DE102015104307B4 - Sputtering device for coating a substrate - Google Patents

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Abstract

Sputtervorrichtung zur Beschichtung eines Substrats (8) mit:
- einem Vakuumraum,
- einem rohrförmigen Target (1),
- einem mit Öffnungen (5) versehenen Gaskanal (3), wobei die Öffnungen (5) über die Länge des Gaskanals (3) verteilt sind, und
- einer Abschirmeinrichtung (2) zur Verhinderung einer unerwünschten Gasausbreitung in die Bereiche der Sputtervorrichtung, die vom Target aus betrachtet hinter der Abschirmeinrichtung liegen,
- wobei der Gaskanal (3) parallel zur Längserstreckung des Targets (1) auf der dem Substrat (8) abgewandten Seite des Targets (1) angeordnet und zumindest mit einer Reaktivgasquelle verbunden ist,
- wobei die Abschirmeinrichtung auf der dem Target gegenüberliegenden Seite des Gaskanals angeordnet ist und
- einem weiteren, mit über seine Länge verteilten Öffnungen (5) versehenen Gaskanal (3), der parallel zur Längserstreckung des Targets (1) auf der dem Substrat (8) abgewandten Seite des Targets (1) angeordnet ist und zumindest mit einer Prozessgasquelle verbunden ist.

Figure DE102015104307B4_0000
Sputtering apparatus for coating a substrate (8) with:
a vacuum space,
a tubular target (1),
- A provided with openings (5) gas channel (3), wherein the openings (5) over the length of the gas channel (3) are distributed, and
a shielding device (2) for preventing undesired gas propagation into the regions of the sputtering device which, viewed from the target, lie behind the shielding device,
- Wherein the gas channel (3) parallel to the longitudinal extent of the target (1) on the side facing away from the substrate (8) of the target (1) is arranged and connected at least with a reactive gas source,
- Wherein the shielding is arranged on the opposite side of the target of the gas channel and
- another, with distributed over its length Openings (5) provided gas channel (3) which is parallel to the longitudinal extent of the target (1) on the side facing away from the substrate (8) of the target (1) and at least connected to a process gas source.
Figure DE102015104307B4_0000

Description

Die Erfindung betrifft eine Sputtervorrichtung zur Beschichtung eines Substrats, wobei eine gattungsgemäße Sputtervorrichtung einen Vakuumraum, ein rohrförmiges Target, einen mit Öffnungen versehenen Gaskanal und eine Abschirmeinrichtung aufweist.The invention relates to a sputtering device for coating a substrate, wherein a generic sputtering device has a vacuum space, a tubular target, an apertured gas channel and a shielding device.

Beim Sputtern handelt es sich um einen physikalischen Vorgang, bei dem Atome aus einem Target durch Beschuss mit energiereichen Ionen herausgelöst werden und in die Gasphase übergehen. Technische Bedeutung hat das Sputtern insbesondere bei der Herstellung von Beschichtungen erlangt, indem sich die herausgelösten Atome als Schicht auf einem Substrat abscheiden.Sputtering is a physical process in which atoms are released from a target by bombardment with high-energy ions and then transferred to the gas phase. Sputtering has gained technical importance, in particular in the production of coatings, in that the leached atoms deposit as a layer on a substrate.

Die benötigten energiereichen Ionen sind üblicherweise Bestandteile eines Plasmas, das im Gas der Sputteratmosphäre zwischen der Anode und dem als Kathode genutzten Target gezündet wird. Zur besseren Ausnutzung des Targetmaterials werden heutzutage überwiegend rohrförmige Targets eingesetzt, die sich während des Sputterprozesses um ihre Längsachse drehen. Im Kombination mit rohrförmigen Targets können Anoden genutzt werden, die als gekühlte, von der Kammer elektrisch isolierte Platten, Stangen, Halbschalen oder ähnlichen Einrichtungen ausgeführt sind. Zur Erhöhung der Sputterrate ist auf der Innenseite des rohrförmigen Targets zumeist ein Magnetsystem vorgesehen. Target und Magnetsystem werden zusammen auch als Magnetron bezeichnet.The required high-energy ions are usually components of a plasma which is ignited in the gas of the sputtering atmosphere between the anode and the target used as a cathode. For better utilization of the target material nowadays predominantly tubular targets are used which rotate about their longitudinal axis during the sputtering process. In combination with tubular targets, anodes can be used, which are designed as cooled, electrically isolated from the chamber plates, rods, half-shells or similar devices. To increase the sputtering rate, a magnet system is usually provided on the inside of the tubular target. Target and magnet system are collectively referred to as magnetron.

Weiterhin wird zwischen reaktivem und nichtreaktivem Sputtern unterschieden. Für beide Varianten wird ein Inertgas, auch als Prozessgas bezeichnet, benötigt, das der Generierung der energiereichen Ionen dient.Furthermore, a distinction is made between reactive and non-reactive sputtering. Both variants require an inert gas, also called process gas, which is used to generate the high-energy ions.

Beim nichtreaktiven Sputtern kommt es zu keiner Reaktion zwischen dem Gas in der Sputteratmosphäre und dem Material des Targets. Entsprechend weist die abgeschiedene Schicht im Wesentlichen die Zusammensetzung des Targets auf.In non-reactive sputtering, there is no reaction between the gas in the sputtering atmosphere and the material of the target. Accordingly, the deposited layer essentially has the composition of the target.

