DE102013008794A1

DE102013008794A1 - Magnetfeldsensorvorrichtung

Info

Publication number: DE102013008794A1
Application number: DE201310008794
Authority: DE
Inventors: Jörg Franke
Original assignee: TDK Micronas GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 2013-05-24
Filing date: 2013-05-24
Publication date: 2014-11-27
Anticipated expiration: 2033-05-25
Also published as: DE102013008794B4; US9166145B2; US20140346579A1

Abstract

Magnetfeldsensorvorrichtung mit einem Halbleiterkörper, wobei der Halbleiterkörper eine Oberseite und eine Unterseite aufweist und wobei der Halbleiterkörper eine Substratschicht und eine oberhalb des Substrates an der Oberseite des Halbleiterkörpers ausgebildete Passivierungsschicht umfasst, und in der Substratschicht des Halbleiterkörpers ein oder mehrere vorzugsweise integrierte elektronische Bauelemente ausgebildet sind, und an der Oberseite des Halbleiterkörpers oberhalb der Passivierungsschicht eine Hallplatte vorgesehen ist und die Hallplatte aus einer Graphen-Verbindung besteht.

Description

Die Erfindung betrifft eine Magnetfeldsensorvorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Aus der DE 202 11 518 U1 ist Magnetfeldsensorvorrichtung mit einer Hallplatte bekannt.
Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine Vorrichtung anzugeben, die den Stand der Technik weiterbildet.
Die Aufgabe wird durch eine Magnetfeldsensorvorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Gemäß dem Gegenstand der Erfindung wird eine Magnetfeldsensorvorrichtung mit einem Halbleiterkörper bereitgestellt, wobei der Halbleiterkörper eine Oberseite und eine Unterseite aufweist und wobei der Halbleiterkörper eine Substratschicht und eine oberhalb des Substrates an der Oberseite des Halbleiterkörpers ausgebildete Passivierungsschicht aufweist, und in der Substratschicht des Halbleiterkörpers ein oder mehrere vorzugsweise integrierte elektronische Bauelemente ausgebildet sind, und an der Oberseite des Halbleiterkörpers oberhalb der Passivierungsschicht eine Hallplatte vorgesehen ist und die Hallplatte aus einer Graphen-Verbindung besteht. Es sei angemerkt, dass die Graphen Verbindung vorzugsweise als eine zusammenhängende Schicht ausgebildet ist und hierbei die Schicht im Wesentlichen parallel zu der Oberseite unmittelbar oberhalb der Passivierungsschicht angeordnet ist. Es versteht sich, dass die Oberseite des Halbleiterkörpers insbesondere unterhalb der Graphen-Schicht vorzugsweise planar ausgebildet ist. Des Weiteren sei angemerkt, dass es sich bei der Magnetfeldsensorvorrichtung um eine integrierte Ausführungsform handelt, indem die Hallplatte elektrisch mit dem Halbleiterkörper verschaltet ist. Es versteht sich, dass Hallplatte eine Hallspannung erzeugt, sofern die Hallplatte von einem Betriebsstrom durchflossen ist und ein Anteil des magnetischen Flusses die Oberfläche der Hallplatte senkrecht durchdringt. Vorzugsweise ist das Verhältnis der Größe der lateralen Ausdehnung der Graphen-Schicht zu der Dicke der Graphen-Schicht größer als 50, d. h. die Graphen-Schicht ist als eine dünne Schicht ausgebildet.
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Magnetfeldsensorvorrichtung ist es, dass sich die Hallplatte aus der Graphen Verbindung einfach und kostengünstig herzustellen lässt. Untersuchungen haben gezeigt, dass sich aufgrund der hohen Beweglichkeit der Ladungsträger in der Graphen Verbindung auch bei kleinen magnetischen Flüssen eine Hallspannung ergibt und sich eine empfindliche Magnetfeldsensorvorrichtung herstellen lässt. Es zeigt sich, dass eine Wechselwirkung zwischen der Art der unmittelbar unterhalb der Graphen Verbindung ausgebildeten Schicht und der Graphen-Schicht besteht, indem bestimmte Schichten die Ladungsträgerbeweglichkeit innerhalb der Graphen-Verbindung stärker reduzieren als andere Schichtarten. Es ist bevorzugt, insbesondere Arten von Schichten unmittelbar unterhalb der Graphen-Schicht auszubilden, welche die Ladungsträgerbeweglichkeit innerhalb der Graphen-Schicht möglichst wenig reduzieren. Besonders bevorzugt ist es, zwischen der Graphen-Schicht und der Unterlage einen Spalt auszubilden, um die Ladungsträgerbeweglichkeit in der Graphen-Schicht bzw. in der Hallplatte möglichst nicht oder wenig zu reduzieren.
