DE102011007228B4 - Semiconductor device - Google Patents

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Abstract

Halbleitervorrichtung, aufweisend:eine Grundplatte (10);ein Gehäuse (12) auf der Grundplatte (10);einen Vorsprung (14) auf einer Innenwand des Gehäuses (12); ein Halbleiterelement (18) auf der Grundplatte (10) in dem Gehäuse (12);einen Anschluss (20, 22), welcher vom Vorsprung (14) gehalten wird und mit dem Halbleiterelement (18) verbunden ist; Gel (26), welches in das Gehäuse (12) injiziert ist; eine Abdeckung (28), welche an dem Gehäuse (12) angebracht ist und das Halbleiterelement (18) und das Gel (26) einkapselt; undeine Stütze (30) mit einem Bodenende, das die Grundplatte (10) berührt, und einem Kopfende, das eine untere Oberfläche der Abdeckung (28) berührt, wobei die Stütze (30) die Abdeckung (28) am Gehäuse (12) befestigt,wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs (14) getrennt von der unteren Oberfläche der Abdeckung (28) ist,wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs (14) oberhalb der kopfseitigen Oberfläche des Gels (26) neben dem Vorsprung (14) angeordnet ist.A semiconductor device comprising: a base plate (10); a housing (12) on the base plate (10); a projection (14) on an inner wall of the housing (12); a semiconductor element (18) on the base plate (10) in the housing (12); a terminal (20, 22) held by the projection (14) and connected to the semiconductor element (18); Gel (26) injected into the housing (12); a cover (28) attached to the housing (12) and encapsulating the semiconductor element (18) and the gel (26); anda support (30) having a bottom end contacting the baseplate (10) and a head end contacting a lower surface of the cover (28), the support (30) securing the cover (28) to the housing (12), wherein a head-side surface of the protrusion (14) is separate from the lower surface of the cover (28), wherein a head-side surface of the protrusion (14) is located above the head-side surface of the gel (26) adjacent to the protrusion (14).

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, bei der das Innere eines Gehäuses mit Gel gefüllt und durch eine Abdeckung verkapselt ist, und insbesondere eine Halbleitervorrichtung, welche es ermöglicht zu verhindern, dass das Silikongel nach oben zur Kopfseite der Abdeckung kriecht.The present invention relates to a semiconductor device in which the inside of a case is filled with gel and encapsulated by a cover, and more particularly to a semiconductor device which makes it possible to prevent the silicone gel from creeping upward to the head side of the cover.

Um Isolationseigenschaften zu gewährleisten, wird eine Halbleitervorrichtung verwendet, welche durch Anbringung eines Halbleiterelements in einem Gehäuse, dessen Inneres mit Gel gefüllt und durch einen Deckel abgekapselt ist, konfiguriert (siehe JP 2004 - 103 936 A ).In order to ensure insulating properties, a semiconductor device is used which is configured by mounting a semiconductor element in a housing whose interior is filled with gel and encapsulated by a lid (see JP 2004 - 103 936 A ).

US 6 787 893 B2 offenbart eine Halbleitervorrichtung in einem Gehäuse. Letzteres ist nach oben offen und mit einer Abdeckung verschlossen. Im Inneren des Gehäuses befindet sich ein Abdichtharz, welches jedoch nicht bis zur Abdeckung reicht, um einen Austritt des Abdeckmaterials infolge thermischer Ausdehnung zu vermeiden. US Pat. No. 6,787,893 B2 discloses a semiconductor device in a housing. The latter is open at the top and closed with a cover. Inside the housing is a sealing resin, which, however, does not extend to the cover to prevent leakage of the covering material as a result of thermal expansion.

EP 1 768 182 A2 beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit einer Überstromschutzeinrichtung. Das Modul besteht aus einem Gehäuse, welches mit seiner Seitenwand auf einem Substrat aufliegt. Das Substrat trägt auf seiner Oberfläche Halbleitervorrichtungen. EP 1 768 182 A2 describes a power semiconductor module with an overcurrent protection device. The module consists of a housing, which rests with its side wall on a substrate. The substrate carries semiconductor devices on its surface.

