DE102012107803A1 - Radareinheit für Millimeterwellen - Google Patents

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Kim Cheon Soo
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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Radareinheit für Millimeterwellen. Ein klein bemaßter, leichtgewichtiger und äußerst präziser Radarsensor kann durch Packen einer Antenne, von Transceiverchips und eines Digitalsignalverarbeitungschips in einen Radar auf einem Chip durch TSVs verkörpert werden, um die Größe zu reduzieren und die Antenne, die Transceiverchips und den Digitalsignalverarbeitungschip in eine Einheit zu integrieren. Demgemäß kann ein Radarsensor für ultra-hohe Präzision, anwendbar auf ein Radar für Kraftfahrzeuge, ein Bildgebungssystem zur Waffenüberwachung und ein Radar für klein bemaßte, leichtgewichtige und präzise Messung, von welchen alle ein Millimeterband haben, und auf das autonome Bewegen eines Roboters, ausgebildet werden.

Description

  • QUERVERWEISE AUF ZUGEHÖRIGE ANMELDUNGEN
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht gemäß 35 U.S.C. 119(a) die Priorität der koreanischen Anmeldung Nr. 10-2011-0086009 , eingereicht am 26. August 2011 beim koreanischen Patentamt, und der koreanischen Anmeldung Nr. 10-2012-0091923 , eingereicht am 22. August 2012 beim koreanischen Patentamt, welche Anmeldungen hierin durch Bezugnahme in ihrer dargelegten Gesamtheit vollständig enthalten sind.
  • HINTERGRUND
  • Beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf Radareinheiten für Millimeterwellen und insbesondere auf Radareinheiten für Millimeterwellen, wobei in jeder von ihnen eine Antenne, Transceiverchips und ein Digitalsignalverarbeitungschip durch Silizium-Durchkontaktierungen (Through Silicon Vias = TSVs) in ein Radar auf einem Chip gepackt sind, um die Größe zu reduzieren und die Antenne, den Transceiverchip und den Digitalsignalverarbeitungschip in eine Einheit zu integrieren.
  • Da ein komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter (Complementary Metal-Oxide Semiconductor = CMOS) in letzter Zeit bis zu einem Millimeterband arbeiten kann, beginnen CMOS-Chips zu erscheinen, die in einem Millimeterband eines 60 GHz-Bandes arbeiten. Weiterhin wird erwartet, dass eine Antenne möglicherweise in einen Chip integriert werden wird, weil eine Wellenlänge gemäß einem weiteren Anstieg der Betriebsfrequenz kurz wird und somit die Größe der Antenne nach und nach reduziert wird.
  • 1 ist eine Darstellung, die eine bekannte Radareinheit für Millimeterwellen zeigt.
  • Wie es in 1 gezeigt ist, hat die Radareinheit für Millimeterwellen unter Verwendung eines üblichen Verfahrens eine Struktur, bei welcher ein Transceiverchip 20 und eine Patchantenne 10 in Substrate integriert sind, die dieselben oder unterschiedliche Dielektrizitätskonstanten haben.
  • m Fall von Millimeterwellen gibt es eine gute Möglichkeit, dass viel Verlust in der Verbindung der Patchantenne 10 und des Transceiverchips 20 auftreten kann. Um den Verlust zwischen der Patchantenne 10 und dem Transceiverchip 20 zu reduzieren, wird die Patchantenne 10 auch in den Transceiverchip 20 oder einen anderen Chip integriert.
  • Die Größe der Patchantenne 10, bei welcher eine Gruppenantenne bei einer Frequenz von 100 GHz oder niedriger in einer Patchform ausgebildet ist, ist jedoch mehrfach größer als diejenige des Transceiverchips 20. Demgemäß gibt es ein Problem beim Reduzieren der Kosten der Patchantenne 10, obwohl die Patchantenne 10 zusammen mit dem Transceiverchip 20 in denselben Chip integriert ist.
