JP2019212784A - Wafer processing method - Google Patents

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成規 原田
Shigenori Harada
成規 原田
稔 松澤
Minoru Matsuzawa
稔 松澤
逸人 木内
Itsuto Kiuchi
逸人 木内
良彰 淀
Yoshiaki Yodo
良彰 淀
太朗 荒川
Taro Arakawa
太朗 荒川
昌充 上里
Masamitsu Ueno
昌充 上里
慧美子 河村
Sumiko Kawamura
慧美子 河村
祐介 藤井
Yusuke Fujii
祐介 藤井
俊輝 宮井
Toshiteru Miyai
俊輝 宮井
巻子 大前
Makiko Omae
巻子 大前
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Abstract

To form a device chip without deteriorating quality.SOLUTION: A wafer processing method for dividing a wafer in which a plurality of devices are formed in each region on a surface partitioned by division schedule lines into individual device chips comprises a polyolefin-based sheet arranging step, an integrating step, a dividing step, and a picking-up step. The polyolefin-based sheet arranging step positions the wafer in an opening of a frame and arranges a polyolefin-based sheet in a rear surface of the wafer and an outer periphery of the frame, the opening housing the wafer. The integrating step heats and presses the polyolefin-based sheet, and integrates the wafer and the frame via the polyolefin-based sheet. The dividing step divides the wafer into individual device chips by cutting the wafer along division schedule lines using a cutting device rotatably including a cutting blade. The picking-up step pushes up the device chip by spraying air and picks up the device chip from the polyolefin-based sheet.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method that divides a wafer formed in each region of a surface defined by a plurality of devices by dividing lines into individual devices.

携帯電話やパソコン等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体等の材料からなるウェーハの表面に複数の交差する分割予定ライン(ストリート)を設定する。そして、該分割予定ラインで区画される各領域にIC(Integrated Circuit)、LSI(Large-scale Integrated Circuit)等のデバイスを形成する。   In the manufacturing process of a device chip used for an electronic device such as a mobile phone or a personal computer, first, a plurality of intersecting division lines (streets) are set on the surface of a wafer made of a material such as a semiconductor. Then, devices such as an IC (Integrated Circuit) and an LSI (Large-scale Integrated Circuit) are formed in each region partitioned by the planned division lines.

その後、開口を有する環状のフレームに該開口を塞ぐように貼られたダイシングテープと呼ばれる粘着テープを該ウェーハの裏面に貼着し、ウェーハと、粘着テープと、環状のフレームと、が一体となったフレームユニットを形成する。そして、フレームユニットに含まれるウェーハを該分割予定ラインに沿って加工して分割すると、個々のデバイスチップが形成される。   Thereafter, an adhesive tape called a dicing tape attached to an annular frame having an opening is attached to the back surface of the wafer, and the wafer, the adhesive tape, and the annular frame are integrated. Forming a frame unit. Then, when the wafer included in the frame unit is processed and divided along the planned dividing lines, individual device chips are formed.

ウェーハの分割には、例えば、切削装置が使用される。切削装置は、粘着テープを介してウェーハを保持するチャックテーブル、ウェーハを切削する切削ユニット等を備える。切削ユニットは、円環状の砥石部を備える切削ブレードと、該切削ブレードの中央の貫通孔に突き通され切削ブレードを回転させるスピンドルと、を備える。   For example, a cutting device is used for dividing the wafer. The cutting apparatus includes a chuck table that holds a wafer via an adhesive tape, a cutting unit that cuts the wafer, and the like. The cutting unit includes a cutting blade having an annular grindstone portion, and a spindle that is pierced through a central through hole of the cutting blade and rotates the cutting blade.

ウェーハを切削する際には、チャックテーブルの上にフレームユニットを載せ、粘着テープを介してチャックテーブルにウェーハを保持させ、スピンドルを回転させることで切削ブレードを回転させ、切削ユニットを所定の高さ位置に下降させる。そして、チャックテーブルと、切削ユニットと、をチャックテーブルの上面に平行な方向に沿って相対移動させ分割予定ラインに沿って切削ブレードにウェーハを切削させる。すると、ウェーハが分割される。   When cutting a wafer, the frame unit is placed on the chuck table, the wafer is held on the chuck table via an adhesive tape, the cutting blade is rotated by rotating the spindle, and the cutting unit is moved to a predetermined height. Lower to position. Then, the chuck table and the cutting unit are relatively moved along the direction parallel to the upper surface of the chuck table, and the wafer is cut by the cutting blade along the scheduled division line. Then, the wafer is divided.

その後、切削装置からフレームユニットを搬出し、粘着テープに紫外線を照射する等の処理を施して粘着テープの粘着力を低下させ、デバイスチップをピックアップする。デバイスチップの生産効率が高い加工装置として、ウェーハの分割と、粘着テープへの紫外線の照射と、を一つの装置で連続して実施できる切削装置が知られている(特許文献1参照)。粘着テープ上からピックアップされたデバイスチップは、所定の配線基板等に実装される。   Thereafter, the frame unit is taken out from the cutting device, and the adhesive tape is subjected to a process such as irradiating ultraviolet rays to reduce the adhesive force of the adhesive tape, and the device chip is picked up. As a processing apparatus with high device chip production efficiency, there is known a cutting apparatus capable of continuously performing wafer division and ultraviolet irradiation on an adhesive tape with one apparatus (see Patent Document 1). The device chip picked up from the adhesive tape is mounted on a predetermined wiring board or the like.

特許第3076179号公報Japanese Patent No. 3076179

粘着テープは、基材層と、該基材層上に配設された糊層と、を含む。切削装置では、ウェーハを確実に分割するために、切削ブレードの下端がウェーハの下面よりも低い位置に達するように切削ユニットが所定の高さに位置付けられる。そのため、ウェーハを切削する切削ブレードは、粘着テープの糊層をも切削する。したがって、ウェーハの切削時には、ウェーハに由来する切削屑とともに糊層に由来する切削屑が発生する。   An adhesive tape contains a base material layer and the paste layer arrange | positioned on this base material layer. In the cutting apparatus, in order to reliably divide the wafer, the cutting unit is positioned at a predetermined height so that the lower end of the cutting blade reaches a position lower than the lower surface of the wafer. Therefore, the cutting blade for cutting the wafer also cuts the adhesive layer of the adhesive tape. Accordingly, when cutting the wafer, cutting waste derived from the glue layer is generated together with cutting waste derived from the wafer.

ウェーハの切削時にはウェーハや切削ブレードに切削液が供給されるが、切削により発生した該切削屑が該切削液に取り込まれてウェーハの表面に拡散される。ここで、糊層に由来する切削屑はデバイスの表面に再付着しやすい上、その後のウェーハの洗浄工程等で除去するのも容易ではない。そのため、糊層に由来した切削屑が付着すると、デバイスチップの品質の低下が問題となる。   When the wafer is cut, cutting fluid is supplied to the wafer and the cutting blade, but the cutting waste generated by the cutting is taken into the cutting fluid and diffused on the surface of the wafer. Here, the cutting waste derived from the glue layer is easily reattached to the surface of the device, and it is not easy to remove in a subsequent wafer cleaning process or the like. Therefore, when the cutting waste derived from the glue layer adheres, the deterioration of the quality of the device chip becomes a problem.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、切削屑がデバイスの表面に付着しにくく、デバイスチップの品質の低下が抑制されたウェーハの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method in which cutting scraps are less likely to adhere to the surface of the device and deterioration in the quality of the device chip is suppressed. That is.

