DE102011057002A1 - Device for operational state monitoring of reverse battery protection device, is associated to metal oxide semiconductor field effect transistor-switching unit of reverse battery protection device through channel for detecting voltage drop - Google Patents

Device for operational state monitoring of reverse battery protection device, is associated to metal oxide semiconductor field effect transistor-switching unit of reverse battery protection device through channel for detecting voltage drop Download PDF

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    • H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
    • H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines

Abstract

The device is associated to a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET)-switching unit (10) of the reverse battery protection device through a channel for detecting a voltage drop. The MOSFET-switching unit is actuated as reaction to a gate-control signal from control units in a passing condition of its channel. The device is designed such that the detection units generate a detection signal corresponding to the activation state of the MOSFET-switching unit, when the polarity of the voltage source is not reversed.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Betriebszustandsüberwachung einer zwischen einer Spannungsquelle und einer Last vorgesehenen Verpolschutzvorrichtung nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung eine Verwendung einer solchen Vorrichtung sowie ein Verfahren zum Betreiben einer zwischen einer Spannungsquelle und einer Last vorgesehenen Verpolschutzvorrichtung.The invention relates to a device for operating state monitoring of a provided between a voltage source and a load Verpolschutzvorrichtung according to the preamble of the main claim. Furthermore, the present invention relates to a use of such a device and a method for operating a reverse polarity protection device provided between a voltage source and a load.

Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, MOSFET-Transistoren zu verwenden, um einen Verpolschutz zu realisieren. Aufgabe einer derartigen Verpolschutzvorrichtung ist es, eine potentiell sensible elektrische Last davor zu schützen, dass die Spannungsquelle nicht in der korrekten Polarität, also verpolt, angeschlossen wird. Gegenüber traditionell zum Zweck des Verpolschutzes eingesetzten Dioden weisen dabei MOSFET-Transistoren insbesondere den Vorteil eines geringen Durchlasswiderstandes sowie eines geringen Spannungsabfalls auf.From the prior art it is known to use MOSFET transistors in order to realize a reverse polarity protection. The object of such a reverse polarity protection device is to protect a potentially sensitive electrical load from the fact that the voltage source is not in the correct polarity, that is, polarity reversed, connected. Compared to traditionally used for the purpose of reverse polarity protection diodes MOSFET transistors have the particular advantage of a low forward resistance and a low voltage drop.

Damit eignet sich eine derartige Vorrichtung insbesondere auch für Hochstrom- bzw. Hochleistungsanwendungen etwa im Kfz-Betrieb, wo bei typischen Bordspannungen im Bereich zwischen 10 V und 14 V (sowie etwa bei 24 V, 42 V, 48 V) Lastströme von 20 A und mehr erreicht können.Thus, such a device is particularly suitable for high-current or high-power applications such as in automotive operation, where at typical on-board voltages in the range between 10 V and 14 V (and about 24 V, 42 V, 48 V) load currents of 20 A and can achieve more.

Typischerweise wird zudem eine (etwa im Fall von Gleichrichteranwendungen ohnehin vorhandene) integrierte Treiberschaltung benutzt, um das zum Ansteuern (Aktivieren) des MOSFET-Gates benötigte Spannungssignal zu erzeugen. Üblicherweise findet hier eine Ladungspumpe od. dgl. insbesondere für N-Kanal MOSFETs Einsatz, so dass (bei ausreichend hoher Spannung zwischen Source und Gate) der MOSFET entlang seines Kanals leitet. Dagegen würde im Fall einer Verpolung der MOSFET-Kanal nichtleitend, da sein Gate positiver als seine Source ist.Typically, an integrated driver circuit (such as is used anyway in the case of rectifier applications) is also used to generate the voltage signal needed to drive (activate) the MOSFET gate. Usually, a charge pump or the like is used here in particular for N-channel MOSFETs, so that (with a sufficiently high voltage between source and gate) the MOSFET conducts along its channel. In contrast, in the case of reverse polarity, the MOSFET channel would become nonconductive because its gate is more positive than its source.

