DE102010028189A1 - Solarzelle - Google Patents

Solarzelle Download PDF

Info

Publication number
DE102010028189A1
DE102010028189A1 DE102010028189A DE102010028189A DE102010028189A1 DE 102010028189 A1 DE102010028189 A1 DE 102010028189A1 DE 102010028189 A DE102010028189 A DE 102010028189A DE 102010028189 A DE102010028189 A DE 102010028189A DE 102010028189 A1 DE102010028189 A1 DE 102010028189A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
solar cell
metal layer
cell according
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102010028189A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102010028189B4 (de
Inventor
Hans-Joachim Krokoszinski
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meyer Burger Germany GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DE102010028189.1A priority Critical patent/DE102010028189B4/de
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to EP11705887.5A priority patent/EP2586067A2/de
Priority to JP2013506556A priority patent/JP2013526045A/ja
Priority to CN201180020871.4A priority patent/CN102893406B/zh
Priority to KR1020127030801A priority patent/KR20130073900A/ko
Priority to PCT/EP2011/052954 priority patent/WO2011134700A2/de
Priority to US13/643,648 priority patent/US9209321B2/en
Publication of DE102010028189A1 publication Critical patent/DE102010028189A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102010028189B4 publication Critical patent/DE102010028189B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022491—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of a thin transparent metal layer, e.g. gold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Solarzelle mit einer Passivierungs-Schichtfolge mit einer Vielzahl inselartiger Ausnehmungen, in denen die Passivierungsschichten vollständig entfernt sind, auf der zweiten Hauptoberfläche, einer auf der Passivierungs-Schichtfolge und in den Ausnehmungen auf der Substratoberfläche angeordneten dünnen ersten Metallschicht, einer die erste Metallschicht bedeckenden dünnen dielektrischen Abdeckschicht, die eine erste regelmäßige Anordnung schmaler linienartiger Öffnungen und eine zweite regelmäßige Anordnung wesentlich breiterer linienartiger oder langgestreckt inselartiger Öffnungen aufweist, wobei die erste und zweite Öffnungs-Anordnung unter einem Winkel, insbesondere quer zueinander ausgerichtet sind, und einer hoch leitfähigen und an der freiliegenden Oberfläche lötfähigen zweiten Metallschicht in den Öffnungen der ersten und zweiten Öffnungs-Anordnung, die dort die erste Metallschicht kontaktiert.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf das Sachgebiet der Halbleiter-Bauelemente, insbesondere der Solarzellen, und betrifft eine kristalline Solarzelle mit einem n- oder p-dotierten Halbleitersubstrat und einer passivierten Rückseite.
  • Stand der Technik
  • Silizium-Solarzellen mit „passivierter Rückseite” besitzen eine verbesserte optische Verspiegelung und eine gegenüber dem bisher standardmäßig hergestellten Aluminium-Back Surface Field (BSF) stark verbesserte Passivierung der rückwärtigen Oberfläche, vgl. A. Götzberger et. al., „Sonnenenergie: Photovoltaik", B. G. Teubner Stuttgart, 1997. Das damit hergestellte Zellkonzept heißt „Passivated Emitter and Rear Cell” (PERC). Dabei wird die an die Rückseitendotierung angepasste dielektrische Passivierung lokal an vielen kleinen Punkten geöffnet, damit die auf der Passivierschicht abgeschiedene Metallschicht den Halbleiter kontaktieren kann, aber nur an einem kleinen Flächenanteil der Rückseite, um die starke Rekombination der Elektron-Loch-Paare an metallisierten Oberflächen zu minimieren.
  • Die Metallisierung der Rückseite besteht in den meisten Fällen aus Aluminium und wird großflächig auf der gesamten Rückseite in der Regel mit Vakuum-Aufdampftechnik oder Sputtern abgeschieden.
  • Druckschriften, die sich auf derartige Solarzellen sowie Verfahren zu deren Herstellung beziehen und mit Rückseiten-Strukturierungsschritten und/oder dem rückseitigen Eintreiben von Dotierstoffen in Verbindung stehen, sind etwa die DE 195 25 720 C2 , die DE 10 2007 059 486 A1 oder die DE 10 2008 013 446 A1 sowie DE 10 2008 033 169 A1 (beide letztere der ErSol Solar Energy AG).
  • Mit der effizienten Herstellung zuverlässiger Anschlussstrukturen, insbesondere unter Einfluss von Lötverbindungen, befassen sich etwa die JP 2005 027 309 A , die DE 10 2008 017 312 A1 oder die DE 10 2008 020 796 A1 .
