen auch bei Arbeitslicht mit immer kleineren Wellenlängen, wie beispielsweise bei Arbeitslicht mit Wellenlängen im Spektrum des EUV (extrem ultraviolett) Lichts oder VUV (vakuum ultraviolett) Lichts eingesetzt werden können. Although there are already appropriate solutions to this, but alternatives for further improvement continue to be necessary, especially in view of the fact that the alternative solutions even at work light with smaller and smaller wavelengths, such as work light with wavelengths in the spectrum of EUV (extreme ultraviolet) light or VUV (vacuum ultraviolet) light can be used.

OFFENBARUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION

AUFGABE DER ERFINDUNGOBJECT OF THE INVENTION

Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage sowie entsprechende Vorrichtungen und Anordnungen hierfür bereitzustellen, mit denen eine effektive Polarisationskontrolle und Einstellung der Polarisation des Arbeitslichts auch bei Projektionsbelichtungsanlagen mit Arbeitslicht im EUV-Wellenlängenspektrum zu ermöglichen. Dabei sollen die entsprechenden Anordnungen und Vorrichtungen einfach aufgebaut sein sowie einfach, zuverlässig und sicher betrieben werden können.It is therefore an object of the present invention to provide a projection exposure apparatus and corresponding devices and arrangements therefor, which enable effective polarization control and adjustment of the polarization of the working light also in projection exposure systems with work light in the EUV wavelength spectrum. The corresponding arrangements and devices should be simple and easy, reliable and safe to operate.

TECHNISCHE LÖSUNGTECHNICAL SOLUTION

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Anordnung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit den Merkmalen des Anspruchs 1, einer entsprechenden Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 8 sowie einem Wabenkondensor nach Anspruch 11 und einem Facettenspiegel für entsprechende Projektionsbelichtungsanlagen nach Anspruch 12 sowie einem Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 14. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.This object is achieved by an arrangement for a microlithography projection exposure apparatus having the features of claim 1, a corresponding projection exposure apparatus according to claim 8 and a honeycomb condenser according to claim 11 and a facet mirror for corresponding projection exposure apparatuses according to claim 12 and a method for operating a projection exposure apparatus according to claim 14 Advantageous embodiments are the subject of the dependent claims.

Die vorliegende Erfindung macht sich die Erkenntnis zu Nutze, dass gemäß dem Farady-Effekt und insbesondere dem Giant-Faraday-Effekt bei einer Wechselwirkung von elektromagnetischer Strahlung mit einem diese Effekte zeigenden Material unter Einfluss eines äußeren Magnetfelds eine Drehung der Polarisationsebene erreicht werde kann. Entsprechend wird vorgeschlagen auf mindestens einem optischen Element für eine Projektionsbelichtungsanlage eine Beschichtung vorzusehen, welche bei Anwesenheit eines äußeren Magnetfelds eine Drehung der Polarisationsebene von auftreffender elektromagnetischer Strahlung, also des Arbeitslichts der Projektionsbelichtungsanlage bewirkt. Zusätzlich wird eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Magnetfelds an dem optischen Element oder zumindest in der Nähe des optischen Elements vorgeschlagen, mit der ein entsprechendes Magnetfeld erzeugt werden kann. The present invention takes advantage of the finding that according to the Farady effect and in particular the giant Faraday effect in an interaction of electromagnetic radiation with a material showing these effects, a rotation of the polarization plane can be achieved under the influence of an external magnetic field. Accordingly, it is proposed to provide a coating on at least one optical element for a projection exposure apparatus which, in the presence of an external magnetic field, causes a rotation of the plane of polarization of impinging electromagnetic radiation, that is to say the working light of the projection exposure apparatus. In addition, a device is proposed for generating a magnetic field at the optical element or at least in the vicinity of the optical element, with which a corresponding magnetic field can be generated.

