DE102011079548A1 - Micro-lithographic projection exposure system for manufacturing e.g. integrated switching circuits, has optical arrangement configured in such manner that modification of maximum value is minimized in comparison with analog system - Google Patents

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Abstract

The system has a polarization manipulator (400) provided in a projection lens (130) and predetermines a modified polarization distribution that is adjusted in an illumination device (110). The designated polarization distribution is converted into a picture plane. A polarization-influencing optical arrangement (250) is configured in such a manner that due to the modification of the maximum value of a focus position displacement resulting in the picture plane for different masque patterns is reduced in comparison with an analog system. An independent claim is also included for a micro-lithographic exposure method.

Description

Die Erfindung betrifft eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mikrolithographisches Belichtungsverfahren.The invention relates to a microlithographic projection exposure apparatus and a microlithographic exposure method.

Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits or LCDs. The microlithography process is carried out in a so-called projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective. The image of a mask (= reticle) illuminated by means of the illumination device is hereby projected onto a substrate (eg a silicon wafer) coated with a photosensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection objective in order to place the mask structure onto the mask transfer photosensitive coating of the substrate.

Es sind verschiedene Ansätze bekannt, in der Beleuchtungseinrichtung zur Optimierung des Abbildungskontrastes gezielt bestimmte Polarisationsverteilungen in der Pupillenebene und/oder im Retikel einzustellen.Various approaches are known for selectively adjusting specific polarization distributions in the pupil plane and / or in the reticle in the illumination device for optimizing the imaging contrast.

Insbesondere ist es sowohl in der Beleuchtungseinrichtung als auch im Projektionsobjektiv bekannt, für eine kontrastreiche Abbildung eine tangentiale Polarisationsverteilung einzustellen. Unter „tangentialer Polarisation” (oder „TE-Polarisation”) wird eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen linear polarisierten Lichtstrahlen annähernd senkrecht zum auf die optische Systemachse gerichteten Radius orientiert sind. Hingegen wird unter „radialer Polarisation” (oder „TM-Polarisation”) eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen linear polarisierten Lichtstrahlen annähernd radial zur optischen Systemachse orientiert sind.In particular, both in the illumination device and in the projection objective, it is known to set a tangential polarization distribution for a high-contrast image. "Tangential polarization" (or "TE polarization") is understood to mean a polarization distribution in which the oscillation planes of the electric field strength vectors of the individual linearly polarized light beams are oriented approximately perpendicular to the radius directed onto the optical system axis. By contrast, "radial polarization" (or "TM polarization") is understood to mean a polarization distribution in which the oscillation planes of the electric field strength vectors of the individual linearly polarized light beams are oriented approximately radially to the optical system axis.

Aus WO 2005/069081 A2 ist ein polarisationsbeeinflussendes optisches Element bekannt, welches aus einem optisch aktiven Kristall besteht und ein in Richtung der optischen Achse des Kristalls variierendes Dickenprofil aufweist.Out WO 2005/069081 A2 For example, a polarization-influencing optical element is known which consists of an optically active crystal and has a thickness profile varying in the direction of the optical axis of the crystal.

WO 2005/031467 A2 offenbart in einer Projektionsbelichtungsanlage die Beeinflussung der Polarisationsverteilung mittels einer oder mehrerer Polarisationsmanipulatorvorrichtungen, welche auch an mehreren Positionen angeordnet sowie als in den Strahlengang einführbare, polarisationsbeeinflussende optische Elemente ausgebildet sein können, wobei die Wirkung dieser polarisationsbeeinflussenden Elemente durch Änderung der Position, z. B. Rotation, Dezentrierung oder Verkippung der Elemente variiert werden kann. WO 2005/031467 A2 discloses in a projection exposure system influencing the polarization distribution by means of one or more polarization manipulator devices, which can also be arranged at several positions and formed as insertable into the beam path, polarization-influencing optical elements, wherein the effect of polarization-influencing elements by changing the position, for. As rotation, decentration or tilting of the elements can be varied.

Aus DE 101 24 566 A1 ist es u. a. bekannt, in einem Abbildungssystem zunächst Radialpolarisationserzeugungsmittel zur Erzeugung von radial polarisiertem Licht (zwecks effektiver Entspiegelung der abbildungsfunktionellen optischen Komponenten) bereitzustellen und anschließend (z. B. in der Pupillenebene des Projektionsobjektivs) ein Polarisationsdrehelement vorzusehen, mittels dem in der Bild- bzw. Waferebene tangential polarisiertes Licht eingestellt wird.Out DE 101 24 566 A1 It is known, inter alia, to initially provide in a imaging system radial polarization generating means for generating radially polarized light (for the purpose of effective anti-reflection of the image-functional optical components) and then to provide (eg in the pupil plane of the projection lens) a polarization rotation element by means of which .Wafer plane tangentially polarized light is set.

Aus WO 2006/077849 A1 ist es bekannt, in einer Pupillenebene oder in deren Nähe ein optisches Element zur Umwandlung des Polarisationszustandes anzuordnen, welches eine Mehrzahl Variabler optischer Rotatorelemente aufweist, durch welche die Polarisationsrichtung von auftreffendem, linear polarisiertem Licht mit einem variabel einstellbaren Rotationswinkel gedreht werden kann und welche jeweils aus zwei relativ zueinander beweglichen Ablenkprismen aus optisch aktivem Material ausgebildet sind.Out WO 2006/077849 A1 It is known to arrange in a pupil plane or in its vicinity a polarization state conversion optical element having a plurality of variable optical rotator elements by which the polarization direction of incident linearly polarized light can be rotated at a variably adjustable rotation angle and which respectively two relatively movable deflecting prisms of optically active material are formed.

Im Betrieb einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage können Probleme aufgrund des Umstandes auftreten, dass die Maske in der Regel nicht nur als rein zweidimensionales Objekt (entsprechend der sogenannten Kirchhoff-Näherung) anzusehen ist, sondern dass vielmehr die Beugung des Lichtfelds an der Maske im Rahmen einer rigorosen Betrachtung unter Berücksichtigung der Dreidimensionalität der Maske beschrieben werden muss, so dass auf der dreidimensionalen Ausdehnung der Maske basierende Maskenparameter wie Schichtdicken, Ätzwinkel oder Seitenwandwinkel berücksichtigt werden müssen. Dieser Umstand hat u. a. zur Folge, dass unterschiedliche abzubildende Strukturen auf der Maske infolge einer Veränderung der Phasen zwischen den einzelnen Beugungsordnungen zu unterschiedlichen Fokuslagen in der Waferebene und damit zu einer Beeinträchtigung der Abbildungsqualität führen können. Da im Allgemeinen diese Fokuslagenverschiebung für voneinander verschiedene Strukturen nicht konstant ist, lässt sich dieser Effekt nicht einfach durch Verschiebung bzw. Nachführung der Waferebene kompensieren.In the operation of a microlithographic projection exposure apparatus, problems may arise due to the fact that the mask is generally not only to be regarded as a purely two-dimensional object (corresponding to the so-called Kirchhoff approximation), but rather to the diffraction of the light field on the mask in the context of a rigorous consideration has to be described in consideration of the three-dimensionality of the mask, so that mask parameters based on the three-dimensional extent of the mask, such as layer thickness, etching angle or side wall angle, must be taken into account. This circumstance has u. a. The consequence of this is that different structures to be imaged on the mask as a result of a change in the phases between the individual diffraction orders can lead to different focal positions in the wafer plane and thus to an impairment of the imaging quality. Since, in general, this focus position shift is not constant for mutually different structures, this effect can not be compensated for simply by shifting or tracking the wafer plane.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mikrolithographisches Belichtungsverfahren bereitzustellen, mittels derer eine durch die Dreidimensionalität der Maske verursachte Fokuslagenverschiebung bzw. eine damit einhergehende Beeinträchtigung der Abbildungsqualität reduziert werden kann.The object of the present invention is to provide a microlithographic projection exposure apparatus and a microlithographic exposure method by means of which a focus position shift caused by the three-dimensionality of the mask or a concomitant impairment of the imaging quality can be reduced.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst. This object is solved by the features of the independent claims.