Im Unterschied dazu wird beim reaktiven Sputtern ein weiteres Gas, als Reaktivgas bezeichnet, in die Sputteratmosphäre eingelassen. Dieses Reaktivgas kann mit dem Material des Targets reagieren, so dass in die Schicht zumindest ein chemisches Element aus dem Reaktivgas zusätzlich eingebaut oder die Schichtzusammensetzung geändert wird. Das reaktive Sputtern wird beispielsweise zur Generierung von Metalloxid- oder Metallnitridschichten eingesetzt, indem ein metallisches Target in Kombination mit Sauerstoff bzw. Stickstoff als Reaktivgas verwendet wird. Reaktives Sputtern wird aber beispielsweise auch eingesetzt, wenn ein Metalloxidtarget unter Zusatz von Sauerstoff prozessiert wird, z. B. um die Schichtzusammensetzung oder Depositionsrate einzustellen.In contrast, in reactive sputtering, another gas, referred to as a reactive gas, is introduced into the sputtering atmosphere. This reactive gas can react with the material of the target, so that at least one chemical element from the reactive gas is additionally incorporated into the layer or the layer composition is changed. Reactive sputtering is used, for example, to generate metal oxide or metal nitride layers by using a metallic target in combination with oxygen or nitrogen as the reactive gas. However, reactive sputtering is also used, for example, when a metal oxide target is processed with the addition of oxygen, eg. B. to adjust the layer composition or deposition rate.

Insbesondere die Homogenität bzw. gezielte Beeinflussung der Gasverteilung in Bezug auf das Target und damit zusammenhängend das gewünschte Profil der Schichtzusammensetzung sowie Schichtdicke stellt besondere Anforderungen an die Beschichtungsanlage, wobei dies besonders auf großflächige Substrate zutrifft. Üblicherweise erfolgt die Zufuhr des Reaktivgases ausschließlich in Substratnähe, während das Prozessgas in der Nähe des Targets eingeleitet wird ( DE 10 2014 111 479 A1 , DE 10 2011 075 851 A1 ). In der DE 102014 103 740 A1 werden Prozess- und Reaktivgas zwischen Target und Substrat eingelassen, jedoch mit unterschiedlichen Gasaustrittsrichtungen, um die Prozessgasverteilung und damit die Schichtzusammensetzung entlang der Targetausdehnung zu homogenisieren. Auch in der DE 10 2014 100 179 A1 wird mittels der Gasverteilung aktiv auf die Schichteigenschaften Einfluss genommen. Dazu werden Prozess- und Reaktivgas über verschieden gestaltete Kanäle, auch mit speziellen Mischverfahren kombiniert, variierbar dem Prozessraum zugeführt.In particular, the homogeneity or targeted influencing of the gas distribution with respect to the target and, associated therewith, the desired profile of the layer composition and layer thickness places particular demands on the coating system, and this applies in particular to large-area substrates. Usually, the supply of the reactive gas takes place exclusively in the vicinity of the substrate while the process gas is introduced in the vicinity of the target ( DE 10 2014 111 479 A1 . DE 10 2011 075 851 A1 ). In the DE 102014 103 740 A1 Process and reactive gas between target and substrate are admitted, but with different gas outlet directions to homogenize the process gas distribution and thus the layer composition along the target extent. Also in the DE 10 2014 100 179 A1 is actively influenced by the gas distribution on the layer properties. For this purpose, process and reactive gas can be variably fed to the process space via differently shaped channels, also combined with special mixing methods.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, für einen reaktiven Sputterprozess ein homogenes oder gezielt variierbares Gasgemisch im Vakuumraum einer Sputteranlage zur Verfügung zu stellen. Die Verteilung dieses Gasgemisches im Vakuumraum soll möglichst gezielt, insbesondere gleichmäßig in Bezug auf das zu beschichtende Substrat, erfolgen. Es soll eine beeinflussbare, bevorzugt eine homogene, Beschichtung des Substrats erreicht werden. Insbesondere sollen die Schichteigenschaften über die Substratbreite quer zur Substrattransportrichtung ermöglicht werden.The object of the present invention is to provide a homogeneous or selectively variable gas mixture in the vacuum space of a sputtering system for a reactive sputtering process. The distribution of this gas mixture in the vacuum space should be as targeted as possible, in particular uniformly with respect to the substrate to be coated. An influenceable, preferably homogeneous, coating of the substrate should be achieved. In particular, the layer properties should be made possible across the substrate width transversely to the substrate transport direction.

Eine ungewollte Beschichtung der Einrichtungen zur Gaszufuhr sowie eine ziellose Gasverteilung in der Vakuumkammer außerhalb des Plasmas sollen zudem vermieden werden.An unwanted coating of the devices for gas supply and an aimless gas distribution in the vacuum chamber outside the plasma should also be avoided.

Weiterhin soll eine Überhitzung der Einrichtungen zur Gaszufuhr verhindert werden. Dies soll in konstruktiver Hinsicht einfach, insbesondere ohne eine zusätzliche Kühlung, realisiert werden.Furthermore, overheating of the devices for gas supply should be prevented. This should be simple in terms of design, in particular without additional cooling.

Zur Lösung der Aufgabenstellung wird eine Anordnung zur Gaszufuhr mit den Merkmalen des Anspruchs 1 angegeben. Die darauf bezogenen Unteransprüche beinhalten bevorzugte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Lösung.To solve the problem, an arrangement for gas supply with the features of claim 1 is given. The related subclaims contain preferred embodiments of the solution according to the invention.

Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Beschichtung eines Substrats umfasst einen Vakuumraum, ein rohrförmiges Target, zumindest zwei Gaskanäle und eine Abschirmeinrichtung.A device according to the invention for coating a substrate comprises a Vacuum space, a tubular target, at least two gas channels and a shielding device.

