DE102012224376A1 - Printed circuit arrangement and method for its production - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Leiterbahnanordnung (1), umfassend ein Substrat (3), eine auf dem Substrat (3) ausgebildete vertikale Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) und einen der Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) zugeordneten leitfähigen Abschnitt (12; 13; 551; 552; 651; 652).The invention relates to a conductor track arrangement (1) comprising a substrate (3), a vertical structure (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) formed on the substrate (3) and one of the structures (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) associated with the conductive section (12; 13; 551; 552; 651; 652).

Description

Technisches GebietTechnical area

Die Erfindung betrifft allgemein eine Leiterbahnanordnung sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. The invention relates generally to a printed conductor arrangement and to a method for the production thereof.

Stand der TechnikState of the art

Zur Herstellung von elektronischen Schaltkreisen werden üblicherweise Leiterbahnen auf einem nicht leitenden Substrat aufgebracht. For the production of electronic circuits, conductor tracks are usually applied to a non-conductive substrate.

Zur Bildung einer Leiterbahn auf einem Substrat sind Verfahren zum Flammspritzen (Flame-Spraying) von Metallpulver auf einem Thermoplastmaterial bekannt. Beispielsweise ist in der Patentschrift DE 101 09 087 A1 ein Verfahren zum Herstellen eines Formbauteils mit einer integrierten Leiterbahn offenbart. For forming a trace on a substrate, methods of flame spraying metal powder on a thermoplastic material are known. For example, in the patent DE 101 09 087 A1 discloses a method of manufacturing a molded component with an integrated trace.

Bedingt durch das Herstellungsverfahren weisen die abgeschiedenen Leiterbahnen keinen exakt definierten Rand auf, sondern bilden im Querschnitt ein Glockenprofil mit einem zentralen Maximum und weit auslaufenden Seitenrändern, wie es beispielsweise von einer Gaußverteilung her bekannt ist,. Due to the manufacturing process, the deposited conductor tracks do not have a precisely defined edge, but form in cross-section a bell profile with a central maximum and wide side edges, as is known, for example, from a Gaussian distribution.

Um eine exakt definierte elektrische Trennung zwischen zwei benachbarten Leiterbahnen sicherzustellen, müssen diese in einem bestimmten Abstand zueinander vorgesehen werden. Auf diese Weise kann ein isolierender Abschnitt gewährleistet werden. To ensure a precisely defined electrical separation between two adjacent tracks, they must be provided at a certain distance from each other. In this way, an insulating section can be ensured.

Die Möglichkeit, zwei Leiterbahnen in einem geringeren Abstand zueinander anzuordnen, ist mit den bestehenden Technologien stark begrenzt. Dies schränkt den Freiheitsgrad hinsichtlich der Dimensionierung und Formgebung des Substrats sowie der Leiterbahn und nicht zuletzt den Grad der Integration ein. The ability to arrange two traces at a closer distance from each other is severely limited by existing technologies. This restricts the degree of freedom with regard to the dimensioning and shaping of the substrate as well as the conductor track and not least the degree of integration.

Zur Verringerung eines minimalen Abstands zwischen zwei Leiterbahnen oder zur Erhöhung der Auflösung werden Masken für das Flammspritzen vorgeschlagen, um die Bereiche zwischen den Leiterbahnen abzuschatten und einen exakt definierten Rand der Leiterbahnen zu gewährleisten. Allerdings neigen derartige Masken dazu, nach mehrmaligem Gebrauch Rückstände des Metallpulvers anzulagern, so dass sie regelmäßig gereinigt werden müssen.To reduce a minimum distance between two tracks or to increase the resolution, masks for flame spraying are proposed in order to shade the areas between the tracks and to ensure a precisely defined edge of the tracks. However, such masks tend to accumulate residues of the metal powder after repeated use, so they must be cleaned regularly.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine zuverlässige und einfache Trennung benachbarter Leiterbahnen auf einem Substrat bereitzustellen. It is therefore an object of the present invention to provide a reliable and easy separation of adjacent tracks on a substrate.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Diese Aufgabe wird durch die Leiterbahnanordnung gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Formteil und ein Verfahren gemäß den nebengeordneten Ansprüchen gelöst.This object is achieved by the printed conductor arrangement according to claim 1 and by a molded part and a method according to the independent claims.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Further advantageous embodiments of the present invention are specified in the dependent claims.

Gemäß einem ersten Aspekt ist eine Leiterbahnanordnung vorgesehen, die ein Substrat mit einer auf dem Substrat ausgebildeten, sich senkrecht zu einer Oberfläche des Substrats erstreckenden Struktur und einem der Struktur zugeordneten leitfähigen Abschnitt umfasst.According to a first aspect, a printed conductor arrangement is provided, which comprises a substrate having a structure formed on the substrate and extending perpendicular to a surface of the substrate, and a conductive section associated with the structure.

Eine Idee der obigen Leiterbahnanordnung besteht darin, auf einem Substrat eine sich senkrecht zu einer Oberfläche des Substrats erstreckenden Struktur vorzusehen und einen leitfähigen Abschnitt auszubilden, beispielsweise durch ein gerichtetes Aufbringen von leitfähigem Material auf das Substrat, z. B. durch Bestrahlen mit leitfähigen Partikeln. Die vertikale Ausrichtung der Struktur ist so vorgesehen, dass sie einen Hinterschnitt in Bezug auf eine Richtung der Bestrahlung bildet. Somit können sich an der Struktur Abschnitte, die durch das leitfähige Material der Bestrahlung nicht getroffen werden, und Abschnitte, auf denen das leitfähige Material der Bestrahlung abgeschieden wird, ausbilden. One idea of the above wiring arrangement is to provide on a substrate a structure extending perpendicular to a surface of the substrate and to form a conductive portion, for example by a directed application of conductive material to the substrate, e.g. B. by irradiation with conductive particles. The vertical orientation of the structure is provided so as to form an undercut with respect to a direction of irradiation. Thus, portions which are not hit by the conductive material of the irradiation and portions on which the conductive material of the irradiation is deposited may form on the structure.

Auf diese Weise ist es möglich, benachbarte leitfähige Abschnitte auf einem Substrat zu schaffen und bedingt durch die Form der Strukturen auf dem Substrat ohne Verwendung einer Maske sicher elektrisch voneinander zu trennen, so dass eine Isolierwirkung benachbarter leitfähiger Abschnitte bereitgestellt wird.In this way, it is possible to provide adjacent conductive portions on a substrate and to securely electrically separate from each other due to the shape of the structures on the substrate without using a mask, thus providing insulation of adjacent conductive portions.

