DE102011079063A1 - Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements - Google Patents
Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 31
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 288
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 17
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 15
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 9
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 9-n,9-n,10-n,10-n-tetrakis(4-methylphenyl)anthracene-9,10-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C(N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004829 CaWO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 4-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n-bis[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-2-(4-tert-butylpyridin-2-yl)pyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004762 CaSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 241000588731 Hafnia Species 0.000 description 1
- WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N Manganese(2+) Chemical compound [Mn+2] WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017672 MgWO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 Chemical compound OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000012356 Product development Methods 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000003978 Tissue Plasminogen Activator Human genes 0.000 description 1
- 108090000373 Tissue Plasminogen Activator Proteins 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDGNFKSZZTUTIF-UHFFFAOYSA-N [Ru+3].CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1.CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1.CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 Chemical compound [Ru+3].CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1.CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1.CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 HDGNFKSZZTUTIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002979 perylenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000001629 stilbenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000391 tricalcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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Abstract
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein lichtemittierendes Bauelement (100) bereitgestellt, aufweisend: eine erste transluzente Elektrode (104); eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur (106, 108) auf oder über der ersten Elektrode (104); eine zweite transluzente Elektrode (112) auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106, 108); eine optisch transluzente Schichtenstruktur (116) auf oder über der zweiten Elektrode (112), wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur (116) Photolumineszenzmaterial (120) aufweist; und eine Spiegel-Schichtenstruktur (118) auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur (116).
Description
- Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements.
- In organischen Leuchtdioden (OLEDs) wird Licht beispielsweise mittels Elektrolumineszenz von organischen Farbzentren (Chromophore) in einer organischen Matrix erzeugt. Diese organische Matrix befindet sich üblicherweise in einem Schichtenstapel aus organischen Transportmaterialien und mindestens zwei elektrisch leitfähigen Elektroden, beispielsweise auf einem Substrat. Von den zwei elektrisch leitfähigen Elektroden ist zumindest eine elektrisch leitfähige Elektrode transluzent, beispielsweise transparent, und bildet gemeinsam mit dem Schichtenstapel und der zweiten elektrisch leitfähigen Elektrode eine optische Mikrokavität, gegebenenfalls in Verbindung mit zusätzlichen dielektrischen Schichten zur optischen Anpassung, die ebenfalls Teil einer organischen Leuchtdiode sein können.
- Die Auswahl der Farbzentren und organischen Materialien sowie der Aufbau des Schichtenstapels beeinflussen die Kenndaten der OLED, wie beispielsweise deren Effizienz, Lebensdauer und Farbwiedergabeindex (CRI). Eine Optimierung der Farbzentren und des Schichtenstapels bezüglich des Farbwiedergabeindex erfordert in der Regel Kompromisse bezüglich der anderen Kenndaten sowie ein möglicherweise aufwendiges Anpassen und Abstimmen der organischen Matrixmaterialien und organischen Transportmaterialien im Schichtenstapel. Vergleichbar aufwendig ist eine Abstimmung der Farbtemperatur einer OLED-Kachel, die eine oder mehrere OLEDs aufweist, für spezielle Kundenwünsche.
- Bei einer organischen Leuchtdiode werden üblicherweise die Farbwiedergabe und die Farbtemperatur durch Anpassung des Organik-Schichtenstapels und der optischen Mikrokavität (inklusive der elektrisch leitfähigen Elektroden und der gegebenenfalls ebenfalls vorgesehenen Entspiegelungsschichten) eingestellt. Aufgrund vieler wechselseitiger Abhängigkeiten der elektrischen und optischen Eigenschaften ist dies jedoch bislang nur mit vergleichsweise hohem Entwicklungsaufwand zu erreichen.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein lichtemittierendes Bauelement bereitgestellt. Das lichtemittierende Bauelement kann aufweisen eine erste transluzente Elektrode; eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode; eine zweite transluzente Elektrode auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur; eine optisch transluzente Schichtenstruktur auf oder über der zweiten transluzenten Elektrode, wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur Photolumineszenzmaterial aufweist; und eine Spiegel-Schichtenstruktur auf oder über der optisch transluzenten Schicht.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein lichtemittierendes Bauelement bereitgestellt, bei dem eine große Designfreiheit hinsichtlich der Materialauswahl für die optisch transluzente Schichtenstruktur und das darin enthaltene Photolumineszenzmaterial erzielt wird, da für diese Schichtenstruktur und das darin enthaltene Photolumineszenzmaterial lediglich die Eigenschaft der Photolumineszenz erforderlich ist, nicht jedoch die Eigenschaft der Elektrolumineszenz, die allerdings optional ebenfalls vorhanden sein kann.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird somit anschaulich die optisch transluzente Schichtenstruktur bzw. das Photolumineszenzmaterial nicht mit elektrischem Strom gepumpt, sondern vorwiegend oder ausschließlich mit Licht.
- Unter dem Begriff „transluzent“ oder „transluzente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht“ in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichtes gestreut werden kann.
- Unter dem Begriff „transparente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Somit ist „transparent“ als ein Spezialfall von „transluzent“ aufzufasssen.
- Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur im für Strahlung zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte Emissionsspektrum transluzent ist.
- In einer Ausgestaltung kann die zweite Elektrode derart eingerichtet sein, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur mit der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur optisch gekoppelt ist.
- In noch einer Ausgestaltung kann das Photolumineszenzmaterial ein Material aus mindestens einer der folgenden Materialgruppen aufweisen: Organische Farbstoffmoleküle; Anorganische Phosphore; Nanodots; Nanoteilchen.
- In noch einer Ausgestaltung kann eine elektrisch isolierende Schicht zwischen der zweiten Elektrode und der optisch transluzenten Schichtenstruktur vorgesehen sein.
- In noch einer Ausgestaltung kann eine Barriereschicht / Dünnschichtverkapslung zwischen der zweiten Elektrode und der optisch transluzenten Schichtenstruktur.
- In noch einer Ausgestaltung kann der Brechungsindex der optisch transluzenten Schichtenstruktur im Wesentlichen angepasst sein zu dem Brechungsindex der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur.
- In noch einer Ausgestaltung kann die optisch transluzente Schichtenstruktur zusätzlich ein oder mehrere Streumaterialien aufweisen.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein lichtemittierendes Bauelement bereitgestellt. Das lichtemittierende Bauelement kann aufweisen eine Spiegel-Schichtenstruktur; eine optisch transluzente Schichtenstruktur auf oder über der Spiegel-Schichtenstruktur, wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur Photolumineszenzmaterial aufweist; eine erste transluzente Elektrode auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur; eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode; und eine zweite transluzente Elektrode auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur.
- In noch einer Ausgestaltung kann das lichtemittierende Bauelement ferner aufweisen eine elektrisch isolierende Schicht zwischen der ersten transluzenten Elektrode und der optisch transluzenten Schichtenstruktur.
- In noch einer Ausgestaltung kann das lichtemittierende Bauelement ferner aufweisen eine Barriereschicht/Dünnschichtverkapslung zwischen der ersten Elektrode und der optisch transluzenten Schichtenstruktur.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Bereitstellen einer ersten transluzenten Elektrode; ein Bilden einer organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode; ein Bilden einer zweiten transluzenten Elektrode auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur; ein Bilden einer optisch transluzenten Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode, wobei in der optisch transluzente Schichtenstruktur Photolumineszenzmaterial gebildet werden; und ein Bilden einer Spiegel-Schichtenstruktur auf oder über der optisch transluzenten Schicht.
