DE102013226671B4 - Röntgenstrahlungsdetektor - Google Patents

Röntgenstrahlungsdetektor Download PDF

Info

Publication number
DE102013226671B4
DE102013226671B4 DE102013226671.5A DE102013226671A DE102013226671B4 DE 102013226671 B4 DE102013226671 B4 DE 102013226671B4 DE 102013226671 A DE102013226671 A DE 102013226671A DE 102013226671 B4 DE102013226671 B4 DE 102013226671B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
detector
detector elements
ray
sensor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102013226671.5A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102013226671A1 (de
Inventor
Shameem Kabir CHAUDHURY
Thorsten ERGLER
Björn Kreisler
Thomas Reichel
Christian Schröter
Peter SIEVERS
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Healthcare GmbH
Original Assignee
Siemens Healthcare GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Healthcare GmbH filed Critical Siemens Healthcare GmbH
Priority to DE102013226671.5A priority Critical patent/DE102013226671B4/de
Priority to US14/564,149 priority patent/US9158005B2/en
Priority to CN201410784261.7A priority patent/CN104730562B/zh
Publication of DE102013226671A1 publication Critical patent/DE102013226671A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102013226671B4 publication Critical patent/DE102013226671B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/17Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
    • G01T1/175Power supply circuits
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/24Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2921Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
    • G01T1/2928Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14676X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

