DE102015103931B4 - Mold, optical element and method of making the mold and optical element - Google Patents

Mold, optical element and method of making the mold and optical element Download PDF

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Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung einer Form für eine Antireflexionsstruktur zur Verwendung in einem Infrarotbereich oder zur Herstellung eines Objekts, welches die Antireflexionsstruktur zur Verwendung in einem Infrarotbereich aufweist, durch Plasmatrockenätzen, wobei auf einer Oberfläche von Silizium, aus welchem die Form oder das Objekt hergestellt ist oder mit welchem die Form oder das Objekt beschichtet ist, eine feine Oberflächenrauheit durch das Plasmatrockenätzen unter Verwendung eines Gasgemisches aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff hergestellt wird, sodass während des Ätzens des Siliziums durch das Gasgemisch, das in ein Plasma umgewandelt wird, Oxide erzeugt werden und auf der Oberfläche des Siliziums verteilt werden und mittels eines Unterschieds in der Ätzrate des Oxids und des Siliziums die feine Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Siliziums geformt wird, wobei die feine Oberflächenrauheit eine Tiefe in einem Bereich von 1,6 µm bis 2,7 µm und ein Teilungsmaß in einem Bereich von 1,7 µm bis 3,0 µm hat, womit die Ätzbedingungen eingestellt sind, um die feine Oberflächenrauheit zur Verwendung im Infrarotbereich bereitzustellen, und wobei das Verhältnis von Teilungsmaß zu Tiefe der feinen Oberflächenrauheit durch Ändern des Verhältnisses der Zufuhrmenge von Schwefelhexafluorid und der Zufuhrmenge von Sauerstoff eingestellt wird.A method for manufacturing a mold for an anti-reflection structure for use in an infrared region or for manufacturing an object having the anti-reflection structure for use in an infrared region by plasma dry etching, wherein on a surface of silicon from which the mold or the object is made or with which the mold or object is coated, a fine surface roughness is produced by the plasma dry etching using a gas mixture of sulfur hexafluoride and oxygen, so that during the etching of the silicon by the gas mixture, which is converted into a plasma, oxides are generated and on the surface of the silicon and by means of a difference in the etching rate of the oxide and the silicon, the fine surface roughness is formed on the surface of the silicon, the fine surface roughness having a depth in a range of 1.6 µm to 2.7 µm and a pitch in one has a range of 1.7 µm to 3.0 µm, with which the etching conditions are adjusted to provide the fine surface roughness for use in the infrared region, and wherein the ratio of the pitch to the depth of the fine surface roughness is adjusted by changing the ratio of the supply amount of sulfur hexafluoride and the Supply amount of oxygen is adjusted.

Description

Gebiet der Erfindungfield of invention

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Form (z.B. eine Spritzgussform), welche mit einer feinen Oberflächenrauheit (z.B. einer Antireflexionsstruktur) bereitgestellt ist, ein optisches Element (z.B. eine optische Linse), welches mit einer feinen Oberflächenrauheit bereitgestellt ist, ein Verfahren zur Herstellung der Form und ein Verfahren zur Herstellung des optischen Elements.The present invention relates to a mold (e.g. an injection mold) which is provided with a fine surface roughness (e.g. an anti-reflection structure), an optical element (e.g. an optical lens) which is provided with a fine surface roughness, a method for producing the mold and a method of manufacturing the optical element.

Beschreibung der bezogenen TechnikDescription of related technique

Antireflexionsstrukturen, welche eine feine Oberflächenrauheit aufweisen (z.B. davon gebildet sind), wobei ein Teilungsmaß (oder eine Periode, z.B. ein Teilungs-/ Abstandsintervall) der Rauheit kleiner als die Wellenlänge des Lichts ist, werden bei optischen Elementen verwendet. Als ein Verfahren zur Herstellung der Formen für derartige Antireflexionsstrukturen ist ein Verfahren bekannt, bei welchem ein Abdecklack (z.B. ein Fotolack, z.B. allg. ein Resist) mittels Interferenzexposition oder unter Verwendung eines Elektronenstrahllithographiesystems strukturiert wird und anschließend ein Ätzen oder Elektroformen (z.B. Patentdokument 1) ausgeführt wird. Jedoch ist es schwierig, eine feine Oberflächenrauheit auf einer Oberfläche zu formen, welche eine große Fläche hat, oder auf einer gebogenen/gekrümmten Fläche.Antireflection structures which have (e.g. are formed of) fine surface roughness with a pitch (or a period, e.g. a pitch/pitch interval) of the roughness being smaller than the wavelength of light are used in optical elements. As a method of manufacturing the molds for such anti-reflection structures, there is known a method in which a resist (e.g., a photoresist, e.g., generally, a resist) is patterned by means of interference exposure or using an electron beam lithography system, and then etching or electroforming (e.g., Patent Document 1) is performed. However, it is difficult to form fine surface roughness on a surface having a large area or on a curved/curved surface.

Unlängst wurden Herstellungsverfahren für Antireflexionsstrukturen entwickelt, bei welchen ein Strukturierungsvorgang des Abdecklacks nicht notwendig ist. Unter diesen Verfahren gibt es ein Verfahren, bei welchem eine feine Oberflächenrauheit geformt wird mittels Beschichtens/Anlagerns von Nanopartikeln auf einer Oberfläche eines Substrats (z.B. Patentdokument 2), und ein Verfahren, bei welchem eine feine Oberflächenrauheit unter Verwendung von porösen, anodisch oxidierten Aluminiumdioxid als eine Form geformt wird (z.B. Patentdokument 3). Diese Verfahren sind dafür gedacht, um auf einer Oberfläche angewendet zu werden, welche eine große Fläche hat oder gekrümmt/gebogen ist. Jedoch ist aufgrund der Eigenschaften der Herstellungsverfahren das Teilungsmaß der Oberflächenrauheit auf 1 µm oder weniger beschränkt. Dementsprechend kann die Oberflächenrauheit kaum bei optischen Elementen angewendet werden, welche z.B. mit Infrarotstrahlen arbeiten (z.B. im Infrarotspektrum verwendet werden).Manufacturing processes for antireflection structures have recently been developed in which a structuring process of the resist is not necessary. Among these methods, there are a method in which a fine surface roughness is formed by coating/depositing nanoparticles on a surface of a substrate (e.g. Patent Document 2), and a method in which a fine surface roughness is formed using porous anodized alumina as a shape is formed (e.g. Patent Document 3). These methods are intended to be applied to a surface that has a large area or is curved/curved. However, due to characteristics of manufacturing processes, the surface roughness pitch is limited to 1 µm or less. Accordingly, the surface roughness can hardly be applied to optical elements using, e.g., infrared rays (e.g., used in infrared spectrum).

Demnach wurde noch kein Verfahren zur Herstellung einer Form oder eines optischen Elements entwickelt, bei welchem eine feine Oberflächenrauheit, die Teilungsmaße/Abstandsintervalle in einem weiten Bereich inklusive des Infrarotbereichs aufweist, auf einer Oberfläche, welche eine große Fläche hat, oder auf einer gekrümmten/gebogenen Oberfläche geformt werden kann.Accordingly, a method of manufacturing a mold or an optical element in which a fine surface roughness having pitches/pitches in a wide range including the infrared range on a surface having a large area or on a curved/bent one has not yet been developed surface can be formed.

Stand-der-Technik-DokumentePrior Art Documents

Patentdokumentepatent documents

  • Patentdokument 1: WO 2006 / 129 514 A1Patent Document 1: WO 2006/129514 A1
  • Patentdokument 2: JP 2012 - 40 878 A Patent Document 2: JP 2012 - 40 878 A
  • Patentdokument 3: JP 2014 - 51 710 A Patent Document 3: JP 2014 - 51 710 A

Beispielhafte Verfahren zum Herstellen von Formen sind aus US 2009 / 0 261 353 A1 und US 2009 / 0 180 188 A1 bekannt.Exemplary methods for producing molds are known from US 2009/0 261 353 A1 and US 2009/0 180 188 A1.

Erläuterung der ErfindungExplanation of the invention

Von der Erfindung zu lösendes ProblemProblem to be solved by the invention

Dementsprechend gibt es einen Bedarf für ein Verfahren zur Herstellung einer Form (z.B. einer Spritzgussform) und/oder eines optischen Elements (z.B. einer optischen Linse), bei welcher/welchem eine feine Oberflächenrauheit (z.B. eine Antireflexionsstruktur), die Teilungsmaße/Abstandsintervalle in einem weiten Bereich inklusive des Infrarotbereichs aufweist, auf einer Oberfläche, welche eine große Fläche hat, oder auf einer gekrümmten/gebogenen Fläche geformt werden kann.Accordingly, there is a need for a method of making a mold (e.g., an injection mold) and/or an optical element (e.g., an optical lens) that has a fine surface roughness (e.g., an anti-reflection structure), the pitch/spacing intervals in a wide range range including the infrared range, can be formed on a surface having a large area or on a curved/curved surface.

