DE102013004151A1 - Lagersystem - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Lagersystem mit einer Lagerpaarung aus mindestens einem Lager und mindestens einem Gegenlaufpartner, wobei auf mindestens einer Lauffläche der Lagerpaarung eine Beschichtung aufgebracht ist, die eine Schicht umfasst, deren Hauptbestandteil amorphes SiO2 ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Lagersystem mit einer Lagerpaarung aus einem Lager und einem Gegenlaufpartner, wobei auf mindestens einer Lauffläche der Lagerpaarung eine Beschichtung zur Verbesserung der Lagereigenschaften aufgebracht ist.
- Es ist bekannt, dass Laufflächen von Lagerpaarungen beschichtet werden, um die Lagereigenschaften zu verbessern. Insbesondere dienen Beschichtungen als Einlaufschichten, wobei die Einlaufschicht Maßtoleranzen an den Bauteilen des Lagers ausgleicht. In Lagern von Verbrennungsmotoren werden Hartstoffschichten aus diamantähnlichem Kohlenstoff (DLC-Schichten) verwendet, wie beispielsweise in den Dokumenten
WO 96/04485 DE 10 2004 018 921 A1 ,DE 10 2005 043 217 A1 ,DE 10 2006 015 88 A undDE 10 2008 025 681 A1 beschrieben ist. DLC-Schichten sind jedoch sehr hart und neigen zu einem ungleichmäßigen Auftrag. Dies hat beispielsweise am oberen Lager eines Pleuels zur Folge, dass der Kolbenbolzen in die Lagerbuchse einläuft, was zu erhöhtem Verschleiß und einer Vergrößerung des Lagerspiels führt. Ferner sind DLC-Schichten teuer. - In Lagersystemen werden auch Schichten aus Siliziumdioxid (SiO2) eingesetzt. In einigen Fällen dienen sie als Zwischenschicht oder als Haftvermittlerschicht, wie beispielsweise in den Dokumenten
DE 29 26 080 A1 ,US 6,499,881 B1 undDE 100 18 688 A1 beschrieben ist. Laufrollen in Galvanisierungsbädern werden mit Oberflächenschichten versehen, die SiO2 enthalten und Schichtdicken von mehreren Mikrometern aufweisen. InJP 08053749 A JP 06228724 - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, verbesserte Lagersysteme anzugeben. Insbesondere soll durch die geeignete Beschichtung auf mindestens einer Lauffläche das Einlaufverhalten des Lagersystems verbessert werden. Die Beschichtung soll für Lagersysteme mit hoher Passgenauigkeit geeignet sein.
- Die Erfindung wird bezüglich eines Lagersystems durch die Merkmale des Anspruchs 1 wiedergegeben. Die weiteren rückbezogenen Ansprüche betreffen vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung.
- Die Erfindung schließt Lagersysteme mit einer Lagerpaarung aus mindestens einem Lager und mindestens einem Gegenlaufpartner ein. Erfindungsgemäß ist auf mindestens einer Lauffläche der Lagerpaarung eine Beschichtung aufgebracht, welche eine Schicht umfasst, deren Hauptbestandteil amorphes SiO2 ist.
- Die Erfindung geht dabei von der Überlegung aus, Laufflächen von Lagerpaarungen mit einer Schicht, deren Hauptbestandteil amorphes SiO2 ist, zu beschichten, um die Lagereigenschaften zu verbessern. Der Begriff Hauptbestandteil beschreibt in diesem Zusammenhang, dass die Schicht zu mehr als 50 Gew.-%, bevorzugt zu mindestens 80 Gew.-% aus amorphem SiO2 besteht. Unter amorphem SiO2 werden im Rahmen dieser Erfindung SiO2-Strukturen verstanden, die aus Monomermolekülen oder kleinen Oligomeren aufgebaut sind, die von geeigneten Precursoren gebildet werden und zur Struktur reagieren, nicht jedoch amorphe SiO2-Strukturen, die über einen schmelzflüssigen Zustand, wie beispielsweise aus Schmelzefluss oder durch thermisches Spritzen, dargestellt werden.