本発明の一態様によれば、複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハを収容する開口を有するフレームの該開口内にウェーハを位置付け、該ウェーハの裏面と該フレームの外周とにポリオレフィン系シートを配設するポリオレフィン系シート配設工程と、該ポリオレフィン系シートを加熱し押圧して該ウェーハと該フレームとを該ポリオレフィン系シートを介して一体化する一体化工程と、切削ブレードを回転可能に備えた切削装置を用いて該ウェーハを分割予定ラインに沿って切削して該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、該ポリオレフィン系シート側からエアーを吹き付けることにより個々にデバイスチップを突き上げ、該ポリオレフィン系シートから該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, a plurality of devices is a wafer processing method in which a wafer formed in each region of a surface partitioned by a division planned line is divided into individual device chips, and the wafer is accommodated. Positioning the wafer in the opening of the frame having an opening, disposing a polyolefin-based sheet on the back surface of the wafer and the outer periphery of the frame, heating and pressing the polyolefin-based sheet, The wafer and the frame are integrated through the polyolefin sheet, and the wafer is individually cut by cutting the wafer along a division line using a cutting device having a cutting blade rotatably. By dividing into device chips and by blowing air from the polyolefin sheet side Pushing up the device chip, the processing method of the wafer, comprising and a pickup step for picking up the device chip from the polyolefin sheet is provided.

また、好ましくは、該一体化工程において、一体化を実施した後、該フレームの外周からはみ出したポリオレフィン系シートを除去する。   Preferably, in the integration step, after the integration, the polyolefin sheet protruding from the outer periphery of the frame is removed.

また、好ましくは、該ピックアップ工程では、該ポリオレフィン系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げる。   Preferably, in the pickup step, the polyolefin-based sheet is expanded to widen the space between the device chips.

また、好ましくは、該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかである。   Preferably, the polyolefin-based sheet is any one of a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, and a polystyrene sheet.

さらに、好ましくは、該一体化工程において、該ポリオレフィン系シートが該ポリエチレンシートである場合に加熱温度は120℃〜140℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリプロピレンシートである場合に加熱温度は160℃〜180℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリスチレンシートである場合に加熱温度は220℃〜240℃である。   Further preferably, in the integration step, when the polyolefin-based sheet is the polyethylene sheet, the heating temperature is 120 ° C. to 140 ° C., and when the polyolefin-based sheet is the polypropylene sheet, the heating temperature is 160 When the polyolefin sheet is the polystyrene sheet, the heating temperature is 220 ° C to 240 ° C.

また、好ましくは、該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成される。   Preferably, the wafer is made of any one of Si, GaN, GaAs, and glass.

本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、フレームユニットを形成する際に、糊層を有する粘着テープを使用せず、糊層を備えないポリオレフィン系シートを用いてフレームと、ウェーハと、を一体化する。ポリオレフィン系シートを介してフレームと、ウェーハと、を一体化させる一体化工程は、加熱及び押圧により実現される。   In the wafer processing method according to one aspect of the present invention, when forming the frame unit, a pressure-sensitive adhesive tape having a glue layer is not used and a frame and a wafer are used using a polyolefin-based sheet not having a glue layer. Integrate. An integration process for integrating the frame and the wafer via the polyolefin-based sheet is realized by heating and pressing.

一体化工程を実施した後は、切削ブレードによりウェーハを切削してウェーハを個々のデバイスチップに分割し、ポリオレフィン系シート側からエアーを吹き付けることにより個々にデバイスチップを突き上げ、ポリオレフィン系シートからデバイスチップをピックアップする。ピックアップされたデバイスチップは、それぞれ、所定の実装対象に実装される。なお、ピックアップの際にエアーによりデバイスチップを突き上げると、ポリオレフィン系シートから剥離する際にデバイスチップにかかる負荷を軽減できる。   After performing the integration process, the wafer is cut with a cutting blade to divide the wafer into individual device chips, and each device chip is pushed up by blowing air from the polyolefin sheet side. To pick up. Each picked-up device chip is mounted on a predetermined mounting target. When the device chip is pushed up by air during pick-up, the load on the device chip when peeling from the polyolefin-based sheet can be reduced.

ウェーハを切削する際、ウェーハの下のポリオレフィン系シートにも切削ブレードが切り込むため、ポリオレフィン系シートに由来する切削屑が発生する。しかし、ポリオレフィン系シートは糊層を備えないため、該切削屑が切削水に取り込まれてウェーハの表面上に拡散されても該切削屑は比較的ウェーハに接着しにくい。また、ウェーハに切削屑が付着しても、その後の洗浄工程等により容易に除去される。   When the wafer is cut, the cutting blade also cuts into the polyolefin sheet under the wafer, so that cutting waste derived from the polyolefin sheet is generated. However, since the polyolefin-based sheet does not have a glue layer, even if the cutting waste is taken into the cutting water and diffused on the surface of the wafer, the cutting waste is relatively difficult to adhere to the wafer. Moreover, even if cutting waste adheres to the wafer, it is easily removed by a subsequent cleaning process or the like.

すなわち、本発明の一態様によると、熱圧着により糊層を備えないポリオレフィン系シートを用いたフレームユニットの形成が可能となり、ウェーハの切削時に粘着力の高い切削屑が発生せず、該切削屑によるデバイスチップの品質低下が抑制される。   That is, according to one aspect of the present invention, it is possible to form a frame unit using a polyolefin-based sheet that does not have a glue layer by thermocompression bonding, and no cutting waste with high adhesive strength is generated when cutting a wafer. The deterioration of the quality of the device chip due to is suppressed.

したがって、本発明の一態様によると、切削屑がデバイスの表面に付着しにくく、デバイスチップの品質の低下が抑制されたウェーハの加工方法が提供される。   Therefore, according to one aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method in which cutting scraps are less likely to adhere to the surface of a device, and degradation of device chip quality is suppressed.

ウェーハを模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows a wafer typically. チャックテーブルの保持面上にウェーハ及びフレームを位置付ける様子を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically a mode that a wafer and a frame are positioned on the holding surface of a chuck table. ポリオレフィン系シート配設工程を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically a polyolefin-type sheet | seat arrangement | positioning process. 一体化工程の一例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of an integration process typically. 図5(A)は、ポリオレフィン系シートを切断する様子を模式的に示す斜視図であり、図5(B)は、形成されたフレームユニットを模式的に示す斜視図である。FIG. 5A is a perspective view schematically showing a state in which a polyolefin-based sheet is cut, and FIG. 5B is a perspective view schematically showing the formed frame unit. 分割工程を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows a division | segmentation process typically. ピックアップ装置へのフレームユニットの搬入を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically carrying in of the frame unit to a pick-up apparatus. 図8(A)は、フレーム支持台の上に固定されたフレームユニットを模式的に示す断面図であり、図8(B)は、ピックアップ工程を模式的に示す断面図である。FIG. 8A is a cross-sectional view schematically showing the frame unit fixed on the frame support, and FIG. 8B is a cross-sectional view schematically showing the pickup process.