Eine erfindungsgemäße mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnete, abzubildende Strukturen aufweisende Maske beleuchtet, und wobei das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene abbildet, umfasst

  • – eine in der Beleuchtungseinrichtung vorgesehenen polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, welche eine Polarisationsverteilung einstellt, die im Vergleich zu einer vorbestimmten, einer in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entsprechenden Ausgangspolarisationsverteilung modifiziert ist, und
  • – einen im Projektionsobjektiv vorgesehenen Polarisationsmanipulator, welcher die in der Beleuchtungseinrichtung eingestellte modifizierte Polarisationsverteilung in die vorbestimmte, in der Bildebene gewünschte Polarisationsverteilung umwandelt,
  • – wobei die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung derart konfiguriert ist, dass infolge dieser Modifikation der maximale Wert einer in der Bildebene für unterschiedliche Maskenstrukturen resultierenden Fokuslagenverschiebung im Vergleich zu einem analogen System ohne diese Modifikation reduziert ist.
A microlithographic projection exposure apparatus according to the invention having a lighting device and a projection lens, wherein the illumination device illuminates a mask having an imaging structure arranged in an object plane of the projection lens, and the projection lens images this object plane onto an image plane
  • A polarization-influencing optical arrangement provided in the illumination device, which adjusts a polarization distribution that is modified in comparison to a predetermined output polarization distribution corresponding to a desired polarization distribution in the image plane, and
  • A polarization manipulator provided in the projection lens, which converts the modified polarization distribution set in the illumination device into the predetermined polarization distribution desired in the image plane,
  • Wherein the polarization-influencing optical arrangement is configured in such a way that as a result of this modification the maximum value of a focus position shift resulting in the image plane for different mask structures is reduced compared to an analog system without this modification.

Die Erfindung geht zunächst von der Erkenntnis aus, dass die eingangs beschriebenen, unerwünschten Effekte infolge der Dreidimensionalität der Maske vom Polarisationszustand des auf die Maske auftreffenden und an deren Strukturen gebeugten Lichtes abhängig und somit auch über diesen Polarisationszustand beeinflussbar sind. Des Weiteren macht sich die Erfindung den weiteren Umstand zunutze, dass eine bestimmte Polarisationsverteilung (bei der es sich, ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre, z. B. um eine tangentiale Polarisationsverteilung handeln kann) zwar etwa bei hochaperturigen Systemen auf Seiten der Waferebene (im Hinblick auf den bekannten „Vektoreffekt”) geboten ist, jedoch in der Retikel- bzw. Maskenebene eine vergleichsweise größere Freiheit hinsichtlich der dort einzustellenden Polarisationsverteilung gegeben ist, da die numerische Apertur dort wesentlich (je nach Abbildungsmaßstab des Projektionsobjektivs z. B. um den Faktor 4) geringer ist.The invention is initially based on the recognition that the unwanted effects described at the beginning as a result of the three-dimensionality of the mask are dependent on the polarization state of the light incident on the mask and diffracted on its structures and thus can also be influenced via this polarization state. Furthermore, the invention makes use of the further circumstance that a specific polarization distribution (which may be, for example, a tangential polarization distribution, without the invention being restricted thereto) is true, for example, in the case of high-aperture systems on the wafer-level (FIG. with regard to the known "vector effect"), but in the reticle or mask plane a comparatively greater freedom is given with regard to the polarization distribution to be set there, since the numerical aperture there substantially (depending on the imaging scale of the projection objective, for example around the Factor 4) is lower.

Ausgehend von diesen Überlegungen liegt der Erfindung nun das Konzept zugrunde, die Polarisationsverteilung in der Retikelebene zunächst im Hinblick auf die Reduzierung bzw. Minimierung der vorstehend beschriebenen unerwünschten Effekte der Dreidimensionalität der Maske zu erzeugen, und die letztendlich in der Waferebene insbesondere im Hinblick auf den Abbildungskontrast wünschenswerte Polarisationsverteilung erst nachfolgend, d. h. im Projektionsobjektiv, einzustellen.Based on these considerations, the invention is now based on the concept of initially producing the polarization distribution in the reticle plane with regard to the reduction or minimization of the above-described undesired effects of the three-dimensionality of the mask, and ultimately in the wafer plane, in particular with regard to the imaging contrast desirable polarization distribution only subsequently, d. H. in the projection lens.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Modifikation in der Beleuchtungseinrichtung derart gewählt, dass eine Variation der in der Bildebene für unterschiedliche Maskenstrukturen resultierenden Fokuslage nicht mehr als 0.1· λ / NA beträgt, wobei λ die Arbeitswellenlänge und NA die numerische Apertur des Projektionsobjektivs bezeichnen. Dabei kann die Arbeitswellenlänge lediglich beispielhaft etwa 193 nm oder etwa 157 nm betragen. Des Weiteren kann die numerische Apertur beispielsweise einen Wert von wenigstens 0.9, insbesondere wenigstens 1.1, weiter insbesondere wenigstens 1.3 aufweisen.According to one embodiment, the modification in the illumination device is selected such that a variation of the focal position resulting in the image plane for different mask structures does not exceed 0.1. λ / NA where λ is the working wavelength and NA is the numerical aperture of the projection lens. In this case, the operating wavelength can be only about 193 nm or about 157 nm by way of example. Furthermore, the numerical aperture may for example have a value of at least 0.9, in particular at least 1.1, more particularly at least 1.3.

Gemäß einer Ausführungsform ist der im Projektionsobjektiv vorgesehene Polarisationsmanipulator ein dritter Polarisationsmanipulator, wobei die in der Beleuchtungseinrichtung vorgesehene polarisationsbeeinflussende optische Anordnung aufweist:

  • – einen ersten Polarisationsmanipulator, welcher eine Eingangspolarisationsverteilung in die Ausgangspolarisationsverteilung umwandelt, welche der in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entspricht, und
  • – einen zweiten Polarisationsmanipulator, welcher stromabwärts des ersten Polarisationsmanipulators angeordnet und derart konfiguriert ist, dass er die Modifikation der vom ersten Polarisationsmanipulator bereitgestellten Ausgangspolarisationsverteilung bewirkt.
According to one embodiment, the polarization manipulator provided in the projection objective is a third polarization manipulator, the polarization-influencing optical arrangement provided in the illumination device comprising:
  • A first polarization manipulator which converts an input polarization distribution into the output polarization distribution which corresponds to the desired polarization distribution in the image plane, and
  • A second polarization manipulator located downstream of the first polarization manipulator and configured to effect the modification of the output polarization distribution provided by the first polarization manipulator.

Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Objektebene des Projektionsobjektivs beleuchtet und das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene abbildet, mit:

  • – einem ersten Polarisationsmanipulator, welcher in der Beleuchtungseinrichtung angeordnet und derart konfiguriert ist, dass er eine Eingangspolarisationsverteilung in eine Ausgangspolarisationsverteilung umwandelt, wobei diese Ausgangspolarisationsverteilung einer vorbestimmten, in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entspricht,
  • – einem zweiten Polarisationsmanipulator, welcher in der Beleuchtungseinrichtung stromabwärts des ersten Polarisationsmanipulators angeordnet und derart konfiguriert ist, dass er eine Modifikation der vom ersten Polarisationsmanipulator bereitgestellten Ausgangspolarisationsverteilung bewirkt, und
  • – einem dritten Polarisationsmanipulator, welcher im Projektionsobjektiv angeordnet und derart einstellbar ist, dass er die vom zweiten Polarisationsmanipulator bewirkte Modifikation rückgängig macht.
According to a further aspect, the invention also relates to a microlithographic projection exposure apparatus having an illumination device and a projection objective, wherein the illumination device illuminates an object plane of the projection objective during operation of the projection exposure apparatus and the projection objective images this object plane onto an image plane, with:
  • A first polarization manipulator arranged in the illumination device and configured to convert an input polarization distribution into an output polarization distribution, said output polarization distribution corresponding to a predetermined polarization distribution desired in the image plane,
  • A second polarization manipulator disposed in the illumination device downstream of the first polarization manipulator and configured to effect a modification of the output polarization distribution provided by the first polarization manipulator, and
  • - A third polarization manipulator, which is arranged in the projection lens and is adjustable so that it reverses the effected by the second polarization manipulator modification.

Gemäß einer Ausführungsform stellt die Modifikation der vom ersten Polarisationsmanipulator bereitgestellten Ausgangspolarisationsverteilung eine konstante Drehung dieser Ausgangspolarisationsverteilung dar.According to one embodiment, the modification of the output polarization distribution provided by the first polarization manipulator represents a constant rotation of this output polarization distribution.

Gemäß einer Ausführungsform ist der im Projektionsobjektiv vorgesehene Polarisationsmanipulator derart konfiguriert, dass er eine variable Einstellung des bereitgestellten Polarisationsdrehwinkels ermöglicht.According to one embodiment, the polarization manipulator provided in the projection objective is configured such that it enables a variable adjustment of the provided polarization rotation angle.

Gemäß einer Ausführungsform ist der im Projektionsobjektiv vorgesehene Polarisationsmanipulator in einer Pupillenebene des Projektionsobjektivs angeordnet.According to one embodiment, the polarization manipulator provided in the projection objective is arranged in a pupil plane of the projection objective.

Gemäß einer Ausführungsform ist der in der Beleuchtungseinrichtung vorgesehene zweite Polarisationsmanipulator derart konfiguriert, dass er eine variable Einstellung des bereitgestellten Polarisationsdrehwinkels ermöglicht.According to one embodiment, the second polarization manipulator provided in the illumination device is configured such that it allows a variable adjustment of the polarization rotation angle provided.

Gemäß einer Ausführungsform ist der in der Beleuchtungseinrichtung vorgesehene zweite Polarisationsmanipulator in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung angeordnet.According to one embodiment, the second polarization manipulator provided in the illumination device is arranged in a pupil plane of the illumination device.

Gemäß einer Ausführungsform ist die der in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entsprechende Ausgangspolarisationsverteilung eine zumindest näherungsweise tangentiale Polarisationsverteilung.According to one embodiment, the output polarization distribution corresponding to the desired polarization distribution in the image plane is an at least approximately tangential polarization distribution.

Gemäß einer Ausführungsform ist der erste Polarisationsmanipulator aus optisch aktivem Kristallmaterial hergestellt und weist ein in Richtung seiner optischen Kristallachse variierendes Dickenprofil auf. Optisch aktive Kristalle weisen mindestens eine optische Kristallachse auf, die durch die Kristallstruktur gegeben ist. Breitet sich linear polarisiertes Licht entlang dieser optischen Kristallachse aus, wird die Schwingungsebene des elektrischen Feldvektors um einen Drehwinkel gedreht, der proportional zur im Kristall zurückgelegten Strecke ist. Der entsprechende Proportionalitätsfaktor ist das spezifische Drehvermögen α und stellt eine materialspezifische Größe dar, die von der eingestrahlten Wellenlänge abhängig ist. Das spezifische Drehvermögen wurde beispielsweise für Quarz bei einer Wellenlänge von 180 nm zu α ≈ (325.2 ± 0.5) °/mm bestimmt. Insbesondere erfährt Licht, das sich entlang der optischen Kristallachse im Kristall ausbreitet, keine lineare Doppelbrechung. Der Polarisationszustand von linear polarisiertem Licht wird somit beim Durchstrahlen eines optisch aktiven Kristalls entlang der optischen Kristallachse nicht verändert, sondern weist lediglich eine veränderte räumliche Orientierung der Schwingungsebene des elektrischen Feldvektors auf, die von der Länge der im Kristall zurückgelegten Strecke abhängt.According to one embodiment, the first polarization manipulator is made of optically active crystal material and has a thickness profile varying in the direction of its optical crystal axis. Optically active crystals have at least one optical crystal axis, which is given by the crystal structure. If linearly polarized light propagates along this crystal optical axis, the plane of oscillation of the electric field vector is rotated by a rotation angle which is proportional to the distance traveled in the crystal. The corresponding proportionality factor is the specific rotation α and represents a material-specific variable which depends on the irradiated wavelength. The specific rotatory power was determined for example for quartz at a wavelength of 180 nm to α ≈ (325.2 ± 0.5) ° / mm. In particular, light propagating along the optical crystal axis in the crystal does not undergo linear birefringence. The polarization state of linearly polarized light is thus not changed when irradiating an optically active crystal along the optical crystal axis, but has only a changed spatial orientation of the oscillation plane of the electric field vector, which depends on the length of the distance traveled in the crystal.