Röntgenstrahlungsdetektor (1), mit mindestens zwei benachbart angeordneten Detektorelementen (2), die eine Sensorschicht aufweisen, wobei an die Sensorschicht zur Detektion von auftreffender Röntgenstrahlung jeweils eine Spannung (S) in Form einer Hochspannung (SB) angelegt ist, wobei zwei benachbarte Detektorelemente (2) mittels einer Schutzschaltung (4) miteinander gekoppelt sind, und wobei die Schutzschaltung (4) dazu eingerichtet ist, eine Spannungsdifferenz (ΔS) zwischen den an die Sensorschicht der zwei benachbarten Detektorelemente (2) angelegten Spannungen (S) auf einen zur Bildung eines Überschlags zwischen den beiden Detektorelementen (2) unkritischen Spannungswert (ΔSG) zu begrenzen.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf einen Röntgenstrahlungsdetektor, insbesondere einen Röntgenstrahlungsdetektor für einen Computertomographen.
  • Röntgenstrahlungsdetektoren zur Erfassung von Röntgenstrahlung, insbesondere quantenzählende Röntgendetektoren, weisen eine für Röntgenstrahlung sensitive Sensorschicht auf, die mit einer Auswerteelektronik gekoppelt ist. Diese Sensorschicht ist herkömmlicherweise aus einem Halbleitermaterial (z. B. amorphes Selen, eine Gallium-Arsenit- oder Cadmium-Tellur-Verbindung oder dergleichen) gebildet. Beim Einfall von Röntgenstrahlung werden in der Sensorschicht Elektronen-Loch-Paare (Ladungsträger negativ bzw. positiv geladener Ladung) gebildet. Diese Ladungsträger bilden wiederum jeweils eine positive und negative Raumladungswolke.
  • Aufgrund einer an der Sensorschicht angelegten (elektrischen) Spannung werden die Ladungsträger voneinander getrennt und bewegen sich zu den jeweils entgegengesetzt geladenen (auf der Oberfläche der Sensorschicht angeordneten) Elektroden. Durch den hierdurch verursachten Strom wird in der Auswerteelektronik ein (elektrisches) Signal erzeugt, das proportional zu der Energie der absorbierten Röntgenstrahlung ist. Bei einem quantenzählenden Röntgendetektor werden abweichend hiervon einzelne Röntgenquanten (Photonen) und ggf. deren individuellen Quantenenergien detektiert.
  • US 5 852 296 A und US 2007/0111358 A1 geben jeweils Beispiele für einen Schutz der der Sensorschicht nachgeordneten Auswertelektronik gegen strahlungsbedingt erzeugte Überspannungen an.
  • Um einen hinreichend schnellen Transport der Ladungsträger (der Raumladungswolken) durch die Sensorschicht hindurch zu erreichen, werden – je nach Dicke der Sensorschicht – Spannungen von etwa –300 V bis zu mehr als –2.000 V an die Sensorschicht angelegt (entsprechend einer elektrischen Feldstärke von etwa –10 kV/mm).
  • Insbesondere für Computertomographen werden großflächige Röntgenstrahlungsdetektoren benötigt. Eine Herstellung von durchgängigen Sensorschichten mit einer Kantenlänge von mehreren 10 Zentimetern ist allerdings technisch sehr aufwändig und mit hohen Kosten verbunden. Um dennoch möglichst kostengünstig großflächige Röntgenstrahlungsdetektoren fertigen zu können, werden häufig mehrere vergleichsweise kleine (Einzel-)Detektorelemente mit vorstehend beschriebenem Aufbau nebeneinander angeordnet. Diese Detektorelemente haben typischerweise eine Sensorfläche zwischen 1 und 4 cm2. Um eine möglichst hohe Bildqualität (insbesondere eine hohe Auflösung) zu erreichen, werden diese Detektorelemente außerdem mit möglichst geringem Abstand von zum Beispiel ca. 0,1–0,5 mm zueinander angeordnet.
  • Im Betrieb des Röntgenstrahlungsdetektors kann es zu einem Fehlerfall kommen, bei dem die Spannung eines Detektorelements von ihrer bestimmungsgemäßen Betriebsspannung abweicht. Ein solcher Fehlerfall liegt beispielswiese bei einem Defekt der diesem Detektorelement zugeordneten Spannungsversorgung oder der Auswerteelektronik vor. Hierbei bricht die Betriebsspannung regelmäßig deutlich ein, meist auf einen Spannungswert von 0 V. Ein Fehlerfall kann aber auch in Form einer Spannungsschwankung, insbesondere durch eine Überspannung auftreten, wobei in letzterem Fall die aktuelle Spannung eines Detektorelements die Betriebsspannung deutlich überschreitet. In beiden Fehlerfällen entsteht eine Spannungsdifferenz zwischen dem fehlerhaften Detektorelement und dem oder jedem (unmittelbar) benachbarten Detektorelement. Sofern diese Spannungsdifferenz einen kritischen Spannungswert übersteigt, kann es zu einem (Funken-)Überschlag zwischen diesen zwei benachbarten Detektorelementen kommen. Durch den Überschlag kann die Sensorschicht beider Detektorelemente (sowie auch deren Auswerteelektronik) zerstört werden. Die Gefahr von Funkenüberschlägen im Fehlerfall wird dabei insbesondere durch den geringen räumlichen Abstand der Detektorelemente zueinander begünstigt.