In einer Weiterbildung weist die Hallplatte vier von einander beabstandete Kontakte auf, wobei die Hallplatte mittels der Kontakte elektrisch mit der Substratschicht verbunden ist. Es ist bevorzugt, die Kontakte an den Rändern der Graphen-Schicht anzuordnen. In einer Ausführungsform umfasst die Hallplatte eine zweidimensionale Graphen-Schicht, so dass ein Stromfluss im Wesentlichen parallel zu der Schichtebene stattfindet. Des Weiteren ist es bevorzugt, dass die Hallplatte eine oder mehrere Graphen-Monolagen umfasst. Es versteht sich, dass bei der Ausführungsform mit einer Monolage der Stromfluss ausschließlich innerhalb der Monolage und hierdurch parallel zu der Substratschicht fließt. Untersuchungen haben gezeigt, dass eine defektarme Ausbildung der Graphen-Schicht für die Hallplatte mit einer hohen Ladungsträgerbeweglichkeit parallel zu der Ebene der kohlenstoffhaltigen Schicht eine hohe Hallspannung bereits bei geringen magnetischen Flussstärken bedingt. Vorzugsweise umfasst die zweidimensionale als Graphen-Schicht ausgebildete Hallplatte einen Bereich zwischen 1 und 20 Atomlagen, wobei der Ladungsträgertransport in einer Atomlage oder in mehreren Atomlagen erfolgt. Höchst vorzugsweise umfasst die zweidimensionale Schicht genau eine Atomlage, wobei der Ladungsträgertransport nur in einer Atomlage stattfindet.
In einer anderen Ausführungsform sind zwischen der Hallplatte und der Passivierungsschicht eine Graphen Monolage oder mehrere Graphen-Monolagen und oder eine Silizium-Bor-Nitrid Schicht oder mehrere Silizium-Bor-Nitrid Schichten angeordnet. Es versteht sich, dass die unterhalb der Hallplatte angeordneten Graphen-Monolagen oder die Silizium-Bor-Nitrid Schichten nicht Teil der Hallplatte sind.
In einer anderen Weiterbildung sind oberhalb der Hallplatte eine Graphen-Monolage oder mehrere Graphen-Monolagen und/oder eine Silizium-Bor-Nitrid Schicht oder mehrere Silizium-Bor-Nitrid Schichten angeordnet. Es versteht sich, dass die oberhalb bzw. auf der Hallplatte angeordneten Graphen-Monolagen oder die Silizium-Bor-Nitrid Schichten nicht Teil der Hallplatte sind.
In einer Ausführungsform besteht der Halbleiterkörper aus Silizium oder aus einer Siliziumverbindung. Es ist bevorzugt, dass die Leiterbahnebenen eine Siliziumdioxid-Verbindung und Metallflächen umfasst und die Passivierungsschicht eine Silizium-Bor-Nitrid-Verbindung und oder eine Silizium-Nitrid-Schicht umfasst oder aus einer oder mehreren der aufgezählten Schichten besteht. In einer anderen Weiterbildung ist es bevorzugt, innerhalb der Leiterbahnebenen oder innerhalb der Substratschicht, d. h. unterhalb der Hallplatte eine elektrisch leitfähige Abschirmschicht auszubilden. Die elektrische leitfähige Schicht ist vorzugsweise mit einem Bezugspotential oder mit einem Referenzpotential verschaltet. Bei einer Ausführung innerhalb der Leiterbahnebenen ist es für eine Ausbildung der Abschirmschicht bevorzugt, eine oder mehrere der Metallleiterbahnen flächig auszuführen und hierdurch eine Abdeckschicht auszubilden. Des Weiteren ist es bevorzugt, die Hallplatte an der von der Substratschicht abgewandten Seite mit einer metallischen Abdeckplatte abzudecken. Untersuchungen haben gezeigt, dass es vorteilhaft ist, die Hallplatte wenigstens einseitig vorzugsweise beidseitig elektrisch abzuschirmen. Ferner ist bevorzugt, dass eine elektrische Wirkverbindung zwischen der Abschirmschicht und einer Schaltungseinheit besteht und insbesondere die Abschirmschicht als eine Steuerelektrode zur Beeinflussung der Sensitivität der Hallplatte ausgebildet ist, indem mittels der Schaltungseinheit die Hohe des Potentials an der Abschirmschicht verändert wird.
