DE102010060591B4 - Plasma generator - Google Patents
Plasma generator Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010060591B4 DE102010060591B4 DE102010060591.3A DE102010060591A DE102010060591B4 DE 102010060591 B4 DE102010060591 B4 DE 102010060591B4 DE 102010060591 A DE102010060591 A DE 102010060591A DE 102010060591 B4 DE102010060591 B4 DE 102010060591B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chamber
- electrode
- cylindrical
- plasma
- rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
- H01J37/32027—DC powered
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/40—Surface treatments
Abstract
Plasmagenerator, welcher mit einem zylindrischen Kammerbauteil ausgestattet ist, welches eine zylindrische Elektrode (1), eine Blende (4), welche in dem zylindrischen Kammerbauteil angeordnet ist, um das zylindrische Kammerbauteil in eine erste Kammer (2), welche Gaszuführanschlüsse (10) hat, und eine zweite Kammer (3), welche Gasauslassanschlüsse (11) hat, zu untergliedern, eine stabförmigen Elektrode (5), welche innerhalb der zweiten Kammer (3) auf einer Mittelachse der zylindrischen Elektrode (1) platziert ist, und eine Unterelektrode (6) hat, welche an der ersten Kammer (2) platziert ist, und in der Lage ist, ein von der zylindrischen Elektrode (1) verschiedenes Potential anzulegen,wobei der Plasmagenerator ein elektrisches Feld zwischen der zylindrischen Elektrode (1) und der stabförmigen Elektrode (5) anlegt, um ein Plasma zu erzeugen,wobei er weiterhin getrennt ein elektrisches Feld zwischen der zylindrischen Elektrode (1) und der Unterelektrode (6) anlegt, um ein Plasma getrennt von dem Plasma zu erzeugen, welches zwischen der stabförmigen Elektrode (5) und der zylindrischen Elektrode (1) erzeugt wird, undwelcher Plasmabereiche der ersten Kammer (2) und der zweiten Kammer (3) hat, welche durch die Löcher der Blende (4) verbunden sind,wobei das Plasma, welches zwischen der stabförmigen Elektrode (5) und der zylindrischen Elektrode (1) erzeugt wird, eine Glimmentladung ist, und das Plasma, welches zwischen der zylindrischen Elektrode (1) und der Unterelektrode (6) erzeugt wird, eine Glimmentladung oder eine Bogenentladung ist, undwobei ein Druck der zweiten Kammer (3) ein Druck von 300 Pa bis 101 kPa ist.Plasma generator, which is equipped with a cylindrical chamber component, which has a cylindrical electrode (1), a screen (4), which is arranged in the cylindrical chamber component, around the cylindrical chamber component in a first chamber (2) which has gas supply connections (10) , and a second chamber (3) which has gas outlet connections (11) to subdivide, a rod-shaped electrode (5) which is placed inside the second chamber (3) on a central axis of the cylindrical electrode (1), and a sub-electrode ( 6), which is placed on the first chamber (2) and is able to apply a potential different from that of the cylindrical electrode (1), the plasma generator creating an electric field between the cylindrical electrode (1) and the rod-shaped electrode (5) applies to generate a plasma, further separately applying an electric field between the cylindrical electrode (1) and the sub-electrode (6) to separate a plasma t from the plasma which is generated between the rod-shaped electrode (5) and the cylindrical electrode (1), and which has plasma regions of the first chamber (2) and the second chamber (3), which through the holes of the diaphragm (4 ) are connected, the plasma generated between the rod-shaped electrode (5) and the cylindrical electrode (1) being a glow discharge, and the plasma generated between the cylindrical electrode (1) and the sub-electrode (6) , a glow discharge or an arc discharge, and wherein a pressure of the second chamber (3) is a pressure of 300 Pa to 101 kPa.
Description
TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Plasmagenerator, welcher ein stabiles Plasma an den Elektrodenbauteilen bildet, und ein Plasma hoher Dichte erzeugt.The present invention relates to a plasma generator which forms a stable plasma on the electrode members and generates a high density plasma.
STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART
Plasma ist in einem reaktiven Zustand, daher wurde es herkömmlicherweise weitgehend bei der Oberflächenbehandlung, der Bildung dünner Schichten bzw. Filme, beim Ätzen und auf anderen Gebieten verwendet. Um eine schnellere Behandlung auszuführen, ist es notwendig, die Plasmadichte zu steigern bzw. zu erhöhen und die aktivierten reaktiven Ionen zu vermehren. Auch bei einer DLC-Beschichtung (diamond like carbon = diamantähnlicher Kohlenstoff) wird ein Plasmagenerator verwendet. Methan oder Acethylen oder ein anderes Kohlenwasserstoffgas wird in Plasma disassoziiert, um Radikale oder Ionen oder andere aktivierte reaktive Ionen zu erzeugen, welche verwendet werden, um DLC auf der Oberfläche eines Basismaterials zu bilden. Wenn ein DLC unter einen hohen Geschwindigkeit gebildet wird, ist es notwendig, Plasma hoher Dichte mit einer hohen Dichte der aktivierten reaktiven Ionen zu verwenden.Plasma is in a reactive state, so it has conventionally been widely used in surface treatment, thin film formation, etching, and other fields. In order to carry out a faster treatment, it is necessary to increase or increase the plasma density and to multiply the activated reactive ions. A plasma generator is also used with a DLC coating (diamond like carbon). Methane or acetylene or some other hydrocarbon gas is disassociated in plasma to produce radicals or ions or other activated reactive ions which are used to form DLC on the surface of a base material. When forming a DLC at a high speed, it is necessary to use high density plasma having a high density of activated reactive ions.
Aus diesem Grunde wurden, um ein Plasma hoher Dichte zu erhalten, das Verfahren des Erhöhens des Gasdruckes, um die aktivierten Ionen selbst zu vermehren, das Verfahren des Erhöhens der elektrischen Feldstärke, um den Lösungsgrad zu verbessern, das Verfahren, welches ein Magnetfeld verwendet, um das Plasma einzuschließen, und andere Verfahren verwendet. Mit dem Verfahren des Verwendens eines Magnetfelds, um das Plasma einzuschließen, ist es jedoch nicht möglich, die Plasmadichte von der gewöhnlich verwendeten von 108/cm3 bis 1010/cm3 um eine Größenordnung zu verbessern. Weiterhin gibt es bei dem Verfahren des Erhöhens des Gasdrucks oder dem Verfahren des Erhöhens der Energiequellenspannung eine leichte Verschiebung von der normalerweise erwünschten Glimmentladung (Niedrigtemperaturplasma) zu einer Bogenentladung (Hochtemperaturplasma) und demzufolge tritt ein Problem in dem Arbeitsvorgang auf.For this reason, in order to obtain a high density plasma, the method of increasing the gas pressure to increase the activated ions themselves, the method of increasing the electric field strength to improve the degree of dissolution, the method using a magnetic field, to contain the plasma; and other methods are used. However, with the method of using a magnetic field to confine the plasma, it is not possible to improve the plasma density by an order of magnitude from that commonly used from 10 8 / cm 3 to 10 10 / cm 3. Furthermore, in the method of increasing the gas pressure or the method of increasing the power source voltage, there is a slight shift from the normally desired glow discharge (low temperature plasma) to an arc discharge (high temperature plasma), and hence a problem arises in the operation.
Als eine Technik zum Erhöhen der elektrischen Felddichte (elektrische Felddichte= Spannung/Abstand), ist die Technik des Verkürzens des Abstandes zwischen den Elektroden wirkungsvoll, wenn jedoch der Abstand zwischen den Elektroden gekürzt wird, ohne dass eine höhere Spannung angelegt wird, war es nicht möglich, Plasma zu erzeugen. Der Grund wird als nächstes kurz erklärt werden. Aufgrund des Paschen-Gesetzes gibt es eine nach unten gewandte Kurve der Korrelation zwischen der Entladungsbeginn-Spannung und dem (Druck x Abstand zwischen den Elektroden). Aus diesem Grund gelangt, wenn der Abstand zwischen den Elektroden unter dem gleichen Druck schmäler wird, die Spannung, welche für den Beginn der Entladung benötigt wird, zu einem Anstieg und eine Entladung tritt nicht weiterhin bei der Spannung auf, bei welcher eine Entladung bisher begann.As a technique for increasing the electric field density (electric field density = voltage / distance), the technique of shortening the distance between the electrodes is effective, but when the distance between the electrodes is shortened without applying a higher voltage, it was not possible to generate plasma. The reason will be briefly explained next. Due to Paschen's law, there is a downward-facing curve of the correlation between the discharge start voltage and the (pressure x distance between electrodes). For this reason, when the distance between the electrodes becomes narrower under the same pressure, the voltage required to start the discharge increases and discharge does not continue to occur at the voltage at which discharge started .