Die Beschichtung des optischen Elements mit einem magnetooptisch wirksamen Materials kann mit einer Schichtdicke von kleiner oder gleich 2 µm, insbesondere kleiner oder gleich 1 µm und vorzugsweise im Bereich von 10 nm bis 500 nm erfolgen.The coating of the optical element with a magneto-optically active material can be carried out with a layer thickness of less than or equal to 2 μm, in particular less than or equal to 1 μm and preferably in the range of 10 nm to 500 nm.

Das Material für die Beschichtung kann aus einem Material gewählt werden, welches eine auf das Arbeitslicht der Projektionsbelichtungsanlage abgestimmte Bandstruktur und insbesondere eine entsprechende Bandlücke aufweist, um den Giant-Faraday-Effekt zu zeigen. The material for the coating may be selected from a material having a band structure tuned to the working light of the projection exposure equipment, and in particular a corresponding bandgap to show the Giant Faraday effect.

Darüber hinaus kann das Beschichtungsmaterial eine hohe Elektronenmobilität aufweisen, die insbesondere größer oder gleich 500 cm2/Vs, vorzugsweise größer oder gleich 1000 cm2/Vs vorzugsweise größer oder gleich 5000 cm2/Vs sein kann. In addition, the coating material may have a high electron mobility, which may in particular be greater than or equal to 500 cm 2 / Vs, preferably greater than or equal to 1000 cm 2 / Vs, preferably greater than or equal to 5000 cm 2 / Vs.

Das Beschichtungsmaterial kann beispielsweise aus Aluminiumnitrid oder einer dünnen Nickel- oder Niickellegierungsschicht mit einer Schichtdicke von einigen 10 nm gebildet sein. The coating material may for example be formed of aluminum nitride or a thin nickel or Niickelellegierungsschicht with a layer thickness of several 10 nm.

Die Beschichtung mit dem magnetooptischen Material kann an einem einzelnen optischen Element erfolgen oder es können eine Vielzahl von optischen Elementen entsprechend beschichtet sein. Insbesondere können optische Elemente, wie Spiegel eines Spiegelfeldes (Spiegelarrays), z.B. Spiegel einer Mikrospiegelanordnung (MMA micro mirror array), oder optischen Linsen eines Linsenarrays entsprechend beschichtet sein. The coating with the magneto-optic material may be on a single optical element or a variety of optical Be coated accordingly elements. In particular, optical elements, such as mirrors of a mirror array (mirror arrays), for example mirrors of a micromirror arrangement (MMA micro mirror array), or optical lenses of a lens array can be correspondingly coated.

Die Vorrichtung zur Erzeugung eines Magnetfelds kann bei mehreren optischen Elementen mit einer magnetooptischen Beschichtung so ausgebildet sein, dass für einzelne oder Gruppen von optische Elementen oder jedes optische Element ein individuelles Magnetfeld erzeugbar ist oder dass für die entsprechenden optischen Elemente jeweils ein eigene Vorrichtung zur Erzeugung eines Magnetfelds vorgesehen ist. Aufgrund der einfachen Schaltbarkeit kann die Vorrichtung zur Erzeugung eines Magnetfelds insbesondere Elektromagneten umfassen. The device for generating a magnetic field can be formed in a plurality of optical elements with a magneto-optical coating so that for individual or groups of optical elements or each optical element, an individual magnetic field can be generated or that for the corresponding optical elements each have their own device for generating a Magnetic field is provided. Due to the simple switchability, the device for generating a magnetic field may in particular comprise electromagnets.

Insbesondere kann die Erfindung durch einen Wabenkondensor oder einen Facettenspiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage verwirklicht sein. Insbesondere kann es sich hierbei um Pupillenwaben oder Pupillenfacetten handeln.In particular, the invention can be realized by a honeycomb condenser or a facet mirror for a projection exposure apparatus. In particular, these may be pupil honeycombs or pupil facets.