  • Ein weiterer Ansatz zum Überspannungsschutz eines Detektorelements eines Röntgenstrahlungsdetektors ist beispielsweise aus DE 10 2010 027 128 A1 bekannt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Röntgenstrahlungsdetektor mit hoher Betriebssicherheit anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen Röntgenstrahlungsdetektor mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Vorteilhafte Weiterentwicklungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung dargelegt.
  • Der erfindungsgemäße Röntgenstrahlungsdetektor (im Folgenden kurz als Röntgendetektor bezeichnet) umfasst mindestens zwei benachbart zueinander angeordnete Detektorelemente. An jedes dieser Detektorelemente ist im Betrieb zur Detektion von auftreffender Röntgenstrahlung eine (elektrische) Hochspannung angelegt. Diese – auch als „Betriebsspannung” bezeichnete Hochspannung – hat dabei vorzugsweise einen Spannungswert zwischen ca. –500 und –1.500 V, insbesondere zwischen ca. –900 und –1.000 V. Zwei benachbarte Detektorelemente sind dabei mittels einer Schutzschaltung miteinander gekoppelt. Diese Schutzschaltung ist dazu eingerichtet, eine Spannungsdifferenz – genauergesagt den Betrag – zwischen den zwei benachbarten Detektorelementen – genauergesagt den Betrag dieser Spannungsdifferenz – auf einen Spannungswert zu begrenzen, bei dem ein (Funken-)Überschlag zwischen den beiden Detektorelementen unter normalen Bedingungen ausgeschlossen ist. Dieser – im Hinblick auf das Risiko eines Funkenüberschlags – unkritische Spannungswert wird im Folgenden als Spannungsgrenzwert bezeichnet. Der Spannungsgrenzwert ist vorzugsweise mit hinreichend großem Sicherheitsabstand zu einem kritischen Spannungsbereich gewählt, in dem mit Überschlägen gerechnet werden muss.
  • Vorzugsweise umfasst der Röntgendetektor eine Vielzahl von Detektorelementen (insbesondere wesentlich mehr als zwei Detektorelemente), die insbesondere in einer Reihe (auch als „Detektorzeile” bezeichnet) nebeneinander angeordnet sind. In diesem Fall sind stets jeweils die unmittelbar benachbarten Detektorelemente der Detektorzeile mittels der Schutzschaltung miteinander gekoppelt. Optional umfasst der Röntgendetektor eine Aneinanderreihung mehrerer solcher Detektorzeilen, so dass die Detektorelemente in einem zweidimensionalen Raster (als sogenanntes „Array”) angeordnet sind. Vorzugsweise ist in diesem Fall auch ein Detektorelement einer Detektorzeile mit dem nächstliegenden Detektorelement der benachbarten Detektorzeile mittels der Schutzschaltung gekoppelt.
  • Grundsätzlich kann es sich im Rahmen der Erfindung bei dem Röntgendetektor um einen herkömmlichen Röntgendetektor, beispielsweise einen „Flat-Panel-Detektor” handeln, der nach dem Prinzip der direkten Konversion arbeitet. Bei einem solchen Flat-Panel-Detektor wird in einer Sensorschicht einfallende Röntgenstrahlung unmittelbar unter Bildung von Elektronen-Loch-Paaren absorbiert. Diese Elektronen-Loch-Paare werden unter Wirkung einer an der Sensorschicht angelegten elektrischen Spannung getrennt. Mittels einer Auswerteelektronik wird dabei ein Signal ermittelt, das die Energie vieler auftreffender Röntgenphotonen kumulativ wiederspiegelt. Bevorzugt handelt es sich bei dem Röntgendetektor aber um einen quantenzählenden (oder auch photonenzählenden) Röntgendetektor. Bei diesem wird die unter direkter Konversion erzeugte und durch die Sensorschicht transportierte Ladung derart auf die Auswerteelektronik geleitet und mit einem oder mehreren Schwellwerten verglichen, dass einzelne einfallende Röntgenphotonen sowie deren individuelle Quanten-Energie erfasst werden können.