- In einer Ausgestaltung kann die zweite Elektrode derart gebildet werden, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur mit der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur optisch gekoppelt wird.
- In noch einer Ausgestaltung kann als Photolumineszenzmaterial ein Material aus mindestens einer der folgenden Materialgruppen verwendet werden: Organische Farbstoffmoleküle; Anorganische Phosphore; Nanodots; Nanoteilchen.
- In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen ein Bilden einer elektrisch isolierenden Schicht auf oder über der zweiten Elektrode; wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur auf oder über der elektrisch isolierenden Schicht gebildet werden kann.
- In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen ein Bilden einer Barriereschicht (optional ein nachfolgendes Bilden einer Dünnfilmverkapselung, um die elektrolumineszente Schichten zu schützen.
- In noch einer Ausgestaltung kann der Brechungsindex der optisch transluzenten Schichtenstruktur im Wesentlichen angepasst sein zu dem Brechungsindex der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur.
- In noch einer Ausgestaltung kann die optisch transluzente Schichtenstruktur zusätzlich ein oder mehrere Streumaterialien aufweisen.
- In noch einer Ausgestaltung kann die optisch transluzente Schichtenstruktur gebildet werden mittels Aufdampfens.
- In noch einer Ausgestaltung kann das Photolumineszenzmaterial in-situ in die optisch transluzente Schichtenstruktur eingebettet werden, beispielsweise in-situ während des Aufdampfens.
- In noch einer Ausgestaltung kann die optisch transluzente Schichtenstruktur gebildet werden mittels eines nasschemischen Prozesses.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierendes Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Bereitstellen einer Spiegel-Schichtenstruktur; ein Bilden einer optisch transluzenten Schichtenstruktur auf oder über der Spiegel-Schichtenstruktur, wobei in der optisch transluzente Schichtenstruktur Photolumineszenzmaterial gebildet wird; ein Bilden einer ersten transluzenten Elektrode auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur; ein Bilden einer organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode; und ein Bilden einer zweiten transluzenten Elektrode auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur.
- In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen ein Bilden einer elektrisch isolierenden Schicht auf oder über der der optisch transluzenten Schichtenstruktur; wobei die erste Elektrode auf oder über der elektrisch isolierenden Schicht gebildet wird.
- In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen ein Bilden einer Barriereschicht (optional ferner ein nachfolgendes Bilden einer Dünnfilmverkapselung, um die elektrolumineszente Schichten zu schützen).
- Ein Vorteil verschiedener Ausführungsbeispiele ergibt sich anschaulich aus den zusätzlichen Freiheitsgraden, die Farbanteile des aus der OLED-Kavität emittierten Lichtes zu verändern, ohne in die elektrische Funktion der OLED (allgemein des lichtemittierenden Bauelements) einzugreifen. Dadurch können einerseits mehr verschiedene Farbzentren gleichzeitig zur Lichterzeugung beitragen, als es bisher in konventionellen OLED-Schichtenstapeln möglich war. Andererseits vergrößert der Ansatz gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen die Auswahl an möglichen Chromophoren, da er keine Beschränkungen bezüglich des elektrischen Transports und der Elektrolumineszenz auferlegt. Die wesentlichen Eigenschaften der Chromophore in der oder den externen Kavität(en) gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen sind Quanteneffizienz und Anregungs- und Emissionsspektrum. Beispielsweise können auch anorganische Chromophore eingesetzt werden. Eine geeignete Auswahl aus mehreren Farbzentren mit sich ergänzenden Emissionsspektren ermöglicht eine hohe Farbwiedergabe und ein vereinfachtes Abstimmen der Farbtemperatur und eine Verringerung des Aufwands in der Produktentwicklung.
- Durch die Anordnung der Farbzentren in einer externen Kavität gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine höhere Effizienz der Lichtumwandlung erreicht werden als das beispielsweise mit Phosphoren auf der Oberfläche eines OLED-Bauteils möglich ist.
- Ferner kann durch die Anordnung der Farbzentren innerhalb der externen Kavität gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Veränderung des Farbverzuges über dem Betrachtungswinkel erzielt werden. Auch hier kann die Anordnung der Farbzentren nach rein optischen Kriterien erfolgen, ohne auf ihre elektrischen Transporteigenschaften zu achten, wie dies in bisherigen rein elektrolumineszenten OLED-Schichtenstapeln erforderlich war.
- Weitere mögliche Vorteile gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen sind eine höhere Effizienz und Lebensdauer des lichtemittierenden Bauelements. Dies kann dadurch erreicht werden, dass elektrolumineszente Farbzentren mit beschränkter Effizienz und Lebensdauer gegebenenfalls durch photolumineszent Farbzentren in der einen oder den mehreren externen Kavität(en) ersetzt werden können.
- Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
- Es zeigen
-
1 ein lichtemittierendes Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; -
2 ein lichtemittierendes Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; -
3 ein lichtemittierendes Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; -
4 ein lichtemittierendes Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; -
5 ein lichtemittierendes Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; und -
6A bis6F ein lichtemittierendes Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verschiedenen Zeitpunkten während dessen Herstellung. - In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
- Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
- Ein lichtemittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine organische lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), oder als ein organischer lichtemittierender Transistor ausgebildet sein. Das lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
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1 zeigt eine organische Leuchtdiode100 als eine Implementierung eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. - Das lichtemittierende Bauelement in Form einer organischen Leuchtdiode
100 kann ein Substrat102 aufweisen. Das Substrat102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann das Substrat102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann das Substrat102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Weiterhin kann das Substrat102 beispielsweise eine Metallfolie aufweisen, beispielsweise eine Aluminiumfolie, eine Edelstahlfolie, eine Kupferfolie oder eine Kombination oder einen Schichtenstapel darauf. Das Substrat102 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. Das Substrat102 kann transluzent, beispielsweise transparent, teilweise transluzent, beispielsweise teilweise transparent, oder auch opak ausgeführt sein. - Auf oder über dem Substrat
102 kann eine erste Elektrode104 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht104 ) aufgebracht sein. Die erste Elektrode104 (im Folgenden auch als untere Elektrode104 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben oder unterschiedlichen Metalls oder Metalle und/oder desselben oder unterschiedlicher TCOs. Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode
104 ein Metall aufweisen, beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Au, Ca, Sm oder Li sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien (beispielsweise eine AgMg-Legierung) aufweisen. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode
104 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode eines oder mehrere der folgenden Materialien vorsehen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