Bei Verwendung einer Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem optischen Element, welches eine Beschichtung aufweist, die bei Anwesenheit eines äußeren Magnetfelds eine Drehung der Polarisationsebene von elektromagnetischer Strahlung ermöglicht, kann durch die Veränderung des Magnetfelds, insbesondere das Ein- und Ausschalten des Magnetfelds, die Polarisationseinstellung verändert bzw. eine Polarisationskontrolle durchgeführt werden. When using a projection exposure apparatus with at least one optical element, which has a coating which allows rotation of the polarization plane of electromagnetic radiation in the presence of an external magnetic field, the polarization setting can be changed or changed by changing the magnetic field, in particular switching the magnetic field on and off a polarization control is performed.

Die einstellbaren Magnetfelder können hierbei Magnetfeldstärken im Bereich von beispielsweise 100 mT bis 500 mT aufweisen. The adjustable magnetic fields can in this case have magnetic field strengths in the range of, for example, 100 mT to 500 mT.

KURZBESCHREIBUNG DER FIGURENBRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES

Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise in The accompanying drawings show in a purely schematic manner in FIG

1 eine Darstellung einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, in der die vorliegende Erfindung verwirklicht werden kann; 1 a representation of an EUV projection exposure apparatus in which the present invention can be realized;

2 eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen Facettenspiegel in Form einer Mehrfachspiegelanordnung (MMA micro mirror array); 2 a plan view of a facet mirror according to the invention in the form of a multi-mirror array (MMA micro mirror array);

3 eine Seitenansicht einer Spiegelfacette aus 2; 3 a side view of a mirror facet 2 ;

4 eine Darstellung einer VUV-Projektionsbelichtungsanlage, in der die vorliegende Erfindung verwirklicht werden kann; und in 4 a representation of a VUV projection exposure apparatus in which the present invention can be realized; and in

5 eine Darstellung eines erfindungsgemäßen Wabenkondensors. 5 an illustration of a honeycomb condenser according to the invention.

AUSFÜHRUNGSBEISPIELEEMBODIMENTS

Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der beigefügten Zeichnungen deutlich. Die Erfindung ist aber nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt. Further advantages, characteristics and features of the present invention will become apparent in the following detailed description of embodiments with reference to the accompanying drawings. The invention is not limited to these embodiments.

Die 1 zeigt eine Ausgestaltung einer erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage 1 mit einer Beleuchtungsoptik 3 und einer Projektionsoptik 5. Die Beleuchtungsoptik 3 umfasst dabei ein erstes optisches Element 7 mit einer Mehrzahl von reflektiven ersten Facettenelementen 9 und ein zweites optisches Element 11 mit einer Mehrzahl von zweiten reflektiven Facettenelementen 13. Im Lichtweg nach dem zweiten optischen Element 11 sind ein erster Teleskopspiegel 15 und ein zweiter Teleskopspiegel 17 angeordnet, die beide unter senkrechtem Einfall betrieben werden, d.h. die Strahlung trifft unter einem Einfallswinkel zwischen 0° und 45° auf beide Spiegel. Unter dem Einfallswinkel wird dabei der Winkel zwischen einfallender Strahlung und der Normalen zur reflektiven optischen Fläche verstanden. Nachfolgend im Strahlengang ist ein Umlenkspiegel 19 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf das Objektfeld 21 in der Objektebene 23 lenkt. Der Umlenkspiegel 19 wird unter streifendem Einfall betrieben, d.h. die Strahlung trifft unter einem Einfallswinkel zwischen 45° und 90° auf den Spiegel. The 1 shows an embodiment of a projection exposure apparatus according to the invention 1 with a lighting look 3 and a projection optics 5 , The illumination optics 3 comprises a first optical element 7 with a plurality of reflective first facet elements 9 and a second optical element 11 with a plurality of second reflective facet elements 13 , In the light path after the second optical element 11 are a first telescope mirror 15 and a second telescope mirror 17 arranged, both of which are operated under normal incidence, ie the radiation impinges at an angle of incidence between 0 ° and 45 ° on both mirrors. The angle of incidence is understood to mean the angle between incident radiation and the normal to the reflective optical surface. Following in the beam path is a deflection mirror 19 arranged, the radiation striking him on the object field 21 in the object plane 23 directs. The deflection mirror 19 is operated under grazing incidence, ie the radiation hits the mirror at an angle of incidence between 45 ° and 90 °.