Prinzipbedingt weisen MOSFETs eine parasitäre Diode (auch als Body-Diode bekannt) auf; eine derartige Diodeneigenschaft führt bei einer Verwendung eines MOSFET-Transistors zum Verpolschutz dazu, dass selbst in dem Fall, dass (durch kein ausreichendes Gate-Ansteuersignal) der Transistor nicht aktiviert ist, Strom von der Spannungsquelle zur Last fließen kann; mit anderen Worten, die parasitäre Diode ist im Nicht-Verpolungsfall in Durchgangsrichtung geschaltet. Allerdings bewirkt diese parasitäre Diode im nicht aktivierten Betriebszustand des MOSFET-Transistors in der Art einer Vorwärtsspannung einer (diskreten) Diode einen Spannungsabfall, typischerweise ca. 0,6 V bis 0,7 V. Wird daher die gattungsgemäße Verpolschutzvorrichtung mit in Durchlassrichtung geschalteter MOSFET-Schalteinheit in nicht aktiviertem Zustand mit einer elektrischen Last beaufschlagt, erzeugt dieser Spannungsabfall über der parasitären Diode eine nicht unbeträchtliche Verlustleistung (etwa im Fall eines angenommenen Laststroms von 20 A mit angenommener Vorwärtsspannung 0,7 V immerhin 14 W; diesem würde bei aktiviertem, d. h. eingeschaltetem MOSFET-Transistor ein Spannungsabfall über dem Kanal von weniger als 100 mV, resultierend in weniger als 2 W Verlustleistung gegenüberstehen). Nachteilig ist daher eine potentiell zerstörerische Wärmeentwicklung in der Verpolungschutzvorrichtung, wenn der MOSFET-Transistor (etwa aufgrund eines Ansteuerproblems des Gate-Ansteuersignals, einer unbeabsichtigten Leitungsunterbrechung od. dgl.) nicht aktiviert ist und gleichwohl elektrisch belastet wird. Gerade im Bereich der Kraftfahrzeug-Bordnetztechnik mit entsprechenden Umgebungseinflüssen wirkt sich ein solches Verhalten als nachteilig aus, insbesondere als die vorbeschriebene Steuerschaltung zur Erzeugung des Gate-Ansteuersignals zwar ihre eigene Funktionalität überprüfen kann, nicht jedoch selbst feststellen kann, ob das erzeugte Gate-Ansteuersignal tatsächlich zu einer Aktivierung der MOSFET-Schalteinheit führt.Due to the principle, MOSFETs have a parasitic diode (also known as a body diode); such a diode characteristic, when using a MOSFET transistor for reverse polarity protection, causes current to flow from the voltage source to the load even in the case that the transistor is not activated (due to insufficient gate drive signal); In other words, the parasitic diode is connected in the non-reverse polarity case in the passage direction. However, this parasitic diode causes in the non-activated operating state of the MOSFET transistor in the manner of a forward voltage of a (discrete) diode, a voltage drop, typically about 0.6 V to 0.7 V. Therefore, the generic polarity reversal protection device with forward-connected MOSFET When the switching unit is not energized with an electrical load, this voltage drop across the parasitic diode produces a not inconsiderable power loss (for example, assuming a load current of 20 A with assumed forward voltage 0.7 V, at least 14 W; MOSFET transistor facing a voltage drop across the channel of less than 100 mV, resulting in less than 2 W power dissipation). A disadvantage, therefore, is a potentially destructive heat development in the reverse polarity protection device, when the MOSFET transistor (for example because of a driving problem of the gate drive signal, an unintentional line interruption od. Like.) Is not activated and yet electrically charged. Especially in the field of automotive on-board network technology with corresponding environmental influences, such a behavior is disadvantageous, especially when the above-described control circuit for generating the gate drive signal can check their own functionality, but can not determine for themselves whether the generated gate drive signal actually leads to activation of the MOSFET switching unit.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine gattungsgemäße Verpolschutzvorrichtung im Hinblick auf ihre Betriebssicherheit zu überwachen, insbesondere zuverlässig festzustellen, ob eine im Rahmen der Verpolschutzvorrichtung verwendete MOSFET-Schalteinheit durch ein anliegendes Gate-Ansteuersignal aktiviert ist und so (durch entsprechend dann abzuleitende Maßnahmen) schädliche Einflüsse einer bei nicht aktivierter MOSFET-Schalteinheit über deren Kanal abfallender Spannung (und damit verbundener Verlustleistung) zu vermeiden.Object of the present invention is therefore to monitor a generic polarity reversal protection device with regard to their reliability, in particular reliably determine whether a MOSFET switching unit used in the context of polarity reversal protection is activated by an applied gate drive signal and so (by then then measures to be derived) to avoid the harmful effects of a voltage dropping across its channel when the MOSFET switching unit is not activated (and the associated power dissipation).

Die Aufgabe wird durch die Vorrichtung zur Betriebszustandsüberwachung nach dem Hauptanspruch, sowie nach dem unabhängigen Patentanspruch 9 und 10, ferner das Verfahren nach dem unabhängigen Patentanspruch 11 sowie die Verwendung nach dem unabhängigen Patentanspruch 13 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.The object is achieved by the device for operating state monitoring according to the main claim, and according to the independent claim 9 and 10, further the method according to independent claim 11 and the use according to independent claim 13. Advantageous developments of the invention are described in the subclaims.

In erfindungsgemäß vorteilhafter Weise wird zunächst durch die Vorrichtung gemäß Hauptanspruch erreicht, dass eine Erfassung des Spannungsabfalls über dem Kanal erfolgen kann, mithin also eine zuverlässige Detektion möglich ist, ob die MOSFET-Schalteinheit aktiviert ist (kein parasitärer Spannungsabfall VDS) bzw. nicht aktiviert ist (parasitärer Spannungsabfall VDS in Höhe des typischen p/n-Schwellwerts von ca. 0,6 V bis 0,7 V). Erfindungsgemäß wird durch die Erfassungsmittel diese Erfassung in ein Erfassungssignal (Detektionssignal) umgesetzt, welches dann nachgeordnete Schaltungseinheiten, insbesondere Mittel zur elektrischen Lastreduktion, aktivieren kann, wenn etwa ein Nicht-Aktivierungszustand der MOSFET-Schalteinheit detektiert wird. Auf diese Weise kann dann etwa eine elektrische Lastabsenkung (z. B. durch Begrenzung eines im Kanal fließenden Stroms) erfolgen, mit der Wirkung, dass potentiell schädliche Erwärmung reduziert wird. So kann etwa ein Ausfall verhindert werden und eine weitere Funktionsfähigkeit (mit reduzierter Leistung) sichergestellt werden.In accordance with the invention advantageously achieved by the device according to the main claim that detection of the voltage drop across the channel can be done, therefore, a reliable detection is possible, whether the MOSFET switching unit is activated (no parasitic voltage drop V DS ) or not activated is (parasitic voltage drop V DS at the level of the typical p / n threshold of about 0.6 V to 0.7 V). According to the detection means this detection is converted into a detection signal (detection signal), which then downstream Circuit units, in particular means for electrical load reduction, can activate when, for example, a non-activation state of the MOSFET switching unit is detected. In this way, an electrical load reduction (eg by limiting a current flowing in the channel) can then take place, with the effect that potentially harmful heating is reduced. For example, a failure can be prevented and further functionality (with reduced power) can be ensured.