Ferner werden hierdurch nachteilige Auswirkungen einer herkömmlich verwendeten Maske, wie beispielsweise Verschmutzung der Leiterbahnen, Beschädigung der Leiterbahnen beim Entfernen der Maske, Verstopfung der Maskenöffnungen und dergleichen, verhindert und somit die Prozesssicherheit erhöht.Furthermore, this disadvantageous effects of a conventionally used mask, such as contamination of the tracks, damage to the tracks during removal of the mask, obstruction of the mask openings and the like, prevented, and thus increases the process reliability.

Zusätzlich können auf diese Weise mit nur einer einzigen Bestrahlung mehrere Leiterbahnen gleichzeitig erzeugt werden.In addition, in this way with a single irradiation multiple tracks can be generated simultaneously.

Überdies kann durch Substratgestaltung und Orientierung des Substrats zur Richtung der Bestrahlung eine Leiterbahnbreite gezielt eingestellt werden. Dadurch kann die Größe des Substrats minimiert werden, so dass bei der Gestaltung von funktionalen Bauteilen ein erhöhter Freiheitsgrad bereitgestellt ist.Moreover, by substrate design and orientation of the substrate to the direction of irradiation, a conductor track width can be adjusted specifically. As a result, the size of the substrate can be minimized, so that an increased degree of freedom is provided in the design of functional components.

Es kann vorgesehen sein, dass der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt an der Struktur ausgebildet ist. Beispielsweise kann der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt direkt an die Struktur angrenzend ausgebildet sein. Alternativ ist vorgesehen, dass der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt in einem geringen Abstand zu der Struktur an dieser ausgebildet sein kann. In beiden Fällen ist vorgesehen, dass der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt im Wesentlichen einem Teil eines Umrisses der Struktur nachgebildet sein kann. It can be provided that the conductive portion associated with the structure is formed on the structure. For example, the conductive portion associated with the structure may be formed directly adjacent to the structure. Alternatively, it is provided that the conductive portion associated with the structure can be formed at a small distance from the structure at this. In both cases, it is provided that the conductive portion assigned to the structure can essentially be modeled on a part of an outline of the structure.

Weiterhin kann die Leiterbahnanordnung derart ausgebildet sein, dass sie bezüglich der Oberfläche des Substrats hervorstehende und/oder vertiefte Strukturabschnitte umfasst. Furthermore, the conductor track arrangement can be designed such that it comprises projecting and / or recessed structural sections with respect to the surface of the substrate.

Sowohl eine hervorstehende Struktur als auch eine, beispielsweise als Ausnehmung ausgebildete, vertiefte Struktur können je nach der Richtung der Bestrahlung bezüglich der Oberfläche des Substrats eine Abschattung der Bestrahlung bewirken. Both a protruding structure and a recessed structure formed as a recess, for example, may cause shading of the radiation, depending on the direction of the irradiation with respect to the surface of the substrate.

Gemäß einer Ausführungsform kann die Struktur eine Längserstreckung aufweisen und der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt kann eine Leiterbahn bilden.According to one embodiment, the structure may have a longitudinal extent and the conductive portion associated with the structure may form a conductor track.

Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass die Struktur eine Längserstreckung aufweist. Nach einer Bestrahlung kann sich der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt ebenfalls im Wesentlichen entlang der Längserstreckung der Struktur erstrecken, so dass eine Leiterbahn auf dem Substrat ausgebildet wird.For example, it can be provided that the structure has a longitudinal extent. After irradiation, the conductive portion associated with the structure may also extend substantially along the length of the structure so that a trace is formed on the substrate.

Insbesondere kann die Struktur bei der Herstellung des Substrats einstückig mit dem Substrat ausgebildet sein. Somit kann bereits bei der Fertigung des Substrats die Ausbildung der Leiterbahnanordnung nach einer Bestrahlung des Substrats festgelegt werden.In particular, the structure may be formed integrally with the substrate in the manufacture of the substrate. Thus, the formation of the track arrangement can be determined after irradiation of the substrate already in the manufacture of the substrate.

Gemäß einer Ausführungsform kann der leitfähige Abschnitt durch eine Bestrahlung des Substrats mit, insbesondere leitfähigen, Materialpartikeln ausgebildet sein. Die mittels der Bestrahlung abgeschiedenen Materialpartikel können durch Berührung miteinander leitfähige Verbindungen bilden, so dass nach hinreichender Bestrahlung ein leitfähiger Abschnitt gebildet wird. Bei dem Material kann es sich insbesondere um Metallpartikel handeln.According to one embodiment, the conductive portion may be formed by irradiation of the substrate with, in particular conductive, material particles. The deposited by irradiation material particles can form conductive compounds by touching each other, so that after sufficient irradiation, a conductive portion is formed. The material may in particular be metal particles.

Eine Haftung der Materialpartikel auf dem Substrat oder eine Haftung des abgeschiedenen Materials ist abhängig von einem Winkel zwischen der Bestrahlung und dem Normalenvektor der Substratfläche. Eine maximale Haftung wird erreicht, wenn die Bestrahlung senkrecht auf die Substratfläche auftrifft. Liegt zwischen der Bestrahlung und dem Normalenvektor der Substratfläche ein von 0° verschiedener Winkel, so ist eine aufgetragene Materialmenge geringer. Bilden Bestrahlung und Normalenvektor einen rechten Winkel, also bei streifendem Einfall, so wird nahezu kein Material abgeschieden. Auf einer einen Hinterschnitt aufweisenden Fläche wird in dem abgeschatteten Bereich kein Material abgeschieden. Adhesion of the material particles on the substrate or adhesion of the deposited material is dependent on an angle between the irradiation and the normal vector of the substrate surface. Maximum adhesion is achieved when the irradiation is perpendicular to the substrate surface. If there is an angle other than 0 ° between the irradiation and the normal vector of the substrate surface, an applied amount of material is smaller. If the radiation and the normal vector form a right angle, that is, if there is a grazing incidence, almost no material is deposited. On a surface having an undercut, no material is deposited in the shaded area.

Es kann vorgesehen sein, dass die Bestrahlung mit einer Strahlung erfolgt, die das Substrat oder eine auf dem Substrat vorgesehene Lage am Bestrahlungsort umwandelt. It can be provided that the irradiation takes place with a radiation which converts the substrate or a layer provided on the substrate at the irradiation site.

Beispielsweise kann das Substrat aus einem isolierenden Material gebildet sein, das durch eine geeignete Bestrahlung an den Auftrefforten der Strahlung leitfähig wird. For example, the substrate may be formed of an insulating material which becomes conductive by suitable irradiation at the points of incidence of the radiation.

Alternativ kann auf dem Substrat eine Lage eines gegenüber der Bestrahlung empfindlichen Materials vorgesehen sein. In diesem Fall kann im Anschluss an die Bestrahlung beispielsweise in einem ersten Schritt eine Fixierung und in einem nachfolgenden Schritt eine Beschichtung mit einem leitfähigen Material vorgesehen sein. Beispielsweise kann der durch die Hinterschneidungen der Struktur abgeschattete Bereich mit einem Aktivator versehen sein, so dass im Anschluss nur in diesem Bereich in einem chemo-galvanischen Schritt ein leitfähiger Abschnitt gebildet werden kann.Alternatively, a layer of a material which is sensitive to the radiation can be provided on the substrate. In this case, after the irradiation, for example, a fixation may be provided in a first step and in a subsequent step a coating with a conductive material may be provided. For example, the area shaded by the undercuts of the structure may be provided with an activator, so that subsequently only in this area in a chemo-galvanic step a conductive section can be formed.

Eine auf dem Substrat gebildete Struktur, die zwischen zwei benachbarten Leiterbahnen vorliegt, ist in der Lage, einen Isolierabschnitt zwischen den beiden Leiterbahnen bereitzustellen, sofern sie bezüglich der Bestrahlung einen Hinterschnitt bildet. A structure formed on the substrate, which is present between two adjacent tracks, is able to provide an insulating section between the two tracks, provided that it forms an undercut with respect to the irradiation.

Weiterhin kann die Leiterbahnanordnung derart ausgebildet sein sein, dass die Struktur auf dem Substrat als eine hervorstehende Struktur gebildet ist und jeweils an einer ersten Flanke der Struktur ein erster leitfähiger Abschnitt und an einer zweiten Flanke der Struktur ein zweiter leitfähiger Abschnitt gebildet ist. Insbesondere kann die Struktur über den ersten leitfähigen Abschnitt und den zweiten leitfähigen Abschnitt hinausragen. Furthermore, the conductor track arrangement may be formed such that the structure is formed on the substrate as a protruding structure and in each case at a first edge of the structure, a first conductive portion and at a second edge of the structure, a second conductive portion is formed. In particular, the structure may protrude beyond the first conductive portion and the second conductive portion.

Gemäß einer Ausführungsform kann die Struktur in Form eines Stegs auf dem Substrat ausgebildet sein. Nach einer senkrechten Bestrahlung des Substrats bilden sich an einer ersten Flanke des Stegs, beispielsweise einer linken Seite, sowie an einer zweiten Flanke des Stegs, beispielsweise einer rechten Seite, ein erster leitfähiger Abschnitt und ein zweiter leitfähiger Abschnitt, die durch den Steg voneinander getrennt sind. Zwar bildet sich auf dem Steg selbst ebenfalls ein leitfähiger Abschnitt, dieser wird allerdings bei geeigneter Bestrahlung einen isolierenden Abstand zu dem ersten leitfähigen Abschnitt sowie zu dem zweiten leitfähigen Abschnitt aufweisen. Auf diese Weise ist ein Abstand zwischen zwei leitfähigen Abschnitten auf einem Substrat durch eine minimal herstellbare Stegbreite begrenzt. Dadurch ist es möglich, kleine Leiterbahnanordnungen herzustellen und somit eine Bauraumgröße eines Substrats zu verringern. According to one embodiment, the structure may be in the form of a web on the substrate. After vertical irradiation of the substrate, a first conductive section and a second conductive section, which are separated from one another by the web, are formed on a first flank of the web, for example a left side, and on a second flank of the web, for example a right side , Although a conductive section also forms on the web itself, this will, with suitable irradiation, have an insulating distance to the first conductive section and to the second conductive section. In this way, a distance between two conductive sections on a substrate is limited by a minimum producible web width. This makes it possible to produce small interconnect arrangements and thus to reduce a space size of a substrate.

Es kann vorgesehen sein, dass auf dem Substrat wenigstens eine erste Struktur und eine zweite Struktur ausgebildet sind, wobei die erste Struktur wenigstens eine schräge erste Flanke und die zweite Struktur wenigstens eine schräge erste Flanke umfassen, wobei ein erster leitfähiger Abschnitt auf der schrägen ersten Flanke der ersten Struktur und ein zweiter leitfähiger Abschnitt auf der schrägen ersten Flanke der zweiten Struktur ausgebildet sind.It can be provided that at least one first structure and a second structure are formed on the substrate, the first structure comprising at least one oblique first flank and the second structure at least one oblique first flank, wherein a first conductive portion on the oblique first flank of the first structure and a second conductive portion are formed on the inclined first flank of the second structure.

Mit schräger Flanke ist hier insbesondere gemeint, dass die Flanke weder genau senkrecht auf der Substratoberfläche noch parallel zu dieser angeordnet ist. Beispielsweise kann die Fläche der Flanke mit der Substratoberfläche einen Winkel von 30°, 45°, 60°, 70° oder 80° oder einem dazwischen liegenden Wert aufweisen. Diese Geometrie ermöglicht weitere Freiheitsgrade bei der Herstellung einer Leiterbahnanordnung. Wird beispielsweise der Bestrahlungswinkel derart gewählt, dass die erste Struktur die zweite Struktur weitgehend abschattet, so wird sich auf der schrägen ersten Flanke der ersten Struktur ein breiterer leitfähiger Abschnitt als auf der schrägen ersten Flanke der zweiten Struktur ausbilden. Auf diese Weise ist es möglich, einen Leitungswiderstand eines leitfähigen Abschnitts einzustellen. Es versteht sich, dass die Bestrahlung weitestgehend senkrecht auf die schräge erste Flanke der ersten Struktur und die schräge erste Flanke der zweiten Struktur gerichtet ist. In this case, an oblique flank means in particular that the flank is arranged neither exactly perpendicular to the substrate surface nor parallel thereto. For example, the surface of the flank may have an angle of 30 °, 45 °, 60 °, 70 ° or 80 ° or an intermediate value with the substrate surface. This geometry enables further degrees of freedom in the production of a printed conductor arrangement. If, for example, the irradiation angle is selected such that the first structure largely shades off the second structure, a wider conductive portion will form on the oblique first flank of the first structure than on the oblique first flank of the second structure. In this way, it is possible to set a wiring resistance of a conductive portion. It is understood that the irradiation is directed largely perpendicular to the oblique first flank of the first structure and the oblique first flank of the second structure.

Es kann vorgesehen sein, dass die Struktur als eine Ausnehmung ausgebildet ist. Um eine Hinterschneidung durch eine erste Flanke der als Graben ausgebildeten Struktur zu erzielen, wird in diesem Fall die Bestrahlung nicht senkrecht auf das Substrat erfolgen. It can be provided that the structure is formed as a recess. In order to achieve an undercut through a first flank of the structure formed as a trench, in this case the irradiation will not be perpendicular to the substrate.

