DE102013101270A1

DE102013101270A1 - Arrangement for control of lateral distribution of coating rate at magnetron sputtering in vacuum coating system, has a gas adjusting unit for adjusting gas flow from gas channel segment into vacuum chamber, which is set as an actuator

Info

Publication number: DE102013101270A1
Application number: DE201310101270
Authority: DE
Inventors: Volker Linss
Original assignee: Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Current assignee: Von Ardenne GmbH
Priority date: 2013-02-08
Filing date: 2013-02-08
Publication date: 2014-08-14

Abstract

The arrangement comprises a magnetron (1), a substrate transport device, gas channel segments, and a spectroscopic measuring unit (2) of plasma density. The segments which introduce process gas transversely to transport direction (6) of substrate (3) and longitudinal extent of vacuum coating system (7) are arranged before or after the magnetron. The segment and measuring unit are arranged before or after the magnetron. A gas adjusting unit for adjusting the gas flow from the channel segment into the vacuum chamber is constructed as an actuator of the control circuit components. An independent claim is included for a method for control of lateral distribution of coating rate at magnetron sputtering in vacuum coating system in vacuum chamber.

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Regelung einer Querverteilung der Beschichtungsrate beim Magnetronsputtern in einer Vakuumbeschichtungsanlage in einem Vakuumraum mit einem Magnetron mit einem Target, einer Substrattransporteinrichtung, Gaskanalsegmenten, sowie Mittel zum spektroskopischen Messen einer Plasmadichte, welche ortsfest zum Vakuumraum angeordnet sind, wobei ein Substrat auf einer Substrattransporteinrichtung in einer Substratebene transportierbar ist und die Gaskanalsegmente zum Einlassen eines Prozessgases sich quer zur Transportrichtung des Substrates und quer zur Längserstreckung der Vakuumbeschichtungsanlage oberhalb der Substratebene in Substrattransportrichtung vor oder hinter dem Magnetron befinden und die Mittel zum spektroskopischen Messen oberhalb der Substratebene in Substrattransportrichtung vor oder hinter dem Magnetron angeordnet sind. The invention relates to an arrangement for controlling a transverse distribution of the coating rate in magnetron sputtering in a vacuum coating system in a vacuum chamber with a magnetron with a target, a substrate transport device, gas channel segments, and means for spectroscopic measurement of a plasma density, which are arranged fixed to the vacuum space, wherein a substrate a substrate transport device in a substrate plane is transportable and the gas channel segments for introducing a process gas are transversely to the transport direction of the substrate and transversely to the longitudinal extent of the vacuum coating system above the substrate plane in substrate transport before or behind the magnetron and the means for spectroscopic measurement above the substrate plane in the substrate transport direction before or are arranged behind the magnetron.

Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Regelung einer Querverteilung der Beschichtungsrate beim Magnetronsputtern welches die erfindungsgemäße Anordnung nutzt und bei dem über Gaskanalsegmente Prozessgas in die Vakuumkammer eingelassen wird und mit Mitteln zum spektroskopischen Messen, die oberhalb der Substratebene in Substrattransportrichtung hinter dem Magnetron angeordnet sind, Spektrallinien von Elementen aus am Prozess beteiligten Elementen gemessen werden. Dabei können die am Prozess beteiligten Elemente sowohl das Prozessgas als auch das Targetmaterial oder beides umfassen. The invention further relates to a method for controlling a transverse distribution of the coating rate during magnetron sputtering which uses the arrangement according to the invention and in which gas is introduced into the vacuum chamber via gas channel segments and spectral lines with means for spectroscopic measurement which are arranged above the substrate plane behind the magnetron in the substrate transport direction of elements of elements involved in the process. In this case, the elements involved in the process may include both the process gas and the target material or both.