Dabei ist es weiterbildungsgemäß bevorzugt, mit Hilfe geeignet hochohmiger Erfassungsmittel an Drain und Source der MOSFET-Schalteinheit den Spannungsabfall über dem Kanal unmittelbar zu messen, wobei, in bevorzugten Weiterbildungen der Erfindung, hier zum einen etwa ein Bipolar-Transistor (an Emitter bzw. Basis) eingesetzt werden kann, alternativ ein als Komparator oder Spannungssubtrahierer beschalteter Operationsverstärker.In this case, it is preferable for further development to measure the voltage drop across the channel directly by means of suitable high-impedance detection means at the drain and source of the MOSFET switching unit, wherein, in preferred developments of the invention, here for example a bipolar transistor (at emitter or base ), alternatively an operational amplifier connected as a comparator or voltage subtractor.

So ist es gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung vorgesehen, die Erfassungsmittel durch einen Bipolar-Transistor zu realisieren, der mit Emitter bzw. Basis über dem Kanal des MOSFET-Transistors geschaltet ist. Dies führt dann erfindungsgemäß vorteilhaft dazu, dass im Fall eines aktivierten MOSFET-Transistors (mit entsprechend keinem bzw. sehr kleinem Spannungsabfall VDS über dem Kanal) die Basis-Emitter-Spannung am Bipolar-Transistor nahe 0 V beträgt und entsprechend dieser bipolare Transistor sperrt, also kein Strom zum Kollektor fließt. Ist dagegen, bei anliegender Versorgungsspannung sowie Last, der MOSFET-Transistor (z. B. durch eine Unterbrechung in der Gate-Ansteuerung) nicht aktiviert, liegt die Vorwärtsspannung (z. B. 0,7 V) der parasitären Diode im Drain-Source Kanal des MOSFET über Emitter und Basis des Bipolar-Transistors, wodurch dieser aufschaltet und zum Kollektor hin öffnet. Ein entsprechend im Kollektor fließender Strom (über einen dort geeignet vorzusehenden Widerstand begrenzt) kann dann das gewünschte erfindungsgemäße Detektionssignal als Spannungssignal (und ggf. begrenzt durch geeignete Spannungsbegrenzungsmittel, etwa eine Zenerdiode) anbieten.Thus, it is provided according to a preferred embodiment of the invention to realize the detection means by a bipolar transistor which is connected with emitter or base over the channel of the MOSFET transistor. In accordance with the invention, this advantageously results in that, in the case of an activated MOSFET transistor (with correspondingly no or very small voltage drop V DS across the channel), the base-emitter voltage at the bipolar transistor is close to 0 V and accordingly blocks this bipolar transistor , so no current flows to the collector. On the other hand, if the MOSFET transistor (eg due to an interruption in the gate drive) is not activated when the supply voltage and the load are present, the forward voltage (eg 0.7 V) of the parasitic diode is in the drain-source Channel of the MOSFET via emitter and base of the bipolar transistor, whereby this turns on and opens towards the collector. A current correspondingly flowing in the collector (limited by a resistor to be suitably provided there) can then offer the desired detection signal according to the invention as a voltage signal (and, if appropriate, limited by suitable voltage limiting means, such as a Zener diode).

Besonders vorteilhaft an dieser bevorzugten Realisierungsform der Erfindung ist die äußerst einfache schaltungstechnische Realisierung, welche mit minimalem zusätzlichem Hardware-Aufwand die Besonderheiten der Spannungssituationen im aktivierten bzw. deaktivierten Zustand nutzt und so unmittelbar das Ableiten des gewünschten Detektionssignals ermöglicht.Particularly advantageous in this preferred embodiment of the invention is the extremely simple circuit implementation, which uses the peculiarities of the voltage situations in the activated or deactivated state with minimal additional hardware complexity and thus directly enables the derivation of the desired detection signal.

Alternativ ist es im Rahmen der vorliegenden Erfindung vorgesehen, mit Hilfe ansonsten bekannter Operationsverstärker das Detektionssignal zu erzeugen, wobei eine potentiell interessante Realisierungsform der Erfindung insbesondere auch darin liegt, in der Art einer Spannungs-Subtraktionsvorrichtung die Differenz zwischen Drain- und Source-Spannung zu bilden und diese dann einer weiteren Auswertung zuzuführen.Alternatively, it is provided within the scope of the present invention to generate the detection signal with the aid of otherwise known operational amplifiers, wherein a potentially interesting embodiment of the invention lies in particular in forming, in the manner of a voltage subtraction device, the difference between drain and source voltage and then forward this to a further evaluation.

Ein im Rahmen der vorliegenden Erfindung alternativ beschreitbarer und unabhängig beanspruchter Weg sieht vor, statt des Spannungsabfalls über den Kanal als Grundlage für das Detektionssignal unmittelbar die am Gate anliegende Gate-Spannung des Gate-Ansteuersignals zu erfassen. Auch dies kann an einem geeignet hochohmigen Eingang z. B. eines Operationsverstärkers od. dgl. (wiederum im Vergleich mit einem entsprechenden Vorgabe- bzw. Schwellwert) erfolgen, so dass festgestellt werden kann, ob die MOSFET-Schalteinheit in einer beabsichtigten Weise aktiviert ist.An alternatively beschreitbare in the present invention and independently claimed path provides, instead of the voltage drop across the channel as a basis for the detection signal to detect directly applied to the gate gate voltage of the gate drive signal. This can also be done on a suitable high-impedance input z. B. an operational amplifier od. Like. (Again, in comparison with a corresponding default or threshold) done so that it can be determined whether the MOSFET switching unit is activated in an intended manner.