Gemäß einem Aspekt ist ein Formteil vorgesehen, das eine wie oben beschriebene Leiterbahnanordnung umfasst. Bei dem Formteil kann es sich beispielsweise um ein Gehäuse einer elektrischen Vorrichtung handeln. Beispielsweise kann es sich um ein Scheinwerferformteil in einem Kraftfahrzeug handeln. In diesem Fall kann beispielsweise die Struktur derart vorgesehen sein, dass nach einer Bestrahlung leitfähige Abschnitte auf dem Formteil vorliegen, so dass Kabelzuführungen für einen Scheinwerfer entfallen können. Hierdurch kann ein Einbau eines Scheinwerfers bei einer Kraftfahrzeugproduktion vereinfacht sein.According to one aspect, a molded part is provided which comprises a printed conductor arrangement as described above. The molded part may be, for example, a housing of an electrical device. For example, it may be a headlight molding in a motor vehicle. In this case, for example, the structure may be provided such that after irradiation there are conductive sections on the molded part, so that cable feeds for a headlight can be dispensed with. As a result, an installation of a headlight in a motor vehicle production can be simplified.

Alternativ kann vorgesehen sein, die Strukturen an einer Innenseite eines elektrischen Handgeräts, wie beispielsweise eines Akkuschraubers oder Akkustaubsaugers, vorzusehen, so dass eine Kabelverbindung zwischen einem Batterie- oder Akkufach zum elektrischen Motor entfallen kann. Dadurch, dass die Struktur bereits bei der Herstellung des das Substrat darstellenden Formteils gebildet wird, kann eine Produktion von mit Formteilen gebildeten elektrischen Geräten allgemein vereinfacht sein.Alternatively it can be provided to provide the structures on an inner side of an electrical hand-held device, such as a cordless screwdriver or cordless vacuum cleaner, so that a cable connection between a battery or battery compartment to the electric motor can be omitted. The fact that the structure is already formed during the production of the molding which constitutes the substrate means that the production of molded electrical devices can generally be simplified.

Die oben beschriebene Leiterbahnanordnung ermöglicht nahe aneinander liegende leitfähige Abschnitte und somit nahe aneinander liegende Leiterbahnen, da ein wirksamer Isolationsbereich in einer geringen Größe ausgebildet werden kann, so dass ein Formteil flexibel gefertigt werden und insbesondere eine flexible Bauraumgröße aufweisen kann. The wiring arrangement described above enables conductive portions closely adjacent to each other and thus closely spaced traces, since an effective insulation area can be formed in a small size, so that a molding can be made flexible and, in particular, can have a flexible package size.

Gemäß einem Aspekt ist ein Verfahren zum Aufbringen einer Leiterbahn vorgesehen. Dabei wird leitfähiges Material gerichtet auf ein Substrat mit einer darauf ausgebildeten Struktur aufgebracht, um einen leitfähigen Abschnitt an der Struktur auszubilden.According to one aspect, a method for applying a conductor track is provided. In this case, conductive material is applied to a substrate having a structure formed thereon, to form a conductive portion on the structure.

In einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die auf dem Substrat gebildete Struktur eine derartige Längserstreckung aufweist, dass der leitfähige Abschnitt als Leiterbahn ausgebildet wird.In one embodiment it can be provided that the structure formed on the substrate has a longitudinal extent such that the conductive portion is formed as a conductor track.

Zusammengefasst gestattet die oben beschriebene Leiterbahnanordnung, sofern durch die Geometrie des Substrates bedingt eine elektrisch isolierende Trennung der Leiterbahnen bereitgestellt ist, die Herstellung von benachbarten leitfähigen Abschnitten oder Leiterbahnen in einem Prozessschritt, indem die Bestrahlung zeitgleich eine größere Substratfläche überstreicht. Dies gestattet ein beschleunigtes Aufbringen der leitfähigen Abschnitte oder Leiterbahnen. In summary, if the geometry of the substrate provides an electrically insulating separation of the interconnects, the interconnect arrangement described above permits the production of adjacent conductive sections or interconnects in a process step in which the irradiation simultaneously covers a larger substrate area. This allows accelerated deposition of the conductive portions or traces.

Kurzbeschreibungen der ZeichnungenBrief descriptions of the drawings

Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert, in denen gleiche oder ähnliche Bezugszeichen gleiche oder ähnliche Merkmale bezeichnen. Es zeigen:Preferred embodiments of the present invention will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings, in which like or similar reference characters designate the same or similar features. Show it:

1 eine Darstellung einer Leiterbahnanordnung gemäß dem Stand der Technik auf einem Substrat; 1 a representation of a conductor arrangement according to the prior art on a substrate;

2 eine Darstellung einer Leiterbahnanordnung mit einer als Steg ausgebildeten Struktur; 2 a representation of a conductor track arrangement with a web formed as a structure;

3 eine Darstellung einer Bestrahlung eines Substrats, das mit Strukturen mit mehreren schrägen Flanken versehen ist; 3 a representation of irradiation of a substrate which is provided with structures having a plurality of oblique edges;

4 eine Querschnittsansicht gemäß 3 gebildeter, benachbarter Leiterbahnen; und 4 a cross-sectional view according to 3 formed, neighboring tracks; and

5 eine Darstellung einer Bestrahlung eines Substrats, in welchem die Struktur als Ausnehmung ausgebildet ist. 5 a representation of an irradiation of a substrate in which the structure is formed as a recess.

Beschreibung von AusführungsformenDescription of embodiments

1 zeigt in einer perspektivischen Draufsicht eine herkömmliche Leiterbahnanordnung 1, die auf einer Substratoberfläche 4 eines Substrats 3 ausgebildet ist. 1 shows in a perspective plan view of a conventional interconnect arrangement 1 standing on a substrate surface 4 a substrate 3 is trained.

Auf der Substratoberfläche 4 sind eine erste Leiterbahn 51 und eine zweite Leiterbahn 52 gebildet. Die beiden Leiterbahnen 51, 52 sind in diesem Beispiel durch eine Bestrahlung gemäß dem Stand der Technik aufgebracht. Daher weisen die Leiterbahnen 51, 52 im Querschnitt – in Richtung der Erstreckung der Leiterbahn betrachtet – ein Glockenprofil gemäß einer Gaußkurve auf. Die erste Leiterbahn 51 weist im Querschnitt einen Scheitelpunkt 91 auf sowie einen Randbereich 71, welcher nur noch eine verschwindend geringe Menge an aufgestrahltem Material aufweist, wobei allerdings die Menge an aufgestrahltem Material noch ausreichend für ein leitfähige Verbindung ist. Die zweite Leiterbahn 52 weist im Querschnitt einen Scheitelpunkt 92 auf sowie einen Randbereich 72, welcher nur noch sehr wenig, allerdings zum Ausbilden einer leitfähigen Verbindung ausreichendes, aufgestrahltes Material aufweist. On the substrate surface 4 are a first trace 51 and a second trace 52 educated. The two tracks 51 . 52 are applied in this example by irradiation according to the prior art. Therefore, the tracks show 51 . 52 in cross-section - viewed in the direction of the extension of the track - a bell profile according to a Gaussian curve. The first trace 51 has a vertex in cross section 91 on as well as a border area 71 , which has only a negligible amount of material blasted on, but the amount of blasted material is still sufficient for a conductive compound. The second track 52 has a vertex in cross section 92 on as well as a border area 72 which only has very little, but to form a conductive connection sufficient, radiated material.