  • Weiterhin steigen, wenn die Patchantenne 10 mit einem großen Bereich zusammen mit dem Transceiverchip 20 in denselben Chip integriert ist, Herstellungskosten an, weil eine Verarbeitungstechnologie im Nanometerbereich nötig ist, damit eine CMOS-Vorrichtung bei Millimeterwellen bei einer hohen Geschwindigkeit arbeitet.
  • Gegensätzlich dazu ist die Entwurfsregel der Patchantenne 10 viel weniger streng als diejenige einer CMOS-Technologie und somit kann eine billige Antenne entworfen werden, wenn CMOS-Technologie im Mikrometerbereich verwendet wird.
  • Zwischenzeitlich erhöht sich das Ausmaß an Integration von dynamischen Direktzugriffsspeicher-(DRAM-)Vorrichtungen in CMOS-Technologie gemäß einer Regel, dass die Speicherkapazität der CMOS-DRAM-Vorrichtung alle zwei Jahre verdoppelt wird. Eine Erhöhung in Bezug auf das Ausmaß einer 2-D-Integration hat nahezu die Grenze erreicht und somit wird das Ausmaß an Integration von Speichervorrichtungen in letzter Zeit unter Verwendung von TSV-Technologie durch Stapeln hergestellter DRAM-Vorrichtungen auf eine 3-D-Weise erhöht.
  • Als zugehörigen Stand der Technik gibt es das US-Patent mit der Registrierungsnr. 6,507,311 (14. Januar 2003) mit dem Titel 'Device and Process for Measuring Distance and Space'.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf eine Radareinheit für Millimeterwellen, bei welcher eine Antenne, Transceiverchips und ein Digitalsignalverarbeitungschip durch TSVs in ein Radar auf einem Chip gepackt sind, um die Größe zu reduzieren und die Antenne, die Transceiverchips und den Digitalsignalverarbeitungschip in eine Einheit zu integrieren.
  • Bei einer Ausführungsform enthält eine Radareinheit für Millimeterwellen mit einer Struktur von Radar auf einem Chip Transceiverchips, die derart konfiguriert sind, dass sie darauf montierte Transceivermodule haben, und eine Patchantenne, die derart konfiguriert ist, dass sie Gruppenantennen vom Patchtyp hat, die in einem Siliziumsubstrat angeordnet und mit den Transceiverchips durch TSVs elektrisch verbunden sind.
  • Bei der vorliegenden Erfindung ist die Patchantenne auf dem Siliziumsubstrat unter Verwendung von irgendeinem eines Polymersubstrats, eines Saphirsubstrats und eines Glassubstrats nach einem Entfernen einer Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildet.
  • Bei der vorliegenden Erfindung ist die Rückseite durch Läppen entfernt.
  • Bei der vorliegenden Erfindung ist das Siliziumsubstrat ein Siliziumsubstrat mit hohem Widerstand.
  • Bei der vorliegenden Erfindung enthält die Radareinheit weiterhin ein Speisenetzwerk, das zwischen dem Transceiverchip und der Patchantenne angeordnet ist und derart konfiguriert ist, dass es ein elektrisches Feldsignal durch einen Wellenleiter transferiert.
  • Bei der vorliegenden Erfindung enthält die Radareinheit weiterhin Lotkugeln für eine Flip-Chip-Kontaktierung unter den Transceiverchips für die Eingabe und Ausgabe von Transceivermodulen.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform enthält eine Radareinheit für Millimeterwellen mit einer Struktur von Radar auf einem Chip einen Digitalsignalverarbeitungschip, der derart konfiguriert ist, dass er ein Digitalsignalverarbeitungsmodul zum Verarbeiten eines Radarsignals darauf montiert hat, Transceiverchips, die derart konfiguriert sind, dass sie darauf montierte Transceivermodule haben und mit dem Digitalsignalverarbeitungschip durch TSVs elektrisch verbunden sind, und eine Patchantenne, die derart konfiguriert ist, dass sie Gruppenantennen vom Patchtyp hat, die in einem Siliziumsubstrat angeordnet und mit den Transceiverchips durch TSVs elektrisch verbunden sind.