Wiederum alternativ bietet auch die im vorliegenden Erfindungskontext zu überwindende, nachteilige und als Ergebnis des parasitären Spannungsabfalls entstehende Erwärmung bzw. deren Detektion die Möglichkeit, steuernd einzugreifen und im Bedarfsfall eine elektrische Belastung abzusenken. Für diesen Zweck ist es beispielsweise vorteilhaft und weiterbildungsgemäß möglich, im Rahmen vorhandener Schaltungseinheiten typischerweise ohnehin vorhandene Temperatursensoren geeignet auf das Erreichen bzw. Überschreiten einer Temperaturschwelle auszuwerten, auf den potentiell nachteiligen Nicht-Aktivierungszustand der MOSFET-Schalteinheit zu schließen und entsprechend weitere Funktionalitäten auszulösen. Allerdings wäre bei dieser Erfindungsvariante, für welche wiederum unabhängig Schutz beansprucht wird, in der vorteilhaften Weiterbildung zusätzlich die Kausalität sicherzustellen und insbesondere auszuschließen, dass mögliche Fremdeinwirkungen für eine detektierte Temperaturerhöhung ursächlich sind.Again, alternatively, in the present context of invention to be overcome, disadvantageous and resulting from the parasitic voltage drop heating or their detection offers the ability to intervene controlling and lower, if necessary, an electrical load. For this purpose, it is possible, for example, advantageously and according to further development, to evaluate temperature sensors which are already present in the framework of existing circuit units in a suitable manner for reaching or exceeding a temperature threshold, to close the potentially disadvantageous non-activated state of the MOSFET switching unit and to correspondingly trigger further functionalities. However, in this variant of the invention, for which in turn independent protection is claimed, the causality should be additionally ensured in the advantageous development and in particular precluded that possible external influences are causative for a detected temperature increase.

Unabhängiger Schutz im Rahmen der Erfindung wird entsprechend beansprucht für ein Verfahren zum Betreiben der erfindungsgemäßen Vorrichtungen zur Betriebszustandsüberwachung, wobei, als Reaktion auf das detektierte Nicht-Aktivieren der MOSFET-Schalteinheit (insbesondere durch das Detektieren des Spannungsabfalls über der parasitären Diode im Kanal) eine entsprechende leistungsabsenkende Reaktion erfolgt.Independent protection within the scope of the invention is accordingly claimed for a method of operating the inventive device for operating state monitoring, wherein, in response to the detected non-activation of the MOSFET switching unit (in particular by detecting the voltage drop across the parasitic diode in the channel) a corresponding performance-reducing reaction takes place.

Damit eignet sich die vorliegende Erfindung insbesondere günstig für Anwendungen im Bereich der Automobil- bzw. Kraftfahrzeugtechnik und an entsprechenden Bordnetzen, ist jedoch nicht auf diesen Einsatzzweck beschränkt. Vielmehr eignet sich die vorliegende Erfindung für jegliche Einsatzzwecke, bei welchen in schaltungstechnisch überraschend einfacher Weise eine zuverlässige Überwachung eines in einer Durchlassrichtung zu betreibenden MOSFET-Transistors auf Aktivierung erforderlich ist.Thus, the present invention is particularly suitable for applications in the field of automotive or automotive technology and on corresponding on-board networks, but is not limited to this application. Rather, the present invention is suitable for any application in which in circuitry surprisingly simple way a reliable monitoring of a in a forward direction to be operated MOSFET transistor is required for activation.

Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnungen; diese zeigen in:Further advantages, features and details of the invention will become apparent from the following description of preferred embodiments and from the drawings; these show in:

1: ein Blockschaltbild der Vorrichtung zur Betriebszustandsüberwachung einer Verpolschutzvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung; 1 1 is a block diagram of the operating state monitoring device of a polarity reversal protection device according to the first embodiment of the invention;

2: eine Variante des Schaltbildes der 1 zum Illustrieren einer zweiten Ausführungsform und 2 : a variant of the circuit diagram of 1 for illustrating a second embodiment and

3: eine weitere Variante mit einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3 A further variant with a third embodiment of the present invention.

Die 1 zeigt im schematischen Blockschaltbild zunächst eine N-Kanal MOSFET-Schalteinheit 10 zwischen einer als Batterie 12 realisierten Spannungsquelle und einer Last 14, welche im dargestellten Ausführungsbeispiel ein [?] Motor ist. In ansonsten bekannter Weise wirkt der MOSFET 10 als Verpolschutz, wobei entlang dessen Kanal zwischen Source S und Drain D eine parasitäre Diode, symbolisiert durch 16, mit einer Vorwärtsspannung von 0,7 V wirkt, wenn der Transistor deaktiviert ist.The 1 shows in the schematic block diagram, first an N-channel MOSFET switching unit 10 between one as a battery 12 realized voltage source and a load 14 , which in the illustrated embodiment is a [?] Motor. In otherwise known manner, the MOSFET acts 10 as polarity reversal protection, along the channel between source S and drain D, a parasitic diode, symbolized by 16 , with a forward voltage of 0.7 V acts when the transistor is deactivated.

Genauer gesagt findet in ansonsten bekannter Weise die Ansteuerung am Gate G über eine (nicht gezeigte) Ansteuerschaltung und einen Begrenzungswiderstand 18 statt, wobei das Ansteuersignal CP' (wiederum in ansonsten bekannter Weise) über eine Ladungspumpe (charge pump) erzeugt werden kann.More specifically, in an otherwise known manner, the drive at the gate G is via a drive circuit (not shown) and a limiting resistor 18 instead, wherein the drive signal CP '(again in otherwise known manner) via a charge pump (charge pump) can be generated.

Gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel und zur Realisierung eines ersten Erfindungsprinzips wird die Spannungsdifferenz zwischen S und D an 10 abgegriffen mittels eines Bipolar-Transistors 20 (im dargestellten Ausführungsbeispiel als PNP), wobei dessen Emitter E mit der Source des MOSFET 10 verbunden ist, und die Basis B mit dem Drain. Der Kollektor C des Transistors 20 liegt über einen Kollektorwiderstand 22 und einer Zenerdiode 24 auf Masse, wobei diese als Spannungsbegrenzer wirkt und für einen Detektionssignalausgang 26 die Spannung beispielsweise auf 4,7 V begrenzt. Nachgeschaltet ist eine schematisch gezeigte Mikrocontrollereinheit 28 für weitere Funktionalitäten (etwa das Einstellen der elektrischen Leistung), welche an einem geeigneten (z. B. AD- oder Digital-)Eingang das Detektionssignal empfängt.According to the embodiment shown and for realizing a first principle of the invention, the voltage difference between S and D is on 10 tapped by means of a bipolar transistor 20 (In the illustrated embodiment, as PNP), wherein its emitter E to the source of the MOSFET 10 connected, and the base B to the drain. The collector C of the transistor 20 is above a collector resistance 22 and a zener diode 24 to ground, which acts as a voltage limiter and for a detection signal output 26 the voltage is limited to 4.7V, for example. Downstream is a microcontroller unit shown schematically 28 for other functionalities (such as adjusting the electrical power) which receives the detection signal at a suitable (eg, AD or digital) input.

Die Funktionsweise der in 1 gezeigten Vorrichtung ist wie folgt: Wenn, wie etwa für einen stationären Betrieb der Einheit vorgesehen, die Batteriespannung 12 unverpolt (d. h. mit korrekter Polarität) anliegt und durch geeignete Ansteuerung des Gates G des Transistors 10 dieser aufgesteuert ist, dann reduziert sich der Spannungsabfall zwischen S und D (d. h. über der parasitären Diode 16) praktisch auf 0. Dies ist der beabsichtigte Betriebszustand, da hier praktisch kein relevanter Leistungsverlust über den Kanal S-D erfolgt.The functioning of in 1 As shown, for example, when provided for stationary operation of the unit, the battery voltage 12 is applied without polarity (ie with the correct polarity) and by suitable control of the gate G of the transistor 10 this is controlled, then reduces the voltage drop between S and D (ie on the parasitic diode 16 This is the intended operating condition since there is virtually no relevant power loss via the channel SD.

Die entsprechend über Emitter E und Basis B des Bipolar-Transistors 20 anliegende Spannung ist nahezu 0, so dass der Kollektor C sperrt. Dies bedeutet, dass über den Widerstand 22 bzw. die Diode 24 praktisch kein Strom nach Masse fließt. Entsprechend entsteht kein relevanter Spannungsabfall, so dass der Pegel des Erfassungssignals auf der Ausgangsleitung 26 praktisch 0 ist. Dieses Signal wird dann von der Einheit 28 empfangen und geeignet weiter berücksichtigt.The corresponding via emitter E and base B of the bipolar transistor 20 applied voltage is almost 0, so that the collector C blocks. This means that over the resistance 22 or the diode 24 practically no electricity flows to ground. Accordingly, no relevant voltage drop occurs, so that the level of the detection signal on the output line 26 is practically 0. This signal is then received by the unit 28 received and appropriately considered further.

Kommt es dagegen, etwa durch eine Leitungsunterbrechung oder eine Störsituation, zu keiner oder keiner ausreichenden Steuerspannung am Gate G (auch wenn ggf. die zugehörige Ansteuerung CP' der Treibereinheit erfolgt), so ist der MOSFET 10 deaktiviert. Da jedoch durch die gezeigte Polarität (und bei nach wie vor korrekt angeschlossener Spannungsquelle 12) nach wie vor Strom von S zu D fließt, entsteht ein Spannungsabfall von ca. 0,7 V über der parasitären Diode des MOSFET 10, entsprechend insoweit einer Vorwärtsspannung der Body-Diode des MOSFET 10. Dieser (unerwünschte) Spannungsabfall erzeugt bei entsprechend hohen Stromstärken eine Verlustleistung, welche, mit potentiell nachteiligen Konsequenzen, in Wärme umgesetzt wird.If, on the other hand, there is no or no sufficient control voltage at the gate G (even if the associated drive CP 'of the driver unit takes place, for example due to a line interruption or an interference situation), then the MOSFET is 10 disabled. However, due to the polarity shown (and still correctly connected voltage source 12 ) current continues to flow from S to D, resulting in a voltage drop of about 0.7 V across the parasitic diode of the MOSFET 10 , Accordingly, so far as a forward voltage of the body diode of the MOSFET 10 , This (unwanted) voltage drop generates at correspondingly high currents, a power loss, which, with potentially adverse consequences, is converted into heat.

In diesem Betriebszustand würde jedoch der Spannungsabfall zwischen S und D zu einer entsprechenden Spannungsdifferenz zwischen Emitter E und Basis B des Transistors 20 führen, mit dem Ergebnis, dass der Bipolar-Transistor durchschaltet und ein Stromfluss von der Spannungsquelle 12 über den Knoten S, den Emitter bis zum Kollektor C des Transistors 20 und dort über den Widerstand 22 und die Diode 24 nach Masse erfolgt. Entsprechend fällt eine von der Zenerdiode 24 spannungsbegrenzte Spannung ab, welche dann über die Detektionssignalleitung 26 geeignet von der Einheit 28 weiter verarbeitbar ist.In this operating condition, however, the voltage drop between S and D would result in a corresponding voltage difference between emitter E and base B of the transistor 20 lead, with the result that the bipolar transistor turns on and a current flow from the voltage source 12 via the node S, the emitter to the collector C of the transistor 20 and there over the resistance 22 and the diode 24 to mass. Accordingly falls one of the zener diode 24 voltage-limited voltage, which then via the detection signal line 26 suitable from the unit 28 can be processed further.

Damit ist mit einem Minimum an Bauelementen, im gezeigten Ausführungsbeispiel lediglich mit Hilfe des Transistors 20, des Widerstands 22 und der Diode 24, eine einfache und wirksame Aktivitätsdetektion des Aktivitätszustandes des MOSFET-Transistors 10 möglich, so dass unerwünschten Betriebszuständen dann sinnvoll begegnet werden kann, wie etwa einer Last- bzw. Leistungsabsenkung für den Fall des gezeigten Spannungsabfalls über den Kanal des Transistors 10. Dies würde dann wiederum schädliche Erwärmung reduzieren und so etwaige Beschädigungen der Elektronikbaugruppen verhindern, damit eine Ausfallsgefahr verringern und entsprechend für erhöhte Betriebssicherheit sorgen.This is with a minimum of components, in the embodiment shown only with the aid of the transistor 20 , the resistance 22 and the diode 24 , a simple and effective activity detection of the state of activity of the MOSFET transistor 10 possible, so that undesirable operating conditions can then be sensibly countered, such as a load or power reduction for the case of the voltage drop across the channel of the transistor shown 10 , This in turn would reduce harmful heating and thus prevent any damage to the electronic modules, thus reducing the risk of failure and correspondingly ensure increased operational safety.

Die 2 zeigt eine Variante des Ausführungsbeispiels der 1, wobei hier anstelle der Bipolar-Transistoranordnung eine Operationsverstärkereinheit 30 als Komparator mit Source S bzw. Drain D der MOSFET-Einheit verbunden ist. Als Lastvariante (gegenüber 1, insoweit austauschbar) ist ausgangsseitig über eine Begrenzerdiode 32 eine Spannungsregeleinheit 34 vorgesehen, welche dann in ansonsten bekannter Weise als Quelle für nachfolgende Verbraucher gilt.The 2 shows a variant of the embodiment of 1 , wherein here, instead of the bipolar transistor arrangement, an operational amplifier unit 30 is connected as a comparator with source S or drain D of the MOSFET unit. As load variant (opposite 1 , to the extent interchangeable) is the output side via a limiter diode 32 a voltage regulation unit 34 provided, which then applies in an otherwise known manner as a source for subsequent consumers.

Die Vergleichereinheit 30, im dargestellten Ausführungsbeispiel unmittelbar mit S bzw. D verbunden (alternativ etwa an (nicht gezeigte) Spannungsteiler in den jeweiligen Zuleitungen angekoppelt) vergleicht in ansonsten bekannter Weise die Pegel von S bzw. D und erzeugt, geeignete mit Hilfe eines vorbestimmten Schwellwertes, dann günstig ein in der Einheit 28 auswertbares Digitalsignal.The comparator unit 30 , in the illustrated embodiment, directly connected to S and D (alternatively coupled to (not shown) voltage divider in the respective leads) compares in an otherwise known manner the level of S and D and generates suitable with the aid of a predetermined threshold, then low one in the unit 28 evaluable digital signal.

Wiederum alternativ ist in der 3, als Variante zum Komparator 30, eine Differenzeinheit 40 gezeigt, welche, insbesondere auch in analoger Realisierung, die Potenzialdifferenz zwischen S und D (wiederum alternativ auch über – nicht gezeigte – Spannungsteiler) abgreifen und etwa in ein (weiterbildungsgemäß zusätzlich verstärktes) Analogsignal umsetzen und für die Einheit 28 bereitstellen kann. Hier würde dann möglicherweise auch mit weiteren Funktionalitäten eine konkrete Auswertung eines Kanalspannungs-proportionalen-Erfassungssignals erfolgen können, mit entsprechend zugeordneten variablen Betriebsmodi, um in der erfindungsgemäßen Weise die Betriebssicherheit, Zuverlässigkeit und Robustheit bestehender MOSFET-basierender Verpolschutzschaltungen zu erhöhen.Again, alternatively, in the 3 , as a variant to the comparator 30 , a difference unit 40 shown, which, in particular also in an analogous realization, pick up the potential difference between S and D (again alternatively also via voltage dividers (not shown)) and convert them approximately into an analogue signal (additionally amplified) and for the unit 28 can provide. In this case, a concrete evaluation of a channel voltage-proportional detection signal could possibly also take place with further functionalities, with correspondingly assigned variable operating modes, in order to increase the operational safety, reliability and robustness of existing MOSFET-based polarity reversal protection circuits in the manner according to the invention.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die gezeigten Ausführungsbeispiele beschränkt, vielmehr sind die eingangs- und lastseitig gezeigten Konfigurationen ebenso als rein exemplarisch zu verstehen, wie die zwar bevorzugt mittels eines Bipolar-Tansistors realisierbare, jedoch nicht darauf (bzw. die alternativ vorgeschlagenen Operationsverstärker) realisierte Lösung zum Erfassen des Spannungsabfalls über dem MOSFET-Kanal.The present invention is not limited to the exemplary embodiments shown; rather, the configurations shown on the input and load sides are also to be understood as purely exemplary, as realized by means of a bipolar transistor, but not realized thereon (or the alternatively proposed operational amplifiers) Solution for detecting the voltage drop across the MOSFET channel.