- Ferner können diese Elektroden leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder leitfähige transparente Oxide aufweisen.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode als ein so genannter Top-Emitter und/oder als ein so genannter Bottom-Emitter eingerichtet sein. Unter einem Top-Emitter kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine organische Leuchtdiode verstanden werden, bei der das Licht von der organischen Leuchtdiode durch die dem Substrat gegenüberliegende Seite oder Deckschicht, beispielsweise durch die zweite Elektrode, abgestrahlt wird. Unter einem Bottom-Emitter kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine organische Leuchtdiode verstanden werden, bei der das Licht von der organischen Leuchtdiode nach unten, beispielsweise durch das Substrat und die erste Elektrode, abgestrahlt wird.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode
104 reflektierend oder transluzent oder transparent ausgebildet sein. - Für den Fall, dass das lichtemittierende Bauelement
100 Licht durch das Substrat abstrahlt, können die erste Elektrode104 und das Substrat102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In diesem Fall kann für den Fall, dass die erste Elektrode104 aus einem Metall gebildet wird, kann die erste Elektrode104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode104 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm. Weiterhin kann für den Fall einer transluzenten oder transparenten ersten Elektrode104 und für den Fall, dass die erste Elektrode104 aus einem leitfähigen transparenten Oxid (TCO) gebildet wird, die erste Elektrode104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 2550 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm. Ferner kann für den Fall einer transluzenten oder transparenten ersten Elektrode104 und für den Fall, dass die erste Elektrode104 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfahiqen Polymeren kombiniert sein können, oder von Graphen-Schichten und Kompositen gebildet wird, die erste Elektrode104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm. - Für den Fall, dass das lichtemittierende Bauelement
100 Licht ausschließlich nach oben abstrahlt, kann die erste Elektrode104 auch opak oder reflektierend eingerichtet sein. Für den Fall, dass die erste Elektrode104 reflektierend und aus Metall ausgebildet ist, kann die erste Elektrode104 eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 50 nm. - Die erste Elektrode
104 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als elektroneninjezierend. - Die erste Elektrode
104 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle114 (beispielsweise eine Stromquelle oder eine Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an das Substrat102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode104 zugeführt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein. - Weiterhin kann das lichtemittierende Bauelement
100 eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode104 aufgebracht ist oder wird. - Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur kann eine oder mehrere Emitterschichten
108 , beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, enthalten, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten106 . - Beispiele für Emittermaterialien, die in dem lichtemittierenden Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht(en)
108 eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)3·2(PF6) (Tris[4,4’-di-tert-butyl-(2,2’)-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels nasschemischen Verfahren, wie beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind. - Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
- Die Emittermaterialien der Emitterschicht(en)
108 des lichtemittierenden Bauelements100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement100 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht(en)108 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht(en)108 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht108 oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht108 , einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht108 und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht108 . Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt. - Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules“) oder Kombination dieser Materialien aufweisen.
- Beispielsweise kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht
106 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. - Beispielsweise kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht
106 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. - Als Material für die Lochtransportschicht
106 können beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate, leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren funktionellen Schichten als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Lochtransportschicht
106 auf oder über der ersten Elektrode104 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht108 kann auf oder über der Lochtransportschicht106 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur (also die Summe der Dicken von Transportschicht(en)
106 und Emitterschicht(en)108 ) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur beispielsweise einen Stapel von drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 µm. - Das lichtemittierende Bauelement
100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten (in1 symbolisiert mittels einer Schicht110 , angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten108 ) aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements100 weiter zu verbessern. - Das lichtemittierende Bauelement
100 kann als „Bottom-Emitter“ und/oder „Top-Emitter“ ausgeführt sein. - Auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder mehreren weiteren organischen Funktionsschichten
110 kann eine zweite Elektrode112 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht112 ) aufgebracht sein. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode
112 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode104 , wobei in verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode
112 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm. - Die zweite Elektrode
112 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode104 , oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode112 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdicke (je nachdem, ob die zweite Elektrode reflektierend, transluzent oder transparent ausgebildet werden soll) ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode104 beschrieben. - Die zweite Elektrode
112 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als elektroneninjezierend. - Bei diesen Schichtdicken ist die im Folgenden noch näher erläuterte zusätzliche Mikrokavität optisch mit der von der einen oder mehreren elektrolumineszenten Schichtenstrukturen gebildeten Mikrokavität(en) gekoppelt.
- Die zweite Elektrode
112 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten - elektrischen Potential), bereitgestellt von der Energiequelle
114 , anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 5 V bis ungefähr 10 V. - Auf oder über der zweiten Elektrode
112 kann eine optisch transluzente Schichtenstruktur116 vorgesehen sein. Die optisch transluzente Schichtenstruktur116 kann Photolumineszenzmaterial120 aufweisen. - Die optisch transluzente Schichtenstruktur
116 kann grundsätzlich aus einem beliebigen Material gebildet werden oder sein, beispielsweise einem dielektrischen Material, beispielsweise einem organischen Material, das beispielsweise eine organische Matrix bildet, in die das Photolumineszenzmaterial120 eingebettet werden kann oder sein kann. Auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 ist eine Spiegel-Schichtenstruktur118 aufgebracht. Die optisch transluzente Schichtenstruktur116 und die Spiegel-Schichtenstruktur118 bilden gemeinsam anschaulich eine an die elektrolumineszente Mikrokavität des lichtemittierenden Bauelements100 , beispielsweise der OLED, optisch angekoppelte (anschaulich also externe) photolumineszente Kavität, beispielsweise Mikrokavität, mit einem optisch aktiven Medium oder einer Mehrzahl von optisch aktiven Medien. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die optisch transluzente Schichtenstruktur
116 für Strahlung zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von380 nm bis780 nm transluzent. - Die optisch transluzente Schichtenstruktur