  • Bei der vorliegenden Erfindung ist die Patchantenne auf dem Siliziumsubstrat unter Verwendung von irgendeinem eines Polymersubstrats, eines Saphirsubstrats und eines Glassubstrats nach einem Entfernen einer Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildet.
  • Bei der vorliegenden Erfindung ist die Rückseite durch Läppen entfernt.
  • Bei der vorliegenden Erfindung ist das Siliziumsubstrat ein Siliziumsubstrat mit hohem Widerstand.
  • Bei der vorliegenden Erfindung enthält die Radareinheit weiterhin ein Speisenetzwerk, das zwischen dem Transceiverchip und der Patchantenne angeordnet ist und derart konfiguriert ist, dass es ein elektrisches Feldsignal durch einen Wellenleiter transferiert.
  • Bei der vorliegenden Erfindung enthält die Radareinheit weiterhin Lotkugeln für eine Flip-Chip-Kontaktierung unter den Transceiverchips für die Eingabe und Ausgabe von Transceivermodulen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die obigen und andere Aspekte, Merkmale und andere Vorteile werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung, genommen in Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen, klarer verstanden werden, wobei:
  • 1 eine Darstellung ist, die eine bekannte Radareinheit für Millimeterwellen zeigt;
  • 2 und 3 3-D-Darstellungen sind, die eine Radareinheit für Millimeterwellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; und
  • 4 und 5 eine 3-D-Darstellung und eine Querschnittsansicht sind, die eine Radareinheit für Millimeterwellen gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • BESCHREIBUNG SPEZIFISCHER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Hierin nachfolgend werden Radareinheiten für Millimeterwellen gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf beigefügte Zeichnungen beschrieben werden. Jedoch dienen die Ausführungsformen nur illustrativen Zwecken und sollen den Schutzumfang der Erfindung nicht einschränken.
  • 2 und 3 sind 3-D-Darstellungen, die eine Radareinheit für Millimeterwellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, ist die Radareinheit für Millimeterwellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Einheit eines Radars auf einem Chip, bei welchem Transceiverchips 20 und eine Patchantenne 10 gestapelt und durch TSVs 60 elektrisch gekoppelt sind.
  • Das bedeutet, dass Sendemodule, wie beispielsweise ein Hochleistungsverstärker, ein Phasenschieber ein digitaler Dämpfer, ein einpoliger Umschalter und ein Treiberverstärker, und Empfangsmodule, wie beispielsweise ein einpoliger Umschalter, ein Begrenzer und ein Gewinnblockverstärker, auf den Transceiverchips 20 montiert sein können.
  • Die Patchantenne 10 enthält Gruppenantennen vom Patchtyp 12, die in einem Siliziumsubstrat angeordnet sind.
  • Weiterhin sind ein Speisenetzwerk 50 zum Transferieren eines elektrischen Feldsignals durch einen Wellenleiter und eine Grundplatte 30 für den Widerstand, die Abschirmung und die Wärmestrahlung von Sendewellen, die durch einen leitenden Schaltkreis laufen, zwischen den Transceiverchips 20 und der Patchantenne 10 ausgebildet.
  • Weiterhin sind Lotkugeln 80 für eine Flip-Chip-Kontaktierung unter den Transceiverchips 20 für die Eingabe und Ausgabe eines Transceivermoduls ausgebildet.
  • Wie es oben beschrieben ist, sind die Gruppenantennen vom Patchtyp 12 der Patchantenne 10 über den Transceiverchips 20 angeordnet, durch die TSVs 60 elektrisch verbunden und in eine Stapelstruktur gepackt.
  • Klebemittel 40 können verwendet werden, um die Transceiverchips 20 und die Patchantenne 10 physisch zu fixieren.
  • Die TSVs 60 sind durch Ausbilden von Durchgangslöchern in den Transceiverchips 20 und der Patchantenne 10 und Füllen der Durchgangslöcher mit einem leitenden Film ausgebildet. Die TSVs 60 koppeln gestapelte Chips elektrisch.