Die Erfindung betrifft ferner ein mikrolithographisches Belichtungsverfahren, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Objektebene des Projektionsobjektivs beleuchtet und das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene abbildet, mit den Schritten:

  • – Einstellen einer Polarisationsverteilung in der Beleuchtungseinrichtung, welche im Vergleich zu einer einer vorbestimmten, in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entsprechenden Ausgangspolarisationsverteilung modifiziert ist, und
  • – Umwandeln dieser modifizierten Polarisationsverteilung in die vorbestimmte, in der Bildebene gewünschte Polarisationsverteilung im Projektionsobjektiv,
wobei infolge der besagten Modifikation der Polarisationsverteilung in der Beleuchtungseinrichtung der maximale Wert einer in der Bildebene für unterschiedliche Maskenstrukturen resultierenden Fokuslagenverschiebung im Vergleich zu einem analogen System ohne diese Modifikation reduziert wird. Zu Vorteilen und bevorzugten Ausgestaltungen des Verfahrens wird auf die vorstehenden Ausführungen im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage Bezug genommen.The invention further relates to a microlithographic exposure method, wherein the illumination device illuminates an object plane of the projection lens during operation of the projection exposure apparatus and the projection objective images this object plane onto an image plane, with the following steps:
  • Adjusting a polarization distribution in the illumination device which is modified in comparison with an output polarization distribution corresponding to a predetermined polarization distribution desired in the image plane, and
  • Converting this modified polarization distribution into the predetermined polarization distribution in the projection objective, which is desired in the image plane,
whereby as a result of the said modification of the polarization distribution in the illumination device, the maximum value of a focus position shift resulting in the image plane for different mask structures is reduced compared to an analog system without this modification. For advantages and preferred embodiments of the method, reference is made to the above statements in connection with the projection exposure apparatus according to the invention.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.Further embodiments of the invention are described in the description and the dependent claims.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention will be explained in more detail with reference to embodiments shown in the accompanying drawings.

Es zeigen:Show it:

1 eine schematische Darstellung des Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage; 1 a schematic representation of the structure of a microlithographic projection exposure apparatus;

2–4 schematische Darstellungen zur Erläuterung möglicher Ausgestaltungen eines in der Beleuchtungseinrichtung vorgesehenen, ersten Polarisationsmanipulators; und 2 - 4 schematic representations for explaining possible embodiments of a provided in the lighting device, the first polarization manipulator; and

5 eine schematische Darstellung einer beispielhaften Ausgestaltung eines weiteren, in der Beleuchtungseinrichtung bzw. im Projektionsobjektiv vorgesehenen Polarisationsmanipulators. 5 a schematic representation of an exemplary embodiment of another, provided in the illumination device or in the projection lens polarization manipulator.

1 zeigt in schematischer Darstellung eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage 100 mit einer Lichtquelleneinheit 101, einer Beleuchtungseinrichtung 110, einer abzubildende Strukturen aufweisenden Maske 125, einem Projektionsobjektiv 130 und einem zu belichtenden Substrat 140. Die Lichtquelleneinheit 101 umfasst als Lichtquelle einen DUV- oder VUV-Laser, beispielsweise einen ArF-Laser für 193 nm, einen F2-Laser für 157 nm, einen Ar2-Laser für 126 nm oder einen Ne2-Laser für 109 nm, und eine Strahlformungsoptik, welche ein paralleles Lichtbüschel erzeugt. Die Strahlen des Lichtbüschels weisen eine lineare Polarisationsverteilung auf, wobei die Schwingungsebenen des elektrischen Feldvektors der einzelnen Lichtstrahlen in einheitlicher Richtung verlaufen. 1 shows a schematic representation of a microlithographic projection exposure apparatus 100 with a light source unit 101 , a lighting device 110 , a mask having structures to be imaged 125 , a projection lens 130 and a substrate to be exposed 140 , The light source unit 101 comprises as light source a DUV or VUV laser, for example an ArF laser for 193 nm, an F 2 laser for 157 nm, an Ar 2 laser for 126 nm or a Ne 2 laser for 109 nm, and a beam shaping optics which produces a parallel tuft of light. The beams of the light pencil have a linear polarization distribution, wherein the vibration planes of the electric field vector of the individual light beams run in a uniform direction.

Das parallele Lichtbüschel trifft auf ein Divergenz erhöhendes optisches Element 111. Als Divergenz erhöhendes optisches Element 111 kann beispielsweise eine Rasterplatte aus diffraktiven oder refraktiven Rasterelementen eingesetzt werden. Jedes Rasterelement erzeugt ein Strahlenbüschel, dessen Winkelverteilung durch Ausdehnung und Brennweite des Rasterelementes bestimmt ist. Die Rasterplatte befindet sich in der Objektebene eines nachfolgenden Objektivs 112 oder in deren Nähe. Das Objektiv 112 ist ein Zoom-Objektiv, welches ein paralleles Lichtbüschel mit variablem Durchmesser erzeugt. Das parallele Lichtbüschel wird durch einen Umlenkspiegel 113 auf eine optische Einheit 114 gerichtet, die ein Axikon 115 enthält. Durch das Zoom-Objektiv 112 in Verbindung mit dem Axikon 115 werden in einer Pupillenebene PP1 je nach Zoom-Stellung und Position der Axikonelemente unterschiedliche Beleuchtungskonfigurationen erzeugt.The parallel tuft of light encounters a divergence-enhancing optical element 111 , Divergence enhancing optical element 111 For example, a grid plate of diffractive or refractive grid elements can be used. Each raster element generates a bundle of rays whose angular distribution is determined by the extent and focal length of the raster element. The grid plate is located in the object plane of a subsequent objective 112 or in the vicinity. The objective 112 is a zoom lens that produces a parallel tuft of light with variable diameter. The parallel tuft of light is through a deflection mirror 113 on an optical unit 114 directed, which is an axicon 115 contains. Through the zoom lens 112 in conjunction with the axicon 115 Depending on the zoom position and position of the axicon elements, different illumination configurations are generated in a pupil plane PP1.

Stromaufwärts der Pupillenebene PP1 der Beleuchtungseinrichtung befindet ein erster Polarisationsmanipulator 200, dessen Aufbau und Funktionsweise im Weiteren näher erläutert wird und der die Eingangspolarisationsverteilung des auftreffenden Lichtes, typischerweise eine lineare Polarisationsverteilung mit konstanter Polarisationsrichtung, in eine Ausgangspolarisationsverteilung umwandelt, welche einer vorbestimmten, in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entspricht. Stromabwärts des ersten Polarisationsmanipulators 200, vorzugsweise in der Pupillenebene PP1 oder in deren unmittelbarer Nähe, befindet sich ein zweiter Polarisationsmanipulator 300, welcher eine Modifikation der vom ersten Polarisationsmanipulator 200 bereitgestellten Polarisationsverteilung bewirkt und dessen Aufbau und Funktionsweise ebenfalls im Weiteren näher erläutert wird. Auf die optische Einheit 114 folgt ein Retikel-Maskierungssystem (REMA) 118, welches durch ein REMA-Objektiv 119 auf die die abzubildenden Strukturen tragende Maske (Retikel) 125 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf der Maske 125 begrenzt. Die Maske 125 wird mit dem Projektionsobjektiv 130 auf das lichtempfindliche Substrat 140 abgebildet. Vorzugsweise in einer Pupillenebene des Projektionsobjektivs PP2 oder in deren unmittelbarer Nähe befindet sich ein dritter Polarisationsmanipulator 400, welcher die vom zweiten Polarisationsmanipulator 300 bewirkte Modifikation der Polarisationsverteilung rückgängig macht und dessen Aufbau und Funktionsweise ebenfalls im Weiteren näher erläutert wird.Upstream of the pupil plane PP1 of the illumination device is a first polarization manipulator 200 , whose structure and operation will be explained in more detail below and which converts the input polarization distribution of the incident light, typically a linear polarization distribution with constant polarization direction, into an output polarization distribution which corresponds to a predetermined polarization distribution desired in the image plane. Downstream of the first polarization manipulator 200 , preferably in the pupil plane PP1 or in its immediate vicinity, there is a second polarization manipulator 300 , which is a modification of that of the first polarization manipulator 200 provided polarization distribution causes and its structure and operation will also be explained in more detail below. On the optical unit 114 follows a reticle masking system (REMA) 118 which is powered by a REMA lens 119 on the mask bearing the structures to be imaged (reticle) 125 and thereby the illuminated area on the mask 125 limited. The mask 125 becomes with the projection lens 130 on the photosensitive substrate 140 displayed. Preferably in a pupil plane of the projection objective PP2 or in its immediate vicinity is a third polarization manipulator 400 which is that of the second polarization manipulator 300 reversed caused modification of the polarization distribution and its structure and operation will also be explained in more detail below.