Die Gaskanäle sind parallel zur Längserstreckung des Targets auf der dem Substrat abgewandten Seite des Targets angeordnet. Unter der Längserstreckung des Targets ist dabei die Ausdehnungsrichtung parallel zur Drehachse des rohrförmigen Targets gemeint. Die Gaszufuhr in den Vakuumraum der erfindungsgemäßen Sputtervorrichtung erfolgt über Öffnungen der Gaskanäle. Diese sind über die Länge des Gaskanals gleichmäßig, alternativ auch ungleichmäßig verteilt, so dass die Schichtzusammensetzung und/oder Schichteigenschaften gezielt einstellbar sind.The gas channels are arranged parallel to the longitudinal extent of the target on the side of the target facing away from the substrate. By the longitudinal extension of the target is meant the direction of expansion parallel to the axis of rotation of the tubular target. The gas supply into the vacuum space of the sputtering device according to the invention via openings of the gas channels. These are evenly distributed over the length of the gas channel, or alternatively distributed unevenly, so that the layer composition and / or layer properties can be selectively adjusted.

Einer der Gaskanäle ist mit einer Reaktivgasquelle und der andere mit einer Prozessgasquelle verbunden. Entsprechend dienen die Gaskanäle primär der Zufuhr von Reaktivgas bzw. Prozessgas in den Vakuumraum. Dies schließt ein, dass zuindest einer der Gaskanäle darüber hinaus mit einer oder mehreren weiteren Gasquellen verbunden sein kann. Bei diesen weiteren Gasquellen kann es sich sowohl um Reaktiv- als auch um Prozessgasquellen handeln. Für die Definition der Begriffe Reaktiv- und Prozessgas wird auf die einleitende Beschreibung verwiesen.One of the gas channels is connected to a reactive gas source and the other to a source of process gas. Accordingly, the gas channels serve primarily to supply reactive gas or process gas into the vacuum space. This implies that at least one of the gas channels may also be connected to one or more other gas sources. These other gas sources may be both reactive and process gas sources. For the definition of the terms reactive and process gas refer to the introductory description.

Ist ein Gaskanal mit mehreren Gasquellen verbunden, so kann entsprechend einer Ausgestaltung der Erfindung ein Mischen der verschiedenen Gase in einer zwischengeschalteten Mischeinrichtung vor Einleitung in den Gaskanal erfolgen.If a gas channel is connected to a plurality of gas sources, according to an embodiment of the invention, the various gases can be mixed in an intermediate mixing device before being introduced into the gas channel.

Optional kann die Vorrichtung weitere Gaskanäle umfassen, die parallel zur Längserstreckung des Targets auf der dem Substrat abgewandten Seite des Targets angeordnet sind. Für diesen Fall können die weiteren Gaskanäle jeweils mit einer Mischung aus Reaktiv- und Prozessgas, nur mit Reaktiv- oder nur mit Prozessgas beaufschlagt werden, wobei eine Mischung aus Reaktiv- und Prozessgas wie oben beschrieben mittels einer zwischengeschalteten Mischeinrichtung erzeugt werden kann. Der Gaseinlass in die beschriebenen Gaskanäle kann über einen oder mehrere Gaseinlässe je Gaskanal erfolgen.Optionally, the device may comprise further gas channels which are arranged parallel to the longitudinal extent of the target on the side of the target facing away from the substrate. For this case, the further gas channels can be acted upon in each case with a mixture of reactive and process gas, only reactive or only with process gas, wherein a mixture of reactive and process gas can be generated as described above by means of an intermediate mixing device. The gas inlet into the described gas channels can take place via one or more gas inlets per gas channel.

Alle hier beschriebenen Gaskanäle können einen kreisförmigen, rechteckigen oder einen anderen beliebigen Querschnitt aufweisen. Die Auswahl des Querschnitts erfolgt in Abhängigkeit der konkreten Einbausituation und den Erfordernissen der Gasverteilung.All gas channels described herein may have a circular, rectangular or any other cross-section. The selection of the cross section is made depending on the actual installation situation and the requirements of the gas distribution.

Die Länge des Gaskanals entspricht bevorzugt der Länge des Targets. Die Geometrie und Größe der Öffnungen kann so gewählt werden, dass eine gezielte Gasverteilung im Vakuumraum ermöglicht wird. Dazu können die Öffnungen auch unterschiedliche Geometrien und/oder Größen aufweisen.The length of the gas channel preferably corresponds to the length of the target. The geometry and size of the openings can be selected so that a targeted gas distribution in the vacuum space is made possible. For this purpose, the openings may also have different geometries and / or sizes.

Die Abschirmeinrichtung ist auf der dem Target gegenüberliegenden Seite des Gaskanals angeordnet und verhindert eine unerwünschte Gasausbreitung in die Bereiche der Sputtervorrichtung, die vom Target aus betrachtet hinter der Abschirmeinrichtung liegen.The shielding device is arranged on the side of the gas channel opposite the target and prevents unwanted gas propagation into the regions of the sputtering device which, viewed from the target, lie behind the shielding device.

Im einfachsten Fall kann die Abschirmeinrichtung als, gegebenenfalls gebogenes, Blech ausgebildet sein und beispielsweise das Target teilweise umschließen.In the simplest case, the shielding device can be designed as a sheet, optionally bent, and for example partially enclose the target.

Ein „teilweises Umschließen“ kann beispielsweise realisiert werden, indem die Abschirmeinrichtung als Zylinder mit nicht geschlossener Mantelfläche ausgebildet ist, dessen Radius größer als derjenige des rohrförmigen Targets ist und der auch ohne Grund- und Deckfläche ausgebildet sein kann. Die Abschirmeinrichtung umgibt das Target berührungslos. Zur Anwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird dem offenen Bereich der Mantelfläche gegenüber liegend das Substrat zu dessen Beschichtung angeordnet oder vorbeigeführt.A "partial enclosing" can be realized, for example, by the shielding device is designed as a cylinder with non-closed lateral surface whose radius is greater than that of the tubular target and can also be formed without the base and top surface. The shield surrounds the target without contact. For the application of the device according to the invention, the substrate is arranged opposite the open area of the lateral surface for its coating or past it.

Es besteht außerdem die Möglichkeit, den Gaskanal direkt in die Abschirmeinrichtung zu integrieren. Dies kann beispielsweise realisiert werden, indem die Abschirmeinrichtung über eine Aussparung zur Aufnahme des Gaskanals bzw. der Gaskanäle verfügt, so dass diese in die Anodenwanne eingepasst werden können und in direktem Kontakt mit dieser stehen.It is also possible to integrate the gas duct directly into the shielding device. This can for example be realized by the shielding device has a recess for receiving the gas channel or the gas channels, so that they can be fitted into the anode pan and are in direct contact with this.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist sowohl für den horizontalen Betrieb, d. h. mit liegenden Substraten, als auch für einen vertikalen Betrieb, d. h. mit stehenden Substraten, geeignet. Für den Fall einer Horizontalanlage kann das Substrat sowohl unterhalb als auch oberhalb des Targets angeordnet sein.The device according to the invention is suitable both for horizontal operation, i. H. with underlying substrates, as well as for vertical operation, d. H. with standing substrates, suitable. In the case of a horizontal system, the substrate may be arranged both below and above the target.

Weiterhin kann die Sputtervorrichtung auch als Magnetronsputtervorrichtung ausgebildet sein.Furthermore, the sputtering device can also be designed as a magnetron sputtering device.

Es wurde festgestellt, dass das Einleiten von Reaktiv- und Prozessgas über einen sich auf der substratabgewandten Seite des Targets befindlichen Gaskanal in Kombination mit der Abschirmeinrichtung zu einer besonders gleichmäßigen Verteilung des Gasgemischs im Vakuumraum beiträgt. Dies spiegelt sich in besonders homogenen Eigenschaften der Beschichtung über die Substratbreite, d. h. die parallel zur Targetlänge gerichtete Ausdehnungsrichtung des Substrats wider. In gleichem Maß gestattet die erfindungsgemäße Vorrichtung auch die gezielt einstellbare Variation der Schichteigenschaften sowohl über die Substratbreite als auch zeitlich und damit über die Substratlänge.It has been found that the introduction of reactive and process gas via a gas channel located on the side of the target remote from the substrate in combination with the shielding device contributes to a particularly uniform distribution of the gas mixture in the vacuum space. This is reflected in particularly homogeneous properties of the coating over the substrate width, ie the direction of extension of the substrate oriented parallel to the target length. To the same extent, the device according to the invention also permits the specifically adjustable variation of the layer properties over the substrate width as well as in time and thus over the substrate length.

Unter homogenen Eigenschaften einer Beschichtung sowie einer homogenen Beschichtung sind dabei solche Beschichtungen zu verstehen, die eine bestimmte Funktionalität oder Eigenschaft, z. B. einen Farbeindruck, eine Leitfähigkeit oder optische Eigenschaften wie Transmission, Reflexion oder Absorption, derart aufweisen, dass der Einfluss einer unterschiedlichen Beschichtung in einzelnen Bereichen der Beschichtung für die Gesamtfunktionalität vernachlässigbar ist.Homogeneous properties of a coating and of a homogeneous coating are to be understood as meaning those coatings which have a certain functionality or property, eg. As a color impression, a conductivity or optical properties such as transmission, reflection or absorption, such that the influence of a different coating in individual areas of the coating for the overall functionality is negligible.

Weiter vorteilhaft zeigt sich, dass aufgrund der Anordnung auf der substratabgewandten Seite eine ungewollte Beschichtung des Gaskanals und seiner Öffnungen ohne weitere Einbauten, wie beispielsweise Blenden, weitgehend vermieden wird. Dies erhöht die Kampagnendauer der Sputteranlage und verringert die Gesamtkosten zur Herstellung beschichteter Substrate.Further advantageous shows that due to the arrangement on the side facing away from the substrate unwanted coating of the gas channel and its openings without further installations, such as screens, is largely avoided. This increases the campaign time of the sputtering equipment and reduces the overall cost of producing coated substrates.

Erfindungsgemäß ist ein weiterer, mit Öffnungen versehener Gaskanal parallel zur Längserstreckung des Targets auf der dem Substrat abgewandten Seite des Targets angeordnet. Auch für diesen weiteren Gaskanal treffen die oben beschriebenen Gestaltungsmöglichkeiten für die Öffnungen zu, wobei Lage und Design der Öffnungen des zweiten Gaskanals von denen des ersten auch abweichen können.According to the invention, a further gas channel provided with openings is arranged parallel to the longitudinal extension of the target on the side of the target facing away from the substrate. Also for this further gas channel, the above-described design possibilities for the openings apply, wherein the position and design of the openings of the second gas channel may also differ from those of the first.

Dieser weitere Gaskanal ist mit einer Prozessgasquelle verbunden. Gleichwohl kann er auch mit mehreren Prozessgasquellen und/oder Reaktivgasquellen verbunden sein. Für den Fall, dass der weitere Gaskanal mit mehreren Gasquellen verbunden ist, erfolgt das Mischen der Gase wie oben beschrieben vor dem Einleiten in die Gaskanäle. Selbstverständlich besteht die Möglichkeit, in beide Gaskanäle ein unterschiedliches Gasgemisch, jeweils aus zumindest einem Prozess- und zumindest einem Reaktivgas, einzuleiten. Dieser Unterschied kann sowohl hinsichtlich der quantitativen als auch der qualitativen Zusammensetzung bestehen.This further gas channel is connected to a process gas source. Nevertheless, it can also be connected to a plurality of process gas sources and / or reactive gas sources. In the event that the further gas channel is connected to several gas sources, the mixing of the gases takes place as described above before being introduced into the gas channels. Of course, it is possible to initiate a different gas mixture, in each case from at least one process gas and at least one reactive gas, into both gas passages. This difference can exist in terms of both quantitative and qualitative composition.