Als ein Ergebnis trat aufgrund der Konzentration des elektrischen Feldes etc. eine Bogenentladung lokal und unstabil auf und eine stabile Entladung konnte nicht erhalten werden. Im Stand der Technik, welcher in der japanischen nichtgeprüften Patentpublikation Nr.
Weiterer Stand der Technik ist in den folgenden Druckschriften offenbart:
-
JP S57- 131 373 A -
US 2 920 234 A -
EP 1 518 669 A2 -
US 6 949 735 B1 -
US 3 944 873 A - JP H07- 153 596 A,
- JP H02- 244 624 A,
-
JP H11-82 556 A -
JP H11- 140 646 A -
US 2003/0 106 643 A1 -
CN 101 363 118 A -
US 6 599 588 B2 -
CN 1 692 492 A -
JP H 07-153596 A
-
JP S57-131 373 A -
U.S. 2,920,234 A -
EP 1 518 669 A2 -
US 6,949,735 B1 -
U.S. 3,944,873 A - JP H07-153 596 A,
- JP H02- 244 624 A,
-
JP H11-82 556 A -
JP H11-140646 A -
US 2003/0 106 643 A1 -
CN 101 363 118 A -
US 6 599 588 B2 -
CN 1 692 492 A -
JP H 07-153596 A
KURZFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION
Die vorliegende Erfindung wurde unter Berücksichtigung des obigen Problems getätigt.The present invention has been made in consideration of the above problem.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Plasmagenerator bereitzustellen, welcher ein stabiles Plasma bei schmalen, kleinen Elektrodenbauteilen bildet, und ein Plasma hoher Dichte erzeugt.The object of the invention is to provide a plasma generator which forms a stable plasma with narrow, small electrode components and which generates a high-density plasma.
Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen dessen sind Gegenstand der jeweiligen anhängigen Ansprüche.This object is achieved by the subject matter of
Um das obige Problem zu lösen, ist es ein Teil-Aspekt der Erfindung von Anspruch 1 einen Plasmagenerator vorzusehen, welcher mit einem zylindrischen Kammerbauteil versehen ist, welches eine zylindrische Elektrode (
Aufgrund dessen ist es möglich, die Plasmadichte zu erhöhen, um die aktivierten reaktiven Ionen zu vermehren und es ist möglich, eine Behandlung stabil und unter einer höheren Geschwindigkeit durchzuführen. Es ist möglich, aktive Elektronen und Ionen in den schmalen, kleinen Elektrodenräumen zur Verfügung zu stellen, um die Partikeldichte des Plasmas zu verbessern und eine Entladung auch mit einer niedrigen Spannung aufrecht zu erhalten.Due to this, it is possible to increase the plasma density to increase the activated reactive ions, and it is possible to perform treatment stably and at a higher speed. It is possible to provide active electrons and ions in the narrow, small electrode spaces in order to improve the particle density of the plasma and to maintain a discharge even with a low voltage.
Es möge beachtet werden, dass die obenstehend zugeordneten Bezugszeichen Beispiele sind, welche eine Übereinstimmung mit spezifischen Ausführungsformen, welche in dem später erklärten Ausführungsform-Abschnitt beschrieben sind, anzeigen.It should be noted that the above assigned reference characters are examples indicating correspondence with specific embodiments described in the embodiments section explained later.
FigurenlisteFigure list
-
1 ist eine schematische Ansicht, welche eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;1 Fig. 3 is a schematic view showing an embodiment of the present invention; -
2 ist eine schematische Ansicht, welche eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.2 Fig. 13 is a schematic view showing another embodiment of the present invention.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMENDESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS
Untenstehend wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben werden, während Bezug auf die Zeichnungen genommen wird. Bauteilen gleicher Beschaffenheit sind in den Ausführungsformen die gleichen Bezugszeichen zugeordnet und Erklärungen davon werden ausgelassen.Below, an embodiment of the present invention will be described while referring to the drawings. Components of the same nature in the embodiments are assigned the same reference numerals and explanations thereof are omitted.