Beim Magnetronsputtern wird ein Prozessgas in den Prozessraum geleitet, wobei im Prozessgas zwischen dem zu beschichtenden Substrat und einer Magnetronkathode ein Plasma gezündet wird, dessen positive Ladungsträger durch den sogenannten Sputtereffekt die Atome oder Moleküle aus der Oberfläche des Targets herauslösen und in die Gasphase überführen. Treffen die Dampfteilchen auf das Substrat, beginnen sie durch Kondensation auf der Oberfläche eine Schicht zu bilden. Zur Unterstützung der Plasmabildung ist auf der dem Plasma abgewandten Seite des Targets ein Magnetsystem angeordnet, welches ein Magnetfeld ausbildet. Das Magnetron mit dem Target, welches aus dem abzuscheidenden Material besteht, bildet die Kathode. In magnetron sputtering, a process gas is passed into the process space, wherein a plasma is ignited in the process gas between the substrate to be coated and a magnetron cathode whose positive charge carriers dissolve the atoms or molecules out of the surface of the target by the so-called sputtering effect and transfer it into the gas phase. When the vapor particles hit the substrate, they start to form a layer by condensation on the surface. To support the plasma formation, a magnet system which forms a magnetic field is arranged on the side of the target facing away from the plasma. The magnetron with the target, which consists of the material to be deposited, forms the cathode.

Die Schichtdicke und andere Eigenschaften, wie beispielsweise die Abscheiderate, werden unter anderem durch den Stromfluss zwischen Target (Kathode) und Gegensputterelektrode beeinflusst, wobei der Stromfluss durch Plasmaimpedanzen bestimmt wird, die wiederum durch das Magnetfeld, das Targetmaterial und durch unterschiedliche Druckverhältnisse im Prozessgas beeinflusst werden. Das Prozessgas wird dabei aus dem Arbeitsgas gebildet, insbesondere aus einem inerten Gas. The layer thickness and other properties, such as the deposition rate, are influenced inter alia by the current flow between the target (cathode) and countersputter electrode, wherein the current flow is determined by plasma impedances, which in turn are influenced by the magnetic field, the target material and by different pressure conditions in the process gas , The process gas is formed from the working gas, in particular from an inert gas.

Die Kathodenoberfläche liegt auf einer vorgegebenen Spannung U, wobei es aber prozessbedingt lokal auf dem Target zu unterschiedlichen Strömen und damit Leistungen kommen kann. An Stellen mit einem höheren Druck ist in der Regel die Plasmadichte höher, so dass dort mehr Ionen zum Sputtern zur Verfügung stehen. Die Leistung wird damit unregelmäßig auf die Kathode verteilt eingetragen, was auch zu einer lokal unterschiedlichen Sputterrate führt. The cathode surface is at a predetermined voltage U, but it can process locally on the target to different currents and thus benefits can come. In places with a higher pressure, the plasma density is usually higher, so that there are more ions available for sputtering. The power is thus irregularly distributed on the cathode, which also leads to a locally different sputtering rate.

Um dennoch homogene Schichteigenschaften über das gesamte zu beschichtende Substrat bzw. eine homogene Abscheiderate über die gesamte Länge des Targets zu gewährleisten, erfolgt die Regelung einer Querverteilung der Beschichtungsrate durch das Einlassen unterschiedlicher Gasflüsse und damit Gasmengen in den Prozessraum. Dies erfolgt über Gaskanalsegmente mittels Gasregulierungsmitteln, welche parallel zur Längserstreckung des Magnetrons und quer zur Längserstreckung der Vakuumbeschichtungsanlage angeordnet sind. Dies erfolgt immer bei der ersten Inbetriebnahme der Vakuumbeschichtungsanlage bevor sie einem Kunden übergeben wird. In order nevertheless to ensure homogeneous layer properties over the entire substrate to be coated or a homogeneous deposition rate over the entire length of the target, the control of a transverse distribution of the coating rate by the admission of different gas flows and thus gas quantities in the process space. This takes place via gas channel segments by means of gas regulating means, which are arranged parallel to the longitudinal extent of the magnetron and transversely to the longitudinal extent of the vacuum coating system. This always takes place when the vacuum coating system is first put into operation before it is handed over to a customer.