Die Zufuhr des Reaktivgases erfolgt über einen Gaskanal, indem dieser mit einer Reaktivgasquelle verbunden ist, und die Zufuhr des Prozessgases über den anderen der beiden Gaskanäle, indem dieser mit einer Prozessgasquelle verbunden ist.The supply of the reactive gas via a gas channel by being connected to a reactive gas source, and the supply of the process gas via the other of the two gas channels by being connected to a process gas source.

Die Anordnung von zwei Gaskanälen erhöht die Flexibilität der Sputteranlage durch die Möglichkeit des Einleitens unterschiedlicher Gasgemische oder der separaten Einleitung von Reaktiv- und Prozessgas. Außerdem können die Öffnungen der beiden Gaskanäle aufeinander abgestimmt werden, so dass sich die Eigenschaften der Beschichtung noch besser beeinflussen lassen.The arrangement of two gas channels increases the flexibility of the sputtering system by the possibility of introducing different gas mixtures or the separate introduction of reactive and process gas. In addition, the openings of the two gas channels can be matched to one another, so that the properties of the coating can be influenced even better.

In einer Ausführungsvariante der Vorrichtung mit zwei Gaskanälen sind die Öffnungen dieser Gaskanäle versetzt zueinander angeordnet.In an embodiment variant of the device with two gas channels, the openings of these gas channels are arranged offset to one another.

Durch diese versetzte Anordnung wird die Erzielung einer über die gesamte Länge des Targets homogenen Gasverteilung erleichtert, so dass letztendlich die gewünschte Verteilung der Eigenschaften der Beschichtung erreicht werden kann. Zudem können dadurch Strömungseffekte weitgehend vermieden werden, die die gewünschte Gasverteilung behindern würden. Weiterhin trägt die versetzte Anordnung zum Schutz der Öffnungen vor Verstopfung und Verbesserung der Homogenität von Gasverteilung und damit der Beschichtung bei.By this staggered arrangement, the achievement of a homogeneous over the entire length of the target gas distribution is facilitated, so that ultimately the desired distribution of the properties of the coating can be achieved. In addition, this flow effects can be largely avoided, which would hinder the desired gas distribution. Furthermore, the staggered arrangement to protect the openings contributes to blockage and improve the homogeneity of gas distribution and thus the coating.

Außerdem besteht die Möglichkeit, die Anordnung derart zu gestalten, dass der aus den Öffnungen austretende Gasstrom zum jeweils anderen Gaskanal und/oder zur Abschirmeinrichtung gerichtet ist. Dies kann beispielsweise durch die Auswahl einer geeigneten Geometrie und Anordnung der Öffnungen realisiert werden.In addition, it is possible to design the arrangement such that the gas flow emerging from the openings is directed to the respective other gas channel and / or to the shielding device. This can be realized for example by selecting a suitable geometry and arrangement of the openings.

Eine derartige Anordnung trägt zu einer besseren Vermischung von Reaktiv- und Prozessgas bei, bevor sich dieses im Vakuumraum ausbreitet. Dies trägt wiederum zur Erzielung der gewünschten Beschichtung bei.Such an arrangement contributes to a better mixing of reactive and process gas before it spreads in the vacuum space. This in turn contributes to the achievement of the desired coating.

In einer Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist die Abschirmeinrichtung kühlbar und/oder gegenüber Kammerpotential isoliert ausgebildet und auf Anodenpotential, auf Kammerpotential oder potentialfrei, d. h. floatend, gesetzt, bevorzugt geschaltet, so dass die Abschirmeinrichtung in die Optimierung der thermischen und/oder Potentialverhältnisse einbezogen werden kann. Die Variante der Schaltung der Abschirmeinrichtung auf Anodenpotential umfasst die Möglichkeit, dass die Abschirmeinrichtung als Anode geschaltet werden kann, d. h. keine weitere Anode notwendig ist.In one embodiment of the device according to the invention, the shielding device is designed to be coolable and / or insulated from chamber potential and to anode potential, to chamber potential or potential-free, d. H. floating, set, preferably switched, so that the shielding can be included in the optimization of the thermal and / or potential conditions. The variant of the circuit of the shielding device to anode potential includes the possibility that the shielding device can be switched as an anode, d. H. no further anode is necessary.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltungsvariante können der oder die Gaskanäle in die Abschirmeinrichtung integriert sein.According to a further embodiment variant, the gas channel or channels can be integrated into the shielding device.

Dies kann beispielsweise realisiert werden, indem die Abschirmvorrichtung über eine Aussparung zur Aufnahme des bzw. der Gaskanäle verfügt, so dass diese in die Abschirmvorrichtung eingepasst werden können und in direktem Kontakt mit dieser stehen.This can for example be realized by the shielding device has a recess for receiving the or the gas channels, so that they can be fitted into the shielding device and are in direct contact with this.

Aufgrund des direkten Kontakts mit der gekühlten Abschirmvorrichtung wird eine Überhitzung der Gaskanäle vermieden. Eine weitere Kühlung der Gaskanäle ist nicht zwingend notwendig.Due to the direct contact with the cooled shielding device becomes overheating the gas channels avoided. Further cooling of the gas channels is not absolutely necessary.

Gemäß einer Ausführungsvariante ist zumindest ein Gaskanal in mehrere Segmente unterteilt. Dies schließt die Möglichkeit ein, dass im Falle der Anordnung von mehreren Gaskanälen einer oder mehrere Gaskanäle unterteilt sind.According to one embodiment, at least one gas channel is divided into several segments. This includes the possibility that, in the case of the arrangement of several gas channels, one or more gas channels are subdivided.

Die Unterteilung des oder der Gaskanäle erfolgt mittels eines oder mehrerer Trennelemente, je nachdem in wie viele Segmente der betreffende Kanal unterteilt werden soll. Das Längenverhältnis der einzelnen Segmente untereinander ist, beispielsweise durch einfaches Verschieben der Trennelemente, variabel einstellbar. Beispielsweise können die Trennelemente in Form von Gummistopfen ausgebildet sein.The subdivision of the gas channel or channels by means of one or more separators, depending on how many segments the channel in question should be divided. The aspect ratio of the individual segments with each other, for example, by simply moving the separating elements, variably adjustable. For example, the separating elements may be in the form of rubber stoppers.

Für jedes Segment des Gaskanals ist zumindest ein Gaseinlass vorgesehen.At least one gas inlet is provided for each segment of the gas channel.

Durch die Segmentierung des Kanals kann die Gaszufuhr in den Vakuumraum über die Länge des Targets gesteuert erfolgen. Beispielsweise ist es möglich, über dem mittleren Bereich des Targets einen höheren Gasfluss einzustellen als in den Randbereichen. Außerdem ist es auch möglich, die Segmente mit unterschiedlichen Gasen oder Gasmischungen zu beaufschlagen. Beispielsweise kann der Anteil des Reaktivgases für die einzelnen Segmente unterschiedlich gewählt werden. Dadurch kann beispielsweise auf bestimmte Effekte, wie z. B. eine unterschiedliche Oxidbedeckung eines Metalltargets oder einen unterschiedlichen Materialabtrag am Target beispielsweise durch Unterschiede in der Magnetfeldstärke in der Mitte und am Ende des Targets, die trotz einer gleichmäßigen Gasverteilung im Vakuumraum zu einer ungleichmäßigen Beschichtung führen, reagiert werden. z.B. unterschiedlicher Materialabtrag am Target durch z.B. Unterschiede in der Magnetfeldstärke (Mitte - Ende)Due to the segmentation of the channel, the gas supply into the vacuum space can be controlled over the length of the target. For example, it is possible to set a higher gas flow over the central region of the target than in the peripheral regions. In addition, it is also possible to apply different gases or gas mixtures to the segments. For example, the proportion of reactive gas for the individual segments can be chosen differently. As a result, for example, certain effects such. Example, a different oxide coverage of a metal target or a different material removal at the target, for example, by differences in the magnetic field strength in the middle and at the end of the target, which lead despite a uniform gas distribution in the vacuum space to a non-uniform coating, are reacted. e.g. different material removal at the target by e.g. Differences in the magnetic field strength (middle - end)

Insbesondere kann zumindest ein Gaskanal in zumindest drei Segmente unterteilt werden, wobei die Länge der Segmente in Richtung der Enden des Gaskanals abnimmt. Auf diese Weise lassen sich sog. Randeffekte minimieren.In particular, at least one gas channel can be divided into at least three segments, wherein the length of the segments decreases in the direction of the ends of the gas channel. In this way, so-called edge effects can be minimized.

Gemäß einer weiteren Ausführungsvariante sind die Öffnungen zur Zufuhr des Gases in den Vakuumraum in Form von Düsenschrauben ausgebildet. Düsenschrauben ermöglichen eine variable Einstellung der Größe der Öffnung und somit der Gasmenge, die durch eine bestimmte Öffnung dem Vakuumraum zugeführt wird. Dies ermöglicht die gezielte Beeinflussung der Gasverteilung innerhalb der Vakuumkammer. Zudem kann auch dadurch Einfluss auf die oben genannten Randeffekte genommen werden, z. B. indem in den Randbereichen des Gaskanals gezielt mehr oder weniger Gas als im mittleren Bereich des Gaskanals in den Vakuumraum zugeführt wird.According to a further embodiment, the openings for the supply of the gas are formed in the vacuum space in the form of nozzle screws. Nozzle screws allow a variable adjustment of the size of the opening and thus the amount of gas that is supplied through a specific opening to the vacuum space. This allows the targeted influencing of the gas distribution within the vacuum chamber. In addition, this can also influence the above-mentioned edge effects are taken, for. B. by selectively more or less gas is supplied as in the central region of the gas channel in the vacuum space in the edge regions of the gas channel.

Optional können eine oder mehrere zusätzliche Einrichtungen zur Zufuhr von zusätzlichem Reaktivgas in der Nähe des Substrats angeordnet sein. Dadurch können die Eigenschaften der Beschichtung weiter vorteilhaft beeinflusst werden. Diese zusätzliche Einrichtung kann beispielsweise in Form eines weiteren Gaskanals ausgebildet sein. Eine derartige zusätzliche Einrichtung ist bevorzugt im Raum zwischen der Abschirmeinrichtung und dem Substrat derart, z. B. seitlich, angeordnet, dass möglichst wenig Beschichtungsmaterial diese zusätzliche Einrichtung trifft.Optionally, one or more additional means for supplying additional reactive gas may be disposed in proximity to the substrate. As a result, the properties of the coating can be further advantageously influenced. This additional device can be designed, for example, in the form of a further gas channel. Such an additional device is preferably in the space between the shielding device and the substrate such. B. laterally arranged that as little as possible coating material meets this additional device.

Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels erläutert werden. Die zugehörigen Zeichnungen zeigen:

  • 1 Einbausituation der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Gaszufuhr,
  • 2 Einbaulage der Gaskanäle in der Abschirmeinrichtung,
  • 3 Gaskanäle mit versetzten Öffnungen in Form von Düsenschrauben,
  • 4 unterteilter Gaskanal mit verschiebbarem Trennelement.
The invention will be explained below with reference to an embodiment. The accompanying drawings show:
  • 1 Installation situation of the gas supply device according to the invention,
  • 2 Installation position of the gas channels in the shielding device,
  • 3 Gas ducts with staggered openings in the form of jet screws,
  • 4 subdivided gas duct with movable divider.

Eine beispielhafte erfindungsgemäße Vorrichtung dient der Beschichtung eines Substrats 8 und umfasst einen Vakuumraum, ein rohrförmiges Target 1 und eine Abschirmeinrichtung 2. Die 1 bis 4 zeigen verschiedene Details der beispielhaften Vorrichtung.An exemplary device according to the invention serves to coat a substrate 8th and includes a vacuum space, a tubular target 1 and a shielding device 2 , The 1 to 4 show various details of the exemplary device.

Im Beispiel ist die Abschirmeinrichtung 2 als eine das Target 1 teilweise umschließende Anode ausgebildet (1). Parallel zur Längserstreckung des Targets 1 auf der dem Substrat 8 abgewandten Seite des Targets 1 sind zwei Gaskanäle 3 angeordnet, die Öffnungen 5 zur Zufuhr von Reaktiv- und Prozessgas in den Vakuumraum aufweisen. Im Ausführungsbeispiel ist einer der beiden Gaskanäle mit einer Reaktivgasquelle verbunden, während der andere Gaskanal mit einer Prozessgasquelle verbunden ist.In the example, the shielding device 2 as one the target 1 partially enclosing anode formed ( 1 ). Parallel to the longitudinal extent of the target 1 on the substrate 8th opposite side of the target 1 are two gas channels 3 arranged the openings 5 for supplying reactive and process gas in the vacuum space. In the exemplary embodiment, one of the two gas channels is connected to a reactive gas source, while the other gas channel is connected to a process gas source.

Weiterhin ist optional eine zusätzliche Einrichtung zur Reaktivgaszufuhr 9 zwischen Abschirmeinrichtung 2 und Substrat 8 positioniert worden, im Ausführungsbeispiel zwischen Target 1 und Substrat 8 und dabei mit einem Abstand zu den Bereichen, in denen das Plasma brennt, hier als Plasmaraum 10 bezeichnet.Furthermore, an optional additional device for reactive gas supply 9 between shielding 2 and substrate 8th has been positioned, in the embodiment between Target 1 and substrate 8th and at a distance to the areas where the plasma burns, here as a plasma space 10 designated.

Beide Gaskanäle 3 weisen einen rechteckigen Querschnitt auf, verlaufen parallel zueinander und sind in der Abschirmeinrichtung 2 integriert (1). Die Länge beider Gaskanäle 3 entspricht zumindest der Länge des Targets 1, im Beispiel der Länge der Abschirmeinrichtung 2.Both gas channels 3 have a rectangular cross-section, parallel to each other and are in the shielding 2 integrated ( 1 ). The length of both gas channels 3 corresponds at least to the length of the target 1 , In the example of the length of the shielding device 2 ,

Die Öffnungen 5 der beiden Gaskanäle 3 sind in Form von Düsenschrauben ausgebildet und versetzt zueinander angeordnet (3). Außerdem sind die Gaskanäle 3 und deren Öffnungen 5 derart ausgerichtet, dass der aus den Öffnungen austretende Gasstrom des einen Gaskanals 3 auf den anderen Gaskanal 3 mit einer geringen Richtungskomponente zur Abschirmeinrichtung 2 gerichtet ist (2).The openings 5 the two gas channels 3 are formed in the form of nozzle screws and offset from each other ( 3 ). In addition, the gas channels 3 and their openings 5 oriented such that the gas flow emerging from the openings of the one gas channel 3 on the other gas channel 3 with a low directional component to the shielding device 2 is addressed ( 2 ).

Weiterhin sind beide Gaskanäle 3 in mehrere Segmente unterteilt, wobei die Länge der Segmente in Richtung der Enden des Gaskanals 3 abnimmt. Die Unterteilung erfolgt mittels verschiebbarer Trennelemente 6 (4).Furthermore, both are gas channels 3 divided into several segments, the length of the segments towards the ends of the gas channel 3 decreases. The subdivision takes place by means of displaceable separating elements 6 ( 4 ).

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Targettarget
22
Abschirmeinrichtungshielding
33
Gaskanalgas channel
44
Gaszuleitunggas supply
55
Öffnung des Gaskanals in Form einer DüsenschraubeOpening of the gas channel in the form of a jet screw
66
Trennelementseparating element
88th
Substratsubstratum
99
zusätzliche Einrichtung zur Reaktivgaszufuhradditional device for reactive gas supply
1010
Plasmaraumplasma space

Claims (10)