116 der „externen“ photolumineszenten Kavität wird dazu beispielsweise in diesem Ausführungsbeispiel in Kontakt gebracht mit der transluzenten, transparenten oder semitransparenten zweiten Elektrode112 der OLED-Mikrokavität. Die „externe“ photolumineszente Kavität nimmt nicht oder nur zu geringem Teil an dem Stromtransport durch die OLED teil, anders ausgedrückt, es fließt kein oder nur ein vernachlässigbar kleiner elektrischer Strom durch die „externe“ Kavität und damit durch die optisch transluzente Schichtenstruktur116 und die Spiegel-Schichtenstruktur118 . - Wie oben schon dargelegt kann die „externe“ photolumineszente Kavität, und dabei insbesondere die optisch transluzente Schichtenstruktur
116 , in verschiedenen Ausführungsbeispielen mit einer geeigneten organischen Matrix „gefüllt“ sein oder von einer solchen gebildet sein, in der Photolumineszenzmaterial120 eingebettet werden kann oder sein kann, beispielsweise kann die organische Matrix mit organischen oder anorganischen Chromophoren und Phosphoren dotiert sein. Die „externe“ photolumineszente Kavität kann zwei Spiegel oder Spiegel-Schichtenstrukturen aufweisen, von denen mindestens einer oder eine transluzent, transparent oder semitransparent ist. Der transluzente, transparente oder semitransparente Spiegel (oder die transluzente, transparente oder semitransparente Spiegel-Schichtenstruktur) kann mit der transluzenten, transparenten oder semitransparenten zweiten Elektrode112 der OLED Mikrokavität identisch sein (diese Ausführungsbeispiele sind in den Figuren dargestellt; in alternativen Ausführungsbeispielen kann jedoch noch eine zusätzliche transluzente, transparente oder semitransparente Spiegel-Schichtenstruktur zwischen der zweiten Elektrode112 und der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 vorgesehen sein). - Als Material für die organische Matrix können in verschiedenen Ausführungsbeispielen niedermolekulare organische Verbindungen („kleine“ Moleküle, „small molecules“) vorgesehen sein, die beispielsweise mittels Verdampfens im Vakuum aufgebracht werden können, wie zum Beispiel alpha-NPD oder 1-TNATA. In alternativen Ausführungsbeispielen kann die organische Matrix gebildet werden von oder bestehen aus polymeren Materialien, die beispielsweise eine optisch transparente polymere Matrix bilden (Epoxide, Polymethylmethacrylat, PMMA, EVA, Polyester, Polyurethane, oder dergleichen), die mittels eines nasschemischen Verfahrens (beispielsweise Aufschleudern oder Drucken) aufgebracht werden können. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann beispielsweise jedes organische Material für die organische Matrix verwendet werden, wie es auch in der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur verwendet werden kann. Ferner kann in alternativen Ausführungsbeispielen die optisch transluzente Schichtenstruktur
116 aufweisen oder gebildet werden von einem anorganischen Halbleitermaterial, beispielsweise SiN, SiO2, GaN, etc., die beispielsweise mittels eines Niedrigtemperatur-Abscheideverfahrens (beispielsweise aus der Gasphase) (d.h. beispielsweise bei einer Temperatur von kleiner oder gleich ungefähr 100 °C). In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Brechungsindizes der OLED-Funktionsschichten106 ,108 und der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 möglichst zueinander angepasst sein, wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur116 auch hochbrechende Polymere aufweisen kann, beispielsweise Polyimide mit einem Brechungsindex von bis zu n = 1,7, oder Polyurethan mit einem Brechungsindex von bis zu n = 1,74. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen können in den Polymeren Additive vorgesehen sein. Eine hochbrechende Polymermatrix kann somit anschaulich durch Einmischen von geeigneten Additiven in eine normalbrechende polymere Matrix erreicht werden. Geeignete Additive sind zum Beispiel Titanoxid- oder Zirkoniumoxid-Nanopartikel oder Verbindungen, die Titanoxid- oder Zirkoniumoxid aufweisen.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten transluzenten Elektrode
112 und der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 noch eine elektrisch isolierende Schicht aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 1,5 µm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 1 µm, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann optional noch eine Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung gebildet werden.
- Unter einer „Barrierendünnschicht“ bzw. einem „Barriere-Dünnfilm“ kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Geeeignete Ausgestaltungen der Barrierendünnschicht lassen sich beispielsweise in den Patentanmeldungen
DE 10 2009 014 543 A1 ,DE 10 2008 031 405 A1 ,DE 10 2008 048 472 A1 undDE 2008 019 900 A1 finden. - Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Barrierendünnschicht als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) oder eines plasmalosen Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)), oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD)) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
- Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
- Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat“ bezeichnet werden.
- Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens.
- Die Barrierendünnschicht kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10nm bis ungefähr 100nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40nm gemäß einer Ausgestaltung.
- Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
- Die Barrierendünnschicht oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht) aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
- Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben.
- Das Photolumineszenzmaterial
120 kann ein Material aus mindestens einer der folgenden Materialgruppen aufweisen oder daraus bestehen: Organische Farbstoffmoleküle; Anorganische Phosphore; und/oder Nanodots oder Nanoteilchen. - Unter organischen Farbstoffmoleküle sind beispielsweise alle Moleküle zu verstehen, die auch in der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur verwendet werden können, beispielsweise die elektrokumineszenten (flouoreszenten oder phosphoreszenten) Materialien, die oben beschrieben worden sind. Organische Farbstoffmoleküle umfassen aber auch die Moleküle, die vorwiegend oder ausschließlich photolumineszente Eigenschaften besitzen. Sie können auch die Farbstoffe umfasssen, die beispielsweise in Farbstofflasern oder als Fluoreszenzmarker eingesetzt werden, wie beispielsweise Fluoreszenz-Farbstoffe: Cumarine, Naphthale, Oxazole, Perylene, Perylen Bisimide, Pyrene, Stilbene, Styryle, Xanthane.
- Unter anorganischen Phosphoren sind beispielsweise alle Materialien zu verstehen, die zur Lichtkonversion in beispielsweise einer Leuchtdiode (LED) oder in einer Leuchtstoffröhre Verwendung finden, wie beispielsweise
- • an sich typische Phosphore für LEDs, wie beispielsweise Phosphore basierend auf YAG:Ce3+; wobei für Ce auch Eu, Tb, Gd oder weitere seltenen Erden dotiert werden können, wobei Teile des Al durch Ga ersetzt sein können, beispielsweise: (Y1-aGda)(Al1-bGab)5O12:(Ce,Tb,Gd); β-SiAlON dotiert mit seltenen Erden; CaAlSiN3-basierte Phosphore; sowie Mischungen und Legierungen von diesen Materialien; oder
- • an sich typische Phosphore für Fluoreszenzlampen wie beispielsweise (Ba,Eu)Mg2Al16O27; (Ce,Tb)MgAl11O19; BaMgAl10O17:Eu,Mn; BaMg2Al16O27:Eu(II),Mn(II); Ce0.67Tb0.33MgAl11O19:Ce,Tb; Zn2SiO4:Mn,Sb2O3;CaSiO3:Pb,Mn; CaWO4; CaWO4:Pb; MgWO4; (Sr,Eu,Ba,Ca)5(PO4)3Cl; Sr5Cl(PO4)3:Eu(II); (Ca,Sr,Ba)3(PO4)2Cl2:Eu; (Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu; Sr2P2O7:Sn(II); Sr6P5BO20:Eu; Ca5F(PO4)3:Sb; (Ba,Ti)2P2O7:Ti; 3Sr3(PO4)2.SrF2:Sb,Mn; Sr5F(PO4)3:Sb,Mn; Sr5F(PO4)3:Sb,Mn; (La,Ce,Tb)PO4; (La,Ce,Tb)PO4:Ce,Tb; Ca3(PO4)2.CaF2:Ce,Mn; (Ca,Zn,Mg)3(PO4)2:Sn; (Zn,Sr)3(PO4)2:Mn; (Sr,Mg)3(PO4)2:Sn; (Sr,Mg)3(PO4)2:Sn(II); Ca5(F,Cl)(PO4)3:Sb,Mn; (Y,Eu)2O3; Y2O3:Eu(III); Mg4(F)(Ge,Sn)O6:Mn; Y(P,V)O4:Eu; Y2O2S:Eu; 3.5 MgO·0.5 MgF2·GeO2:Mn; Mg5As2O11:Mn, sowie Mischungen und Legierungen von diesen Materialien.
- Unter Nanodots sind beispielsweise alle Materialien zu verstehen, die als Nanodots verwendet werden können, beispielsweise halbleitende Nanoteilchen, wie Silizium-Nanodots oder Nanodots aus Verbindungshalbleitern, beispielsweise Chalkogenide (Selenide oder Sulfide oder Teluride) von Metallen wie beispielsweise Cadmium oder Zink (CdSe oder ZnS, Kupfer Indium Gallium Diselenid, Kupfer Indium Diselenid, beispielsweise auch so genannte core-shell nanodots, oder CuInS2/ZnS. Nanoteilchen können beispielsweise auch Phosphor-Nanoteilchen aufweisen.