  • Die elektrische Verbindung durch die TSVs 60 benötigt keinen zusätzlichen Bereich für die elektrische Verbindung und keinen Spalt für eine Drahtbondierung zwischen den Chips und kann die gesamte Größe und Höhe reduzieren und die Arbeitsgeschwindigkeit der Chips verbessern, weil eine Signalverbindungslänge kurz ist.
  • Zwischenzeitlich wird, wenn die Patchantenne 10 durch Anordnen der Gruppenantennen vom Patchtyp 12 auf dem Siliziumsubstrat 11 ausgebildet ist, aufgrund des Siliziumsubstrats 11 ein großer magnetischer Verlust erzeugt, weil das Siliziumsubstrat 11 eine hohe Dielektrizitätskonstante εr von 12,3 hat. Um den magnetischen Verlust zu reduzieren, kann das Siliziumsubstrat 11 aus einem Siliziumsubstrat mit hohem Widerstand ausgebildet werden.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann, wie es in 3 gezeigt ist, ein Niedrigverlust-Substrat 90 mit einem niedrigen magnetischen Verlust, wie beispielsweise ein Polymersubstrat, ein Saphirsubstrat oder ein Glassubstrat, nach einem Entfernen der Rückseite des Siliziumsubstrats 11 gemäß einem mechanischen Verfahren unter Verwendung von Läppen auf dem Siliziumsubstrat 11 ausgebildet werden.
  • Wenn ein Digitalsignalverarbeitungschip für digitale Signalverarbeitung als ein Einzelchip in die Transceiverchips 20 integriert ist, kann der Digitalsignalverarbeitungschip in ein Substrat, wie beispielsweise dasjenige, das in 2 oder 3 gezeigt ist, gepackt sein.
  • Wie es oben beschrieben ist, wird die Größe der Patchantenne 10, der Transceiverchips 20 und des Digitalsignalverarbeitungschips reduziert, indem sie durch die TSV-Packungstechnologie in ein Radar auf einem Chip gepackt werden. Ein Radarsensor für ultra-hohe Präzision, anwendbar auf ein Radar für Kraftfahrzeuge, ein Bildgebungssystem zur Waffenüberwachung und ein Radar für klein bemaßte, leichtgewichtige und präzise Messung, von welchen alle ein Millimeterband haben, und auf das autonome Bewegen eines Roboters, kann ausgebildet werden.
  • Die 4 und 5 sind eine 3-D-Darstellung und eine Querschnittsansicht, die eine Radareinheit für Millimeterwellen gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Wie es in 4 gezeigt ist, ist die Radareinheit für Millimeterwellen gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Einheit eines Radars auf einem Chip, wobei ein Digitalsignalverarbeitungschip 70, Transceiverchips 20 und eine Patchantenne 10 gestapelt sind und Chips durch TSVs 60 elektrisch verbunden sind.
  • Ein Digitalsignalverarbeitungsmodul zum Verarbeiten eines Radarsignals ist auf dem Digitalsignalverarbeitungschip 70 montiert.
  • Sendemodule, wie beispielsweise ein Hochleistungsverstärker, ein Phasenschieber, ein einpoliger Umschalter und ein Treiberverstärker, und Empfangsmodule, wie beispielsweise ein einpoliger Umschalter, ein Begrenzer und ein Gewinnblockverstärker, können auf den Transceiverchips 20 montiert sein.
  • Die Patchantenne 10 enthält Gruppenantennen vom Patchtyp 12, die in einem Siliziumsubstrat 11 angeordnet sind.
  • Weiterhin sind ein Speisenetzwerk 50 zum Transferieren eines elektrischen Feldsignals durch einen Wellenleiter und eine Grundplatte 30 für den Widerstand, die Abschirmung und die Wärmestrahlung von Sendewellen, die durch einen leitenden Schaltkreis laufen, zwischen den Transceiverchips 20 und der Patchantenne 10 ausgebildet.
  • Weiterhin sind Lotkugeln 80 für eine Flip-Chip-Kontaktierung unter dem Digitalsignalverarbeitungschip 70 für die Eingabe und Ausgabe eines Transceivermoduls ausgebildet.