Das Objekt, welches in dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung behandelt wird, ist beispielsweise eine Nadel eines Injektors, ein Extrusionspin einer Gussform oder ein anderes säulenförmiges Objekt. An dieser Stelle wird eine Ausführungsform erklärt werden, in welcher ein Plasmagenerator verwendet wird, um die Oberfläche zu behandeln (Entfernen von Verunreinigungen oder eine Verbesserung derselben), um eine dünne Schicht von DLC, SiO2, etc. zu bilden, zu ätzen, oder anderweitig ein säulenförmiges Objekt zu behandeln. Das behandelte Objekt ist nicht auf die obenstehend veranschaulichten Beispiele beschränkt. Die vorliegende Erfindung ist anwendbar, so lange das Objekt säulenförmig oder zylindrisch ist.The object treated in this embodiment of the present invention is, for example, a needle of an injector, an extrusion pin of a casting mold or another columnar object. At this point, an embodiment will be explained in which a plasma generator is used to treat the surface (removing impurities or improving the same) to form a thin layer of DLC, SiO 2 , etc., or to etch otherwise treat a columnar object. The treated object is not limited to the examples illustrated above. The present invention is applicable as long as the object is columnar or cylindrical.
Die Erklärung wird gegeben unter Verwendung, dass die äußere Umfangsoberfläche einer stabförmigen Elektrode
Die Spannung zwischen der stabförmigen Elektrode
Durchgangslöcher der Blende
Die Gaszuführanschlüsse
Der Druck des Gases, welches von den Gaszuführanschlüssen
Gas fließt von der oberen ersten Kammer
Auf diesem Weg wird in der vorliegenden Erfindung Plasma an einem getrennten Ort von der inhärent erwünschten Plasmakammer erzeugt. Die Elektronen und Ionen, welche aufgrund der Glimmentladung dort erzeugt werden, die Thermionen des Plasmas, welche durch die Bogenentladung etc. erzeugt werden, werden verwendet und in die erwünschte Plasmakammer eingeführt bzw. der erwünschten Plasmakammer zugeführt. Aufgrund dessen kann auch mit einem geringeren elektrischen Feld Glühplasma erzeugt und aufrechterhalten werden.In this way, in the present invention, plasma is generated in a separate location from the inherently desired plasma chamber. The electrons and ions that are generated there due to the glow discharge, the thermions of the plasma, which are generated by the arc discharge, etc., are used and introduced into the desired plasma chamber or supplied to the desired plasma chamber. Because of this, glow plasma can be generated and maintained even with a lower electrical field.
Als nächstes wird der Betrieb der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erklärt werden.Next, the operation of the first embodiment of the present invention will be explained.
Die zylindrische Kammer des Plasmagenerators wird auf 1 × 10-2 Pa oder weniger durch eine rotierende Pumpe bzw. Drehschieberpumpe evakuiert (Turbomolekularpumpe, Kryopumpe und dergleichen sind auch möglich), dann wird die Schichtbildungsoberfläche durch eine Zuführung von Ar-Gas von den Gaszuführanschlüssen
Innerhalb der ersten Kammer
Als eine Veranschaulichung kann der Fall des Beschichtens der Oberfläche der stabähnlichen Elektrode
Als eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die folgende Abwandlung betrachtet werden.