- Allgemein kann als das Photolumineszenzmaterial
120 jedes beliebige geeignete Lichtkonversionsmaterial verwendet werden, welches eingerichtet ist, eine Lichtwellenlänge zu konvertieren. - Das Photolumineszenzmaterial
120 kann in einer Konzentration in der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 vorliegen in einem Bereich von ungefähr 0 bis ungefähr 50 Volumenprozent%, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 bis ungefähr 20 Volumenprozent%, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 bis ungefähr 10 Volumenprozent%. - Das Photolumineszenzmaterial
120 kann Farbzentren bereitstellen, die aufgrund der Photolumineszenz die Farbanteile des aus der OLED-Kavität emittierten Lichts verändern können. Wie oben beschrieben kann das Photolumineszenzmaterial120 auch in die optisch transluzente Schichtenstruktur116 (beispielsweise in die organische Matrix) eingebrachte anorganische Chromophore aufweisen, wie beispielsweise kleine Phosphor-Partikel oder Quantenpunkte (Nanodots oder Quantendots) oder Nanoteilchen. - Zusätzlich zu dem Photolumineszenzmaterial
120 (also anschaulich zusätzlich zu den beispielsweise fluoreszenten oder phosphoreszenten Bestandteilen) können in der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 zusätzliche Streupartikel enthalten sein, beispielsweise dielektrische Streupartikel wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (SiO2), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga2Oa), Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie ein Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der tranzluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel vorgesehen sein, beispielsweise mit Metallen wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel oder dergleichen, wobei die Streupartikel beschichtet oder unbeschichtet sein können. Die Streupartikel können eingerichtet sein oder vorgesehen sein zur Veränderung der Winkelverteilung des von dem lichtemittierenden Bauelement100 emittierten Lichts und gegebenenfalls auch zur Verbesserung der Farbverschiebung mit dem Betrachtungswinkel. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schichtenstruktur
116 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 µm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 100 µm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 50 µm, beispielsweise 1µ bis 25µm. Wenn die optisch transluzente Schichtenstruktur116 sehr dünn ausgebildet ist, so ist das Photolumineszenzmaterial120 optisch stark an das Lichtfeld gekoppelt (in diesem Fall kann die externe Kavität auch als externe Mikrokavität bezeichnet werden). Wenn die optisch transluzente Schichtenstruktur116 jedoch dicker ausgebildet ist, so kann beispielsweise ein geringer Farbwinkelverzug über den Betrachtungswinkel erreicht werden (in diesem Fall kann die externe Kavität auch als externe inkohärente Kavität bezeichnet werden). - Der Grenzfall einer sehr dünnen und sehr transparenten bzw. transluzenten externen Kavität kann darin gesehen werden, dass das Photolumineszenzmaterial
120 (also beispielsweise die photolumineszenten Chromophore) in der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 (also beispielsweise in der Matrix) direkt auf dem Deckkontakt (beispielsweise der zweiten transluzenten Elektrode112 ) oder zwischen dem Grundkontakt (beispielsweise der ersten Elektrode104 ) und dem Substrat102 (wie bei einem im Folgenden noch näher erläuterten Ausführungsbeispiel) aufgebracht wird. Der „zweite“ Spiegel oder die „zweite“ Spiegel-Schichtenstruktur der externen Kavität kann in diesem Fall entfallen. - Ein möglicher Vorteil dieser Anordnung, die in verschiedenen Ausführungsbeispielen die „externe“ photolumineszente Kavität noch in den Front-End-of-Line-Prozessen bildet, gegenüber einer mittels eines Back-End-of-Line-Prozesses außen auf dem an sich fertiggestellten lichtemittierenden Bauteil aufgebrachten Kavität kann in der starken optischen Ankopplung des Photolumineszenzmaterials
120 (also beispielsweise der Chromophore) an die Plasmonen in dem OLED-Grundkontakt (beispielsweise die erste Elektrode104 ) oder in dem OLED-Deckkontakt (beispielsweise die zweite Elektrode112 ). - Die organische Leuchtdiode
100 kann als Bottom-Emitter oder als Top-Emitter oder als Top- und Bottom-Emitter ausgebildet sein oder werden. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel-Schichtenstruktur
118 (oder gegebenenfalls die Spiegel-Schichtenstruktur, die auf oder über der zweiten transluzenten Elektrode112 unterhalb der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 vorgesehen sein kann) reflektierend oder transluzent oder transparent oder semitransparent sein, je nachdem, ob die organische Leuchtdiode100 als ein Top-Emitter und/oder als Bottom-Emitter ausgebildet ist. Die Materialien können ausgewählt sein aus den Materialien, wie sie oben für die erste Elektrode aufgeführt worden sind. Auch die Schichtdicken können, je nach gewünschter Ausbildung der organischen Leuchtdiode100 , gewählt werden in den Bereichen, wie sie für die erste Elektrode oben beschrieben worden sind. - Für den Fall, dass das lichtemittierende Bauelement
100 Licht vorwiegend oder ausschliesslich nach oben abstrahlt (Top-Emitter) und die Spiegel-Schichtenstruktur aus Metall gebildet wird, kann die Spiegel-Schichtenstruktur118 (oder gegebenenfalls die Spiegel-Schichtenstruktur, die auf oder über der zweiten transluzenten Elektrode112 unterhalb der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 vorgesehen sein kann) eine oder mehrere dünne Metallfilme (beispielsweise Ag, Mg, Sm, Ca, sowie Mehrfachschichten und Legierungen dieser Materialien) aufweisen. Der eine oder die mehreren Metallfilme können (jeweils) eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von kleiner als 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von kleiner als 25 nm beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von kleiner als 15 nm. - Für den Fall, dass das lichtemittierende Bauelement
100 Licht vorwiegend oder ausschließlich nach unten durch das Substrat102 abstrahlt und die Spiegel-Schichtenstruktur aus Metall gebildet wird, dann kann die Spiegel-Schichtenstruktur118 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 50 nm. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel-Schichtenstruktur
118 (oder gegebenenfalls die Spiegel-Schichtenstruktur, die auf oder über der zweiten transluzenten Elektrode112 unterhalb der optisch transluzenten Schichtenstruktur116 vorgesehen sein kann) einen oder mehrere dielektrische Spiegel aufweisen. - Die Spiegel-Schichtenstruktur
118 kann einen oder mehrere Spiegel aufweisen. Weist die Spiegel-Schichtenstruktur118 mehrere Spiegel auf, so sind die jeweiligen Spiegel mittels einer jeweiligen Dielektrikumsschicht voneinander getrennt. - Weiterhin kann die organische Leuchtdiode
100 noch Verkapselungsschichten aufweisen, die beispielsweise im Rahmen eines Back-End-of-Line-Prozesses aufgebracht werden können, wobei darauf hinzuweisen ist, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen die externe Kavität im Rahmes noch des Front-End-of-Line-Prozesses gebildet wird. -
2 zeigt eine organische Leuchtdiode200 als eine Implementierung eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. - Die organische Leuchtdiode