Sputtervorrichtung zur Beschichtung eines Substrats (8) mit: - einem Vakuumraum, - einem rohrförmigen Target (1), - einem mit Öffnungen (5) versehenen Gaskanal (3), wobei die Öffnungen (5) über die Länge des Gaskanals (3) verteilt sind, und - einer Abschirmeinrichtung (2) zur Verhinderung einer unerwünschten Gasausbreitung in die Bereiche der Sputtervorrichtung, die vom Target aus betrachtet hinter der Abschirmeinrichtung liegen, - wobei der Gaskanal (3) parallel zur Längserstreckung des Targets (1) auf der dem Substrat (8) abgewandten Seite des Targets (1) angeordnet und zumindest mit einer Reaktivgasquelle verbunden ist, - wobei die Abschirmeinrichtung auf der dem Target gegenüberliegenden Seite des Gaskanals angeordnet ist und - einem weiteren, mit über seine Länge verteilten Öffnungen (5) versehenen Gaskanal (3), der parallel zur Längserstreckung des Targets (1) auf der dem Substrat (8) abgewandten Seite des Targets (1) angeordnet ist und zumindest mit einer Prozessgasquelle verbunden ist.Sputtering apparatus for coating a substrate (8) with: a vacuum space, a tubular target (1), - A gas channel (3) provided with openings (5), wherein the openings (5) over the length of the gas channel (3) are distributed, and a shielding device (2) for preventing undesired gas propagation into the regions of the sputtering device which, viewed from the target, lie behind the shielding device, - Wherein the gas channel (3) parallel to the longitudinal extent of the target (1) on the side facing away from the substrate (8) of the target (1) is arranged and connected at least with a reactive gas source, - Wherein the shielding is arranged on the opposite side of the target of the gas channel and - A further, over its length distributed openings (5) provided with gas channel (3) which is parallel to the longitudinal extent of the target (1) on the substrate (8) facing away from the target (1) and at least connected to a process gas source is. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Öffnungen (5) der beiden Gaskanäle (3) versetzt zueinander angeordnet sind.Device after Claim 1 , wherein the openings (5) of the two gas channels (3) are arranged offset from one another. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Öffnungen (5) der beiden Gaskanäle (3) derart ausgerichtet sind, dass ein aus den Öffnungen (5) des einen Gaskanals (3) austretender Gasstrom zum jeweils anderen Gaskanal (3) und/oder zur Abschirmeinrichtung (2) gerichtet ist.Device after Claim 1 or 2 , wherein the openings (5) of the two gas channels (3) are aligned such that one of the openings (5) of the one gas channel (3) exiting gas flow to the other gas channel (3) and / or the shielding (2) is directed , Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Abschirmeinrichtung (2) kühlbar und/oder gegenüber Kammerpotential isoliert auf Anodenpotential oder Kammerpotential oder potentialfrei setzbar ist.Device according to one of the preceding claims, wherein the shielding device (2) can be placed in a coolable and / or chamber-isolated manner at the anode potential or chamber potential or in a potential-free manner. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei in der Abschirmeinrichtung (2) der oder die Gaskanäle (3) integriert sind.Device according to one of the preceding claims, wherein in the shielding device (2) or the gas channels (3) are integrated. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei zumindest ein Gaskanal (3) in mehrere Segmente unterteilt ist, deren Längenverhältnis mittels eines oder mehrerer Trennelemente (6) variabel einstellbar ist.Device according to one of the preceding claims, wherein at least one gas channel (3) is subdivided into a plurality of segments whose length ratio is variably adjustable by means of one or more separating elements (6). Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei Trennelemente (6) derart angeordnet sind, dass der zumindest eine Gaskanal (3) in zumindest drei Segmente unterteilt ist, wobei die Länge der Segmente in Richtung der Enden des Gaskanals (3) abnimmt.Device after Claim 5 in which separating elements (6) are arranged such that the at least one gas channel (3) is subdivided into at least three segments, the length of the segments decreasing in the direction of the ends of the gas channel (3). Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Öffnungen (5) in Form von Düsenschrauben ausgebildet sind.Device according to one of the preceding claims, wherein the openings (5) are in the form of nozzle screws. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei zumindest eine zusätzliche, mit einer Reaktivgasquelle verbundene Einrichtung (9) zwischen Abschirmeinrichtung (2) und Substrat (8) angeordnet ist.Device according to one of the preceding claims, wherein at least one additional device (9) connected to a reactive gas source is arranged between the shielding device (2) and the substrate (8). Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei zumindest ein Gaskanal (3) mit einer Mischeinrichtung zur Mischung von Prozessgas und Reaktivgas verbunden ist.Device according to one of the preceding claims, wherein at least one gas channel (3) is connected to a mixing device for mixing process gas and reactive gas.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011075851A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Reactive deposition of oxides e.g. aluminum oxide of a pipe magnetron arrangement in vacuum coating plants, by guiding substrate in longitudinal extension of vacuum coating plant at pipe magnetron arrangement
DE102014100179A1 (en) * 2014-01-09 2015-07-09 Von Ardenne Gmbh Process for the reactive deposition of layers
DE102014103740A1 (en) * 2014-01-09 2015-07-23 Von Ardenne Gmbh Sputtering arrangement and sputtering method
DE102014111479A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Von Ardenne Gmbh Method and arrangement for reactive magnetron sputtering

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2366547T3 (en) * 2006-01-31 2011-10-21 Materion Advanced Materials Technologies And Services Inc. TUBULAR IONIC BOMBING SPRAY WHITE WITH IMPROVED RIGIDITY.
EP2276054A1 (en) * 2009-07-13 2011-01-19 Applied Materials, Inc. Sputtering system, rotatable cylindrical target assembly, backing tube, target element and cooling shield
CN201473586U (en) * 2009-07-15 2010-05-19 仕贯真空科技股份有限公司 Vacuum process air conduction device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011075851A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Reactive deposition of oxides e.g. aluminum oxide of a pipe magnetron arrangement in vacuum coating plants, by guiding substrate in longitudinal extension of vacuum coating plant at pipe magnetron arrangement
DE102014100179A1 (en) * 2014-01-09 2015-07-09 Von Ardenne Gmbh Process for the reactive deposition of layers
DE102014103740A1 (en) * 2014-01-09 2015-07-23 Von Ardenne Gmbh Sputtering arrangement and sputtering method
DE102014111479A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Von Ardenne Gmbh Method and arrangement for reactive magnetron sputtering

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