Innerhalb der zweiten Kammer
Claims (7)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009282062A JP5212346B2 (en) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | Plasma generator |
JP2009-282062 | 2009-12-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010060591A1 DE102010060591A1 (en) | 2011-06-22 |
DE102010060591B4 true DE102010060591B4 (en) | 2021-08-26 |
Family
ID=44131666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102010060591.3A Expired - Fee Related DE102010060591B4 (en) | 2009-12-11 | 2010-11-16 | Plasma generator |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5212346B2 (en) |
CN (1) | CN102098865B (en) |
DE (1) | DE102010060591B4 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2477026C2 (en) * | 2010-11-17 | 2013-02-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | High-frequency plasmatron |
CN102802334A (en) * | 2012-07-31 | 2012-11-28 | 北京航空航天大学 | Sliding-arc-discharge plasma generation device loaded with magnetic field |
JP5772757B2 (en) * | 2012-08-07 | 2015-09-02 | 株式会社デンソー | Method and apparatus for forming amorphous hard carbon film |
CN105040612B (en) * | 2015-07-13 | 2017-03-01 | 中国民航大学 | Airfield pavement plasma removes adhesive dispenser |
CN105506950B (en) * | 2016-01-11 | 2017-10-31 | 浙江纺织服装科技有限公司 | The device and method of plasma treatment Woolens sterilization and insect prevention moth |
CN107389255A (en) | 2017-07-11 | 2017-11-24 | 中国科学院工程热物理研究所 | High frequency sound pressure sensor based on direct current glow discharge plasma principle |
RU204397U1 (en) * | 2020-12-21 | 2021-05-24 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Device for excitation of a discharge in an RFI plasmatron |
DE102022112149A1 (en) | 2022-05-16 | 2023-11-16 | Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Device and method for generating ions by a plasma |
DE102022126660A1 (en) | 2022-10-13 | 2024-04-18 | Graforce Gmbh | Plasma electrode arrangement and plasma lysis device |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2920234A (en) | 1958-05-27 | 1960-01-05 | John S Luce | Device and method for producing a high intensity arc discharge |
US3944873A (en) | 1973-09-24 | 1976-03-16 | Ion Tech Limited | Hollow cathode type ion source system including anode screen electrodes |
JPS57131373A (en) | 1981-02-09 | 1982-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
JPH02244624A (en) | 1989-03-16 | 1990-09-28 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processor |
JPH07153596A (en) | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Japan Steel Works Ltd:The | Plasma treating device and plasma treating method |
JPH1182556A (en) | 1997-09-17 | 1999-03-26 | Komatsu Ltd | Instrument using electroviscous fluid |
JPH11140646A (en) | 1997-11-04 | 1999-05-25 | Sony Corp | Cd plasma cvd device for dlc film formation and formation of dlc film |
JP2001023972A (en) | 1999-07-10 | 2001-01-26 | Nihon Ceratec Co Ltd | Plasma treatment device |
US20030106643A1 (en) | 1999-12-07 | 2003-06-12 | Toshihiro Tabuchi | Surface treatment apparatus |
US6599588B2 (en) | 2001-10-31 | 2003-07-29 | Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. | Method for surface treatment of metal enclosure |
EP1518669A2 (en) | 2003-08-29 | 2005-03-30 | Tadatomo Suga | Method for bonding substrates and method for irradiating particle beam to be utilized therefor |
US6949735B1 (en) | 1999-07-14 | 2005-09-27 | Ebara Corporation | Beam source |
CN1692492A (en) | 2002-11-20 | 2005-11-02 | 松下电器产业株式会社 | Method of manufacturing semiconductor device, plasma processing apparatus and plasma processing method |
CN101363118A (en) | 2007-08-10 | 2009-02-11 | 北方工业大学 | Capacitance coupling plasma apparatus and method for growing silicon carbide film on silicon substrate |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2862088B2 (en) * | 1989-01-23 | 1999-02-24 | 實 菅原 | Plasma generator |
JP4212210B2 (en) * | 1999-12-07 | 2009-01-21 | 株式会社小松製作所 | Surface treatment equipment |
JP4252317B2 (en) * | 2003-01-10 | 2009-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
EP1689216A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | Vlaamse Instelling Voor Technologisch Onderzoek (Vito) | Atmospheric-pressure plasma jet |
US7608151B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-10-27 | Sub-One Technology, Inc. | Method and system for coating sections of internal surfaces |
EP1907596A4 (en) * | 2005-07-26 | 2009-09-16 | Psm Inc | Injection type plasma treatment apparatus and method |
-
2009
- 2009-12-11 JP JP2009282062A patent/JP5212346B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-16 DE DE102010060591.3A patent/DE102010060591B4/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-10 CN CN2010105827474A patent/CN102098865B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2920234A (en) | 1958-05-27 | 1960-01-05 | John S Luce | Device and method for producing a high intensity arc discharge |