EP 1 494 278 A1 beschreibt ein elektronisches Leistungsmodul mit einer Gummidichtung. Die ringförmige Gummidichtung umschließt einen Raum zwischen Kühlelementen, in dem eine Halbleitervorrichtung mit einer Vergussmasse vergossen ist. Sofern sich die Vergussmasse infolge einer Erwärmung ausdehnt, kann sie durch eine horizontale Grenzfläche zwischen der Gummidichtung und den Kühlkörpern nach außen austreten. Dies versucht man bei der beschriebenen Vorrichtung dadurch zu vermeiden, dass zwei Kühlelemente oberhalb und unterhalb der Halbleitervorrichtung vorhanden sind, von denen man sich eine ausreichende Kühlung erhofft. EP 1 494 278 A1 describes an electronic power module with a rubber seal. The annular rubber seal encloses a space between cooling elements in which a semiconductor device is sealed with a potting compound. If the potting compound expands as a result of heating, it can escape through a horizontal interface between the rubber seal and the heat sinks to the outside. In the case of the device described, this is attempted to be avoided by virtue of the fact that there are two cooling elements above and below the semiconductor device, from which it is hoped that adequate cooling will take place.

DE 33 08 720 A1 beschreibt ein Halbleiterbauelement mit scheibenförmigem Gehäuse. Ein Halbleiterkörper befindet sich zwischen zwei Anschlusskörpern und ist von einem elastischen Ring umgeben, der unter Druck an Dichtflächen der Anschlusskörper anliegt, so dass der Halbleiterkörper gegen das Eindringen von Vergussmasse geschützt ist. DE 33 08 720 A1 describes a semiconductor device with disc-shaped housing. A semiconductor body is located between two connection bodies and is surrounded by an elastic ring, which rests under pressure on sealing surfaces of the connection body, so that the semiconductor body is protected against the penetration of potting compound.

Des Weiteren zeigen die DE 10 2008 051 560 A1 , US 5 646 445 A und die JP S63-164 345 A gehäuste Halbleiterbauelemente.Furthermore, the show DE 10 2008 051 560 A1 . US 5 646 445 A and the JP S63-164 345 A housed semiconductor devices.

Es existiert das Problem, dass, wenn das Gel gehärtet wird, es aufgrund der Kapillarkräfte durch einen Spalt zwischen dem Gehäuse und der Abdeckung nach oben zur Kopfseite der Abdeckung kriecht.There is a problem that, when the gel is hardened, due to the capillary forces, it creeps up through a gap between the housing and the cover to the head side of the cover.

Im Hinblick auf die vorstehend erwähnten Probleme ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitervorrichtung anzugeben, welche es ermöglicht zu verhindern, dass das Silikongel nach oben zur Kopfseite der Abdeckung kriecht.In view of the above-mentioned problems, an object of the invention is to provide a semiconductor device which makes it possible to prevent the silicone gel from creeping up to the head side of the cover.

Diese Aufgabe wird durch eine Halbleitervorrichtung gemäß den unabhängigen Ansprüchen 1 und 3 gelöst. Bevorzugte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.This object is achieved by a semiconductor device according to independent claims 1 and 3. Preferred embodiments are specified in the subclaims.

Die Erfindung ermöglicht es zu verhindern, dass das Silikongel nach oben zur Kopfseite der Abdeckung kriecht.The invention makes it possible to prevent the silicone gel from creeping up to the top of the cover.

Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen vollständiger aus der folgenden Beschreibung hervor.Other and further objects, features and advantages of the invention will be more fully apparent from the following description.

Figurenlistelist of figures

  • 1 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform veranschaulicht. 1 FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to a first embodiment. FIG.
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, welche das Innere eines Gehäuses der in 1 gezeigten Halbleitervorrichtung veranschaulicht. 2 FIG. 15 is a perspective view showing the inside of a housing of FIG 1 illustrated semiconductor device illustrated.
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Situation veranschaulicht, in der ein Anschluss an dem in 1 gezeigten Gehäuse angebracht wird. 3 FIG. 15 is a perspective view illustrating a situation in which a connection to the in 1 shown housing is attached.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel veranschaulicht. 4 FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to a comparative example. FIG.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht, welche ein modifiziertes Beispiel der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform veranschaulicht. 5 FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a modified example of the semiconductor device of the first embodiment. FIG.
  • 6 ist eine perspektivische Ansicht, welche die untere Oberfläche der Abdeckung der in 5 gezeigten Halbleitervorrichtung veranschaulicht. 6 FIG. 15 is a perspective view showing the lower surface of the cover of FIG 5 illustrated semiconductor device illustrated.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform veranschaulicht. 7 FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to a second embodiment. FIG.