Ein Vorteil der elektrischen Verbindung der metallischen Schicht und oder der Abdeckplatte mit dem Bezugspotential und oder dem Referenzpotential ist, dass sich mittels einer Änderung der Spannungshöhe des Bezugspotential und oder des Referenzpotentials der Arbeitspunkt der Hallplatte einstellen lässt. Insbesondere lässt sich an der metallischen Schicht und oder an der Abdeckplatte mittels der Spannungshöhe einstellen, ob die Hallspannung an der Hallplatte von Elektronen oder von Löchern erzeugt wird. Des Weiteren lässt sich mittels einer Schaltungseinheit die Höhe der Spannung an der metallischen Schicht und oder an der Abdeckplatte verändern um hierdurch einen Temperaturgang der Hallplatte zu reduzieren oder vollständig auszugleichen. Ein weiterer Vorteil ist, dass mittels der metallischen Schicht und oder der Abdeckplatte parasitäre elektrische Felder und der Einfluss der parasitären Feldern auf die Hallplatte unterdrücken lassen und sich die Sensitivität der Hallplatte erhöhen oder erniedrigen lässt. Es sei angemerkt, dass sich anstelle der Beeinflussung der Hallplatte mittels der Höhe bzw. der Veränderung der Höhe des Bezugspotentials an der metallischen Schicht, die Substratschicht mit einem Arbeitspotential beaufschlagen lässt. Nachteilig hierbei ist, dass sich die in der Substratschicht ausgebildeten elektronischen Bauelemente beeinflusst werden. Des Weiteren lässt sich die Hallplatte mittels der Anordnung der Abdeckplatte bei einem nachfolgenden Moldprozess vor einer Einwirkung der Moldmasse bzw. einer Vergussmasse schützten.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform umfassen die elektronischen Bauelemente MOS Transistoren, wobei die MOS Transistoren in einer elektrischen Wirkverbindung mit der Hallplatte stehen. In einer Weiterbildung bilden die elektronischen Bauelemente eine Steuereinheit aus. Ferner ist es bevorzugt, die Hallplatte ausschließlich an einem Randbereich zu befestigen und insbesondere an dem Randbereich elektrisch anzuschließen. Bevorzugt ist, die Hallplatte mit der Steuereinheit elektrisch zu verschalten, wobei die Steuereinheit als integrierte Schaltung innerhalb des Substrates ausgebildet ist. Hierdurch ist die Steuereinheit monolithisch integriert.
In einer Weiterbildung ist der Halbleiterkörper kraftschlüssig mit seiner Unterseite auf einer metallischen Trägerplatte angeordnet, wobei die Trägerplatte im Allgemeinen auch als Leadframe bezeichnet wird. Des Weiteren ist es bevorzugt, den Halbleiterkörper und die Hallplatte in einem gemeinsamen IC-Gehäuse anzuordnen.
In einer Weiterbildung sind auf dem Halbleiterkörper zwei Hallplatten oder drei Hallplatten vorgesehen, wobei die Hallplatten vorzugsweise orthogonal zueinander angeordnet sind. Es ist bevorzugt, eine Hallplatte parallel zu der Oberseite des Trägers auszubilden.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Hierbei werden gleichartige Teile mit identischen Bezeichnungen beschriftet. Die dargestellte Ausführungsformen sind stark schematisiert, d. h. die Abstände und laterale und vertikale Erstreckung sind nicht maßstäblich und weisen, sofern nicht anders angegeben auch keine ableitbare geometrische Relation zueinander auf. Darin zeigen die:
1 eine Querschnittsansicht auf eine erste Ausführungsform einer Magnetfeldsensorvorrichtung,
2 eine Querschnittsansicht auf eine zweite Ausführungsform der Magnetfeldsensorvorrichtung,
3 eine Querschnittsansicht auf eine dritte Ausführungsform der Magnetfeldsensorvorrichtung,
4 eine Querschnittsansicht auf eine vierte Ausführungsform der Magnetfeldsensorvorrichtung.