  • Bei den Detektorelementen handelt es sich vorzugsweise jeweils um ein in sich abgeschlossenes Modul (auch als „Sensorboard” bezeichnet). Dieses umfasst insbesondere die Sensorschicht aus Halbleitermaterial, an deren Ober- und Unterseite Elektroden zum Anlegen der Betriebsspannung angeordnet sind. Außerdem umfasst das Detektorelement die der Sensorschicht zugeordnete Auswerteelektronik (z. B. einen Mikrocontroller oder insbesondere ein ASIC).
  • Dadurch, dass jeweils zwei benachbarte Detektorelemente mittels der Schutzschaltung gekoppelt sind, wird effektiv und fehlersicher verhindert, dass die Spannungsdifferenz zwischen diesen beiden Detektorelementen in den kritischen Spannungsbereich gerät. Ein Überschlag zwischen den beiden Detektorelementen wird somit effektiv unterbunden.
  • Für den Fall, dass mehr als zwei Detektorelemente nebeneinander angeordnet sind, kann durch die Schutzschaltung vorteilhafterweise auch verhindert werden, dass bei einem Fehlerfall an einem Detektorelement sich ein Überschlag kaskadenartig (nach Art des Dominoeffekts) fortsetzt. In Abwesenheit der Schutzschaltung könnte ein solcher Dominoeffekt dadurch auftreten, dass aufgrund eines Überschlags zwischen einem ersten und einem zweiten Detektorelement die Spannung des ursprünglich (auf Betriebsspannung liegenden) „intakten” zweiten Detektorelements einbricht, insbesondere auf 0 V abfällt. Somit würde die Spannungsdifferenz zwischen dem zweiten Detektorelement und dem an diesem angrenzenden dritten Detektorelement ebenfalls in den kritischen Spannungsbereich geraten und ggf. einen weiteren Überschlag auslösen.
  • Vorzugsweise ist der Spannungsgrenzwert an die mechanischen und/oder klimatischen Umgebungsbedingungen der Detektorelemente angepasst. Die mechanischen Umgebungsbedingungen sind dabei insbesondere durch den Abstand zwischen zwei Detektorelementen gegeben. Bei den klimatischen Umgebungsbedingungen handelt es sich beispielsweise um die Luftfeuchte, die Temperatur und beispielsweise den Luftdruck, für die das Detektorelement ausgelegt ist. Die Umgebungsbedingungen beeinflussen dabei regelmäßig den kritischen Spannungsbereich, in dem mit Überschlägen zwischen den zwei benachbarten Detektorelementen gerechnet werden muss.
  • In bevorzugter Ausführung des Röntgendetektors umfasst die Schutzschaltung ein Schutzelement, vorzugsweise in Form einer – insbesondere bipolaren – Suppressordiode. Diese wird auch als Transient Absorption Zener Diode (TAZ-Diode) oder Transient Voltage Suppressor Diode (TVS-Diode) bezeichnet. Die Durchbruchspannung der Suppressordiode entspricht dabei dem Spannungsgrenzwert. Die Suppressordiode weist vorteilhafterweise einen besonders steilen Verlauf ihrer Strom-Spannungs-Kennlinie sowie eine besonders kurze Reaktionszeit (einige Nanosekunden) auf. Aufgrund der vorzugsweise bipolaren Ausführung der Suppressordiode wird zudem mittels lediglich eines einzelnen Bauteils ein effektiver Schutz beider Detektorelemente erreicht und zudem vorteilhafterweise Montageaufwand und Bauraum reduziert.
  • In alternativer Ausführung umfasst die Schutzschaltung als Schutzelement zwei anti-seriell geschaltete (das heißt mit entgegengesetzter Polung in Reihe geschaltete) Zener-Dioden. Die Durchbruchspannung der Zener-Dioden entspricht dabei wiederum ebenfalls dem Spannungsgrenzwert.
  • In wiederum alternativer Ausgestaltung umfasst die Schutzschaltung als Schutzelement einen spannungsabhängigen Widerstand (auch als Varistor bezeichnet). Der Varistor ist dabei ebenfalls derart ausgelegt, dass seine Spannungsschwelle, ab der seine Leitfähigkeit sprunghaft zunimmt, dem gewünschten Spannungsgrenzwert entspricht.
  • In weiterer optionaler Ausführung umfasst die Schutzschaltung als Schutzelement einen gasgefüllten Überspannungsableiter (Gasableiter). Bei einem solchen Gasableiter wird ab dem Spannungsgrenzwert innerhalb eines gasgefüllten Gehäuses zwischen zwei Elektroden ein Lichtbogen gezündet, der wiederum eine leitfähige Verbindung zwischen den beiden Elektroden herstellt.