Das Einstellen der Gasflüsse an den Gaskanalsegmenten für eine gewünschte Abscheiderateverteilung muss dabei für jede Kathode einzeln durchgeführt werden und ist damit sehr zweitaufwändig. Bei einer Anlage mit vielen Kathoden für die Abscheidung eines Schichtsystems kann dieser Prozess somit nicht adaptiv erfolgen, sondern die Kathoden müssen einzeln betrieben werden, damit die Einzelschicht gemessen werden kann. Bei jedem Weglaufen der Querverteilung muss prinzipiell jede Kathode wieder einzeln überprüft werden. Die Berücksichtigung des Targetverbrauches lässt sich bislang auch nur durch empirisches Nachregeln oder durch ein erneutes Einstellen der Gasflüsse an den Gaskanalsegmenten berücksichtigen. The setting of the gas flows at the gas channel segments for a desired deposition rate distribution must be performed individually for each cathode and is therefore very expensive. In a system with many cathodes for the deposition of a layer system, this process can thus not be adaptive, but the cathodes must be operated individually, so that the single layer can be measured. Every time the transverse distribution runs away, in principle every cathode has to be individually checked again. The consideration of the target consumption can hitherto also be considered only by empirical readjustment or by a renewed setting of the gas flows at the gas channel segments.

Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Werkzeug zur Verfügung zu stellen, welches die Überprüfung der Schichtdicke, bzw. der Abscheiderate oder einer anderen (Schicht-)Eigenschaft über die gesamte Targetlebensdauer durch die Regelung der Gasflüsse in Gaskanalsegementen über Gasregulierungsmittel realisieren und korrigieren kann. Dabei soll der Prozess in situ ohne Unterbrechung der Produktion erfolgen, also an jeder einzelnen Kathode ohne Beeinflussung der anderen Kathoden. The object of the invention is therefore to make available a tool which can realize and correct the checking of the layer thickness or of the deposition rate or another (layer) property over the entire target service life by regulating the gas flows in gas channel segments via gas regulating means , The process should be carried out in situ without interrupting production, ie at each individual cathode without influencing the other cathodes.

Die Aufgabe wird anordnungsseitig dadurch gelöst, dass einem Gaskanalsegment ein eigener Messort eines Mittels zum spektroskopischen Messen einer Plasmadichte zugeordnet wird, der sich in Substrattransportrichtung vor oder hinter dem Magnetron befindet, wobei das Mittel zum spektroskopischen Messen einer Plasmadichte und ein Gasregulierungsmittel zur Einstellung eines Gasflusses aus dem Gaskanalsegment, welches als Stellglied des Regelkreises ausgebildet ist, Bestandteile eines Regelkreises sind. Dabei stellt der Messort eine geeignete Stelle im Prozessraum dar, an dem die Aufnahme eines Spektrums am Eingang des Mittels zum Spektroskopischen Messen einer Plasmaimpedanz, beispielsweise am Eingang eines Kollimators, erfolgt. Mit Hilfe des Regelkreises eines jeden Gaskanalsegmentes werden die Gasflüsse an jedem Gaskanalsegment geregelt, um eine optimale Gasflussverteilung einzustellen. Physikalisch bedeutet das nichts anderes, als lokal die Plasmaimpedanz durch unterschiedliche Gasflüsse zu beeinflussen. The object is achieved on the arrangement side by assigning a separate measuring location of a means for the spectroscopic measurement of a plasma density to a gas channel segment, which is located in front of or behind the substrate transport direction Magnetron is, wherein the means for spectroscopically measuring a plasma density and a gas regulating means for adjusting a gas flow from the gas channel segment, which is designed as an actuator of the control loop, are components of a control loop. In this case, the measuring location represents a suitable point in the process space at which the recording of a spectrum at the input of the means for spectroscopic measurement of a plasma impedance, for example at the input of a collimator, takes place. With the aid of the control circuit of each gas channel segment, the gas flows are regulated at each gas channel segment in order to set an optimal gas flow distribution. Physically, this means nothing more than locally influencing the plasma impedance through different gas flows.