Im Ergebnis bildet der erste Polarisationsmanipulator 200 zusammen mit dem zweiten Polarisationsmanipulator 300 eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 250, welche wie im weiteren erläutert eine Polarisationsverteilung einstellt, die im Vergleich zu einer vorbestimmten, einer in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entsprechenden Ausgangspolarisationsverteilung modifiziert ist.The result is the first polarization manipulator 200 together with the second polarization manipulator 300 a polarization-influencing optical arrangement 250 which, as explained below, adjusts a polarization distribution that is modified in comparison with a predetermined output polarization distribution corresponding to a desired polarization distribution in the image plane.

Zwischen einem letzten optischen Element 135 des Projektionsobjektivs 130 und dem lichtempfindlichen Substrat 140 befindet sich im Beispiel eine Immersionsflüssigkeit 136 mit einem von Luft verschiedenen Brechungsindex.Between a last optical element 135 of the projection lens 130 and the photosensitive substrate 140 is in the example an immersion liquid 136 with a refractive index different from air.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann der erste Polarisationsmanipulator 200 z. B. wie aus WO 2005/069081 A2 bekannt und in 2 dargestellt ausgestaltet sein. Demnach ist der erste Polarisationsmanipulator 200 aus einem optisch aktiven Material, insbesondere Quarz, hergestellt, insbesondere dazu geeignet, eine tangentiale Polarisationsverteilung zu erzeugen und weist gemäß 2a eine zylindrische Form mit einer Grundfläche 303 und einer dieser gegenüberliegenden Fläche 305 auf. Die Grundfläche 303 ist als kreisförmige Planfläche ausgeführt. Durch den Kreismittelpunkt verläuft senkrecht zur Planfläche die Elementachse EA. Die gegenüberliegende Fläche 305 weist einen Verlauf gegenüber der Elementachse EA gemäß einem vorgegebenen Dickenprofil auf. Die optische Kristallachse des optisch aktiven Kristalls ist parallel zur Elementachse EA ausgerichtet. Senkrecht zur Elementachse EA verläuft in der Grundflächenebene die Referenzachse RA, die die Elementachse schneidet und als Bezugsachse für den Azimutwinkel θ dient. In der in 2a dargestellten Ausführungsform weist der Polarisationsmanipulator 200 entlang eines Radius R, der senkrecht zur Elementachse EA steht und einen Winkel θ mit der Referenzachse RA bildet, eine konstante Dicke auf. Der in 2b dargestellte Dickenverlauf ist somit nur vom Azimutwinkel θ abhängig. Im Zentrum des Polarisationsmanipulators 200 befindet sich aus fertigungstechnischen Gründen eine zentrale Bohrung 11, z. B. mit einem Durchmesser von typischerweise etwa 10–15% des Gesamtdurchmessers des Polarisationsmanipulators 200 (wobei dieser Gesamtdurchmesser typischerweise im Bereich von 100 mm bis 150 mm liegen kann).According to one embodiment, the first polarization manipulator 200 z. B. like out WO 2005/069081 A2 known and in 2 be configured represented. Accordingly, the first polarization manipulator 200 from an optically active material, in particular quartz, produced, in particular suitable for generating a tangential polarization distribution and has according to 2a a cylindrical shape with a base 303 and one of these opposite surfaces 305 on. The base area 303 is designed as a circular plane. Through the circle center runs perpendicular to the plane surface, the element axis EA. The opposite surface 305 has a profile with respect to the element axis EA according to a predetermined thickness profile. The optical crystal axis of the optically active crystal is aligned parallel to the element axis EA. Perpendicular to the element axis EA, the reference axis RA, which intersects the element axis and serves as the reference axis for the azimuth angle θ, runs in the base plane. In the in 2a illustrated embodiment, the polarization manipulator 200 along a radius R, which is perpendicular to the element axis EA and forms an angle θ with the reference axis RA, a constant thickness. The in 2 B shown thickness profile is thus dependent only on the azimuth angle θ. In the center of the polarization manipulator 200 is located for production reasons, a central bore 11 , z. Example, with a diameter of typically about 10-15% of the total diameter of the polarization manipulator 200 (which overall diameter may typically be in the range of 100 mm to 150 mm).

Der Polarisationsmanipulator 200 weist somit ein Dickenprofil auf, welches in Richtung der optischen Kristallachse des optisch aktiven Kristalls variiert. The polarization manipulator 200 thus has a thickness profile which varies in the direction of the optical crystal axis of the optically active crystal.

Im Ausführungsbeispiel erzeugt der erste Polarisationsmanipulator 200, wie in 3 angedeutet, aus einer konstant linearen Eingangspolarisationsverteilung 310 mit in y-Richtung verlaufender Polarisationsvorzugsrichtung eine tangentiale Ausgangspolarisationsverteilung 320.In the embodiment, the first polarization manipulator generates 200 , as in 3 indicated from a constant linear input polarization distribution 310 with polarization preferential direction extending in the y direction, a tangential output polarization distribution 320 ,

4 zeigt eine alternative Ausgestaltung des ersten Polarisationsmanipulators, wobei dieser Polarisationsmanipulator mit der Bezugsziffer „500” bezeichnet ist und zwei planparallele Teilelemente 452, 454 von im Beispiel kreissektorförmiger Geometrie aufweist, die ebenfalls aus optisch aktivem Material (z. B. kristallinem Quarz) hergestellt sind und eine solche (identische) Dicke aufweisen, dass der Polarisationszustand in diesem Bereichen effektiv um einen Winkel vom 90° gedreht wird. Die beiden verbleibenden Bereiche 451, 453 des Polarisationsmanipulators können entweder materialfreie Bereiche sein oder ebenfalls aus optisch aktivem Material, jedoch mit einer eine Drehung der Polarisationsrichtung um ein ganzzahliges Vielfaches von 180° bewirkenden Dicke hergestellt sein, so dass in diesen Bereichen der Polarisationszustand effektiv unverändert bleibt. Der Polarisationsmanipulator 500 erzeugt somit im Ergebnis aus einer (konstant) linearen Eingangspolarisationsverteilung eine sogenannte quasi-tangentiale Ausgangspolarisationsverteilung, in welcher die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen linear polarisierten Lichtstrahlen näherungsweise senkrecht zum auf die optische Systemachse gerichteten Radius orientiert sind. 4 shows an alternative embodiment of the first polarization manipulator, said polarization manipulator with the reference numeral " 500 "Is designated and two plane-parallel sub-elements 452 . 454 of, for example, circular sector geometry, also made of optically active material (eg, crystalline quartz) and having an (identical) thickness such that the polarization state in these regions is effectively rotated through an angle of 90 °. The two remaining areas 451 . 453 The polarization manipulator can either be material-free regions or can likewise be produced from optically active material, but with a thickness which causes a rotation of the polarization direction by an integer multiple of 180 °, so that the polarization state effectively remains unchanged in these regions. The polarization manipulator 500 thus produces as a result of a (constant) linear input polarization distribution a so-called quasi-tangential output polarization distribution, in which the oscillation planes of the electric field strength vectors of the individual linearly polarized light beams are oriented approximately perpendicular to the radius directed onto the optical system axis.

Die Erfindung ist nicht auf die vorstehend beschriebene Erzeugung einer näherungsweise oder vollständig tangentialen Polarisationsverteilung beschränkt, so dass es sich bei der durch den ersten Polarisationsmanipulator 200 gemäß 1 auch um eine andere jeweils auf Waferebene gewünschte Polarisationsverteilung handeln kann.The invention is not limited to the above-described generation of an approximately or completely tangential polarization distribution, so that it can be determined by the first polarization manipulator 200 according to 1 may also be another desired polarization distribution desired at wafer level.

In weiteren Ausführungsformen kann der erste Polarisationsmanipulator auch in Form eines sogenannten „Simon-Mukunda-Gadget” in Form einer Anordnung aus zwei relativ zueinander verdrehten Lambda/4-Platten und einer Lambda/2-Platte ausgestaltet sein.In further embodiments, the first polarization manipulator may also be designed in the form of a so-called "Simon Mukunda gadget" in the form of an arrangement of two relatively rotated lambda / 4 plates and one lambda / 2 plate.

5 dient zur Erläuterung einer möglichen Realisierung des zweiten Polarisationsmanipulators 300 und/oder des dritten Polarisationsmanipulators 400. Dabei erfolgt die Realisierung in solcher Weise, dass eine variable Einstellung des bereitgestellten Polarisationsdrehwinkels ermöglicht wird. Der Polarisationsmanipulator 600 gemäß 5 ist hierzu aus zwei relativ zueinander beweglichen Ablenkprismen 610a, 610b aus optisch aktivem Material, insbesondere kristallinem Quarz, hergestellt, wobei die optische Kristallachse, wie durch die vertikal eingezeichneten Doppelpfeile angedeutet, jeweils parallel zur optischen Achse OA der Beleuchtungseinrichtung verläuft. Durch relative Verschiebung der Ablenkprismen 610a, 610b kann die Gesamtdicke des Paares von Ablenkprismen 610a, 610b in Richtung der optischen Achse OA und damit ein gewünschter Drehwinkel des Polarisationsmanipulators 600 eingestellt werden. 5 serves to explain a possible implementation of the second polarization manipulator 300 and / or the third polarization manipulator 400 , In this case, the realization takes place in such a way that a variable adjustment of the provided polarization rotation angle is made possible. The polarization manipulator 600 according to 5 This is made of two relatively movable deflecting prisms 610a . 610b made of optically active material, in particular crystalline quartz, wherein the optical crystal axis, as indicated by the vertically indicated double arrows, in each case runs parallel to the optical axis OA of the illumination device. By relative displacement of the deflecting prisms 610a . 610b can the total thickness of the pair of deflection prisms 610a . 610b in the direction of the optical axis OA and thus a desired angle of rotation of the polarization manipulator 600 be set.

Die Erfindung ist nicht auf die Realisierung des zweiten bzw. dritten Polarisationsmanipulators 300, 400 als variabel einstellbare Polarisationsmanipulatoren beschränkt. So können in weiteren Ausführungsformen diese Polarisationsmanipulatoren 300, 400 auch als Platten konstanter Dicke aus optisch aktivem Material (z. B. kristallinem Quarz) hergestellt sein, wobei die Dicke je nach dem gewünschten Polarisationsdrehwinkel geeignet gewählt ist, wobei gegebenenfalls auch ein Vorrat einer Mehrzahl von Platten unterschiedlicher Dicke bereitgestellt werden kann.The invention is not based on the realization of the second or third polarization manipulator 300 . 400 limited as variably adjustable polarization manipulators. Thus, in other embodiments, these polarization manipulators 300 . 400 also be made as plates of constant thickness of optically active material (eg crystalline quartz), wherein the thickness is suitably chosen according to the desired polarization rotation angle, wherein optionally a supply of a plurality of plates of different thickness can be provided.

Des Weiteren ist die Erfindung nicht auf Polarisationsmanipulatoren aus optisch aktivem Material beschränkt. So können in weiteren Ausführungsformen der zweite und dritte Polarisationsmanipulator 300, 400 auch aus linear doppelbrechendem Material, insbesondere in Form einer Lambda/2-Platte, hergestellt sein. Diese Lambda/2-Platte kann insbesondere um die optische Systemachse OA drehbar angeordnet sein, um eine variable Einstellung des Polarisationsdrehwinkels, welcher sich aus der Spiegelung der Eingangspolarisationsrichtung an der optischen Kristallachse ergibt, zu ermöglichen.Furthermore, the invention is not limited to polarization manipulators of optically active material. Thus, in other embodiments, the second and third polarization manipulators 300 . 400 also be made of linear birefringent material, in particular in the form of a lambda / 2 plate. In particular, this lambda / 2 plate can be rotatably arranged about the optical system axis OA in order to enable a variable adjustment of the polarization rotation angle, which results from the reflection of the input polarization direction on the optical crystal axis.

In weiteren Ausführungsformen können ausgehend etwa vom Aufbau von 1 der erste Polarisationsmanipulator 200 und der zweite Polarisationsmanipulator 300 auch funktionell in der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 250 zusammengefasst werden, welche hierzu etwa eine für sich bekannte Spiegelanordnung mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente sowie eine insbesondere rasterförmige Anordnung von polarisationsbeeinflussenden optischen Elementen aufweisen kann, um unterschiedliche Intensitäts- und Polarisationsverteilungen (also unterschiedliche polarisierte Beleuchtungssettings) einzustellen. Mittels einer den ersten Polarisationsmanipulator 200 und den zweiten Polarisationsmanipulator 300 funktionell zusammenfassenden polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung kann – gewissermaßen in einem einzigen Schritt – direkt die um die erfindungsgemäße Modifikation gegenüber der eigentlich auf Seiten des Wafers gewünschten (z. B. tangentialen) Polarisationsverteilung veränderte Polarisationsverteilung eingestellt werden.In further embodiments, starting from about the construction of 1 the first polarization manipulator 200 and the second polarization manipulator 300 also functional in the polarization-influencing optical arrangement 250 summarized, which may have a known per se mirror assembly with a plurality of independently adjustable mirror elements and a particular grid-like arrangement of polarization-influencing optical elements to set different intensity and polarization distributions (ie, different polarized illumination settings). By means of a first polarization manipulator 200 and the second polarization manipulator 300 Functionally summarizing polarization-influencing optical arrangement can be adjusted - so to speak in a single step - directly to the modification according to the invention compared to the actual on the side of the wafer desired (eg tangential) polarization distribution changed polarization distribution.