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係る加工方法で加工されるウェーハについて説明する。図1は、ウェーハ1を模式的に示す斜視図である。ウェーハ1は、例えば、Si(シリコン)、SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム)、GaAs(ヒ化ガリウム)、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる略円板状の基板等である。   Embodiments according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. First, a wafer processed by the processing method according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view schematically showing the wafer 1. The wafer 1 is made of, for example, a material such as Si (silicon), SiC (silicon carbide), GaN (gallium nitride), GaAs (gallium arsenide), or another semiconductor, or a material such as sapphire, glass, or quartz. A substantially disk-shaped substrate.

ウェーハ1の表面1aは格子状に配列された複数の分割予定ライン3で区画される。また、ウェーハ1の表面1aの分割予定ライン3で区画された各領域にはIC(Integrated Circuit)やLED(Light Emitting Diode)等のデバイス5が形成される。本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では、ウェーハ1を分割予定ライン3に沿って切削して分割することで、個々のデバイスチップを形成する。   The surface 1a of the wafer 1 is partitioned by a plurality of division lines 3 arranged in a lattice pattern. In addition, a device 5 such as an IC (Integrated Circuit) or an LED (Light Emitting Diode) is formed in each region partitioned by the division lines 3 on the surface 1a of the wafer 1. In the processing method of the wafer 1 according to the present embodiment, individual device chips are formed by cutting the wafer 1 along the division line 3 and dividing it.

ウェーハ1は、切削装置で切削される。ウェーハ1を該切削装置に搬入する前に、ウェーハ1と、ポリオレフィン系シートと、フレームと、が一体化され、フレームユニットが形成される。ウェーハ1は、フレームユニットの状態で切削装置に搬入され、切削される。形成された個々のデバイスチップはポリオレフィン系シートに支持される。その後、ポリオレフィン系シートを拡張することでデバイスチップ間の間隔を広げ、ピックアップ装置によりデバイスチップをピックアップする。   The wafer 1 is cut by a cutting device. Before the wafer 1 is carried into the cutting device, the wafer 1, the polyolefin-based sheet, and the frame are integrated to form a frame unit. The wafer 1 is carried into a cutting device in the state of a frame unit and cut. Each formed device chip is supported by a polyolefin-based sheet. Thereafter, the space between the device chips is expanded by expanding the polyolefin-based sheet, and the device chips are picked up by the pickup device.

環状のフレーム7(図2等参照)は、例えば、金属等の材料で形成され、ウェーハ1の径よりも大きい径の開口7aを備える。フレームユニットを形成する際は、ウェーハ1は、フレーム7の開口7a内に位置付けられ、開口7aに収容される。   The annular frame 7 (see FIG. 2 and the like) is formed of a material such as metal, for example, and includes an opening 7 a having a diameter larger than the diameter of the wafer 1. When forming the frame unit, the wafer 1 is positioned in the opening 7a of the frame 7 and accommodated in the opening 7a.

ポリオレフィン系シート9(図3等参照)は、柔軟性を有する樹脂系シートであり、表裏面が平坦である。そして、フレーム7の外径よりも大きい径を有し、糊層を備えない。ポリオレフィン系シート9は、アルケンをモノマーとして合成されるポリマーのシートであり、例えば、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、または、ポリスチレンシート等の可視光に対して透明または半透明なシートである。ただし、ポリオレフィン系シート9はこれに限定されず、不透明でもよい。   The polyolefin-based sheet 9 (see FIG. 3 etc.) is a resin-based sheet having flexibility, and the front and back surfaces are flat. And it has a diameter larger than the outer diameter of the frame 7, and does not have a glue layer. The polyolefin-based sheet 9 is a polymer sheet synthesized using an alkene as a monomer, and is, for example, a sheet transparent or translucent to visible light, such as a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, or a polystyrene sheet. However, the polyolefin sheet 9 is not limited to this, and may be opaque.

ポリオレフィン系シート9は、粘着性を備えないため室温ではウェーハ1及びフレーム7に貼着できない。しかしながら、ポリオレフィン系シート9は熱可塑性を有するため、所定の圧力を印加し押圧しながらウェーハ1及びフレーム7と接合させた状態で融点近傍の温度まで加熱すると、部分的に溶融してウェーハ1及びフレーム7に接着できる。そこで、本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では以上のような加熱及び押圧により、ウェーハ1と、フレーム7と、ポリオレフィン系シート9と、を一体化してフレームユニットを形成する。   Since the polyolefin sheet 9 does not have adhesiveness, it cannot be attached to the wafer 1 and the frame 7 at room temperature. However, since the polyolefin-based sheet 9 has thermoplasticity, when heated to a temperature near the melting point in a state of being bonded to the wafer 1 and the frame 7 while applying and pressing a predetermined pressure, the polyolefin sheet 9 is partially melted and the wafer 1 and Can be adhered to the frame 7. Therefore, in the processing method of the wafer 1 according to the present embodiment, the wafer 1, the frame 7, and the polyolefin-based sheet 9 are integrated to form a frame unit by heating and pressing as described above.

次に、本実施形態に係るウェーハ1の加工方法の各工程について説明する。まず、ウェーハ1と、ポリオレフィン系シート9と、フレーム7と、を一体化させる準備のために、ポリオレフィン系シート配設工程を実施する。図2は、チャックテーブル2の保持面2a上にウェーハ1及びフレーム7を位置付ける様子を模式的に示す斜視図である。図2に示す通り、ポリオレフィン系シート配設工程は、上部に保持面2aを備えるチャックテーブル2上で実施される。   Next, each process of the processing method of the wafer 1 which concerns on this embodiment is demonstrated. First, in order to prepare for integrating the wafer 1, the polyolefin-based sheet 9, and the frame 7, a polyolefin-based sheet disposing step is performed. FIG. 2 is a perspective view schematically showing how the wafer 1 and the frame 7 are positioned on the holding surface 2 a of the chuck table 2. As shown in FIG. 2, the polyolefin-based sheet disposing step is performed on the chuck table 2 having the holding surface 2a on the top.

チャックテーブル2は、上部中央にフレーム7の外径よりも大きな径の多孔質部材を備える。該多孔質部材の上面は、チャックテーブル2の保持面2aとなる。チャックテーブル2は、図3に示す如く一端が該多孔質部材に通じた排気路を内部に有し、該排気路の他端側には吸引源2bが配設される。排気路には、連通状態と、切断状態と、を切り替える切り替え部2cが配設され、切り替え部2cが連通状態であると保持面2aに置かれた被保持物に吸引源2bにより生じた負圧が作用し、被保持物がチャックテーブル2に吸引保持される。   The chuck table 2 includes a porous member having a diameter larger than the outer diameter of the frame 7 in the upper center. The upper surface of the porous member becomes the holding surface 2 a of the chuck table 2. As shown in FIG. 3, the chuck table 2 has an exhaust passage having one end communicating with the porous member, and a suction source 2b is disposed on the other end side of the exhaust passage. The exhaust path is provided with a switching unit 2c that switches between a communication state and a disconnected state. When the switching unit 2c is in a communication state, negative pressure generated by the suction source 2b on an object to be held placed on the holding surface 2a. The pressure acts, and the object to be held is sucked and held on the chuck table 2.

ポリオレフィン系シート配設工程では、まず、図2に示す通り、チャックテーブル2の保持面2a上にウェーハ1と、フレーム7と、を載せる。この際、ウェーハ1の表面1a側を下方に向け、フレーム7の開口7a内にウェーハ1を位置付ける。次に、ウェーハ1の裏面1bと、フレーム7の外周と、にポリオレフィン系シート9を配設する。図3は、ポリオレフィン系シート配設工程を模式的に示す斜視図である。図3に示す通り、ウェーハ1と、フレーム7と、を覆うように両者の上にポリオレフィン系シート9を配設する。   In the polyolefin-based sheet arranging step, first, as shown in FIG. 2, the wafer 1 and the frame 7 are placed on the holding surface 2 a of the chuck table 2. At this time, the wafer 1 is positioned in the opening 7 a of the frame 7 with the surface 1 a side of the wafer 1 facing downward. Next, the polyolefin sheet 9 is disposed on the back surface 1 b of the wafer 1 and the outer periphery of the frame 7. FIG. 3 is a perspective view schematically showing a polyolefin-based sheet disposing step. As shown in FIG. 3, a polyolefin-based sheet 9 is disposed on both the wafer 1 and the frame 7 so as to cover them.

なお、ポリオレフィン系シート配設工程では、チャックテーブル2の保持面2aよりも大きな径のポリオレフィン系シート9が使用される。後に実施される一体化工程でチャックテーブル2による負圧をポリオレフィン系シート9に作用させる際に、保持面2aの全体がポリオレフィン系シート9により覆われていなければ、負圧が隙間から漏れてしまい、ポリオレフィン系シート9に適切に圧力を印加できないためである。   In the polyolefin sheet disposing step, a polyolefin sheet 9 having a diameter larger than the holding surface 2a of the chuck table 2 is used. When a negative pressure by the chuck table 2 is applied to the polyolefin-based sheet 9 in an integration process performed later, if the entire holding surface 2a is not covered with the polyolefin-based sheet 9, the negative pressure leaks from the gap. This is because the pressure cannot be properly applied to the polyolefin sheet 9.

本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では、次に、ポリオレフィン系シート9を加熱し押圧してウェーハ1と該フレーム7とを該ポリオレフィン系シート9を介して一体化する一体化工程を実施する。図4は、一体化工程の一例を模式的に示す斜視図である。図4では、可視光に対して透明または半透明であるポリオレフィン系シート9を通して視認できるものを破線で示す。   In the processing method of the wafer 1 according to the present embodiment, next, an integration process is performed in which the polyolefin sheet 9 is heated and pressed to integrate the wafer 1 and the frame 7 via the polyolefin sheet 9. . FIG. 4 is a perspective view schematically showing an example of the integration process. In FIG. 4, what can be visually recognized through the polyolefin-type sheet | seat 9 which is transparent or semi-transparent with respect to visible light is shown with a broken line.

一体化工程では、まず、チャックテーブル2の切り替え部2cを作動させて連通状態とし吸引源2bをチャックテーブル2の上部の多孔質部材に接続し、吸引源2bによる負圧をポリオレフィン系シート9に作用させる。すると、大気圧によりポリオレフィン系シート9がウェーハ1及びフレーム7に対して密着する。   In the integration step, first, the switching portion 2c of the chuck table 2 is operated to establish a communication state, the suction source 2b is connected to the porous member on the upper side of the chuck table 2, and the negative pressure by the suction source 2b is applied to the polyolefin sheet 9. Make it work. Then, the polyolefin-based sheet 9 comes into close contact with the wafer 1 and the frame 7 due to atmospheric pressure.

次に、ポリオレフィン系シート9を加熱しさらに押圧して、熱圧着を実施する。ポリオレフィン系シート9の加熱及び押圧は、図4に示す通り、内部に熱源を備えるヒートローラー4を使用して実施される。   Next, the polyolefin sheet 9 is heated and further pressed to perform thermocompression bonding. The heating and pressing of the polyolefin-based sheet 9 are performed using a heat roller 4 having a heat source therein as shown in FIG.

ヒートローラー4を所定の温度に加熱して、チャックテーブル2の保持面2aの一端に該ヒートローラー4を載せる。そして、ヒートローラー4を回転させ、該一端から他端にまでチャックテーブル2上でヒートローラー4を転がす。すると、ポリオレフィン系シート9がウェーハ1及びフレーム7に熱圧着される。この際、ヒートローラー4によりポリオレフィン系シート9を押し下げる方向に力を印加し、大気圧より大きい圧力で熱圧着を実施する。尚、ヒートローラー4の表面をフッ素樹脂で被覆することが好ましい。   The heat roller 4 is heated to a predetermined temperature, and the heat roller 4 is placed on one end of the holding surface 2 a of the chuck table 2. Then, the heat roller 4 is rotated, and the heat roller 4 is rolled on the chuck table 2 from the one end to the other end. Then, the polyolefin sheet 9 is thermocompression bonded to the wafer 1 and the frame 7. At this time, a force is applied in a direction in which the polyolefin sheet 9 is pushed down by the heat roller 4, and thermocompression bonding is performed at a pressure larger than atmospheric pressure. In addition, it is preferable to coat the surface of the heat roller 4 with a fluororesin.

また、内部に熱源を備え、平たい底板を有するアイロン状の押圧部材をヒートローラー4に代えて使用してポリオレフィン系シート9の加熱及び押圧を実施してもよい。この場合、該押圧部材を所定の温度に加熱して熱板とし、チャックテーブル2に保持されたポリオレフィン系シート9を該押圧部材で上方から押圧する。   Further, the polyolefin sheet 9 may be heated and pressed using an iron-like pressing member having a heat source inside and having a flat bottom plate instead of the heat roller 4. In this case, the pressing member is heated to a predetermined temperature to form a hot plate, and the polyolefin sheet 9 held on the chuck table 2 is pressed from above by the pressing member.

ポリオレフィン系シート9を熱圧着した後は、切り替え部2cを作動させてチャックテーブル2の多孔質部材を吸引源2bから切り離し、チャックテーブル2による吸着を解除する。   After thermocompression bonding of the polyolefin-based sheet 9, the switching portion 2c is operated to disconnect the porous member of the chuck table 2 from the suction source 2b, and the suction by the chuck table 2 is released.

次に、フレーム7の外周からはみ出したポリオレフィン系シート9を切断して除去する。図5(A)は、ポリオレフィン系シート9を切断する様子を模式的に示す斜視図である。切断には、図5(A)に示す通り、円環状のカッター6が使用される。該カッター6は、貫通孔を備え、該貫通孔に突き通された回転軸の回りに回転可能である。   Next, the polyolefin sheet 9 protruding from the outer periphery of the frame 7 is cut and removed. FIG. 5A is a perspective view schematically showing a state in which the polyolefin-based sheet 9 is cut. For cutting, an annular cutter 6 is used as shown in FIG. The cutter 6 includes a through hole and is rotatable around a rotation shaft that is pierced through the through hole.

まず、円環状のカッター6をフレーム7の上方に位置付ける。このとき、カッター6の回転軸をチャックテーブル2の径方向に合わせる。次に、カッター6を下降させてフレーム7と、カッター6と、でポリオレフィン系シート9を挟み込み、ポリオレフィン系シート9を切断する。すると、ポリオレフィン系シート9に切断痕9aが形成される。   First, the annular cutter 6 is positioned above the frame 7. At this time, the rotation axis of the cutter 6 is aligned with the radial direction of the chuck table 2. Next, the cutter 6 is lowered, the polyolefin sheet 9 is sandwiched between the frame 7 and the cutter 6, and the polyolefin sheet 9 is cut. As a result, cut marks 9 a are formed in the polyolefin-based sheet 9.

さらに、カッター6をフレーム7に沿ってフレーム7の開口7aの周りを一周させ、切断痕9aによりポリオレフィン系シート9の所定の領域を囲む。そして、ポリオレフィン系シート9の該領域を残すように切断痕9aの外周側の領域のポリオレフィン系シート9を除去する。すると、フレーム7の外周からはみ出した領域を含めポリオレフィン系シート9の不要な部分を除去できる。   Further, the cutter 6 makes a round around the opening 7a of the frame 7 along the frame 7, and a predetermined region of the polyolefin-based sheet 9 is surrounded by the cut mark 9a. And the polyolefin-type sheet 9 of the area | region of the outer peripheral side of the cutting trace 9a is removed so that this area | region of the polyolefin-type sheet 9 may be left. Then, the unnecessary part of the polyolefin-type sheet | seat 9 including the area | region which protruded from the outer periphery of the flame | frame 7 can be removed.

なお、ポリオレフィン系シートの切断には超音波カッターを使用してもよく、上述の円環状のカッター6を超音波帯の周波数で振動させる振動源を該カッター6に接続してもよい。また、ポリオレフィン系シート9を切断する際は、切断を容易にするために該ポリオレフィン系シート9を冷却して硬化させてもよい。以上により、ウェーハ1とフレーム7とがポリオレフィン系シート9を介して一体化されたフレームユニット11が形成される。図5(B)は、形成されたフレームユニット11を模式的に示す斜視図である。   An ultrasonic cutter may be used for cutting the polyolefin-based sheet, and a vibration source that vibrates the above-described annular cutter 6 at a frequency of an ultrasonic band may be connected to the cutter 6. Further, when the polyolefin sheet 9 is cut, the polyolefin sheet 9 may be cooled and cured in order to facilitate cutting. Thus, the frame unit 11 in which the wafer 1 and the frame 7 are integrated with each other via the polyolefin-based sheet 9 is formed. FIG. 5B is a perspective view schematically showing the formed frame unit 11.

なお、一体化工程を実施する際にポリオレフィン系シート9は、好ましくは、その融点以下の温度に加熱される。加熱温度が融点を超えると、ポリオレフィン系シート9が溶解してシートの形状を維持できなくなる場合があるためである。また、ポリオレフィン系シート9は、好ましくは、その軟化点以上の温度に加熱される。加熱温度が軟化点に達していなければ一体化工程を適切に実施できないためである。すなわち、ポリオレフィン系シート9は、その軟化点以上でかつその融点以下の温度に加熱されるのが好ましい。   In addition, when implementing an integration process, the polyolefin-type sheet | seat 9 is preferably heated to the temperature below the melting | fusing point. This is because if the heating temperature exceeds the melting point, the polyolefin sheet 9 may be dissolved and the sheet shape may not be maintained. The polyolefin-based sheet 9 is preferably heated to a temperature equal to or higher than its softening point. This is because the integration process cannot be performed properly unless the heating temperature reaches the softening point. That is, the polyolefin sheet 9 is preferably heated to a temperature not lower than its softening point and not higher than its melting point.

さらに、一部のポリオレフィン系シート9は、明確な軟化点を有しない場合もある。そこで、一体化工程を実施する際にポリオレフィン系シート9は、好ましくは、その融点よりも20℃低い温度以上でかつその融点以下の温度に加熱される。   Furthermore, some polyolefin-based sheets 9 may not have a clear softening point. Therefore, when performing the integration step, the polyolefin-based sheet 9 is preferably heated to a temperature that is 20 ° C. lower than its melting point and lower than its melting point.

また、例えば、ポリオレフィン系シート9がポリエチレンシートである場合、加熱温度は120℃〜140℃とされる。また、該ポリオレフィン系シート9がポリプロピレンシートである場合、加熱温度は160℃〜180℃とされる。さらに、ポリオレフィン系シート9がポリスチレンシートである場合、加熱温度は220℃〜240℃とされる。   For example, when the polyolefin-type sheet | seat 9 is a polyethylene sheet, heating temperature shall be 120 to 140 degreeC. Moreover, when this polyolefin-type sheet | seat 9 is a polypropylene sheet, heating temperature shall be 160 to 180 degreeC. Furthermore, when the polyolefin-type sheet | seat 9 is a polystyrene sheet, heating temperature shall be 220 to 240 degreeC.

ここで、加熱温度とは、一体化工程を実施する際のポリオレフィン系シート9の温度をいう。例えば、ヒートローラー4等の熱源では出力温度を設定できる機種が実用に供されているが、該熱源を使用してポリオレフィン系シート9を加熱しても、ポリオレフィン系シート9の温度が設定された該出力温度にまで達しない場合もある。そこで、ポリオレフィン系シート9を所定の温度に加熱するために、熱源の出力温度をポリオレフィン系シート9の融点よりも高く設定してもよい。   Here, the heating temperature refers to the temperature of the polyolefin-based sheet 9 when performing the integration step. For example, a heat source such as the heat roller 4 is available for a model that can set the output temperature, but even when the polyolefin sheet 9 is heated using the heat source, the temperature of the polyolefin sheet 9 is set. The output temperature may not be reached. Therefore, the output temperature of the heat source may be set higher than the melting point of the polyolefin sheet 9 in order to heat the polyolefin sheet 9 to a predetermined temperature.

次に、本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では、フレームユニット11の状態となったウェーハ1を切削ブレードで切削して分割する分割工程を実施する。分割工程は、例えば、図6に示す切削装置で実施される。図6は、分割工程を模式的に示す斜視図である。   Next, in the processing method of the wafer 1 according to the present embodiment, a dividing step is performed in which the wafer 1 in the state of the frame unit 11 is cut by a cutting blade and divided. The dividing step is performed, for example, with a cutting apparatus shown in FIG. FIG. 6 is a perspective view schematically showing the dividing step.

切削装置8は、被加工物を切削する切削ユニット10と、被加工物を保持するチャックテーブル(不図示)と、を備える。切削ユニット10は、円環状の砥石部を備える切削ブレード14と、該切削ブレード14の中央の貫通孔に先端側が突き通され切削ブレード14を回転させるスピンドル(不図示)と、を備える。切削ブレード14は、例えば、中央に該貫通孔を備える環状基台と、該環状基台の外周部に配設された環状の砥石部と、を備える。   The cutting device 8 includes a cutting unit 10 that cuts a workpiece and a chuck table (not shown) that holds the workpiece. The cutting unit 10 includes a cutting blade 14 having an annular grindstone, and a spindle (not shown) that rotates the cutting blade 14 with its distal end passing through a central through-hole of the cutting blade 14. The cutting blade 14 includes, for example, an annular base having the through hole at the center, and an annular grindstone portion disposed on the outer peripheral portion of the annular base.

該スピンドルの基端側は、スピンドルハウジング12の内部に収容されたスピンドルモータ(不図示)に接続されており、スピンドルモータを作動させると切削ブレード14を回転できる。   The base end side of the spindle is connected to a spindle motor (not shown) housed in the spindle housing 12, and the cutting blade 14 can be rotated by operating the spindle motor.

切削ブレード14により被加工物を切削すると、切削ブレード14と、被加工物と、の摩擦により熱が発生する。また、被加工物が切削されると被加工物から切削屑が発生する。そこで、切削により生じた熱及び切削屑を除去するため、被加工物を切削する間、切削ブレード14及び被加工物に純水等の切削水が供給される。切削ユニット10は、例えば、切削ブレード14等に切削水を供給する切削水供給ノズル16を切削ブレード14の側方に備える。   When the workpiece is cut by the cutting blade 14, heat is generated by friction between the cutting blade 14 and the workpiece. Further, when the workpiece is cut, cutting waste is generated from the workpiece. Therefore, in order to remove the heat and cutting waste generated by the cutting, cutting water such as pure water is supplied to the cutting blade 14 and the workpiece while cutting the workpiece. The cutting unit 10 includes, for example, a cutting water supply nozzle 16 that supplies cutting water to the cutting blade 14 or the like on the side of the cutting blade 14.

ウェーハ1を切削する際には、チャックテーブルの上にフレームユニット11を載せ、ポリオレフィン系シート9を介してチャックテーブルにウェーハ1を保持させる。そして、チャックテーブルを回転させウェーハ1の分割予定ライン3を切削装置8の加工送り方向に合わせる。また、分割予定ライン3の延長線の上方に切削ブレード14が配設されるように、チャックテーブル及び切削ユニット10の相対位置を調整する。   When cutting the wafer 1, the frame unit 11 is placed on the chuck table, and the wafer 1 is held on the chuck table via the polyolefin-based sheet 9. Then, the chuck table is rotated to align the division line 3 of the wafer 1 with the processing feed direction of the cutting device 8. Further, the relative positions of the chuck table and the cutting unit 10 are adjusted so that the cutting blade 14 is disposed above the extension line of the planned division line 3.

次に、スピンドルを回転させることで切削ブレード14を回転させる。そして、切削ユニット10を所定の高さ位置に下降させ、チャックテーブルと、切削ユニット10と、をチャックテーブルの上面に平行な方向に沿って相対移動させる。すると、回転する切削ブレード14の砥石部がウェーハ1に接触しウェーハ1が切削され、分割予定ライン3に沿った切削痕3aがウェーハ1及びポリオレフィン系シート9に形成される。   Next, the cutting blade 14 is rotated by rotating the spindle. Then, the cutting unit 10 is lowered to a predetermined height position, and the chuck table and the cutting unit 10 are relatively moved along a direction parallel to the upper surface of the chuck table. Then, the grindstone portion of the rotating cutting blade 14 comes into contact with the wafer 1 and the wafer 1 is cut, and a cutting mark 3 a along the scheduled division line 3 is formed on the wafer 1 and the polyolefin-based sheet 9.

一つの分割予定ライン3に沿って切削を実施した後、チャックテーブル及び切削ユニット10を加工送り方向とは垂直な割り出し送り方向に移動させ、他の分割予定ライン3に沿って同様にウェーハ1の切削を実施する。一つの方向に沿った全ての分割予定ライン3に沿って切削を実施した後、チャックテーブルを保持面に垂直な軸の回りに回転させ、同様に他の方向に沿った分割予定ライン3に沿ってウェーハ1を切削する。ウェーハ1のすべての分割予定ライン3に沿ってウェーハ1を切削すると、分割ステップが完了する。   After cutting along one scheduled division line 3, the chuck table and the cutting unit 10 are moved in an indexing feed direction perpendicular to the machining feed direction, and the wafer 1 is similarly cut along the other scheduled division line 3. Perform cutting. After cutting along all the division lines 3 along one direction, the chuck table is rotated around an axis perpendicular to the holding surface, and along the division lines 3 along the other direction as well. Then, the wafer 1 is cut. When the wafer 1 is cut along all the planned dividing lines 3 of the wafer 1, the dividing step is completed.

切削装置8は、切削ユニット10の近傍に洗浄ユニット(不図示)を備えてもよい。切削ユニット10により切削されたウェーハ1は、該洗浄ユニットに搬送され、該洗浄ユニットにより洗浄されてもよい。例えば、洗浄ユニットはフレームユニット11を保持する洗浄テーブルと、フレームユニット11の上方を往復移動できる洗浄水供給ノズルと、を備える。   The cutting device 8 may include a cleaning unit (not shown) in the vicinity of the cutting unit 10. The wafer 1 cut by the cutting unit 10 may be transferred to the cleaning unit and cleaned by the cleaning unit. For example, the cleaning unit includes a cleaning table that holds the frame unit 11 and a cleaning water supply nozzle that can reciprocate above the frame unit 11.

洗浄テーブルを保持面に垂直な軸の回りに回転させ、洗浄水供給ノズルから純水等の洗浄液をウェーハ1に供給しながら、洗浄水供給ノズルを該保持面の中央の上方を通る経路で往復移動させると、ウェーハ1の表面1a側を洗浄できる。   The cleaning table is rotated around an axis perpendicular to the holding surface, and a cleaning liquid such as pure water is supplied from the cleaning water supply nozzle to the wafer 1, and the cleaning water supply nozzle is reciprocated along a path passing above the center of the holding surface. When moved, the surface 1a side of the wafer 1 can be cleaned.

分割ステップを実施すると、ウェーハ1は個々のデバイスチップに分割される。形成されたデバイスチップは、ポリオレフィン系シート9に支持される。ウェーハ1を切削する際は、ウェーハ1を確実に分割するために、切削ブレード14の下端の高さ位置がウェーハ1の裏面1bよりも低い高さ位置となるように切削ユニット10が所定の高さに位置付けられる。そのため、ウェーハ1を切削すると、ポリオレフィン系シート9も切削され、ポリオレフィン系シート9に由来する切削屑が発生する。   When the dividing step is performed, the wafer 1 is divided into individual device chips. The formed device chip is supported by the polyolefin-based sheet 9. When cutting the wafer 1, in order to divide the wafer 1 reliably, the cutting unit 10 is set to a predetermined height so that the height position of the lower end of the cutting blade 14 is lower than the back surface 1b of the wafer 1. Positioned. Therefore, when the wafer 1 is cut, the polyolefin sheet 9 is also cut, and cutting waste derived from the polyolefin sheet 9 is generated.

フレームユニット11にポリオレフィン系シート9ではなく粘着テープを使用する場合、粘着テープの糊層に由来する切削屑が発生する。この場合、切削水供給ノズル16から噴射される切削水に該切削屑が取り込まれ、ウェーハ1の表面1a上に拡散される。糊層に由来する切削屑はデバイス5の表面に再付着しやすい上、切削後に実施されるウェーハ1の洗浄工程等で除去するのも容易ではない。糊層に由来した切削屑が付着すると、形成されるデバイスチップの品質の低下が問題となる。   When an adhesive tape is used instead of the polyolefin-based sheet 9 for the frame unit 11, cutting waste derived from the adhesive layer of the adhesive tape is generated. In this case, the cutting waste is taken into the cutting water sprayed from the cutting water supply nozzle 16 and diffused on the surface 1 a of the wafer 1. The cutting waste derived from the glue layer easily adheres to the surface of the device 5 and is not easy to remove in a cleaning step of the wafer 1 performed after cutting. When the cutting waste derived from the glue layer adheres, the quality of the device chip to be formed becomes a problem.

これに対して、本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では、フレームユニット11に糊層を備えた粘着テープではなく、糊層を備えないポリオレフィン系シート9を使用する。ポリオレフィン系シート9に由来する切削屑が発生し、切削水に取り込まれてウェーハの表面上に拡散されても、該切削屑は比較的ウェーハ1に接着しにくい。また、ウェーハ1に切削屑が付着しても、その後の洗浄工程等により容易に除去される。したがって、該切削屑によるデバイスチップの品質低下が抑制される。   On the other hand, in the processing method of the wafer 1 according to the present embodiment, not the pressure-sensitive adhesive tape having the glue layer on the frame unit 11 but the polyolefin-based sheet 9 having no glue layer is used. Even if cutting waste derived from the polyolefin-based sheet 9 is generated, taken into cutting water and diffused on the surface of the wafer, the cutting waste is relatively difficult to adhere to the wafer 1. Further, even if cutting waste adheres to the wafer 1, it is easily removed by a subsequent cleaning process or the like. Therefore, the quality degradation of the device chip due to the cutting waste is suppressed.

本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では、次に、ポリオレフィン系シート9から個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程を実施する。ピックアップ工程では、図7下部に示すピックアップ装置18を使用する。図7は、ピックアップ装置18へのフレームユニット11の搬入を模式的に示す斜視図である。   In the processing method of the wafer 1 according to the present embodiment, next, a pickup process for picking up each device chip from the polyolefin-based sheet 9 is performed. In the pickup process, a pickup device 18 shown in the lower part of FIG. 7 is used. FIG. 7 is a perspective view schematically showing the loading of the frame unit 11 into the pickup device 18.

ピックアップ装置18は、ウェーハ1の径よりも大きい径を有する円筒状のドラム20と、フレーム支持台26を含むフレーム保持ユニット22と、を備える。フレーム保持ユニット22のフレーム支持台26は、該ドラム20の径よりも大きい径の開口を備え、該ドラム20の上端部と同様の高さに配設され、該ドラム20の上端部を外周側から囲む。   The pickup device 18 includes a cylindrical drum 20 having a diameter larger than the diameter of the wafer 1 and a frame holding unit 22 including a frame support 26. The frame support 26 of the frame holding unit 22 has an opening having a diameter larger than the diameter of the drum 20 and is disposed at the same height as the upper end of the drum 20. Enclose from.

フレーム支持台26の外周側には、クランプ24が配設される。フレーム支持台26の上にフレームユニット11を載せ、クランプ24によりフレームユニット11のフレーム7を把持させると、フレームユニット11がフレーム支持台26に固定される。   A clamp 24 is disposed on the outer peripheral side of the frame support 26. When the frame unit 11 is placed on the frame support 26 and the frame 7 of the frame unit 11 is held by the clamp 24, the frame unit 11 is fixed to the frame support 26.

フレーム支持台26は、鉛直方向に沿って伸長する複数のロッド28により支持され、各ロッド28の下端部には、該ロッド28を昇降させるエアシリンダ30が配設される。複数のエアシリンダ30は、円板状のベース32に支持される。各エアシリンダ30を作動させると、フレーム支持台26がドラム20に対して引き下げられる。   The frame support 26 is supported by a plurality of rods 28 that extend in the vertical direction, and an air cylinder 30 that raises and lowers the rods 28 is disposed at the lower end of each rod 28. The plurality of air cylinders 30 are supported by a disk-shaped base 32. When each air cylinder 30 is operated, the frame support 26 is pulled down with respect to the drum 20.

ドラム20の内部には、ポリオレフィン系シート9に支持されたデバイスチップを下方から突き上げる突き上げ機構34が配設される。突き上げ機構34は、上方に向けてエアー34aを吹き出す機能を有する。また、ドラム20の上方には、デバイスチップを吸引保持できるコレット36(図8(B)参照)が配設される。突き上げ機構34及びコレット36は、フレーム支持台26の上面に沿った水平方向に移動可能である。また、コレット36は、切り替え部36b(図8(B)参照)を介して吸引源36a(図8(B)参照)に接続される。   Inside the drum 20, a push-up mechanism 34 that pushes up the device chip supported by the polyolefin-based sheet 9 from below is disposed. The push-up mechanism 34 has a function of blowing air 34a upward. Further, a collet 36 (see FIG. 8B) capable of sucking and holding the device chip is disposed above the drum 20. The push-up mechanism 34 and the collet 36 are movable in the horizontal direction along the upper surface of the frame support 26. The collet 36 is connected to the suction source 36a (see FIG. 8B) via the switching unit 36b (see FIG. 8B).

ピックアップ工程では、まず、ピックアップ装置18のドラム20の上端の高さと、フレーム支持台26の上面の高さと、が一致するように、エアシリンダ30を作動させてフレーム支持台26の高さを調節する。次に、切削装置8から搬出されたフレームユニット11をピックアップ装置18のドラム20及びフレーム支持台26の上に載せる。   In the pickup process, first, the air cylinder 30 is operated to adjust the height of the frame support 26 so that the height of the upper end of the drum 20 of the pickup device 18 matches the height of the upper surface of the frame support 26. To do. Next, the frame unit 11 carried out from the cutting device 8 is placed on the drum 20 and the frame support 26 of the pickup device 18.

その後、クランプ24によりフレーム支持台26の上にフレームユニット11のフレーム7を固定する。図8(A)は、フレーム支持台26の上に固定されたフレームユニット11を模式的に示す断面図である。ウェーハ1には、分割ステップにより切削痕3aが形成され分割されている。   Thereafter, the frame 7 of the frame unit 11 is fixed on the frame support 26 by the clamp 24. FIG. 8A is a cross-sectional view schematically showing the frame unit 11 fixed on the frame support base 26. On the wafer 1, cutting marks 3a are formed and divided by the dividing step.

次に、エアシリンダ30を作動させてフレーム保持ユニット22のフレーム支持台26をドラム20に対して引き下げる。すると、図8(B)に示す通り、ポリオレフィン系シート9が外周方向に拡張される。図8(B)は、ピックアップ工程を模式的に示す断面図である。   Next, the air cylinder 30 is operated to lower the frame support 26 of the frame holding unit 22 with respect to the drum 20. Then, as shown in FIG. 8B, the polyolefin-based sheet 9 is expanded in the outer peripheral direction. FIG. 8B is a cross-sectional view schematically showing the pickup process.

ポリオレフィン系シート9が外周方向に拡張されると、ポリオレフィン系シート9に支持された各デバイスチップ1cの間隔が広げられる。すると、デバイスチップ1c同士が接触しにくくなり、個々のデバイスチップ1cのピックアップが容易となる。そして、ピックアップの対象となるデバイスチップ1cを決め、該デバイスチップ1cの下方に突き上げ機構34を移動させ、該デバイスチップ1cの上方にコレット36を移動させる。   When the polyolefin-based sheet 9 is expanded in the outer peripheral direction, the distance between the device chips 1c supported by the polyolefin-based sheet 9 is increased. Then, it becomes difficult for the device chips 1c to come into contact with each other, and pickup of the individual device chips 1c becomes easy. Then, the device chip 1c to be picked up is determined, the push-up mechanism 34 is moved below the device chip 1c, and the collet 36 is moved above the device chip 1c.

その後、突き上げ機構34を作動させてポリオレフィン系シート9側からエアー34aを吹き付けることにより該デバイスチップ1cを突き上げる。そして、切り替え部36bを作動させてコレット36を吸引源36aに連通させる。すると、コレット36により該デバイスチップ1cが吸引保持され、デバイスチップ1cがポリオレフィン系シート9からピックアップされる。ピックアップされた個々のデバイスチップ1cは、その後、所定の配線基板等に実装されて使用される。   Thereafter, the device chip 1c is pushed up by operating the push-up mechanism 34 and blowing air 34a from the polyolefin-based sheet 9 side. And the switching part 36b is operated and the collet 36 is connected to the suction source 36a. Then, the device chip 1 c is sucked and held by the collet 36, and the device chip 1 c is picked up from the polyolefin sheet 9. The individual device chips 1c thus picked up are used after being mounted on a predetermined wiring board or the like.

なお、デバイスチップのピックアップ時に該ポリオレフィン系シート9側からデバイスチップにエアー34aを吹き付けて該デバイスチップを突き上げると、該ポリオレフィン系シート9からデバイスチップを剥離する際に該デバイスチップにかかる負荷が軽減される。   When the device chip is picked up, air 34a is blown onto the device chip from the polyolefin sheet 9 side to push up the device chip, thereby reducing the load on the device chip when the device chip is peeled off from the polyolefin sheet 9 Is done.

以上に説明する通り、本実施形態に係るウェーハの加工方法によると、粘着テープを使用することなくウェーハ1を含むフレームユニット11を形成できる。そのため、ウェーハ1を切削しても粘着テープの糊層に由来する切削屑が発生せず、該切削屑がデバイスチップ1cに付着することもない。そのため、デバイスチップ1cの品質を低下させることがない。   As described above, according to the wafer processing method of the present embodiment, the frame unit 11 including the wafer 1 can be formed without using an adhesive tape. Therefore, even if the wafer 1 is cut, cutting waste derived from the adhesive layer of the adhesive tape is not generated, and the cutting waste does not adhere to the device chip 1c. Therefore, the quality of the device chip 1c is not deteriorated.

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、ポリオレフィン系シート9が、例えば、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、または、ポリスチレンシートである場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。例えば、ポリオレフィン系シートは、他の材料が使用されてもよく、プロピレンとエチレンとのコポリマーや、オレフィン系エラストマー等でもよい。   In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the above embodiment, the case where the polyolefin-based sheet 9 is, for example, a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, or a polystyrene sheet has been described, but one aspect of the present invention is not limited thereto. For example, other materials may be used for the polyolefin-based sheet, and a copolymer of propylene and ethylene, an olefin-based elastomer, or the like may be used.

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。   In addition, the structure, method, and the like according to the above-described embodiment can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

1 ウェーハ
1a 表面
1b 裏面
3 分割予定ライン
3a 切削痕
5 デバイス
7 フレーム
7a 開口
9 ポリオレフィン系シート
9a 切断痕
11 フレームユニット
2 チャックテーブル
2a 保持面
2b,36a 吸引源
2c,36b 切り替え部
4 ヒートローラー
6 カッター
8切削装置
10 切削ユニット
12 スピンドルハウジング
14 切削ブレード
16 切削水供給ノズル
18 ピックアップ装置
20 ドラム
22 フレーム保持ユニット
24 クランプ
26 フレーム支持台
28 ロッド
30 エアシリンダ
32 ベース
34 突き上げ機構
34a エアー
36 コレット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 1a Front surface 1b Back surface 3 Scheduled division line 3a Cutting trace 5 Device 7 Frame 7a Opening 9 Polyolefin-based sheet 9a Cutting trace 11 Frame unit 2 Chuck table 2a Holding surface 2b, 36a Suction source 2c, 36b Switching part 4 Heat roller 6 Cutter 8 Cutting Device 10 Cutting Unit 12 Spindle Housing 14 Cutting Blade 16 Cutting Water Supply Nozzle 18 Pickup Device 20 Drum 22 Frame Holding Unit 24 Clamp 26 Frame Support Base 28 Rod 30 Air Cylinder 32 Base 34 Pushing Mechanism 34a Air 36 Collet

Claims (6)

複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハを収容する開口を有するフレームの該開口内にウェーハを位置付け、該ウェーハの裏面と該フレームの外周とにポリオレフィン系シートを配設するポリオレフィン系シート配設工程と、
該ポリオレフィン系シートを加熱し押圧して該ウェーハと該フレームとを該ポリオレフィン系シートを介して一体化する一体化工程と、
切削ブレードを回転可能に備えた切削装置を用いて該ウェーハを分割予定ラインに沿って切削して該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
該ポリオレフィン系シート側からエアーを吹き付けることにより個々にデバイスチップを突き上げ、該ポリオレフィン系シートから該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
A wafer processing method in which a plurality of devices divide a wafer formed in each region of a surface defined by division-scheduled lines into individual device chips,
A polyolefin-based sheet disposing step of positioning the wafer in the opening of the frame having an opening for accommodating the wafer, and disposing a polyolefin-based sheet on the back surface of the wafer and the outer periphery of the frame;
An integration step of heating and pressing the polyolefin sheet to integrate the wafer and the frame via the polyolefin sheet;
A dividing step of cutting the wafer along a predetermined dividing line by using a cutting device having a cutting blade rotatably, and dividing the wafer into individual device chips;
Picking up the device chip individually by blowing air from the polyolefin sheet side, and picking up the device chip from the polyolefin sheet;
A method for processing a wafer, comprising:
該一体化工程において、一体化を実施した後、該フレームの外周からはみ出したポリオレフィン系シートを除去することを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。   2. The wafer processing method according to claim 1, wherein in the integration step, after the integration, the polyolefin sheet protruding from the outer periphery of the frame is removed. 該ピックアップ工程では、該ポリオレフィン系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。   2. The wafer processing method according to claim 1, wherein, in the pick-up step, the polyolefin-based sheet is expanded to widen the interval between the device chips. 該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。   2. The wafer processing method according to claim 1, wherein the polyolefin sheet is any one of a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, and a polystyrene sheet. 該一体化工程において、該ポリオレフィン系シートが該ポリエチレンシートである場合に加熱温度は120℃〜140℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリプロピレンシートである場合に加熱温度は160℃〜180℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリスチレンシートである場合に加熱温度は220℃〜240℃であることを特徴とする請求項4記載のウェーハの加工方法。   In the integration step, when the polyolefin-based sheet is the polyethylene sheet, the heating temperature is 120 ° C to 140 ° C, and when the polyolefin-based sheet is the polypropylene sheet, the heating temperature is 160 ° C to 180 ° C. The method for processing a wafer according to claim 4, wherein when the polyolefin-based sheet is the polystyrene sheet, the heating temperature is 220 ° C to 240 ° C. 該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成されることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。   2. The wafer processing method according to claim 1, wherein the wafer is made of any one of Si, GaN, GaAs, and glass.
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