Die Abbildung der 1 zeigt eine erste Querschnittsansicht einer ersten Ausführungsform auf, aufweisend einen Magnetfeldsensorvorrichtung 10 mit einem Halbleiterkörper 20 mit einer Oberseite 24 und einer Unterseite 28. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist ein kartesisches Koordinatensystem eingezeichnet, wobei der Querschnitt entlang einer x-z-Ebene ausgebildet ist. An der Oberseite 24 des Halbleiterkörpers 20 sind eine Substratschicht 32 und eine oberhalb der Substratschicht 32 angeordnete Passivierungsschicht 34 ausgebildet. Der Halbleiterkörper 20 umfasst vorzugsweise eine Siliziumverbindung und höchst vorzugsweise besteht der Halbleiterkörper 20 aus Silizium. Demhingegen umfasst die Passivierungsschicht 34 eine Silziumdioxid Verbindung und/oder eine Bor-Nitrid Verbindung und oder eine Nitrid Verbindung und oder eine Polyimid Verbindung. In der Substratschicht 32 ist eine Vielzahl von elektronischen Bauelemente 36 ausgebildet, wobei die elektronischen Bauelemente 36, wie abgebildet auch MOS-Transistoren umfassen. Vorzugsweise bilden die elektronischen Bauelemente 36 eine integrierte Schaltung in Form einer Steuereinheit – nicht dargestellt – aus. Ferner ist an der Oberseite 24 des Halbleiterkörpers 20 oberhalb der Passivierungsschicht 34 eine Hallplatte 40 angeordnet. Die Hallplatte 40 besteht aus einer parallel zu der x-y-Ebene ausgebildeten Graphen-Schicht, wobei die Graphen-Schicht vorzugsweise als Monolage d. h. als zwei-dimensionale Schicht ausgebildet ist. Hierdurch findet ein Stromfluss nur in der Monolage statt. Die Hallplatte 40 weist in der x-y-Ebene vorzugsweise eine rechteckige Form, höchstvorzugsweise ist die Hallplatte 40 quadratisch ausgebildet. An jedem der vier äußeren Ränder ist ein Kontaktbereich 50 ausgebildet. Vorliegend sind zwei der Kontaktbereiche 50 dargestellt. An den Kontaktbereichen 50 ist die Hallplatte 40 mechanisch fixiert und elektrisch verschaltet. Die Kontaktbereiche 50 weisen für die elektrische Verschaltung mit dem Substratbereich 32 jeweils einen Kontakt 52 auf. Vorzugsweise ist die Hallplatte 40 mittels der elektrischen Kontakte 52 mit der Steuereinheit verschaltet. Mittels der Steuereinheit wird die Hallplatte 40 über zwei Kontakte 52 mit einem Betriebsstrom bestromt, während mittels den beiden anderen Kontakten 52 eine Hallspannung abgenommen und der Steuereinheit zugeleitet wird, sofern ein Anteil eines magnetischen Flusses die x-y-Ebene der Hallplatte 40 senkrecht durchdringt.
In der Abbildung der 2 ist eine Querschnittsansicht auf eine zweite Ausführungsform der Magnetfeldsensorvorrichtung abgebildet. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Darstellung der 1 erläutert. In der Substratschicht 32 ist unterhalb der Hallplatte 40 eine elektrische Leitfähige, vorzugsweise metallische Schicht 60 ausgebildet. Die elektrische leitfähige Schicht ist vorzugsweise mit einem Bezugspotential verschaltet – nicht dargestellt. Oberhalb der Hallplatte 40 ist eine elektrisch leitfähige, vorzugsweise als metallische Platte ausgebildete Abdeckplatte 70 angeordnet, wobei die Abdeckplatte 70 gegenüber der Hallplatte 40 elektrisch isoliert ist und vorzugsweise mit einem Referenzpotential verschaltet ist – nicht dargestellt ist. In einer nicht dargestellten Ausführungsform ist zwischen der Hallplatte 40 und der Abdeckplatte 70 eine Abdeckschicht vorgesehen. Die Abdeckschicht umfasst vorzugsweise Verbindungen aus Silziumdioxid und/oder aus Silizium-Bor-Nitrid und oder Silizium-Nitrid und oder Polyimid und bildet einen stoffschlüssigen Kontakt mit der Hallplatte 40 aus.