  • Wie es oben beschrieben ist, sind der Digitalsignalverarbeitungschip 70, die Transceiverchips 20 und die Patchantenne 10 vertikal gestapelt, durch die TSVs 60 elektrisch verbunden und in eine Stapelstruktur gepackt.
  • Klebemittel 40 können verwendet werden, um den Digitalsignalverarbeitungschip 70, die Transceiverchips 20 und die Patchantenne 10 physisch zu fixieren.
  • Die TSVs 60 sind durch Ausbilden von Durchgangslöchern in den Transceiverchips 20 und der Patchantenne 10 und Füllen der Durchgangslöcher mit einem leitenden Film ausgebildet. Die TSVs 60 koppeln gestapelte Chips elektrisch.
  • Die elektrische Verbindung durch die TSVs 60 benötigt keinen zusätzlichen Bereich für die elektrische Verbindung und keinen Spalt für eine Drahtbondierung zwischen den Chips und kann die gesamte Größe und Höhe reduzieren und die Arbeitsgeschwindigkeit der Chips verbessern, weil eine Signalverbindungslänge kurz ist.
  • Zwischenzeitlich wird, wenn die Patchantenne 10 durch Anordnen der Gruppenantennen vom Patchtyp 12 auf dem Siliziumsubstrat 11 ausgebildet ist, aufgrund des Siliziumsubstrats 11 ein großer magnetischer Verlust erzeugt, weil das Siliziumsubstrat 11 eine hohe Dielektrizitätskonstante εr von 12,3 hat. Um den magnetischen Verlust zu reduzieren, kann das Siliziumsubstrat 11 aus einem Siliziumsubstrat mit hohem Widerstand ausgebildet werden.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann, wie es in 5 gezeigt ist, ein Niedrigverlust-Substrat 90 mit einem niedrigen magnetischen Verlust, wie beispielsweise ein Polymersubstrat, ein Saphirsubstrat oder ein Glassubstrat, nach einem Entfernen der Rückseite des Siliziumsubstrats 11 gemäß einem mechanischen Verfahren unter Verwendung von Läppen auf dem Siliziumsubstrat 11 ausgebildet werden.
  • Wie es oben beschrieben ist, hat die Radareinheit für Millimeterwellen, die die Struktur von Radar auf einem Chip hat, gemäß der vorliegenden Erfindung die folgenden exzellenten Vorteile.
  • Als erstes kann deshalb, weil die Radareinheit der Struktur von Radar auf einem Chip unter Verwendung der TSVs hergestellt ist, eine Zufuhrlänge von Millimeterwellen zwischen der Antenne und den Transceiverchips verkürzt werden. Demgemäß kann die Dämpfung eines Signals, die auftritt, wenn die Antenne und die Chips gekoppelt sind, das heißt, das signifikanteste Problem in einem Radarsystem eines Millimeterbandes, minimiert werden.
  • Als zweites wird die Position der Grundplatte, die als Erdung fungiert, selbst nach einem Flip-Chip-Packen, in der Radareinheit für Millimeterwellen mit der Struktur von Radar auf einem Chip nicht verändert. Somit werden die ursprünglichen Entwurfscharakteristiken nicht geändert und kann ein stabiler Betrieb garantiert werden.
  • Als drittes ist die Radareinheit der Struktur von Radar auf einem Chip unter Verwendung der TSVs hergestellt, wie es oben beschrieben ist. Somit kann ein System mit niedrigen Kosten hergestellt werden, weil die Transceiverchips unter Verwendung von Nano-Technologie gemäß einer teuren Entwurfsregel von 65 nm oder niedriger hergestellt werden und die Antenne unter Verwendung einer Herstellungstechnologie im Mikrometerbereich gemäß einer weniger strengen Entwurfsregel hergestellt wird und dann gestapelt werden.