Sofern ein Abstand zwischen der ersten Leiterbahn 51 und der zweiten Leiterbahn 52 ausreichend groß gewählt wurde, so dass sich der Randbereich 71 der ersten Leiterbahn 51 und der Randbereich 72 der zweiten Leiterbahn 52 nicht überlappen, kann ein Isolierabschnitt zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn gebildet sein. Es ist unmittelbar verständlich, dass dieser Abstand aufgrund des Glockenprofils groß zu wählen ist. Provided a distance between the first trace 51 and the second conductor 52 was chosen sufficiently large, so that the edge area 71 the first trace 51 and the border area 72 the second trace 52 do not overlap, an insulating portion between the first and the second conductor can be formed. It is immediately understandable that this distance is large due to the bell profile.

In den im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen werden die leitfähigen Abschnitte mit Leiterbahnen identifiziert.In the embodiments described below, the conductive portions are identified with traces.

2 zeigt in einer perspektivischen Draufsicht eine Leiterbahnanordnung 1, die auf einer Oberfläche 4 eines Substrats 3 gebildet ist, welches eine als Steg ausgebildete Struktur 33 der Breite b aufweist. Der Steg weist eine Höhe H auf und ist einstückig mit dem Substrat 3 ausgebildet, beispielsweise in einem Spritzgussverfahren. Ferner weist die Struktur 33 eine erste Flanke 261 sowie eine zweite Flanke 262 auf. Die Oberfläche 4 des Substrats 3 wird einer hier nicht dargestellten Bestrahlung mit, beispielsweise leitfähigen, Materialpartikeln ausgesetzt. Auf diese Weise werden eine erste Leiterbahn 12 und eine zweite Leiterbahn 13 direkt angrenzend an die erste Flanke 261 und die zweite Flanke 262 gebildet. 2 shows in a perspective plan view of a conductor track arrangement 1 standing on a surface 4 a substrate 3 is formed, which is designed as a web structure 33 the width b has. The web has a height H and is integral with the substrate 3 formed, for example in an injection molding process. Furthermore, the structure has 33 a first flank 261 as well as a second flank 262 on. The surface 4 of the substrate 3 is exposed to an irradiation, not shown here, with, for example, conductive, material particles. This will be a first trace 12 and a second trace 13 directly adjacent to the first flank 261 and the second flank 262 educated.

Die Bestrahlung erfolgt nur so lange, bis sichergestellt ist, dass eine Scheitelhöhe h der beiden durch Bestrahlung gebildeten Leiterbahnen die Höhe H der Struktur 33 nicht übersteigt. Auf diese Weise ist ein Überstand 32 gebildet. Überdies ist hierdurch ein Isolierabschnitt 11 zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn 12, 13 gebildet, da an der ersten Flanke 261 und der zweiten Flanke 262 im Bereich des Überstands 32 kein leitfähiges Material am Steg 33 abgeschieden wurde. The irradiation takes place only until it is ensured that a peak height h of the two interconnects formed by irradiation is the height H of the structure 33 does not exceed. This way is a supernatant 32 educated. Moreover, this is an insulating section 11 between the first and the second trace 12 . 13 formed, because at the first flank 261 and the second flank 262 in the region of the supernatant 32 no conductive material on the bridge 33 was separated.

Die Höhe h der Leiterbahnen 12, 13 entspricht den Scheitelpunkten 291 und 292 der ersten Leiterbahn 12 bzw. der zweiten Leiterbahn 13. Lediglich zur Ergänzung ist der Randbereich 271 der ersten Leiterbahn 12 sowie der Randbereich 272 der zweiten Leiterbahn 13 bezeichnet. The height h of the tracks 12 . 13 corresponds to the vertices 291 and 292 the first trace 12 or the second conductor track 13 , Only to supplement is the border area 271 the first trace 12 as well as the border area 272 the second trace 13 designated.

Der Darstellung dieser Ausführungsform lässt sich unmittelbar entnehmen, dass ein geringer Abstand zwischen der ersten Leiterbahn 12 und der zweiten Leiterbahn 13 möglich ist, welcher der Breite b des Stegs 33 entspricht. Somit ist eine Flexibilität bei der Herstellung eines Formteils 2 verbessert, da Leiterbahnen zur Erzielung einer gegenseitigen Isolation lediglich noch den Abstand b einhalten müssen. The representation of this embodiment can be seen immediately that a small distance between the first conductor track 12 and the second conductor 13 it is possible which of the width b of the web 33 equivalent. Thus, flexibility in the production of a molded part 2 improved, since tracks to achieve a mutual isolation only have to comply with the distance b.

3 stellt ein Verfahren zum Aufbringen einer Leiterbahn auf einem Substrat dar. Ein Substrat 3 weist an seiner Substratoberfläche 4 eine erste Struktur 431, eine zweite Struktur 432 sowie eine dritte Struktur 433 auf. Die erste Struktur 431 weist eine schräge erste Flanke 441 sowie eine zweite Flanke 461 auf. Die zweite Struktur 432 weist eine schräge erste Flanke 442 sowie eine zweite Flanke 462 auf. Die dritte Struktur 433 weist eine schräge erste Flanke 443 sowie eine zweite Flanke 463 auf. Die drei Strukturen 431, 432 sowie 433 sind aneinander angrenzend ausgebildet. Es versteht sich, dass das Substrat 3 gemeinsam mit den drei Strukturen 431, 432 und 433 ein Formteil 2 bilden kann. 3 illustrates a method of applying a trace to a substrate. A substrate 3 points to its substrate surface 4 a first structure 431 , a second structure 432 and a third structure 433 on. The first structure 431 has a sloping first flank 441 as well as a second flank 461 on. The second structure 432 has a sloping first flank 442 as well as a second flank 462 on. The third structure 433 has a sloping first flank 443 as well as a second flank 463 on. The three structures 431 . 432 such as 433 are formed adjacent to each other. It is understood that the substrate 3 together with the three structures 431 . 432 and 433 a molding 2 can form.