In der dargestellten Ausführungsform liegt die Abdeckplatte 70 auf den Kontaktbereichen 50 auf und ist mit den Kontaktbereichen 50 kraftschlüssig verbunden. Bevorzugt ist, dass die Abdeckplatte 70 die Hallplatte 40 vollständig überdeckt und beabstandet ist. Anders ausgedrückt zwischen der Abdeckplatte 70 und der Hallplatte 40 ist ein Spalt 72 ausgebildet. Ein Vorteil der elektrischen Verbindung der metallischen Schicht 60 und oder der Abdeckplatte 70 mit dem Bezugspotential und oder dem Referenzpotential ist, dass sich mittels einer Änderung der Spannungshöhe des Bezugspotential und oder des Referenzpotentials der Arbeitspunkt der Hallplatte einstellen lässt. Insbesondere lässt sich an der metallischen Schicht 60 und oder an der Abdeckplatte 70 mittels der Spannungshöhe einstellen, ob die Hallspannung an der Hallplatte 60 von Elektronen oder von Löchern erzeugt wird. Des Weiteren lässt sich mittels einer Schaltungseinheit die Höhe der Spannung an der metallischen Schicht 60 und oder an der Abdeckplatte 70 verändern um hierdurch einen Temperaturgang der Hallplatte 70 zu reduzieren oder vollständig auszugleichen. Ein weiterer Vorteil ist, dass mittels der metallischen Schicht 60 und oder der Abdeckplatte 70 parasitäre elektrische Felder und der Einfluss der parasitären Feldern auf die Hallplatte unterdrücken lassen. Es sei angemerkt, dass sich anstelle der Beeinflussung der Hallplatte 60 mittels der Höhe bzw. der Veränderung der Höhe des Bezugspotentials an der metallischen Schicht 60, die Substratschicht 32 mit einem Arbeitspotential beaufschlagen lässt. Nachteilig hierbei ist, dass sich die in der Substratschicht ausgebildeten elektronischen Bauelemente beeinflusst werden. Des Weiteren lässt sich die Hallplatte 40 mittels der Anordnung der Abdeckplatte 70 bei einem nachfolgenden Moldprozess vor einer Einwirkung der Moldmasse bzw. einer Vergussmasse schützten.
In der Abbildung der 3 ist eine Querschnittsansicht auf eine dritte Ausführungsform der Magnetfeldsensorvorrichtung abgebildet. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist die Abdeckplatte 70 nicht dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Darstellung der vorangegangen Figuren erläutert. Zwischen der Substratschicht 32 ist und der Hallplatte 40 bzw. der Graphen-Schicht ist ein Spalt ausgebildet, so dass die Graphenschicht zwischen den Kontaktbereichen 50 von der Oberseite 24 des Halbleiterkörpers 20 beabstandet ist. Anders ausgedrückt ist die Hallplatte 40 in den Kontaktbereichen 50 derart eingespannt, dass sich zwischen der Hallplatte 40 und der Oberseite 24 in dem Bereich zwischen den Kontaktbereichen 50 ein Spalt ausbildet. Es zeigte sich, dass mit der Ausbildung eines Spaltes sich die effektive Ladungsträgerbeweglichkeit wesentlich erhöhen lässt. In einer weiteren nicht dargestellten Ausführungsform ist der der Spalt oberhalb der Abdeckschicht ausgebildet.