Mittel zum Lösen des Problemsmeans of solving the problem

Gemäß der vorliegenden Erfindung sind ein im Anspruch 1 definiertes Verfahren, eine im Anspruch 7 definierte Form sowie ein im Anspruch 8 definiertes Objekt bereitgestellt.According to the present invention a method as defined in claim 1, a mold as defined in claim 7 and an object as defined in claim 8 are provided.

Ein Verfahren zur Herstellung einer Form für ein optisches Element gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform verwendet eine Vorrichtung zum reaktiven Ätzen (z.B. zum reaktiven lonenätzen), um die Form für ein optisches Element herzustellen, welches mit Infrarotstrahlen arbeitet. In der Vorrichtung wird ein Substrat platziert, das aus einem Halbleiter und/oder z.B. einem Metall gemacht ist und das mit Schwefelhexafluorid reagiert, und in welche ein Gasgemisch aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff eingeführt wird, sodass Oxide auf einer Oberfläche des Substrats verteilt werden, wobei die Oberfläche des Substrats einem Ätzen durch Schwefelhexafluorid unterzogen wird, während die Oxide als eine Ätzmaske fungieren, und deshalb eine Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Substrats geformt wird.A method for manufacturing an optical element mold according to a first exemplary embodiment uses a reactive etching apparatus (e.g., reactive ion etching) to manufacture the optical element mold using infrared rays. In the device is placed a substrate made of a semiconductor and/or e.g. a metal which reacts with sulfur hexafluoride, and into which a mixed gas of sulfur hexafluoride and oxygen is introduced so that oxides are distributed on a surface of the substrate, whereby the Surface of the substrate is subjected to etching by sulfur hexafluoride while the oxides function as an etching mask, and therefore surface roughness is formed on the surface of the substrate.

Das Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform benötigt keinen Strukturierungsvorgang für eine Ätzmaske und ist deshalb arbeitssparend. Weiter kann gemäß dem Verfahren zur Herstellung gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Oberflächenrauheit, welche ein Teilungsmaß in einem weiten Bereich inklusive eines Infrarotbereichs aufweist, auf einer Oberfläche, welche eine große Fläche hat, oder auf einer gebogenen/gekrümmten Oberfläche hergestellt werden.The manufacturing method according to the present embodiment does not require a patterning process for an etching mask and is therefore labor-saving. Further, according to the manufacturing method according to the present embodiment, a surface roughness having a pitch in a wide range including an infrared range can be manufactured on a surface having a large area or on a curved/curved surface.

Eine Form für ein optisches Element, welches mit Infrarotstrahlen arbeitet, hat gemäß einer zweiten Ausführungsform eine Oberflächenrauheit. Die Oberflächenrauheit wird unter Verwendung einer Vorrichtung zum reaktiven Ätzen hergestellt, in welcher ein Substrat, das aus einem Halbleiter oder z.B. einem Metall gemacht ist und das mit Schwefelhexafluorid reagiert, platziert wird, und in welche ein Gasgemisch aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff hinein eingeleitet wird, sodass Oxide auf einer Oberfläche des Substrats verteilt werden, wobei die Oberfläche des Substrats einem Ätzen durch Schwefelhexafluorid unterzogen wird, während die Oxide als eine Ätzmaske fungieren, und deshalb die Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Substrats geformt wird.A mold for an optical element using infrared rays according to a second embodiment has a surface roughness. The surface roughness is produced using a reactive etching apparatus in which a substrate made of a semiconductor or e.g. a metal and which reacts with sulfur hexafluoride is placed and into which a mixed gas of sulfur hexafluoride and oxygen is introduced so that Oxides are distributed on a surface of the substrate, whereby the surface of the substrate is subjected to etching by sulfur hexafluoride while the oxides function as an etching mask, and therefore surface roughness is formed on the surface of the substrate.

Die Form gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann mittels eines vereinfachten Verfahrens ohne die Notwendigkeit des Strukturierungsvorgangs für eine Ätzmaske hergestellt werden. Weiter kann eine Form, die eine Oberflächenrauheit aufweist, welche ein Teilungsmaß in einem weiten Bereich inklusive eines Infrarotbereichs aufweist, erhalten werden.The mold according to the present embodiment can be manufactured by a simplified process without the need for the patterning process for an etching mask. Further, a mold having a surface roughness having a pitch in a wide range including an infrared range can be obtained.

Ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements, welches mit Infrarotstrahlen arbeitet, verwendet gemäß einer dritten Ausführungsform eine Vorrichtung zum reaktiven Ätzen. In der Vorrichtung wird ein Substrat platziert, das aus einem Halbleiter gemacht ist und mit Schwefelhexafluorid reagiert, und wird ein Gasgemisch aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff hinein eingeleitet, sodass Oxide auf einer Oberfläche des Substrats verteilt werden, wobei die Oberfläche des Substrats einem Ätzen durch Schwefelhexafluorid unterzogen wird, während die Oxide als eine Ätzmaske fungieren, und deshalb wird eine Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Substrats geformt.A method for manufacturing an optical element using infrared rays according to a third embodiment uses a reactive etching apparatus. In the device, a substrate made of a semiconductor and reacted with sulfur hexafluoride is placed, and a mixed gas of sulfur hexafluoride and oxygen is introduced thereinto so that oxides are dispersed on a surface of the substrate, and the surface of the substrate is subjected to etching by sulfur hexafluoride while the oxides function as an etching mask, and therefore surface roughness is formed on the surface of the substrate.

Das Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform benötigt keinen Strukturierungsvorgang für eine Ätzmaske und ist deshalb arbeitssparend. Weiter kann gemäß dem Verfahren zur Herstellung gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Oberflächenrauheit, welche ein Teilungsmaß in einem weiten Bereich inklusive eines Infrarotbereichs aufweist, auf einer Oberfläche, welche eine große Fläche hat, oder einer gekrümmten/gebogenen Fläche hergestellt werden.The manufacturing method according to the present embodiment does not require a patterning process for an etching mask and is therefore labor-saving. Further, according to the manufacturing method according to the present embodiment, a surface roughness having a pitch in a wide range including an infrared range can be manufactured on a surface having a large area or a curved/curved surface.

Ein optisches Element (z.B. eine optische Linse, z.B. eine Infrarotlinse), welches mit Infrarotstrahlen arbeitet, hat gemäß einer vierten Ausführungsform eine Oberflächenrauheit. Die Oberflächenrauheit wird unter Verwendung der Vorrichtung zum reaktiven Ätzen hergestellt, in welcher ein Substrat, das aus einem Halbleiter gemacht ist und mit Schwefelhexafluorid reagiert, platziert wird, und in welche ein Gasgemisch aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff eingeleitet wird, sodass Oxide auf einer Oberfläche des Substrats verteilt werden, wobei die Oberfläche des Substrats einem Ätzen durch Schwefelhexafluorid unterzogen wird, während die Oxide als eine Ätzmaske fungieren, und deshalb die Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Substrats geformt wird.An optical element (e.g. an optical lens, e.g. an infrared lens) using infrared rays has a surface roughness according to a fourth embodiment. The surface roughness is prepared using the reactive etching apparatus in which a substrate made of a semiconductor and reacted with sulfur hexafluoride is placed and into which a mixed gas of sulfur hexafluoride and oxygen is introduced so that oxides are formed on a surface of the substrate are distributed, the surface of the substrate is subjected to etching by sulfur hexafluoride while the oxides function as an etching mask, and therefore the surface roughness is formed on the surface of the substrate.

Das optische Element gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann mittels eines vereinfachten Verfahrens ohne die Notwendigkeit eines Strukturierungsvorgangs für eine Ätzmaske hergestellt werden. Weiter kann ein optisches Element erhalten werden, welches mit einer Oberflächenrauheit bereitgestellt ist, die ein Teilungsmaß in einem weiten Bereich inklusive eines Infrarotbereichs aufweist.The optical element according to the present embodiment can be manufactured by a simplified process without the need for a patterning process for an etching mask. Further, an optical element provided with a surface roughness having a pitch in a wide range including an infrared range can be obtained.

Nachfolgend werden Beispiele gemäß der vorliegenden Offenbarung beschrieben.Examples according to the present disclosure are described below.

Beispiel 1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Form für eine Antireflexionsstruktur zur Verwendung im Infrarotbereich oder zur Herstellung eines Objekts, welches die Antireflexionsstruktur zur Verwendung im Infrarotbereich aufweist, durch Plasmatrockenätzen, wobei auf einer Oberfläche von Silizium, aus welchem die Form oder das Objekt hergestellt ist oder mit welchem die Form oder das Objekt beschichtet ist, eine feine Oberflächenstruktur (Oberflächenrauheit) durch das Plasmatrockenätzen unter Verwendung eines Gasgemisches aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff hergestellt wird, sodass während des Ätzens des Siliziums durch das Gasgemisch, das in ein Plasma umgewandelt wird, Oxide erzeugt werden und auf der Oberfläche des Siliziums verteilt werden und mittels eines Unterschieds in der Ätzrate des Oxids und des Siliziums die feine Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Siliziums geformt wird, wobei die feine Oberflächenrauheit eine Tiefe in einem Bereich von 0,25 µm bis 2,5 µm und ein Teilungsmaß in einem Bereich von 0,19 µm bis 1,4 µm hat, weiter bevorzugt eine Tiefe in einem Bereich von 0,25 µm bis 1,1 µm und ein Teilungsmaß in einem Bereich von 0,19 µm bis 0,4µm hat, und weiter bevorzugt eine Tiefe in einem Bereich von 1,7 µm bis 2,5 µm und ein Teilungsmaß in einem Bereich von 0,5 µm bis 1,4 µm hat, womit die Ätzbedingungen eingestellt sind, um die feine Oberflächenrauheit zur Verwendung im Infrarotbereich bereitzustellen.Example 1 is a method for manufacturing a mold for an anti-reflection structure for infrared use or for manufacturing an object having the anti-reflection structure for infrared use by plasma dry etching, wherein on a surface of silicon from which the mold or the object is made or with which the mold or object is coated, a fine surface structure (surface roughness) is produced by the plasma dry etching using a gas mixture of sulfur hexafluoride and oxygen, so that oxides are generated during the etching of the silicon by the gas mixture, which is converted into a plasma are distributed on the surface of the silicon and by means of a difference in etching rate of the oxide and the silicon, the fine surface roughness is formed on the surface of the silicon, the fine surface roughness having a depth in a range of 0.25 µm to 2.5 µm µm and d has a pitch in a range of 0.19 µm to 1.4 µm, more preferably a depth in a range of 0.25 µm to 1.1 µm and a pitch in a range of 0.19 µm to 0.4 µm and more preferably has a depth in a range of 1.7 µm to 2.5 µm and a pitch in a range of 0.5 µm to 1.4 µm, thereby adjusting the etching conditions to use the fine surface roughness provide in the infrared range.

In Beispiel 2 kann das Verfahren gemäß Beispiel 1 optional ferner aufweisen, dass das Gasgemisch mittels Hochfrequenzleistung in das Plasma umgewandelt wird.In example 2, the method according to example 1 can optionally further comprise that the gas mixture is converted into the plasma by means of high-frequency power.

In Beispiel 3 kann das Verfahren gemäß Beispiel 2 optional ferner aufweisen, dass sich die Hochfrequenzleistung in einem Bereich von 100 W bis 200 W befindet, um das Plasma zu erzeugen.In example 3, the method according to example 2 can optionally further comprise that the high-frequency power is in a range of 100 W to 200 W to generate the plasma.

In Beispiel 4 kann das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 3 optional ferner aufweisen, dass sich die Ätzdauer in einem Bereich von 20 min bis 120 min und bevorzugt in einem Bereich von 60 min bis 120 min befindet.In example 4, the method according to any one of examples 1 to 3 can optionally further comprise that the etching time is in a range from 20 min to 120 min and preferably in a range from 60 min to 120 min.

In Beispiel 5 kann das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 4 optional ferner aufweisen, dass während des Ätzens das Gasgemisch einen Betriebsdruck von 1 Pa hat, mit einer Rate von 50 ml/min Schwefelhexafluorid und 50 ml/min Sauerstoff zugeführt wird und das Ätzen bei einer Temperatur von 3°C ausgeführt wird.In example 5, the method according to any one of examples 1 to 4 can optionally further comprise that during the etching the gas mixture has an operating pressure of 1 Pa, sulfur hexafluoride is supplied at a rate of 50 ml/min and oxygen is supplied at a rate of 50 ml/min, and the etching carried out at a temperature of 3°C.

In Beispiel 6 kann das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 5 optional ferner aufweisen, dass das Ätzen mit der Hochfrequenzleistung von 200 W für 60 min, mit der Hochfrequenzleistung von 200 W für 120 min oder mit der Hochfrequenzleistung von 100 W für 120 min ausgeführt wird.In Example 6, the method according to any one of Examples 1 to 5 may optionally further include etching with the high-frequency power of 200 W for 60 min, with the high-frequency power of 200 W for 120 min, or with the high-frequency power of 100 W for 120 min becomes.

Beispiel 7 ist eine Form für ein Objekt, welches im Infrarotbereich arbeitet, wobei die Form eine feine Oberflächenrauheit aufweist, die gemäß dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt wird.Example 7 is a mold for an object that operates in the infrared region, the mold having a fine surface roughness made according to the procedure of Example 1.

Beispiel 8 ist ein Objekt, welches eine Antireflexionsstruktur aufweist, die mittels eines Verfahrens hergestellt wird, wobei bei dem Verfahren auf einer Oberfläche von Silizium, aus welchem das Objekt hergestellt ist oder mit welchem das Objekt beschichtet ist, eine feine Oberflächenstruktur durch Plasmatrockenätzen unter Verwendung eines Gasgemisches aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff hergestellt wird, sodass während des Ätzens des Siliziums durch das Gasgemisch, das in ein Plasma umgewandelt wird, Oxide erzeugt werden und auf der Oberfläche des Siliziums verteilt werden und mittels eines Unterschieds in der Ätzrate des Oxids und des Siliziums die Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Siliziums geformt wird.Example 8 is an object having an anti-reflection structure manufactured by a method in which a surface of silicon of which the object is made of or with which the object is coated is formed a fine surface structure by plasma dry etching using a method gas mixture of sulfur hexafluoride and oxygen is produced so that during the etching of the silicon by the gas mixture converted into a plasma, oxides are generated and distributed on the surface of the silicon and, by means of a difference in the etching rate of the oxide and the silicon, the surface roughness is formed on the surface of the silicon.

In Beispiel 9 kann das Objekt gemäß Beispiel 8 optional ferner aufweisen, dass es eine Linse für Infrarotstrahlen ist.In Example 9, the object according to Example 8 may optionally further include being a lens for infrared rays.

Figurenlistecharacter list

  • 1 zeigt eine (schematische) Ausführung einer Vorrichtung zum reaktiven lonenätzen, welche für ein Verfahren zur Herstellung einer Form und/oder eines optischen Elements, welche eine Oberflächenrauheit aufweisen, verwendet wird, 1 shows a (schematic) embodiment of a device for reactive ion etching, which is used for a method for producing a mold and/or an optical element which have a surface roughness,
  • 2 ist ein Flussdiagramm zur Darstellung des Prinzips eines Herstellungsverfahrens einer Form für eine Antireflexionsstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung, 2 Fig. 14 is a flow chart showing the principle of a manufacturing method of a mold for an anti-reflection structure according to the present invention.
  • 3 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Form, welche eine feine Oberflächenrauheit auf einer flachen Oberfläche aufweist, 3 shows a method of manufacturing a mold having a fine surface roughness on a flat surface,
  • 4 zeigt ein Verfahren zur Herstellung eines (z.B. gekrümmten/gebogenen) optischen Elements, welches eine feine Oberflächenrauheit aufweist, 4 shows a method for producing a (e.g. curved/bent) optical element which has a fine surface roughness,
  • 5 ist ein Flussdiagramm zur Ermittlung von Ätzbedingungen eines Herstellungsverfahrens einer Form für eine Antireflexionsstruktur als ein Beispiel für das Herstellungsverfahren einer Form gemäß der vorliegenden Erfindung, 5 Fig. 14 is a flow chart for determining etching conditions of a manufacturing method of a mold for an antireflection structure as an example of the manufacturing method of a mold according to the present invention.
  • 6 zeigt eine Beziehung zwischen der Ätzdauer und dem Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit in dem Fall, in welchem die Leistung eine Hochfrequenzleistungsquelle auf 100 W festgelegt ist und die Ätzbedingungen, welche in der Tabelle 1 gezeigt sind, eingehalten werden, und eine Beziehung zwischen einer Ätzdauer und einem Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit in dem Fall, in welchem die Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle auf 200 W festgelegt ist und die Ätzbedingungen, welche in der Tabelle 1 gezeigt sind, aufrecht erhalten/gehalten werden, 6 Fig. 12 shows a relationship between the etching time and the fine surface roughness pitch in the case where the power of a high-frequency power source is set to 100 W and the etching conditions shown in Table 1 are satisfied, and a relationship between an etching time and a Pitch of fine surface roughness in the case where the power of the high-frequency power source is set to 200 W and the etching conditions shown in Table 1 are maintained,
  • 7 zeigt eine Beziehung zwischen der Ätzdauer und der Tiefe der feinen Oberflächenrauheit in dem Fall, in welchem die Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle auf 100 W festgelegt ist und die Ätzbedingungen, welche in der Tabelle 1 gezeigt sind, eingehalten werden, und eine Beziehung zwischen einer Ätzdauer und einer Tiefe der feinen Oberflächenrauheit in dem Fall, in welchem die Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle auf 200 W festgelegt ist und die Ätzbedingungen, welche in der Tabelle 1 gezeigt sind, aufrecht erhalten/gehalten werden, 7 Fig. 12 shows a relationship between the etching time and the depth of fine surface roughness in the case where the power of the high-frequency power source is set to 100 W and the etching conditions shown in Table 1 are satisfied, and a relationship between an etching time and a Depth of fine surface roughness in the case where the power of the high-frequency power source is set to 200 W and the etching conditions shown in Table 1 are maintained,
  • 8 zeigt eine Beziehungen zwischen einer Wellenlänge und einer Transmission von/für Infrarotstrahlen, welche in Substrate eintreten, die verschiedene Arten von Oberflächenrauheiten (z.B. Antireflexionsstrukturen) aufweisen, 8th 12 shows a relationship between a wavelength and a transmittance of infrared rays entering substrates having various types of surface roughness (e.g., anti-reflection structures),
  • 9 zeigt die Transmission, 9 shows the transmission,
  • 10 zeigt eine Beziehung zwischen der Lichttransmission, welche erhöht werden soll, und einem Teilungsmaß einer feinen Oberflächenrauheit zum Erhöhen der Transmission, 10 Fig. 12 shows a relationship between light transmittance to be increased and a pitch of fine surface roughness for increasing transmittance,
  • 11 zeigt eine Aufnahme des Substrats 1 ohne eine feine Oberflächenrauheit, des Substrats 2 mit einer feinen Oberflächenrauheit für sichtbares Licht und des Substrats 3 mit der feinen Oberflächenrauheit, und 11 Fig. 12 shows a photograph of the substrate 1 without a fine surface roughness, the substrate 2 with a fine surface roughness for visible light, and the substrate 3 with the fine surface roughness, and
  • 12 zeigt eine Rasterelektronenmikroskopaufnahme der feinen Oberflächenrauheit 3 (des Substrats 3). 12 12 shows a scanning electron micrograph of the fine surface roughness 3 (the substrate 3).

Detaillierte BeschreibungDetailed description

Die 1 zeigt eine Ausführung einer Vorrichtung 200 zum reaktiven lonenätzen, welche zur Herstellung einer Form und/oder eines optischen Elements, welches eine (festgelegte) Oberflächenrauheit aufweist, verwendet wird. Die Vorrichtung 200 zum reaktiven lonenätzen hat eine Ätzkammer 201. Gase werden in die evakuierte Ätzkammer 201 durch einen Gaseinlass 207 hindurch zugeführt. Die Ätzkammer 201 ist weiter mit einem Gasauslass 209 bereitgestellt, an welchem ein Ventil 217 angebracht ist. Der Gasdruck in der Ätzkammer 201 kann auf einen gewünschten Wert gesteuert/gehalten werden mittels einer Steuerungsvorrichtung 215, welche eingerichtet ist, um das Ventil 217 gemäß einer Messung eines Gasmanometers 213 zu steuern, welcher an der Ätzkammer 201 installiert ist. Eine obere Elektrode 203 und eine untere Elektrode 205 sind in der Ätzkammer 201 bereitgestellt. Ein Plasma kann mittels Anlegens einer Hochfrequenzspannung zwischen den beiden Elektroden unter Verwendung einer Hochfrequenzleistungsquelle 211 erzeugt werden. An der unteren Elektrode 205 wird ein Substrat 101 platziert, welches ein Basismaterial/Ausgangsmaterial für eine Form (z.B. auch für ein optisches Element) ist. Die untere Elektrode 205 kann mittels einer Kühlvorrichtung 219 auf eine gewünschte Temperatur gekühlt/gehalten werden. Die Kühlvorrichtung 219 ist z.B. eine Wasserkühlvorrichtung. Der Grund, warum die untere Elektrode 205 gekühlt wird, ist, um die Ätzreaktion mittels Haltens der Temperatur des Substrats 101 auf einer gewünschten Temperatur zu steuern.the 1 Figure 12 shows an embodiment of a reactive ion etching apparatus 200 used to manufacture a mold and/or an optical element having a (specified) surface roughness. The apparatus 200 for reactive ion etching has an etch chamber 201. Gases are fed into the evacuated etch chamber 201 through a gas inlet 207 therethrough. The etching chamber 201 is further provided with a gas outlet 209 to which a valve 217 is attached. The gas pressure in the etching chamber 201 can be controlled/maintained at a desired value by means of a control device 215 which is arranged to control the valve 217 according to a measurement of a gas manometer 213 installed at the etching chamber 201. An upper electrode 203 and a lower electrode 205 are provided in the etching chamber 201 . A plasma can be generated by applying a high-frequency voltage between the two electrodes using a high-frequency power source 211 . A substrate 101, which is a base material/starting material for a mold (eg also for an optical element), is placed on the lower electrode 205. The lower electrode 205 can be cooled/maintained to a desired temperature by means of a cooling device 219 . The cooling device 219 is, for example, a water cooling device. The reason why the lower electrode 205 is cooled is to control the etching reaction by keeping the temperature of the substrate 101 at a desired temperature.

Das der Ätzkammer 201 zuzuführende Gas ist eine Mischung aus einem Schwefelhexafluoridgas und einem Sauerstoffgas. Das Material des Substrats ist ein Halbleiter oder ein Metall, welches mit Schwefelhexafluorid reagiert.The gas to be supplied to the etching chamber 201 is a mixture of a sulfur hexafluoride gas and an oxygen gas. The material of the substrate is a semiconductor or a metal that reacts with sulfur hexafluoride.

Die 2 ist ein Flussdiagramm zur Darstellung des Prinzips eines Herstellungsverfahrens einer Form für eine Antireflexionsstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung.the 2 Fig. 14 is a flow chart showing the principle of a manufacturing method of a mold for an anti-reflection structure according to the present invention.

In Schritt S1010 der 2 wird eine Hochfrequenzspannung auf das Gasgemisch angewendet / daran angelegt, sodass es in ein Plasma umgewandelt wird, um ein Plasmatrockenätzen auszuführen.In step S1010 of the 2 a high-frequency voltage is applied/applied to the gas mixture so that it is converted into a plasma to carry out plasma dry etching.

In Schritt S1020 der 2 verbinden sich Sauerstoffionen im Plasma mit Ionen des Metalls oder des Halbleiters des Substrats, welches mit dem Fluor enthaltenden Gas (Schwefelhexafluorid) reagiert hat, wobei resultierende Oxide an beliebigen Positionen auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden/abgelagert werden. Die oben beschriebenen Oxide werden nur schwer (d.h. wenig) von dem Schwefelhexafluorid geätzt und fungieren deshalb als Ätzmaske (für das Substrat).In step S1020 of the 2 Oxygen ions in the plasma combine with ions of the metal or semiconductor of the substrate which has reacted with the fluorine-containing gas (sulfur hexafluoride), resulting oxides being deposited/deposited at arbitrary positions on the surface of the substrate. The oxides described above are difficult (ie little) etched by the sulfur hexafluoride and therefore act as an etch mask (for the substrate).

In Schritt S1030 der 2 werden Abschnitte an der Oberfläche des Substrats, welche nicht mit den Oxiden abgedeckt sind, dem Ätzen unterzogen, während die Oxide als eine Maske fungieren. Folglich wird eine Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Substrats geformt.In step S1030 of the 2 For example, portions on the surface of the substrate not covered with the oxides are subjected to etching while the oxides function as a mask. As a result, surface roughness is formed on the surface of the substrate.

Wie oben beschrieben ist das verwendete Gas eine Mischung aus Schwefelhexafluorid (SF6) und Sauerstoffgas.As described above, the gas used is a mixture of sulfur hexafluoride (SF 6 ) and oxygen gas.

Das Material des Substrats ist ein Halbleiter oder ein Metall, welches mit dem Schwefelhexafluorid reagiert. Insbesondere ist das Material Silizium, Titan, Wolfram, Tantal, eine Titanlegierung, welche durch Zusetzen von anderen Elementen zu Titan hergestellt wird, eine Wolframlegierung, welche durch Zusetzen von anderen Elementen zu Wolfram hergestellt wird, oder dergleichen.The material of the substrate is a semiconductor or a metal which reacts with the sulfur hexafluoride. Specifically, the material is silicon, titanium, tungsten, tantalum, a titanium alloy made by adding other elements to titanium, a tungsten alloy made by adding other elements to tungsten, or the like.

Die 3 zeigt ein Herstellungsverfahren einer Form, welche eine feine Oberflächenrauheit auf einer flachen Oberfläche hat.the 3 shows a manufacturing method of a mold having a fine surface roughness on a flat surface.

Die 3(a) zeigt einen Querschnitt eines Substrats 101, auf/an welchem das Ätzen noch nicht ausgeführt wurde.the 3(a) FIG. 12 shows a cross section of a substrate 101 on which etching has not yet been performed.

Die 3(b) zeigt einen Querschnitt des Substrats 101, welches mit einer feinen Oberflächenrauheit bereitgestellt ist. Die feine Oberflächenrauheit wurde mittels Ätzens geformt, welches unter Verwendung der Vorrichtung zum reaktiven lonenätzen ausgeführt wurde. In der 3(b) ist die Größe der feinen Oberflächenrauheit in einer vergrößerten Ansicht im Vergleich mit dem Substrat gezeigt (z.B. überhöht gezeigt), was zur Erleichterung des Verständnisses dient.the 3(b) 10 shows a cross section of the substrate 101 provided with a fine surface roughness. The fine surface roughness was formed by etching, which was carried out using the reactive ion etching apparatus. In the 3(b) For example, the size of the fine surface roughness is shown in an enlarged view in comparison with the substrate (eg, shown exaggerated) for ease of understanding.

Die 4 zeigt ein Herstellungsverfahren eines optischen Elements, welches eine feine Oberflächenrauheit aufweist.the 4 shows a manufacturing method of an optical element having a fine surface roughness.

Die 4(a) zeigt einen Querschnitt eines optischen Elements, welches aus Silizium hergestellt ist. Das optische Element weist eine gekrümmte/gebogene Oberfläche auf, welche durch Schneiden (z.B. Ausschneiden, Zerspanen, etc.) oder dergleichen gestaltet wurde. Das optische Element, welches aus Silizium hergestellt ist, wird für Infrarotstrahlen verwendet.the 4(a) shows a cross section of an optical element made of silicon. The optical element has a curved/curved surface that has been designed by cutting (eg, cutting, machining, etc.) or the like. The optical element made of silicon is used for infrared rays.

Die 4(b) zeigt einen Querschnitt des optischen Elements, welches aus Silizium hergestellt ist und mit einer feinen Oberflächenrauheit bereitgestellt ist. Die feine Oberflächenrauheit wurde mittels Ätzens geformt, das unter Verwendung der Vorrichtung zum reaktiven lonenätzen ausgeführt wurde. Die feine Oberflächenrauheit des optischen Elements fungiert als eine Antireflexionsstruktur. In der 4(b) ist die Größe der feinen Oberflächenrauheit in einer vergrößerten Ansicht im Vergleich mit dem optischen Element gezeigt (z.B. überhöht gezeigt), was zur Erleichterung des Verständnisses dient.the 4(b) Fig. 12 shows a cross section of the optical element made of silicon and provided with a fine surface roughness. The fine surface roughness was formed by etching performed using the reactive ion etching apparatus. The fine surface roughness of the optical element acts as an anti-reflection structure. In the 4(b) For example, the size of the fine surface roughness is shown in an enlarged view compared to the optical element (eg, shown exaggerated) for ease of understanding.

Die 5 ist ein Flussdiagramm zur Ermittlung von Ätzbedingungen eines Herstellungsverfahrens einer Form für eine Antireflexionsstruktur, welches als ein Beispiel des Herstellungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung dient.the 5 Fig. 14 is a flowchart for determining etching conditions of a manufacturing method of an antireflection structure mold, which serves as an example of the manufacturing method according to the present invention.

in Schritt S2010 in der 5 werden Ausgangswerte für die Ätzbedingungen ausgewählt.in step S2010 in the 5 initial values for the etching conditions are selected.

in Schritt S2020 in der 5 wird das Ätzen auf dem Substrat unter/mit den ausgewählten Ätzbedingungen unter Verwendung der Vorrichtung zum reaktiven ionenätzen ausgeführt.in step S2020 in the 5 etching is performed on the substrate under the selected etching conditions using the reactive ion etching apparatus.

In Schritt S2030 in der 5 wird ein Reflexionsgrad der hergestellten Form ermittelt/ausgewertet.In step S2030 in FIG 5 a degree of reflection of the manufactured mold is determined/evaluated.

In Schritt S2040 in der 5 wird eine Gestalt der hergestellten Form ermittelt/ausgewertet. Die Gestalt wird z.B. unter Verwendung eines Rasterelektronenmikroskops ermittelt/ausgewertet.In step S2040 in FIG 5 a shape of the manufactured mold is determined/evaluated. The shape is determined/evaluated using, for example, a scanning electron microscope.

In Schritt S2050 in der 5 wird ermittelt, ob oder ob nicht die hergestellte Form angemessen ist für eine Form für eine Antireflexionsstruktur (z.B. für eine Form zur Herstellung eines optischen Elements, welches die Antireflexionsstruktur aufweist). Falls die hergestellte Form angemessen ist, wird das Verfahren beendet. Falls die hergestellte Form nicht angemessen ist, geht das Verfahren zu Schritt S2060.In step S2050 in FIG 5 it is determined whether or not the mold produced is appropriate for a mold for an anti-reflection structure (eg, for a mold for producing an optical element having the anti-reflection structure). If the shape produced is adequate, the process is terminated. If the manufactured shape is not appropriate, the process moves to step S2060.

In Schritt S2060 in der 5 werden die Ätzbedingungen eingestellt.In step S2060 in FIG 5 the etching conditions are set.

Die Ätzbedingungen sind nachfolgend im Detail beschrieben.The etching conditions are described in detail below.

Die Tabelle 1 zeigt einige Ätzbedingungen. Tabelle 1 Betriebsdruck Mischungsverhältnis von SF6 und O2 Kühltemperatur 1 Pa 50 ml/min : 50 ml/min 3°C Table 1 shows some etching conditions. Table 1 operating pressure Mixing ratio of SF 6 and O 2 cooling temperature 1 pa 50mL/min : 50mL/min 3°C

In die Ätzkammer 201 der Vorrichtung zum reaktiven Ionenätzen 200 wird das Gasgemisch aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff hinein zugeführt. Eine Menge des zugeführten Schwefelhexafluorids bzw. des Sauerstoffs ist 50 Milliliter pro Minute. Der Druck der Ätzkammer 201 wird gesteuert, sodass dieser 1 Pascal ist. Die Temperatur der unteren Elektrode 205, an/auf welcher das Substrat festgelegt ist, wird gesteuert, sodass sie 3° Celsius ist. Das Substrat ist aus Silizium hergestellt (z.B. damit beschichtet).The gas mixture of sulfur hexafluoride and oxygen is fed into the etching chamber 201 of the device for reactive ion etching 200 . A rate of sulfur hexafluoride or oxygen supplied is 50 milliliters per minute. The pressure of the etch chamber 201 is controlled to be 1 pascal. The temperature of the lower electrode 205 on which the substrate is fixed is controlled to be 3°C. The substrate is made of (e.g. coated with) silicon.

Die 6 zeigt eine Beziehung zwischen der Ätzdauer und dem Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit in dem Fall, in welchem die Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle 211 auf 100 Watt festgelegt ist und die Ätzbedingungen, die in der Tabelle 1 gezeigt sind, eingehalten/erreicht werden, und eine Beziehung zwischen der Ätzdauer und dem Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit in dem Fall, in welchem die Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle 211 auf 200 Watt festgelegt ist und die Ätzbedingungen, die in der Tabelle 1 gezeigt sind, eingehalten werden. Die Horizontalachse in der 6 repräsentiert die Ätzdauer, während die Vertikalachse in der 6 das Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit repräsentiert. Die Zeiteinheit ist „Minute“ und die Teilungsmaßeinheit ist „Mikrometer“. Die Frequenz der Hochfrequenzleistungsquelle 211 ist 13,56 MHz.the 6 Fig. 12 shows a relationship between the etching time and the fine surface roughness pitch in the case where the power of the high-frequency power source 211 is set to 100 watts and the etching conditions shown in Table 1 are met/achieved, and a relationship between the etching time and the fine surface roughness pitch in the case where the power of the high-frequency power source 211 is set to 200 watts and the etching conditions shown in Table 1 are satisfied. The horizontal axis in the 6 represents the etching time, while the vertical axis in FIG 6 represents the pitch of fine surface roughness. The unit of time is "minute" and the unit of division is "micrometer". The frequency of the high-frequency power source 211 is 13.56 MHz.

Das Teilungsmaß (z.B. das Teilungsintervall) der feinen Oberflächenrauheit ist ein Mittelwert der Distanz in einer Richtung parallel zur Substratoberfläche zwischen angrenzenden/benachbarten konvexen Abschnitten oder zwischen benachbarten/angrenzenden konkaven Abschnitten in einem Querschnitt der feinen Oberflächenrauheit. Die Querschnittsansicht kann durch ein Rasterkraftmikroskop oder dergleichen erhalten werden. Das Teilungsmaß kann durch eine Fourieranalyse des Querschnitts der feinen Oberflächenrauheit erhalten werden.The pitch (e.g. pitch interval) of the fine surface roughness is an average of the distance in a direction parallel to the substrate surface between adjacent/adjacent convex portions or between adjacent/adjacent concave portions in a cross section of the fine surface roughness. The cross-sectional view can be obtained by an atomic force microscope or the like. The pitch can be obtained by Fourier analysis of the cross section of the fine surface roughness.

Gemäß der 6 nimmt das Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit mit der Ätzdauer zu. Weiter nimmt die Zunahmerate des Teilungsmaßes versus der (Ätz-) Dauer mit der Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle 211 zu.According to the 6 the pitch of fine surface roughness increases with etching time. Further, the rate of increase in the pitch versus (etching) duration increases with the power of the high-frequency power source 211 .

Die 7 zeigt eine Beziehung zwischen der Ätzdauer und der Tiefe der feinen Oberflächenrauheit in dem Fall, in welchem die Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle 211 auf 100 Watt festgelegt ist und die Ätzbedingungen, die in der Tabelle 1 gezeigt sind, eingehalten werden, und eine Beziehung zwischen der Ätzdauer und der Tiefe der feinen Oberflächenrauheit in dem Fall, in welchem die Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle 211 auf 200 Watt festgelegt ist und die Ätzbedingungen, die in der Tabelle 1 gezeigt sind, eingehalten werden. Die Horizontalachse in der 7 repräsentiert die Ätzdauer, während die Vertikalachse in der 7 die Tiefe der feinen Oberflächenrauheit repräsentiert. Die Zeiteinheit ist „Minute“ und die Tiefeneinheit ist „Mikrometer“.the 7 12 shows a relationship between the etching time and the depth of fine surface roughness in the case where the power of the high-frequency power source 211 is set to 100 watts and the etching conditions shown in Table 1 are satisfied, and a relationship between the etching time and the depth of the fine surface roughness in the case where the power of the high-frequency power source 211 is set to 200 watts and the etching conditions shown in Table 1 are satisfied. The horizontal axis in the 7 represents the etching time, while the vertical axis in FIG 7 represents the depth of the fine surface roughness. The time unit is "minute" and the depth unit is "micrometer".

Eine Tiefe der feinen Oberflächenrauheit ist ein Mittelwert der Distanz in einer Richtung senkrecht zur Substratoberfläche zwischen angrenzenden/benachbarten konvexen und konkaven Abschnitten in einem Querschnitt der feinen Oberflächenrauheit.A depth of the fine surface roughness is an average of the distance in a direction perpendicular to the substrate surface between adjacent convex and concave portions in a cross section of the fine surface roughness.

Gemäß der 7 nimmt die Tiefe der feinen Oberflächenrauheit mit der Ätzdauer zu. Weiter nimmt die Zunahmerate der Tiefe versus der (Ätz-)Dauer mit der Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle 211 zu.According to the 7 the depth of the fine surface roughness increases with etching time. Further, the rate of increase in depth versus (etch) time increases with the power of the high-frequency power source 211 .

Wie es oben beschrieben ist, können mittels Einstellens der Ätzbedingungen, welche die Leistung der Hochfrequenzleistungsquelle 211 und die Ätzdauer beinhalten, die feinen Oberflächenrauheiten, welche Teilungsmaße und Tiefen aufweisen, die zum sichtbaren Bereich und zum Infrarotbereich korrespondieren, hergestellt werden.As described above, by adjusting the etching conditions including the power of the high-frequency power source 211 and the etching time, the fine surface roughnesses having pitches and depths corresponding to the visible region and the infrared region can be made.

Die 8 zeigt Beziehungen zwischen einer Wellenlänge und einer Transmission von/für Infrarotstrahlen, welche in Substrate eintreten, wobei die Substrate unterschiedliche Oberflächenrauheiten haben. Die Horizontalachse in der 8 repräsentiert die Wellenlänge der Infrarotstrahlen, welche in die Substrate eintreten, wobei die Vertikalachse in der 8 die Transmission von / für die Infrarotstrahlen darstellt. In der 8 repräsentiert die durchgezogene Linie die Beziehung zwischen der Wellenlänge und der Transmission der Infrarotstrahlen, welche in ein Substrat eintreten, das keine feine Oberflächenrauheit aufweist. In der 8 repräsentiert die Zweipunkt-strichlierte-Line die Beziehung zwischen der Wellenlänge und der Transmission von/für Infrarotstrahlen, welche in das Substrat eintreten, das die feine Oberflächenrauheit aufweist, die unter Verwendung der Ätzbedingungen 1 hergestellt worden ist, was weiter unten beschrieben ist. In der 8 repräsentiert die strichlierte Linie die Beziehung zwischen der Wellenlänge und der Transmission von/für Infrarotstrahlen, welche in das Substrat eintreten, das die feine Oberflächenrauheit aufweist, die unter Verwendung der Ätzbedingungen 2 hergestellt worden ist, was weiter unten beschrieben ist.the 8th FIG. 12 shows relationships between a wavelength and a transmittance of infrared rays entering substrates, the substrates having different surface roughnesses. The horizontal axis in the 8th represents the wavelength of the infrared rays entering the substrates, with the vertical axis in the 8th represents the transmission of / for the infrared rays. In the 8th the solid line represents the relationship between the wavelength and transmittance of infrared rays entering a substrate not having fine surface roughness. In the 8th the two-dot chain line represents the relationship between the wavelength and the transmittance of infrared rays entering the substrate having the fine surface roughness prepared using the etching conditions 1 described later. In the 8th the broken line represents the relationship between the wavelength and the transmittance of infrared rays entering the substrate having the fine surface roughness prepared using etching conditions 2, which will be described later.

Die 9 zeigt die Transmission. Die Transmission ist ein Verhältnis einer Menge von (z.B. einem Objekt) abgestrahltem Licht zu einer Menge von (z.B. in das Objekt) einfallendem Licht (z.B. die Durchlässigkeit des Objekts für Licht). Die Transmission ändert sich mit der Funktion der feinen Oberflächenrauheit 1011 des Substrats 101.the 9 shows the transmission. Transmission is a ratio of an amount of light emitted (eg, by an object) to an amount of light incident (eg, into the object) (eg, the object's transmission of light). The transmission changes with the function of the fine surface roughness 1011 of the substrate 101.

Die Tabelle 2 zeigt die Ätzbedingungen 1 und die Ätzbedingungen 2. Tabelle 2 Ätzbedingungen Betriebsdruck Mischungsverhältnis von SF6 und O2 Leistung Dauer Kühltemperatur 1 1 Pa 50 ml/min : 50 ml/min 100 W 120 min 3°C 2 1 Pa 50 ml/min : 50 ml/min 200 W 120 min 3°C Table 2 shows etching condition 1 and etching condition 2. Table 2 etching conditions operating pressure Mixing ratio of SF 6 and O 2 perfomance duration cooling temperature 1 1 pa 50mL/min : 50mL/min 100W 120 mins 3°C 2 1 pa 50mL/min : 50mL/min 200W 120 mins 3°C

Die feine Oberflächenrauheit, welche unter den Ätzbedingungen 1 hergestellt wurde, ist nachfolgend als die feine Oberflächenrauheit 1 bezeichnet. Das Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit 1 ist 1,0 µm, während 1,21 µm die Tiefe der feinen Oberflächenrauheit 1 ist. Das Verhältnis des Teilungsmaßes zur Tiefe der feinen Oberflächenrauheit 1 ist 0,83. Die feine Oberflächenrauheit, welche unter den Ätzbedingungen 2 hergestellt wurde, ist nachfolgend als die feine Oberflächenrauheit 2 bezeichnet. Das Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit 2 ist 3,0 µm während 2,79 µm die Tiefe der feinen Oberflächenrauheit 2 ist. Das Verhältnis des Teilungsmaßes zur Tiefe der feinen Oberflächenrauheit 2 ist 1,1.The fine surface roughness produced under the etching condition 1 is hereinafter referred to as the fine surface roughness 1. The pitch of the fine surface roughness 1 is 1.0 µm, while the depth of the fine surface roughness 1 is 1.21 µm. The ratio of the pitch to the depth of the fine surface roughness 1 is 0.83. The fine surface roughness produced under the etching condition 2 is hereinafter referred to as the fine surface roughness 2. The pitch of the fine surface roughness 2 is 3.0 µm while the depth of the fine surface roughness 2 is 2.79 µm. The ratio of the pitch to the depth of the fine surface roughness 2 is 1.1.

Gemäß der 8 ist im Wellenlängenbereich von 2 bis 15 µm die Transmission des Substrats, welches die feine Oberflächenrauheit 1 aufweist, höher als die des Substrats, welches keine feine Oberflächenrauheit aufweist.Insbesondere ist im Wellenlängenbereich von 3 bis 7 µm die Transmission des Substrats, welches die feine Oberflächenrauheit 1 aufweist, um 10 % oder mehr höher als die des Substrats, welches keine Oberflächenrauheit aufweist.Im Wellenlängenbereich von 6 bis 15 µm ist die Transmission des Substrats, welches die feine Oberflächenrauheit 2 aufweist, höher als die des Substrats, welches keine Oberflächenrauheit aufweist. Insbesondere ist im Wellenlängenbereich von 7 bis 12 µm die Transmission des Substrats, welches die feine Oberflächenrauheit 2 aufweist, um 7 % oder mehr höher als die des Substrats, welches keine Oberflächenrauheit aufweist. Aus dem obigen folgt, dass sich das Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit zum Erhöhen der Transmission, d.h., der Reduktion der Reflexion, in einem Bereich von einem Fünftel (1/5) bis einer Hälfte (1/2) der Wellenlänge des zu transmittierten Lichts, welches erhöht werden soll, befinden sollte.According to the 8th In the wavelength range of 2 to 15 µm, the transmittance of the substrate having the fine surface roughness 1 is higher than that of the substrate not having the fine surface roughness. Specifically, in the wavelength range of 3 to 7 µm, the transmittance of the substrate having the fine surface roughness 1 is higher than that of the substrate having no surface roughness by 10% or more. In the wavelength range of 6 to 15 µm, the transmittance of the substrate having the fine surface roughness 2 is higher than that of the substrate having no surface roughness. In particular, in the wavelength range of 7 to 12 µm, the transmittance of the substrate having the fine surface roughness 2 is higher by 7% or more than that of the substrate having no surface roughness. It follows from the above that the pitch of fine surface roughness to increase transmission, ie, reduce reflection, ranges from one-fifth (1/5) to one-half (1/2) the wavelength of the light to be transmitted, which should be increased.

Die 10 zeigt ein Beispiel einer Beziehung zwischen einer Wellenlänge der Lichttransmission, welche erhöht werden soll, und dem Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit zum Erhöhen der Transmission. Die Horizontalachse in der 10 repräsentiert die Wellenlänge der Lichttransmission, welche erhöht werden soll, während die Vertikalachse in der 10 das Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit zum Erhöhen der Transmission repräsentiert.the 10 Fig. 12 shows an example of a relationship between a wavelength of light transmittance to be increased and the pitch of fine surface roughness for increasing transmittance. The horizontal axis in the 10 represents the wavelength of light transmission, which increases should be, while the vertical axis in the 10 represents the pitch of fine surface roughness for increasing transmittance.

Es wurde eine feine Oberflächenrauheit hergestellt, welche ein Teilungsmaß hat, das größer als das der feinen Oberflächenrauheit 2 ist. Diese feine Oberflächenrauheit wird nachfolgend als feine Oberflächenrauheit 3 bezeichnet.A fine surface roughness having a pitch larger than that of fine surface roughness 2 was prepared. This fine surface roughness is hereinafter referred to as fine surface roughness 3.

Die Tabelle 3 zeigt die Ätzbedingungen für die feine Oberflächenrauheit 3. Tabelle 3 Betriebsdruck Mischungsverhältnis von SF6 und O2 Leistung Dauer Kühltemperatur 1 Pa 50 ml/min : 40 ml/min 300 W 120 min 3°C Table 3 shows the etching conditions for the fine surface roughness 3. Table 3 operating pressure Mixing ratio of SF 6 and O 2 perfomance duration cooling temperature 1 pa 50mL/min : 40mL/min 300W 120 mins 3°C

Das Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit 3 ist 18,0 µm, während 6,0 µm die Tiefe der feinen Oberflächenrauheit 3 ist. Das Verhältnis des Teilungsmaßes zur Tiefe der feinen Oberflächenrauheit 3 ist 3,0.The pitch of the fine surface roughness 3 is 18.0 µm, while the depth of the fine surface roughness 3 is 6.0 µm. The ratio of the pitch to the depth of the fine surface roughness 3 is 3.0.

Bei den Ätzbedingungen, welche in der Tabelle 3 gezeigt sind, ist die Menge des zugeführten Sauerstoffs kleiner als die des Schwefelhexafluorids. Folglich werden die Distanzen zwischen den Oxiden, welche auf der Oberfläche des Substrats abgelagert werden und welche als eine Ätzmaske fungieren, größer. Dementsprechend ist das Verhältnis des Teilungsmaßes zur Tiefe der feinen Oberflächenrauheit 3 größer als die der feinen Oberflächenrauheit 1 und der feinen Oberflächenrauheit 2. Wie oben beschrieben kann das Verhältnis des Teilungsmaßes zu Tiefe der feinen Oberflächenrauheit geändert werden mittels Änderns des Verhältnisses der zugeführten Menge von Schwefelhexafluorid und der zugeführten Menge von Sauerstoff.Under the etching conditions shown in Table 3, the amount of oxygen supplied is smaller than that of sulfur hexafluoride. Consequently, the distances between the oxides, which are deposited on the surface of the substrate and which function as an etch mask, become larger. Accordingly, the ratio of the pitch to the depth of the fine surface roughness 3 is larger than that of the fine surface roughness 1 and the fine surface roughness 2. As described above, the ratio of the pitch to the depth of the fine surface roughness can be changed by changing the ratio of the supplied amount of sulfur hexafluoride and the amount of oxygen supplied.

Die 11 zeigt eine Aufnahme des Substrats 1, welches keine feine Oberflächenrauheit aufweist, des Substrats 2, welches die feine Oberflächenrauheit für sichtbares Licht aufweist, und des Substrats 3, welches die feine Oberflächenrauheit 3 aufweist. Das Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit des Substrats 2 ist 0,2 µm. Die Reflexion an der Oberfläche des Substrats 2 ist reduziert mittels der feinen Oberflächenrauheit, und deshalb sieht das Substrat 2 dunkler als das Substrat 1 aus. Das Teilungsmaß der feinen Oberflächenrauheit 3 ist viel größer als die Wellenlängen des sichtbaren Lichts. Andererseits sind die Distanzwerte in der Richtung parallel zur Substratoberfläche zwischen angrenzenden/benachbarten konvexen Abschnitten oder zwischen angrenzenden/benachbarten konkaven Abschnitten nicht konstant und sind in einem vorbestimmten Bereich verteilt. Dementsprechend verursacht die feine Oberflächenrauheit 3 des Substrats 3 gestreutes Licht in zahlreichen Lichtbeugungsarten und zahlreichen Wellenlängen, und deshalb sieht das Substrat 3 weißer/heller als das Substrat 1 aus. Das bedeutet, dass das Substrat 3 mit der feinen Oberflächenrauheit 3 eine Diffusion/Streuung des sichtbaren Lichts verursacht.the 11 FIG. 12 shows a photograph of the substrate 1 having no fine surface roughness, the substrate 2 having the fine surface roughness for visible light, and the substrate 3 having the fine surface roughness 3. FIG. The pitch of the fine surface roughness of the substrate 2 is 0.2 µm. The reflection on the surface of the substrate 2 is reduced by means of the fine surface roughness, and therefore the substrate 2 looks darker than the substrate 1. The pitch of the fine surface roughness 3 is much larger than the visible light wavelengths. On the other hand, the distance values in the direction parallel to the substrate surface between adjacent/adjacent convex portions or between adjacent/adjacent concave portions are not constant and are distributed in a predetermined range. Accordingly, the fine surface roughness 3 of the substrate 3 causes scattered light in various light diffraction modes and various wavelengths, and therefore the substrate 3 looks whiter/brighter than the substrate 1. That is, the substrate 3 having the fine surface roughness 3 causes visible light to diffuse/scatter.

Deshalb dient das Substrat 3 mit der feinen Oberflächenrauheit 3 als eine Diffusorplatte. Das Substrat 3 kann ebenfalls als eine Form für eine Diffusorplatte verwendet werden.Therefore, the substrate 3 having the fine surface roughness 3 serves as a diffuser plate. The substrate 3 can also be used as a mold for a diffuser plate.

Die 12 zeigt eine Rasterelektronenmikroskopaufnahme der feinen Oberflächenrauheit 3.the 12 shows a scanning electron micrograph of the fine surface roughness 3.

Claims (9)

Ein Verfahren zur Herstellung einer Form für eine Antireflexionsstruktur zur Verwendung in einem Infrarotbereich oder zur Herstellung eines Objekts, welches die Antireflexionsstruktur zur Verwendung in einem Infrarotbereich aufweist, durch Plasmatrockenätzen, wobei auf einer Oberfläche von Silizium, aus welchem die Form oder das Objekt hergestellt ist oder mit welchem die Form oder das Objekt beschichtet ist, eine feine Oberflächenrauheit durch das Plasmatrockenätzen unter Verwendung eines Gasgemisches aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff hergestellt wird, sodass während des Ätzens des Siliziums durch das Gasgemisch, das in ein Plasma umgewandelt wird, Oxide erzeugt werden und auf der Oberfläche des Siliziums verteilt werden und mittels eines Unterschieds in der Ätzrate des Oxids und des Siliziums die feine Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Siliziums geformt wird, wobei die feine Oberflächenrauheit eine Tiefe in einem Bereich von 1,6 µm bis 2,7 µm und ein Teilungsmaß in einem Bereich von 1,7 µm bis 3,0 µm hat, womit die Ätzbedingungen eingestellt sind, um die feine Oberflächenrauheit zur Verwendung im Infrarotbereich bereitzustellen, und wobei das Verhältnis von Teilungsmaß zu Tiefe der feinen Oberflächenrauheit durch Ändern des Verhältnisses der Zufuhrmenge von Schwefelhexafluorid und der Zufuhrmenge von Sauerstoff eingestellt wird.A method for manufacturing a mold for an anti-reflection structure for use in an infrared region or for manufacturing an object having the anti-reflection structure for use in an infrared region by plasma dry etching, wherein on a surface of silicon from which the mold or the object is made or with which the mold or object is coated, a fine surface roughness is produced by the plasma dry etching using a gas mixture of sulfur hexafluoride and oxygen, so that during the etching of the silicon by the gas mixture, which is converted into a plasma, oxides are generated and on the surface of the silicon and by means of a difference in etching rate of the oxide and the silicon, the fine surface roughness is formed on the surface of the silicon, the fine surface roughness having a depth in a range of 1.6 µm to 2.7 µm and a pitch in one has a range of 1.7 µm to 3.0 µm, with which the etching conditions are adjusted to provide the fine surface roughness for use in the infrared region, and wherein the ratio of the pitch to the depth of the fine surface roughness is adjusted by changing the ratio of the supply amount of sulfur hexafluoride and the Supply amount of oxygen is adjusted. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Gasgemisch mittels Hochfrequenzleistung in das Plasma umgewandelt wird.The procedure according to claim 1 , whereby the gas mixture is converted into the plasma by means of high-frequency power. Das Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei die Hochfrequenzleistung 200 W beträgt, um das Plasma zu erzeugen.The procedure according to claim 2 , where the high-frequency power is 200W to generate the plasma. Das Verfahren gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die Ätzdauer in einem Bereich von 60 min bis 120 min befindet.The method according to any one of the preceding claims, wherein the etching time is in a range of 60 minutes to 120 minutes. Das Verfahren gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei während des Ätzens das Gasgemisch einen Betriebsdruck von 1 Pa hat, mit einer Rate von 50 ml/min Schwefelhexafluorid und 50 ml/min Sauerstoff zugeführt wird und das Ätzen bei einer Temperatur von 3°C ausgeführt wird.The method according to any one of the preceding claims, wherein during the etching the gas mixture has an operating pressure of 1 Pa, sulfur hexafluoride and 50 ml/min oxygen are supplied at a rate of 50 ml/min, and the etching is carried out at a temperature of 3°C . Das Verfahren gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Ätzen mit der Hochfrequenzleistung von 200 W für 60 min oder mit der Hochfrequenzleistung von 200 W für 120 min ausgeführt wird.The method according to any one of the preceding claims, wherein the etching is performed with the high-frequency power of 200 W for 60 minutes or with the high-frequency power of 200 W for 120 minutes. Eine Form für ein Objekt, welches im Infrarotbereich arbeitet, wobei die Form eine feine Oberflächenrauheit aufweist, die gemäß dem Verfahren von Anspruch 1 hergestellt wird.A mold for an object operating in the infrared region, the mold having a fine surface roughness obtained according to the method of US Pat claim 1 will be produced. Ein Objekt, welches eine Antireflexionsstruktur aufweist, die mittels eines Verfahrens hergestellt wird, wobei die Antireflexionsstruktur eine feine Oberflächenrauheit ist, die eine Tiefe in einem Bereich von 1,6 µm bis 2,7 µm und ein Teilungsmaß in einem Bereich von 1,7 µm bis 3,0 µm aufweist, wobei bei dem Verfahren auf einer Oberfläche von Silizium, aus welchem das Objekt hergestellt ist oder mit welchem das Objekt beschichtet ist, eine feine Oberflächenrauheit durch Plasmatrockenätzen unter Verwendung eines Gasgemisches aus Schwefelhexafluorid und Sauerstoff hergestellt wird, sodass während des Ätzens des Siliziums durch das Gasgemisch, das in ein Plasma umgewandelt wird, Oxide erzeugt werden und auf der Oberfläche des Siliziums verteilt werden und mittels eines Unterschieds in der Ätzrate des Oxids und des Siliziums die Oberflächenrauheit auf der Oberfläche des Siliziums geformt wird, womit die Ätzbedingungen eingestellt sind, um die feine Oberflächenrauheit zur Verwendung im Infrarotbereich bereitzustellen, und wobei das Verhältnis von Teilungsmaß zu Tiefe der feinen Oberflächenrauheit durch Ändern des Verhältnisses der Zufuhrmenge von Schwefelhexafluorid und der Zufuhrmenge von Sauerstoff eingestellt wird.An object having an anti-reflection structure manufactured by a method, wherein the anti-reflection structure is a fine surface roughness having a depth in a range of 1.6 µm to 2.7 µm and a pitch in a range of 1.7 µm to 3.0 µm, in which method a fine surface roughness is produced on a surface of silicon from which the object is made or with which the object is coated by plasma dry etching using a gas mixture of sulfur hexafluoride and oxygen so that during the Etching the silicon by the gas mixture, which is converted into a plasma, oxides are generated and distributed on the surface of the silicon, and by means of a difference in the etching rate of the oxide and the silicon, the surface roughness is formed on the surface of the silicon, thus the etching conditions adjusted to provide fine surface roughness for use in the Infr a red region, and wherein the ratio of the pitch to the depth of the fine surface roughness is adjusted by changing the ratio of the supply amount of sulfur hexafluoride and the supply amount of oxygen. Das Objekt gemäß Anspruch 8, wobei es eine Linse für Infrarotstrahlen ist.The object according to claim 8 , being a lens for infrared rays.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017159573A (en) * 2016-03-10 2017-09-14 ナルックス株式会社 Injection compression molding device and injection compression molding method
JP2019072886A (en) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社エンプラス Production method of molding tool by dry etching method
JP6993837B2 (en) * 2017-10-13 2022-02-04 株式会社エンプラス Manufacturing method of molding mold by dry etching method
WO2019211920A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 ナルックス株式会社 Production method for plastic molded article comprising fine uneven structure on surface thereof
JP6611113B1 (en) * 2019-06-11 2019-11-27 ナルックス株式会社 Method for manufacturing plastic element having fine uneven structure on surface

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090180188A1 (en) 2006-03-24 2009-07-16 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Broadband antireflective optical components with curved surfaces and their production
US20090261353A1 (en) 2005-10-10 2009-10-22 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Production of self-organized pin-type nanostructures, and the rather extensive applications thereof
JP2012040878A (en) 2006-12-13 2012-03-01 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Mold for optical element having nanostructure, mold for nanostructure, and optical element
JP2014051710A (en) 2012-09-07 2014-03-20 Mitsubishi Rayon Co Ltd Production method of anodic oxidation porous alumina, production method of mold, and compact with fine uneven structures on the surface

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232482A (en) * 1996-02-23 1997-09-05 Denso Corp Surface processing of semiconductor and semiconductor device
JP2001133772A (en) * 1999-11-02 2001-05-18 Hitachi Ltd Method of producing light guide plate, light guide plate, and liquid crystal display device
JP2002022911A (en) * 2000-07-05 2002-01-23 Nikon Corp Method for producing microprism array and mold material
JP2005303255A (en) * 2004-03-17 2005-10-27 Shinryo Corp Low-reflectance processing method of silicon substrate for solar cells
WO2006129514A1 (en) 2005-06-03 2006-12-07 Nalux Co., Ltd. Fine mesh and mold therefor
JP2009128543A (en) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Corp Method for manufacturing antireflection structure
JP5010445B2 (en) * 2007-11-29 2012-08-29 パナソニック株式会社 Manufacturing method of mold for microlens array
JP5333444B2 (en) * 2008-04-08 2013-11-06 株式会社ニコン Optical element, optical device, light source device
JP4596072B2 (en) * 2008-12-26 2010-12-08 ソニー株式会社 Manufacturing method of fine processed body and etching apparatus
FR2949276B1 (en) * 2009-08-24 2012-04-06 Ecole Polytech METHOD FOR TEXTURING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE AND SILICON TEXTURE SUBSTRATE FOR A SOLAR CELL
JP5423758B2 (en) * 2011-09-29 2014-02-19 王子ホールディングス株式会社 Single particle film and microstructure

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090261353A1 (en) 2005-10-10 2009-10-22 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Production of self-organized pin-type nanostructures, and the rather extensive applications thereof
US20090180188A1 (en) 2006-03-24 2009-07-16 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Broadband antireflective optical components with curved surfaces and their production
JP2012040878A (en) 2006-12-13 2012-03-01 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Mold for optical element having nanostructure, mold for nanostructure, and optical element
JP2014051710A (en) 2012-09-07 2014-03-20 Mitsubishi Rayon Co Ltd Production method of anodic oxidation porous alumina, production method of mold, and compact with fine uneven structures on the surface

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