In einem Abstand von dem Formteil 2 ist eine Bestrahlungsvorrichtung 101 angeordnet. Aus einer Öffnung 103 der Bestrahlungsvorrichtung 101 tritt eine Bestrahlung 105 aus, die auf die drei Strukturen 431, 432 sowie 433 gerichtet ist, insbesondere auf die schräge erste Flanke 441 der ersten Struktur 431, die schräge erste Flanke 442 der zweiten Struktur 432 sowie die schräge erste Flanke 443 der dritten Struktur 433.At a distance from the molding 2 is an irradiation device 101 arranged. From an opening 103 the irradiation device 101 occurs an irradiation 105 out on the three structures 431 . 432 such as 433 is directed, in particular on the oblique first edge 441 the first structure 431 , the sloping first flank 442 the second structure 432 as well as the sloping first flank 443 the third structure 433 ,

Die Bestrahlung 105 fällt vorzugsweise im Wesentlichen senkrecht auf die schräge erste Flanke 441 der ersten Struktur 431, die schräge erste Flanke 442 der zweiten Struktur 432 sowie die schräge erste Flanke 443 der dritten Struktur 433. Auf diese Weise ist ein optimales Schaffen von Leiterbahnen auf dem Formteil 2 gewährleistet. Durch ein Zusammenwirken der Bestrahlung 105 und einer durch Hinterschneidung der zweiten Flanken der jeweiligen Strukturen können in einem einzigen Bestrahlungsvorgang mehrere, gegeneinander isolierte Leiterbahnen hergestellt werden, wie in der nachfolgenden 4 gezeigt ist.The irradiation 105 preferably falls substantially perpendicular to the inclined first flank 441 the first structure 431 , the sloping first flank 442 the second structure 432 as well as the sloping first flank 443 the third structure 433 , To this Way is an optimal creation of tracks on the molding 2 guaranteed. Through an interaction of the irradiation 105 and one by undercut of the second flanks of the respective structures, a plurality of mutually insulated interconnects can be prepared in a single irradiation process, as in the following 4 is shown.

4 zeigt im Detail, wie zwei gegeneinander isolierte Leiterbahnen 12, 13 auf einem Formteil 2 mit geeigneten Strukturen 3 und geeigneter Bestrahlung 105 erzeugt werden. 4 shows in detail how two mutually insulated tracks 12 . 13 on a molding 2 with suitable structures 3 and appropriate irradiation 105 be generated.

Auf einer Oberfläche 4 eines Substrats 3 sind zwei Strukturen 531 und 532 angeordnet, die vorzugsweise einstückig mit dem Substrat 3 gebildet sind. Die Struktur 531 weist eine schräge erste Flanke 541 auf sowie eine zweite Flanke 561, an welche sich eine schräge erste Flanke 542 der zweiten Struktur 532 unmittelbar anschließt. Ferner weist die Struktur 532 eine zweite Flanke 562 auf. Eine Höhe H1 der zweiten Flanke 561 der ersten Struktur 531 wird in der Regel mit einer Höhe H2 der zweiten Flanke 562 der zweiten Struktur 532 übereinstimmen. Es wird allerdings auch erwogen, dass die Höhen H1 und H2 voneinander abweichen können.On a surface 4 a substrate 3 are two structures 531 and 532 arranged, preferably in one piece with the substrate 3 are formed. The structure 531 has a sloping first flank 541 on and a second flank 561 , to which an oblique first flank 542 the second structure 532 immediately connected. Furthermore, the structure has 532 a second flank 562 on. A height H1 of the second flank 561 the first structure 531 is usually with a height H2 of the second flank 562 the second structure 532 to match. However, it is also contemplated that heights H1 and H2 may differ.

Die schräge erste Flanke 541 der ersten Struktur 531 schließt einen Winkel β mit der zweiten Flanke 561 der ersten Struktur 531 ein. Es kann vorgesehen sein, dass die zweite Flanke 561 der ersten Struktur 531 senkrecht auf der Substratoberfläche 4 steht. Es wird ferner erwogen, die zweite Flanke 562 der zweiten Struktur 532 ebenfalls senkrecht auf der Substratoberfläche 4 auszurichten. Die schräge erste Flanke 541 der ersten Struktur 531 ist vorzugsweise parallel zu der schrägen ersten Flanke 542 der zweiten Struktur 532. The sloping first flank 541 the first structure 531 closes an angle β with the second flank 561 the first structure 531 one. It can be provided that the second flank 561 the first structure 531 perpendicular to the substrate surface 4 stands. It is also contemplated the second flank 562 the second structure 532 also perpendicular to the substrate surface 4 align. The sloping first flank 541 the first structure 531 is preferably parallel to the oblique first edge 542 the second structure 532 ,

Das mit diesen Strukturen 531 und 532 versehene Formteil 2 wird mit einer Bestrahlung 105 bestrahlt. Die Bestrahlung 105 ist im Wesentlichen senkrecht auf die schräge erste Flanke 541 der ersten Struktur 531 sowie die parallel dazu ausgerichtete schräge erste Flanke 542 der zweiten Struktur 532 gerichtet. Bei der Bestrahlung 105 kann es sich beispielsweise um eine Bestrahlung mit, beispielsweise leitfähigen, Materialpartikeln, handeln.That with these structures 531 and 532 provided molding 2 is with an irradiation 105 irradiated. The irradiation 105 is substantially perpendicular to the oblique first flank 541 the first structure 531 as well as the parallel aligned oblique first edge 542 the second structure 532 directed. At the radiation 105 it may, for example, be an irradiation with, for example, conductive, material particles.

Auf diese Weise wird, wie grundsätzlich bekannt, eine Menge von Materialpartikeln gemäß einer Glockenkurve auf dem Formteil 2 abgeschieden. Dadurch, dass die zweite Flanke 561 der ersten Struktur 531 für die Bestrahlung 105 eine Hinterschneidung darstellt, teilt sich das erwähnte Glockenprofil jedoch auf die schräge erste Flanke 541 der ersten Struktur 531 und die schräge erste Flanke 542 der zweiten Struktur 532 auf. Ein Maximum des Materialauftrags liegt bei dieser Konfiguration nahe einer Abschattungslinie 58, die bei Bestrahlung zwischen der ersten Struktur 531 und der zweiten Struktur 532 gebildet wird. In this way, as is well known, a lot of material particles according to a bell curve on the molding 2 deposited. By doing that, the second flank 561 the first structure 531 for the irradiation 105 represents an undercut, the aforementioned bell profile divides but on the sloping first flank 541 the first structure 531 and the sloping first flank 542 the second structure 532 on. A maximum of material deposition in this configuration is close to a shading line 58 which, when irradiated between the first structure 531 and the second structure 532 is formed.

Diese Punkte mit maximalem Materialauftrag sind in der Figur als Scheitelpunkt 591 sowie Scheitelpunkt 592 bezeichnet. Ein Randbereich von Material, der auf der schrägen ersten Flanke 541 der ersten Struktur 531 gebildet wird, ist mit dem Bezugszeichen 571 bezeichnet. Ein weiterer Bereich mit geringem Materialauftrag auf der schrägen ersten Flanke 541 der zweiten Struktur 532 ist mit dem Bezugszeichen 572 bezeichnet.These points with maximum material application are in the figure as a vertex 591 as well as vertex 592 designated. A border of material on the sloping first flank 541 the first structure 531 is formed, is denoted by the reference numeral 571 designated. Another area with low material application on the sloping first flank 541 the second structure 532 is with the reference numeral 572 designated.

Das Ergebnis der Bestrahlung 105 ist eine erste Leiterbahn 551, die auf der schrägen ersten Flanke 541 der ersten Struktur 531 gebildet ist, sowie eine zweite Leiterbahn 552, die auf der schrägen ersten Flanke 542 der zweiten Struktur 532 gebildet ist. Eine Breite x1 der ersten Leiterbahn 551 ist hier deutlich größer als eine Breite x2 der zweiten Leiterbahn 552. Dies rührt von einer Abschattung her, die die zweite Flanke 561 der ersten Struktur 531 gegenüber der schrägen ersten Flanke 542 der zweiten Struktur 532 bewirkt. Auf diese Weise kann beispielsweise der Widerstand einer Leiterbahn eingestellt werden. In diesem Beispiel wäre der Widerstand der zweiten Leiterbahn 552 aufgrund des geringeren Querschnitts größer als der Widerstand der ersten Leiterbahn 551.The result of irradiation 105 is a first track 551 on the sloping first flank 541 the first structure 531 is formed, and a second conductor 552 on the sloping first flank 542 the second structure 532 is formed. A width x1 of the first trace 551 here is significantly larger than a width x2 of the second conductor track 552 , This stems from a shadowing, the second flank 561 the first structure 531 opposite the sloping first flank 542 the second structure 532 causes. In this way, for example, the resistance of a conductor track can be adjusted. In this example, the resistance of the second trace would be 552 due to the smaller cross-section greater than the resistance of the first conductor track 551 ,

Ein Isolierabschnitt 11 zwischen der ersten Leiterbahn 551 und der zweiten Leiterbahn 552 ist durch einen von einer Leiterbahn freien Bereich 54 der ersten Struktur 531 sowie einen von einer Leiterbahn freien Bereich 55 auf der schrägen ersten Flanke 542 der zweiten Struktur 532 gebildet. An insulating section 11 between the first trace 551 and the second conductor 552 is through an area free of a trace 54 the first structure 531 and an area free of a track 55 on the sloping first flank 542 the second structure 532 educated.

Ein Formteil 2, das mit den beschriebenen Strukturen 531 und 532 versehen ist, ermöglicht die relativ einfache Ausbildung von zwei gegeneinander isolierenden Leiterbahnen in einem einzigen Prozessschritt. Es ist denkbar, die ersten und zweiten Strukturen 531, 532 derart fortzusetzen, dass eine Art feines, sägezahnartiges Profil auf dem Formteil entsteht und auf diese Weise nach einer Bestrahlung eine Vielzahl von Leiterbahnen in einem einzigen Prozessschritt gleichzeitig auf dem Formteil 2 aufgebracht werden können, um so eine Leiterbahnanordnung mit einer Vielzahl von Leiterbahnen zu erzeugen.A molding 2 that with the described structures 531 and 532 is provided, allows the relatively simple formation of two mutually insulating interconnects in a single process step. It is conceivable the first and second structures 531 . 532 continue such that a kind of fine, sawtooth-like profile is formed on the molding and in this way after irradiation a plurality of interconnects in a single process step simultaneously on the molding 2 can be applied so as to produce a wiring arrangement with a plurality of interconnects.

5 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei der in eine Oberfläche 4 eines Substrats 3 eine Struktur 63 eingebracht ist, die die Gestalt einer Ausnehmung 63 aufweist. Diese Struktur 63 weist eine erste Flanke 661 sowie eine zweite Flanke 662 auf, die durch einen Boden 67 der Struktur 63 miteinander verbunden sind. Wird dieses Formteil 2 einer Bestrahlung 105 mit Materialpartikeln ausgesetzt, wobei ein von der Senkrechten abweichender Bestrahlungswinkel gewählt ist, so bilden sich auf der Substratoberfläche 4 auf beiden Seiten der Struktur 63 Materialablagerungen. 5 shows a further embodiment, in which in a surface 4 a substrate 3 a structure 63 is introduced, which is the shape of a recess 63 having. This structure 63 has a first edge 661 as well as a second flank 662 on, passing through a floor 67 the structure 63 connected to each other. Will this molding 2 an irradiation 105 exposed to material particles, wherein a different angle of the irradiation angle is selected, so form on the substrate surface 4 on both sides of the structure 63 Material deposits.

Allerdings bewirkt aufgrund der von der Senkrechten abweichenden Bestrahlung 105 die erste Flanke 661 der Struktur 63 eine Abschattung der Bestrahlung 105 entlang einer Abschattungslinie 68. Hierdurch ist einerseits die erste Flanke 661 der Struktur 63 frei von Materialpartikeln und es wird ein bis zum Auftreffpunkt der Abschattungslinie 63 auf dem Boden 67 der Struktur 63 reichender materialfreier und somit isolierender Isolierabschnitt 11 zwischen einer ersten entstandenen Leiterbahn 651 und einer zweiten entstandenen Leiterbahn 652 gebildet.However, due to the deviating from the vertical irradiation 105 the first flank 661 the structure 63 a shadowing of the radiation 105 along a shading line 68 , As a result, on the one hand, the first edge 661 the structure 63 free of material particles and it becomes one to the impact point of the Abschattungslinie 63 on the ground 67 the structure 63 reaching material-free and thus insulating insulating section 11 between a first resulting track 651 and a second resulting track 652 educated.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 10109087 A1 [0003] DE 10109087 A1 [0003]

Claims (12)

Leiterbahnanordnung (1), umfassend: – ein Substrat (3); – eine auf einer Oberfläche des Substrats (3) ausgebildete, sich senkrecht zur Oberfläche erstreckende Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63); und – einen der Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) zugeordneten leitfähigen Abschnitt (12; 13; 551; 552; 651; 652).Trace arrangement ( 1 ), comprising: a substrate ( 3 ); One on a surface of the substrate ( 3 ) formed perpendicular to the surface structure ( 33 ; 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ); and - one of the structure ( 33 ; 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ) associated conductive portion ( 12 ; 13 ; 551 ; 552 ; 651 ; 652 ). Leiterbahnanordnung (1) nach Anspruch 1, wobei der der Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) zugeordnete leitfähige Abschnitt (12; 13; 551; 552; 651; 652) an der Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) ausgebildet ist.Trace arrangement ( 1 ) according to claim 1, wherein the structure ( 33 ; 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ) associated conductive section ( 12 ; 13 ; 551 ; 552 ; 651 ; 652 ) on the structure ( 33 ; 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ) is trained. Leiterbahnanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) hervorstehende und/oder vertiefte Strukturabschnitte umfasst.Trace arrangement ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the structure ( 33 ; 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ) comprises projecting and / or recessed structural sections. Leiterbahnanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) eine Längserstreckung aufweist und der der Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) zugeordnete leitfähige Abschnitt (12; 13; 551; 552; 651; 652) eine Leiterbahn (12; 13; 551; 552; 651; 652) entlang der Längserstreckung der Struktur bildet.Trace arrangement ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the structure ( 33 ; 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ) has a longitudinal extent and that of the structure ( 33 ; 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ) associated conductive portion ( 12 ; 13 ; 551 ; 552 ; 651 ; 652 ) a conductor track ( 12 ; 13 ; 551 ; 552 ; 651 ; 652 ) along the longitudinal extent of the structure. Leiterbahnanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) bei der Herstellung des Substrats (3) einstückig mit dem Substrat (3) ausgebildet ist.Trace arrangement ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the structure ( 33 ; 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ) in the production of the substrate ( 3 ) integral with the substrate ( 3 ) is trained. Leiterbahnanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der leitfähige Abschnitt (12; 13; 551; 552; 651; 652) durch eine Bestrahlung mit Materialpartikeln, insbesondere Partikeln aus leitfähigem Material, gebildet ist. Trace arrangement ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the conductive portion ( 12 ; 13 ; 551 ; 552 ; 651 ; 652 ) is formed by irradiation with material particles, in particular particles of conductive material. Leiterbahnanordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Bestrahlung mit einer Strahlung erfolgt, die das Substrat (3) oder eine auf dem Substrat (3) vorgesehene Schicht am Bestrahlungsort umwandelt.Trace arrangement ( 1 ) according to any one of claims 1 to 5, wherein the irradiation is carried out with a radiation which is the substrate ( 3 ) or one on the substrate ( 3 ) converted layer at the irradiation site. Leiterbahnanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Struktur (33) von dem Substrat (3) hervorstehend gebildet ist und an einer ersten Flanke (261) der Struktur (33) ein erster leitfähiger Abschnitt (12) und an einer zweiten Flanke (262) der Struktur (33) ein zweiter leitfähiger Abschnitt (13) gebildet ist, wobei die Struktur (33) in einer sich senkrecht zu der Oberfläche des Substrats erstreckenden Richtung über den ersten leitfähigen Abschnitt (12) und den zweiten leitfähigen Abschnitt (13) hinausragt, um die leitfähigen Abschnitte (12, 13) elektrisch voneinander zu trennen.Trace arrangement ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the structure ( 33 ) from the substrate ( 3 ) is formed protruding and at a first edge ( 261 ) of the structure ( 33 ) a first conductive portion ( 12 ) and on a second flank ( 262 ) of the structure ( 33 ) a second conductive portion ( 13 ), the structure ( 33 ) in a direction extending perpendicular to the surface of the substrate via the first conductive portion (FIG. 12 ) and the second conductive portion ( 13 protrudes to the conductive portions ( 12 . 13 ) electrically separate from each other. Leiterbahnanordnung (1) nach einem der Ansprüche 7 oder 8, wobei die vertikale Struktur (33) als ein Steg (33) ausgebildet ist.Trace arrangement ( 1 ) according to one of claims 7 or 8, wherein the vertical structure ( 33 ) as a bridge ( 33 ) is trained. Leiterbahnanordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei auf der Oberfläche des Substrats (3) wenigstens eine erste Struktur (431; 432; 433; 531) und eine zweite Struktur (431; 432; 433; 532) gebildet sind, wobei die erste Struktur (431; 432; 433; 531) wenigstens eine schräge erste Flanke (441; 442; 443; 541) und die zweite Struktur (431; 432; 433; 532) wenigstens eine schräge erste Flanke (441; 442; 443; 542) umfassen, wobei ein erster leitfähiger Abschnitt (591) auf der schrägen ersten Flanke (541) der ersten Struktur (531) und ein zweiter leitfähiger Abschnitt auf der schrägen ersten Flanke (542) der zweiten Struktur (532) gebildet sind.Trace arrangement ( 1 ) according to one of claims 1 to 9, wherein on the surface of the substrate ( 3 ) at least one first structure ( 431 ; 432 ; 433 ; 531 ) and a second structure ( 431 ; 432 ; 433 ; 532 ), the first structure ( 431 ; 432 ; 433 ; 531 ) at least one inclined first flank ( 441 ; 442 ; 443 ; 541 ) and the second structure ( 431 ; 432 ; 433 ; 532 ) at least one inclined first flank ( 441 ; 442 ; 443 ; 542 ), wherein a first conductive portion ( 591 ) on the sloping first flank ( 541 ) of the first structure ( 531 ) and a second conductive portion on the sloping first flank ( 542 ) of the second structure ( 532 ) are formed. Verfahren zum Aufbringen einer Leiterbahn (12; 13; 551; 552; 651; 652) auf einer Oberfläche eines Substrats (3), umfassend: – Bereitstellen eines Substrats (3) mit einer darauf ausgebildeten, sich senkrecht zur Oberfläche erstreckende Struktur (431; 432; 433; 531; 532; 63); – gerichtetes Aufbringen von leitfähigem Material auf das Substrat (3), um einen leitfähigen Abschnitt (12; 13; 551; 552; 651; 652) an der Struktur (33; 431; 432; 433; 531; 532; 63) auszubilden.Method for applying a conductor track ( 12 ; 13 ; 551 ; 552 ; 651 ; 652 ) on a surface of a substrate ( 3 ), comprising: providing a substrate ( 3 ) having a structure extending thereon perpendicular to the surface ( 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ); Directed application of conductive material to the substrate ( 3 ) to a conductive section ( 12 ; 13 ; 551 ; 552 ; 651 ; 652 ) on the structure ( 33 ; 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ) train. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das gerichtete Aufbringen von leitfähigem Material auf das Substrat (3) aus einer Richtung durchgeführt wird, bei der durch die vertikale Struktur (431; 432; 433; 531; 532; 63) ein Bereich abgeschattet ist.The method of claim 11, wherein the directional deposition of conductive material onto the substrate ( 3 ) is performed from a direction in which the vertical structure ( 431 ; 432 ; 433 ; 531 ; 532 ; 63 ) an area is shadowed.
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