In der Abbildung der 4 ist eine Querschnittsansicht auf eine vierte Ausführungsform der Magnetfeldsensorvorrichtung abgebildet. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Darstellung der vorangegangen Figuren erläutert. Zwischen der Passivierungsschicht 36 und der Hallplatte 40 ist eine weitere Graphen-Schicht 80 ausgebildet. Es ist bevorzugt, dass die weitere Graphen-Schicht 80 unterhalb der Hallplatte 40 in keiner elektrischen Wirkverbindung mit der Hallplatte 40 steht. Vorzugsweise ist die weitere Graphen-Schicht 80 mit der Substratschicht 36 – nicht dargestellt verbunden. Ferner ist oberhalb der Hallplatte 40 eine Graphen-Abdeckschicht 90 ausgebildet. Die Graphen-Abdeckschicht 90 ist mittels eines elektrischen Anschlussbereichs 100 mit der Substratschicht 36 verschaltet. Es sei angemerkt, dass die weitere Graphen-Schicht 80 als auch die Graphen-Abdeckschicht 90 aus einer oder mehreren Graphen-Monolagen ausgeführt sind.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 20211518 U1 [0002]

Claims

Magnetfeldsensorvorrichtung (10) mit, – einem Halbleiterkörper (20) mit einer Oberseite (24) und einer Unterseite (28), wobei der Halbleiterkörper (20) eine Substratschicht (32) und eine oberhalb der Substratschicht (32) an der Oberseite (24) des Halbleiterkörpers (20) ausgebildete Passivierungsschicht (34) aufweist, und in der Substratschicht (32) elektronische Bauelemente (36) ausgebildet sind, und – an der Oberseite (24) des Halbleiterkörpers (20) oberhalb der Passivierungsschicht (34) eine Hallplatte (40) vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Hallplatte (40) aus einer Graphen-Verbindung besteht.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Hallplatte (40) vier von einander beabstandete Kontakte (52) aufweist und mittels den Kontakten (52) mit der Substratschicht (32) elektrisch verbunden ist.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Hallplatte (40) eine zweidimensionale Graphen-Schicht umfasst, so dass ein Stromfluss im Wesentlichen nur parallel zu der Schichtebene stattfindet.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hallplatte (40) mehrere Graphen-Monolagen umfassen.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hallplatte (40) genau aus einer Graphen-Monolage besteht.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Hallplatte (40) und der Passivierungsschicht (34) eine Graphen-Monolage oder mehrere Graphen-Monolage und oder eine Silizium-Bor-Nitrid Schicht oder mehrere Silizium-Bor-Nitrid Schichten angeordnet sind.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass oberhalb der Hallplatte (40) eine Graphen-Monolage oder mehrere Graphen-Monolagen und/oder eine Silizium-Bor-Nitrid Schicht oder mehrere Silizium-Bor-Nitrid Schichten angeordnet sind.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (20) eine Siliziumverbindung und die Passivierungsschicht (32) eine Silizium-Bor-Nitrid Verbindung umfasst.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb der Passivierungsschicht (34) oder innerhalb einer Leiterbahnebene (33) und unterhalb der Hallplatte (40) und oder oberhalb der Hallplatte (40) eine elektrisch leitfähige Abschirmschicht (60) ausgebildet ist.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmschicht (60) als metallischen Abdeckplatte (70) an der von der Substratschicht (32) abgewandten Seite der Graphen-Schicht ausgebildet ist und die Graphen-Schicht abdeckt.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach Anspruch 9 oder Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmschicht mit einem Referenzpotential oder einem Bezugspotential beaufschlagt ist.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine elektrische Wirkverbindung zwischen der Abschirmschicht und einer Schaltungseinheit ausgebildet ist.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmschicht als eine Steuerelektrode zur Beeinflussung der Sensitivität der Hallplatte ausgebildet ist, indem mittels der Schaltungseinheit die Höhe des Potentials an der Abschirmschicht verändert wird.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronische Bauelemente (36) MOS Transistoren umfassen und die MOS Transistoren in einer elektrischen Wirkverbindung mit der Hallplatte (40) stehen.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (20) mit seiner Unterseite (28) auf einer metallischen Trägerplatte kraftschlüssig angeordnet ist.
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (20) und die Hallplatte (40) in einem gemeinsamen IC-Gehäuse angeordnet
Magnetfeldsensorvorrichtung (10) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hallplatte (40) ausschließlich an einem Randbereich befestigt und elektrisch angeschlossen ist.