- Aufgrund ihrer Eigenschaften sind amorphe SiO2-Schichten für die Verwendung auf Laufflächen von Lagerpaarungen besser geeignet als kristalline SiO2-Schichten. Wegen der fehlenden Fernordnung der Atome sind amorphe SiO2-Schichten elastischer als kristalline, weniger spröde und neigen weniger dazu, vom Substrat abzuplatzen. Bei der Bildung einer erfindungsgemäßen amorphen SiO2-Schicht wird die Schicht auf dem Substrat aufgebaut, indem sich lokal, aber flächenhaft gleichmäßig einzelne reaktive Monomermoleküle oder kleine Oligomere anlagern, die von geeigneten Precursoren gebildet werden. Die Adhäsion der substratnahen SiO2-Strukturen zum Substrat ist stärker als die Kohäsion innerhalb der darüber liegenden SiO2-Strukturen. In Lagersystemen werden amorphe SiO2-Schichten bevorzugt auf metallische Substrate aufgebracht.
- Das erfindungsgemäße Lagersystem kann sowohl als Gleitlager als auch als Wälzlager ausgeführt sein. Die Vorteile der amorphen SiO2-Schicht kommen insbesondere bei Gleitlagern zur Wirkung.
- In bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung kann die Schicht zu mindestens 90 Gew.-% aus amorphem SiO2 bestehen. Die Schicht kann Verunreinigungen enthalten, die aufgrund des Beschichtungsprozesses unvermeidbar sind. Hierzu zählen organische Reste aus den Precursoren sowie Wasserstoffatome und OH-Gruppen.
- In bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung kann die Schicht aus amorphem SiO2 als Oberflächenschicht aufgebracht sein. Bei einem Schichtsystem, das aus mehreren unterschiedlichen Schichten auf dem Substrat besteht, wird als Oberflächenschicht die funktionelle Schicht bezeichnet, die am weitesten vom Substrat entfernt ist. Sie stellt also die oberste funktionelle Schicht dar und ist damit die Schicht, die mit dem anderen Partner der Lagerpaarung unmittelbar oder mittelbar tribologisch in Wechselwirkung steht. Die hohe Elastizität der Schicht aus amorphem SiO2 ermöglicht in idealer Weise die Kompensation von Unebenheiten auf den Laufflächen der Lagerpaarung. Die Erfindung schließt auch Ausführungsformen ein, bei denen auf die Schicht aus amorphem SiO2 eine weitere, nicht-funktionelle Deckschicht aufgebracht ist. Insbesondere fallen hierunter Deckschichten, die aufgrund ihrer geringen Dicke keine oder nur eine unwesentliche Funktionalität erwarten lassen. Dies ist insbesondere für Deckschichten mit einer Dicke kleiner 10 nm anzunehmen.
- Vorteilhafterweise kann bei dem erfindungsgemäßen Lagersystem die Schicht aus amorphem SiO2 eine Einlaufschicht sein. Eine Einlaufschicht dient dazu, fertigungsbedingte Formabweichungen des Lagers und/oder des Gegenlaufpartners auszugleichen. Die Einlaufschicht kann zu diesem Zweck während des Einlaufvorgangs zumindest teilweise abgetragen werden. Bei einer amorphen SiO2-Schicht ist die Adhäsion der substratnahen SiO2-Strukturen zum Substrat stärker als die Kohäsion innerhalb der darüber liegenden SiO2-Strukturen. Diese Eigenschaft ist maßgeblich für die Verwendung als Einlaufschicht, da kleinste Elemente der Beschichtung abgetragen werden können, ohne dass die Schicht flächig abgetragen wird. Ferner sind die abgetragenen Elemente der Schicht elastisch und nicht hart. Sie haben keinen negativen Einfluss auf die Laufeigenschaften der Lagerpaarung, selbst wenn sie zwischen den Laufflächen verbleiben. Die Vorteile der amorphen SiO2-Schicht als Einlaufschicht kommen insbesondere bei Gleitflächen von Gleitlagern zur Wirkung.
- In bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung kann die Schicht aus amorphem SiO2 eine Dicke von mindestens 10 nm und höchstens 500 nm aufweisen. Eine Dicke von weniger als 10 nm ist nicht ausreichend, um die vorteilhaften Eigenschaften der Schicht zu realisieren. Bei Schichtdicken über 500 nm neigt die Schicht zur Versprödung. In besonders bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung kann die Schicht aus amorphem SiO2 eine Dicke von mindestens 100 nm und höchstens 300 nm aufweisen. Bei einer Schichtdicke von mindestens 100 nm kommen die Vorteile der amorphem SiO2-Schicht voll zur Wirkung. Andererseits steigen mit zunehmender Schichtdicke die Beschichtungszeit und folglich die Prozesskosten. Eine Obergrenze von 300 nm erweist sich als wirtschaftlich. Darüber hinaus kann es von Vorteil sein, die Dicke der Schicht auf maximal 250 nm zu begrenzen, da sie dann bei der Fertigung der zu beschichteten Bauteile nicht in deren Abmessungen berücksichtigt werden muss.