Die Erfindung ist nicht auf die in 1 darstellte Positionierung insbesondere des zweiten Polarisationsmanipulators 300 und des dritten Polarisationsmanipulators 400 beschränkt. Vorzugsweise sind der in der Beleuchtungseinrichtung vorgesehene zweite Polarisationsmanipulator 300 und der im Projektionsobjektiv vorgesehene dritte Polarisationsmanipulator 400 in Ebenen angeordnet, welche zueinander ähnliche Winkelverteilungen der jeweils hindurch tretenden Lichtstrahlen insofern aufweisen, als z. B. Lichtstrahlen, welche in der Beleuchtungseinrichtung 110 unter einem Winkel von z. B. 5° auf den zweiten Polarisationsmanipulator 300 auftreffen, in der nullten Beugungsordnung unter dem gleichen Winkel auch auf den im Projektionsobjektiv 130 vorgesehenen dritte Polarisationsmanipulator 400 auftreffen, etc. The invention is not limited to those in 1 represented positioning, in particular of the second polarization manipulator 300 and the third polarization manipulator 400 limited. The second polarization manipulator provided in the illumination device is preferably the second polarization manipulator 300 and the third polarization manipulator provided in the projection lens 400 arranged in planes which have mutually similar angular distributions of each passing light beams insofar as z. B. light rays, which in the lighting device 110 at an angle of z. B. 5 ° to the second polarization manipulator 300 in the zeroth order of diffraction at the same angle also on the projection lens 130 provided third polarization manipulator 400 hit, etc.

Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.While the invention has been described with reference to specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments will become apparent to those skilled in the art. B. by combination and / or exchange of features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be embraced by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • WO 2005/069081 A2 [0005, 0037] WO 2005/069081 A2 [0005, 0037]
  • WO 2005/031467 A2 [0006] WO 2005/031467 A2 [0006]
  • DE 10124566 A1 [0007] DE 10124566 A1 [0007]
  • WO 2006/077849 A1 [0008] WO 2006/077849 A1 [0008]

Claims (12)

Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung (110) im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (100) eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs (130) angeordnete, abzubildende Strukturen aufweisende Maske (125) beleuchtet, und wobei das Projektionsobjektiv (130) diese Objektebene auf eine Bildebene abbildet, mit: • einer in der Beleuchtungseinrichtung (110) vorgesehenen polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung (250), welche eine Polarisationsverteilung einstellt, die im Vergleich zu einer vorbestimmten, einer in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entsprechenden Ausgangspolarisationsverteilung modifiziert ist; und • einem im Projektionsobjektiv (130) vorgesehenen Polarisationsmanipulator (400), welcher die in der Beleuchtungseinrichtung (130) eingestellte modifizierte Polarisationsverteilung in die vorbestimmte, in der Bildebene gewünschte Polarisationsverteilung umwandelt; • wobei die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (250) derart konfiguriert ist, dass infolge dieser Modifikation der maximale Wert einer in der Bildebene für unterschiedliche Maskenstrukturen resultierenden Fokuslagenverschiebung im Vergleich zu einem analogen System ohne diese Modifikation reduziert ist.Microlithographic projection exposure apparatus comprising a lighting device and a projection lens, wherein the illumination device ( 110 ) during operation of the projection exposure apparatus ( 100 ) one in an object plane of the projection lens ( 130 ) having structures to be imaged ( 125 ), and wherein the projection lens ( 130 ) images this object plane onto an image plane, with: • one in the illumination device ( 110 ) polarization-influencing optical arrangement ( 250 ) which adjusts a polarization distribution which is modified in comparison with a predetermined output polarization distribution corresponding to a desired polarization distribution in the image plane; and • one in the projection objective ( 130 ) polarization manipulator ( 400 ), which in the lighting device ( 130 ) converts modified polarization distribution into the predetermined, desired in the image plane polarization distribution; Wherein the polarization-influencing optical arrangement ( 250 ) is configured such that as a result of this modification, the maximum value of a focus position shift resulting in the image plane for different mask structures is reduced compared to an analog system without this modification. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Modifikation in der Beleuchtungseinrichtung (110) derart gewählt ist, dass eine Variation der in der Bildebene für unterschiedliche Maskenstrukturen resultierenden Fokuslage nicht mehr als 0,1· λ / NA beträgt, wobei λ die Arbeitswellenlänge und NA die numerische Apertur des Projektionsobjektivs (130) bezeichnen.Microlithographic projection exposure apparatus according to claim 1, characterized in that the modification in the illumination device ( 110 ) is selected such that a variation of the focal position resulting in the image plane for different mask structures does not exceed 0.1. λ / NA where λ is the operating wavelength and NA is the numerical aperture of the projection objective ( 130 ) describe. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der im Projektionsobjektiv (130) vorgesehene Polarisationsmanipulator (400) ein dritter Polarisationsmanipulator ist, wobei die in der Beleuchtungseinrichtung (110) vorgesehene polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (250) aufweist: – einen ersten Polarisationsmanipulator (200, 500), welcher eine Eingangspolarisationsverteilung in die Ausgangspolarisationsverteilung umwandelt, welche der in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entspricht; und – einen zweiten Polarisationsmanipulator (300), welcher stromabwärts des ersten Polarisationsmanipulators (200, 500) angeordnet und derart konfiguriert ist, dass er die Modifikation der vom ersten Polarisationsmanipulator (200, 500) bereitgestellten Ausgangspolarisationsverteilung bewirkt.Microlithographic projection exposure apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that in the projection objective ( 130 ) provided polarization manipulator ( 400 ) is a third polarization manipulator, wherein in the illumination device ( 110 ) provided polarization-influencing optical arrangement ( 250 ): - a first polarization manipulator ( 200 . 500 ) which converts an input polarization distribution into the output polarization distribution corresponding to the desired polarization distribution in the image plane; and - a second polarization manipulator ( 300 ), which downstream of the first polarization manipulator ( 200 . 500 ) and is configured to carry out the modification of the first polarization manipulator ( 200 . 500 ) causes output polarization distribution. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung (110) im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (100) eine Objektebene des Projektionsobjektivs (130) beleuchtet und das Projektionsobjektiv (130) diese Objektebene auf eine Bildebene abbildet, mit: • einem ersten Polarisationsmanipulator (200, 500), welcher in der Beleuchtungseinrichtung (110) angeordnet und derart konfiguriert ist, dass er eine Eingangspolarisationsverteilung in eine Ausgangspolarisationsverteilung umwandelt, wobei diese Ausgangspolarisationsverteilung einer vorbestimmten, in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entspricht; • einem zweiten Polarisationsmanipulator (300), welcher in der Beleuchtungseinrichtung (110) stromabwärts des ersten Polarisationsmanipulators (200, 500) angeordnet und derart konfiguriert ist, dass er eine Modifikation der vom ersten Polarisationsmanipulator (200, 500) bereitgestellten Ausgangspolarisationsverteilung bewirkt; und • einem dritten Polarisationsmanipulator (400), welcher im Projektionsobjektiv (130) angeordnet und derart einstellbar ist, dass er die vom zweiten Polarisationsmanipulator (300) bewirkte Modifikation rückgängig macht.Microlithographic projection exposure apparatus comprising a lighting device and a projection lens, wherein the illumination device ( 110 ) during operation of the projection exposure apparatus ( 100 ) an object plane of the projection objective ( 130 ) and the projection lens ( 130 ) images this object plane onto an image plane, comprising: a first polarization manipulator ( 200 . 500 ), which in the lighting device ( 110 ) and configured to convert an input polarization distribution into an output polarization distribution, said output polarization distribution corresponding to a predetermined polarization distribution desired in the image plane; A second polarization manipulator ( 300 ), which in the lighting device ( 110 ) downstream of the first polarization manipulator ( 200 . 500 ) and configured to carry out a modification of the first polarization manipulator ( 200 . 500 ) provides output polarization distribution; and a third polarization manipulator ( 400 ), which in the projection objective ( 130 ) and is adjustable so that it from the second polarization manipulator ( 300 ) reversed modification. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Modifikation der vom ersten Polarisationsmanipulator (200, 500) bereitgestellten Ausgangspolarisationsverteilung eine konstante Drehung dieser Ausgangspolarisationsverteilung darstellt.Microlithographic projection exposure apparatus according to claim 3 or 4, characterized in that the modification of the first polarization manipulator ( 200 . 500 ) provides a constant rotation of this output polarization distribution. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der im Projektionsobjektiv (130) vorgesehene Polarisationsmanipulator (400) derart konfiguriert ist, dass er eine variable Einstellung des bereitgestellten Polarisationsdrehwinkels ermöglicht.Microlithographic projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that in the projection objective ( 130 ) provided polarization manipulator ( 400 ) is configured to allow variable adjustment of the polarization rotation angle provided. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der im Projektionsobjektiv (130) vorgesehene Polarisationsmanipulator (400) in einer Pupillenebene des Projektionsobjektivs (130) angeordnet ist.Microlithographic projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that in the projection objective ( 130 ) provided polarization manipulator ( 400 ) in a pupil plane of the projection objective ( 130 ) is arranged. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der in der Beleuchtungseinrichtung (110) vorgesehene zweite Polarisationsmanipulator (300) derart konfiguriert ist, dass er eine variable Einstellung des bereitgestellten Polarisationsdrehwinkels ermöglicht. Microlithographic projection exposure apparatus according to any one of claims 3 to 7, characterized in that in the illumination device ( 110 ) provided second polarization manipulator ( 300 ) is configured to allow variable adjustment of the polarization rotation angle provided. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der in der Beleuchtungseinrichtung (110) vorgesehene zweite Polarisationsmanipulator (300) in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung (110) angeordnet ist.Microlithographic projection exposure apparatus according to any one of claims 3 to 8, characterized in that in the illumination device ( 110 ) provided second polarization manipulator ( 300 ) in a pupil plane of the illumination device ( 110 ) is arranged. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die der in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entsprechende Ausgangspolarisationsverteilung eine zumindest näherungsweise tangentiale Polarisationsverteilung ist.Microlithographic projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the output polarization distribution corresponding to the desired polarization distribution in the image plane is an at least approximately tangential polarization distribution. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Polarisationsmanipulator (200, 500) aus optisch aktivem Kristallmaterial hergestellt ist und ein in Richtung seiner optischen Kristallachse variierendes Dickenprofil aufweist.Microlithographic projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the first polarization manipulator ( 200 . 500 ) is made of optically active crystal material and has a varying thickness profile in the direction of its optical crystal axis. Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, wobei eine Beleuchtungseinrichtung eine Objektebene eines Projektionsobjektivs (130) beleuchtet und das Projektionsobjektiv (130) diese Objektebene auf eine Bildebene abbildet, mit den Schritten: a) Einstellen einer Polarisationsverteilung in der Beleuchtungseinrichtung (110), welche im Vergleich zu einer einer vorbestimmten, in der Bildebene gewünschten Polarisationsverteilung entsprechenden Ausgangspolarisationsverteilung modifiziert ist; und b) Umwandeln dieser modifizierten Polarisationsverteilung in die vorbestimmte, in der Bildebene gewünschte Polarisationsverteilung im Projektionsobjektiv (130); wobei infolge der im Schritt a) erfolgenden Modifikation der maximale Wert einer in der Bildebene für unterschiedliche Maskenstrukturen resultierenden Fokuslagenverschiebung im Vergleich zu einem analogen System ohne diese Modifikation reduziert wird.A microlithographic exposure method, wherein a lighting device is an object plane of a projection objective ( 130 ) and the projection lens ( 130 ) images this object plane onto an image plane, comprising the steps of: a) setting a polarization distribution in the illumination device ( 110 ) which is modified in comparison with an output polarization distribution corresponding to a predetermined polarization distribution desired in the image plane; and b) converting this modified polarization distribution into the predetermined polarization distribution desired in the image plane in the projection objective ( 130 ); whereby, as a result of the modification taking place in step a), the maximum value of a focus position shift resulting in the image plane for different mask structures is reduced in comparison to an analog system without this modification.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9411245B2 (en) 2012-01-12 2016-08-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-influencing optical arrangement, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10010131A1 (en) * 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Microlithography projection exposure with tangential polarization involves using light with preferred direction of polarization oriented perpendicularly with respect to plane of incidence
DE10124566A1 (en) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optical imaging system with polarizing agents and quartz crystal plate therefor
WO2005031467A2 (en) 2003-09-26 2005-04-07 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure
WO2005069081A2 (en) 2004-01-16 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-modulating optical element
WO2006077849A1 (en) 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation Method of adjusting lighting optical device, lighting optical device, exposure system, and exposure method
DE102007031691A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-08 Carl Zeiss Smt Ag Method for operating micro-lithographic projection lighting system, involves illuminating alternating phase shift mask with projection light, which has approximately coherent lighting angle distribution with coherence parameter

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10010131A1 (en) * 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Microlithography projection exposure with tangential polarization involves using light with preferred direction of polarization oriented perpendicularly with respect to plane of incidence
DE10124566A1 (en) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optical imaging system with polarizing agents and quartz crystal plate therefor
US6774984B2 (en) * 2001-05-15 2004-08-10 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies, Ag Optical imaging system with polarizer and a crystalline-quartz plate for use therewith
WO2005031467A2 (en) 2003-09-26 2005-04-07 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure
WO2005069081A2 (en) 2004-01-16 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-modulating optical element
WO2006077849A1 (en) 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation Method of adjusting lighting optical device, lighting optical device, exposure system, and exposure method
DE102007031691A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-08 Carl Zeiss Smt Ag Method for operating micro-lithographic projection lighting system, involves illuminating alternating phase shift mask with projection light, which has approximately coherent lighting angle distribution with coherence parameter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9411245B2 (en) 2012-01-12 2016-08-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-influencing optical arrangement, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus

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