Claims (14)

Vorrichtung zur Betriebszustandsüberwachung einer zwischen einer Spannungsquelle und einer Last vorgesehenen Verpolungsschutzvorrichtung, die eine als Reaktion auf ein Gate-Ansteuersignal von Steuermitteln in einen Durchgangszustand ihres Kanals aktivierbare MOSFET-Schalteinheit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der MOSFET-Schalteinheit Mittel zur Erfassung eines Spannungsabfalls über dem Kanal zugeordnet sind, die so ausgebildet sind, dass bei einer unverpolten Polarität der Spannungsquelle die Erfassungsmittel ein einem Aktivierungszustand der MOSFET-Schalteinheit entsprechendes Detektionssignal erzeugen.A device for operating state monitoring of a reverse polarity protection device provided between a voltage source and a load, comprising a MOSFET switching unit activatable by a control means in response to a gate drive signal of its channel, characterized in that the MOSFET switching unit comprises means for detecting a voltage drop across the Channel are assigned, which are formed so that at an unpoled polarity of the voltage source, the detection means generate an activation state of the MOSFET switching unit corresponding detection signal. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die an Drain und Source der MOSFET-Schalteinheit angreifenden Erfassungsmittel zum Erfassen eines Spannungsabfalls über einer im Kanal wirksamen parasitären Diode und/oder zum Erfassen einer Vorwärtsspannung im Kanal ausgebildet sind.Device according to Claim 1, characterized in that the detection means acting on the drain and source of the MOSFET switching unit are designed to detect a voltage drop across a parasitic diode active in the channel and / or to detect a forward voltage in the channel. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassungsmittel einen Bipolartransistor aufweisen, der so beschaltet ist, dass der Spannungsabfall ein Schaltverhalten des Bipolartransistors zum Erzeugen des Detektionssignals beeinflusst.Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the detection means comprise a bipolar transistor, which is connected so that the voltage drop affects a switching behavior of the bipolar transistor for generating the detection signal. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsabfall über dem Kanal an Basis und Emitter des Bipolartransistors anliegt und einen Kollektorstrom zur Erzeugung des Detektionssignals beeinflusst.Apparatus according to claim 3, characterized in that the voltage drop across the channel to the base and emitter of the bipolar transistor is applied and affects a collector current for generating the detection signal. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass einem Ausgang für das Detektionssignal Mittel zur Spannungsbegrenzung zugeordnet sind, die insbesondere eine kollektorseitige Zenerdiode aufweisen.Apparatus according to claim 3 or 4, characterized in that an output for the detection signal associated with voltage limiting means, in particular having a collector-side zener diode. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Detektionssignal ein zum Ansteuern einer digitalen Steuereinheit geeignetes Digitalsignal ist.Device according to one of claims 1 to 5, characterized in that the detection signal is a suitable for driving a digital control unit digital signal. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2, 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassungsmittel Komparatormittel aufweisen, die, insbesondere bezogen auf einen vorbestimmten Schwellwert, zum Erzeugen des Erfassungssignals, insbesondere als digitales Signal, ausgebildet sind.Device according to one of claims 1, 2, 6, characterized in that the detection means comprise comparator means which, in particular based on a predetermined threshold, for generating the detection signal, in particular as a digital signal, are formed. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2, 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassungsmittel eine Spannungssubtraktionseinheit aufweisen, die zum Ermitteln des Spannungsabfalls aus einer Differenz eines Drainsowie eines Source-Pegels am Kanal ausgebildet sind.Device according to one of claims 1, 2, 6, characterized in that the detection means comprise a voltage subtraction unit designed to detect the voltage drop from a difference of a drain and a source level at the channel. Vorrichtung zur Betriebszustandsüberwachung einer zwischen einer Spannungsquelle und einer Last vorgesehenen Verpolungsschutzvorrichtung, die eine als Reaktion auf ein Gate-Ansteuersignal von Steuermitteln in einen Durchgangszustand ihres Kanals aktivierbare MOSFET-Schalteinheit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der MOSFET-Schalteinheit Mittel zur Erfassung einer Gate-Spannung zugeordnet sind, die so ausgebildet sind, dass diese ein einem Aktivierungszustand der MOSFET-Schalteinheit entsprechendes, insbesondere analoges Erfassungssignal in Abhängigkeit davon erzeugen, dass eine erfasste Gate-Spannung einen vorbestimmten Schwellwert übersteigt.Device for operating state monitoring of a reverse polarity protection device provided between a voltage source and a load, which comprises a MOSFET switching unit which can be activated in response to a gate drive signal by control means in a passage state of its channel, characterized in that the MOSFET switching unit is associated with means for detecting a gate voltage, which are designed such that they are in an activation state generate the MOSFET switching unit corresponding, in particular analog detection signal in response to a detected gate voltage exceeds a predetermined threshold. Vorrichtung zur Betriebszustandsüberwachung einer zwischen einer Spannungsquelle und einer Last vorgesehenen Verpolungsschutzvorrichtung, die eine als Reaktion auf ein Gate-Ansteuersignal von Steuermitteln in einen Durchgangszustand ihres Kanals aktivierbare MOSFET-Schalteinheit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der MOSFET-Schalteinheit und/oder einer der MOSFET-Schalteinheit zugeordneten Leiterplatten- und/oder Trägereinheit Mittel zur Temperaturerfassung zugeordnet sind, die so ausgebildet sind, dass diese ein einem Aktivierungszustand der MOSFET-Schalteinheit entsprechendes, insbesondere analoges Erfassungssignal in Abhängigkeit davon erzeugen, dass eine erfasste Temperatur einen vorbestimmten Schwellwert übersteigt.Device for operating state monitoring of a reverse polarity protection device provided between a voltage source and a load, which comprises a MOSFET switching unit activatable in a passage state of its channel in response to a gate drive signal from control means, characterized in that the MOSFET switching unit and / or one of the MOSFET switching unit associated printed circuit board and / or carrier unit are associated with means for temperature detection, which are designed so that they generate an activation state of the MOSFET switching unit, in particular analog detection signal depending on that a detected temperature exceeds a predetermined threshold. Verfahren zum Betreiben einer zwischen einer Spannungsquelle und einer Last vorgesehenen Verpolungsschutzvorrichtung, insbesondere Verfahren zum Betreiben der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Verpolschutzvorrichtung eine als Reaktion auf ein Gate-Ansteuersignal von Steuermitteln in einen Durchgangszustand ihres Kanals aktivierbare MOSFET-Schalteinheit aufweist, gekennzeichnet durch die Schritte – Erfassen eines Aktivierungszustands der MOSFET-Schalteinheit durch Erzeugen und Auswerten eines Erfassungssignals und – Reduzieren der elektrischen Last, wenn bei einer unverpolten Polarität eine Nichtaktivierung der MOSFET-Schalteinheit festgestellt wird.Method for operating a reverse polarity protection device provided between a voltage source and a load, in particular a method for operating the device according to one of claims 1 to 10, wherein the polarity reversal protection device has a MOSFET switching unit which can be activated in response to a gate drive signal by control means in a passage state of its channel . characterized by the steps Detecting an activation state of the MOSFET switching unit by generating and evaluating a detection signal and - Reduction of the electrical load, when in a polarity polarity non-activation of the MOSFET switching unit is detected. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Erfassen des Aktivierungszustands das Erfassen eines Spannungsabfalls über dem Kanal und/oder das Erfassen einer Vorwärtsspannung einer Body-Diode der MOSFET-Schalteinheit im Lastbetrieb aufweist.A method according to claim 11, characterized in that detecting the activation state comprises detecting a voltage drop across the channel and / or detecting a forward voltage of a body diode of the MOSFET switching unit in load operation. Verwendung der Vorrichtung zur Betriebszustandsüberwachung nach einem der Ansprüche 1 bis 10 für ein Kraftfahrzeug-Versorgungsnetz als Spannungsquelle.Use of the device for operating state monitoring according to one of claims 1 to 10 for a motor vehicle supply network as a voltage source. Verwendung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Last ein elektrisches Antriebsaggregat, insbesondere einen Motor aufweist.Use according to claim 13, characterized in that the load comprises an electric drive unit, in particular a motor.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016114740B3 (en) * 2016-08-09 2017-11-23 Lisa Dräxlmaier GmbH Electronic fuse for an electrical load in a vehicle electrical system of a motor vehicle
DE102016214285A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-08 Continental Automotive Gmbh polarity reversal protection circuit
EP3293531A4 (en) * 2015-07-07 2018-11-21 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Fault diagnosis circuit and fault diagnosis method
US11611209B2 (en) 2019-05-02 2023-03-21 Flash Electronics (India) Private Limited System and a method for protecting a regulator rectifier device and a respective protection device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5519557A (en) * 1993-11-19 1996-05-21 Chrysler Corporation Power supply polarity reversal protection circuit
DE19803040A1 (en) * 1997-01-31 1998-08-06 Int Rectifier Corp Power switching
DE10051976A1 (en) * 2000-10-20 2002-05-16 Bosch Gmbh Robert Circuit arrangement for operating a load
DE10129550A1 (en) * 2001-06-19 2003-01-16 Hella Kg Hueck & Co Electronic protection circuit for automobile electronics, has source-drain path of MOSFET switched into conduction dependent on onboard network voltage polarity

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5519557A (en) * 1993-11-19 1996-05-21 Chrysler Corporation Power supply polarity reversal protection circuit
DE19803040A1 (en) * 1997-01-31 1998-08-06 Int Rectifier Corp Power switching
DE10051976A1 (en) * 2000-10-20 2002-05-16 Bosch Gmbh Robert Circuit arrangement for operating a load
DE10129550A1 (en) * 2001-06-19 2003-01-16 Hella Kg Hueck & Co Electronic protection circuit for automobile electronics, has source-drain path of MOSFET switched into conduction dependent on onboard network voltage polarity

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3293531A4 (en) * 2015-07-07 2018-11-21 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Fault diagnosis circuit and fault diagnosis method
US10352990B2 (en) 2015-07-07 2019-07-16 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Failure diagnosis circuit and failure diagnosis method
DE102016214285A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-08 Continental Automotive Gmbh polarity reversal protection circuit
WO2018024544A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-08 Continental Automotive Gmbh Reverse polarity protection circuit
CN109478780A (en) * 2016-08-02 2019-03-15 大陆汽车有限责任公司 Circuit is protected in reversal
CN109478780B (en) * 2016-08-02 2020-08-04 大陆汽车有限责任公司 Polarity conversion protection circuit
US11411397B2 (en) 2016-08-02 2022-08-09 Continental Automotive Gmbh Polarity reversal protection circuit
DE102016114740B3 (en) * 2016-08-09 2017-11-23 Lisa Dräxlmaier GmbH Electronic fuse for an electrical load in a vehicle electrical system of a motor vehicle
CN107706882A (en) * 2016-08-09 2018-02-16 利萨·德雷克塞迈尔有限责任公司 Electronic fuse for the electric loading in the vehicle electronic circuit system of motor vehicle
US10044180B2 (en) 2016-08-09 2018-08-07 Lisa Draexlmaier Gmbh Electronic circuit breaker for an electrical load in an on-board electrical system of a motor vehicle
US11611209B2 (en) 2019-05-02 2023-03-21 Flash Electronics (India) Private Limited System and a method for protecting a regulator rectifier device and a respective protection device

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