200 gemäß2 ist im Wesentlichen gleich der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 , weshalb im Folgenden lediglich die Unterschiede der organischen Leuchtdiode200 gemäß2 zu der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 näher erläutert werden; hinsichtlich der übrigen Elemente der organische Leuchtdiode200 gemäß2 wird auf obige Ausführungen zu der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 verwiesen. - Im Unterschied zu der organischen Leuchtdiode
100 gemäß1 ist bei der organischen Leuchtdiode200 gemäß2 die externe Kavität nicht auf oder über der zweiten Elektrode112 gebildet, sondern unterhalb der ersten Elektrode104 . - Die Energiequelle
114 ist in diesen Ausführungsbeispielen an den ersten elektrischen Anschluss der ersten Elektrode104 und an den zweiten elektrischen Anschluss der zweiten Elektrode112 angeschlossen. - Die organische Leuchtdiode
200 gemäß2 kann als Bottom-Emitter oder als Top-Emitter oder als Top- und Bottom-Emitter ausgebildet sein oder werden. - Bei der organischen Leuchtdiode
200 gemäß2 ist eine optisch transluzente Schichtenstruktur202 , die gleich aufgebaut ist wie die optisch transluzente Schichtenstruktur116 der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 , unterhalb der ersten Elektrode104 angeordnet. Weiterhin ist eine Spiegel-Schichtenstruktur204 , die gleich aufgebaut ist wie die Spiegel-Schichtenstruktur118 der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 , unterhalb der optisch transluzenten Schichtenstruktur202 angeordnet. -
3 zeigt eine organische Leuchtdiode300 als eine Implementierung eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. - Die organische Leuchtdiode
300 gemäß3 ist im Wesentlichen gleich der organischen Leuchtdiode200 gemäß2 , weshalb im Folgenden lediglich die Unterschiede der organischen Leuchtdiode300 gemäß3 zu der organischen Leuchtdiode200 gemäß2 näher erläutert werden; hinsichtlich der übrigen Elemente der organische Leuchtdiode300 gemäß3 wird auf obige Ausführungen zu der organischen Leuchtdiode200 gemäß2 sowie zu der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 verwiesen. - Ferner weist die organischen Leuchtdiode
300 gemäß3 zusätzlich das Substrat102 auf. Die Spiegel-Schichtenstruktur204 ist gemäß diesen Ausführungsbeispielen auf oder über dem Substrat102 angeordnet. -
4 zeigt eine organische Leuchtdiode400 als eine Implementierung eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. - Die organische Leuchtdiode
400 gemäß4 ist im Wesentlichen gleich der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 , weshalb im Folgenden lediglich die Unterschiede der organischen Leuchtdiode400 gemäß4 zu der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 näher erläutert werden; hinsichtlich der übrigen Elemente der organische Leuchtdiode400 gemäß4 wird auf obige Ausführungen zu der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 verwiesen. - Zusätzlich zu den Elementen der organischen Leuchtdiode
100 gemäß1 (es ist anzumerken, dass das Substrat102 in diesen Ausführungsbeispielen weggelassen ist) ist bei der organischen Leuchtdiode400 gemäß4 noch eine zusätzliche externe Kavität unterhalb der ersten Elektrode104 vorgesehen. - Die Energiequelle
114 ist in diesen Ausführungsbeispielen an den ersten elektrischen Anschluss der ersten Elektrode104 und an den zweiten elektrischen Anschluss der zweiten Elektrode112 angeschlossen. - Die organische Leuchtdiode
400 gemäß4 kann als Bottom-Emitter oder als Top-Emitter oder als Top- und Bottom-Emitter ausgebildet sein oder werden. - Bei der organischen Leuchtdiode
400 gemäß4 ist eine zusätzliche optisch transluzente Schichtenstruktur204 , die gleich aufgebaut ist wie die optisch transluzente Schichtenstruktur116 der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 , zusätzlich unterhalb der ersten Elektrode102 angeordnet. Weiterhin ist eine zusätzliche Spiegel-Schichtenstruktur204 , die gleich aufgebaut ist wie die Spiegel-Schichtenstruktur118 der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 , zusätzliche unterhalb der optisch transluzenten Schichtenstruktur204 angeordnet. -
5 zeigt eine organische Leuchtdiode500 als eine Implementierung eines lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. - Die organische Leuchtdiode
400 gemäß5 ist im Wesentlichen gleich der organischen Leuchtdiode400 gemäß4 , weshalb im Folgenden lediglich die Unterschiede der organischen Leuchtdiode500 gemäß5 zu der organischen Leuchtdiode400 gemäß4 näher erläutert werden; hinsichtlich der übrigen Elemente der organische Leuchtdiode500 gemäß5 wird auf obige Ausführungen zu der organischen Leuchtdiode400 gemäß4 , zu der organischen Leuchtdiode200 gemäß2 , sowie zu der organischen Leuchtdiode100 gemäß1 verwiesen. - Ferner weist die organischen Leuchtdiode
500 gemäß5 zusätzlich das Substrat102 auf. Die Spiegel-Schichtenstruktur204 ist gemäß diesen Ausführungsbeispielen auf oder über dem Substrat102 angeordnet. - Somit kann oder können anschaulich die eine oder mehreren externen Kavitäten unter der OLED (d.h. substratseitig) und/oder auf der OLED (d.h. deckseitig) angeordnet sein. Die eine oder mehreren externen Kavitäten kann oder können ihrerseits aus einem oder mehreren Matrixmaterialien, wie sie oben beschrieben worden sind, mit einem oder mehreren Photolumineszenzmaterialien (z.B. Chromophore) und Streuern aufgebaut sein.
-
6A bis6F zeigen das lichtemittierende Bauelement100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verschiedenen Zeitpunkten während dessen Herstellung. Die anderen lichtemittierenden Bauelemente200 ,300 ,400 ,500 werden in entsprechender Weise hergestellt. -
6A zeigt das lichtemittierende Bauelement100 zu einem ersten Zeitpunkt600 während dessen Herstellung. - Zu diesem Zeitpunkt wird die erste Elektrode
104 auf das Substrat102 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen), alternativ mittels eines Plating-Verfahrens; eines Tauchabscheideverfahrens; eines Aufschleuderverfahrens (spin coating); Druckens; Rakelns; oder Sprühens. - Als CVD-Verfahren kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein plasmaünterstütztes chemisches Abscheideverfahren aus der Gasphase (plasma enhanced chemical vapor deposition, PE-CVD) eingesetzt werden. Dabei kann in einem Volumen über und/oder um das Element, auf das die aufzubringende Schicht aufgebracht werden soll, herum ein Plasma erzeugt, wobei dem Volumen zumindest zwei gasförmige Ausgangsverbindungen zugeführt werden, die in dem Plasma ionisiert und zur Reaktion miteinander angeregt werden. Durch die Erzeugung des Plasmas kann es möglich sein, dass die Temperatur, auf welche die Oberfläche des Elements aufzuheizen ist, um eine Erzeugung beispielsweise der dielektrischen Schicht zu ermöglichen, im Vergleich zu einem plasmalosen CVD-Verfahren erniedrigt werden kann. Das kann beispielsweise von Vorteil sein, wenn das Element, beispielsweise das zu bildende lichtemittierende elektronische Bauelement, bei einer Temperatur oberhalb einer Maximaltemperatur geschädigt werden würde. Die Maximaltemperatur kann beispielsweise bei einem zu bildenden lichtemittierenden elektronischen Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen etwa 120 °C betragen, so dass die Temperatur, bei der beispielsweise die dielektrische Schicht aufgebracht wird, kleiner oder gleich 120 °C und beispielsweise kleiner oder gleich 80 °C sein kann.
-
6B zeigt das lichtemittierende Bauelement100 zu einem zweiten Zeitpunkt602 während dessen Herstellung. - Zu diesem Zeitpunkt wird oder werden die eine oder mehreren Lochleitungsschichten
106 auf die erste Elektrode104 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen), alternativ mittels eines Plating-Verfahrens; eines Tauchabscheideverfahrens; eines Aufschleuderverfahrens (spin coating); Druckens; Rakelns; oder Sprühens. -
6C zeigt das lichtemittierende Bauelement100 zu einem dritten Zeitpunkt604 während dessen Herstellung. - Zu diesem Zeitpunkt wird oder werden die eine oder mehreren Emitterschichten
108 auf die eine oder mehreren Lochleitungsschichten106 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen), alternativ mittels eines Plating-Verfahrens; eines Tauchabscheideverfahrens; eines Aufschleuderverfahrens (spin coating); Druckens; Rakelns; oder Sprühens. -
6D zeigt das lichtemittierende Bauelement100 zu einem vierten Zeitpunkt606 während dessen Herstellung. - Zu diesem Zeitpunkt wird oder werden optional die eine oder mehreren weitere organischen Funktionsschichten
110 auf die eine oder mehreren Emitterschichten108 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen), alternativ mittels eines Plating-Verfahrens; eines Tauchabscheideverfahrens; eines Aufschleuderverfahrens (spin coating); Druckens; Rakelns; oder Sprühens. -
6E zeigt das lichtemittierende Bauelement100 zu einem fünften Zeitpunkt608 während dessen Herstellung. - Zu diesem Zeitpunkt wird die zweite Elektrode
112 auf die eine oder mehreren weitere organischen Funktionsschichten110 (wenn vorhanden) oder auf die eine oder mehreren Emitterschichten108 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen), alternativ mittels eines Plating-Verfahrens; eines Tauchabscheideverfahrens; eines Aufschleuderverfahrens (spin coating); Druckens; Rakelns; oder Sprühens. -
6F zeigt das lichtemittierende Bauelement100 zu einem sechsten Zeitpunkt610 während dessen Herstellung. - Zu diesem Zeitpunkt wird die optisch transluzente Schichtenstruktur
116 auf die zweite Elektrode112 aufgebracht, wobei das Photolumineszenzmaterial120 in die optisch transluzente Schichtenstruktur116 eingebracht wird. - Dies kann auf unterschiedliche Arten erfolgen:
- 1. Gemäß einer Implementierung kann das oder können die Materialien, beispielsweise organischen Materialien, aufgedampft werden auf die zweite Elektrode
112 , wobei das Photolumineszenzmaterial120 in-situ in das Material der optisch transluzente Schichtenstruktur116 eingebettet wird. Anschließend kann die Spiegel-Schichtenstruktur118 aufgedampft werden, wobei beide Aufdampfprozesse in derselben Maschine durchgeführt werden können. - 2. Gemäß einer anderen Implementierung kann das oder können die Materialien, beispielsweise organischen Materialien, auf der zweiten Elektrode
112 (oder einer darauf aufgebrachten Dünnfilmbarriere zum chemischen Schutz der zweiten Elektrode112 ) nasschemisch aufgebracht werden. In dieser Implementierung kann das Photolumineszenzmaterial120 in das nasschemisch aufgebrachte Material (teilweise lokal) hineingemischt (dispergiert) werden. - Es ist darauf hinzuweisen, dass für den Fall, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur
116 ,204 mehrere Schichten aufweist, das Photolumineszenzmaterial120 in einer oder mehreren der Schichten eingebracht sein kann, jedoch nicht in allen Schichten eingebracht werden muss. Auf diese Weise ist beispielsweise der Abstand des Photolumineszenzmaterials120 zu der Spiegel-Schichtenstruktur118 ,204 einfach definierbar. Dies kann zu einer Verstärkung der Photolumineszenz, und/oder zu einer Verbesserung der Farbkonversionseffizienz führen. Weiterhin kann ein Einstellen der Blickwinkelabhängigkeit ermöglicht werden. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
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- DE 102009014543 A1 [0091]
- DE 102008031405 A1 [0091]
- DE 102008048472 A1 [0091]
- DE 2008019900 A1 [0091]
Claims (17)
- Lichtemittierendes Bauelement (
100 ), aufweisend: • eine erste Elektrode (104 ); • eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur (106 ,108 ) auf oder über der ersten Elektrode (104 ); • eine zweite transluzente Elektrode (112 ) auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106 ,108 ); • eine optisch transluzente Schichtenstruktur (116 ) auf oder über der zweiten Elektrode (112 ), wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur (116 ) Photolumineszenzmaterial (120 ) aufweist; und • eine Spiegel-Schichtenstruktur (118 ) auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur (116 ). - Lichtemittierendes Bauelement (
100 ) gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend eine oder mehrere Schichten ausgewählt aus: • eine elektrisch isolierende Schicht zwischen der zweiten Elektrode (112 ) und der optisch transluzenten Schichtenstruktur (116 ); und/oder • eine Barriere- oder Verkapselungsschicht zwischen der zweiten Elektrode (112 ) und der optisch transluzenten Schichtenstruktur (116 ). - Lichtemittierendes Bauelement (
200 ), aufweisend: • eine Spiegel-Schichtenstruktur (204 ); • eine optisch transluzente Schichtenstruktur (202 ) auf oder über der Spiegel-Schichtenstruktur (204 ), wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur (202 ) Photolumineszenzmaterial (120 ) aufweist; • eine erste transluzente Elektrode (104 ) auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur (116 ); • eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur (106 ,108 ) auf oder über der ersten Elektrode (104 ); und • eine zweite Elektrode (112 ) auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106 ,108 ). - Lichtemittierendes Bauelement (
200 ) gemäß Anspruch 3, ferner aufweisend eine oder mehrere Schichten ausgewählt aus: • eine elektrisch isoliernde Schicht zwischen der ersten Elektrode (104 ) und der optisch transluzenten Schichtenstruktur (202 ); und/oder • eine Verkapselungs- oder Barriereschicht zwischen der ersten Elektrode (104 ) und der optische transluzenten Schichtenstruktur (202 ). - Lichtemittierendes Bauelement (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Photolumineszenzmaterial (120 ) ein Material aus mindestens einer der folgenden Materialgruppen aufweist: • Organische Farbstoffmoleküle; • Anorganische Phosphore; und/oder • Nanodots oder Nanoteilchen. - Lichtemittierendes Bauelement (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur (116 ,202 ) zusätzlich ein oder mehrere Streumaterialien aufweist. - Lichtemittierendes Bauelement (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, eingerichtet als organische Leuchtdiode,oder als organischer lichtemittierender Transistor. - Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements (
100 ), wobei das Verfahren aufweist: • Bereitstellen einer ersten Elektrode(104 ); • Bilden einer organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106 ,108 ) auf oder über der ersten Elektrode (104 ); • Bilden einer zweiten transluzenten Elektrode (112 ) auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106 ,108 ); • Bilden einer optisch transluzenten Schichtenstruktur (116 ) auf oder über der zweiten Elektrode (112 ), wobei in der optisch transluzente Schichtenstruktur (116 ) Photolumineszenzmaterial (120 ) gebildet wird; und • Bilden einer Spiegel-Schichtenstruktur (118 ) auf oder über der optisch transluzenten Schicht (116 ). - Verfahren gemäß Anspruch 8, ferner aufweisend: • Bilden einer elektrisch isolierenden Schicht auf oder über der zweiten Elektrode (
112 ); • wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur (116 ) auf oder über der elektrisch isolierenden Schicht gebildet wird. - Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierendes Bauelements (
200 ), wobei das Verfahren aufweist: • Bereitstellen einer Spiegel-Schichtenstruktur (204 ); • Bilden einer optisch transluzenten Schichtenstruktur (202 ) auf oder über der Spiegel-Schichtenstruktur (204 ), wobei in der optisch transluzente Schichtenstruktur (202 ) Photolumineszenzmaterial (120 ) gebildet wird; • Bilden einer ersten transluzenten Elektrode (104 ) auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur (202 ); • Bilden einer organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106 ,108 ) auf oder über der ersten Elektrode (104 ); und • Bilden einer zweiten Elektrode (112 ) auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106 ,108 ). - Verfahren gemäß Anspruch 10, ferner aufweisend einen oder beide der Schritte: • Bilden einer elektrisch isolierenden Schicht auf oder über der der optisch transluzenten Schichtenstruktur (
202 ); • wobei die erste Elektrode (104 ) auf oder über der elektrisch isolierenden Schicht gebildet wird; und/oder • Bilden einer Verkapselungs- oder Barriereschicht zwischen der ersten Elektrode (104 ) und der optische transluzenten Schichtenstruktur (202 ). - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei als Photolumineszenzmaterial (
120 ) ein Material aus mindestens einer der folgenden Materialgruppen verwendet wird: • Organische Farbstoffmoleküle; • Anorganische Phosphore; und/oder • Nanodots oder Nanoteilchen. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur (
116 ,202 ) zusätzlich ein oder mehrere Streumaterialien aufweist. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur (
116 ,202 ) gebildet wird mittels Aufdampfens. - Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das Photolumineszenzmaterial (
120 ) in-situ in die optisch transluzente Schichtenstruktur (116 ,202 ) eingebettet wird. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur (
116 ,202 ) gebildet wird mittels eines nasschemischen Prozesses. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 16, wobei das lichtemittierende Bauelement (
100 ,200 ) eingerichtet wird als organische Leuchtdiode,oder als organischer lichtemittierender Transistor.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011079063A DE102011079063A1 (de) | 2011-07-13 | 2011-07-13 | Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements |
| KR1020147003778A KR20140048266A (ko) | 2011-07-13 | 2012-05-31 | 발광 컴포넌트와 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 |
| PCT/EP2012/060282 WO2013007446A1 (de) | 2011-07-13 | 2012-05-31 | Lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements |
| CN201280034807.6A CN103650197A (zh) | 2011-07-13 | 2012-05-31 | 发光器件和用于制造发光器件的方法 |
| US14/131,922 US20140319482A1 (en) | 2011-07-13 | 2012-05-31 | Light-emitting component and method for producing a light-emitting component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011079063A DE102011079063A1 (de) | 2011-07-13 | 2011-07-13 | Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102011079063A1 true DE102011079063A1 (de) | 2013-01-17 |
Family
ID=46208500
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102011079063A Withdrawn DE102011079063A1 (de) | 2011-07-13 | 2011-07-13 | Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140319482A1 (de) |
| KR (1) | KR20140048266A (de) |
| CN (1) | CN103650197A (de) |
| DE (1) | DE102011079063A1 (de) |
| WO (1) | WO2013007446A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013110024B4 (de) | 2013-09-12 | 2023-08-31 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI472059B (zh) * | 2013-10-09 | 2015-02-01 | Cheng Sheng Tsung | A method of forming a surface plasma using a microstructure |
| US9166188B1 (en) * | 2014-06-10 | 2015-10-20 | Arolltech Co., Ltd. | Organic light emitting diode device |
| CN105405982A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管 |
| CN109659443B (zh) * | 2017-10-10 | 2024-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置和改善显示面板色偏的方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004042461A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-30 | Novaled Gmbh | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren |
| DE102006051746A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht |
| DE102008019900A1 (de) | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement |
| DE102008031405A1 (de) | 2008-07-02 | 2010-01-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement |
| DE102008048472A1 (de) | 2008-09-23 | 2010-03-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vorrichtung mit Verkapselungsanordnung |
| WO2010064165A1 (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Oled device with adjustable color appearance |
| EP2339658A2 (de) * | 2009-12-23 | 2011-06-29 | Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives | Herstellungsverfahren einer Elektrode mit isolierenden und metalischen Nanostrukturen zum Farbfiltern in einer OLED und Herstellungsverfahren einer OLED |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6717176B1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-04-06 | Opto Tech Corporation | White light emitting organic electro-luminescent device and method for fabricating the same |
| US7079748B2 (en) * | 2003-01-10 | 2006-07-18 | Interuniveristair Microelekktronica Centrum (Imec) | Integrated optical device and method of making the same |
| JP2004296219A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子 |
| US7367691B2 (en) * | 2003-06-16 | 2008-05-06 | Industrial Technology Research Institute | Omnidirectional one-dimensional photonic crystal and light emitting device made from the same |
| US7321193B2 (en) * | 2005-10-31 | 2008-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Device structure for OLED light device having multi element light extraction and luminescence conversion layer |
| JP5176459B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-04-03 | 大日本印刷株式会社 | 白色発光素子 |
| JP2010205650A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
-
2011
- 2011-07-13 DE DE102011079063A patent/DE102011079063A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-05-31 CN CN201280034807.6A patent/CN103650197A/zh active Pending
- 2012-05-31 KR KR1020147003778A patent/KR20140048266A/ko active Search and Examination
- 2012-05-31 WO PCT/EP2012/060282 patent/WO2013007446A1/de active Application Filing
- 2012-05-31 US US14/131,922 patent/US20140319482A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004042461A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-30 | Novaled Gmbh | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren |
| DE102006051746A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht |
| DE102008019900A1 (de) | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement |
| DE102008031405A1 (de) | 2008-07-02 | 2010-01-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement |
| DE102008048472A1 (de) | 2008-09-23 | 2010-03-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vorrichtung mit Verkapselungsanordnung |
| WO2010064165A1 (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Oled device with adjustable color appearance |
| EP2339658A2 (de) * | 2009-12-23 | 2011-06-29 | Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives | Herstellungsverfahren einer Elektrode mit isolierenden und metalischen Nanostrukturen zum Farbfiltern in einer OLED und Herstellungsverfahren einer OLED |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013110024B4 (de) | 2013-09-12 | 2023-08-31 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel |
| DE102013110024B9 (de) | 2013-09-12 | 2023-11-09 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140048266A (ko) | 2014-04-23 |
| US20140319482A1 (en) | 2014-10-30 |
| WO2013007446A1 (de) | 2013-01-17 |
| CN103650197A (zh) | 2014-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| R163 | Identified publications notified | ||
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| R082 | Change of representative |
Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER, DE |
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| R082 | Change of representative |
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| R081 | Change of applicant/patentee |
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