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten AusführungsformenDetailed Description of the Preferred Embodiments

Eine Halbleitervorrichtung gemäß den Ausführungsformen der Erfindung wird mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Die gleichen Komponenten werden durch die gleichen Symbole gekennzeichnet und die Wiederholung ihrer Beschreibung wird ausgelassen.A semiconductor device according to the embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. The same components are represented by the same symbols and the repetition of their description is omitted.

Erste AusführungsformFirst embodiment

1 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform veranschaulicht. 2 ist eine perspektivische Ansicht, welche das Innere eines Gehäuses der in 1 gezeigten Halbleitervorrichtung veranschaulicht. 3 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Situation veranschaulicht, in der ein Anschluss an dem in 1 gezeigten Gehäuse angebracht wird. 1 FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to a first embodiment. FIG. 2 FIG. 15 is a perspective view showing the inside of a housing of FIG 1 illustrated semiconductor device illustrated. 3 FIG. 15 is a perspective view illustrating a situation in which a connection to the in 1 shown housing is attached.

Ein Muttergehäuse bzw. Hauptgehäuse 12 ist auf einer Grundplatte 10 vorhanden. Ein Vorsprung 14 ist auf einer Innenwand des Muttergehäuses 12 vorhanden. In dem Muttergehäuse 12 ist ein Halbleiterelement 18 mittels eines isolierenden Substrats 16 auf der Grundplatte 10 bereitgestellt bzw. angebracht.A mother housing or main housing 12 is on a base plate 10 available. A lead 14 is on an inner wall of the mother housing 12 available. In the mother housing 12 is a semiconductor element 18 by means of an insulating substrate 16 on the base plate 10 provided or attached.

Wie in 3 gezeigt ist, können ein Stecker 20 oder ein Anschlussstift und Schraubblockanschluss bzw. eine Schraubblockklemme 22 frei in den Vorsprung 14, der auf der Innenwand des Muttergehäuses 12 ausgebildet ist, eingeschoben werden. Der Vorsprung 14 hält den Stecker 20 und die Schraubblockklemme 22. Der Stecker 20 und die Schraubblockklemme 22 sind über Drähte 24 mit dem Halbleiterelement 18 verbunden. Das Innere des Muttergehäuses 12 ist mit Silikongel 26 gefüllt. Eine Abdeckung 28 ist an dem Muttergehäuse 12 angebracht. Die Abdeckung 28 kapselt das Halbleiterelement 18 und das Silikongel 26 ein.As in 3 shown is a plug 20 or a terminal pin and screw block terminal or a screw block terminal 22 free in the lead 14 standing on the inner wall of the mother housing 12 is designed to be inserted. The lead 14 Hold the plug 20 and the screw block clamp 22 , The plug 20 and the screw block clamp 22 are over wires 24 with the semiconductor element 18 connected. The interior of the mother housing 12 is with silicone gel 26 filled. A cover 28 is on the mother housing 12 appropriate. The cover 28 encapsulates the semiconductor element 18 and the silicone gel 26 on.

Darüber hinaus ist eine Stütze 30 im Muttergehäuse 12 gemäß dieser Ausführungsform vorhanden. Das Bodenende der Stütze 30 berührt die Grundplatte 10 und das kopfseitige Ende der Stütze 30 berührt die untere Oberfläche (innere Oberfläche des Gehäuses) der Abdeckung 28. Die Stütze 30 befestigt die Abdeckung 28 am Muttergehäuse 12. Die kopfseitige Oberfläche bzw. Deckfläche des Muttergehäuses 12 ist zu der kopfseitigen Oberfläche der Abdeckung 28 ausgerichtet und die kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs 14 ist von der unteren Oberfläche der Abdeckung 28 in diesem Zustand getrennt. Um die Herstellung und den Zusammenbau zu erleichtern, ist die Stütze 30 vorzugsweise an der unteren Oberfläche der Abdeckung 28 befestigt oder einstückig mit dieser ausgebildet.In addition, is a prop 30 in the mother housing 12 according to this embodiment. The bottom end of the prop 30 touches the base plate 10 and the head end of the post 30 touches the lower surface (inner surface of the housing) of the cover 28 , The support 30 attach the cover 28 on the mother housing 12 , The head-side surface or top surface of the mother housing 12 is to the head-side surface of the cover 28 aligned and the head-side surface of the projection 14 is from the bottom surface of the cover 28 disconnected in this state. To facilitate the manufacture and assembly, is the support 30 preferably on the lower surface of the cover 28 attached or integrally formed with this.