  • Um bei einem zeitlich lang (d. h. über mehrere Sekunden oder länger) anhaltenden Fehlerfall einen zusätzlichen Schutz der Detektorelemente sowie gegebenenfalls des jeweiligen Schutzelements der Schutzschaltung selbst zu ermöglichen, umfasst die Schutzschaltung in zweckmäßiger Ausführung zusätzlich oder alternativ zu dem einen der vorstehend beschriebenen Schutzelemente Mittel zum Unterbrechen der Spannungsversorgung der Detektorelemente, die in dem Fall, dass die Spannungsdifferenz zwischen den beiden Detektorelementen den Spannungsgrenzwert hinreichend lange überschreitet, die Spannungsversorgung unterbrechen. Als Mittel zur Unterbrechung der Spannungsversorgung wird vorzugsweise eine sogenannte Klemmschaltung eingesetzt, die die Spannungsversorgung der Detektorelemente im Fehlerfall kurzschließt und dadurch eine dem Röntgendetektor zugeordnete Sicherung auslöst. Zweckmäßigerweise weist die Klemmschaltung dazu einen Thyristor oder ein vergleichbares Schaltelement auf, der bzw. das durch das Ansprechen des Schutzelements getriggert wird. Alternativ kann im Rahmen der Erfindung als Mittel zum Unterbrechen der Spannungsversorgung auch ein Mikroprozessor vorgesehen sein. Mittels des Mikroprozessors wird beispielsweise überwacht, ob sich das jeweilige Schutzelement im leitenden Zustand befindet (also ob der Spannungsgrenzwert überschritten ist). In diesem Fall wird – vorzugsweise bei zusätzlich drohender Überlastung des Schutzelements und/oder nach Ablauf einer Wartezeit – die Spannungsversorgung der Detektorelemente abgeschaltet. Durch die Kombination eines der vorstehend beschriebenen Schutzelemente mit den Mitteln zum Unterbrechen der Spannungsversorgung kann effektiv verhindert werden, dass bei Überschreiten des Spannungsgrenzwertes das jeweilige Schutzelement insbesondere thermisch (durch die gegebenenfalls auftretenden hohen Ableitströme) überlastet oder zerstört wird.
  • Der erfindungsgemäße Röntgendetektor ist bevorzugt zum Einsatz in einem (medizinischen oder industriellen) Computertomographen vorgesehen. Alternativ ist es im Rahmen der Erfindung aber ebenfalls möglich, den Röntgendetektor in einem anderen Gerät einzusetzen, das ein großflächiges Detektorfeld mit mehreren Elementen aufweist, z. B. ein C-Bogen-Röntgengerät oder ein Elektronenmikroskop mit Röntgenanalyse.
  • Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand einer Zeichnung näher erläutert. Darin zeigen:
  • 1 in schematischer und ausschnitthafter Darstellung einen Röntgenstrahlungsdetektor mit vier nebeneinander angeordneten Detektorelementen, wobei jeweils zwei benachbarte Detektorelemente mittels einer Schutzschaltung miteinander gekoppelt sind, und
  • 2-4 in Ansicht gemäß 1 alternative Ausführungsbeispiele der Schutzschaltung.
  • Einander entsprechende Teile und Größen sind in allen Figuren stets mit gleichen Bezugszeichen versehen.
  • In 1 bis 4 ist ein Röntgenstrahlungsdetektor (kurz Röntgendetektor 1) dargestellt. Der Röntgendetektor 1 umfasst eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Detektorelementen 2, von denen zur Vereinfachung lediglich vier dargestellt sind. Jedes Detektorelement 2 umfasst eine aus einem Halbleitermaterial (z. B. Cadmium-Telurid) hergestellte Sensorschicht sowie eine mit dieser Sensorschicht verbundene Auswerteelektronik. Zur Detektion von auf eines der Detektorelemente 2 einfallender Röntgenstrahlung ist an die Sensorschicht eine Spannung S, konkret eine Hochspannung von –900 V angelegt (diese Hochspannung wird im Folgenden als Betriebsspannung SB bezeichnet). Die der Auswerteelektronik abgewandte (und der Röntgenquelle zugewandte) Vorderseite der Sensorschicht liegt dabei auf negativem Potential. Die der Auswerteelektronik zugewandte Rückseite liegt auf einem gegenüber der Vorderseite höheren Potential (z. B. Masse). Dadurch wird erreicht, dass die durch die Röntgenstrahlung in der Sensorschicht erzeugten Elektronen-Loch-Paare getrennt und die (negativ geladenen) Elektronen in Richtung auf die Auswerteelektronik „driften”. Diese Elektronen erzeugen in der Auswerteelektronik ein elektrisches Signal, das charakteristisch für die in das Detektorelement 2 einfallende Röntgenstrahlung ist. Die Betriebsspannung SB wird dabei jedem Detektorelement 2 jeweils durch einen Hochspannungskanal eines Netzteils bereitgestellt (nicht näher dargestellt).
  • Die einzelnen Detektorelemente 2 sind mit einem besonders geringen Abstand von zum Beispiel 0,3 mm zueinander angeordnet, um eine möglichst hohe Bildqualität des mittels aller Detektorelemente 2 zusammengesetzten Röntgenbildes zu ermöglichen.