Dabei können die Messorte der Mittel zum spektroskopischen Messen mittig gegenüber den Gaskanalsegmenten und parallel zur Längserstreckung des Magnetrons angeordnet sein. In this case, the measuring locations of the means for spectroscopic measuring can be arranged centrally with respect to the gas channel segments and parallel to the longitudinal extent of the magnetron.

Werden zusätzliche Mittel zum spektroskopischen Messen gleichverteilt gegenüber Zwischenräumen der Gaskanalsegmente parallel zur Längserstreckung des Magnetrons in Substrattransportrichtung vor oder hinter dem Magnetron angeordnet, kann die Regelung der Gasflüsse noch besser an lokal unterschiedliche Plasmadichten entlang der Längserstreckung des Magnetrons angepasst werden. Es kann zum Beispiel sinnvoll sein, die Abscheiderate in der Mitte von zwei Gaskanalsegmenten nicht im Optimum zu betreiben, um zu verhindern, dass an einer dazwischenliegenden Stelle ein Homogenitätskriterium verletzt wird, weil beispielsweise die Abscheiderate aus irgendeinem Grund zu hoch ist. Dann muss links und rechts davon die Abscheiderate niedriger eingestellt werden. If additional means for spectroscopic measurement are distributed uniformly in relation to interspaces of the gas channel segments parallel to the longitudinal extent of the magnetron in the substrate transport direction in front of or behind the magnetron, the regulation of the gas flows can be better adapted to locally different plasma densities along the length of the magnetron. For example, it may be useful not to optimally operate the deposition rate in the middle of two gas channel segments to prevent a homogeneity criterion from being violated at an intermediate location because, for example, the deposition rate is too high for some reason. Then, to the left and right of it, the deposition rate must be set lower.

In dieser Anordnung kann das Magnetron sowohl als Planar- als auch als Rohrmagnetron ausgebildet sein. Es kann weiter auch als Doppelmagnetron ausgebildet sein. In this arrangement, the magnetron can be designed both as planar and as tube magnetron. It can also be designed as a double magnetron.

Die Mittel zum spektroskopischen Messen (OES) sind als Kollimatoren mit je einem Spektrometer je Messort, vorzugsweise gegenüber dem zugehörigen Gaskanalsegment, ausgebildet. The means for spectroscopic measurement (OES) are designed as collimators with one spectrometer per location, preferably with respect to the associated gas channel segment.

Alternativ und aus wirtschaftlichen Gesichtspunkten können die Mittel zum spektroskopischen Messen über Lichtwellenleiter durch einen Multiplexer für eine Messzeit auf ein einziges Spektrometer je Target verbunden werden. Dies wirkt sich nicht nachteilig auf die Regelung aus, da das Weglaufen der Verteilung der Abscheiderate ein langsamer Prozess ist. Alternatively and from an economic point of view, the means for spectroscopic measurement via optical waveguides can be connected by a multiplexer for a measuring time to a single spectrometer per target. This does not adversely affect the control, since the running away of the distribution of the deposition rate is a slow process.

Die Aufgabe wird verfahrensseitig unter Verwendung der erfindungsgemäßen Anordnung dadurch gelöst, dass die Intensitäten von mindestens zwei signifikanten Spektrallinien aus am Prozess beteiligten Elementen gemessen werden, deren mathematische Verknüpfung die Regelgröße eines Regelkreises bilden und diese durch die Regelung der Prozessgasflüsse in einem Gaskanalsegment über Gasregulierungsmittel konstant gehalten wird. Bevorzugt werden mehr als zwei Linien genutzt. Die mathematische Verknüpfung stellt vorzugsweise ein Verhältnis, beispielsweise durch Quotientenbildung, der aufgenommenen Spektrallinien dar. Als Folge der Regelung kann beispielsweise Einfluss auf die Schichtdicke oder die Abscheiderate genommen werden. The object is achieved on the method side by using the arrangement according to the invention in that the intensities of at least two significant spectral lines are measured from elements involved in the process whose mathematical combination form the control variable of a control loop and kept constant by regulating the process gas flows in a gas channel segment via gas control means becomes. Preferably, more than two lines are used. The mathematical combination preferably represents a ratio, for example by quotient formation, of the recorded spectral lines. As a result of the control, it is possible, for example, to influence the layer thickness or the deposition rate.