Am Ort des Objektfeldes 21 ist eine reflektive, strukturtragende Maske angeordnet, die mit Hilfe der Projektionsoptik 5 in die Bildebene 25 abgebildet wird. Die Projektionsoptik 5 umfasst sechs Spiegel 27, 29, 31, 33, 35 und 37. Alle sechs Spiegel der Projektionsoptik 5 weisen jeweils eine reflektive, optische Fläche auf, die entlang einer um die optische Achse 39 rotationssymmetrischen Fläche verläuft. At the place of the object field 21 is a reflective, pattern-bearing mask arranged using the projection optics 5 into the picture plane 25 is shown. The projection optics 5 includes six mirrors 27 . 29 . 31 . 33 . 35 and 37 , All six mirrors of the projection optics 5 each have a reflective, optical surface along one about the optical axis 39 rotationally symmetric surface extends.

Die Projektionsbelichtungsanlage nach 1 umfasst ferner eine Lichtquelleneinheit 43, die Strahlung auf das erste optische Element 7 lenkt. Die Lichtquelleneinheit 43 umfasst dabei ein Quellpalasma 45 und einen Kollektorspiegel 47. Die Lichtquelleneinheit 43 kann in verschiedenen Ausführungsformen ausgebildet sein. Dargestellt ist eine Laserplasmaquelle (LPP Laser Pulsed Plasma). Bei diesem Quelltyp wird ein eng begrenztes Quellplasma 45 erzeugt, indem ein kleines Materialtröpfchen mit einem Tröpfchengenerator 49 hergestellt wird und an einen vorbestimmten Ort verbracht wird. Dort wird das Materialtröpfchen mit einem hochenergetischen Laser 51 bestrahlt, so dass das Material in einen Plasmazustand übergeht und Strahlung im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 15 nm emittiert. Der Laser 51 kann dabei so angeordnet sein, dass die Laserstrahlung durch eine Öffnung 53 in dem Kollektorspiegel fällt, bevor sie auf das Materialtröpfchen trifft. Als Laser 51 kommt z.B. ein Infrarotlaser mit der Wellenlänge 10 µm zum Einsatz. The projection exposure system according to 1 further comprises a light source unit 43 , the radiation on the first optical element 7 directs. The light source unit 43 includes a source palma 45 and a collector mirror 47 , The light source unit 43 may be formed in various embodiments. Shown is a laser plasma source (LPP laser pulsed plasma). This source type becomes a narrow source plasma 45 generated by placing a small droplet of material with a droplet generator 49 is made and placed in a predetermined location. There, the material droplets with a high-energy laser 51 irradiated, so that the material passes into a plasma state and emits radiation in the wavelength range of 5 nm to 15 nm. The laser 51 can be arranged so that the laser radiation through an opening 53 in the collector mirror falls before it hits the droplets of material. As a laser 51 comes, for example, an infrared laser with the wavelength 10 μm used.