- In bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung kann die Dicke der Schicht aus amorphem SiO2 auf 90% der beschichteten Fläche um nicht mehr als +/– 10% von der mittleren Dicke der Schicht abweichen. Amorphe SiO2-Schichten zeichnen sich durch eine sehr gleichmäßige Schichtdicke aus. Lokale Schwankungen der Schichtdicke, beispielsweise Überhöhungen an Kanten der Bauteile, treten nur in unbedeutendem Maß auf. Folglich brauchen derartige Schwankungen der Schichtdicke in den Fertigungstoleranzen des zu beschichteten Bauteils nicht berücksichtigt werden. Die beschichteten Bauteile können problemlos montiert werden. Sie zeichnen sich durch ein gleichmäßiges Einlaufverhalten und gleichmäßiges tribologisches Verhalten aus.
- Vorteilhafterweise kann die Schicht aus amorphem SiO2 ferner organische Reste enthalten. Hierzu zählen neben organischen Resten aus den Precursoren auch funktionelle Zusätze, die die Oberflächenenergie und damit die Benetzungseigenschaften des Systems beeinflussen können. Die Benetzung der Laufflächen durch Schmiermittel ist in diesem Zusammenhang von Bedeutung.
- Vorteilhafterweise kann die Schicht aus amorphem SiO2 ferner weitere keramische Oxide enthalten. Keramische Oxide, wie beispielsweise Al2O3, ZrO2 und TiO2, können zur Modifikation der Schichthärte beitragen. Auf diese Weise ist es möglich, die Eigenschaften der Schicht aus amorphem SiO2 entsprechend den genauen Anforderungen der jeweiligen Anwendung anzupassen.
- Die Erfindung wird anhand des folgenden Ausführungsbeispiels näher erläutert.
- Ein Kolbenbolzen aus Stahl wurde auf seiner Oberfläche mit einer 300 nm dicken Schicht aus amorphem SiO2 beschichtet. Der beschichtete Kolbenbolzen wurde als Verbindung eines Pleuels mit einem Kolben in einen Verbrennungsmotor eingebaut. Im Pleuelauge war ein Gleitlager aus einer Kupferlegierung eingebaut. Der Motor wurde auf einem Prüfstand für Verbrennungsmotoren einem Einlauftest unterzogen. Als Vergleichsobjekt diente ein Motor, bei dem der Kolbenbolzen mit DLC (Hartstoffschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff) beschichtet war. Das mit amorphem SiO2 beschichtete Lagersystem zeigt bei optischer und elektronenoptischer Untersuchung nach dem Test deutlich weniger Verschleiß. Ferner war die Zunahme des Lagerspiels beim dem mit amorphen SiO2-beschichteten Bolzen kaum messbar, während sich das Lagerspiel beim DLC-beschichteten Bolzen ungefähr verdoppelt hat.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
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- WO 96/04485 [0002]
- DE 102004018921 A1 [0002]
- DE 102005043217 A1 [0002]
- DE 10200601588 A [0002]
- DE 102008025681 A1 [0002]
- DE 2926080 A1 [0003]
- US 6499881 B1 [0003]
- DE 10018688 A1 [0003]
- JP 08053749 A [0003]
- JP 06228724 [0003]
Claims (9)
- Lagersystem mit einer Lagerpaarung aus mindestens einem Lager und mindestens einem Gegenlaufpartner, wobei auf mindestens einer Lauffläche der Lagerpaarung eine Beschichtung aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung eine Schicht umfasst, deren Hauptbestandteil amorphes SiO2 ist.
- Lagersystem gemäß Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht zu mindestens 90 Gew.-% aus amorphem SiO2 besteht.
- Lagersystem gemäß Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus amorphem SiO2 als Oberflächenschicht aufgebracht ist.
- Lagersystem gemäß Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus amorphem SiO2 eine Einlaufschicht ist.
- Lagersystem gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus amorphem SiO2 eine Dicke von mindestens 10 nm und höchstens 500 nm aufweist.
- Lagersystem gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus amorphem SiO2 eine Dicke von mindestens 100 nm und höchstens 300 nm aufweist.
- Lagersystem gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Schicht aus amorphem SiO2 auf 90% der beschichteten Fläche um nicht mehr als +/– 10% von der mittleren Dicke der Schicht abweicht.
- Lagersystem gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus amorphem SiO2 ferner organische Reste enthält.
- Lagersystem gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus amorphem SiO2 ferner weitere keramische Oxide enthält.
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