Effekte der vorliegenden Ausführungsform werden in Bezug auf ein Vergleichsbeispiel beschrieben. 4 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel veranschaulicht. In dem Vergleichsbeispiel stützt der Vorsprung 14 auf der Innenwand des Muttergehäuses 12 die Bodenoberfläche der Abdeckung 28. Deshalb kriecht das Silikongel 26, wenn es aushärtet, nach oben zur Kopfseite der Abdeckung 28, indem es aufgrund von Kapillarkräften durch den Spalt zwischen der kopfseitigen Oberfläche des Vorsprungs 14 und der unteren Oberfläche der Abdeckung 28 und den Spalt zwischen der Innenwand des Muttergehäuses 12 und der Außenwand der Abdeckung 28 tritt.Effects of the present embodiment will be described with reference to a comparative example. 4 FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to a comparative example. FIG. In the comparative example, the projection is supported 14 on the inner wall of the mother housing 12 the bottom surface of the cover 28 , That's why the silicone gel creeps 26 when it hardens, up to the top of the cover 28 by passing through the gap between the head-side surface of the projection due to capillary forces 14 and the bottom surface of the cover 28 and the gap between the inner wall of the nut housing 12 and the outer wall of the cover 28 occurs.

Andererseits ist gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Kontaktteil zwischen dem Muttergehäuse 12 und der Abdeckung 28 von der kopfseitigen Oberfläche des Silikongels 26 getrennt. Ein Zwischenraum 32 zwischen der kopfseitigen Oberfläche des Vorsprungs 14 und der unteren Oberfläche der Abdeckung 28 stellt einen Rückhalteabschnitt für das Gel dar. Dies verhindert, dass das Silikongel 26 nach oben zur Kopfseite der Abdeckung 28 kriecht.On the other hand, according to the present embodiment, the contact part is between the nut housing 12 and the cover 28 from the top surface of the silicone gel 26 separated. A gap 32 between the head-side surface of the projection 14 and the bottom surface of the cover 28 represents a retention section for the gel. This prevents the silicone gel 26 up to the top of the cover 28 creeps.

5 ist eine Querschnittsansicht, welche ein Modifikationsbeispiel einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. 6 ist eine perspektivische Ansicht, welche die untere Oberseite der Abdeckung der Halbleitervorrichtung, die in 5 gezeigt ist, veranschaulicht. Um die Stütze 30 herum ist eine Wand 34 auf der unteren Oberfläche der Abdeckung 28 von der Stütze 30 getrennt vorhanden. Selbst wenn das Silikongel 26, das die Stütze 30 entlang nach oben kriecht, die untere Oberfläche der Abdeckung 28 erreicht, bewegt sich das Silikongel 26 entlang der Wand 34 und fällt nach unten. Dies gewährleistet weiter, dass verhindert wird, dass das Silikongel 26 nach oben zur Kopfseite der Abdeckung 28 kriecht. 5 FIG. 15 is a cross-sectional view showing a modification example of a semiconductor device according to the first embodiment. FIG. 6 FIG. 16 is a perspective view showing the lower top of the cover of the semiconductor device shown in FIG 5 shown is illustrated. To the support 30 there is a wall around 34 on the bottom surface of the cover 28 from the prop 30 separated available. Even if the silicone gel 26 that the prop 30 crawls upwards, the bottom surface of the cover 28 reached, moves the silicone gel 26 along the wall 34 and falls down. This further ensures that the silicone gel is prevented 26 up to the top of the cover 28 creeps.

Zweite AusführungsformSecond embodiment

7 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt. Bei dieser Ausführungsform ist eine Gummidichtung 36 anstelle der Stütze 30 der ersten Ausführungsform vorhanden. Die Gummidichtung 36 füllt den Spalt zwischen der Innenwand des Muttergehäuses 12 und der Außenwand der Abdeckung 28 und befestigt auch die Abdeckung 28 an dem Muttergehäuse 12. Dies kann verhindern, dass das Silikongel 26 nach oben zur Kopfseite der Abdeckung 28 kriecht. 7 FIG. 10 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment. FIG. In this embodiment, a rubber seal 36 instead of the prop 30 of the first embodiment. The rubber seal 36 fills the gap between the inner wall of the nut housing 12 and the outer wall of the cover 28 and also attach the cover 28 on the mother housing 12 , This can prevent the silicone gel 26 up to the top of the cover 28 creeps.