Die 2 zeigt in einer rein schematischen Darstellung in einer Draufsicht einen Facettenspiegel 60, wie er beispielsweise als erstes optisches Element 7 oder als zweites optisches Element 11 in der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 1 der 1 eingesetzt werden kann. Die Darstellung der 2 ist hierbei rein schematisch zur Verdeutlichung, dass eine Vielzahl von Spiegelfacetten 61 in Reihen und Spalten nebeneinander und übereinander angeordnet sind, um ein Mehrfachspiegelfeld bzw. Mikrospiegelfeld (micro mirror array MMA) zu bilden. Die Form der Spiegelfacetten 61 kann sich ebenso wie die Anzahl und Anordnung der Spiegelfacetten 61 von der in 2 gezeigten Darstellung unterscheiden. Beispielsweise können die Spiegelfacetten gekrümmt sein und eine längliche Form aufweisen oder jede andere beliebige geeignete Form annehmen. The 2 shows in a purely schematic representation in a plan view of a facet mirror 60 as, for example, as the first optical element 7 or as a second optical element 11 in the EUV projection exposure system 1 of the 1 can be used. The presentation of the 2 Here is purely schematic to illustrate that a variety of mirror facets 61 arranged in rows and columns next to each other and one above the other to form a multi-mirror array (micro mirror array MMA). The shape of the mirror facets 61 can be as well as the number and arrangement of the mirror facets 61 from the in 2 distinguish shown representation. For example, the mirror facets may be curved and elongated in shape or take any other suitable shape.

Die Spiegelfacetten 61 können insbesondere um eine oder vorzugsweise zwei senkrecht zueinander angeordnete Achsen verschwenkbar gelagert sein, sodass die einzelnen Spiegelfacetten 61 unterschiedliche Orientierungen und Ausrichtungen annehmen können. The mirror facets 61 can in particular be mounted pivotably about one or preferably two mutually perpendicular axes, so that the individual mirror facets 61 different orientations and orientations can take.

In 3 ist eine Spiegelfacette 61 in einer rein schematischen Seitenansicht dargestellt, wobei die Spiegelfacette 61 einen Spiegelkörper 62 aufweist, auf dem die erfindungsgemäße Beschichtung 63 abgeschieden ist. Der Spiegelkörper 62 ist auf einem Stab 64 gelagert, der über ein Festkörpergelenk (nicht dargestellt) schwenkbar an einer Grundplatte angeordnet sein kann, um die Verschwenkbarkeit der Spiegelfacetten zu ermöglichen.In 3 is a mirror facet 61 shown in a purely schematic side view, wherein the mirror facet 61 a mirror body 62 having on which the coating according to the invention 63 is deposited. The mirror body 62 is on a wand 64 mounted, which (not shown) via a solid-state joint can be pivotally mounted on a base plate to allow the pivotability of the mirror facets.

Um den Stab 64 ist eine Spule 65 angeordnet, die zusammen mit dem metallischen Stab 64 als Kern einen Elektromagneten bildet, mit dessen Hilfe ein Magnetfeld im Bereich der Beschichtung 63 erzeugt werden kann, sodass das Beschichtungsmaterial 63 bei eingeschaltetem Elektromagneten den sogenannten Giant-Faraday-Effekt zeigen kann. Bei einfallender elektromagnetischer Strahlung im EUV-Wellenlängenspektrum wird somit bei der Reflexion des EUV-Lichts durch die Spiegelfacette 61 eine Drehung der Polarisationsebene bewirkt. Around the bar 64 is a coil 65 arranged along with the metallic rod 64 as the core forms an electromagnet, with the help of which a magnetic field in the region of the coating 63 can be generated, so that the coating material 63 can show the so-called Giant Faraday effect when the electromagnet is switched on. For incident electromagnetic radiation in the EUV wavelength spectrum is thus in the reflection of the EUV light through the mirror facet 61 causes a rotation of the polarization plane.

Damit lässt sich mit einem entsprechenden Facettenspiegel 60 eine vielfältige Manipulation der EUV-Strahlung in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage verwirklichen, da nicht nur mit den kippbaren Spiegelfacetten 61 eine entsprechende Strahlformung vorgenommen werden kann, sondern zusätzlich durch das entsprechende Ein- und Ausschalten der Elektromagnete 64, 65 für jede einzelne Spiegelfacette 61 auch eine Einstellung der Polarisation bzw. eine Polarisationskontrolle realisieren lässt. This can be done with a corresponding facet mirror 60 realize a versatile manipulation of EUV radiation in an EUV projection exposure system, not only with the tiltable mirror facets 61 a corresponding beam shaping can be made, but in addition by the corresponding switching on and off of the electromagnets 64 . 65 for every single mirror facet 61 also a setting of the polarization or a polarization control can be realized.

Die 4 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel einer Projektionsbelichtungsanlage die beispielsweise mit Arbeitslicht im VUV- oder DUV-Wellenlängenspektrum (DUV deep ultra violet) betrieben werden kann, beispielsweise mit elektromagnetischer Strahlung bzw. Licht mit einer Wellenlänge von 193 nm oder 157 nm.The 4 shows a second embodiment of a projection exposure system which can be operated, for example, with work light in the VUV or DUV wavelength spectrum (DUV deep ultra violet), for example, with electromagnetic radiation or light having a wavelength of 193 nm or 157 nm.

Die Projektionsbelichtungsanlage 100 weist eine Lichtquelleneinheit 101 auf, von der das Licht über einen Wabenkondensor 102 auf ein variabel einstellbares Pupillenformungselement in Form einer Mikrospiegelanordnung (MMA) 103 trifft, an die sich eine optische Einheit 104 anschließt, die ein Zoom-Objektiv sowie ein Axikon und einen Umlenkspiegel 104a aufweist. Nach einer ersten Pupillenebene P1 ist ein Wabenkondensor 105 angeordnet, an den sich eine Linsengruppe 107 anschließt. Hinter der Linsengruppe 107 befinden sich eine Feldebene F1 mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) und ein REMA-Objektiv 108, in welchem sich eine zweite Pupillenebene P2 befindet. In der zweiten Feldebene F2 ist das Retikel 110 angeordnet, welches durch das nachfolgende Projektionsobjektiv 109 auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht versehenes Substrat 112 abgebildet wird.The projection exposure machine 100 has a light source unit 101 on, from which the light over a honeycomb condenser 102 to a variably adjustable pupil-shaping element in the form of a micromirror arrangement (MMA) 103 meets, to which an optical unit 104 which includes a zoom lens as well as an axicon and a deflecting mirror 104a having. After a first pupil plane P1 is a honeycomb condenser 105 arranged on which a lens group 107 followed. Behind the lens group 107 There is a field plane F1 with a reticle masking system (REMA) and a REMA lens 108 in which there is a second pupil plane P2. In the second field level F2 is the reticle 110 arranged, which by the subsequent projection lens 109 on a substrate provided with a photosensitive layer 112 is shown.

Die 5 zeigt in einer rein schematischen Darstellung einen Teil eines Wabenkondensors 150, wie er beispielsweise in der Projektionsbelichtungsanlage 100 der 4 eingesetzt werden kann. Ein derartiger Wabenkondensor 150 kann aus zwei beabstandeten Anordnungen einer Vielzahl von Linsen 151 gebildet werden, wobei in jeder beabstandeten Anordnung aus Linsen eine Vielzahl von optischen Linsen übereinander und nebeneinander in der Art eines Rasters oder Gitters angeordnet sein können. Zumindest ein Teil der Linsen 151 kann eine Beschichtung 152 aufweisen, deren Material wiederum so gewählt ist, dass bei dem entsprechenden Arbeitslicht der Projektionsbelichtungsanlage eine Drehung der Polarisationsebene bewirkt wird, wenn ein äußeres Magnetfeld überlagert wird. Hierzu ist eine Vorrichtung zur Erzeugung von jeweils individuellen Magnetfeldern für die einzelnen Linsen 151 vorgesehen, die im Bereich jeder einzelnen Linse ein oder mehrere Elektromagnete 153 sowie eine entsprechende Steuerungs- und Regelungseinheit 154 aufweist, mit deren Hilfe definiert die einzelnen Elektromagneten 153 erregt werden können. Damit lässt sich bei einem entsprechenden Wabenkondensor die Polarisationseinstellung bzw. Polarisationskontrolle für jede einzelne Linse 151 realisieren.The 5 shows in a purely schematic representation of a part of a honeycomb condenser 150 such as in the projection exposure machine 100 of the 4 can be used. Such a honeycomb condenser 150 may consist of two spaced arrangements of a plurality of lenses 151 can be formed, wherein in each spaced array of lenses, a plurality of optical lenses can be arranged one above the other and next to each other in the manner of a grid or grid. At least part of the lenses 151 can be a coating 152 whose material is in turn chosen so that in the corresponding working light of the projection exposure system, a rotation of the polarization plane is effected when an external magnetic field is superimposed. For this purpose, a device for generating individual magnetic fields for the individual lenses 151 provided in the range of each individual lens one or more electromagnets 153 as well as a corresponding control unit 154 has, with their help defines the individual electromagnets 153 can be excited. This allows for a corresponding honeycomb condenser polarization adjustment or polarization control for each lens 151 realize.

Obwohl mit der Beschreibung der Ausführungsbeispiele diese detailliert dargestellt worden sind, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden können, ohne dass der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche verlassen wird. Die Offenbarung der vorliegenden Erfindung schließt sämtliche Kombinationen der vorgestellten Einzelmerkmale mit ein.Although the description of the embodiments has been presented in detail, it will be understood by those skilled in the art that the invention is not limited to these embodiments, but rather modifications are possible in such a way that individual features can be omitted or other combinations of features can be realized without departing from the scope of the appended claims. The disclosure of the present invention includes all combinations of the featured individual features.

Claims (14)

Anordnung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem optischen Element, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (61, 151) eine Beschichtung aufweist, welche bei Anwesenheit eines äußeren Magnetfelds eine Drehung der Polarisationsebene von elektromagnetischer Strahlung bewirkt, und dass die Anordnung mindestens eine Vorrichtung (64, 65; 153, 154) zur Erzeugung eines Magnetfelds umfasst, die zumindest teilweise an dem oder den optischen Elementen oder zumindest in der Nähe des oder der optischen Elemente angeordnet ist. Arrangement for a microlithography projection exposure apparatus with at least one optical element, characterized in that the optical element ( 61 . 151 ) has a coating which causes a rotation of the polarization plane of electromagnetic radiation in the presence of an external magnetic field, and in that the arrangement comprises at least one device ( 64 . 65 ; 153 . 154 ) for generating a magnetic field which is at least partially disposed on the optical element (s) or at least in the vicinity of the optical element (s). Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (63, 152) eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 2 µm, insbesondere kleiner oder gleich 1 µm, vorzugsweise im Bereich von 10 nm bis 500 nm aufweist. Arrangement according to claim 1, characterized in that the coating ( 63 . 152 ) has a layer thickness of less than or equal to 2 microns, in particular less than or equal to 1 micron, preferably in the range of 10 nm to 500 nm. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (63, 152) ein Material umfasst, das eine auf das Arbeitslicht der Projektionsbelichtungsanlage abgestimmte Bandstruktur, insbesondere Bandlücke aufweist. Arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the coating ( 63 . 152 ) comprises a material having a tuned to the working light of the projection exposure equipment band structure, in particular band gap. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (63, 152) ein Material umfasst, das eine hohe Elektronenmobilität aufweist, insbesondere größer oder gleich 500 cm2/Vs, insbesondere größer oder gleich 1000 cm2/Vs, vorzugsweise größer oder gleich 5000 cm2/Vs. Arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the coating ( 63 . 152 ) comprises a material which has a high electron mobility, in particular greater than or equal to 500 cm 2 / Vs, in particular greater than or equal to 1000 cm 2 / Vs, preferably greater than or equal to 5000 cm 2 / Vs. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (63, 152) ein Material umfasst, das den Giant-Faraday-Effect zeigt. Arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the coating ( 63 . 152 ) comprises a material showing the Giant Faraday Effect. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (63, 152) ein Material umfasst, das aus AlN oder Ni oder einer Ni-Legierung gebildet ist oder AlN oder Ni umfasst. Arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the coating ( 63 . 152 ) comprises a material formed of AlN or Ni or a Ni alloy or comprising AlN or Ni. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (64, 65; 153, 154) zur Erzeugung eines Magnetfelds so ausgebildet ist, dass für einzelne optische Elemente, insbesondere jedes optische Element ein individuelles Magnetfeld erzeugbar ist oder dass für jedes optische Element eine eigene Vorrichtung zur Erzeugung eines Magnetfelds vorhanden ist. Arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the device ( 64 . 65 ; 153 . 154 ) is designed for generating a magnetic field such that an individual magnetic field can be generated for individual optical elements, in particular each optical element, or that a separate device for generating a magnetic field is present for each optical element. Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche. Microlithographic projection exposure apparatus with an arrangement according to one of the preceding claims. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (63, 152) des optischen Elements ein Material umfasst, das eine auf das Arbeitslicht der Projektionsbelichtungsanlage abgestimmte Bandstruktur, insbesondere Bandlücke aufweist. Projection exposure apparatus according to claim 8, characterized in that the coating ( 63 . 152 ) of the optical element comprises a material having a tuned to the working light of the projection exposure system band structure, in particular band gap. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage einen Wabenkondensor (150) nach Anspruch 11 oder einen Facettenspiegel (60) nach einem der Ansprüche 12 oder 13 umfasst. Projection exposure apparatus according to one of claims 8 or 9, characterized in that the projection exposure apparatus comprises a honeycomb condenser ( 150 ) according to claim 11 or a facet mirror ( 60 ) according to one of claims 12 or 13. Wabenkondensor für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, insbesondere einer Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Wabenkondensor eine Vielzahl von optischen Linsen (151) umfasst, wobei mindestens eine davon, vorzugsweise alle ein optisches Element einer Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 sind. A honeycomb condenser for a microlithographic projection exposure apparatus, in particular a projection exposure apparatus according to one of claims 8 to 10, characterized in that the honeycomb condenser has a multiplicity of optical lenses ( 151 ), wherein at least one of them, preferably all, are an optical element of an arrangement according to one of claims 1 to 7. Facettenspiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, insbesondere einer Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Facettenspiegel eine Vielzahl von Spiegelfacetten (61) umfasst, wobei mindestens eine davon, vorzugsweise alle ein optisches Element einer Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 sind. Facet mirror for a projection exposure apparatus for microlithography, in particular a projection exposure apparatus according to any one of claims 8 to 10, characterized in that the facet mirror a plurality of mirror facets ( 61 ), wherein at least one of them, preferably all, are an optical element of an arrangement according to one of claims 1 to 7. Facettenspiegel nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Facettenspiegel in Form einer Mikrospiegelanordnung mit einer Vielzahl von kippbar gelagerten Mikrospiegeln (61) gebildet ist, wobei an jedem Mikrospiegel eine Spule (65) zur Erzeugung eines Magnetfelds angeordnet ist. Facet mirror according to claim 12, characterized in that the facet mirror in the form of a micromirror arrangement with a plurality of tiltably mounted micromirrors ( 61 ) is formed, wherein at each micromirror a coil ( 65 ) is arranged to generate a magnetic field. Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere einer Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 in der Projektionsbelichtungsanlage bereitgestellt wird und die Kontrolle der Polarisation des Arbeitslichts der Projektionsbelichtungsanlage durch Veränderung mindestens eines Magnetfelds der Anordnung erfolgt. Method for operating a projection exposure apparatus, in particular a projection exposure apparatus according to one of claims 8 to 10, characterized in that an arrangement according to one of claims 1 to 7 is provided in the projection exposure apparatus and the control of the polarization of the working light of the projection exposure apparatus by changing at least one magnetic field of the Arrangement takes place.
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