  • Bekannt ist die Methode der „Laser Fired Contacts” (LFC), bei der die Metallisierung auf der rückseitigen Passivierung mit Laserpulsen durch die Passivierschicht hindurchgefeuert wird, so dass ein vorheriges Öffnen der Passivierschicht unnötig wird, vgl. „Laserstrahlverfahren zur Fertigung kristalliner Silizium-Solarzellen", Dissertation Eric Schneiderlöchner, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg im Breisgau (2004) oder die (frühere) DE 199 15 666 A1 .
  • Bei Zellen auf p-dotierten Wafern wird die Bildung von „lokalen BSF-Bereichen” an den Kontaktpunkten in der Rückseitenpassivierung einfach durch Anlegieren des Aluminiums in die p- oder p+-Oberfläche hinein vorgenommen. Dies geschieht bei Temperaturen oberhalb der Al-Si-Eutektikumstemperatur von 577°C. Dazu ist es erforderlich, dass die rückseitige Passivierschicht und auch der vorderseitige Emitter (nach dem vorher durchgeführten Sintern der vorderseitigen Silberpaste) diese Temperaturen unbeschadet überstehen.
  • Bei Zellen auf n-dotierten Wafern, bei denen der Emitter (pn-Übergang) auf der Rückseite mit Bor- oder Aluminium-Dotierung hergestellt wird, würde die Bildung des Al-Si-Eutektikums, das in der Regel einige Mikrometer tief aufschmilzt, zu einem Durchbruch durch den dünnen p+-Emitter in die n-Basis hinein und dort zu einem Kurzschluss zur Basis führen. Daher muss die Metallisierung mit niedrigen Temperaturen (z. B. 400°C, optional auch in Formiergas) getempert werden, um einen hinreichend guten ohmschen Kontakt zur Emitteroberfläche herzustellen, ohne der Zelle Schaden zuzufügen. Damit wird das Feuern einer normalen Siebdruckpaste zum Nachträglichen Abscheiden einer lötfähigen Silberschicht auf dem Aluminium unmöglich.
  • Alle aus dem Stand der Technik bekannten PERC-Technologien besitzen, folgende Nachteile:
    • 1) Gemeinsam ist allen Konzepten, dass die Rückseite am Ende des Prozesses mit großflächiger Aluminiumschicht vorliegt, die nicht über lötfähige Padbereiche verfügt.
    • 2) Die für die Stromleitung notwendige Niederohmigkeit der Metallisierung kann nur über eine hinreichend dicke Aluminiumschicht, in der Regel 2–4 μm, hergestellt werden. Wenn die Aufdampf- oder Sputterrate hoch gewählt wird, um die Prozesszeiten kurz zu halten, nehmen der Wärmeeintrag und damit die Temperatur der Wafer in der Prozesskammer stark zu. Wenn die Rate niedrig gehalten wird, müssen mehr Zeit oder eine längere Durchlaufanlage mit zusätzlichen Aufdampf- oder Sputterquellen für die Aluminiumbeschichtung bereitgestellt werden. In jedem Fall ist der Kompromiss mit höheren Investitions- und/oder Prozesskosten verbunden.
    • 3) Eine Alternative ist eine dünnere Aluminiumschicht, die in hinreichend kurzer Zeit mit moderater Depositionsrate hergestellt werden kann, aber dann wird eine chemische oder galvanische Verstärkung der Al-Rückseitenmetallisierung benötigt. Diese findet immerhin bei sehr moderaten Temperaturen statt (< 90°C) und stellt somit keine thermische Belastung der fast fertigen Solarzellen dar.
    • 4) Wenn man eine geeignete Methode findet, um Aluminium chemisch oder galvanisch zu verstärken, würde aber letztlich die gesamte Rückseite mit Silber verstärkt werden, was einen erheblichen Kostenfaktor darstellen würde.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Vorgeschlagen wird eine Solarzelle mit den Merkmalen des Anspruches 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen, welches die Merkmale des Anspruches 10 aufweist. Zweckmäßige Fortbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Ansprüche.
  • Die vorgeschlagene Solarzelle zeichnet sich aus durch eine die erste Metallschicht bedeckende dünne dielektrische Abdeckschicht, die eine erste regelmäßige Anordnung schmaler linienartiger Öffnungen und eine zweite regelmäßige Anordnung wesentlich breiterer linienartiger oder langgestreckt inselartiger Öffnungen aufweist, wobei die erste und zweite Öffnungs-Anordnung unter einem Winkel, insbesondere quer zueinander, ausgerichtet sind. Sie zeichnet sich des Weiteren aus durch eine hoch leitfähige und an der freiliegenden Oberfläche lötfähige zweite Metallschicht in den Öffnungen der ersten und zweiten Öffnungs-Anordnung, die dort die erste Metallschicht kontaktiert.
  • Die erfindungsgemäße Solarzelle mit einer passivierten und großflächig metallisierten Rückseite, die in den in der dielektrischen Abdeckschicht geöffneten schmalen Fingerbereichen und stromsammelnden Busbar- oder Lötpadbereichen chemisch oder galvanisch verstärkt wurde, besitzt jedenfalls in zweckmäßigen Ausführungen folgende Vorteile gegenüber dem Stand der Technik:
    • 1) Die Solarzelle besitzt zusätzlich zur bisher üblichen großflächigen Aluminiumschicht mit lokalen Kontakten zur Halbleiteroberfläche auch lötfähige Bereiche (Busbars oder Lötpads).
    • 2) Die chemisch/galvanisch verstärkten, d. h. sehr leitfähigen Finger auf der Rückseite sammeln den Strom überall auf der großen Waferfläche und leiten ihn niederohmig zu den Busbars oder Pads weiter. Der generierte Strom muss, aus den lokalen Kontaktpunkten aus der Solarzelle austretend, in der Metallschichtfolge nur eine kleine Entfernung bis zum nächsten Plating-Finger zurücklegen. Daher kann diese Metallschichtfolge aus sehr dünnen Metallschichten, z. B. 0,5 um Aluminium mit 0,1 um Nickel-Saatschicht, bestehen. Sie kann also mit moderaten Abscheideraten in so kurzer Zeit hergestellt werden, dass die Zellen nicht zu sehr aufgeheizt werden.
    • 3) Die großflächige Metallschichtfolge bleibt auch nach Fertigstellung der chemischen oder galvanischen Verstärkung durch die dielektrische Abdeckschicht gegen chemischen Angriff, z. B. Korrosion im Modul, über 25 Jahre Lebensdauer geschützt.
    • 4) Die dünne Metallisierung und die lokale Nachverstärkung führen, anders als die bisher übliche Siebdruck-Metallisierung der Rückseite, nicht zu einer Waferverbiegung. Dadurch wird es möglich, die Waferdicke/Zelldicke weiter zu verringern und damit Kosten für Silizium zu sparen.
  • In einer technologisch und aus Kostensicht zweckmäßigen Ausführung weist die zweite Metallschicht mindestens ein Metall aus der Pd, Ni, Ag, Cu und Sn umfassenden Gruppe auf. Insbesondere weist hierbei die zweite Metallschicht eine Folge von Metallschichten auf, insbesondere die Schichtfolge Pd/Ni/Ag oder Ni/Cu/Sn.
  • Weiterhin ist vorgesehen, dass die zweite Metallschicht durch eine chemisch oder galvanisch abgeschiedene Verstärkungsschicht hergestellt wird.
  • Eine weitere Ausführung sieht vor, dass die dünne dielektrische Abdeckschicht mindestens ein Material aus der Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid und Titanoxid umfassenden Gruppe aufweist.
  • In einer ersten Variante handelt es sich bei dem Substrat um ein p-dotiertes Siliziumsubstrat mit einem Phosphor-dotierten Emitter auf der ersten Hauptoberfläche. In einer hierzu alternativen Ausführung ist das Halbleitersubstrat ein n-dotiertes Siliziumsubstrat mit einem Bor- oder Aluminium-dotierten p+-Emitter auf der zweiten Hauptoberfläche.
  • Insbesondere werden die ersten und zweiten Öffnungen in der dünnen dielektrischen Abdeckschicht durch maskiertes Ionenätzen gebildet, insbesondere in der gleichen Anlage, in der die Abdeckschicht erzeugt wird. Alternativ hierzu kann vorgesehen sein, dass die ersten und zweiten Öffnungen in der dünnen dielektrischen Abdeckschicht durch Laserablation oder durch Ätzen unter Nutzung einer mittels Siebdruck oder Tintenstrahldruck aufgetragenen Ätzpaste gebildet werden.
  • Zeichnungen
  • Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich im Übrigen aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Figuren. Von diesen zeigen:
  • 1 bis 3 in perspektivischen schematischen Darstellungen eine Ausgangssituation sowie einen ersten und zweiten Prozessabschnitt der Herstellung einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Solarzelle,
  • 4A und 4B schematische Draufsichten zweier Ausführungen einer Kontaktstruktur der Solarzelle sowie
  • 5 und 6 in schematischen perspektivischen Darstellungen einen dritten Prozessabschnitt.
  • In allen Figuren bleibt offen, ob es sich um einen p-dotierten oder n-dotierten Wafer handelt. Im Fall des n-Materials kann der Emitter entweder auf der Vorderseite oder auf der Rückseite angeordnet sein. Im letzteren Fall wird in der Regel auf der Vorderseite eine Dotierung für ein Front Surface Field (FSF) hergestellt.
  • Ausgangspunkt der folgenden Beschreibung ist eine fast vollständig hergestellte zweiseitig zu kontaktierende Solarzelle auf p- oder n-dotiertem kristallinem Silizium 1 (1). Die Vorderseite 2a sei bereits vollständig prozessiert, d. h. homogen oder selektiv dotiert, mit Passivierung/Antireflexschicht oder -schichtfolge und mit einem löttähigem Kontaktgitter versehen. Die Rückseite 2b kann undotiert sein oder eine homogene Dotierung 3 enthalten, die einen Emitter oder ein BSF darstellt.