Darüber hinaus ist, wenn die Abdeckung 28 am Muttergehäuse 12 durch die Gummidichtung 36 befestigt ist, die kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs 14 vorzugsweise getrennt von der unteren Oberfläche der Abdeckung 28. Dies gewährleistet weiter, dass verhindert wird, dass das Silikongel 26 nach oben zur Kopfseite der Abdeckung 28 kriecht.In addition, if the cover 28 on the mother housing 12 through the rubber seal 36 is attached, the head-side surface of the projection 14 preferably separate from the lower surface of the cover 28 , This further ensures that the silicone gel is prevented 26 up to the top of the cover 28 creeps.

Der gleiche Effekt wird ungeachtet der Tatsache erhalten, ob die Gummidichtung 36 an der Abdeckung 28 oder dem Muttergehäuse 12 angebracht ist.The same effect is obtained regardless of whether the rubber seal 36 on the cover 28 or the mother housing 12 is appropriate.

Claims (3)

Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Grundplatte (10); ein Gehäuse (12) auf der Grundplatte (10); einen Vorsprung (14) auf einer Innenwand des Gehäuses (12); ein Halbleiterelement (18) auf der Grundplatte (10) in dem Gehäuse (12); einen Anschluss (20, 22), welcher vom Vorsprung (14) gehalten wird und mit dem Halbleiterelement (18) verbunden ist; Gel (26), welches in das Gehäuse (12) injiziert ist; eine Abdeckung (28), welche an dem Gehäuse (12) angebracht ist und das Halbleiterelement (18) und das Gel (26) einkapselt; und eine Stütze (30) mit einem Bodenende, das die Grundplatte (10) berührt, und einem Kopfende, das eine untere Oberfläche der Abdeckung (28) berührt, wobei die Stütze (30) die Abdeckung (28) am Gehäuse (12) befestigt, wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs (14) getrennt von der unteren Oberfläche der Abdeckung (28) ist, wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs (14) oberhalb der kopfseitigen Oberfläche des Gels (26) neben dem Vorsprung (14) angeordnet ist.A semiconductor device, comprising: a base plate (10); a housing (12) on the base plate (10); a projection (14) on an inner wall of the housing (12); a semiconductor element (18) on the base plate (10) in the housing (12); a terminal (20, 22) held by the projection (14) and connected to the semiconductor element (18); Gel (26) injected into the housing (12); a cover (28) attached to the housing (12) and encapsulating the semiconductor element (18) and the gel (26); and a support (30) having a bottom end that contacts the base plate (10) and a head end that contacts a bottom surface of the cover (28), the support (30) securing the cover (28) to the housing (12), wherein a head-side surface of the projection (14) is separate from the lower surface of the cover (28), wherein a head-side surface of the projection (14) is disposed above the head-side surface of the gel (26) adjacent to the projection (14). Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, weiter aufweisend eine Wand (34) auf der unteren Oberfläche der Abdeckung (28) getrennt von der Stütze (30) um die Stütze (30) herum.Semiconductor device according to Claim 1 , further comprising a wall (34) on the lower surface of the cover (28) separated from the support (30) around the support (30). Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Grundplatte (10); ein Gehäuse (12) auf der Grundplatte (10); ein Halbleiterelement (18) auf der Grundplatte (10) in dem Gehäuse (12); Gel (26), das in das Gehäuse (12) injiziert ist; eine Abdeckung (28), welche an dem Gehäuse (12) angebracht ist und das Halbleiterelement (18) und das Gel (26) einkapselt; eine Gummidichtung (36), welche einen Spalt zwischen einer Innenwand des Gehäuses (12) und einer äußeren Wand der Abdeckung (28) füllt und die Abdeckung (28) am Gehäuse (12) befestigt einen Vorsprung (14) auf einer Innenwand des Gehäuses (12); und einen Anschluss (20, 22), welcher vom Vorsprung (14) gehalten wird und mit dem Halbleiterelement (18) verbunden ist, wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs (14) getrennt von einer unteren Oberfläche der Abdeckung (28) ist, wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs (14) oberhalb der kopfseitigen Oberfläche des Gels (26) neben dem Vorsprung (14) angeordnet ist.A semiconductor device, comprising: a base plate (10); a housing (12) on the base plate (10); a semiconductor element (18) on the base plate (10) in the housing (12); Gel (26) injected into the housing (12); a cover (28) attached to the housing (12) and encapsulating the semiconductor element (18) and the gel (26); a rubber seal (36) filling a gap between an inner wall of the housing (12) and an outer wall of the cover (28) and fixing the cover (28) to the housing (12) a projection (14) on an inner wall of the housing (12); and a terminal (20, 22) held by the projection (14) and connected to the semiconductor element (18), wherein a head-side surface of the projection (14) is separated from a lower surface of the cover (28), wherein a head-side surface of the projection (14) is disposed above the head-side surface of the gel (26) adjacent to the projection (14).
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5015953B2 (en) 2005-12-23 2012-09-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Multilayer films containing thermoplastic silicone block copolymers
JP6848802B2 (en) 2017-10-11 2021-03-24 三菱電機株式会社 Semiconductor device
JP6861622B2 (en) * 2017-12-19 2021-04-21 三菱電機株式会社 Semiconductor equipment and power conversion equipment
EP4270469A1 (en) * 2022-04-29 2023-11-01 Infineon Technologies AG Power semiconductor module

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3308720A1 (en) 1983-03-11 1984-09-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH DISC-SHAPED HOUSING
JPS63164345A (en) 1986-12-26 1988-07-07 Nec Corp Package for semiconductor integrated circuit
US5646445A (en) 1995-07-07 1997-07-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having electrodes embedded in an insulating case
JP2004103936A (en) 2002-09-11 2004-04-02 Mitsubishi Electric Corp Power semiconductor device and manufacturing method thereof
US6787893B2 (en) 2001-01-23 2004-09-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
EP1494278A1 (en) 2003-07-04 2005-01-05 Siemens Aktiengesellschaft Electronic power module with rubber seal, and corresponding manufacturing method
EP1768182A2 (en) 2005-09-27 2007-03-28 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Semiconductor power module with overcurrent protection means
DE102008051560A1 (en) 2007-10-18 2009-04-23 Infineon Technologies Ag Power module, particularly power semiconductor module, has housing with multiple receiving elements and carrier element, where elastic deformable cover is arranged on carrier element

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4079511A (en) * 1976-07-30 1978-03-21 Amp Incorporated Method for packaging hermetically sealed integrated circuit chips on lead frames
JPS6329957A (en) * 1986-07-23 1988-02-08 Seiko Epson Corp Sealing type of semiconductor device
JPH02307250A (en) * 1989-05-23 1990-12-20 Mitsubishi Electric Corp Hybrid integrated circuit package
CN100361317C (en) * 2004-02-27 2008-01-09 矽品精密工业股份有限公司 Package of possessing support piece for packing light sensitive semiconductor
JP4242401B2 (en) * 2006-06-29 2009-03-25 三菱電機株式会社 Semiconductor device
CN101101880A (en) * 2006-07-03 2008-01-09 矽品精密工业股份有限公司 Heat-radiation type package structure and its method for making
JP4858336B2 (en) * 2007-07-10 2012-01-18 三菱電機株式会社 Power semiconductor device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3308720A1 (en) 1983-03-11 1984-09-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH DISC-SHAPED HOUSING
JPS63164345A (en) 1986-12-26 1988-07-07 Nec Corp Package for semiconductor integrated circuit
US5646445A (en) 1995-07-07 1997-07-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having electrodes embedded in an insulating case
US6787893B2 (en) 2001-01-23 2004-09-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2004103936A (en) 2002-09-11 2004-04-02 Mitsubishi Electric Corp Power semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1494278A1 (en) 2003-07-04 2005-01-05 Siemens Aktiengesellschaft Electronic power module with rubber seal, and corresponding manufacturing method
EP1768182A2 (en) 2005-09-27 2007-03-28 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Semiconductor power module with overcurrent protection means
DE102008051560A1 (en) 2007-10-18 2009-04-23 Infineon Technologies Ag Power module, particularly power semiconductor module, has housing with multiple receiving elements and carrier element, where elastic deformable cover is arranged on carrier element

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP S63- 164 345 A (Maschinenübersetzung), AIPN [online] JPO [abgerufen am 06.03.2019] *

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Publication number Publication date
CN102254878A (en) 2011-11-23
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