  • Als viertes kann ein System, das viel leichter, dünner, kürzer und kleiner als ein System ist, das unter Verwendung eines Niedertemperatur-Einbrand-Keramik(Low Temperature Co-fired Ceramic = LTCC-)Substrats integriert ist, durch Herstellen der Radareinheit der Struktur von Radar auf einem Chip unter Verwendung der TSVs hergestellt werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein klein bemaßter, billiger, leichtgewichtiger und hochpräziser Radarsensor durch Packen der Antenne, der Transceiverchips und des Digitalsignalverarbeitungschips in einen Radar auf einem Chip durch die TSVs ausgebildet werden, um die Größe zu reduzieren und die Antenne, die Transceiverchips und den Digitalsignalverarbeitungschip in eine Einheit zu integrieren. Demgemäß kann ein Radarsensor für ultra-hohe Präzision, anwendbar auf ein Radar für Kraftfahrzeuge, ein Bildgebungssystem zur Waffenüberwachung und ein Radar für klein bemaßte, leichtgewichtige und präzise Messung, von welchen alle ein Millimeterband haben, und auf das autonome Bewegen eines Roboters, ausgebildet werden.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind oben für illustrative Zwecke offenbart worden. Fachleute auf dem Gebiet werden erkennen, dass verschiedene Modifikationen, Hinzufügungen und Substitutionen möglich sind, ohne vom Schutzumfang und Sinngehalt der Erfindung abzuweichen, wie sie in den beigefügten Ansprüchen offenbart ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 10-2011-0086009 [0001]
    • KR 10-2012-0091923 [0001]
    • US 6507311 [0011]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • 35 U.S.C. 119(a) [0001]

Claims (12)

  1. Radareinheit für Millimeterwellen mit einer Radar-auf-Chip-Struktur, wobei die Radareinheit folgendes aufweist: Transceiverchips, die derart konfiguriert sind, dass sie darauf ausgebildete Transceivermodule haben; und eine Patchantenne, die derart konfiguriert ist, dass sie Gruppenantennen vom Patchtyp hat, die in einem Siliziumsubstrat angeordnet und mit den Transceiverchips durch Silizium-Durchkontaktierungen (Through Silicon Vias = TSVs) elektrisch verbunden sind.
  2. Radareinheit nach Anspruch 1, wobei die Patchantenne auf dem Siliziumsubstrat unter Verwendung eines Polymersubstrats, eines Saphirsubstrats, oder eines Glassubstrats nach Entfernen einer Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildet ist.
  3. Radareinheit nach Anspruch 2, wobei die Rückseite durch Läppen entfernt ist.
  4. Radareinheit nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei das Siliziumsubstrat ein Siliziumsubstrat mit hohem Widerstand ist.
  5. Radareinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 4, die weiterhin eine Speisenetzwerk aufweist, das zwischen den Transceiverchips und der Patchantenne angeordnet und derart konfiguriert ist, dass es eine elektrisches Feldsignal durch einen Wellenleiter überträgt.
  6. Radareinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 5, die weiterhin Lotkugeln für eine Flip-Chip-Kontaktierung unter den Transceiverchips für eine Eingabe und Ausgabe der Transceivermodule aufweist.
  7. Radareinheit mit einer Radar-auf-Chip-Struktur, wobei die Radareinheit folgendes aufweist: einen Digitalsignalverarbeitungschip, der derart konfiguriert ist, dass ein Digitalsignalverarbeitungsmodul zum Verarbeiten eines Radarsignals darauf ausgebildet ist; Transceiverchips, die derart konfiguriert sind, dass sie darauf ausgebildete Transceivermodule aufweisen und mit dem Digitalsignalverarbeitungschip durch Silizium-Durchkontaktierungen elektrisch verbunden sind; und eine Patchantenne, die derart konfiguriert ist, dass sie Gruppenantennen vom Patchtyp hat, die in einem Siliziumsubstrat angeordnet und mit den Transceiverchips durch die TSVs elektrisch verbunden sind.
  8. Radareinheit nach Anspruch 7, wobei die Patchantenne auf dem Siliziumsubstrat unter Verwendung von irgendeinem eines Polymersubstrats, eines Saphirsubstrats, oder eines Glassubstrats nach Entfernen einer Rückseite des Siliziumsubstrats ausgebildet ist.
  9. Radareinheit nach Anspruch 8, wobei die Rückseite durch Läppen entfernt ist.
  10. Radareinheit nach Anspruch 7, 8 oder 9, wobei das Siliziumsubstrat ein Siliziumsubstrat mit hohem Widerstand ist.
  11. Radareinheit nach einem der Ansprüche 7 bis 10, die weiterhin eine Speisenetzwerk aufweist, das zwischen den Transceiverchips und der Patchantenne angeordnet und derart konfiguriert ist, dass es eine elektrisches Feldsignal durch einen Wellenleiter überträgt.
  12. Radareinheit nach einem der Ansprüche 7 bis 11, die weiterhin Lotkugeln für eine Flip-Chip-Kontaktierung unter dem Digitalsignalverarbeitungschip für eine Eingabe und Ausgabe der Transceivermodule aufweist.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016012091A1 (de) * 2014-07-23 2016-01-28 Audi Ag Verfahren zum betrieb eines parkassistenzsystems in einem kraftfahrzeug und kraftfahrzeug
FR3032556A1 (fr) * 2015-02-11 2016-08-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de transmission rf a reflecteur d'ondes electromagnetiques integre
CN107942325A (zh) * 2017-12-28 2018-04-20 江苏微远芯微系统技术有限公司 一种基于毫米波雷达的防入侵装置
CN112051551A (zh) * 2020-09-10 2020-12-08 上海无线电设备研究所 基于硅基三维集成的微小型雷达高频大功率有源子阵
WO2022084117A1 (de) * 2020-10-22 2022-04-28 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Radarsensor mit einem radarchip, einer antennenstruktur und einem bauteilträger
DE102021132796A1 (de) 2021-12-13 2023-06-15 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Radarvorrichtungsanordnung für ein Fahrzeug und Verfahren zur Herstellung einer Radarvorrichtungsanordnung für ein Fahrzeug

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011051456A1 (de) * 2009-10-29 2011-05-05 Technische Universität Dresden Antennenanordnung zur übertragung von signalen
US9917372B2 (en) 2014-06-13 2018-03-13 Nxp Usa, Inc. Integrated circuit package with radio frequency coupling arrangement
US10103447B2 (en) 2014-06-13 2018-10-16 Nxp Usa, Inc. Integrated circuit package with radio frequency coupling structure
US10225925B2 (en) * 2014-08-29 2019-03-05 Nxp Usa, Inc. Radio frequency coupling and transition structure
US9887449B2 (en) * 2014-08-29 2018-02-06 Nxp Usa, Inc. Radio frequency coupling structure and a method of manufacturing thereof
US10270186B2 (en) * 2015-08-31 2019-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Antenna module and electronic device
US11152675B2 (en) 2017-10-20 2021-10-19 Waymo Llc Communication system for LIDAR sensors used in a vehicle comprising a rotary joint with a bearing waveguide for coupling signals with communication chips
US10522887B2 (en) * 2017-10-20 2019-12-31 Waymo Llc Communication system for a vehicle comprising a dual channel rotary joint coupled to a plurality of interface waveguides for coupling electromagnetic signals between plural communication chips
US11442160B2 (en) * 2018-01-09 2022-09-13 Infineon Technologies Ag Multifunctional radar systems and methods of operation thereof
DE102018203106A1 (de) * 2018-03-01 2019-09-05 Conti Temic Microelectronic Gmbh Radarsystem zur Umfelderfassung eines Kraftfahrzeugs mit einer Kunststoffantenne
US10700440B1 (en) 2019-01-25 2020-06-30 Corning Incorporated Antenna stack
CN112820656A (zh) * 2020-12-31 2021-05-18 中国科学院空天信息创新研究院 面向毫米波微型sar系统的三维集成封装方法
CN113013583B (zh) * 2021-01-29 2023-08-18 中国电子科技集团公司第三十八研究所 毫米波雷达封装模组

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507311B2 (en) 2000-05-25 2003-01-14 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Device and process for measuring distance and speed
US20110049676A1 (en) * 2009-08-26 2011-03-03 International Business Machines Corporation Method, structure, and design structure for a through-silicon-via wilkinson power divider
KR20110086009A (ko) 2008-10-27 2011-07-27 엘뻬제 피낭스 엥뒤스트리 (쏘시에떼 아노님) 신체 가동을 위한 장치, 및 그 장치의 사용
KR20120091923A (ko) 2011-02-10 2012-08-20 한국지질자원연구원 슬러리 환원법을 이용한 코발트 분말 제조 장치 및 이를 이용한 코발트 분말 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090012933A (ko) * 2007-07-31 2009-02-04 삼성전자주식회사 반도체 패키지, 스택 모듈, 카드, 시스템 및 반도체패키지의 제조 방법
US7916083B2 (en) * 2008-05-01 2011-03-29 Emag Technologies, Inc. Vertically integrated electronically steered phased array and method for packaging
US7858512B2 (en) * 2008-06-26 2010-12-28 Wafer-Level Packaging Portfolio Llc Semiconductor with bottom-side wrap-around flange contact
JP2012078332A (ja) * 2009-10-09 2012-04-19 Elpida Memory Inc 半導体装置、半導体装置の試験方法、及びデータ処理システム。
US8816906B2 (en) * 2011-05-05 2014-08-26 Intel Corporation Chip packages including through-silicon via dice with vertically inegrated phased-array antennas and low-frequency and power delivery substrates

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507311B2 (en) 2000-05-25 2003-01-14 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Device and process for measuring distance and speed
KR20110086009A (ko) 2008-10-27 2011-07-27 엘뻬제 피낭스 엥뒤스트리 (쏘시에떼 아노님) 신체 가동을 위한 장치, 및 그 장치의 사용
US20110049676A1 (en) * 2009-08-26 2011-03-03 International Business Machines Corporation Method, structure, and design structure for a through-silicon-via wilkinson power divider
KR20120091923A (ko) 2011-02-10 2012-08-20 한국지질자원연구원 슬러리 환원법을 이용한 코발트 분말 제조 장치 및 이를 이용한 코발트 분말 제조 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
35 U.S.C. 119(a)
HU, S. u.a.: TSV Technology for Millimeter-Wave and Terahertz Design and Applications. In: IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Vol. 1, No. 2, February 2011, S. 260-267 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016012091A1 (de) * 2014-07-23 2016-01-28 Audi Ag Verfahren zum betrieb eines parkassistenzsystems in einem kraftfahrzeug und kraftfahrzeug
FR3032556A1 (fr) * 2015-02-11 2016-08-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de transmission rf a reflecteur d'ondes electromagnetiques integre
EP3057130A1 (de) * 2015-02-11 2016-08-17 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Rf-übertragungsvorrichtung mit integriertem reflektor von elektromagnetischen wellen
US9536845B2 (en) 2015-02-11 2017-01-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Device for radiofrequency (RF) transmission with an integrated electromagnetic wave reflector
CN107942325A (zh) * 2017-12-28 2018-04-20 江苏微远芯微系统技术有限公司 一种基于毫米波雷达的防入侵装置
CN112051551A (zh) * 2020-09-10 2020-12-08 上海无线电设备研究所 基于硅基三维集成的微小型雷达高频大功率有源子阵
CN112051551B (zh) * 2020-09-10 2024-01-02 上海无线电设备研究所 基于硅基三维集成的微小型雷达高频大功率有源子阵
WO2022084117A1 (de) * 2020-10-22 2022-04-28 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Radarsensor mit einem radarchip, einer antennenstruktur und einem bauteilträger
DE102021132796A1 (de) 2021-12-13 2023-06-15 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Radarvorrichtungsanordnung für ein Fahrzeug und Verfahren zur Herstellung einer Radarvorrichtungsanordnung für ein Fahrzeug

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