Dafür werden für jeden Prozess Linienkombinationen von Spektrallinien bestimmt. For this purpose, line combinations of spectral lines are determined for each process.

Die Aufnahme der Spektren sollte an verschiedenen Stellen, zumindest an zwei Stellen, entlang der Längserstreckung des Targets erfolgen. Die Beobachtung von nur einer Spektrallinie eines Elementes reicht nicht aus, weil die Intensität nicht nur von der Plasmadichte und der Dichte des jeweiligen Materials abhängt, sondern vielmehr Schwankungen der Absolutintensitäten durch Spektrometereigenschaften oder die Eigenschaften der Lichtwellenleiter ausgeglichen werden müssen. The spectra should be recorded at different locations, at least at two points, along the length of the target. The observation of only one spectral line of an element is not sufficient, because the intensity does not only depend on the plasma density and the density of the respective material, but rather must be compensated for fluctuations of the absolute intensities by spectrometer properties or the properties of the optical waveguides.

Die Regelgröße, d.h. die mathematische Verknüpfung der gemessenen Spektrallinien wird dabei durch das Nachführen der Prozessgasflüsse konstant gehalten. The controlled variable, i. The mathematical combination of the measured spectral lines is kept constant by tracking the process gas flows.

Wird in einem Beschichtungsprozess ein Rohrtarget verwendet, so werden die gemessenen Intensitäten der Spektrallinien bevorzugt über eine Rohrumdrehung gemittelt. Dadurch können Schwankungen in der Abscheiderate aufgrund einer Unwucht des Rohrtargets und den damit verbundenen Magnetfeldschwankungen ausgeglichen werden. If a tube target is used in a coating process, the measured intensities of the spectral lines are preferably averaged over one tube revolution. As a result, fluctuations in the deposition rate due to an imbalance of the tube target and the associated magnetic field fluctuations can be compensated.

Die mathematische Verknüpfung der aufgenommenen Spektrallinien als Regelgröße und die Gasregulierungsmittel können bei Bedarf zum Nachführen der Gesamtleistung eingesetzt werden, da durch fortschreitende Erosion bei konstanter Leistung insgesamt ein größerer Entladestrom fließt, wodurch die Abscheiderate steigt. The mathematical combination of the recorded spectral lines as a control variable and the gas control means can be used if necessary to track the overall performance, as a result of progressive erosion at constant power overall a larger discharge current flows, whereby the deposition rate increases.

Das bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzte Prozessgas umfasst ein Arbeitsgas, wobei das Arbeitsgas ein inertes Gas ist, insbesondere Argon, insbesondere Krypton, insbesondere Xenon, insbesondere Helium, insbesondere Neon und insbesondere ein Gemisch aus den vorbenannten inerten Gasen. The process gas used in the method according to the invention comprises a working gas, wherein the working gas is an inert gas, in particular argon, in particular krypton, in particular xenon, in particular helium, in particular neon and in particular a mixture of the aforementioned inert gases.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann bei nichtreaktiven Prozessen eingesetzt werden, wobei das Prozessgas aus einem Arbeitsgas besteht. The inventive method can be used in non-reactive processes, wherein the process gas consists of a working gas.

Ebenso kann dieses Verfahren bei reaktiven Prozessen eingesetzt werden, wobei das Prozessgas aus einem Arbeitsgas und einem Reaktivgas besteht. Likewise, this method can be used in reactive processes, wherein the process gas consists of a working gas and a reactive gas.

Die Erfindung soll nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel erläutert werden. The invention will be explained below using an exemplary embodiment.

In den zugehörigen Zeichnungen zeigen In the accompanying drawings show

1 Seitenansicht (Querschnitt) der beispielhaften Anordnung eines Kollimators zur Aufnahme der OES-Spektren. 1 Side view (cross section) of the exemplary arrangement of a collimator for recording the OES spectra.

2 Draufsicht einer beispielhaften Ansicht der Kollimatoranordnung, mit angedeuteten Gaskanalsegmenten und Kollimatoren in einer Minimalausführung, wobei die Kollimatoren nur mittig gegenüber den Gaskanalsegmenten angeordnet sind. 2 Top view of an exemplary view of the collimator, with indicated gas channel segments and collimators in a minimal version, wherein the collimators are arranged only centrally of the gas channel segments.

3 Draufsicht einer beispielhaften Ansicht der Kollimatoranordnung, mit angedeuteten Gaskanalsegmenten und zusätzlichen Kollimatoren zwischen den mittig gegenüber den Gaskanalsegmenten angeordneten Kollimatoren. 3 Top view of an exemplary view of the collimator, with indicated gas channel segments and additional collimators between the arranged centrally opposite the gas channel segments collimators.

In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung werden zusätzlich zu den mittig gegenüber den Gaskanalsegmenten 12 in Längserstreckung des Magnetron 1, quer zur Längserstreckung der Vakuumbeschichtungsanlage 7 und in Substrattransportrichtung hinter dem Magnetron 1 angeordneten Mitteln zum spektroskopischen Messen 2 weitere Mittel zum spektroskopischen Messen 2 dazwischen gleichverteilt angeordnet. Damit kann die Regelung der Gasflüsse über die Gaskanalsegmente durch Gasregulierungsmittel genauer erfolgen als bei einer Minimalausführung ohne die zusätzlichen Kollimatoren 2. Denn durch die Ausführung mehrerer Messorte pro Gaskanalsegment 12 lassen sich Extrema in der Plasmaimpedanz erkennen und den Gasfluss danach ausregeln. Dafür werden an den einzelnen Messorten signifikante Spektrallinien aufgenommen und aus deren mathematischem Verhältnis geeignete Prozessgasflüsse zur Einstellung einer konstanten Abscheiderate über das Substrat 3 genutzt. Aus wirtschaftlichen Gesichtspunkten werden die Mittel zum spektroskopischen Messen 2 über Lichtwellenleiter 4 durch einen Multiplexer (nicht dargestellt) für eine Messzeit auf ein einziges Spektrometer 5 je Target gekoppelt.In a preferred embodiment of the invention, in addition to the center of the gas channel segments 12 in the longitudinal extension of the magnetron 1 , transverse to the longitudinal extent of the vacuum coating system 7 and in substrate transport direction behind the magnetron 1 arranged means for spectroscopic measurement 2 further means of spectroscopic measurement 2 arranged equally distributed between them. Thus, the regulation of gas flows through the gas channel segments by gas control means can be done more accurately than in a minimum design without the additional collimators 2 , Because by the execution of several measuring locations per gas channel segment 12 can be detected in the plasma impedance extrema and then regulate the gas flow. For this purpose, significant spectral lines are recorded at the individual measuring locations and from their mathematical relationship suitable process gas flows for setting a constant deposition rate over the substrate 3 used. From an economic point of view, the means of spectroscopic measurement 2 via fiber optic cable 4 by a multiplexer (not shown) for a measurement time on a single spectrometer 5 coupled to each target.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

1 1: Magnetron magnetron
2 2: Mittel zum spektroskopischen Messen (OES) Spectroscopic measuring means (OES)
3 3: Substrat substratum
4 4: Lichtwellenleiter optical fiber
5 5: Spektrometer spectrometer
6 6: Substrattransportrichtung Substrate transport direction
7 7: Vakuumbeschichtungsanlage Vacuum coating system
12 12: Gaskanalsegment Gas channel segment