  • Im Betrieb kann es zu einem Fehlerfall kommen, bei dem die Spannung S eines der Detektorelements 2 von der Betriebsspannung SB auf einen deutlich abweichenden Spannungswert von z. B. 0 V einbricht. Dieser Fehlerfall kann beispielsweise aufgrund eines Defekts an dem dem Detektorelement 2 zugeordneten Hochspannungskanal oder aufgrund einer beschädigten Auswerteelektronik auftreten. Das entsprechende Detektorelement 2 wird im Folgenden als „defekt” bezeichnet.
  • Im Fehlerfall nimmt somit eine Spannungsdifferenz ΔS zwischen dem defekten Detektorelement 2 und dem benachbarten, weiterhin auf Betriebsspannung SB liegenden (als „intakt” bezeichneten) Detektorelement 2 betragsmäßig einen hohen Wert an – für den Fall, dass die Spannung S an dem defekten Detektorelement 0 V beträgt, beträgt die Spannungsdifferenz ΔS also konkret 900 V. Die Spannungsdifferenz ΔS gerät dabei – begünstigt durch den geringen Abstand der Detektorelemente 2 zueinander – in einen kritischen Spannungsbereich, in dem ein Überschlag zwischen den beiden Detektorelementen 2, also ein Funke oder Lichtbogen zwischen den beiden Detektorelementen 2 zu erwarten ist. Durch diesen Überschlag können die Sensorschichten der beiden Detektorelemente 2 oder die Detektorelemente 2 als Ganzes zerstört werden.
  • Um einen solchen Überschlag zu verhindern, sind jeweils zwei unmittelbar benachbarte Detektorelemente 2 mittels einer Schutzschaltung 4 miteinander gekoppelt. Die Schutzschaltung 4 ist dazu eingerichtet und vorgesehen, die Spannungsdifferenz ΔS zwischen den zwei Detektorelementen 2 auf einen unkritischen Spannungswert (als Spannungsgrenzwert ΔSG bezeichnet) zu begrenzen. Der Spannungsgrenzwert ΔSG weist dabei einen hinreichend großen Abstand zu dem kritischen Spannungsbereich auf, so dass ein Überschlag effektiv verhindert wird.
  • In dem Ausführungsbeispiel gemäß 1 umfasst die Schutzschaltung 4 zwei anti-seriell (das heißt mit ihrer Polung entgegengesetzt in Reihe) geschaltete Zener-Dioden 6. Durch die anti-serielle Schaltung wird der Stromfluss zwischen den zwei benachbarten Detektorelementen 2 in beide Richtungen gesperrt, wenn die Spannungsdifferenz benachbarter Module kleiner als der Spannungsgrauwert ist. Die den Zener-Dioden zugeordnete Durchbruchspannung, also die Spannung, ab der die Zener-Diode 6 (strom-)leitend wird, entspricht dabei dem Spannungsgrenzwert ΔSG.
  • In einem alternativen Ausführungsbeispiel gemäß 2 umfasst die Schutzschaltung 4 anstelle der beiden Zener-Dioden 6 eine bipolare Suppressordiode 8.
  • In einem weiteren alternativen Ausführungsbeispiel gemäß 3 umfasst die Schutzschaltung 4 einen gasgefüllten Überspannungsableiter (Gasableiter 10). Innerhalb eines Gehäuses des Gasableiters 10 wird bei Überschreiten des Spannungsgrenzwertes ΔSG ein Lichtbogen zwischen zwei Elektroden gezündet, so dass Strom zwischen den zwei benachbarten Detektorelementen 2 fließen und die Spannungsdifferenz ΔS abgebaut werden kann.
  • In einem wiederum weiteren Ausführungsbeispiel gemäß 4 umfasst die Schutzschaltung 4 einen als Varistor 12 bezeichneten spannungsabhängigen Widerstand. Der Spannungswert, ab dem der (differentielle) Widerstand des Varistors 12 sprunghaft abfällt (und somit die Stromleitfähigkeit des Varistors 12 zunimmt), entspricht hierbei wiederum dem Spannungsgrenzwert ΔSG.
  • In einem weiteren (nicht näher dargestellten) Ausführungsbeispiel umfasst die Schutzschaltung 4 neben der bipolaren Suppressordiode 8 zusätzlich eine Klemmschaltung. Die Klemmschaltung ist dazu eingerichtet, bei Ansprechen des jeweiligen Schutzelements (hier der Suppressordiode 8), also wenn die Spannungsdifferenz ΔS den Spannungsgrenzwert ΔSG überschreitet, zusätzlich die Spannungsversorgung der Detektorelemente 2 zu unterbrechen. Aufgrund ihrer vergleichsweise langen Reaktionsdauer spricht die Klemmschaltung nur bei länger andauernden Fehlerfällen an.
  • Dadurch wird bei einem zeitlich lang anhaltenden Spannungsabfall an einem der Detektorelemente 2 verhindert, dass die (im Vergleich zu der Klemmschaltung schneller ansprechende) Suppressordiode 8 thermisch überlastet und/oder zerstört wird.

Claims (6)

  1. Röntgenstrahlungsdetektor (1), mit mindestens zwei benachbart angeordneten Detektorelementen (2), die eine Sensorschicht aufweisen, wobei an die Sensorschicht zur Detektion von auftreffender Röntgenstrahlung jeweils eine Spannung (S) in Form einer Hochspannung (SB) angelegt ist, wobei zwei benachbarte Detektorelemente (2) mittels einer Schutzschaltung (4) miteinander gekoppelt sind, und wobei die Schutzschaltung (4) dazu eingerichtet ist, eine Spannungsdifferenz (ΔS) zwischen den an die Sensorschicht der zwei benachbarten Detektorelemente (2) angelegten Spannungen (S) auf einen zur Bildung eines Überschlags zwischen den beiden Detektorelementen (2) unkritischen Spannungswert (ΔSG) zu begrenzen.
  2. Röntgenstrahlungsdetektor (1) nach Anspruch 1, wobei die Schutzschaltung (4) eine Suppressordiode (8) umfasst.
  3. Röntgenstrahlungsdetektor (1) nach Anspruch 1, wobei die Schutzschaltung (4) zwei anti-seriell geschaltete Zener-Dioden (6) umfasst.
  4. Röntgenstrahlungsdetektor (1) nach Anspruch 1, wobei die Schutzschaltung (4) einen spannungsabhängigen Widerstand (12) umfasst.
  5. Röntgenstrahlungsdetektor (1) nach Anspruch 1, wobei die Schutzschaltung (4) einen gasgefüllten Überspannungsableiter (10) umfasst.
  6. Röntgenstrahlungsdetektor (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Schutzschaltung (4) Mittel zum Unterbrechen der Spannungsversorgung der Detektorelemente (2) umfasst.
DE102013226671.5A 2013-12-19 2013-12-19 Röntgenstrahlungsdetektor Expired - Fee Related DE102013226671B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013226671.5A DE102013226671B4 (de) 2013-12-19 2013-12-19 Röntgenstrahlungsdetektor
US14/564,149 US9158005B2 (en) 2013-12-19 2014-12-09 X-ray detector
CN201410784261.7A CN104730562B (zh) 2013-12-19 2014-12-16 X射线辐射探测器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013226671.5A DE102013226671B4 (de) 2013-12-19 2013-12-19 Röntgenstrahlungsdetektor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102013226671A1 DE102013226671A1 (de) 2015-06-25
DE102013226671B4 true DE102013226671B4 (de) 2017-03-23