  • Die Oberfläche ist mittels Chemical Vapor Deposition (CVD) oder Physical Vapor Deposition (PVD, also Aufdampfen oder Sputtern) mit einer hinsichtlich Dotierungspolarität und Dotierungskonzentration ausgewählten und optimierten Passivierschicht oder -schichtfolge 4 beschichtet, die mit einer an sich aus dem Stand der Technik bekannten Technik lokal entfernt (geöffnet) wurde. Das so entstandene Punktraster, in dem die lokalen Kontaktöffnungen 5 angeordnet sind, richtet sich nach dem Schichtwiderstand der Oberfläche: bei undotierten Oberflächen (PERC-Zelle) ist der Abstand der Punkte D kleiner als bei dotierten Oberflächen (PERT-Zelle, also vollflächig dotierte Zelle).
  • Der erste erfindungsgemäße Prozessschritt beginnt mit der (an sich aus dem Stand der Technik bekannten) vollflächigen Beschichtung mit einer Metallschichtfolge 6 (2), wobei entweder Aufdampftechnik oder Sputtertechnik zur Anwendung kommen kann. Es kann sich dabei z. B. um Aluminium handeln, das optional in derselben Anlage mit einer (nicht gezeigten) dünnen Nickel-haltigen Saatschicht für die spätere chemische oder galvanische Verstärkung bedeckt wird. Alternativ können natürlich auch andere Metalle oder Metallschichtfolgen gewählt werden, z. B. Titan/Palladium/Silber oder Nickelchrom/Nickel/Silber.
  • Abschließend wird in allen Fällen (in derselben Anlage, ohne Unterbrechung des Vakuums) die gesamte Rückseite mit einer dünnen dielektrischen Dünnschicht 7 bedeckt. Dabei liegen alle abgeschiedenen Schichten sowohl auf der Passivierschichtfolge 4 als auch auf der in den lokalen Öffnungen 5 in der Passivierschicht freigelegten Halbleiteroberfläche. Die Abdeckschicht 7 kann ein Oxid oder ein Nitrid des Aluminiums oder Siliziums sein. Sie kann aufgedampft werden oder reaktiv vom Metalltarget gesputtert oder mit RF-Sputtern vom Dielektrikum-Target abgeschieden werden.
  • Im zweiten Schritt wird mit einer geeigneten Technik die dielektrische Abdeckschicht in Form von vielen, schmalen vorzugsweise äquidistant und parallel zu einander angeordneten Linien 8 geöffnet (3). Dabei können zum Beispiel folgende an sich aus dem Stand der Technik bekannten Techniken zur Anwendung kommen: Laserablation, siebgedruckte oder Tintenstrahlgedruckte Ätzpaste, Inkjet-maskierte nasschemische Ätzung. Der Abstand W der parallelen Öffnungen 8 ist typisch in der Größenordnung von 1 mm bis 10 mm, vorzugsweise 2 mm bis 5 mm. Die Breite der Öffnungen ist typisch etwa 100 μm bis 1 mm, vorzugsweise 200 μm bis 500 μm.
  • In 90° zum Verlauf der schmalen Öffnungen 8 werden simultan, d. h. im selben Öffnungsschritt, breitere Bereiche 9a bzw. 9b in der dielektrischen Abdeckschicht geöffnet, in denen später lötfähige Busbars bzw. Lötpads erzeugt werden sollen. Busbarstreifen 9a (4A) können eine beliebige, für den Lötprozess optimierte Breite haben. Es könnten auch nur 2 Busbars sein. Padbereiche 9b (4B) können beliebig viele sein und beliebig groß gestalten werden. Sie können entlang von 2 oder von 3 Linien angeordnet sein, abhängig von der Zahl und der Lage der Busbars auf der Vorderseite. Im dritten Schritt wird die in den Öffnungen 8, 9a, 9b in der Abdeckschicht offen liegende Metalloberfläche in einem geeigneten chemischen oder galvanischen Abscheidungsprozess mit einer sehr gut leitenden und gut lötbaren Metallschichtfolge verstärkt (5). Dabei kann es sich zum Beispiel, je nach freiliegendem Metall, um Palladium, Nickel und Silber oder Nickel, Kupfer und Zinn handeln. Wenn Aluminium mit einer Nickel-Saatschicht gewählt worden ist, dann wird im ersten Bad mit hoher Wahrscheinlichkeit Nickel abgeschieden werden, das dann noch mit hinreichend viel Silber abgedeckt wird. Im selben Verstärkungsprozess werden auch die breiteren Busbar- oder Padbereiche 9a oder 9b mit der gleichen Schichtfolge nachverstärkt und lötbar gemacht 11 (6). Die nachverstärkten schmalen Finger 10 münden entweder direkt in die verstärkten Busbarflächen 11a oder Lötpadflächen 11b, oder in schmale Verbindungslinien zwischen den Pads (vgl. 4).
  • Im Übrigen ist die Ausführung der Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Beispiele und hervorgehobenen Aspekte beschränkt, sondern lediglich durch den Schutzbereich der anhängenden Patentansprüche.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 19525720 C2 [0004]
    • DE 102007059486 A1 [0004]
    • DE 102008013446 A1 [0004]
    • DE 102008033169 A1 [0004]
    • JP 2005027309 A [0005]
    • DE 102008017312 A1 [0005]
    • DE 102008020796 A1 [0005]
    • DE 19915666 A1 [0006]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • A. Götzberger et. al., „Sonnenenergie: Photovoltaik”, B. G. Teubner Stuttgart, 1997 [0002]
    • „Laserstrahlverfahren zur Fertigung kristalliner Silizium-Solarzellen”, Dissertation Eric Schneiderlöchner, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg im Breisgau (2004) [0006]

Claims (13)

  1. Solarzelle mit – einem n- oder p-dotierten Halbleitersubstrat, insbesondere aus Silizium, das eine im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dienende erste Hauptoberfläche und eine als Rückseite dienende zweite Hauptoberfläche hat, – einer Passivierungs-Schichtfolge mit einer Vielzahl inselartiger Ausnehmungen, in denen die Passivierungsschichten vollständig entfernt sind, auf der zweiten Hauptoberfläche, – einer auf der Passivierungs-Schichtfolge und in den Ausnehmungen auf der Substratoberfläche angeordneten dünnen ersten Metallschicht, – einer die erste Metallschicht bedeckenden dünnen dielektrischen Abdeckschicht, die eine erste regelmäßige Anordnung schmaler linienartiger Öffnungen und eine zweite regelmäßige Anordnung wesentlich breiterer linienartiger oder langgestreckt inselartiger Öffnungen aufweist, wobei die erste und zweite Öffnungs-Anordnung unter einem Winkel, insbesondere quer zueinander ausgerichtet sind, und – einer hoch leitfähigen und an der freiliegenden Oberfläche lötfähigen zweiten Metallschicht in den Öffnungen der ersten und zweiten Öffnungs-Anordnung, die dort die erste Metallschicht kontaktiert.
  2. Solarzelle nach Anspruch 1, wobei die zweite Metallschicht mindestens ein Metall aus der Pd, Ni, Ag, Cu und Sn umfassenden Gruppe aufweist.
  3. Solarzelle nach Anspruch 2, wobei die zweite Metallschicht eine Folge von Metallschichten aufweist, insbesondere die Schichtfolge Pd/Ni/Ag oder Ni/Cu/Sn.
  4. Solarzelle nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die erste Metallschicht mindestens ein Metall aus der Al, Ti, Pd, Ag, NiCr, Ni und Ag umfassenden Gruppe aufweist.
  5. Solarzelle nach Anspruch 4, wobei die erste Metallschicht eine Folge von Metallschichten aufweist, insbesondere die Schichtfolge Ti/Pd/Ag oder NiCr/Ni/Ag oder Al/Ni-Saatschicht.
  6. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die zweite Metallschicht eine chemisch oder galvanisch abgeschiedene Verstärkungsschicht aufweist.
  7. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die dünne dielektrische Abdeckschicht mindestens ein Material aus der Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid und Titanoxid umfassenden Gruppe aufweist.
  8. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Halbleitersubstrat ein p-dotiertes Siliziumsubstrat mit einem Phosphordotierten Emitter auf der ersten Hauptoberfläche ist.
  9. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Halbleitersubstrat ein n-dotiertes Siliziumsubstrat mit einem Bor- oder Aluminiumdotierten p+-Emitter auf der zweiten Hauptoberfläche ist.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Metallschicht mittels eines Vakuum-Aufdampf- oder Sputterverfahrens erzeugt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die zweite Metallschicht unter Einsatz einer chemischen oder galvanischen Verstärkungsbades erzeugt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei die ersten und zweiten Öffnungen in der dünnen dielektrischen Abdeckschicht durch maskiertes Ionenätzen gebildet werden, insbesondere in der gleichen Anlage, in der die Abdeckschicht erzeugt wurde.
  13. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei die ersten und zweiten Öffnungen in der dünnen dielektrischen Abdeckschicht durch Laserablation oder durch Ätzen unter Nutzung einer mittels Siebdruck oder Tintenstrahldruck aufgetragenen Ätzpaste gebildet werden.
DE102010028189.1A 2010-04-26 2010-04-26 Solarzelle Expired - Fee Related DE102010028189B4 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010028189.1A DE102010028189B4 (de) 2010-04-26 2010-04-26 Solarzelle
JP2013506556A JP2013526045A (ja) 2010-04-26 2011-03-01 太陽電池
CN201180020871.4A CN102893406B (zh) 2010-04-26 2011-03-01 太阳能电池
KR1020127030801A KR20130073900A (ko) 2010-04-26 2011-03-01 태양 전지
EP11705887.5A EP2586067A2 (de) 2010-04-26 2011-03-01 Solarzelle
PCT/EP2011/052954 WO2011134700A2 (de) 2010-04-26 2011-03-01 Solarzelle
US13/643,648 US9209321B2 (en) 2010-04-26 2011-03-01 Solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010028189.1A DE102010028189B4 (de) 2010-04-26 2010-04-26 Solarzelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102010028189A1 true DE102010028189A1 (de) 2011-10-27
DE102010028189B4 DE102010028189B4 (de) 2018-09-27

Family

ID=44625254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102010028189.1A Expired - Fee Related DE102010028189B4 (de) 2010-04-26 2010-04-26 Solarzelle

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9209321B2 (de)
EP (1) EP2586067A2 (de)
JP (1) JP2013526045A (de)
KR (1) KR20130073900A (de)
CN (1) CN102893406B (de)
DE (1) DE102010028189B4 (de)
WO (1) WO2011134700A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113306272A (zh) * 2021-06-21 2021-08-27 江苏润阳世纪光伏科技有限公司 一种丝网印刷生产用的新型网版图形制作方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
EP2654090B1 (de) 2012-04-17 2020-07-08 LG Electronics, Inc. Solarzelle
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
TWI500174B (zh) * 2013-01-08 2015-09-11 Motech Ind Inc 太陽能電池及其模組
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9412884B2 (en) * 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
WO2014110520A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Silevo, Inc. Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
TWI505484B (zh) * 2013-05-31 2015-10-21 Motech Ind Inc 太陽能電池及其模組
US9786800B2 (en) * 2013-10-15 2017-10-10 Solarworld Americas Inc. Solar cell contact structure
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
WO2019044676A1 (ja) 2017-08-29 2019-03-07 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19525720C2 (de) 1995-07-14 1998-06-10 Siemens Solar Gmbh Herstellungsverfahren für eine Solarzelle ohne Vorderseitenmetallisierung
DE19915666A1 (de) 1999-04-07 2000-10-19 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur selektiven Kontaktierung von Solarzellen
JP2005027309A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Eastman Kodak Co Ｊｐｅｇ２０００圧縮画像をトランスコードするための方法
DE102007059486A1 (de) 2007-12-11 2009-06-18 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktsolarzelle mit länglichen, ineinander verschachtelten Emitter- und Basisbereichen an der Rückseite und Herstellungsverfahren hierfür
DE102008013446A1 (de) 2008-02-15 2009-08-27 Ersol Solar Energy Ag Verfahren zur Herstellung monokristalliner n-Silizium-Solarzellen sowie Solarzelle, hergestellt nach einem derartigen Verfahren
DE102008017312A1 (de) 2008-04-04 2009-10-15 Universität Stuttgart Photovoltaik-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102008020796A1 (de) 2008-04-22 2009-11-05 Q-Cells Ag Rückseitenkontakt-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102008033169A1 (de) 2008-05-07 2009-11-12 Ersol Solar Energy Ag Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Solarzelle

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4927770A (en) * 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
ES2169078T3 (es) 1993-07-29 2002-07-01 Gerhard Willeke Procedimiento para fabricacion de una celula solar, asi como la celula solar fabricada segun este procedimiento.
DE19515666A1 (de) 1995-04-28 1996-10-31 Daimler Benz Ag Verfahren zur Detektion und Klassifizierung vergrabener Objekte mittels eines Radarverfahrens
US20090111206A1 (en) * 1999-03-30 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US6337283B1 (en) * 1999-12-30 2002-01-08 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
JP4170701B2 (ja) * 2002-07-31 2008-10-22 信越半導体株式会社 太陽電池及びその製造方法
US20070107773A1 (en) * 2005-11-17 2007-05-17 Palo Alto Research Center Incorporated Bifacial cell with extruded gridline metallization
US20070295399A1 (en) * 2005-12-16 2007-12-27 Bp Corporation North America Inc. Back-Contact Photovoltaic Cells
US20090238994A1 (en) * 2006-01-25 2009-09-24 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Method for producing a metal contact structure of a solar cell
US20080128020A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 First Solar, Inc. Photovoltaic devices including a metal stack
WO2008157577A2 (en) * 2007-06-18 2008-12-24 E-Cube Technologies, Inc. Methods and apparatuses for improving power extraction from solar cells
JP5226255B2 (ja) * 2007-07-13 2013-07-03 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
US7820540B2 (en) * 2007-12-21 2010-10-26 Palo Alto Research Center Incorporated Metallization contact structures and methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon solar cells
US20090301559A1 (en) * 2008-05-13 2009-12-10 Georgia Tech Research Corporation Solar cell having a high quality rear surface spin-on dielectric layer
DE102008024053A1 (de) * 2008-05-16 2009-12-17 Deutsche Cell Gmbh Punktkontakt-Solarzelle
US8207444B2 (en) * 2008-07-01 2012-06-26 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed electrically conducting layers on the front side and backside
JP5410050B2 (ja) * 2008-08-08 2014-02-05 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US7897434B2 (en) * 2008-08-12 2011-03-01 International Business Machines Corporation Methods of fabricating solar cell chips
US7951637B2 (en) * 2008-08-27 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Back contact solar cells using printed dielectric barrier
DE102009031151A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-12 Bosch Solar Energy Ag Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102009016268A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-12 Bosch Solar Energy Ag Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102009008786A1 (de) * 2008-10-31 2010-06-10 Bosch Solar Energy Ag Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
JP5642370B2 (ja) * 2009-09-29 2014-12-17 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US8115097B2 (en) * 2009-11-19 2012-02-14 International Business Machines Corporation Grid-line-free contact for a photovoltaic cell
DE102010027940A1 (de) * 2010-04-20 2011-10-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19525720C2 (de) 1995-07-14 1998-06-10 Siemens Solar Gmbh Herstellungsverfahren für eine Solarzelle ohne Vorderseitenmetallisierung
DE19915666A1 (de) 1999-04-07 2000-10-19 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur selektiven Kontaktierung von Solarzellen
JP2005027309A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Eastman Kodak Co Ｊｐｅｇ２０００圧縮画像をトランスコードするための方法
DE102007059486A1 (de) 2007-12-11 2009-06-18 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktsolarzelle mit länglichen, ineinander verschachtelten Emitter- und Basisbereichen an der Rückseite und Herstellungsverfahren hierfür
DE102008013446A1 (de) 2008-02-15 2009-08-27 Ersol Solar Energy Ag Verfahren zur Herstellung monokristalliner n-Silizium-Solarzellen sowie Solarzelle, hergestellt nach einem derartigen Verfahren
DE102008017312A1 (de) 2008-04-04 2009-10-15 Universität Stuttgart Photovoltaik-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102008020796A1 (de) 2008-04-22 2009-11-05 Q-Cells Ag Rückseitenkontakt-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102008033169A1 (de) 2008-05-07 2009-11-12 Ersol Solar Energy Ag Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Solarzelle

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Laserstrahlverfahren zur Fertigung kristalliner Silizium-Solarzellen", Dissertation Eric Schneiderlöchner, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg im Breisgau (2004)
A. Götzberger et. al., "Sonnenenergie: Photovoltaik", B. G. Teubner Stuttgart, 1997

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113306272A (zh) * 2021-06-21 2021-08-27 江苏润阳世纪光伏科技有限公司 一种丝网印刷生产用的新型网版图形制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011134700A2 (de) 2011-11-03
WO2011134700A3 (de) 2012-06-07
US9209321B2 (en) 2015-12-08
KR20130073900A (ko) 2013-07-03
DE102010028189B4 (de) 2018-09-27
JP2013526045A (ja) 2013-06-20
CN102893406B (zh) 2016-11-09
EP2586067A2 (de) 2013-05-01
US20130104975A1 (en) 2013-05-02
CN102893406A (zh) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010028189B4 (de) Solarzelle
DE102011050089B4 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kontakten an einer Solarzelle, Solarzelle und Verfahren zum Herstellen eines Rückseiten-Kontaktes einer Solarzelle
EP2151869A2 (de) Halbleiter-Bauelement
DE112012006610T5 (de) Solarzelle, Solarzellenmodul und Verfahren zum Fertigen einer Solarzelle
EP2561557B1 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle
DE102011000753A1 (de) Solarzelle, Solarmodul und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
EP1784870B1 (de) Halbleiterbauelement mit einem auf mindestens einer oberfläche angeordneten elektrischen kontakt
DE102009008786A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
DE102011115581B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
EP2671264B1 (de) Photovoltaische solarzelle sowie verfahren zu deren herstellung
DE112017004982B4 (de) Solarzellen mit differenziertem p-Typ- und n-Typ-Bereichsarchitekturen
WO2014128032A1 (de) Halbleiterbauelement, insbesondere solarzelle und verfahren zum herstellen einer metallischen kontaktierungsstruktur eines halbleiterbauelements
EP2786420A2 (de) Solarzelle und verfahren zum herstellen einer solarzelle
DE102010020557A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierbaren Solarzelle aus einem Silizium-Halbleitersubstrat
DE102011086302A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einer Oberfläche einer Halbleiterstruktur und photovoltaische Solarzelle
WO2022117826A1 (de) Rückseitenkontaktierte solarzelle und herstellung einer solchen
DE102005026176B3 (de) Verfahren zur flächigen Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit reduzierter Durchbiegung sowie entsprechendes Halbleiterbauelement und Herstellungsvorrichtung
WO2010081460A1 (de) Solarzelle und verfahren zur herstellung einer solarzelle
DE102011015283B4 (de) Herstellung eines Halbleiter-Bauelements durch Laser-unterstütztes Bonden und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement
DE102013219560A1 (de) Photovoltaische Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierung einer photovoltaischen Solarzelle
WO2013113638A1 (de) Photovoltaische solarzelle und verfahren zum herstellen einer photovoltaischen solarzelle
EP4147277B1 (de) Rückseitenkontaktierte solarzelle
DE102016110965B4 (de) Halbleiter-Bauelement mit vorder- und rückseitiger Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2024104976A1 (de) Solarzelle mit einer eine siliziumkarbidschicht umfassenden frontkontaktstruktur und verfahren zu deren herstellung
DE102011051040A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Metallisierungsstruktur

Legal Events

Date Code Title Description
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: SOLARWORLD INDUSTRIES THUERINGEN GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: ROBERT BOSCH GMBH, 70469 STUTTGART, DE

Effective date: 20140724

Owner name: SOLARWORLD INDUSTRIES GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: ROBERT BOSCH GMBH, 70469 STUTTGART, DE

Effective date: 20140724

R082 Change of representative

Representative=s name: ISARPATENT PATENT- UND RECHTSANWAELTE, DE

Effective date: 20140724

R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MEYER BURGER (GERMANY) GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: SOLARWORLD INDUSTRIES THUERINGEN GMBH, 99310 ARNSTADT, DE

Owner name: SOLARWORLD INDUSTRIES GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: SOLARWORLD INDUSTRIES THUERINGEN GMBH, 99310 ARNSTADT, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: ISARPATENT PATENT- UND RECHTSANWAELTE, DE

R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative
R020 Patent grant now final
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MEYER BURGER (GERMANY) GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: SOLARWORLD INDUSTRIES GMBH, 53175 BONN, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee