DE102014106451B4 - Vakuumkammergehäuse - Google Patents

Vakuumkammergehäuse Download PDF

Info

Publication number
DE102014106451B4
DE102014106451B4 DE102014106451.8A DE102014106451A DE102014106451B4 DE 102014106451 B4 DE102014106451 B4 DE 102014106451B4 DE 102014106451 A DE102014106451 A DE 102014106451A DE 102014106451 B4 DE102014106451 B4 DE 102014106451B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate transfer
gap
substrate
height
vacuum chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102014106451.8A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102014106451A1 (de
Inventor
Marco Kenne
Jochen Krause
Reinhard Jaeger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Original Assignee
Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Von Ardenne Asset GmbH and Co KG filed Critical Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Priority to DE102014106451.8A priority Critical patent/DE102014106451B4/de
Priority to CN201520295953.5U priority patent/CN204676147U/zh
Publication of DE102014106451A1 publication Critical patent/DE102014106451A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102014106451B4 publication Critical patent/DE102014106451B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Vakuumkammergehäuse (100) aufweisend:• eine Kammerwand (102) mit mindestens einem Substrat-Transfer-Spalt (102a) zum Transportieren eines Substrats entlang einer Substrattransportrichtung (101) durch das Vakuumkammergehäuse (100) hindurch; und• eine Blendenstruktur (104), welche derart eingerichtet und relativ zu dem Substrat-Transfer-Spalt (102a) an der Kammerwand (102) befestigt ist, dass der Substrat-Transfer-Spalt (102a) teilweise abgedeckt wird, so dass sich eine effektive Spalthöhe des Substrat-Transfer-Spalts (102a) verringert,• wobei sich der Substrat-Transfer-Spalt (102a) in einer Ebene quer zur Substrattransportrichtung (101) entlang einer Breitenrichtung (103) mit einer Spaltbreite (103a) und entlang einer Höhenrichtung (105) mit einer Spalthöhe (105a) erstreckt,• wobei der Substrat-Transfer-Spalt (102a) entlang der Höhenrichtung (105) von zwei parallelen Flächen (102f) begrenzt ist,• wobei der Substrat-Transfer-Spalt (102a) entlang der Breitenrichtung (103) von zwei einander gegenüberliegenden gekrümmten Randflächen (102r) begrenzt ist, und• wobei die einander gegenüberliegenden gekrümmten Randflächen (102r) kreisförmig oder ellipsenförmig gekrümmt sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Vakuumkammergehäuse gemäß Anspruch 1 sowie ein Vakuumkammergehäuse gemäß Anspruch 6. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den jeweiligen abhängigen Ansprüchen.
  • Im Allgemeinen kann eine Vakuumprozessieranlage (z.B. eine Vakuumbeschichtungsanlage) dazu genutzt werden, Substrate, wie beispielsweise plattenförmige Substrate, Glasscheiben, Wafer oder andere Träger, zu behandeln bzw. zu prozessieren (z.B. zu beschichten). Dabei kann eine Vakuumprozessieranlage mehrere Kammern, Sektionen (Kompartments) oder Prozesskammern aufweisen sowie ein Transportsystem zum Transportieren des zu beschichtenden Substrats durch die Vakuumprozessieranlage hindurch. Verschiedene Kammern einer Vakuumprozessieranlage können mittels so genannter Kammerwände oder Schottwände von einander getrennt sein, beispielsweise bei horizontalen Durchlauf-Beschichtungsanlagen (In-Line-Anlagen) mittels vertikaler Kammerwände bzw. vertikaler Schottwände. Dabei kann jede Kammerwand (oder Schottwand) eine Substrat-Transfer-Öffnung (einen Substrat-Transfer-Spalt) derart aufweisen, dass ein Substrat durch die Kammerwand hindurch transportiert werden kann, z.B. von einer ersten Kammer einer Vakuumprozessieranlage in eine zweite Kammer einer Vakuumprozessieranlage.
  • DE 103 22 935 A1 beschreibt eine Vakuumbeschichtungsanlage mit mehreren Prozesskammern. Um den Gasaustausch zwischen den einzelnen Prozesskammern gering zu halten, wird eine Trennwand mit einem Spalt zwischen den einzelnen Prozesskammern angeordnet, wobei die Spaltquerschnittsform automatisch an die Querschnittsform des zu beschichteten Substrats angepasst werden kann.
  • DE 10 2009 032 152 A1 beschreibt ein Verfahren und eine Beschichtungskammer zur Beschichtung eines Substrats mit einer transparenten Metalloxid-Schicht mittels Magnetron-Sputterns.
  • DE 10 2010 022 277 A1 beschreibt eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten bei effektiver Reaktivgastrennung zwischen benachbarten Beschichtungskammern von In-Line-Beschichtungsanlagen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können mehrere Kammern (Kompartments) in einem gemeinsamen Kammergehäuse bereitgestellt sein oder werden, wobei das Kammergehäuse beispielsweise mehrere Kammerwände aufweisen kann, welche die mehreren Kammern begrenzen und/oder von einander abgrenzen.
  • Ein Kammergehäuse einer Vakuumprozessieranlage kann beispielsweise Bestandteil (beispielsweise ein Grundkörper) einer Vakuumkammer sein, z.B. einer Schleusenkammer, einer Pufferkammer, einer Transferkammer oder einer Prozesskammer (z.B. einer Beschichtungskammer). Dabei kann die jeweilige Funktionsweise oder die Betriebsart der Vakuumkammer aufgrund des mit dem Kammergehäuse verwendeten Kammerdeckels definiert sein. Beispielsweise kann das Kammergehäuse mit einem Kammerdeckel als Schleusenkammer verwendet werden und mit einem anderen Kammerdeckel als Pufferkammer oder Transferkammer (oder Prozesskammer), und mit einem noch anderen Kammerdeckel als Beschichtungskammer. Damit das Kammergehäuse evakuiert werden kann, kann das Kammergehäuse mindestens einen Anschlussflansch zum Anschließen einer Vorvakuumpumpen-Anordnung und/oder einer Hochvakuumpumpen-Anordnung aufweisen. Somit kann in dem mittels des Kammerdeckels abgedichteten Kammergehäuse zumindest ein Vorvakuum erzeugt werden oder bereitgestellt sein.
  • Ferner können eine Vorvakuumpumpen-Anordnung und/oder eine Hochvakuumpumpen-Anordnung an dem Kammerdeckel bereitgestellt sein oder werden. Ferner kann die Vakuumprozessieranlage ein Transportsystem aufweisen zum Transportieren der Substrate durch die Vakuumprozessieranlage hindurch, z.B. kann ein Transportsystem eine Vielzahl von Transportrollen und einen entsprechend mit den Transportrollen gekoppelten Antrieb aufweisen.
  • Zum Einschleusen eines Substrats in die Vakuumprozessieranlage hinein oder zum Ausschleusen eines Substrats aus der Vakuumprozessieranlage heraus, können beispielsweise eine oder mehrere Schleusenkammern, eine oder mehrere Pufferkammern und/oder eine oder mehrere Transferkammern verwendet werden. Zum Einschleusen mindestens eines Substrats in die Vakuumprozessieranlage hinein kann beispielsweise das mindestens eine Substrat in eine belüftete Schleusenkammer eingebracht werden, anschließend kann die Schleusenkammer mit dem mindestens einen Substrat evakuiert werden, und das Substrat kann schubweise aus der evakuierten Schleusenkammer heraus in eine angrenzende Vakuumkammer (z.B. in die Pufferkammer) der Vakuumprozessieranlage transportiert werden. Mittels der Pufferkammer kann beispielsweise ein Substrat vorgehalten werden und ein Druck kleiner als in der Schleusenkammer bereitgestellt werden. Mittels der Transferkammer können die schubweise eingebrachten Substrate zu einem so genannten Substratband (einer z.B. gleichförmig transportierten Folge von Substraten) zusammengeführt werden, so dass zwischen den Substraten nur kleine Lücken verbleiben, während die Substrate in entsprechenden Prozesskammern der Vakuumprozessieranlage prozessiert (z.B. beschichtet) werden. Alternativ kann ein Substrat auch direkt aus der Schleusenkammer in die Transferkammer eingebracht werden, ohne eine Pufferkammer zu verwenden, was beispielsweise eine verlängerte Taktzeit (die zum Einbringen eines Substrat in die Vakuumprozessieranlage hinein benötigte Zeit) verursachen kann.
  • In einer Prozesskammer können die eingeschleusten Substrate beispielsweise prozessiert werden, wobei die Prozesskammer beispielsweise einen Prozesskammerdeckel aufweisen kann, welcher das entsprechende Kompartment in dem Kammergehäuse abdeckt und vakuumdicht verschließt. An dem Prozesskammerdeckel kann beispielsweise ein Magnetron oder können beispielsweise mehrere Magnetrons befestigt sein, z.B. kann der Prozesskammerdeckel mindestens ein Rohrmagnetron oder Doppelrohr-Magnetron oder mindestens ein Planarmagnetron oder Doppel-Planarmagnetron aufweisen.
  • Verschiedene Ausführungsformen basieren anschaulich auf der Erkenntnis, dass beispielsweise in eine Kammerwand eines Kammergehäuses mechanische Spannungen derart eingetragen werden können, dass die Kammerwand an sensiblen Stellen, z.B. am Rand der Substrat-Transfer-Öffnung, beschädigt werden kann. Anschaulich kann eine Kammerwand, welche eine herkömmliche schlitzförmige Substrat-Transfer-Öffnung mit einer geringen Spalthöhe (z.B. mit einer Spalthöhe von kleiner als ungefähr 5 cm zum Transportieren von Substraten, welche dünner sind als ungefähr 5 cm, durch die Kammerwand hindurch) mechanisch instabil sein können, wenn die Kammerwand belastet wird. Anschaulich können die mechanischen Spannungen (die Belastung) aufgrund des Kammerdeckels, welche auf dem Kammergehäuse und somit auf der Kammerwand aufliegen kann, in die Kammerwand eingetragen werden. Ferner kann die Belastung aufgrund des äußeren Luftdrucks vergrößert sein, wenn die Vakuumkammer (das mit dem Kammerdeckel verschlossene Kammergehäuse) evakuiert ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wurde erkannt, dass eine Kammerwand an den seitlichen Randbereichen des Substrat-Transfer-Spalts reißen oder beschädigt werden kann, da die Randbereiche des Substrat-Transfer-Spalts beispielsweise Ecken oder Rundungen mit geringem Krümmungsradius (z.B. geringer als ungefähr 5 cm) aufweisen können, an denen sich mechanische Spannungen sammeln können und somit die Haltbarkeit und/oder Belastbarkeit der Kammerwand übersteigen können.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Substrat-Transfer-Spalt oder eine Substrat-Transfer-Öffnung in einer Kammerwand bereitgestellt, wobei der Substrat-Transfer-Spalt bzw. die Substrat-Transfer-Öffnung eine Geometrie aufweist, welche mechanisch stabil ist. Damit der Substrat-Transfer-Spalt bzw. die Substrat-Transfer-Öffnung gleichzeitig eine separierende Funktion bereitstellen kann, kann der Substrat-Transfer-Spalt bzw. die Substrat-Transfer-Öffnung mittels einer Blende derart abgedeckt sein oder werden, dass die effektive Spaltgeometrie angepasst werden kann, beispielsweise derart, dass die Spalthöhe des Substrat-Transfer-Spalts bzw. der Substrat-Transfer-Öffnung auf eine effektive Spalthöhe verringert werden kann und/oder derart, dass die Spaltbreite des Substrat-Transfer-Spalts bzw. der Substrat-Transfer-Öffnung auf eine effektive Spaltbreite verringert werden kann.
  • Anschaulich kann in der Kammerwand ein Substrat-Transfer-Spalt bzw. eine Substrat-Transfer-Öffnung bereitgestellt werden, welche die mechanische Stabilität der Kammerwand erhöht, wobei der Substrat-Transfer-Spalt bzw. die Substrat-Transfer-Öffnung mittels einer Blende an eine Geometrie (z.B. Höhe und/oder Breite) der zu transportierenden Substrate angepasst sein kann, so dass der effektive Spalt so gering wie möglich bereitgestellt sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Vakuumkammergehäuse Folgendes aufweisen: eine Kammerwand mit mindestens einem Substrat-Transfer-Spalt zum Transportieren eines Substrats entlang einer Substrattransportrichtung durch das Vakuumkammergehäuse hindurch; und eine Blendenstruktur, welche derart eingerichtet und relativ zu dem Substrat-Transfer-Spalt an der Kammerwand befestigt ist, dass der Substrat-Transfer-Spalt teilweise abgedeckt wird, so dass sich eine effektive Spalthöhe des Substrat-Transfer-Spalts verringert, wobei sich der Substrat-Transfer-Spalt in einer Ebene quer zur Substrattransportrichtung entlang einer Breitenrichtung mit einer Spaltbreite und entlang einer Höhenrichtung mit einer Spalthöhe erstreckt, wobei der Substrat-Transfer-Spalt entlang der Höhenrichtung von zwei parallelen Flächen begrenzt ist, wobei der Substrat-Transfer-Spalt entlang der Breitenrichtung von zwei einander gegenüberliegenden gekrümmten Randflächen begrenzt ist, und wobei die einander gegenüberliegenden gekrümmten Randflächen kreisförmig oder ellipsenförmig gekrümmt sind.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Vakuumkammergehäuse Folgendes aufweisen: eine Kammerwand mit mindestens einem Substrat-Transfer-Spalt, wobei der Substrat-Transfer-Spalt derart eingerichtet ist, dass ein Substrat die Kammerwand passieren kann (durch die Kammerwand hindurch transportiert werden kann); und eine Blendenstruktur, welche derart eingerichtet und relativ zu dem Substrat-Transfer-Spalt an der Kammerwand befestigt ist, dass der Substrat-Transfer-Spalt teilweise abgedeckt wird, so dass sich eine effektive Spalthöhe des Substrat-Transfer-Spalts verringert.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Vakuumkammergehäuse mit einem passenden Vakuumkammerdeckel abgedichtet werden und somit eine Vakuumkammer bereitstellen. Ferner kann das Vakuumkammergehäuse eine Vakuumkammer sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann sich der Substrat-Transfer-Spalt in einer Ebene quer zur Substrattransportrichtung entlang einer Breitenrichtung mit einer Spaltbreite und entlang einer Höhenrichtung mit einer Spalthöhe erstrecken. Anschaulich kann sich der Substrat-Transfer-Spalt quer zur Substrattransportrichtung für ein Substrat in dem Vakuumkammergehäuse erstrecken. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann sich die Kammerwand vertikal (quer zur Substrattransportrichtung) in dem Vakuumkammergehäuse erstrecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Substrat-Transfer-Spalt entlang der Höhenrichtung von zwei parallelen Flächen begrenzt sein oder werden. Anschaulich kann der Substrat-Transfer-Spalt im Wesentlichen (in einem Mittenbereich) quaderförmig eingerichtet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Substrat-Transfer-Spalt entlang der Breitenrichtung von zwei einander gegenüberliegenden gekrümmten Randflächen begrenzt sein oder werden. Mit anderen Worten kann der Substrat-Transfer-Spalt in dessen Randbereichen (in Breitenrichtung) eine gekrümmte Form aufweisen, so dass der Eintrag mechanischer Spannungen in die Kammerwand nahe der Randbereiche des Substrat-Transfer-Spalts vergleichsweise (anschaulich verglichen mit einem Substrat-Transfer-Spalt, der in dessen Randbereich keine gekrümmte sondern eine rechteckige Form aufweist) gering ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die einander gegenüberliegenden gekrümmten Randflächen kreisförmig oder ellipsenförmig ausgebildet (geformt oder gekrümmt) sein. Anschaulich kann der Substrat-Transfer-Spalt derart eingerichtet sein, dass dessen Innenumfangswandung keine Ecken, Kanten oder Krümmungen mit geringem Krümmungsradius aufweist, so dass sich mechanische Spannungen besser in der Kammerwand verteilen können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Krümmungsradius oder eine Halbachse der kreisförmig oder ellipsenförmig gekrümmten Randflächen (der gekrümmten Innenumfangswandung in den Randbereichen des Substrat-Transfer-Spalts) größer sein als die Hälfte der Spalthöhe des Substrat-Transfer-Spalts.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Blendenstruktur eine Blendenöffnung aufweisen oder bilden, wobei eine Öffnungshöhe der Blendenöffnung entlang der Höhenrichtung kleiner als die Spalthöhe des Substrat-Transfer-Spalts ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Blendenstruktur eine Blendenöffnung aufweisen oder bilden, wobei eine Öffnungshöhe der Blendenöffnung entlang der Höhenrichtung gleich der Spalthöhe des Substrat-Transfer-Spalts ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Vakuumkammergehäuse Folgendes aufweisen: eine Kammerwand mit mindestens einer Substrat-Transfer-Öffnung zum Transportieren eines Substrats entlang einer Substrattransportrichtung durch das Vakuumkammergehäuse hindurch; wobei sich die Substrat-Transfer-Öffnung in einer Ebene quer zur Substrattransportrichtung entlang einer Breitenrichtung und entlang einer Höhenrichtung erstreckt, wobei die Substrat-Transfer-Öffnung einen Spaltbereich aufweist, welcher entlang der Breitenrichtung von zwei Randbereichen begrenzt wird, und wobei eine Höhe der Substrat-Transfer-Öffnung in den Randbereichen größer ist als in dem Spaltbereich, wobei die Substrat-Transfer-Öffnung (102a) in den Randbereichen (202r) kreisförmig oder ellipsenförmig geformt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrat-Transfer-Öffnung in den Randbereichen kreisförmig oder ellipsenförmig geformt sein. Mit anderen Worten kann ein Bereich der Innenumfangswandung der Substrat-Transfer-Öffnung kreisförmig oder ellipsenförmig ausgebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Mittenbereich in dessen Höhenrichtung von zwei parallelen Flächen begrenzt sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Vakuumkammergehäuse ferner eine Blendenstruktur mit einer Blendenöffnung aufweisen, wobei die Blendenstruktur derart eingerichtet und relativ zu der Substrat-Transfer-Öffnung an der Kammerwand befestigt sein kann, dass die Randbereiche der Substrat-Transfer-Öffnung mittels der Blendenstruktur teilweise abgedeckt sind oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Vakuumkammergehäuse Teil einer Vakuumkammer oder Vakuumprozesskammer sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Vakuumkammer ein Vakuumkammergehäuse mit einer Öffnung aufweisen und einen entsprechenden zu der Öffnung in dem Vakuumkammergehäuse passenden Kammerdeckel. Der Kammerdeckel kann beispielsweise von oben auf eine entsprechende Öffnung in der Oberseite des Vakuumkammergehäuses aufgelegt sein oder werden.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
  • Es zeigen
    • 1A eine Kammerwand eines Vakuumkammergehäuses mit einem Substrat-Transfer-Spalt in einer schematischen Querschnittsansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 1B eine Kammerwand eines Vakuumkammergehäuses mit einem Substrat-Transfer-Spalt in einer schematischen Seitenansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 2A und 2B jeweils eine Kammerwand eines Vakuumkammergehäuses mit einem Substrat-Transfer-Spalt in einer schematischen Seitenansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 3A ein Vakuumkammergehäuse mit mehreren Kammerwänden mit jeweils einem Substrat-Transfer-Spalt in einer schematischen perspektivischen Ansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 3B bis 3D jeweils eine Kammerwand eines Vakuumkammergehäuses mit einem Substrat-Transfer-Spalt in einer schematischen Seitenansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 4 ein Vakuumkammergehäuse mit mehreren Kammerwänden mit jeweils einem Substrat-Transfer-Spalt in einer schematischen Seitenansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen; und
    • 5A und 5B jeweils ein Vakuumkammergehäuse mit einem Substrat-Transfer-Spalt in einer schematischen perspektivischen Ansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
  • Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe „verbunden“, „angeschlossen“ sowie „gekoppelt“ verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
  • Im Allgemeinen können verschiedene Bauteile einer Vakuumkammer oder kann ein Vakuumkammergehäuse mechanischen Belastungen ausgesetzt sein. In einem Vakuumkammergehäuse können beispielsweise vertikale Kammerwände angeordnet sein, welche eine Last in vertikaler Richtung aufnehmen. Dabei kann es notwendig sein, aus bautechnischen oder vakuumtechnischen Gründen Öffnungen in solchen vertikalen Kammerwänden bereitzustellen, z.B. um ein Substrat durch das Vakuumkammergehäuse hindurch transportieren zu können. Derartige Substrat-Transfer-Öffnungen werden herkömmlicherweise an die zu transportierenden Substrate angepasst und möglichst klein in der Kammerwand bereitgestellt. Dabei kann es aufgrund der geringen Ausdehnung der Substrat-Transfer-Öffnung (beispielsweise bedingt durch eine geringe Dicke der Substrate) in Bereichen der Kammerwand nahe der Substrat-Transfer-Öffnung zu Überhöhungen in der mechanischen Spannung kommen.
  • Im Folgenden wird ein Vakuumkammergehäuse oder eine Kammerwand eines Vakuumkammergehäuses oder eine Kammerwand einer Vakuumkammer beschrieben, welche eine Substrat-Transfer-Öffnung aufweist, die eine ausreichend hohe mechanische Stabilität aufweist und gleichzeitig als Substrat-Transfer-Öffnung geeignet in Vakuumprozessen verwendet werden kann.
  • 1A veranschaulicht eine Kammerwand 102 eines Vakuumkammergehäuses 100 (bzw. einer Vakuumkammer) in einer schematischen Querschnittsansicht entlang einer Breitenrichtung 103 quer zu einer Transportrichtung 101 und einer Höhenrichtung 105. Dabei kann die Transportrichtung 101 mittels eines relativ zu der Kammerwand 102 angeordneten Transportsystems 106 definiert sein oder werden, z.B. kann das Transportsystem 106 mehrere Rollen und einen Antrieb aufweisen. Dabei können die Rollen um eine Drehachse rotieren, welche parallel zur Breitenrichtung 103 ausgerichtet sein kann. Senkrecht zur Transportrichtung 101 und zur Breitenrichtung 103 kann sich die Höhenrichtung 105 erstrecken.
  • Anschaulich kann die Kammerwand 102 relativ zu einem Transportsystem 106 zum Transportieren eines Substrats durch das Vakuumkammergehäuse 100 hindurch ausgerichtet und angeordnet sein. Ferner kann die Kammerwand 102 einer Substrat-Transfer-Öffnung 102a aufweisen, welche sich derart in der Kammerwand 102 relativ zu dem Transportsystem 106 erstrecken kann, dass mittels des Transportsystems 106 ein Substrat entlang einer Substrattransportebene 101 durch die Kammerwand 102 hindurch transportiert werden kann.
  • 1B veranschaulicht die Kammerwand 102 des Vakuumkammergehäuses 100 in einer schematischen Seitenansicht entlang der Transportrichtung 101.
  • In einer horizontalen Vakuumprozessieranlage kann die Breitenrichtung 103 beispielsweise der Horizontalrichtung entsprechen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrat-Transfer-Öffnung 102a in der Kammerwand 102 derart dimensioniert sein, dass ein plattenförmiges Substrat durch die Substrat-Transfer-Öffnung 102a hindurch transportiert werden kann und dass die Kammerwand 102 gleichzeitig mechanisch stabil sein kann, z.B. gegenüber einer vertikalen Belastung entlang der Höhenrichtung 105. Dazu kann eine Öffnungshöhe 105a der Substrat-Transfer-Öffnung 102a entlang der Höhenrichtung 105 größer sein als ein durch die Substrat-Transfer-Öffnung 102a hindurch zu transportierendes Substrat. Beispielsweise kann ein Substrat, welches mittels des Vakuumkammergehäuses 100 prozessiert werden soll, eine Substratdicke in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 50 mm aufweisen, und die Öffnungshöhe 105a der Substrat-Transfer-Öffnung 102a kann beispielsweise mehr als doppelt so groß sein, wie die Substratdicke, z.B. in einem Bereich von ungefähr 50 mm bis ungefähr 300 mm liegen, oder z.B. in einem Bereich von ungefähr 150 mm bis ungefähr 250 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Kammerwand 102 eine Öffnungsbreite 103a entlang der Breitenrichtung in einem Bereich von ungefähr 1 m bis ungefähr 5 m aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 1 m bis ungefähr 4 m.
  • Die Öffnungshöhe 105a der Substrat-Transfer-Öffnung 102a kann beispielsweise zu einer größeren mechanischen Stabilität in einem Randbereich 102r der Substrat-Transfer-Öffnung 102a führen, da beispielsweise eine Konzentration der mechanischen Spannungen in einem Punkt der Kammerwand 102 verhindert sein kann, wie es bei einem Spalt mit einer geringen Höhe und großen Breite auftreten kann.
  • Ferner kann an der Kammerwand 102 des Vakuumkammergehäuses 100 eine Blendenstruktur 104 befestigt sein oder eine Blendenstruktur 104 kann relativ zu der Substrat-Transfer-Öffnung 102a der Kammerwand 102 angeordnet oder bereitgestellt sein. Die Blendenstruktur 104 kann beispielsweise mindestens ein Blech aufweisen, welches zumindest die Öffnungshöhe 105a der Substrat-Transfer-Öffnung 102a reduziert. Die Blendenstruktur 104 kann derart eingerichtet sein, dass ein geringer effektiver Spalt 104a verbleibt, durch welchen das Substrat hindurch transportiert werden kann. Anschaulich kann mittels der Blendenstruktur 104 eine Gasseparation an der Kammerwand 102 erfolgen oder Prozessbereiche vor und hinter der Kammerwand 102 (bezogen auf die Transportrichtung 101) können mittels der Blendenstruktur 104 effektiver von einander separiert sein oder werden. Ferner kann die Blendenstruktur 104 auch einen effektiven Substrat-Transfer-Spalt 104a bereitstellen, welcher unabhängig von der Substrat-Transfer-Öffnung 102a eingerichtet sein kann oder werden kann.
  • Ferner kann die Blendenstruktur 104 auch einen effektiven Substrat-Transfer-Spalt 104a bereitstellen, welcher mittels einer Dichtungsvorrichtung, z.B. mittels einer Klappendichtung oder eines Klappenventils, abgedichtet werden kann. Anschaulich kann beispielsweise die Substrat-Transfer-Öffnung 102a aus mechanischen Gründen zu groß eingerichtet sein, um effektiv mit einem Ventil abgedichtet werden zu können.
  • Ferner kann mittels der Blendenstruktur 104 die effektive Breite der Substrat-Transfer-Öffnung 102a reduziert werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Blendenstruktur 104 lösbar an der Kammerwand 102 befestigt sein, z.B. angeschraubt oder geklemmt sein, so dass diese an das jeweilige zu prozessierende Substrat angepasst werden kann. Somit kann beispielsweise ein vordefinierter effektiver Substrat-Transfer-Spalt 104a bereitgestellt werden, ohne die Konstruktion des Vakuumkammergehäuses 100 (der Kammerwand 102) zu verändern.
  • Alternativ kann die Blendenstruktur 104 auch unlösbar mit der Kammerwand 102 verbunden sein, z.B. angeschweißt sein.
  • Ferner kann zwischen der Blendenstruktur 104 und der Kammerwand 102 eine Dichtungsstruktur bereitgestellt sein oder werden, so dass beispielsweise beim Abdichten der Blendenöffnung 104a auch die Substrat-Transfer-Öffnung 102a abgedichtet wird. Ferner kann die Blendenstruktur 104 einseitig oder beidseitig der Kammerwand 102 bereitgestellt sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Blendenstruktur 104 Stahl aufweisen oder ein anderes geeignetes Material. Ferner kann die Kammerwand 102 Stahl aufweisen oder ein anderes geeignetes Material. Ferner kann die Blendenstruktur 104 dünner sein als die Kammerwand 102 (die Materialstärke der Blendenstruktur 104 in Transportrichtung kann geringer sein als die der Kammerwand 102) .
  • Wie in den 1A und 1B veranschaulicht ist, kann das Vakuumkammergehäuse 100 Folgendes aufweisen: eine Kammerwand 102 mit mindestens einem Substrat-Transfer-Spalt 102a (Substrat-Transfer-Öffnung 102a) zum Transportieren eines Substrats entlang einer Substrattransportrichtung 101 durch das Vakuumkammergehäuse 100 hindurch; und eine Blendenstruktur 104, welche derart eingerichtet und relativ zu dem Substrat-Transfer-Spalt 102a an der Kammerwand 102 befestigt ist, dass der Substrat-Transfer-Spalt 102a teilweise abgedeckt wird, so dass die Spalthöhe 105a des Substrat-Transfer-Spalts 102a verringert wird auf eine effektive Spalthöhe 105b. Dabei kann sich der Substrat-Transfer-Spalt 102a in einer Ebene (aufgespannt von der Breitenrichtung 103 und der Höhenrichtung 105) quer zur Substrattransportrichtung 101 entlang einer Breitenrichtung 103 mit einer Spaltbreite 103a und entlang einer Höhenrichtung 105 mit einer Spalthöhe 105a erstrecken.
  • Wie in 1B dargestellt ist, kann der Substrat-Transfer-Spalt 102a entlang der Höhenrichtung 105 von zwei parallelen Flächen 102f begrenzt sein oder werden. Ferner kann der Substrat-Transfer-Spalt 102a entlang der Breitenrichtung 103 von zwei einander gegenüberliegenden, gekrümmten Randflächen 102r begrenzt sein oder werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die gekrümmten Randflächen 102r des Substrat-Transfer-Spalts 102a die mechanische Stabilität der Kammerwand 102 nahe diesen gekrümmten Randflächen 102r erhöhen.
  • Ferner können die einander gegenüberliegenden gekrümmten Randflächen 102r kreisförmig oder ellipsenförmig geformt sein. Diese kann eine optimale Verteilung der mechanischen Spannungen entlang der Randflächen 102r zur Folge haben. Dabei kann ein Krümmungsradius oder eine Halbachse der kreisförmig oder ellipsenförmig gekrümmten Randflächen 102r gleich der Hälfte der Spalthöhe 105a des Substrat-Transfer-Spalts 102a sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Blendenstruktur 104 eine Blendenöffnung 104a aufweisen oder bilden, wobei eine Öffnungshöhe 105b der Blendenöffnung 104a entlang der Höhenrichtung 105 kleiner als die Spalthöhe 105b des Substrat-Transfer-Spalts 102a ist.
  • 2A veranschaulicht eine Kammerwand 102 eines Vakuumkammergehäuses 100 (bzw. einer Vakuumkammer) in einer schematischen Seitenansicht entlang der Transportrichtung 101. Dabei kann die Kammerwand 102 ähnlich wie vorangehend beschrieben eingerichtet sein, jedoch kann die Substrat-Transfer-Öffnung 102a eine andere Form aufweisen.
  • Wie in 2A veranschaulicht ist, kann die Substrat-Transfer-Öffnung 102a (der Substrat-Transfer-Spalt 102a) derart in der Kammerwand 102 bereitgestellt sein, dass die Substrat-Transfer-Öffnung 102a einen Mittenbereich 202m und zwei Randbereiche 202r aufweist, wobei die Randbereiche 202r den Mittenbereich 202m seitlich entlang der Breitenrichtung 103 begrenzen.
  • Dabei kann der Mittenbereich 202m eine erste Öffnungshöhe 205a aufweisen, welche an eine Substratdicke eines durch die Substrat-Transfer-Öffnung 102a hindurch zu transportierenden Substrats angepasst sein kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Öffnungshöhe 205a des Substrat-Transfer-Spalts 102a in dem Mittenbereich kleiner sein als ungefähr 100 mm, z.B. ein einem Bereich von ungefähr 20 mm bis ungefähr 100 mm liegen. Anschaulich kann der Substrat-Transfer-Spalt 102a eine Gasseparation zwischen zwei Bereichen auf gegenüberliegenden Seiten der Kammerwand 102 ermöglichen.
  • Die Randbereiche 202r des Substrat-Transfer-Spalts 102a können beispielsweise derart eingerichtet sein, dass diese eine Verteilung der mechanischen Spannung in der Kammerwand 102 mittels gekrümmter Randflächen 102r ermöglichen können, analog zur vorangehenden Beschreibung. Dazu kann eine zweite Öffnungshöhe 205r des Substrat-Transfer-Spalts 102a in den Randbereichen 202r größer sein als die erste Öffnungshöhe 205a des Substrat-Transfer-Spalts 102a in dem Mittenbereich.
  • Wie in 2B in einer schematischen Seitenansicht entlang der Transportrichtung 101 veranschaulicht ist, können zumindest die Randbereiche 202r des Substrat-Transfer-Spalts 102a mittels einer Blendenstruktur 104 teilweise abgedeckt werden, z.B. können jeweils Bereiche 202e des Substrat-Transfer-Spalts 102a derart abgedeckt werden, dass ein entsprechender effektiver Substrat-Transfer-Spalt 102a mit einer einheitlichen effektiven Spalthöhe 205 gebildet ist.
  • Anschaulich kann der Substrat-Transfer-Spalt 102a aufgrund der mechanischen Auswirkungen des Substrat-Transfer-Spalts 102a auf die Substrat-Transfer-Öffnung 102a zumindest Bereiche 202e aufweisen, welche größer sind, als für die Funktion als Substrat-Transfer-Spalt 102a notwendig oder hilfreich sind, so dass diese Bereiche 202e mittels der Blendenstruktur 104 abgedeckt werden können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen veranschaulichen die 2A und 2B eine Kammerwand 102 eines Vakuumkammergehäuses 100, wobei die Kammerwand 102 mindestens eine Substrat-Transfer-Öffnung 102a (Substrat-Transfer-Spalt 102a) aufweist zum Transportieren eines Substrats entlang einer Substrattransportrichtung 101 durch das Vakuumkammergehäuse 100 hindurch; und wobei sich die Substrat-Transfer-Öffnung 102a in einer Ebene quer zur Substrattransportrichtung 101 entlang einer Breitenrichtung 103 und entlang einer Höhenrichtung 105 erstreckt, wobei die Substrat-Transfer-Öffnung 102a einen Spaltbereich 202m aufweist, welcher entlang der Breitenrichtung 103 von zwei Randbereichen 202r begrenzt wird, und wobei eine Höhe 205r der Substrat-Transfer-Öffnung 102a in den Randbereichen 202r größer ist als eine Höhe 205a der Substrat-Transfer-Öffnung 102a in dem Spaltbereich 202m.
  • Wie vorangehend beschrieben ist, kann die Substrat-Transfer-Öffnung 102a in den Randbereichen 202r kreisförmig oder ellipsenförmig geformt sein. Ferner kann der Mittenbereich 202m der Substrat-Transfer-Öffnung 102a in dessen Höhenrichtung 105 von zwei parallelen Flächen 102f begrenzt sein.
  • Ferner kann eine Blendenstruktur derart eingerichtet sein und relativ zu der Substrat-Transfer-Öffnung 102a an der Kammerwand 102 befestigt sein oder werden, dass die Randbereiche 202r der Substrat-Transfer-Öffnung 102a mittels der Blendenstruktur 104 teilweise abgedeckt sind oder werden. Dabei kann die Blendenstruktur 104 ein Blech oder mehrere Bleche aufweisen, welche beispielsweise unlösbar an der Kammerwand 102 befestigt sein können.
  • 3A veranschaulicht in einer schematischen perspektivischen Ansicht ein Vakuumkammergehäuse 100, welches mehrere Kammern (Kompartments) aufweist, z.B. fünf Kammern 100k, wobei die mehreren Kammern mittels mehrerer Kammerwände 102 von einander separiert sein können, z.B. mittels sechs Kammerwänden 102. Dabei kann mindestens eine Kammerwand 102 oder können alle Kammerwände 102 eine Substrat-Transfer-Öffnung 102a aufweisen, wie vorangehend beschrieben. Das Vakuumkammergehäuse 100 kann beispielsweise mittels eines Deckels oder mittels mehrerer Deckel abgedichtet werden, wobei der eine Deckel oder die mehreren Deckel auf das Vakuumkammergehäuse 100 aufgelegt werden können. Ferner kann eine Kammerwand 102 des Vakuumkammergehäuses 100 weitere Öffnungen aufweisen, mittels welcher beispielsweise die Vakuumbedingungen innerhalb des Vakuumkammergehäuses 100 verändert werden können oder angepasst sein können.
  • Die Figuren Fig.3B, Fig.3C und 3D zeigen verschiedene Seitenansichten des in 3A dargestellten Vakuumkammergehäuses 100, gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Wie jeweils in Fig.3B und 3D dargestellt ist, kann die Substrat-Transfer-Öffnung 102a in dem Mittenbereich 202m als dünner Substrat-Transfer-Spalt eingerichtet sein und in den Randbereichen 202r eine kreisförmige Aussparung aufweisen, welche einen größeren Innendurchmesser aufweisen kann, als die Spalthöhe des Substrat-Transfer-Spalts 102a in dem Mittenbereich 202m.
  • Dabei kann die kreisförmige Aussparung in den Randbereichen 202r der Substrat-Transfer-Öffnung 102a mittels eines Blechs derart abgedeckt sein, dass ein entsprechend vordefinierter Substrat-Transfer-Spalt 102a zum Transportieren eines Substrats durch das Vakuumkammergehäuse 100 hindurch bereitgestellt ist.
  • Ferner kann die Substrat-Transfer-Öffnung 102a auch ohne eine Blendenstruktur 104 eingerichtet sein, wie in 3C veranschaulicht ist. In diesem Fall kann eine Separation verschiedener Kammern 100k des Vakuumkammergehäuses 100 mittels der Kammerwand 102 beeinträchtigt sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Vakuumkammergehäuse 100 eine Kammer 100k oder zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun, zehn, oder mehr als zehn Kammern 100k aufweisen. Dabei kann beispielsweise eine Kammer 100k des Vakuumkammergehäuses 100 oder das Vakuumkammergehäuse 100 selbst als eine Ventilkammer 400 eingerichtet sein oder werden, wie beispielsweise in 4 in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht dargestellt ist.
  • Mittels einer Ventilkammer 400 kann beispielsweise ein Teil einer Vakuumprozessieranlage mit einer Vielzahl von Kammern 100k und/oder einer Vielzahl von Vakuumkammergehäusen 100 in verschiedene Bereiche gegliedert sein, welche mittels der Ventilkammer 400 von einander vakuumdicht separiert werden können. Somit kann beispielsweise eine Vakuumprozessieranlage nur teilweise belüftet werden, z.B. zu Wartungszwecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Ventilkammer 400 zwei Kammerwände 102 aufweisen, wobei zwischen den beiden Kammerwänden 102 in der Ventilkammer 400 eine Transportrolle 406r angeordnet sein kann. Die Kammerwände 102 können wie vorangehend beschrieben, jeweils eine Substrat-Transfer-Öffnung 102a aufweisen, welche mittels einer Blendenstruktur 104 abgedeckt ist, wobei die Blendenstruktur 104 eine Blendenöffnung 104a aufweist, durch welche ein Substrat hindurch transportiert werden kann. Ferner können zwei Klappenventile 408 in der Ventilkammer 400 derart angeordnet und eingerichtet sein, dass die Blendenöffnung 104a und somit die Substrat-Transfer-Öffnungen 102a der Kammerwände 102 vakuumdicht abgedichtet werden können. Beispielsweise kann jeweils ein Klappenventil 408 in einer Schwenkbewegung, z.B. mittels der Schwenkarme 408h, an die Blendenstruktur 104 angepresst werden, so dass das Klappenventil den mittels der Blendenstruktur 104 bereitgestellten effektiven Substrat-Transfer-Spalt 104a mittels eine Klappe 408k abdichten kann. Das Klappenventil 408 kann an der Klappe 408k eine umlaufende Dichtungslippe 408d aufweisen, welche den mittels der Blendenstruktur 104 bereitgestellten effektiven Substrat-Transfer-Spalt 104a vakuumdicht abdichten kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Klappenventile 408 in der Ventilkammer 400 symmetrisch bezüglich der Transportrichtung 101 eingerichtet sein, so dass beispielsweise sowohl ein Bereich der Vakuumprozessieranlage vor der Ventilkammer 400 als auch nach der Ventilkammer 400 unabhängig von dem jeweils anderen Bereich belüftet werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Blendenstruktur 104 mittels Schrauben 404s an der jeweiligen Kammerwand 102 befestigt sein oder werden. Ferner kann die Blendenstruktur 104 und/oder die jeweilige Kammerwand 102 eine Dichtungsstruktur 404d aufweisen. Somit kann die Ventilkammer 400 derart eingerichtet sein, dass diese als ein Ventil zwischen den angrenzenden weiteren Kammern der Vakuumprozessieranlage wirken kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrat-Transfer-Öffnung 102a in der Kammerwand 102 derart dimensioniert sein oder werden, dass die Transportrolle 406r der Ventilkammer 400 zugänglich sein kann, z.B. zu Montagezwecken oder Wartungszwecken (vgl. Fig.5A und 5B).
  • 5A veranschaulicht eine als Ventilkammer 400 eingerichtete Vakuumkammer 100 bzw. ein Vakuumkammergehäuse 100, welches als ein Teil einer Ventilkammer 400 verwendet wird, wobei die Blendenstruktur 104 von der Kammerwand 102 demontiert ist. Somit kann beispielsweise die Transportrolle 406r zugänglich sein oder zugänglich gemacht werden.
  • 5B veranschaulicht die als Ventilkammer 400 eingerichtete Vakuumkammer 100 bzw. das Vakuumkammergehäuse 100, welches als ein Teil einer Ventilkammer 400 verwendet wird, wobei die Blendenstruktur 104 von der Kammerwand 102 montiert ist. Mittels der Blendenstruktur 104 kann ein effektiver Substrat-Transfer-Spalt 104a bereitgestellt sein oder werden, so dass dieser beispielsweise mittels des Klappenventils abgedichtet werden kann und/oder so dass ein möglichst geringer an ein zu prozessierendes Substrat angepasster Substrat-Transfer-Spalt 104a bereitgestellt sein kann oder werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können mehrere der in 3A veranschaulichten Vakuumkammergehäuse 100 und mindestens eine Ventilkammer 400 einen Teil einer Vakuumprozessieranlage bilden. Dabei kann zumindest auf eine Kammer 100k des Vakuumkammergehäuses 100 ein Magnetrondeckel aufgesetzt werden, so dass beispielsweise ein Substrat mittels der Vakuumprozessieranlage beschichtet werden kann.
  • Zusätzlich zu mindestens einem Vakuumkammergehäuse 100 und mindestens einem Kammerdeckel kann eine Vakuumprozessieranlage weitere Komponenten aufweisen, welche für einen Betrieb der Vakuumprozessieranlage notwendig oder hilfreich sein können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Kammer 100k des Vakuumkammergehäuses 100 eine räumliche Ausdehnung entlang der Transportrichtung in einem Bereich von ungefähr 40 cm bis ungefähr 1 m aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Vakuumkammergehäuse 100 eine räumliche Ausdehnung entlang der Höhenrichtung 105 in einem Bereich von ungefähr 40 cm bis ungefähr 1 m aufweisen.

Claims (9)

  1. Vakuumkammergehäuse (100) aufweisend: • eine Kammerwand (102) mit mindestens einem Substrat-Transfer-Spalt (102a) zum Transportieren eines Substrats entlang einer Substrattransportrichtung (101) durch das Vakuumkammergehäuse (100) hindurch; und • eine Blendenstruktur (104), welche derart eingerichtet und relativ zu dem Substrat-Transfer-Spalt (102a) an der Kammerwand (102) befestigt ist, dass der Substrat-Transfer-Spalt (102a) teilweise abgedeckt wird, so dass sich eine effektive Spalthöhe des Substrat-Transfer-Spalts (102a) verringert, • wobei sich der Substrat-Transfer-Spalt (102a) in einer Ebene quer zur Substrattransportrichtung (101) entlang einer Breitenrichtung (103) mit einer Spaltbreite (103a) und entlang einer Höhenrichtung (105) mit einer Spalthöhe (105a) erstreckt, • wobei der Substrat-Transfer-Spalt (102a) entlang der Höhenrichtung (105) von zwei parallelen Flächen (102f) begrenzt ist, • wobei der Substrat-Transfer-Spalt (102a) entlang der Breitenrichtung (103) von zwei einander gegenüberliegenden gekrümmten Randflächen (102r) begrenzt ist, und • wobei die einander gegenüberliegenden gekrümmten Randflächen (102r) kreisförmig oder ellipsenförmig gekrümmt sind.
  2. Vakuumkammergehäuse gemäß Anspruch 1, wobei ein Krümmungsradius oder eine Halbachse der kreisförmig oder ellipsenförmig gekrümmten Randflächen (102r) größer ist als die Hälfte der Spalthöhe (105a) des Substrat-Transfer-Spalts (102a).
  3. Vakuumkammergehäuse gemäß Anspruch 2, wobei die Blendenstruktur (104) eine Blendenöffnung (104a) aufweist oder bildet, wobei eine Öffnungshöhe (105b) der Blendenöffnung (104a) entlang der Höhenrichtung (105) gleich der Spalthöhe (105a) des Substrat-Transfer-Spalts (102a) ist.
  4. Vakuumkammergehäuse gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Blendenstruktur (104) eine Blendenöffnung (104a) aufweist oder bildet, wobei eine Öffnungshöhe (105b) der Blendenöffnung (104a) entlang der Höhenrichtung (105) kleiner als die Spalthöhe (105a) des Substrat-Transfer-Spalts (102a) ist.
  5. Vakuumkammergehäuse gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Öffnungshöhe (105a) des Substrat-Transfer-Spalts (102a) in einem Bereich von 50 mm bis 300 mm liegt.
  6. Vakuumkammergehäuse (100) aufweisend: • eine Kammerwand (102) mit mindestens einer Substrat-Transfer-Öffnung (102a) zum Transportieren eines Substrats entlang einer Substrattransportrichtung (101) durch das Vakuumkammergehäuse (100) hindurch; • wobei sich die Substrat-Transfer-Öffnung (102a) in einer Ebene quer zur Substrattransportrichtung (101) entlang einer Breitenrichtung (103) und entlang einer Höhenrichtung (105) erstreckt, • wobei die Substrat-Transfer-Öffnung (102a) einen Spaltbereich (202m) aufweist, welcher entlang der Breitenrichtung (103) von zwei Randbereichen (202r) begrenzt wird, und • wobei eine Höhe (205r) der Substrat-Transfer-Öffnung (102a) in den Randbereichen (202r) größer ist als eine Höhe (205a) der Substrat-Transfer-Öffnung in dem Spaltbereich (202m), • wobei die Substrat-Transfer-Öffnung (102a) in den Randbereichen (202r) kreisförmig oder ellipsenförmig geformt ist.
  7. Vakuumkammergehäuse gemäß Anspruch 6, wobei der Spaltbereich (202m) in dessen Höhenrichtung von zwei parallelen Flächen (102f) begrenzt ist.
  8. Vakuumkammergehäuse gemäß Anspruch 6 oder 7, ferner aufweisend: eine Blendenstruktur (104) mit einer Blendenöffnung (104a), wobei die Blendenstruktur (104) derart eingerichtet und relativ zu der Substrat-Transfer-Öffnung (102a) an der Kammerwand (102) befestigt ist, dass die Randbereiche (202r) der Substrat-Transfer-Öffnung (102a) mittels der Blendenstruktur (104) teilweise abgedeckt sind.
  9. Vakuumkammergehäuse gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei die Höhe (205r) der Substrat-Transfer-Öffnung (102a) in dem Spaltbereich (202m) in einem Bereich von 20 mm bis 100 mm liegt.
DE102014106451.8A 2014-05-08 2014-05-08 Vakuumkammergehäuse Active DE102014106451B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014106451.8A DE102014106451B4 (de) 2014-05-08 2014-05-08 Vakuumkammergehäuse
CN201520295953.5U CN204676147U (zh) 2014-05-08 2015-05-08 真空室壳体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014106451.8A DE102014106451B4 (de) 2014-05-08 2014-05-08 Vakuumkammergehäuse

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102014106451A1 DE102014106451A1 (de) 2015-11-26
DE102014106451B4 true DE102014106451B4 (de) 2018-09-20

Family

ID=54175852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014106451.8A Active DE102014106451B4 (de) 2014-05-08 2014-05-08 Vakuumkammergehäuse

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN204676147U (de)
DE (1) DE102014106451B4 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207793414U (zh) * 2017-12-06 2018-08-31 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 具有防气体飘逸功能的板材镀膜设备
DE102018110348A1 (de) * 2018-04-30 2019-10-31 Aixtron Se Vorrichtung zum Herein- und Herausführen eines Substrates in beziehungsweise aus einer Substratbehandlungseinrichtung
US20210189565A1 (en) 2018-04-30 2021-06-24 Aixtron Se Device for coating a substrate with a carbon-containing coating

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10322935A1 (de) 2003-05-21 2004-12-16 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Mit einem Spalt versehene Trennwand zwischen zwei hintereinander angeordneten Prozesskammern
DE102009032152A1 (de) 2008-07-25 2010-04-15 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Beschichtungskammer zur Beschichtung eines Substrats mit einer transparenten Metalloxid-Schicht
DE102010022277A1 (de) 2010-05-31 2011-12-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Reaktivgastrennung in in-line-Beschichtungsanlagen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10322935A1 (de) 2003-05-21 2004-12-16 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Mit einem Spalt versehene Trennwand zwischen zwei hintereinander angeordneten Prozesskammern
DE102009032152A1 (de) 2008-07-25 2010-04-15 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Beschichtungskammer zur Beschichtung eines Substrats mit einer transparenten Metalloxid-Schicht
DE102010022277A1 (de) 2010-05-31 2011-12-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Reaktivgastrennung in in-line-Beschichtungsanlagen

Also Published As

Publication number Publication date
CN204676147U (zh) 2015-09-30
DE102014106451A1 (de) 2015-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2454544C3 (de) Vakuumbeschichtungsanlage
DE102014106451B4 (de) Vakuumkammergehäuse
EP1571234B1 (de) Verfahren für den Betrieb einer Inline-Beschichtungsanlage
DE102014116696B4 (de) Vakuumkammer und Verfahren zum Betreiben einer Vakuumprozessieranlage
DE10362259B4 (de) Längserstreckte Vakuumanlage zur ein- oder beidseitigen Beschichtung flacher Substrate
EP1840936A1 (de) Sputterkammer zum Beschichten eines Substrats
WO2004096678A1 (de) Vorrichtung zum transportieren eines flachen substrats in einer vakuumkammer
CH692000A5 (de) Beschichtungskammer, Substratträger hierfür, Verfahren zum Vakuumbedampfen sowie Beschichtungsverfahren.
DE102014105747B4 (de) Modulare Vorrichtung zum Bearbeiten von flexiblen Substraten
DE102010022277A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Reaktivgastrennung in in-line-Beschichtungsanlagen
DE102014107636B4 (de) Vakuumprozessieranlage
DE102013106026A1 (de) Vakuumanordnung und Verfahren zum Betreiben einer Vakuumanordnung
EP1970467B1 (de) Flutungskammer für Beschichtungsanlagen
DE102014106467A1 (de) Ventilanordnung, Vakuumkammeranordnung und Verfahren zum Abdichten einer Substrat-Transfer-Öffnung.
DE102015101221A1 (de) Substrathaltevorrichtung, Substrattransportvorrichtung, Prozessiervorrichtung und Verfahren zum Prozessieren eines Substrats
DE102014107623B4 (de) Prozessieranlage
DE102005037822A1 (de) Vakuumbeschichtung mit Kondensatentfernung
WO2016075189A1 (de) Kammerdeckel zum abdichten einer kammeröffnung in einer gasseparationskammer und gasseparationskammer
DE102014104363B4 (de) Prozesskammer-Anordnung
DE102014116697A1 (de) Kammerdeckel zum Abdichten einer Kammeröffnung in einer Gasseparationskammer und Gasseparationskammer
DE102015105911B4 (de) Prozessieranordnung
DE102014107635B4 (de) Vakuumkammer
DE102016109510B4 (de) Vakuumprozessieranlage und Verfahren zum schubweisen Einschleusen und Ausschleusen von Substraten
DE102018106054B4 (de) Vakuumschleusenkammer und Vakuumprozessieranlage
DE102015116781A1 (de) Transportsystemanordnung und Prozessieranlage

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: VON ARDENNE ASSET GMBH & CO. KG, DE

Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE GMBH, 01324 DRESDEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB PATENT- UND , DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R082 Change of representative