Claims

Arrangement for controlling a transverse distribution of the coating rate in magnetron sputtering in a vacuum coating installation ( 7 ) in a vacuum chamber with a magnetron ( 1 ) with a target, a substrate transport device, gas channel segments ( 12 ), and means for spectroscopic measurement ( 2 ) of a plasma density, which are arranged stationary to the vacuum space, wherein a substrate ( 3 ) is transportable on a substrate transport device in a substrate plane and the gas channel segments ( 12 ) for introducing a process gas transversely to the transport direction ( 6 ) of the substrate and transversely to the longitudinal extent of the vacuum coating system ( 7 ) above the substrate plane in the substrate transport direction ( 6 ) in front of or behind the magnetron ( 1 ) and the means for spectroscopic measurement ( 2 ) above the substrate plane in the substrate transport direction ( 6 ) in front of or behind the magnetron ( 1 ), characterized in that a gas channel segment has its own measuring location of a means for spectroscopic measurement ( 2 ) is assigned a plasma density which is in the substrate transport direction ( 6 ) in front of or behind the magnetron ( 1 ), wherein the means for spectroscopically measuring a plasma density and a gas regulating means for adjusting a gas flow from the gas channel segment in the vacuum chamber, which is designed as an actuator of the control loop, are components of a control loop.

Arrangement according to claim 1, characterized in that the measuring locations of the means for spectroscopic measurement ( 2 ) in the middle of the gas channel segments ( 12 ) are arranged.

Arrangement according to claim 1 and 2, characterized in that the measuring locations of the means for spectroscopic measurement ( 2 ) parallel to the longitudinal extent of the magnetron ( 1 ) are arranged.

Arrangement according to claim 1, characterized in that additional measuring locations are provided with means for spectroscopic measuring ( 2 ) are equally distributed to gaps of the gas channel segments ( 12 ) along the longitudinal extent of the magnetron ( 1 ) in the substrate transport direction ( 6 ) in front of or behind the magnetron ( 1 ) are arranged.

Arrangement according to claim 1, characterized in that the magnetron ( 1 ) is designed as a planar or tubular magnetron.

Arrangement according to claim 1 and 5, characterized in that the magnetron ( 1 ) is designed as a double magnetron.

Arrangement according to claims 1 and 4, characterized in that the means for spectroscopic measurement ( 2 ) as collimators each with a spectrometer ( 5 ) are formed per location g.

Arrangement according to claims 1 and 7, characterized in that the colimators ( 2 ) via optical fibers ( 4 ) through a multiplexer for a measurement time with a single spectrometer ( 5 ) are connected to each target.

Method for controlling a transverse distribution of the coating rate in magnetron sputtering in a vacuum coating installation ( 7 ) in a vacuum chamber with a magnetron ( 1 ) with a target, a substrate transport device, gas channel segments ( 12 ), and means for spectroscopic measurement ( 2 ) of a plasma density, which are arranged stationary to the vacuum space, wherein a substrate ( 3 ) is transported on a substrate transport device in a substrate plane and is admitted via gas channel segments process gas and with means for spectroscopic measurement ( 2 ), which are above the substrate plane in the substrate transport direction ( 6 ) in front of or behind the magnetron ( 1 Spectral lines of elements are measured from the process gas, characterized in that the intensities of at least two significant spectral lines are measured from elements involved in the process whose mathematical relationship form the control variable of a control loop and by controlling the process gas flows in a gas channel segment ( 12 ) is kept constant via gas regulating agent.

A method according to claim 9, characterized in that line combinations of spectral lines are determined for each process.

Method according to claims 9 to 10, characterized in that the spectra are recorded at different locations, at least at two locations, along the longitudinal extent of the target.

Method according to claims 9 and 11, characterized in that the controlled variable is kept constant by tracking the process gas flows.

A method according to claims 9 to 11, characterized in that the measured spectra are averaged over a tube revolution in a tube target.

Method according to the preceding claims, characterized in that the mathematical combination of the recorded spectral lines is used to track the overall performance.

Method according to the preceding claims, characterized in that the method is used in non-reactive processes, wherein the process gas consists of a working gas.

Method according to the preceding claims, characterized in that the method is used in reactive processes, wherein the process gas consists of a working gas and a reactive gas.