US3944873A (en) | 1973-09-24 | 1976-03-16 | Ion Tech Limited | Hollow cathode type ion source system including anode screen electrodes |
JPS57131373A (en) | 1981-02-09 | 1982-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
JPH02244624A (en) | 1989-03-16 | 1990-09-28 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processor |
JPH07153596A (en) | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Japan Steel Works Ltd:The | Plasma treating device and plasma treating method |
JPH1182556A (en) | 1997-09-17 | 1999-03-26 | Komatsu Ltd | Instrument using electroviscous fluid |
JPH11140646A (en) | 1997-11-04 | 1999-05-25 | Sony Corp | Cd plasma cvd device for dlc film formation and formation of dlc film |
JP2001023972A (en) | 1999-07-10 | 2001-01-26 | Nihon Ceratec Co Ltd | Plasma treatment device |
US6949735B1 (en) | 1999-07-14 | 2005-09-27 | Ebara Corporation | Beam source |
US20030106643A1 (en) | 1999-12-07 | 2003-06-12 | Toshihiro Tabuchi | Surface treatment apparatus |
US6599588B2 (en) | 2001-10-31 | 2003-07-29 | Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. | Method for surface treatment of metal enclosure |
CN1692492A (en) | 2002-11-20 | 2005-11-02 | 松下电器产业株式会社 | Method of manufacturing semiconductor device, plasma processing apparatus and plasma processing method |
EP1518669A2 (en) | 2003-08-29 | 2005-03-30 | Tadatomo Suga | Method for bonding substrates and method for irradiating particle beam to be utilized therefor |
CN101363118A (en) | 2007-08-10 | 2009-02-11 | 北方工业大学 | Capacitance coupling plasma apparatus and method for growing silicon carbide film on silicon substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102098865B (en) | 2013-07-17 |
CN102098865A (en) | 2011-06-15 |
JP5212346B2 (en) | 2013-06-19 |
JP2011124153A (en) | 2011-06-23 |
DE102010060591A1 (en) | 2011-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102010060591B4 (en) | Plasma generator | |
DE1621599C2 (en) | Device for removing impurities from a metallic layer applied to a semiconductor body in the area of small openings in an insulating layer by cathode sputtering | |
EP2041332B1 (en) | Method and device for plasma-assisted chemical vapour deposition on the inner wall of a hollow body | |
DE3708717A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING SOLID BODY SURFACES BY PARTICLE Bombardment | |
EP2626445B1 (en) | Hollow cathode gas lance for internally coating containers | |
EP0727508A1 (en) | Method and apparatus for treatment of substrate surfaces | |
DE102011055125B4 (en) | Plasma generating device | |
EP1264330B1 (en) | Method and device for the plasma-activated surface treatment and use of the inventive method | |
DE10203543B4 (en) | Device for generating an APG plasma | |
DE3140675C2 (en) | ||
DE10104614A1 (en) | Plasma system and method for producing a functional coating | |
EP2087503A1 (en) | Device for the pre-treatment of substrates | |
CH686254A5 (en) | Method for adjusting the processing rate distribution and caustic or plasma CVD system for its execution. | |
EP1273025A1 (en) | Method and device for plasma-treating the surface of substrates by ion bombardment | |
DE102008028167A1 (en) | Plasma jet production device for treatment or activation of through holes of e.g. printed circuit boards, has auxiliary electrode spaced from receiver, where side of receiver is turned away from front side opening of tube | |
DE102019213043B4 (en) | Method of making diamond tips and diamond tip made by the method | |
DE1767863A1 (en) | Vacuum device and method for regulating the pressure in a specific zone of a vacuum chamber | |
EP3821118B1 (en) | Method for coating at least one metallic component | |
DE102005025101B3 (en) | Device for cleaning interior of vacuum chamber, used e.g. for physical or chemical vapor deposition, comprising carrier with electrode(s) connected to D.C. source, for electrostatically fixing contaminants | |
DE102010039365B4 (en) | Plasma processes at atmospheric pressure | |
DE202008018264U1 (en) | Apparatus for generating a plasma jet | |
DE4242616C2 (en) | Process for the production of capillaries and their use for a device for generating a beam of accelerated ions and / or atoms | |
DE3821815A1 (en) | Device for coating an elongate interior of a hollow body with a diamond-like hard carbon coating by means of a plasma-assisted CVD process | |
DE19930925B4 (en) | plasma generator | |
DE102005032019A1 (en) | A method of depositing a material into a hole in an electrically conductive workpiece |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20141001 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |