DE102010046665A1

DE102010046665A1 - Wafer processing method

Info

Publication number: DE102010046665A1
Application number: DE102010046665A
Authority: DE
Inventors: Karl Priewasser
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2009-09-30
Filing date: 2010-09-27
Publication date: 2011-04-21
Anticipated expiration: 2030-09-28
Also published as: JP2011077219A; DE102010046665B4; JP5495695B2

Abstract

Bei einem Waferbearbeitungsverfahren wird ein über ein Klebeband durch einen ringförmigen Rahmen gehaltener Wafer an einem zylindrischen Element angeordnet und durch Klammern an dem ringförmigen Rahmen befestigt. In diesem Zustand werden das zylindrische Element und die Klammern relativ zueinander in einer Richtung senkrecht zu dem Klebeband verschoben, um das Klebeband, an das der Wafer gehaftet ist, aufzuweiten, um Lücken zwischen entsprechenden nebeneinander liegenden Chips auszubilden. Eine einen Austausch des ringförmigen Rahmens bezweckende Einheit wird vorbereitet. Ein ringförmiges Band der Einheit für den ringförmigen Rahmen wird an das Klebeband an dem zylindrischen Element, das an dem äußeren Umfang des Wafers angeordnet ist, gehaftet. Danach wird das ringförmige Band an einem Abschnitt ringförmig geschnitten, der an der Innenseite des Öffnungsrands des ringförmigen Rahmens liegt und nicht an dem ringförmigen Band anhaftet.In a wafer processing method, a wafer held over an adhesive tape by an annular frame is placed on a cylindrical member and fixed to the annular frame by clips. In this state, the cylindrical member and the brackets are shifted relative to each other in a direction perpendicular to the adhesive tape to widen the adhesive tape to which the wafer is adhered to form gaps between respective adjacent chips. A unit for exchanging the annular frame is prepared. An annular band of the annular frame unit is adhered to the adhesive tape on the cylindrical member disposed on the outer circumference of the wafer. Thereafter, the annular band is annularly cut at a portion which lies on the inside of the opening edge of the annular frame and does not adhere to the annular band.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren.The present invention relates to a wafer processing method.

Beschreibung des Stands der TechnikDescription of the Related Art

Bei dem Halbleitervorrichtungs-Herstellvorgang wird ein Halbleiterwafer, der mit Bauelementen an Bereichen ausgebildet ist, die durch mehrere an der vorderen Oberfläche in einem Gittermuster ausgebildete, vorgegebene Trennlinien abgeteilt sind, entlang der vorgegebenen Trennlinien geschnitten, um die mit den Bauelementen ausgebildeten Bereiche zu teilen, wodurch einzelne Halbleiterchips hergestellt werden. Außerdem wird ein Wafer für optische Vorrichtungen, bei dem auf Galliumnitrid basierende Verbundhalbleiter oder dergleichen an der vorderen Oberfläche eines waferartigen Saphirsubstrats geschichtet sind, entlang vorgegebener Trennlinien geschnitten, um in optische Bauelemente, wie z. B. einzelne Leuchtdioden (LED), Laserdioden (LD) oder dergleichen, geteilt zu werden. Die so geteilten optischen Bauelemente sind zur Verwendung in elektrischen Geräten weit verbreitet.In the semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer formed with devices at portions partitioned by a plurality of predetermined dividing lines formed on the front surface in a lattice pattern is cut along the predetermined dividing lines to divide the regions formed with the devices. whereby individual semiconductor chips are produced. In addition, a wafer for optical devices in which gallium nitride-based compound semiconductors or the like are layered on the front surface of a wafer-like sapphire substrate is cut along given dividing lines to be formed into optical components such as silicon dioxide. As single light emitting diodes (LED), laser diodes (LD) or the like to be shared. The thus divided optical components are widely used for use in electrical appliances.

In der Vergangenheit wurde bei einer Schneidbearbeitung für einen Wafer eine als eine Zerteilsäge bezeichnete Schneidvorrichtung verwendet. Jedoch ist es für die Zerteilsäge schwierig, ein hartes Material, wie z. B. ein Saphirsubstrat oder dergleichen, zu schneiden. Kürzlich fand ein Verfahren zum Teilen eines harten Materials in einzelne Bauelemente durch Laserbearbeitung unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung Beachtung. Zum Beispiel ist das folgende Verfahren in dem japanischen Patent Nr. 3408805 als eines der Laserbearbeitungsverfahren offenbart, die eine solche Laserbearbeitungsvorrichtung verwenden. Eine brüchige Schicht (eine modifizierte Schicht) wird innerhalb eines Wafers unter Verwendung eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die durch den Wafer treten kann, ausgebildet. Eine äußere Kraft wird durch eine Aufweitvorrichtung oder dergleichen entlang der modifizierten Schicht mit verringerter Festigkeit auf den Wafer ausgeübt, um den Wafer in einzelne Chips zu teilen. Bei diesem Laserbearbeitungsverfahren treten keine Schneidschmutzpartikel auf, die bei der Bearbeitung mit der Zerteilsäge zwangsläufig auftreten, und gibt es nahezu keine Schneidabweichung. Daher kann das Laserbearbeitungsverfahren der Verringerung der vorgegebenen Trennlinie gerecht werden.In the past, a cutting apparatus for a wafer has used a cutting apparatus called a dicing saw. However, it is difficult for the Zerteilsäge a hard material such. A sapphire substrate or the like. Recently, a method for dividing a hard material into individual components by laser processing using a laser processing apparatus has been heeded. For example, the following procedure is in the Japanese Patent No. 3408805 as one of the laser processing methods using such a laser processing apparatus. A brittle layer (a modified layer) is formed within a wafer using a laser beam having a wavelength that can pass through the wafer. An external force is applied to the wafer by a widening device or the like along the modified layer with reduced strength to divide the wafer into individual chips. In this laser processing method, no cutting debris particles inevitably occur during machining with the cutting saw, and there is almost no cutting deviation. Therefore, the laser processing method can cope with the reduction of the predetermined dividing line.

Der durch die Zerteilsäge oder die Laserbearbeitungsvorrichtung in die einzelnen Bauelemente geteilte Wafer wird bearbeitet während er an die vordere Oberfläche eines Klebebands gehaftet ist, das an einem ringförmigen Rahmen angebracht ist, und zu dem nächsten Schritt befördert. Jedoch weist der in die einzelnen Chips geteilte Wafer, insbesondere bei der Laserbearbeitung, eine schmale Lücke zwischen den nebeneinander liegenden Chips auf. Deshalb tritt ein Problem dahingehend auf, dass die nebeneinander liegenden Chips aneinander reiben, so dass sie beschädigt werden, wenn der Wafer zu dem nächsten Schritt befördert wird während er an der vorderen Oberfläche des Klebebands haftet.The wafer divided into the individual components by the dicing saw or the laser processing apparatus is processed while adhered to the front surface of an adhesive tape attached to an annular frame and conveyed to the next step. However, the wafer divided into the individual chips, especially in laser processing, has a small gap between the adjacent chips. Therefore, a problem arises in that the adjacent chips rub against each other, so that they are damaged when the wafer is conveyed to the next step while adhering to the front surface of the adhesive tape.

Um ein solches Problem zu beseitigen, wird ein Verfahren verwendet, das eine als ein Bandaufweiter bezeichnete Aufweitvorrichtung verwendet, die das Band radial aufweitet, um die Lücke zwischen den Chips zu verbreitern. Insbesondere wird die Anzahl vorgegebener Trennlinien vergrößert, wenn die Größe des Chips klein ist. Deshalb werden alle vorgegebenen Trennlinien bis zu einem gewissen Ausmaß aufgeweitet, um einen Aufweitungsbetrag zu erhöhen. Jedoch wird das durch den Aufweiter aufgeweitete Klebeband, insbesondere das Klebeband an dem äußeren Umfangsabschnitt des Wafers und äußerlich von dem äußeren Umfangsabschnitt, gedehnt. Deshalb bewirkt dies eine große Lockerheit, wenn das Klebeband durch Lösen der Spannung in einen ursprünglichen Zustand zurückgeführt wird. Dieser Zustand unterscheidet sich von einem Zustand, in dem der Wafer vor der Aufweitung auf die gespannte Weise an dem ringförmigen Rahmen befestigt ist. Deshalb wird der Befestigungszustand des Wafers an dem ringförmigen Rahmen instabil. Daher besteht ein Problem dahingehend, dass die Chips aneinander reiben, so dass sie beschädigt werden, wenn der Wafer befördert wird. In dem Zustand, in dem das Klebeband so gelockert ist, dass es hängt, besteht ein Problem dahingehend, dass der über das Klebeband durch den ringförmigen Rahmen gehaltene Wafer nicht in eine Kassette gelagert werden kann.To overcome such a problem, a method is used which uses a widening device called a belt widener which radially widens the tape to widen the gap between the chips. In particular, the number of predetermined dividing lines is increased when the size of the chip is small. Therefore, all the predetermined dividing lines are widened to some extent to increase an expansion amount. However, the adhesive tape expanded by the expander, particularly the adhesive tape on the outer peripheral portion of the wafer and externally of the outer peripheral portion, is stretched. Therefore, this causes great looseness when the adhesive tape is returned to an original state by releasing the tension. This state differs from a state in which the wafer is secured to the annular frame before expansion in the cocked manner. Therefore, the attachment state of the wafer to the annular frame becomes unstable. Therefore, there is a problem in that the chips rub against each other so that they are damaged when the wafer is conveyed. In the state where the adhesive tape is loosened to hang, there is a problem that the wafer held over the adhesive tape by the annular frame can not be stored in a cassette.

Um solche Probleme zu lösen, offenbart das offengelegte japanische Patent Nr. 2007-27562 ein Verfahren, bei dem ein thermisch zusammenziehbares Band als ein Klebeband verwendet wird und das in einem Bandaufweitschritt aufgeweitete Band durch Erwärmen zusammengezogen wird, um dadurch die Lockerheit des Klebebands zu beseitigen. Jedoch ist bei diesem Verfahren das verwendbare Klebeband auf ein Band beschränkt, das Aufweitbarkeit und eine thermische Zusammenzieheigenschaft kombiniert; deshalb besteht ein Problem hoher Kosten.To solve such problems, the disclosed Japanese Patent No. 2007-27562 a method in which a thermally contractible tape is used as an adhesive tape, and the tape expanded in a tape expanding step is contracted by heating, thereby eliminating the looseness of the adhesive tape. However, in this method, the usable adhesive tape is limited to a tape combining expandability and a thermal contraction property; therefore, there is a problem of high cost.

Das offengelegte japanische Patent Nr. 2008-140874 offenbart das nachfolgende Verfahren. Ein ringförmiger Rahmen wird verwendet, der größer als ein Wafer ist (z. B. wird der ringförmige Rahmen mit einem Durchmesser von 12 inch für den. Wafer mit einem Durchmesser von 8 inch verwendet). Nach der Aufweitung wird ein etwas kleinerer ringförmiger Rahmen an dem aufgeweiteten Klebeband angeordnet. Auf diese Weise wird der Wafer, der an einen der Rahmen gehaftet wurde, von diesem abgezogen und an den anderen mit einer kleineren Größe gehaftet. Bei diesem Verfahren wird der Wafer nach der Aufweitung durch den ringförmigen Rahmen mit einem kleinen Durchmesser gehalten, wobei ein lockerer Abschnitt des Klebebands nach der Aufweitung entfernt ist. Jedoch weist dieses Verfahren das nachfolgende Problem auf. Die ringförmigen Rahmen zweierlei Art, also der Rahmen mit großem Durchmesser und der Rahmen mit kleinem Durchmesser, sind erforderlich; deshalb wird der Schritt kompliziert. Zusätzlich wird der ringförmige Rahmen verwendet, der größer als der Wafer ist; deshalb wird Klebeband verschwendet.The revealed Japanese Patent No. 2008-140874 discloses the following method. An annular frame larger than a wafer is used (e.g., the annular frame with a diameter of 12 inches is used for the. Wafer with a diameter of 8 inches used). After expansion, a slightly smaller annular frame is placed on the expanded adhesive tape. In this way, the wafer which has been adhered to one of the frames is peeled off from this and adhered to the other one with a smaller size. In this method, after widening, the wafer is held by the annular frame with a small diameter, with a loose portion of the adhesive tape being removed after widening. However, this method has the following problem. The annular frame of two kinds, so the frame with a large diameter and the frame with a small diameter, are required; therefore the step becomes complicated. In addition, the annular frame larger than the wafer is used; therefore, tape is wasted.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, bei dem ein in Chips geteilter Wafer ohne die Verwendung eines speziellen Klebebands einfach zu dem nächsten Schritt befördert werden kann, während die so geteilten Chips nicht aneinander reiben.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a wafer processing method in which a wafer divided into chips can be easily conveyed to the next step without the use of a special adhesive tape while the thus divided chips do not rub against each other.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers mit Bauelementen in jeweiligen Bereichen, die durch mehrere vorgegebene Trennlinien abgeteilt sind, die in einem Gittermuster an einer vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, bereitgestellt, das beinhaltet: einen Klebebandhaftschritt, bei dem der Wafer an einer Mitte eines Öffnungsabschnitts eines ersten ringförmigen Rahmens angeordnet wird und ein dehnbares Klebeband so an den ersten ringförmigen Rahmen und den Wafer gehaftet wird, dass der Öffnungsabschnitt des ersten ringförmigen Rahmens geschlossen wird; einen Modifikationsschichtsausbildungsschritt, bei dem ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge, die durch den Wafer treten kann, auf die vorgegebenen Trennlinien gerichtet wird, um modifizierte Schichten entlang der vorgegebenen Trennlinien im Inneren des Wafers auszubilden; einen Aufweitungsvorbereitungsschritt, bei dem der durch den ersten ringförmigen Rahmen gehaltene Wafer, der dem Modifikationsschichtsausbildungsschritt unterzogen wurde, an einer Aufweitvorrichtung angeordnet wird, wobei die Aufweitvorrichtung ein zylindrisches Element mit einem äußeren Durchmesser, der kleiner als ein innerer Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens und größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers ist, und ein Haltemittel zum Halten des ersten ringförmigen Rahmens beinhaltet; einen Klebebandaufweitschritt, bei dem das zylindrische Element und das Haltemittel in einer Richtung senkrecht zu dem Klebeband relativ zueinander verschoben werden, um das Klebeband, an das der Wafer gehaftet ist, aufzuweiten, um den Wafer entlang der mit den modifizierten Schichten ausgebildeten, vorgegebenen Trennlinien in einzelne Chips zu teilen und zwischen entsprechenden nebeneinander liegenden Chips Lücken zu bilden; einen Vorbereitungsschritt für eine einen Austausch des ringförmigen Rahmens bezweckende Einheit zum Vorbereiten einer einen Austausch des ringförmigen Rahmens bezweckenden Einheit, bei dem ein ringförmiges Band, das aus einem Basismaterial mit geringer Dehnbarkeit und einer darauf ausgebildeten Klebeschicht besteht, an einen ringförmigen Rahmen gehaftet wird, wobei eine Öffnung des ringförmigen Bands an einer Öffnungsmitte des zweiten ringförmigen Rahmens angeordnet wird und die Öffnung des ringförmigen Bands einen Durchmesser aufweist, der größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers ist, in einem Zustand, in dem die Lücken zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips in dem Klebebandaufweitschritt ausgebildet wurden; einen Bandhaftschritt, bei dem der Wafer in dem Zustand, in dem die Lücken zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips in dem Klebebandaufweitschritt ausgebildet wurden, innerhalb der Öffnung des ringförmigen Bands angeordnet wird und eine Klebeoberflächenseite des ringförmigen Bands an eine Klebeoberflächenseite des Klebebands an dem zylindrischen Element, das an dem Umfang des Wafers angeordnet ist, gehaftet wird; und einen Klebebandschneidschritt, bei dem das Klebeband an einem Abschnitt ringförmig geschnitten wird, der nicht an dem ringförmigen Band angebracht ist und an einer äußeren Umfangsseite eines Bereichs liegt, der in dem Bandhaftschritt ausgebildet wurde, und bei dem das ringförmige Band und das Klebeband aneinander und an eine Innenseite eines Öffnungsrands des ersten ringförmigen Rahmens gehaftet werden.According to one aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method of processing a wafer having devices in respective regions partitioned by a plurality of predetermined dividing lines formed in a grid pattern on a front surface of the wafer, comprising: an adhesive tape adhering step of the wafer is placed at a center of an opening portion of a first annular frame, and a stretchable adhesive tape is adhered to the first annular frame and the wafer so as to close the opening portion of the first annular frame; a modification layer forming step in which a laser beam having a wavelength that can pass through the wafer is directed to the predetermined separation lines to form modified layers along the predetermined separation lines in the interior of the wafer; a widening preparation step of disposing the wafer held by the first annular frame subjected to the modification layer forming step to a widening device, the widening device comprising a cylindrical member having an outer diameter smaller than an inner diameter of the first annular frame and larger than an outer diameter of the wafer, and holding means for holding the first annular frame; an adhesive tape expanding step in which the cylindrical member and the Holding means are displaced in a direction perpendicular to the tape relative to each other to expand the adhesive tape to which the wafer is adhered to divide the wafer along the predetermined separation lines formed with the modified layers into individual chips and between corresponding adjacent chips To fill gaps; a step of preparing an annular frame replacement unit for preparing a unit for exchanging the annular frame, in which an annular band made of a base material having a small extensibility and an adhesive layer formed thereon is adhered to an annular frame, wherein an opening of the annular band is disposed at an opening center of the second annular frame, and the opening of the annular band has a diameter larger than an outer diameter of the wafer, in a state in which the gaps between the respective adjacent chips in the Klebebandaufweitschritt were formed; a tape sticking step in which, in the state where the gaps between the respective adjacent chips are formed in the tape expanding step, the wafer is placed inside the opening of the annular tape and an adhesive surface side of the annular tape is applied to an adhesive surface side of the tape on the cylindrical member adhered to the periphery of the wafer is adhered; and an adhesive tape cutting step of annularly cutting the adhesive tape at a portion which is not attached to the annular band and located on an outer peripheral side of a region formed in the band-bonding step, and wherein the annular band and the adhesive tape are abutted to each other and adhered to an inside of an opening edge of the first annular frame.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der an einer vorderen Oberfläche mit mehreren Bauelementen ausgebildet ist, die durch mehrere gitterartige vorgegebene Trennlinien abgeteilt sind, entlang der vorgegebenen Trennlinien in einzelne Chips geteilt ist und an ein dehnbares Klebeband an der Umgebung einer Öffnungsmitte eines ersten ringförmigen Rahmens angehaftet ist, bereitgestellt, das beinhaltet: einen Aufweitungsvorbereitungsschritt, bei dem der durch den ersten ringförmigen Rahmen gehaltene Wafer an einer Aufweitvorrichtung angeordnet wird, wobei die Aufweitvorrichtung ein zylindrisches Element mit einem äußeren Durchmesser, der kleiner als ein innerer Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens und größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers ist, und ein Haltemittel zum Halten des ersten ringförmigen Rahmens beinhaltet; einen Klebebandaufweitschritt, bei dem das zylindrische Element und das Haltemittel in einer Richtung senkrecht zu dem Klebeband relativ zueinander verschoben werden, um das Klebeband, an das der Wafer gehaftet ist, aufzuweiten, um zwischen entsprechenden nebeneinander liegenden Chips Lücken zu bilden; einen Vorbereitungsschritt für eine einen Austausch des ringförmigen Rahmens bezweckende Einheit zum Vorbereiten einer einen Austausch des ringförmigen Rahmens bezweckenden Einheit, bei dem ein ringförmiges Band, das aus einem Basismaterial mit geringer Dehnbarkeit und einer darauf ausgebildeten Klebeschicht besteht, an einen zweiten ringförmigen Rahmen gehaftet wird, wobei eine Öffnung des ringförmigen Bands an einer Öffnungsmitte des zweiten ringförmigen Rahmens angeordnet wird und die Öffnung des ringförmigen Bands einen Durchmesser aufweist, der größer als ein äußerer Durchmesser des Wafers ist, in einem Zustand, in dem die Lücken zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips in dem Klebebandaufweitschritt ausgebildet wurden; einen Bandhaftschritt, bei dem der Wafer in dem Zustand, in dem die Lücken zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips in dem Klebebandaufweitschritt ausgebildet wurden, innerhalb der Öffnung des ringförmigen Bands der einen Austausch des ringförmigen Rahmens bezweckenden Einheit angeordnet wird und eine Klebeoberflächenseite des ringförmigen Bands an eine Klebeoberflächenseite des Klebebands an dem zylindrischen Element, das an dem Umfang des Wafers angeordnet ist, gehaftet wird; und einen Klebebandschneidschritt, bei dem das Klebeband an einem Abschnitt ringförmig geschnitten wird, der nicht an dem ringförmigen Band angebracht ist und an einer äußeren Umfangsseite eines Bereichs liegt, der in dem Bandhaftschritt ausgebildet wurde, und bei dem das ringförmige Band und das Klebeband aneinander und an eine Innenseite eines Öffnungsrands des ersten ringförmigen Rahmens gehaftet werden.According to another aspect of the present invention, a wafer processing method for processing a wafer formed on a front surface having a plurality of components partitioned by a plurality of grid-like predetermined separating lines is divided into individual chips along the predetermined dividing lines and to a stretchable adhesive tape the periphery of an opening center of a first annular frame is adhered, including: a widening preparation step in which the wafer held by the first annular frame is placed on a widening device, the widening device being a cylindrical member having an outer diameter smaller than one inner diameter of the first annular frame and larger than an outer diameter of the wafer, and includes holding means for holding the first annular frame; an adhesive tape expanding step in which the cylindrical member and the holding means are displaced in a direction perpendicular to the adhesive tape relative to each other to widen the adhesive tape to which the wafer is adhered to form gaps between respective adjacent chips; a step of preparing an annular frame replacement unit for preparing a unit for exchanging the annular frame, in which an annular band consisting of a base material having a small extensibility and an adhesive layer formed thereon is adhered to a second annular frame; wherein an opening of the annular band is disposed at an opening center of the second annular frame and the opening of the annular band has a diameter larger than an outer diameter of the wafer in a state in which the gaps between the respective adjacent chips in FIG the tape expanding step were formed; a tape sticking step in which, in the state where the gaps between the respective adjacent chips are formed in the tape expanding step, the wafer is placed inside the opening of the annular band of the unit exchanging the annular frame and an adhesive surface side of the annular band adhering an adhesive surface side of the adhesive tape to the cylindrical member disposed on the periphery of the wafer; and an adhesive tape cutting step of annularly cutting the adhesive tape at a portion which is not attached to the annular band and located on an outer peripheral side of a region formed in the band-bonding step, and wherein the annular band and the adhesive tape are abutted to each other and adhered to an inside of an opening edge of the first annular frame.

Vorzugsweise ist der Klebebandaufweitschritt so gestaltet, dass die Lücken zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips überwacht und stetig aufgeweitet werden, bis die Lücken vorgegebene Lücken werden.Preferably, the tape expanding step is designed so that the gaps between the respective adjacent chips are monitored and steadily expanded until the gaps become predetermined gaps.

Gemäß dem Waferbearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung wird das Klebeband in dem Zustand, in dem die Lücken zwischen den Chips nach dem Klebebandaufweitschritt beibehalten werden, an der einen Austausch des ringförmigen Rahmens bezweckenden Einheit befestigt. Deshalb kann ein Problem dahingehend, dass die Chips während der Beförderung zu dem nächsten Schritt oder dergleichen aneinander reiben, so dass sie beschädigt werden, gelöst werden. Bei dem in dem offengelegten japanischen Patent Nr. 2007-27562 offenbarten Verfahren ist das verwendbare Klebeband auf ein Klebeband beschränkt, das Aufweitbarkeit und eine thermische Zusammenzieheigenschaft kombiniert. Jedoch kann bei der vorliegenden Erfindung, da nur die Aufweitbarkeit ein einschränkender Faktor ist, ein breiter Bereich von Kleberbändern verwendet werden. Zusätzlich wird eine Vorrichtung einfach, da ein Aufweiter nicht mit einem Erwärmungsmittel versehen sein muss.According to the wafer processing method of the present invention, in the state where the gaps between the chips are retained after the tape expanding step, the adhesive tape is attached to the unit exchanging the annular frame. Therefore, a problem that the chips rub against each other during conveyance to the next step or the like so as to be damaged can be solved. In which disclosed in the Japanese Patent No. 2007-27562 As disclosed, the useful adhesive tape is limited to an adhesive tape that combines expandability and a thermal contraction feature. However, in the present invention, since only expandability is a limiting factor, a wide range of adhesive tapes can be used. In addition, a device becomes easy because an expander does not need to be provided with a heating means.

Die in dem offengelegten japanischen Patent Nr. 2008-140874 offenbarte Bandaufweitvorrichtung verwendet zwei Arten von ringförmigen Rahmen, nämlich einen größeren und einen kleinen. Jedoch kann die vorliegende Erfindung einen zu wechselnden zweiten ringförmigen Rahmen verwenden, der die gleiche Größe wie der erste ringförmige Rahmen aufweist. Deshalb kann das während der Teilungsbearbeitung verwendete Klebeband gespart werden und die Beschwerlichkeit des Schritts wegen der Verwendung mehrerer Arten von ringförmigen Rahmen vermieden werden.The in the disclosed Japanese Patent No. 2008-140874 The disclosed tape widening apparatus uses two types of annular frames, one larger and one smaller. However, the present invention may use a second annular frame to be changed which is the same size as the first annular frame. Therefore, the adhesive tape used during the division processing can be saved, and the inconvenience of the step due to the use of plural kinds of annular frames can be avoided.

Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen, studiert werden.The above and other objects, features and advantages of the present invention and the manner in which these will be accomplished will become more apparent and the invention itself will best be understood by the following description and appended claims with reference to the accompanying drawings in which: which show some preferred embodiments of the invention.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

1 ist eine perspektivische Vorderseitenansicht eines Halbleiterwafers; 1 Fig. 12 is a front perspective view of a semiconductor wafer;

2 ist eine perspektivische Ansicht des über ein Klebeband durch einen ringförmigen Rahmen gehaltenen Halbleiterwafers; 2 Fig. 16 is a perspective view of the semiconductor wafer held by an annular band via an adhesive tape;

3 ist ein Blockdiagramm einer Laserstrahlbestrahlungseinheit; 3 Fig. 10 is a block diagram of a laser beam irradiation unit;

4 ist eine perspektivische Ansicht eines Modifikationsschichtsausbildungsschritts; 4 Fig. 15 is a perspective view of a modification layer forming step;

5 ist eine Querschnittsdarstellung des Modifikationsschichtsausbildungsschritts 5 FIG. 10 is a cross-sectional view of the modification layer forming step. FIG

6A ist eine erläuternde Darstellung eines Laserbearbeitungsnut-Ausbildungsschritts; 6A Fig. 12 is an explanatory view of a laser machining groove forming step;

6B ist eine Querschnittsdarstellung eines Halbleiterwafers, die eine Laserbearbeitungsnut veranschaulicht; 6B Fig. 10 is a cross-sectional view of a semiconductor wafer illustrating a laser processing groove;

7 ist eine perspektivische Ansicht eines Schneidschritts unter Verwendung einer Schneidvorrichtung; 7 Fig. 10 is a perspective view of a cutting step using a cutter;

8 ist eine Querschnittsdarstellung, die einen Klebebandaufweitschritt veranschaulicht; 8th Fig. 10 is a cross-sectional view illustrating an adhesive tape expanding step;

9 ist eine Querschnittsdarstellung, die einen Lückenüberwachungsschritt veranschaulicht; 9 Fig. 10 is a cross-sectional view illustrating a gap monitoring step;

10A ist eine Draufsicht einer einen Austausch eines ringförmigen Rahmens bezweckenden Einheit; 10A Fig. 10 is a plan view of a unit for exchanging an annular frame;

10B ist eine Querschnittsdarstellung entlang der Linie 10B–10B der 10A; 10B is a cross-sectional view along the line 10B-10B of 10A ;

11 ist eine Querschnittsdarstellung, die einen Bandhaftschritt veranschaulicht; und 11 Fig. 10 is a cross-sectional view illustrating a tape sticking step; and

12 ist eine Querschnittsdarstellung, die einen Klebebandschneidschritt veranschaulicht. 12 Fig. 10 is a cross-sectional view illustrating an adhesive tape cutting step.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS

Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend hierin im Einzelnen mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Mit Bezug auf 1 wird eine perspektivische Vorderseitenansicht eines Halbleiterwafers W veranschaulicht. Der Halbleiterwafer W ist an der vorderen Oberfläche mit ersten vorgegebenen Trennlinien (Straßen) S1 und zweiten vorgegebenen Trennlinien S2, die einander schneiden, ausgebildet. Bauelemente D, wie z. B. LSIs oder dergleichen, sind in mehreren durch die ersten und zweiten vorgegebenen Trennlinien S1, S2 abgeteilten, jeweiligen Bereichen ausgebildet. Vor der Bearbeitung durch eine Schneidvorrichtung oder eine Laserbearbeitungsvorrichtung wird die hintere Oberfläche des Wafers W durch eine Schleifvorrichtung auf eine vorgegebene Dicke geschliffen. Ferner wird, um die Handhabung des Wafers W zu erleichtern, die hintere Oberfläche des Wafers W an ein dehnbares Klebeband T gehaftet und ein äußerer Umfangsabschnitt des Klebebands T an einen ringförmigen Rahmen F gehaftet, wie in 2 veranschaulicht ist. Auf diese Weise wird der Wafer W über das Klebeband T durch den ringförmigen Rahmen F gehalten.Preferred embodiments of the present invention will be described hereinafter in detail with reference to the drawings. Regarding 1 FIG. 2 illustrates a front perspective view of a semiconductor wafer W. FIG. The semiconductor wafer W is formed on the front surface with first predetermined dividing lines (streets) S1 and second predetermined dividing lines S2 intersecting each other. Components D, such as. As LSIs or the like, are formed in a plurality of divided by the first and second predetermined separation lines S1, S2, respective areas. Before being processed by a cutter or a laser processing apparatus, the back surface of the wafer W is ground to a predetermined thickness by a grinder. Further, in order to facilitate the handling of the wafer W, the back surface of the wafer W is adhered to a stretchable adhesive tape T, and an outer peripheral portion of the adhesive tape T is adhered to an annular frame F, as in FIG 2 is illustrated. In this way, the wafer W is held over the adhesive tape T by the annular frame F.

Mit Bezug auf 3 wird ein Blockdiagramm einer Laserstrahlbestrahlungseinheit 14 der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 veranschaulicht. Die Laserstrahlbestrahlungseinheit 14 beinhaltet einen Laseroszillator 18, der einen YAG-Laser oder einen YVO4-Laser oszilliert; ein Zyklusfrequenzeinstellmittel 20; ein Pulsbreiteneinstellmittel 22; und ein Leistungseinstellmittel 24. Ein Pulslaserstrahl wird durch das Leistungseinstellmittel 24 der Laserstrahlbestrahlungseinheit 14 so eingestellt, dass er eine vorgegebene Leistung aufweist. Dieser Pulslaserstrahl wird durch einen Spiegel 26 eines Kondensors 16 reflektiert, durch eine Kondensierfeldlinse weiter verdichtet und auf den Halbleiterwafer W gerichtet, der durch einen Einspanntisch 12 angesaugt und gehalten wird.Regarding 3 Fig. 12 is a block diagram of a laser beam irradiation unit 14 the laser processing device 10 illustrated. The laser beam irradiation unit 14 includes a laser oscillator 18 which oscillates a YAG laser or a YVO4 laser; a cycle frequency setting means 20 ; a pulse width adjusting means 22 ; and a power adjustment means 24 , A pulse laser beam is passed through the power adjustment means 24 the laser beam irradiation unit 14 adjusted so that it has a predetermined power. This pulse laser beam is through a mirror 26 a condenser 16 reflected, further condensed by a condensing field lens and directed to the semiconductor wafer W passing through a chuck table 12 sucked and held.

Mit Bezug auf 4 wird eine perspektivische Ansicht eines Modifikationsschichtsausbildungsschritts veranschaulicht. 5 ist eine Querschnittsdarstellung des Modifikationsschichtsausbildungsschritts Wie in 4 veranschaulicht ist, wird der über das Klebeband T durch den ringförmigen Rahmen F gehaltene Wafer W durch einen Einspanntisch 12 der Laserbearbeitungsvorrichtung angesaugt und gehalten. Wie in 4 und 5 veranschaulicht ist, wird der Einspanntisch 12 in 4 in einer Richtung mit Pfeil X1 bei einer vorgegebenen Bearbeitungsüberführungsrate verschoben, während ein Pulslaserstrahl 17 mit einer Wellenlänge, die durch den Wafer W treten kann, in dem Inneren des Wafers W fokussiert und auf dieses gerichtet wird. Daher wird eine modifizierte Schicht 30 innerhalb des Wafers W ausgebildet. Diese modifizierte Schicht 30 ist als eine geschmolzene, wiedererhärtete Schicht ausgebildet und ist eine brüchige Schicht. Wie in 5 veranschaulicht ist, wird bevorzugt, dass mehrere (drei in 5) modifizierte Schichten 30 innerhalb des Wafers W ausgebildet werden.Regarding 4 Fig. 3 is a perspective view of a modification layer forming step. 5 FIG. 15 is a cross-sectional view of the modification layer forming step as in FIG 4 is illustrated, the wafer W held by the adhesive tape T through the annular frame F is passed through a chuck table 12 sucked and held the laser processing device. As in 4 and 5 is illustrated, the chuck table 12 in 4 in a direction shifted by arrow X1 at a predetermined processing transfer rate, while a pulse laser beam 17 with a wavelength that can pass through the wafer W is focused in the interior of the wafer W and directed to this. Therefore, a modified layer 30 formed within the wafer W. This modified layer 30 is formed as a molten, re-cured layer and is a brittle layer. As in 5 is illustrated, it is preferred that multiple (three in 5 ) modified layers 30 be formed within the wafer W.

Zum Beispiel sind die Bearbeitungsbedingungen bei diesem Modifikationsschichtsausbildungsschritt wie nachfolgend angegeben festgelegt:
Lichtquelle: LD-gepumpter Q-Schalter Nd: YVO4-Pulslaser
Wellenlänge: 1064 nm
Zyklusfrequenz: 100 kHz
Durchschnittliche Ausgabe: 1 W
Lichtfokusfleckdurchmesser: 1 μm
Bearbeitungsüberführungsrate: 100 mm/Sek For example, the machining conditions in this modification-layer formation step are set as follows:
Light source: LD pumped Q switch Nd: YVO4 pulse laser
Wavelength: 1064 nm
Cycle frequency: 100 kHz
Average output: 1 W
Light focus spot diameter: 1 μm
Processing transfer rate: 100 mm / sec

Anstelle des durch die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 durchgeführten Modifikationsschichtsausbildungsschritts kann eine Laserbearbeitungsnut 32 in dem Wafer W entlang der vorgegebenen Trennlinie S1 ausgebildet werden, wie in 6B veranschaulicht ist. Speziell wird der Einspanntisch 12 in 6A mit einer gegebenen Bearbeitungsüberführungsrate in einer mit dem Pfeil X1 bezeichneten Richtung von einem Ende der vorgegebenen Trennlinie S1 verschoben, während ein Pulslaserstrahl 17A mit einer Wellenlänge, die durch den Halbleiterwafer W absorbiert werden kann, durch den Kondensor 16 verdichtet und auf die vordere Oberfläche des Halbleiterwafers W gerichtet wird.Instead of by the laser processing device 10 The modified modification layer forming step may be a laser processing groove 32 are formed in the wafer W along the predetermined dividing line S1, as in FIG 6B is illustrated. Specifically, the chuck table 12 in 6A with a given processing transfer rate in a direction indicated by the arrow X1 from one end of the predetermined separation line S1, while a pulse laser beam 17A with a wavelength that can be absorbed by the semiconductor wafer W through the condenser 16 is compressed and directed to the front surface of the semiconductor wafer W.

Wenn das andere Ende der vorgegebenen Trennlinie S1 die Bestrahlungsposition des Kondensors 16 erreicht, werden die Bestrahlung mit dem Pulslaserstrahl und das Verschieben des Einspanntischs 12 angehalten. Folglich wird der Halbleiterwafer W mit der Laserbearbeitungsnut 32 entlang der vorgegebenen Trennlinie S1 ausgebildet, wie in 6B veranschaulicht ist. Im übrigen kann, wenn die Laserbearbeitungsnut 32 ausgebildet wird, der Halbleiterwafer W durch den Laserstrahl 17A vollständig geschnitten werden, so dass er in einzelne Chips (Bauelemente) D geteilt wird.If the other end of the predetermined dividing line S1, the irradiation position of the condenser 16 achieved, the irradiation with the pulsed laser beam and the displacement of the clamping table 12 stopped. As a result, the semiconductor wafer W becomes the laser processing groove 32 formed along the predetermined separation line S1, as in 6B is illustrated. Incidentally, if the laser processing groove 32 is formed, the semiconductor wafer W by the laser beam 17A be completely cut so that it is divided into individual chips (components) D.

Zum Beispiel sind die Bearbeitungsbedingungen bei diesem Laserbearbeitungsnut-Ausbildungsschritt wie nachfolgend angegeben festgelegt:
Lichtquelle: LD-gepumpter Q-Schalter Nd: LVO4-Pulslaser
Wellenlänge: 355 nm (Frequenzverdreifachung des LVO4-Pulslasers)
Zyklusfrequenz: 50 kHz
Durchschnittliche Ausgabe: 3 W
Lichtfokusfleckdurchmesser: 5 μm
Bearbeitungsüberführungsrate: 200 mm/SekFor example, the machining conditions in this laser processing groove forming step are set as follows:
Light source: LD-pumped Q-switch Nd: LVO4 pulse laser
Wavelength: 355 nm (frequency tripling of the LVO4 pulse laser)
Cycle frequency: 50 kHz
Average output: 3 W
Light focus spot diameter: 5 μm
Processing transfer rate: 200 mm / sec

Anstelle der durch die oben beschriebene Laserbearbeitungsvorrichtung durchgeführten Bearbeitung kann bei dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung der Halbleiterwafer W als ein vorheriger Schritt für eine solche Bearbeitung durch eine Schneidvorrichtung in einzelne Chips (Bauelemente) D geteilt werden. Mit Bezug auf 7 ist eine durch einen nicht veranschaulichten Motor drehbar angetriebene Achse 40 in einem Achsengehäuse 38 einer Schneideinheit 36 einer Schneidvorrichtung 34 drehbar aufgenommen. Eine Schneidklinge 42 ist an einem distalen Ende der Achse 40 angebracht.Instead of the processing performed by the above-described laser processing apparatus, in the processing method of the present invention, the semiconductor wafer W may be divided into individual chips (devices) D as a previous step for such processing by a cutter. Regarding 7 is an axis rotatably driven by an unillustrated motor 40 in an axle housing 38 a cutting unit 36 a cutting device 34 rotatably received. A cutting blade 42 is at a distal end of the axis 40 appropriate.

Während der durch den nicht veranschaulichten Einspanntisch angesaugte und gehaltene Wafer W in der X-Achsenrichtung verschoben wird, wird die Schneideinheit 36 abgesenkt, wobei die Schneidklinge 42 mit hoher Geschwindigkeit gedreht wird, wodurch eine so angeordnete vorgegebene Schneidlinie S1 geschnitten wird. Während die Schneidklinge 42 für jeden in einem Speicher gespeicherten Straßenabstand in der Y-Achsenrichtung teilungsüberführt wird, wird ein Zerteilen durchgeführt, um alle vorgegebenen Trennlinien S1 zu schneiden, die sich in der gleichen Richtung erstrecken. Ferner wird der Einspanntisch um 90 Grad gedreht und dann das gleiche Zerteilen wie oben geschildert durchgeführt, wodurch alle vorgegebenen Trennlinien S2 geschnitten werden, d. h. der Halbleiterwafer W in einzelne Chips (Bauelemente) D geteilt wird.While the wafer W sucked and held by the unillustrated chuck table is displaced in the X-axis direction, the cutting unit becomes 36 lowered, with the cutting blade 42 is rotated at high speed, whereby a thus arranged predetermined cutting line S1 is cut. While the cutting blade 42 for each road distance stored in a memory in the Y-axis direction, division is performed to intersect all the predetermined dividing lines S1 extending in the same direction. Further, the chuck table is rotated by 90 degrees, and then the same dicing as described above is performed, whereby all predetermined separating lines S2 are cut, that is, the semiconductor wafer W is divided into individual chips (devices) D.

Mit Bezug auf 8 wird eine Querschnittsdarstellung eines Klebebandaufweitschritts veranschaulicht. Bevor der Klebebandaufweitschritt durchgeführt wird, wird ein Aufweitungsvorbereitungsschritt durchgeführt, um den über das Klebeband T durch den ringförmigen Rahmen F gehaltenen Wafer W an einer Aufweitvorrichtung 44 anzuordnen. Die Aufweitvorrichtung 44 beinhaltet ein zylindrisches Element 48 mit einem äußeren Durchmesser, der kleiner als der innere Durchmesser des ringförmigen Rahmens F und größer als der äußere Durchmesser des Wafers W ist; und ein Haltemittel 46, wie z. B. eine Klammer oder dergleichen, zum Halten des ringförmigen Rahmens F. Der an das Klebeband T gehaftete Wafer W kann der in 5 veranschaulichte, mit den modifizierten Schichten 30 ausgebildete Wafer W, der in 6B veranschaulichte, mit den Laserbearbeitungsnuten 32 ausgebildete Wafer W und der in 7 veranschaulichte, durch die Schneidvorrichtung in die einzelnen Chips geteilte Wafer W sein.Regarding 8th Fig. 3 is a cross-sectional view of an adhesive tape expanding step. Before the adhesive tape expanding step is performed, a widening preparation step is performed to secure the wafer W held over the adhesive tape T by the annular frame F to a widening device 44 to arrange. The expansion device 44 includes a cylindrical element 48 having an outer diameter smaller than the inner diameter of the annular frame F and larger than the outer diameter of the wafer W; and a holding means 46 , such as A clip or the like for holding the annular frame F. The wafer W adhered to the adhesive tape T may be the one in 5 illustrated with the modified layers 30 formed wafer W, which is in 6B illustrated with the laser processing grooves 32 trained wafers W and the in 7 illustrated to be W divided by the cutting device into the individual chips W wafer.

Bei dem Klebebandaufweitschritt wird das zylindrische Element 48 nach oben angehoben, wie durch den Pfeil A dargestellt ist, während der ringförmige Rahmen F durch das Haltemittel 46 gehalten wird. Auf diese Weise wird das Klebeband T radial aufgeweitet, wie durch den Pfeil B dargestellt ist, um den Wafer W entlang der mit den entsprechenden modifizierten Schichten 30 ausgebildeten, vorgegebenen Trennlinien in einzelne Chips D zu teilen und Lücken 50 zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips zu definieren.In the tape expanding step, the cylindrical member becomes 48 lifted upward as shown by the arrow A, while the annular frame F by the holding means 46 is held. In this way, the adhesive tape T is radially expanded, as shown by the arrow B, around the wafer W along with the corresponding modified layers 30 trained, predetermined dividing lines into individual chips D to share and gaps 50 between the respective adjacent chips.

Anstelle des Anhebens des zylindrischen Elements 48 nach oben kann das zylindrische Element 48 befestigt und das Haltemittel 46 nach unten gezogen werden, wodurch das Klebeband T aufgeweitet wird. Mit anderen Worten werden bei diesem Klebebandaufweitschritt das zylindrische Element 48 und das Haltemittel 46 in einer Richtung senkrecht zu dem Klebeband T relativ verschoben, um das an den Wafer W gehaftete Klebeband T aufzuweiten.Instead of lifting the cylindrical element 48 upwards, the cylindrical element 48 attached and the retaining means 46 pulled down, whereby the tape T is widened. In other words, in this adhesive tape expanding step, the cylindrical member becomes 48 and the retaining means 46 relatively displaced in a direction perpendicular to the adhesive tape T to widen the adhesive tape T adhered to the wafer W.

Der an das Klebeband T gehaftet Wafer W kann der in 6B veranschaulichte, mit der Laserbearbeitungsnut 32 ausgebildete Wafer W oder der in 7 veranschaulichte, durch die Schneidvorrichtung 34 in die einzelnen Chips geteilte Wafer W sein. Bei dem Wafer W, der bereits in die einzelnen Chips D geteilt wurde, werden die Lücken zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips vergrößert.The wafer W adhered to the adhesive tape T may be the one in 6B illustrated with the laser processing groove 32 trained wafer W or the in 7 illustrated by the cutting device 34 be W divided into the individual chips W. For the wafer W which has already been divided into the individual chips D, the gaps between the respective adjacent chips are increased.

Mit Bezug auf 9 wird vorzugsweise eine Lücke 50 des Wafers W durch eine Bildaufnahmevorrichtung 52 mit einer Linse 54 überwacht und das Anheben des zylindrischen Elements 48 fortgesetzt, bis diese Lücke 50 eine vorgegebene Lücke wird, so dass das Klebeband T um einen gegebenen Betrag aufgeweitet wird. Es wird gewährleistet, dass dies verhindern kann, dass Chips bei einem Schritt zum Aufnehmen der Chips D oder einem Schritt zum Befördern der Chips D aneinander reiben.Regarding 9 is preferably a gap 50 of the wafer W by an image pickup device 52 with a lens 54 monitors and lifting the cylindrical element 48 continued until this gap 50 becomes a predetermined gap, so that the adhesive tape T is widened by a given amount. It is ensured that this can prevent chips from rubbing against each other in a step of accommodating the chips D or a step of conveying the chips D.

Mit Bezug auf 10A wird eine Draufsicht einer ein Austauschen eines ringförmigen Rahmens bezweckenden Einheit 55 veranschaulicht, die bei dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung verwendet wird. 10B ist eine Querschnittsdarstellung entlang der Linie 10B-10B der 10A. Das Bezugszeichen 56 bezeichnet einen ringförmigen Rahmen, der annähernd den gleichen Durchmesser wie der ringförmige Rahmen F aufweist. Ein ringförmiges Band 48 wird an den ringförmigen Rahmen 56 gehaftet, um die einen Austausch eines ringförmigen Rahmens bezweckende Einheit 55 auszubilden. Das ringförmige Band 58 weist eine an einem Öffnungsmittelabschnitt des ringförmigen Rahmens 56 angeordnete Öffnung 60 auf. Das ringförmige Band 58 besteht aus einem Basismaterial, das z. B. aus PET (Polyehtylen-Terephthalat) mit geringer Dehnbarkeit besteht, und einer darauf ausgebildeten Klebeschicht.Regarding 10A Fig. 12 is a plan view of a unit for exchanging an annular frame 55 illustrated in the processing method of the present invention. 10B is a cross-sectional view along the line 10B-10B of 10A , The reference number 56 denotes one annular frame having approximately the same diameter as the annular frame F. An annular band 48 is attached to the annular frame 56 adhered to the unit intended for replacement of an annular frame 55 train. The annular band 58 has one at an opening center portion of the annular frame 56 arranged opening 60 on. The annular band 58 consists of a base material, the z. B. of PET (polyethylene terephthalate) with low extensibility, and an adhesive layer formed thereon.

Die Öffnung 60 des ringförmigen Bands 58 weist einen Durchmesser auf, der in dem Zustand, in dem die Lücken 50 zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips in dem Klebebandaufweitschritt ausgebildet wurden, größer als der äußere Durchmesser des Wafers W ist. Nach der Vorbereitung der wie oben beschrieben aufgebauten Einheit 55 für den ringförmigen Rahmen, wird ein 11 veranschaulichter Bandhaftschritt durchgeführt. Bei diesem Bandhaftschritt wird der Wafer W, der mit den in dem Bandaufweitschritt zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips ausgebildeten Lücken 50 ausgebildet ist, innerhalb der Öffnung 60 des ringförmigen Bands 58 der Einheit 55 für den ringförmigen Rahmen angeordnet. Wie mit dem Bezugszeichen 62 angezeigt ist, wird die Klebeoberflächenseite des ringförmigen Bands 58 an die Klebeoberflächenseite des Klebebands T an dem zylindrischen Element 48 gehaftet, das an dem Umfangsabschnitt des Wafers W angeordnet ist.The opening 60 of the annular band 58 has a diameter that is in the state in which the gaps 50 between the respective adjacent chips formed in the tape expanding step is larger than the outer diameter of the wafer W. After the preparation of the unit constructed as described above 55 for the annular frame, is a 11 illustrated tape adhesion step performed. In this tape sticking step, the wafer W is formed with the gaps formed in the tape expanding step between the respective juxtaposed chips 50 is formed inside the opening 60 of the annular band 58 the unit 55 arranged for the annular frame. As with the reference 62 is indicated, the adhesive surface side of the annular band 58 to the adhesive surface side of the adhesive tape T on the cylindrical member 48 adhered to the peripheral portion of the wafer W is arranged.

Nachdem der Bandhaftschritt durchgeführt wurde, wird das Klebeband 58 mit einem Schneidmittel 64, wie z. B. einer Schneideinrichtung oder dergleichen, an einem Abschnitt geschnitten, an dem das Klebeband 58 nicht an dem ringförmigen Band 58 anhaftet, wobei der Abschnitt an der äußeren Umfangsseite des Bereichs, in dem das ringförmige Band 58 an das Klebeband T gehaftet ist, und an der Innenseite des Öffnungsrands des ringförmigen Rahmens F liegt. Auf diese Weise wird der Wafer W, der mit den zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips ausgebildeten gewünschten Lücken 50 ausgebildet ist, über das ringförmige Band 58 mit geringer Dehnbarkeit durch den ringförmigen Rahmen 56 gehalten. Deshalb können, sogar wenn das zylindrische Element 48 in die ursprüngliche Position zurückgeführt wird, um die Spannung des Klebebands T zu lösen, die gewünschten Lücken 50 zwischen den entsprechenden nebeneinander liegenden Chips beibehalten werden. Vorzugsweise wird ein hängender Abschnitt des Klebebands T, nachdem dieses durch das Schneidmittel 64 ausgeschnitten wurde, durch ein Druckmittel oder dergleichen gegen das ringförmige Band 58 gedrückt und an dieses gehaftet.After the tape sticking step has been performed, the tape becomes 58 with a cutting agent 64 , such as As a cutting device or the like, cut at a portion to which the adhesive tape 58 not on the annular band 58 adhering, wherein the portion on the outer peripheral side of the area in which the annular band 58 is adhered to the adhesive tape T, and on the inside of the opening edge of the annular frame F is located. In this way, the wafer W becomes the one with the desired gaps formed between the respective adjacent chips 50 is formed over the annular band 58 with low stretchability through the annular frame 56 held. Therefore, even if the cylindrical element 48 is returned to the original position to release the tension of the adhesive tape T, the desired gaps 50 be maintained between the respective adjacent chips. Preferably, a hanging portion of the adhesive tape T, after this by the cutting means 64 was cut, by a pressure medium or the like against the annular band 58 pressed and stuck to this.

Im Übrigen bewirkt das durch das Schneidmittel 64 geschnittene Klebeband 65 an der äußeren Umfangsseite eine große Lockerheit, wenn das zylindrische Element 48 in die ursprüngliche Position zurückgeführt wird, um die Spannung des Klebebands T zu lösen. Jedoch wird die Halterung des Wafers W zu der einen Austausch des ringförmigen Rahmens bezweckenden Einheit 55 gewechselt; deshalb ist die Lockerheit während der Beförderung oder dergleichen nicht problematisch.Incidentally, this causes by the cutting means 64 cut adhesive tape 65 on the outer peripheral side a great looseness when the cylindrical element 48 is returned to the original position to release the tension of the adhesive tape T. However, the support of the wafer W becomes the unit for exchanging the annular frame 55 changed; therefore, looseness during transportation or the like is not problematic.

Das Waferbearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung kann in ähnlicher Weise auf eine Bearbeitung unter Verwendung einer DAF (Formanbringungsschicht) angewendet werden. Speziell kann gemäß der Bearbeitung der vorliegenden Erfindung, wenn die DAF zwischen dem Wafer W und dem Klebeband T eingefügt ist, die Chiplücke durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung beibehalten werden. Es ist deshalb möglich, zu verhindern, dass die geteilten DAFs wieder aneinander haften.The wafer processing method of the present invention can similarly be applied to a process using a DAF (mold mounting layer). Specifically, according to the processing of the present invention, when the DAF is interposed between the wafer W and the adhesive tape T, the chip gap can be maintained by the method of the present invention. It is therefore possible to prevent the divided DAFs from sticking to each other again.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb durch die Erfindung umfasst.The present invention is not limited to the details of the preferred embodiments described above. The scope of the invention is defined by the appended claims, and all changes and modifications which come within the equivalence of the scope of the claims are therefore intended to be embraced by the invention.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

JP 3408805 [0003]
JP 2007-27562 [0006, 0012]
JP 2008-140874 [0007, 0013]

Claims

A wafer processing method of processing a wafer with devices in respective regions partitioned by a plurality of predetermined dividing lines formed in a lattice pattern on a front surface of the wafer, comprising: an adhesive tape adhering step of attaching the wafer to a center of an opening portion of a first annular frame is disposed and a stretchable adhesive tape is adhered to the first annular frame and the wafer, that the opening portion of the first annular frame is closed; a modification layer forming step in which a laser beam having a wavelength that can pass through the wafer is directed to the predetermined separation lines to form modified layers along the predetermined separation lines in the interior of the wafer; a widening preparation step of disposing the wafer held by the first annular frame subjected to the modification layer forming step to a widening device, the widening device comprising a cylindrical member having an outer diameter smaller than an inner diameter of the first annular frame and larger than an outer diameter of the wafer, and holding means for holding the first annular frame; an adhesive tape expanding step in which the cylindrical member and the holding means are displaced in a direction perpendicular to the adhesive tape relative to each other to widen the adhesive tape to which the wafer is adhered to the wafer along the predetermined separation lines formed with the modified layers split individual chips and form gaps between corresponding adjacent chips; a step of preparing an annular frame replacement unit for preparing a unit for exchanging the annular frame, in which an annular band made of a base material having a small extensibility and an adhesive layer formed thereon is adhered to an annular frame, wherein an opening of the annular band is disposed at an opening center of the second annular frame, and the opening of the annular band has a diameter larger than an outer diameter of the wafer, in a state in which the gaps between the respective adjacent chips in the Klebebandaufweitschritt were formed; a tape sticking step in which the wafer is in the state in which the gaps between the respective adjacent chips in the Klebebandaufweitschritt have been formed, is disposed within the opening of the annular band and an adhesive surface side of the annular band is adhered to an adhesive surface side of the adhesive tape to the cylindrical member which is disposed on the periphery of the wafer; and an adhesive tape cutting step of annularly cutting the adhesive tape at a portion which is not attached to the annular band and located on an outer peripheral side of a region formed in the band-bonding step, and wherein the annular band and the adhesive tape are abutted to each other and adhered to an inside of an opening edge of the first annular frame.

A wafer processing method for processing a wafer formed on a front surface with a plurality of components partitioned by a plurality of lattice-like predetermined dividing lines, divided into individual chips along the predetermined dividing lines, and adhered to a stretchable adhesive tape at the vicinity of an opening center of a first annular frame is, comprising: a widening preparation step of disposing the wafer held by the first annular frame on a widening device, the widening device comprising a cylindrical member having an outer diameter smaller than an inner diameter of the first annular frame and larger than an outer diameter of the wafer; and a holding means for holding the first annular frame includes; an adhesive tape expanding step in which the cylindrical member and the holding means are displaced in a direction perpendicular to the adhesive tape relative to each other to widen the adhesive tape to which the wafer is adhered to form gaps between respective adjacent chips; a step of preparing an annular frame replacement unit for preparing a unit for exchanging the annular frame, in which an annular band consisting of a base material having a small extensibility and an adhesive layer formed thereon is adhered to a second annular frame; wherein an opening of the annular band is disposed at an opening center of the second annular frame and the opening of the annular band has a diameter larger than an outer diameter of the wafer in a state in which the gaps between the respective adjacent chips in FIG the tape expanding step were formed; a tape sticking step in which, in the state where the gaps between the respective adjacent chips are formed in the tape expanding step, the wafer is placed inside the opening of the annular band of the unit exchanging the annular frame and an adhesive surface side of the annular band adhering an adhesive surface side of the adhesive tape to the cylindrical member disposed on the periphery of the wafer; and an adhesive tape cutting step in which the adhesive tape is annularly cut at a portion which is not attached to the annular band and is located on an outer peripheral side of a region formed in the band-bonding step and in which the annular band and the adhesive tape are abutted against each other and on an inside of an opening edge of the first annular frame are adhered.

A wafer processing method according to claim 1 or 2, wherein the tape expanding step is configured to monitor and steadily widen the gaps between the respective adjacent chips until the gaps become predetermined gaps.