DE102010054781B4 - Modul zur Reduzierung von thermomechanischem Stress und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Modul zur Reduzierung von thermomechanischem Stress und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010054781B4 DE102010054781B4 DE102010054781.6A DE102010054781A DE102010054781B4 DE 102010054781 B4 DE102010054781 B4 DE 102010054781B4 DE 102010054781 A DE102010054781 A DE 102010054781A DE 102010054781 B4 DE102010054781 B4 DE 102010054781B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- encapsulant
- module
- carrier substrate
- components
- electronic components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- BGAJNPLDJJBRHK-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[5-(3-chloro-4-propan-2-yloxyphenyl)-1,3,4-thiadiazol-2-yl]-3-methyl-6,7-dihydro-4h-pyrazolo[4,3-c]pyridin-5-yl]propanoic acid Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(C)C)=CC=C1C1=NN=C(N2C(=C3CN(CCC(O)=O)CCC3=N2)C)S1 BGAJNPLDJJBRHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010165 TiCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Modul mit Reduzierung von thermomechanischem Stress,
aufweisend:
– ein Trägersubstrat (10),
– mehrere elektronische Bauelemente (20), die auf dem Trägersubstrat (10) angeordnet sind und zur Realisierung einer Funktion des Moduls miteinander verschaltet sind,
– eine Verkapselungsmasse (30), die die mehreren elektronischen Bauelemente (20) umgibt,
– wobei innerhalb der Verkapselungsmasse (30) mindestens eine Materialaussparung (40) angeordnet ist, die sich ausgehend von einer dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche der Verkapselungsmasse (30) in die Verkapselungsmasse erstreckt und in einem Abstand zwischen den elektronischen Bauelementen (20) angeordnet ist,
– wobei in der Materialaussparung (40) ein Füllmaterial (60) aus einem mit Hohlkugeln gefüllten, flexiblen Polymer enthalten ist, wobei die Hohlkugeln einen Durchmesser von 10 μm bis 50 μm aufweisen.
aufweisend:
– ein Trägersubstrat (10),
– mehrere elektronische Bauelemente (20), die auf dem Trägersubstrat (10) angeordnet sind und zur Realisierung einer Funktion des Moduls miteinander verschaltet sind,
– eine Verkapselungsmasse (30), die die mehreren elektronischen Bauelemente (20) umgibt,
– wobei innerhalb der Verkapselungsmasse (30) mindestens eine Materialaussparung (40) angeordnet ist, die sich ausgehend von einer dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche der Verkapselungsmasse (30) in die Verkapselungsmasse erstreckt und in einem Abstand zwischen den elektronischen Bauelementen (20) angeordnet ist,
– wobei in der Materialaussparung (40) ein Füllmaterial (60) aus einem mit Hohlkugeln gefüllten, flexiblen Polymer enthalten ist, wobei die Hohlkugeln einen Durchmesser von 10 μm bis 50 μm aufweisen.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Modul mit reduziertem thermomechanischem Stress auf Bauelemente, die von einer Verkapselungsmasse umgeben sind. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zur Herstellung eines Moduls mit Reduzierung von thermomechanischem Stress auf Bauelemente, die von einer Verkapselungsmasse umgeben sind.
- Ein Modul umfasst eine Vielzahl von miteinander verschalteten Bauelementen zur Realisierung verschiedenster Funktionen. Durch den Einsatz derartiger Module ist es nicht mehr erforderlich, für sämtliche Funktionen einer Anwendung ein eigenes Schaltungsdesign zu entwerfen. Das Modul lässt sich vielmehr als fertige Baugruppe in eine komplexe Schaltung integrieren.
-
1A zeigt eine Draufsicht auf ein Modul1 . Das Modul weist ein Trägersubstrat10 auf, auf dem verschiedenen Bauelemente20 angeordnet sind. Auf dem Trägersubstrat können oberflächensensitive Bauelemente21 , beispielsweise Oberflächenwellen-Filter (SAW-Filter), Volumenwellen-Filter (BAW-Filter), Schalter22 auf Basis von Silizium, Saphir oder Galliumarsenid oder sonstige SMD(surface mounted devices)- oder Flip-Chip-montierte-Bauteile23 angeordnet sein. In einem mehrlagigen Trägersubstrat können weitere aktive oder passive Chips eingebettet sein. Zum Schutz der Bauelemente kann auf dem Trägersubstrat eine Verkapselungsmasse30 aufgebracht sein, die die Bauelemente20 umgibt. -
1B zeigt das Modul1 , das das Trägersubstrat10 , die Bauelemente20 und die Verkapselungsmasse30 aufweist, in einem Querschnitt. Die Bauelemente20 können auf dem Trägersubstrat10 durch Diebond-, SMD- oder Flip-Chip-Technik aufgebracht werden. Anschließend werden die Bauelemente verkapselt, indem die Verkapselungsmasse30 auf das Trägersubstrat10 und um die Bauelemente20 aufgetragen wird. Die Verkapselungsmasse kann z. B. durch Dispensen, Moulden, „Compression Moulding”, Jetten oder Laminieren aufgebracht werden. Beim Aufbringen durch Laminieren und/oder Jetten kann die Verkapselungsmasse abhängig vom Abstand zum Substrat eine verschiedene Zusammensetzung zum Beispiel einen unterschiedlichen Füllgrad des dotierten Polymermaterials und/oder ein unterschiedliches Dotiermaterial aufweisen. - Aufgrund der unterschiedlichen Materialien weisen das Trägersubstrat
10 , die Bauelemente20 sowie die Verkapselungsmasse30 unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten auf. Bei einer Temperaturänderung dehnen sich die Materialien des Trägersubstrats10 , der Bauelemente20 und der Verkapselungsmasse30 daher verschiedenartig aus. Das unterschiedliche thermomechanische Verhalten der Bauelemente untereinander, zum Trägersubstrat oder zur Verkapselungsmasse, bewirkt, dass bei Temperaturbeanspruchung während des Fertigungsprozesses und nach Fertigstellung des Moduls durch thermomechanische Verspannungen infolge mechanischer Verkopplung der Bauelemente durch die Verkapselungsmasse das Thermozyklenverhalten einzelner verkapselter Bauelemente von dem Thermozyklenverhalten von frei auf dem Trägersubstrat stehenden Bauelementen abweicht. Bei einer Temperaturänderung tritt daher eine thermomechanische Stressbelastung auf, die beispielsweise zum Abreißen von Kontakten zwischen den Bauelementen oder zum Ablösen von Bauelementen von dem Trägersubstrat führen kann. - Bei verkapselten Modulen zeigt sich ein starker Einfluss auf das Thermozyklenverhalten in Abhängigkeit von der Umgebung des Bauelementes. Beispielsweise zeigen Bauelemente, die auf dem Trägersubstrat in einer Randlage aufgebracht sind, ein anderes Thermozyklenverhalten als identische Bauelemente, die in der Mitte des Trägersubstrats angeordnet sind. Bauelemente am Rande des Trägersubstrats sind in einer thermomechanisch aniostropen Umgebung angeordnet, während sich die in der Mitte der Trägersubstrats angeordneten Bauelemente in einer thermomechanisch eher isotropen Umgebung befinden.
- Die Druckschrift
US 2008/0067650 A1 - Die Druckschrift
US 4 961 886 A betrifft ein Verfahren, bei dem der Fluss eines Materials begrenzt wird, indem ein Abschnitt des Materials in Form eines Dammes ausgehärtet wird. - Die Druckschrift
US 6 710 446 B2 betrifft eine Halbleiter-Vorrichtung, bei der auf einem Substrat Halbleiterbauelemente mit Stress reduzierenden Schichten angeordnet sind, wobei in die Stress reduzierenden Schichten Gräben eingebracht sind. - Die Druckschrift
US 2009/0194851 A1 - In den Druckschriften
US 2003/0189213 A1 US 2010/0181578 A1 - Es ist wünschenswert, ein Modul anzugeben, bei dem eine thermomechanische Stresseinwirkung auf die auf dem Trägersubstrat des Moduls angeordneten Bauelemente reduziert ist. Des Weiteren soll ein Verfahren zum Herstellen eines Moduls angegeben werden, bei dem eine thermomechanische Stresseinwirkung auf die Bauelemente, die auf dem Trägersubstrat angeordnet sind, reduziert ist.
- Ein Modul mit Reduzierung von thermomechanischem Stress umfasst ein Trägersubstrat, mehrere elektronische Bauelemente, die auf dem Trägersubstrat angeordnet sind und zur Realisierung einer Funktion des Moduls miteinander verschaltet sind, und eine Verkapselungsmasse, die die mehreren elektronischen Bauelemente umgibt, wobei innerhalb der Verkapselungsmasse mindestens eine Materialaussparung angeordnet ist, die sich ausgehend von einer dem Trägersubstrat abgewandten Oberfläche der Verkapselungsmasse in die Verkapselungsmasse erstreckt und in einem Abstand zwischen den elektronischen Bauelementen angeordnet ist. In der Materialaussparung ist ein Füllmaterial aus einem mit Hohlkugeln gefüllten, flexiblen Polymer enthalten, wobei die Hohlkugeln einen Durchmesser von 10 μm bis 50 μm aufweisen.
- An den Stellen der Verkapselungsmasse, an denen die Aussparungen vorgesehen sind, entstehen Bereiche mit niedrigem effektivem E-Modul. Durch die Ausnehmungen in dem Material der Verkapselungsmasse wird somit eine thermomechanische Entkopplung der Bauelemente im Modul erzielt.
- Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung eines Moduls mit Reduzierung von thermomechanischem Stress angegeben. Das Verfahren zur Herstellung eines Moduls mit Reduzierung von thermomechanischem Stress sieht das Bereitstellen eines Trägersubstrats vor. Das Trägersubstrat wird mit elektronischen Bauelementen derart bestückt, dass die elektronischen Bauelemente zur Realisierung einer Funktion des Moduls miteinander verschaltet sind. Auf dem Trägersubstrat wird eine Verkapselungsmasse derart aufgebracht, dass die elektronischen Bauelemente von der Verkapselungsmasse umgeben sind. Mindestens eine Materialaussparung wird in die Verkapselungsmasse derart eingebracht, dass sich die mindestens eine Materialaussparung ausgehend von einer dem Trägersubstrat abgewandten Oberfläche der Verkapselungsmasse in die Verkapselungsmasse erstreckt und die Materialaussparung in einem Abstand zwischen den elektronischen Bauelementen angeordnet ist. Die Materialaussparung wird mit einem Füllmaterial aus einem mit Hohlkugeln gefüllten, flexiblen Polymer aufgefüllt, wobei die Hohlkugeln einen Durchmesser von 10 μm bis 50 μm aufweisen. Das Füllmaterial wird ausgehärtet.
- Weitere Ausführungsformen des Moduls und des Verfahrens zur Herstellung des Moduls sich den Unteransprüchen zu entnehmen.
- Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Figuren, die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zeigen, näher erläutert. Es zeigen:
-
1A eine Draufsicht auf ein Modul mit verkapselten Bauelementen, -
1B einen Querschnitt durch ein Modul mit verkapselten Bauelementen, -
2 eine Draufsicht auf ein Modul mit verkapselten Bauelementen, -
3 eine Draufsicht auf ein weiteres Modul mit verkapselten Bauelementen, -
4 eine Draufsicht auf eine weiteres Modul mit verkapselten Bauelementen, -
5A einen Querschnitt durch eine nicht erfindungsgemäße Variante eines Moduls mit verkapselten Bauelementen, -
5B einen Querschnitt durch eine Ausführungsform eines Moduls mit verkapselten Bauelementen, -
5C einen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform eines Moduls mit verkapselten Bauelementen, -
5D einen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform eines Moduls mit verkapselten Bauelementen, -
5E einen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform eines Moduls mit verkapselten Bauelementen. - Die
2 ,3 und4 zeigen jeweils Draufsichten auf verschiedene Ausführungsformen eines Moduls100 mit verkapselten Bauelementen20 . Die Bauelemente sind auf einem Trägersubstrat10 angeordnet und können von einer Verkapselungsmasse30 vollständig oder teilweise umgeben sein. Die Bauelemente können oberflächensensitive Bauelemente21 , beispielsweise Oberflächenwellen-Filter oder Volumenwellen-Filter, sein. Derartige Bauelemente weisen beispielsweise ein Substrat aus Lithiumtantalat, Lithiumniobat oder Silizium auf. Neben den oberflächensensitiven Bauelementen21 können Schalter22 auf dem Trägersubstrat angeordnet sein. Die Schalter können beispielsweise ein Substrat aus Silizium, Galliumarsenid oder Saphir aufweisen. Darüber hinaus können auf dem Trägersubstrat10 weitere Bauelemente sowohl als Bare Dies als auch gekapselt, beispielsweise SMD(surface mounted devices)-Bauteile, zum Beispiel Widerstände, Kondensatoren oder Spulen, angeordnet sein. - Aufgrund der unterschiedlichen Materialien der Bauelemente, des Trägersubstrats und der Verkapselungsmasse treten bei einer Temperaturänderung verschiedene mechanische Beanspruchungen der Bauelemente untereinander, zum Trägersubstrat oder zur Verkapselungsmasse auf. Zur Reduzierung der thermomechanischen Belastung auf die Bauelemente aufgrund der Temperaturänderung sind in der Verkapselungsmasse
30 Materialaussparungen40 vorgesehen. Die Materialaussparungen40 können beispielsweise mindestens eines der Bauelemente teilweise umgeben. Die Materialaussparungen40 können die Bauelemente aber auch voll umfänglich umgeben. Des Weiteren können Materialaussparungen40 zwischen Bauelementen vorhanden sein. - Bei der in
2 gezeigten Ausführungsform sind die Aussparungen40 in dem Material der Verkapselungsmasse als Spalte41 ausgebildet. Die Spalte können beispielsweise durch Laserschneiden in das Material der Verkapselungsmasse eingebracht sein. Durch Einwirkung eines Lasers lassen sich in dem Material der Verkapselungsmasse Spalte mit unterschiedlicher Tiefe, Breite und Form erzeugen. Die Spalte können um ein Bauelement teilweise oder um den gesamten Umfang eines Bauelements angeordnet sein. Des Weiteren können die Spalten in dem Material der Verkapselungsmasse derart eingebracht werden, dass mehrere Bauelemente von einem Spaltverlauf umschlossen werden. Es können mittels des Lasers auch Spalte in dem Material der Verkapselungsmasse zwischen Bauelementen vorgesehen werden. Durch Einsatz des Lasers lässt sich eine beliebige gerade oder gekrümmte beziehungsweise gebogene Schnittführung der Aussparungen erzielen. Des Weiteren kann das Einschneiden in die Verkapselungsmasse an einer beliebigen Stelle auf dem Modul erfolgen. Ein Einschneiden vom Rand des Moduls aus ist nicht erforderlich. -
3 zeigt eine weitere Ausführungsform des Moduls100 , bei dem die Materialaussparungen40 wieder als Spalten41 ausgebildet sind. Die Spalten sind durch ein Einsägen des Materials der Verkapselungsmasse in die Verkapselungsmasse eingebracht worden. Durch den Sägeprozess lassen sich gradlinige Spalten beziehungsweise Einkerbungen in dem Material der Verkapselungsmasse einfügen. - Bei der in
4 gezeigten Ausführungsform des Moduls100 sind die Materialaussparungen40 beispielsweise als eine Vielzahl von Löchern42 in der Verkapselungsmasse ausgebildet. Die Löcher können um den gesamten Umfang des Bauelements angeordnet sein oder, wie bei dem in4 gezeigten Bauelement21 , das Bauelement teilweise umgeben. - Neben den Löchern als Materialaussparungen können beispielsweise auch Ausnehmungen
40 , die spaltförmig ausgebildet sind, in die Verkapselungsmasse30 eingefräst oder eingebohrt werden. Durch den Fräsprozess entstehen in dem Material der Verkapselungsmasse Einfräsungen43 . Im Beispiel der4 ist beispielsweise zwischen den Bauelementen22 eine Einfräsung43 vorgesehen. Weitere Einfräsungen in das Material der Verkapselungsmasse sind beispielsweise zwischen den Bauelementen21 und den Bauelementen22 beziehungsweise angeordnet. - Zur Ermittlung der erforderlichen Materialausnehmungen und von deren optimaler Position und Form wird in einer thermomechanischen Simulation die Belastung der Verbindungen der einzelnen Bauelemente zum Substrat bei thermomechanischer Beanspruchung ermittelt. Die Simulation zeigt Bauelement-Substratverbindungen auf, die aufgrund besonders starker thermomechanischer Beanspruchung als Erste degradieren. Die Schnittführung im Material der Verkapselungsmasse, die Lage, Form, Art und die Tiefe der Schnitte werden zuerst empirisch so festgelegt, dass die Belastung der Bauelement-Substratverbindungen soweit reduziert wird, dass die erforderliche Anzahl von Thermozyklen (z. B. > 1000x – 55°C...125°C) realisiert ist. Das wird für vorgegebene Schnitte in einer weiteren Simulation verifiziert. Gegebenenfalls muss in einem Iterationsverfahren die Lage, Form, Art und Tiefe der Schnitte weiter optimiert werden.
- Zur Simulation lässt sich beispielsweise die Finite-Elemente-Methode (FEM) verwenden. Die Schnittführung in dem Material der Verkapselungsmasse sowie die Form der Schnitte, die Art der Schnitte und die Tiefe der Schnitte werden in Abhängigkeit von dem Simulationsergebnis geeignet gewählt. An denjenigen Stellen der Verkapselungsmasse, wo hohe Spannungen infolge einer Temperaturänderung gemäß dem Simulationsergebnis zu erwarten sind, werden die Aussparungen in dem Material der Verkapselungsmasse vorgenommen. Dies kann in unmittelbarer Nähe der Bauelemente oder in einem Abstand von den Bauelementen sein. An Stellen, an denen beispielsweise wenig Platz zur Verfügung steht oder an denen Leiterbahnen in oder auf dem Trägersubstrat verlaufen, werden Löcher oder Bohrungen angebracht, die die Bauelemente oder Leiterbahnen nicht verletzen. An solchen Stellen kann auch mit dem Laserschneiden eine gekrümmte Schnittführung erfolgen, so dass die Bauelemente und Leiterbahnen nicht beschädigt werden.
-
5A zeigt einen Querschnitt durch eine nicht erfindungsgemäße Variante eines Moduls100 zur Reduzierung einer thermomechanischen Stressbelastung auf Bauelemente des Moduls. Auf dem Trägersubstrat10 sind die mehrere Bauelemente20 angeordnet. Die Bauelemente20 sind von der Verkapselungsmasse30 derart umgeben, dass die Bauteile vollständig von dem Material der Verkapselungsmasse30 umgeben sind. Die Bauelemente sind somit hermetisch abgedichtet und vor dem Eindringen von Feuchtigkeit als auch vor mechanischen Einwirkungen geschützt. - Zur Reduzierung einer thermomechanischen Stressbelastung aufgrund einer Temperaturänderung sind in dem Material der Verkapselungsmasse
30 die Materialaussparungen40 vorgesehen, die als Löcher oder Spalte ausgebildet sein können. In dem Material der Verkapselungsmasse können Materialausnehmungen44 vorgesehen sein, die sich durch die gesamte Dicke des Materials der Verkapselungsmasse bis zu dem Trägersubstrat10 erstrecken. Somit wird das Material der Verkapselungsmasse komplett durchdrungen. - Des Weiteren können Aussparungen als Vertiefungen
45 in dem Material/den Materialien der Verkapselungsmasse enthalten sein, die eine Tiefe aufweisen, die geringer ist als die Dicke der Verkapselungsmasse. Die Vertiefungen45 reichen vorzugsweise bis zu einer Tiefe in das Material der Verkapselungsmasse, die der Unterkante des Chips auf einem Substrat entspricht. Die Vertiefungen45 reichen vorzugsweise bis zu einer Tiefe in das Material der Verkapselungsmasse, welche der Unterkante des nicht bebumpten Chips beziehungsweise derjenigen des Bauelements entspricht. Somit reichen die Materialausnehmungen bis zu dem Trägersubstrat und mindestens bis zur Unterkante des Chips auf dem Substrat. Die Materialaussparungen können auch in das Trägersubstrat reichen, bis zu einer Massefläche im Trägersubstrat, wenn eine Abschirmung des Bauelements beziehungsweise von einer Reihe von Bauelementen erforderlich ist. - Zum Erzielen einer glatten Moduloberfläche, die beispielsweise zur Beschriftung der Module geeignet ist, kann ein Abdeckelement
50 über der Verkapselungsmasse30 angeordnet sein. Durch das Abdeckelement werden die Materialausnehmungen nach außen hin geschlossen. Dadurch weist das Modul eine ebene, glatte Moduloberfläche auf, die zur Beschriftung geeignet ist. Des Weiteren ermöglicht die ebene Oberfläche des Abdeckelements, dass die Module von einem Bestückungsautomaten über Vakuumpipetten angesaugt und an einem bestimmungsgemäßen Ort auf einer Leiterplatine platziert werden können. - Als Abdeckelemente können beispielsweise Laminatfolien verwendet werden, welche über die Verkapselungsmasse und insbesondere über die Ausnehmungen in der Verkapselungsmasse laminiert sind. Als Abdeckelemente kommen dabei sowohl organische als auch anorganische, elektrisch leitende als auch elektrisch nicht leitende Folien in Frage. Bei organischen Folien ist die Auswahl auf Folien beschränkt, welche hinreichend temperaturstabil sind und beispielsweise stabil sind bei Reflowprozessen z. B. Polyimid, bekannt unter dem Handelsnamen ”Kapton”, LCP (Liquid Crystal Polymer). Die organischen Folien können auch mit anorganischen Füllstoffen dotiert sein. Elektrisch leitende anorganische Folien sind Metallfolien zum Beispiel aus Cu oder Ni oder Mo. Isolierende anorganische Folien sind vorzugsweise Glasfolien.
-
5B zeigt eine Ausführungsform des Moduls100 . Im Unterschied zu der in5A gezeigten nicht erfindungsgemäßen Variante sind die Materialausnehmungen40 mit einem Füllmaterial60 gefüllt. Als Füllmaterial kann beispielsweise ein Polymer verwendet werden. Bevorzugt kommen Polymere mit niedrigem Elastizitätsmodul, beispielsweise einem Elastizitätsmodul von kleiner als 1 GPa, vorzugsweise kleiner als 0,1 GPa, einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, beispielsweise einem Ausdehnungskoeffizienten von weniger als 16 ppm/K im spezifizierten Arbeitstemperaturbereich des Bauelements, beispielsweise in einem Temperaturbereich von –40°C bis +125°C, zum Einsatz. Als vorteilhaft haben sich Polymere mit einer Glasübergangstemperatur von weniger als –40°C erwiesen. - Wenn das Modul in einem Arbeitsbereich zwischen –40°C bis +125°C spezifiziert ist, bleiben die Polymermaterialien gelartig, so dass in Bereich der Materialausnehmungen bei Temperaturänderungen im spezifizierten Arbeitstemperaturbereich nur geringe Spannungen auftreten.
- Die Aussparungen in dem Material der Verkapselungsmasse können beispielsweise auch mit dotierten Polymeren, welche in die Ausnehmungen eingerakelt sind, und anschließend mit UV-Licht und/oder thermisch gehärtet sind, gefüllt werden. Erfindungsgemäß werden mit Hohlkugeln gefüllte, flexible Polymere verwendet. Die Hohlkugeln weisen einen Durchmesser von ungefähr 10 µm bis 50 µm auf. Als Polymere können Epoxidharze mit einer Glasübergangstemperatur von –40°C oder weniger als –40°C verwendet werden. Derart gefüllte Polymere zeigen eine zusätzliche Kompressibilität.
- Gemäß einer nicht erfindungsgemäßen Variante des Moduls können die Materialausnehmungen
40 mit anorganischen und/oder organischen Partikeln und/oder mit hohlkugelförmigen Elementen gefüllt werden. Derartige Partikel beziehungsweise hohlkugelförmige Elemente können lose in den Vertiefungen der Verkapselungsmasse angeordnet werden. Der Ausdehnungskoeffizient der Füllung und der effektive Elastizitätsmodul kann wesentlich niedriger als jener von eingerakelten Polymeren sein. Der Ausdehnungskoeffizient der Füllungen mit losen Partikeln kann sogar negativ sein, beispielsweise wenn Kohlestoff-Fasern als Füllmaterialien verwendet werden. Die Füllung kann derart ausgebildet sein, dass sie sinterbar ist. Somit kann durch die thermische Einwirkung von Wärme, beispielsweise infolge von Laserstrahlung, selektiv eine geschlossene, ebene Oberfläche auf dem Füllmaterial beziehungsweise auf der Oberseite der Verkapselungsmasse erzeugt werden. -
5C zeigt eine Ausführungsform des Moduls, bei dem über der Verkapselungsmasse und den gefüllten Materialaussparungen40 ein Abdeckelement50 angeordnet ist. Das Abdeckelement50 kann beispielsweise eine Folie aus einem Kunststoffmaterial sein, die auf die Verkapselungsmasse auflaminiert ist. - Die Füllmaterialien lassen sich derart kombinieren, dass in verschiedene Aussparungen der Verkapselungsmasse diejenigen Füllungen eingebracht werden, die am geeignetsten sind, damit die thermomechanischen Spannungen reduziert werden können. So kann ein anisotropes thermomechanisches Verhalten der Bauelemente oder eine anisotrope Umgebung optimal kompensiert werden.
- Es sind auch Füllungen möglich, welche zusätzlich zu einer elektromagnetischen Abschirmfunktion beitragen. Dazu können wie bei der in
5D gezeigten Ausführungsform des Moduls100 , in Ausnehmungen40 der Verkapselungsmasse30 , die sich durch die gesamte Dicke derselben erstrecken und in einer leitfähigen Massefläche auf dem Substrat10 oder im Substrat10 enden, elektrisch leitfähige Materialien oder Schichten60 angeordnet sein. Die als elektrisch leitfähige Füllmaterialien in den Ausnehmungen40 vorgesehenen Polymere können, um elektrisch leitfähig zu sein, beispielsweise mit C, Ag oder Cu dotiert sein. Alternativ können auch Nano-Metalle, zum Beispiel Nano-Ag über das mit Verkapselungsmasse bedeckte und mit Aussparungen in der Verkapselungsmasse versehene Modul gesprüht werden oder in einem so genannten M3D-Verfahren oder Plasmadust-Verfahren abgeschieden werden. Nach Tempern der Nano-Metalle bzw. der im Plasmadustverfahren abgeschiedenen Schichten entsteht dann eine zusammenhängende elektrisch leitende, mit den Masseflächen verbundene Schicht, welche bei geeigneter Dimensionierung die störende elektromagnetische Strahlung abschirmt. Alternativ kann auch über das mit Verkapselungsmasse bedeckte Modul und in die Aussparungen in der Verkapselungsmasse des Moduls, die bis zu Masseflächen auf dem/im Substrat reichen, stromlos Metall abgeschieden werden oder aber Metall, beispielsweise TiCu gesputtert werden, das anschließend galvanisch verstärkt wird. Über der Verkapselungsmasse kann eine elektrisch leitende Schicht50 angeordnet sein. Es kann zum Beispiel eine Metall- oder Glasfolie50 oder aber auch keine Folie auf der Verkapselungsmasse angeordnet sein. - Zur weiteren Reduzierung einer thermomechanischen Stressbelastung auf die Bauelemente ist es vorteilhaft, die Höhe der Verkapselungsmasse über den Bauelementen möglichst gering zu halten. Die maximale Höhe der Verkapselungsmasse über dem höchsten Bauelement ist vorzugsweise kleiner als 150 μm. Durch eine derart geringe Höhe der Verkapselungsmasse kann ein negativer Einfluss der Verkapselungsmasse auf das thermomechanische Verhalten der Bauelemente im Modul weiter reduziert werden.
- Neben Modulen, bei denen die Bauelemente auf dem Trägersubstrat aufgebracht sind, können Materialausnehmungen auch auf Module angebracht werden, die eingebettete Bauelemente enthalten beziehungsweise zusätzlich zu den auf dem Trägersubstrat angeordneten Bauelementen im Trägersubstrat eingebettete Bauelemente aufweisen. In speziellen Fällen können auch Bauelemente bzw. Chips nach dem Bestücken ganz oder teilweise mit einer nach dem Vergießen stressmindernden Abdeckung versehen werden; beispielsweise durch Jetten von mit Hohlkugeln dotierten Polymeren.
5E zeigt eine weitere Möglichkeit für die Minderung der mechanischen Beanspruchung von Bauelementen20 im Modul100 durch das Spritzen beziehungsweise Jetten eines Materials in Form von Strukturen70 auf das Trägersubstrat10 . Vor dem Aufbringen der Verkapselungsmasse30 wird ein Material beispielsweise in Form einer linien- beziehungsweise wandförmigen Struktur71 oder in Form eines von einer wandförmigen Struktur72 umgebenen Hohlraums80 auf das Trägersubstrat gejettet. Hierzu werden vorzugsweise Jeteinheiten eingesetzt, welche ähnlich wie Tintenstrahldrucker mit Mehrfachköpfen arbeiten; aber im Gegensatz zu Tintenstrahldruckern UV-härtendes Polymermaterial jetten können. Schon direkt nach dem Austritt aus den Jetköpfen oder beim Auftreffen auf dem Substrat wird dieses Material belichtet, so dass es unmittelbar danach aushärtet. 3D-Strukturen lassen sich somit durch einen mehrfachen Jetdurchgang erzeugen. - Bezugszeichenliste
-
- 10
- Trägersubstrat
- 20
- Bauelement
- 30
- Verkapselungsmasse
- 40
- Materialaussparung
- 50
- Abdeckelement
- 60
- Füllmaterial
- 70
- gejettete Materialstruktur
- 80
- Hohlraum
- 100
- Modul
Claims (11)
- Modul mit Reduzierung von thermomechanischem Stress, aufweisend: – ein Trägersubstrat (
10 ), – mehrere elektronische Bauelemente (20 ), die auf dem Trägersubstrat (10 ) angeordnet sind und zur Realisierung einer Funktion des Moduls miteinander verschaltet sind, – eine Verkapselungsmasse (30 ), die die mehreren elektronischen Bauelemente (20 ) umgibt, – wobei innerhalb der Verkapselungsmasse (30 ) mindestens eine Materialaussparung (40 ) angeordnet ist, die sich ausgehend von einer dem Trägersubstrat (10 ) abgewandten Oberfläche der Verkapselungsmasse (30 ) in die Verkapselungsmasse erstreckt und in einem Abstand zwischen den elektronischen Bauelementen (20 ) angeordnet ist, – wobei in der Materialaussparung (40 ) ein Füllmaterial (60 ) aus einem mit Hohlkugeln gefüllten, flexiblen Polymer enthalten ist, wobei die Hohlkugeln einen Durchmesser von 10 μm bis 50 μm aufweisen. - Modul nach Anspruch 1, wobei die Materialaussparung (
40 ) mindestens eines der mehreren elektronischen Bauelemente (21 ) zumindest teilweise umgibt. - Modul nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei sich die Materialaussparung (
40 ) in der Verkapselungsmasse (30 ) bis auf das Trägersubstrat erstreckt. - Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei sich eine Materialaussparung (
40 ) in der Verkapselungsmasse (30 ) bis zu einer Tiefe erstreckt, die kleiner als die Dicke der Verkapselungsmasse ist. - Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Materialaussparung (
40 ) in der Verkapselungsmasse als ein Spalt (41 ) oder als ein Loch (42 ) oder als ein Hohlraum (80 ) ausgebildet ist. - Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, aufweisend: – ein Abdeckelement (
50 ) aus einem Material aus Metall oder Kunststoff, – wobei das Abdeckelement über der Verkapselungsmasse (30 ) angeordnet ist. - Verfahren zur Herstellung eines Moduls mit Reduzierung von thermomechanischem Stress, umfassend: – Bereitstellen eines Trägersubstrats (
10 ), – Bestücken des Trägersubstrats (10 ) mit elektronischen Bauelementen (20 ) derart, dass die elektronischen Bauelemente zur Realisierung einer Funktion des Moduls miteinander verschaltet sind, – Aufbringen einer Verkapselungsmasse (30 ) auf dem Trägersubstrat (10 ) derart, dass die elektronischen Bauelemente (20 ) von der Verkapselungsmasse (30 ) umgeben sind, – Einbringen mindestens einer Materialaussparung (40 ) in die Verkapselungsmasse (30 ) derart, dass sich die mindestens eine Materialaussparung (40 ) ausgehend von einer dem Trägersubstrat (10 ) abgewandten Oberfläche der Verkapselungsmasse (30 ) in die Verkapselungsmasse erstreckt und die Materialaussparung in einem Abstand zwischen den elektronischen Bauelementen angeordnet ist, – Auffüllen der Materialaussparung (40 ) mit einem Füllmaterial (60 ) aus einem mit Hohlkugeln gefüllten, flexiblen Polymer, wobei die Hohlkugeln einen Durchmesser von 10 μm bis 50 μm aufweisen, – Aushärten des Füllmaterials (60 ). - Verfahren nach Anspruch 7, wobei vor dem Schritt des Aufbringens der Verkapselungsmasse (
30 ) eine linienförmige Struktur (70 ) oder ein von einer wandförmigen Struktur (70 ) umgebener Hohlraum (80 ) aus einem UV-aushärtbaren Material durch Jetten des Materials auf das Trägersubstrat (10 ) aufgebracht wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, wobei der Schritt des Einbringens der Materialaussparung (
40 ) in die Verkapselungsmasse (30 ) derart erfolgt, dass die Materialaussparung (40 ) mindestens eines der elektronischen Bauelemente zumindest teilweise umgibt. - Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, umfassend: Einbringen eines Spaltes (
41 ) durch Sägen, Fräsen oder Laserschneiden des Materials der Verkapselungsmasse und/oder Einbringen eines Loches (42 ) in die Verkapselungsmasse durch Bohren des Materials der Verkapselungsmasse. - Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, umfassend: Anordnen eines Abdeckelements (
50 ) aus einem Material aus Kunststoff oder Metall über der Verkapselungsmasse (30 ).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010054781.6A DE102010054781B4 (de) | 2010-12-16 | 2010-12-16 | Modul zur Reduzierung von thermomechanischem Stress und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010054781.6A DE102010054781B4 (de) | 2010-12-16 | 2010-12-16 | Modul zur Reduzierung von thermomechanischem Stress und Verfahren zu dessen Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010054781A1 DE102010054781A1 (de) | 2012-06-21 |
DE102010054781B4 true DE102010054781B4 (de) | 2014-09-11 |
Family
ID=46512040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102010054781.6A Expired - Fee Related DE102010054781B4 (de) | 2010-12-16 | 2010-12-16 | Modul zur Reduzierung von thermomechanischem Stress und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102010054781B4 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9905515B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-02-27 | Mediatek Inc. | Integrated circuit stress releasing structure |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4961886A (en) * | 1988-06-09 | 1990-10-09 | Dow Corning Corporation | Method of controlling flow by a radiation formed dam |
US20030189213A1 (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-09 | Masahiko Igaki | Package for optical semiconductor |
US6710446B2 (en) * | 1999-12-30 | 2004-03-23 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device comprising stress relaxation layers and method for manufacturing the same |
US20080067650A1 (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | Electronic component package with EMI shielding |
US20090194851A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-06 | Chi-Tsung Chiu | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US20100181578A1 (en) * | 2009-01-21 | 2010-07-22 | Pixart Imaging Inc. | Package structure |
-
2010
- 2010-12-16 DE DE102010054781.6A patent/DE102010054781B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4961886A (en) * | 1988-06-09 | 1990-10-09 | Dow Corning Corporation | Method of controlling flow by a radiation formed dam |
US6710446B2 (en) * | 1999-12-30 | 2004-03-23 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device comprising stress relaxation layers and method for manufacturing the same |
US20030189213A1 (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-09 | Masahiko Igaki | Package for optical semiconductor |
US20080067650A1 (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | Electronic component package with EMI shielding |
US20090194851A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-06 | Chi-Tsung Chiu | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US20100181578A1 (en) * | 2009-01-21 | 2010-07-22 | Pixart Imaging Inc. | Package structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102010054781A1 (de) | 2012-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102013103570B4 (de) | Elektronisches Modul und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE102007058951B4 (de) | MEMS Package | |
US9807916B2 (en) | Circuit module and method of producing the same | |
EP2422367B1 (de) | Gekapselte schaltungsvorrichtung für substrate mit absorptionsschicht sowie verfahren zu herstellung derselben | |
DE10253163B4 (de) | Bauelement mit hermetischer Verkapselung und Waferscale Verfahren zur Herstellung | |
EP1412974B1 (de) | Verfahren zur hermetischen verkapselung eines bauelementes | |
DE102011001556B4 (de) | Herstellungsverfahren für einen gekapselten Halbleiterchip mit externen Kontaktpads | |
DE102008038175B4 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE102012112058B4 (de) | MEMS-Bauelement und Verfahren zur Verkapselung von MEMS-Bauelementen | |
EP3231261B1 (de) | Leiterplatte mit einem asymmetrischen schichtenaufbau | |
DE102016110862B4 (de) | Modul und Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Modulen | |
DE102005034011B4 (de) | Halbleiterbauteil für Hochfrequenzen über 10 GHz und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE102010022204B4 (de) | Elektrisches Bauelement mit flacher Bauform und Herstellungsverfahren | |
DE102005026243A1 (de) | Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren | |
DE10315780A1 (de) | Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtungen und dieses verwendende elektronische Einrichtung | |
DE102004020204A1 (de) | Verkapseltes elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung | |
DE102015121044A1 (de) | Anschlussblock mit zwei Arten von Durchkontaktierungen und elektronische Vorrichtung, einen Anschlussblock umfassend | |
WO2009150087A2 (de) | Systemträger für elektronische komponente und verfahren für dessen herstellung | |
DE102011007537A1 (de) | In einem Kunststoffkörper eingebettetes Funktionselement und Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines in einem Kunststoffkörper eingebetteten Funktionselements | |
DE102011018296B4 (de) | Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Bauelements | |
WO2012016898A2 (de) | Verfahren zur herstellung einer mehrzahl von elektronischen bauelementen mit elektromagnetischer schirmung und insbesondere mit wärmeabführung und elektronisches bauelement mit elektromagnetischer schirmung und insbesondere mit wärmeabführung | |
DE102010054781B4 (de) | Modul zur Reduzierung von thermomechanischem Stress und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102007035181B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Moduls und Modul | |
WO2005086233A2 (de) | Bauelement mit wlp-fähiger verkapselung und herstellverfahren | |
DE102019121012A1 (de) | Verkapseltes Package mit Träger, Laminatkörper und dazwischenliegender Komponente |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |