DE102010032029A1 - Method for separating round wafer into rectangular chips for display panel of mobile telephone, involves forming horizontal parting lines vertical to vertical parting lines, from one edge to other edge of platen - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren, mit dem durch das Einbringen von thermisch induzierten Spannungen mittels Laser eine Planplatte aus einem sprödbrüchigem Material wie Glas, Keramik oder Halbleitermaterial, in mehrere rechteckige Einzelplatten aufgetrennt werden kann. Ein gattungsgemäßes Verfahren ist in der
Es ist bekannt, dass man durch das Einbringen von thermisch induzierten Spannungen mittels Laser spröde Materialien trennen kann. Dazu wird entlang vorgegebener Trennlinien zur Erzeugung von Druckspannungen eine Laserstrahlung auf die Materialoberfläche gerichtet und entlang dem Verlauf der vorgegebenen Trennlinie geführt. Anschließend wird die erwärmte Zone mit einem Kühlmittelstrahl beaufschlagt, wodurch Zugspannungen erzeugt werden. Liegt die entstehende Spannungsdifferenz oberhalb der Bruchspannung des Materials und befindet sich ein Defekt am Startpunkt der Trennlinie, so wird ein Reißen des Materials von dem Defekt ausgehend initiiert. Sollte ein solcher Defekt nicht aufgrund vorhandener Mikrorisse, z. B. von einer mechanischen Schnittkante ausgehend, vorhanden sein, muss gezielt ein Initialdefekt erzeugt werden, z. B. durch ein Diamantschneidrädchen oder einem gut fokussierbaren Laser hoher Energiedichte. Für Letzteres kann der Bearbeitungslaser oder auch ein zweiter Laser verwendet werden. Je nach der inneren Struktur des Materials kann entweder ein gezielter Tiefenriss oder ein das Material vollständig durchdringender Trennriss erreicht werden.It is known that it is possible to separate brittle materials by introducing thermally induced voltages by means of lasers. For this purpose, along predetermined separation lines for generating compressive stresses, a laser radiation is directed onto the material surface and guided along the course of the predetermined separation line. Subsequently, the heated zone is subjected to a coolant jet, whereby tensile stresses are generated. If the resulting voltage difference is above the breaking stress of the material and there is a defect at the starting point of the dividing line, cracking of the material from the defect is initiated. Should such a defect not due to existing microcracks, z. B. starting from a mechanical cutting edge, be present, a specific initial defect must be generated, for. B. by a diamond cutting wheel or a well focusable laser high energy density. For the latter, the processing laser or a second laser can be used. Depending on the internal structure of the material, either a targeted depth crack or a separation crack that completely penetrates the material can be achieved.
Um z. B. bei der Herstellung von Displayscheiben für Mobiltelefone und dergleichen oder bei der Herstellung von Chips eine Planplatte in eine Vielzahl von gleichen rechteckförmigen Einzelplatten aufzutrennen, wird gemäß dem Stand der Technik die Planplatte zunächst entlang mehrerer parallel zueinander verlaufender erster Trennlinien und danach um einen Schnittwinkel von 90° versetzt, entlang mehrerer parallel verlaufender zweiter Trennlinien getrennt. Dadurch entstehen, vorgegeben durch die Kreuzungspunkte der sich unter einem Winkel von 90° schneidenden Trennlinien, rechteckförmige Einzelplatten, deren Seitenlängen durch die Abstände der Trennlinien bestimmt sind.To z. B. in the manufacture of display panels for mobile phones and the like or in the manufacture of chips a plane plate in a plurality of equal rectangular individual plates, according to the prior art, the plane plate first along a plurality of mutually parallel first parting lines and then at an intersection angle of Offset 90 °, separated along several parallel second dividing lines. This results, given by the crossing points of intersecting at an angle of 90 ° dividing lines, rectangular individual plates whose side lengths are determined by the distances of the dividing lines.
Entscheidend für die Qualität der so hergestellten Einzelplatten ist, dass sich die Trennrisse exakt entlang der vorgegebenen Trennlinien ausbilden.Crucial for the quality of the individual plates thus produced is that the separation cracks form exactly along the predetermined separation lines.
In der
Die Praxis zeigt jedoch, dass die entstehenden Trennrisse auch an ihrem Anfang, am Umfang der aufzutrennenden Platte angrenzend, vom Verlauf der vorgegebenen Trennlinie abweichen, wenn sie nicht senkrecht auf die Umfangsfläche auftreffen, was dann gegeben ist, wenn die Umfangslinie der Planplatte von einer rechteckigen Form abweicht.The practice shows, however, that the resulting separation cracks also at their beginning, adjacent to the circumference of the plate to be separated, deviate from the course of the predetermined separation line, if they do not impinge perpendicular to the peripheral surface, which is given when the peripheral line of the plane plate of a rectangular Deviates form.
Das ist insbesondere dann gegeben, wenn die Umfangslinie gekrümmt ist. Von praktischer Bedeutung sind vor allem Planplatten mit einer runden Umfangslinie, wie Waferscheiben, die in einzelne Chips zu vereinzeln sind. Theoretisch könnte die Planplatte z. B. auch die Form eines Dreieckes, eines Vieleckes einer Ellipse oder eine frei geformte Umfangsfläche aufweisen. In allen diesen Fällen treffen wenigstens einige der Trennlinien nicht senkrecht auf die Umfangsfläche auf.This is especially true when the circumferential line is curved. Planar plates with a round peripheral line, such as wafer slices, which are to be singulated into individual chips, are of particular practical importance. Theoretically, the plane plate z. B. also have the shape of a triangle, a polygon of an ellipse or a freely shaped peripheral surface. In all of these cases, at least some of the dividing lines do not impinge perpendicularly on the peripheral surface.
Die damit entstehenden Probleme sollen anhand einer runden Planplatte, die entlang von zehn Trennlinien getrennt wird, anhand von
Da sich die mit dem Trennprozess thermisch induzierten Spannungen im Startpunkt der Trennlinie, d. h. im Randbereich der Planplatte in Richtung einer in den Startpunkt an die Umgangsfläche angelegten Tangente (nachfolgend in tangentialer Richtung) ausbreiten und nur die senkrecht auf die Trennlinie projizierte Komponente der Spannungen für die Rissöffnungskraft eines Trennrisses entlang der vorbestimmten Trennlinie bestimmend ist, wird mit zunehmenden Abstand zum Durchmesser die Ausbildung des Trennrisses von der vorbestimmten Trennlinie abgelenkt. Darüber hinaus wird ab einem kritischen Abstand, welcher abhängig ist von der Dicke des Materials, den Anritz und den Schnittparameter, die Rissöffnungskraft für das Starten des Trennvorganges zu gering.Since the thermally induced with the separation process voltages in the starting point of the dividing line, ie in the edge region of the plane plate in the direction of a starting point to the contact surface tangent (hereinafter in the tangential direction) propagate and only the perpendicular to the dividing line projected component of the voltages for the Crack opening force of a separation crack along the predetermined separation line is determined, the formation of the separation crack is deflected from the predetermined separation line with increasing distance from the diameter. In addition, starting from one critical distance, which depends on the thickness of the material, the scribe and the cutting parameters, the crack opening force for starting the separation process too low.
Ein weiteres Problem kann sich insbesondere bei der Vereinzelung in Chips mit minimalen Kantenlängen < 1 mm ergeben. In durchgeführten Versuchen wurde beobachtet, dass beim Trennen im Randbereich der induzierte Trennriss in seinem Verlauf von der vorgegebenen Trennlinie abweicht und stets zum Rand hin abbiegt. Eine mögliche Erklärung ist die senkrecht zur Trennlinie symmetrische Ausbreitung der thermisch induzierten Spannungen, denen je nach der beidseitig an die Trennlinie angrenzenden Materialmenge ein unterschiedlich großer Widerstand entgegengesetzt wird. Der Riss verläuft in Richtung des geringeren Widerstandes und biegt ab.Another problem may arise, in particular when singulating into chips with minimal edge lengths <1 mm. In experiments carried out it was observed that when separating in the edge region of the induced separation crack in its course deviates from the predetermined separation line and always turns towards the edge. One possible explanation is the symmetrical propagation of the thermally induced stresses perpendicular to the dividing line, which is opposed by a difference in resistance, depending on the amount of material adjacent to the dividing line on both sides. The crack runs in the direction of the lower resistance and turns off.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Trennen einer Planplatte mit einer von einem Rechteck abweichenden Umfangslinie in rechteckige Einzelteile zu finden, mit dem mittels Laser thermische Spannungen induziert werden, die zur Ausbildung von Trennrissen führen, die sich hochgenau entlang dem Verlauf von vorgegebenen Trennlinien ausbreiten.The invention has for its object to find a method for separating a plane plate with a deviating from a rectangle perimeter in rectangular items with which thermal stresses are induced by means of laser, which lead to the formation of separation cracks, which are highly accurate along the course of predetermined Spread dividing lines.
Diese Aufgabe wird für ein Verfahren zum Trennen einer Planplatte aus sprödbrüchigem Material in rechteckige Einzelplatten, bei dem sich aufgrund thermisch induzierter Spannungen mit Laser die Planplatte teilende Trennrisse entlang zueinander senkrecht verlaufender, mit einem vorgegebenen Abstand angeordneter Trennlinien ausbilden, indem ein auf die Planplatte gerichteter Laserstrahl wenigstens teilweise nacheinander entlang der Trennlinien geführt wird, dadurch gelöst, dass in einem ersten Schritt, von einem Startpunkt an der Umfangsfläche der Planplatte her beginnend mit einem Trennriss entlang einer Trennlinie die Planplatte in zwei Teile geteilt wird, sodass entlang dieses Trennrisses zwei geradlinige Kanten entstehen, in einem zweiten Schritt, jeweils ausgehend von Startpunkten an den entstandenen Kanten entlang aller hierzu senkrecht verlaufenden Trennlinien Trennrisse eingebracht werden, womit eine Vielzahl von Teilen mit weiteren geradlinigen Kanten entsteht und in einem dritten Schritt alle Trennrisse entlang der hierzu senkrecht verlaufenden Trennlinien eingebracht werden, womit abschließend die Planplatte in eine Vielzahl von Einzelplatten aufgeteilt ist.This object is for a method for separating a plane plate made of brittle material into rectangular individual plates, in which due to thermally induced voltages with laser plan plate dividing separation cracks along mutually perpendicular, formed with a predetermined spacing dividing lines by a directed onto the plane plate laser beam at least partially in succession along the parting lines, achieved in that in a first step, from a starting point on the peripheral surface of the plane plate ago starting with a separation along a parting line the flat plate is divided into two parts, so that along this separation crack two straight edges , In a second step, in each case starting from starting points on the resulting edges along all this perpendicular separating lines separating cracks are introduced, whereby a plurality of parts with further rectilinear edges is formed and in one third step, all separating cracks are introduced along the perpendicular thereto separating lines, which finally the plane plate is divided into a plurality of individual plates.
Vorteilhaft werden die Trennrisse in ihrer zeitlichen Abfolge so eingebracht, dass sie jeweils nacheinander entlang der Trennlinie eingebracht werden, die zur Halbierenden der Kante des Teils, welches jeweils mit dem Trennriss in zwei Teile aufgeteilt werden soll, am nächsten liegt.Advantageously, the separation cracks are introduced in their time sequence so that they are each introduced successively along the dividing line, which is the halving of the edge of the part, which is to be divided in each case with the separation in two parts closest.
Für eine Verkürzung der Prozessdauer ist es von Vorteil, wenn mehrere Trennrisse, die verschiedene Teile teilen, in einer Richtung gleichzeitig erzeugt werden.For a shortening of the process time, it is advantageous if several separation cracks, which divide different parts, are generated simultaneously in one direction.
Weiter verkürzend für die Prozessdauer können vorteilhaft im dritten Schritt die Trennrisse entlang einer Trennlinie von einem Rand der Planplatte zum anderen Rand der Planplatte hin eingebracht werden.Further shortening the process time can advantageously be introduced in the third step, the separation cracks along a parting line from one edge of the plane plate to the other edge of the plane plate.
Es ist auch von Vorteil, wenn zwischen den einzelnen Schritten die entstandenen Teile durch einen Stretchvorgang voneinander getrennt werden.It is also advantageous if between the individual steps, the resulting parts are separated by a stretching process.
Auch sollte am Startpunkt der Trennlinien vor dem Einbringen der Trennrisse ein initialer Defekt eingebracht werden.Also, an initial defect should be introduced at the starting point of the parting lines prior to the introduction of the parting cracks.
Besonders vorteilhaft lässt sich das Verfahren zum Trennen einer runden Planplatte verwenden. Die erste Trennlinie wird dann entlang dem Durchmesser vorgegeben, sodass der erste Trennriss die runde Planplatte halbiert.The method for separating a round flat plate can be used particularly advantageously. The first parting line is then set along the diameter so that the first parting line halves the round plane plate.
Vorteilhaft wird auch der erste Trennriss in der hierzu senkrechten Richtung vorgegeben und alle weiteren Trennlinien werden in ihrem Abstand zueinander auf diese bezogen festgelegt.Advantageously, the first separation crack is also predetermined in the direction perpendicular thereto, and all further separation lines are set relative to one another in their distance from one another.
Anhand der Zeichnungen wird das Verfahren im Folgenden beispielhaft näher erläutert.The method will be explained in more detail below by way of example with reference to the drawings.
Es zeigen:Show it:
Das Verfahren wird nachfolgend anhand einer runden Planplatte
Besonders geeignet ist das Verfahren zum Trennen runder Waferscheiben in einzelne rechteckige Chips.Particularly suitable is the method for separating round wafer slices into individual rectangular chips.
Das Einbringen der Trennrisse erfolgt gleich aus dem im Stand der Technik beschriebenen Verfahren, indem ein Laserstrahl auf die Oberfläche der Planplatte gerichtet wird und ausgehend von einem Startpunkt entlang der vorgegebenen Trennlinien relativ zur Planplatte geführt wird. Das Verfahren unterscheidet sich entscheidend durch das Regime des Einbringens der Trennrisse, das dadurch bestimmt ist, von wo aus die Trennrisse beginnend eingebracht werden und in welcher Reihenfolge.The introduction of the separation cracks is equal to that described in the prior art Method by a laser beam is directed onto the surface of the plane plate and is guided from a starting point along the predetermined separation lines relative to the plane plate. The method differs decisively by the regime of introducing the separation cracks, which is determined by where the separation cracks are introduced starting and in what order.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren soll eine Planplatte, wie in
In den
In den
Die Grundidee des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, dass jeder Trennriss, der später eine der Einzelplatten begrenzt, von einem Startpunkt ausgehen soll, in dem sich die thermisch induzierten Spannungen senkrecht zum Trennriss ausbreiten. Das ist sicher dann gegeben, wenn die Trennlinien, entlang denen die Trennrisse hochgenau verlaufen sollen, senkrecht auf eine geradlinige Kante auftreffen. Darüber hinaus soll vorteilhaft die Teilung der Planplatte
In einem ersten Schritt, dargestellt in
In einem zweiten Schritt, dargestellt in
Vorteilhaft werden zuvor Initialdefekte jeweils an den Beginn der vorgegebenen Trennlinien gesetzt. Dies kann mechanisch mittels Diamant oder Hartmetallritzer bzw. berührungslos mittels Laser erfolgen. Im jetzt nachfolgenden Trennprozess werden die Trennrisse vorteilhaft nicht nacheinander entlang nebeneinander liegender Trennlinien eingebracht, sondern jeweils weitmöglichst die durch die Trennung bereits entstandenen Teile halbiert. Vorteilhaft wird die erste Trennlinie, entlang der im zweiten Schritt ein Trennriss eingebracht wird, entlang der Flächenhalbierenden der beiden entstandenen halbkreisförmigen Teile vorgegeben und von dieser Trennlinie ausgehend die Lage der hierzu parallelen Trennlinien festgelegt. Über die gesamte Länge des Trennrisses entlang dieser ersten Trennlinie sind die Materialmengen beidseitig des Trennrisses gleich. Alle weiteren Trennrisse in der gleichen Richtung werden bezüglich des jeweils zu trennenden Teiles nacheinander jeweils entlang der Trennlinie eingebracht, die am nächsten zur Mitte der Kante des Teiles liegt. Damit sind zumindest am Startpunkt eines jeden Trennrisses die Materialmengen beidseitig der Trennrisse nahezu gleich. Der Prozess wird so weiter fortgesetzt, bis alle Trennrisse entlang der Trennlinien in die erste Richtung eingebracht sind. Dieses Vorgehen verringert in den Ausbreitungsrichtungen der induzierten Spannungen die Differenzen im Materialwiderstand und sichert damit einen hochgenau geradlinigen Verlauf der Trennrisse entlang dem Verlauf der vorgegebenen Trennlinien. Im Ergebnis des zweiten Schrittes ist die Planplatte
Danach erfolgt in einem dritten Schritt die Vereinzelung der Streifen in Einzelplatten, indem diese senkrecht zu den entstandenen Kanten aufgeteilt werden.Thereafter, in a third step, the separation of the strips in individual plates by these are divided perpendicular to the resulting edges.
Vorteilhaft werden zuvor Initialdefekte an einem Rand eines jeden Streifens an den vorgegebenen Trennlinien gesetzt. Mögliche Ausführungen sind minimale Defekte im Randbereich, aber auch ein durchgehender Anritz innerhalb der Trennlinie über deren komplette Länge.Advantageously, initial defects on one edge of each strip are previously applied to the set predetermined dividing lines. Possible designs are minimal defects in the edge area, but also a continuous scribe within the parting line over its entire length.
Nach dem Setzen der Initialdefekte erfolgt vorteilhaft ein weiterer Stretchvorgang, welcher eine Kantenberührung während des nachfolgenden Trennprozesses verhindern soll.After setting the initial defects, there is advantageously a further stretching process which is intended to prevent edge contact during the subsequent separation process.
In dem dritten Schritt, dargestellt in
Die Trennrisse, die im dritten Schritt eingebracht werden, müssen daher nicht zwingend von der Mitte der Planplatte
Folglich bildet sich jeder der Trennrisse im Verfahren, der später ein rechteckiges Einzelteil begrenzt, ausgenommen dem ersten in einem Startpunkt senkrecht zu einer geradlinigen Kante aus, wodurch die thermisch induzierten Spannungen optimal für einen definierten Verlauf der Trennrisse entlang der vorgegebenen Trennlinien eingebracht werden.As a result, each of the separation cracks in the process, which later defines a rectangular piece except for the first, forms at a starting point perpendicular to a straight edge, optimally introducing the thermally induced stresses for a defined course of the separation cracks along the predetermined separation lines.
In
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- DE 102007033242 A1 [0001, 0005] DE 102007033242 A1 [0001, 0005]
- DE 102007033242 [0034] DE 102007033242 [0034]
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TW100123293A TWI548478B (en) | 2010-07-21 | 2011-07-01 | Verfahren zum trennen einer runden planplatte aus sproedbruechigem material in mehrere rechteckige einzelplatten mittels laser |
CN201110193494.6A CN102372426B (en) | 2010-07-21 | 2011-07-12 | The flat board of the circle made by the material by easy embrittlement by means of laser is divided into the method for multiple rectangular single boards |
KR1020110071032A KR102127015B1 (en) | 2010-07-21 | 2011-07-18 | Method for dividing round planar plate formed of brittle material into a plurality of individual plates by using laser |
KR1020190014893A KR20190016527A (en) | 2010-07-21 | 2019-02-08 | Method for dividing round planar plate formed of brittle material into a plurality of individual plates by using laser |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012210527A1 (en) | 2012-06-21 | 2013-12-24 | Robert Bosch Gmbh | Method of making a diode and diode |
CN110552068A (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 半导体元件工业有限责任公司 | semiconductor substrate production system and related method |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG11201504078TA (en) * | 2012-12-17 | 2015-07-30 | Agency Science Tech & Res | Wafer dicing apparatus and wafer dicing method |
EP3361839A1 (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-15 | Infineon Technologies AG | Multiple substrate and method for its fabrication |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10041519C1 (en) * | 2000-08-24 | 2001-11-22 | Schott Spezialglas Gmbh | Cutting flat glass plate into several rectangular plates comprises cutting the flat glass plate along cutting lines into several partial plates |
DE102007033242A1 (en) | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Method and device for separating a plane plate made of brittle material into several individual plates by means of laser |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3370310B2 (en) * | 1999-06-18 | 2003-01-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Scribe method using laser |
JP4659300B2 (en) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method and semiconductor chip manufacturing method |
ATE516126T1 (en) * | 2002-03-12 | 2011-07-15 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | METHOD AND SYSTEM FOR THE MACHINE PROCESSING OF BRITTLE MATERIAL |
US20080135532A1 (en) * | 2004-04-27 | 2008-06-12 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Method of and an Apparatus for Forming a Perpendicular Crack in a Brittle Substrate |
KR100881466B1 (en) * | 2004-12-28 | 2009-02-06 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Method for cutting brittle material substrate and substrate cutting system |
DE102005024497B4 (en) * | 2005-05-27 | 2008-06-19 | Schott Ag | Method for mechanically breaking scored flat workpieces from brittle material |
DE102005038027A1 (en) * | 2005-08-06 | 2007-02-08 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Process for cutting brittle flat materials |
US7977601B2 (en) * | 2005-11-28 | 2011-07-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | X and Y orthogonal cut direction processing with set beam separation using 45 degree beam split orientation apparatus and method |
DE102005062230A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-06-28 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Method and device for separating slices of brittle material, in particular wafers |
JP2008007026A (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Aisin Aw Co Ltd | Air pressure reduction detection device, air pressure reduction detection program and air pressure reduction detection method |
JP5102557B2 (en) | 2007-08-09 | 2012-12-19 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method for dividing sapphire substrate |
JP2009099681A (en) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Substrate dicing method |
JP4525741B2 (en) | 2007-11-26 | 2010-08-18 | ソニー株式会社 | Charge domain filter circuit |
JP5054496B2 (en) * | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | Processing object cutting method |
JP5155030B2 (en) * | 2008-06-13 | 2013-02-27 | 株式会社ディスコ | Method for dividing optical device wafer |
-
2010
- 2010-07-21 DE DE102010032029A patent/DE102010032029B4/en active Active
-
2011
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2019
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10041519C1 (en) * | 2000-08-24 | 2001-11-22 | Schott Spezialglas Gmbh | Cutting flat glass plate into several rectangular plates comprises cutting the flat glass plate along cutting lines into several partial plates |
DE102007033242A1 (en) | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Method and device for separating a plane plate made of brittle material into several individual plates by means of laser |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012210527A1 (en) | 2012-06-21 | 2013-12-24 | Robert Bosch Gmbh | Method of making a diode and diode |
US8900925B2 (en) | 2012-06-21 | 2014-12-02 | Robert Bosch Gmbh | Method for manufacturing a diode, and a diode |
CN110552068A (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 半导体元件工业有限责任公司 | semiconductor substrate production system and related method |
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