Family

ID=53275152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013226671.5A Expired - Fee Related DE102013226671B4 (de) 2013-12-19 2013-12-19 Röntgenstrahlungsdetektor

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9158005B2 (de)
CN (1) CN104730562B (de)
DE (1) DE102013226671B4 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021129710A (ja) * 2020-02-19 2021-09-09 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 X線検出器及び医用画像診断装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5852296A (en) * 1996-06-21 1998-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray imaging apparatus
US20070111358A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Tomoyuki Seino Nuclear medicine imaging system and method thereof
DE102010027128A1 (de) * 2010-07-14 2012-01-19 Pnsensor Gmbh Halbleiterbauelement, insbesondere Strahlungsdetektor, mit einem integrierten Überspannungsschutz

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3654469A (en) * 1969-05-16 1972-04-04 Frederick W Kantor Matrix-form proportional-mode radiation detector
US5693947A (en) * 1993-04-28 1997-12-02 The University Of Surrey Radiation detectors
SE9500761D0 (sv) 1995-03-02 1995-03-02 Abb Research Ltd Skyddskrets för seriekopplade krafthalvledare
CN1057644C (zh) * 1995-03-20 2000-10-18 西门子公司 有延迟释放功能的故障电流保护开关或差动电流保护开关
TW407371B (en) * 1997-04-25 2000-10-01 Siemens Ag Equipment to limited alternative current, especially in short-circuit case
CN1144039C (zh) * 2000-09-21 2004-03-31 清华大学 单辐射源双成像扫描辐射成像方法及其装置
GB0119299D0 (en) * 2001-08-08 2001-10-03 Koninkl Philips Electronics Nv Electrostatic discharge protection for pixellated electronic device
US7009831B2 (en) 2004-02-27 2006-03-07 Microsemi Corporation PIN or NIP low capacitance transient voltage suppressors and steering diodes
US20070011358A1 (en) 2005-06-30 2007-01-11 John Wiegert Mechanisms to implement memory management to enable protocol-aware asynchronous, zero-copy transmits
WO2008108734A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-12 Richard Brenner Detector for radiation therapy

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5852296A (en) * 1996-06-21 1998-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray imaging apparatus
US20070111358A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Tomoyuki Seino Nuclear medicine imaging system and method thereof
DE102010027128A1 (de) * 2010-07-14 2012-01-19 Pnsensor Gmbh Halbleiterbauelement, insbesondere Strahlungsdetektor, mit einem integrierten Überspannungsschutz

Also Published As

Publication number Publication date
DE102013226671A1 (de) 2015-06-25
US20150177388A1 (en) 2015-06-25
US9158005B2 (en) 2015-10-13
CN104730562B (zh) 2017-10-24
CN104730562A (zh) 2015-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2086020B1 (de) Photovoltaik-Anlage mit Potentialanhebung
DE102014204253B4 (de) Detektieren eines seriellen Lichtbogens in einer elektrischen Anlage
DE102013001612B4 (de) Anordnung zum Anlagen- und Personenschutz
DE102012106277B4 (de) Laserschutzvorrichtung zum Abschirmen von Laserstrahlung
DE202013002222U1 (de) Überspannungsschutzeinrichtung mit Kurzschlussfunktion zum Anlagen- und Personenschutz
DE102016109137B3 (de) Überwachungsvorrichtung und Überwachungsverfahren
WO2020114593A1 (de) Messvorrichtung, elektrische anlage mit messvorrichtung und verfahren zum messen eines leckstromes
DE102013226671B4 (de) Röntgenstrahlungsdetektor
CH358501A (de) Elektrische Schutzkreiseinrichtung mit Funkenstrecke
DE102005046833B4 (de) Verfahren zum Ableiten von transienten Überspannungen und Überspannungsschutzgerät
DE2364034C3 (de) Überspannungsableiter
EP2429048A2 (de) Überwachungs- und Schutzsystem für eine Mittel- oder Niederspannungsschaltanlage und Verfahren zum Betrieb derselben
EP3834260B1 (de) Anordnung zur zündung von funkenstrecken
DE102014102065B4 (de) Zündelement zur Verwendung bei einem Überspannungsschutzelement, Überspannungsschutzelement und Verfahren zur Herstellung eines Zündelements
DE102020121589A1 (de) Überspannungsschutzanordnung
WO2009106032A1 (de) Strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und verfahren zum betreiben des halbleiterbauelements
EP3723223A1 (de) Orten eines erdschlusses in einem gleichstromnetz
DE102016201986A1 (de) Verfahren zum Steuern eines elektrischen Hochvoltsystems eines Fahrzeugs, Steuervorrichtung und Fahrzeug damit
DE102019210769B4 (de) ESD-Schutzeinrichtung, Batterieanordnung und Arbeitsvorrichtung
DE102010045920B4 (de) Überspannungsschutz für Windkraftanlagen
DE102020121588A1 (de) Überspannungsschutzgerät mit einem gasgefüllten Überspannungsableiter
DE202020102892U1 (de) Überspannungsschutzanordnung
DE102014104602B3 (de) Hartpartikeldetektor mit einem Kern-Schale-Aufbau und Array dieser Hartpartikeldetektoren
DE10143487C2 (de) Schalteinrichtung mit einem gegen Überlast gesicherten Leistungsschaltelement
DE976013C (de) Halbleiteranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G01T0001160000

Ipc: G01T0001240000

R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: SIEMENS HEALTHCARE GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT, 80333 MUENCHEN, DE

R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee