DE102010007769A1 - Wafer processing method - Google Patents

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Abstract

Ein Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet einen Waferschleifschritt zum Schleifen der Rückseite eines Wafers in einem Bereich, der einem an der Vorderseite des Wafers ausgebildeten Bauelementbereich entspricht, um dadurch die Dicke des Bauelementbereichs auf eine vorgegebene Dicke zu verringern und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt an der Rückseite des Wafers in einem Bereich auszubilden, der einem Umfangsrandbereich entspricht, der den Bauelementbereich umgibt, einen Waferteilungsschritt zum Halten des an einem Zerteilungsrahmen gehaltenen Wafers an einem Einspanntisch und weiter zum Schneiden des Wafers entlang jeder Straße durch Verwenden einer Schneidklinge, um dadurch den Bauelementbereich in einzelne Bauelemente zu teilen, und einen Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt zum Schneiden des Wafers entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsrandbereich durch Verwenden der Schneidklinge, während der Einspanntisch gedreht wird, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt wird.A wafer processing method includes a wafer grinding step of grinding the back side of a wafer in a region corresponding to a device region formed on the front side of the wafer, thereby reducing the thickness of the device region to a predetermined thickness while maintaining an annular reinforcing portion on the backside of the wafer in a wafer Forming a region corresponding to a peripheral edge portion surrounding the device region, a wafer dividing step of holding the wafer held on a dicing frame to a chuck table, and further cutting the wafer along each road by using a cutting blade to thereby divide the device region into discrete components; and a removing step for the annular reinforcing portion for cutting the wafer along the boundary between the component portion and the peripheral edge portion by using the cutting blade while the gripping ice is rotated, whereby the annular reinforcing portion is removed from the wafer.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren, das einen Wafer mit einer verringerten Dicke in einzelne Bauelemente teilen kann, ohne die Handhabbarkeit des Wafers zu beeinträchtigen.The The present invention relates to a wafer processing method which a wafer with a reduced thickness in individual components can share without affecting the handling of the wafer.

Beschreibung des Stands der TechnikDescription of the state of the technology

Bei einem Halbleiterbauelement-Herstellvorgang werden mehrere als Straßen bezeichnete, sich kreuzende Trennlinien an der Vorderseite eines im Wesentlichen scheibenförmigen Hableiterwafers ausgebildet, um dadurch mehrere Bereiche abzuteilen, in denen Bauelemente, wie zum Beispiel ICs und LSIs jeweils ausgebildet werden. Der Halbleiterwafer wird mit einer Schneidvorrichtung entlang dieser Straßen geschnitten, um dadurch den Wafer in die einzelnen Bauelemente zu teilen. Vor dem Schneiden des Wafers entlang der Straßen wird die Rückseite des Wafers geschliffen, um die Dicke des Wafers auf eine vorgegebene Dicke zu verringern. In den letzten Jahren war es erforderlich, die Waferdicke auf zum Beispiel ungefähr 50 μm zu verringern, um eine Verringerung der Größe und des Gewichts elektrischer Geräte zu erreichen.at A semiconductor device manufacturing process is more than roads designated, crossing dividing lines on the front of a essentially disk-shaped semiconductor wafer, thereby divide several areas in which components, such as For example, ICs and LSIs are each formed. The semiconductor wafer becomes cut with a cutting device along these streets, to thereby divide the wafer into the individual components. In front cutting the wafer along the streets becomes the back side the wafer is ground to the thickness of the wafer to a predetermined To reduce thickness. In recent years, it has been necessary the wafer thickness is, for example, about 50 μm reduce to a reduction in size and the weight of electrical appliances.

Jedoch neigt solch ein sehr dünner Wafer dazu, sich wie ein Blatt Papier leicht zu biegen, was Schwierigkeiten bei der Handhabung verursacht, so dass die Möglichkeit einer Beschädigung des Wafers während des Transports oder dergleichen besteht. Um dieses Problem zu bewältigen, wurde zum Beispiel in dem offengelegten japanischen Patent Nr. 2007-173487 ein Waferschleifverfahren vorgeschlagen. Bei diesem Waferschleifverfahren wird die Rückseite eines Wafers in einem Bereich geschliffen, der einem an der Vorderseite des Wafers ausgebildeten Bauelementbereich entspricht, um dadurch die Dicke des Bauelementbereichs auf eine vorgegebene Dicke zu verringern und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt an der Rückseite des Wafers in einem Bereich auszubilden, der einem Umfangsrandbereich entspricht, der den Bauelementbereich umgibt. Außerdem wurde ein Waferteilungsverfahren zum Teilen eines solchen Wafers, der einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt an dem äußeren Umfangsbereich an dessen Rückseite aufweist, in einzelne Bauelemente entlang jeder Straße (Trennlinie) vorgeschlagen (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent Nr. 2007-19379 ). Bei diesem Waferteilungsverfahren wird der Wafer von dessen Vorderseite aus durch Verwenden einer Schneidklinge geschnitten, nachdem der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt wurde.However, such a very thin wafer tends to bend easily like a sheet of paper, causing difficulty in handling, so that there is a possibility of wafer damage during transportation or the like. To cope with this problem has been disclosed, for example in the Japanese Patent No. 2007-173487 proposed a wafer grinding process. In this wafer grinding method, the back side of a wafer is ground in a region corresponding to a device region formed on the front side of the wafer, thereby reducing the thickness of the device region to a predetermined thickness while forming an annular reinforcing section on the back surface of the wafer in a region that corresponds to a peripheral edge area surrounding the device area. In addition, a wafer dividing method for dividing such a wafer having an annular reinforcing portion at the outer peripheral portion at the rear side thereof has been proposed into individual components along each road (parting line) Japanese Patent No. 2007-19379 ). In this wafer-dividing process, the wafer is cut from the front side thereof by using a cutting blade after the annular reinforcing portion is removed from the wafer.

Jedoch wird der Wafer, von dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt entfernt wurde, während der Handhabung bei dem Schneidvorgang leicht beschädigt. Dementsprechend besteht bei dem Teilen des Wafers, der den ringförmigen Verstärkungsabschnitt an dem äußeren Umfangsbereich an dessen Rückseite aufweist, in die einzelnen Bauelemente ein Problem bezüglich dessen, wann der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt werden soll.however becomes the wafer from which the annular reinforcing portion was removed during handling during the cutting process slightly damaged. Accordingly, when sharing the Wafers, the annular reinforcing section at the outer peripheral portion at the rear side thereof has, in the individual components a problem regarding of which, when the annular reinforcing section should be removed from the wafer.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das einen Wafer in einzelne Bauelemente teilen kann, ohne die Handhabbarkeit des Wafers beim Schneiden desselben zu beeinträchtigen, wobei die Rückseite des Wafers an dessen mittlerem Abschnitt geschliffen wird, um einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt über den äußeren Umfang des Wafers zu belassen.It Therefore, it is an object of the present invention to provide a wafer processing method which can divide a wafer into individual components, without compromising the handling of the wafer when cutting it, the back side of the wafer being ground at its middle section is about an annular reinforcing section over leave the outer periphery of the wafer.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers in mehrere einzelne Bauelemente entlang mehrerer an der Vorderseite des Wafers ausgebildeter Straßen bereitgestellt, wobei der Wafer einen Bauelementbereich, in dem die einzelnen Bauelemente ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich, der den Bauelementbereich umgibt, aufweist und das Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet: einen Waferschleifschritt zum Schleifen der Rückseite des Wafers in einem Bereich, der dem Bauelementbereich entspricht, um dadurch die Dicke des Bauelementbereichs auf eine vorgegebene Dicke zu verringern und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt an der Rückseite des Wafers in einem Bereich auszubilden, der dem Umfangsrandbereich entspricht; einen Waferhalteschritt zum Anbringen der Rückseite des Wafers an einen Mittelabschnitt eines Zerteilungsbands (dicing tape), dessen äußerer Umfangsabschnitt an einem ringförmigen Zerteilungsrahmen gehalten wird, nach dem Durchführen des Waferschleifschritts; einen Waferteilungsschritt zum Halten des Wafers an einem Einspanntisch, der einen Bauelementbereich-Halteabschnitt zum Halten der Rückseite des Bauelementbereichs unter Ansaugen und einen Halteabschnitt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt zum Halten des ringförmigen Verstärkungsabschnitts aufweist, nach dem Durchführen des Waferhalteschritts und weiter zum Schneiden des Wafers entlang jeder Straße durch Verwenden einer Schneidklinge, um den Bauelementbereich in die einzelnen Bauelemente zu teilen; einen Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt zum Schneiden des Wafers entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsrandbereich durch Verwenden der Schneidklinge, während der Einspanntisch gedreht wird, nach dem Durchführen des Waferteilungsschritts, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt wird; und einen Aufnahmeschritt zum Aufnehmen jedes Bauelements von dem Zerteilungsband nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method of dividing a wafer into a plurality of individual devices along a plurality of streets formed on the front side of the wafer, the wafer comprising a device region in which the individual devices are formed and a peripheral edge region surrounding the device region , and the wafer processing method includes: a wafer grinding step of grinding the back surface of the wafer in a region corresponding to the device region, thereby reducing the thickness of the device region to a predetermined thickness while forming an annular reinforcing portion on the back surface of the wafer in a region that corresponds to the peripheral edge area; a wafer holding step of attaching the back side of the wafer to a center portion of a dicing tape whose outer peripheral portion is held on an annular dicing frame after performing the wafer grinding step; a wafer dividing step of holding the wafer to a chuck table having a component area holding portion for holding the back side of the device area under suction and a holding portion for the annular reinforcing portion for holding the annular reinforcing portion after performing the wafer holding step and further cutting the wafer along each one Road by using a cutting blade to divide the device area into the individual components; a removing step for the annular reinforcing portion for cutting the wafer along the boundary between the component portion and the peripheral edge portion by using the cutting blade while the chuck table is rotated after performing the wafer dividing step, whereby the annular reinforcing portion is removed from the wafer; and a pickup step for picking up each component from the dicing tape after performing the removing step for the annular reinforcing portion.

Vorzugsweise beinhaltet das Zerteilungsband ein Klebeband, dessen Klebkraft durch einen äußeren Impuls verringert werden kann; und beinhaltet der Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt den Schritt des Aufbringens des äußeren Impulses auf das Zerteilungsband an dessen Bereich, der an dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt angebracht ist, nachdem der Wafer entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsrandbereich geschnitten wurde.Preferably The dicing tape includes an adhesive tape whose adhesive power is through an external pulse can be reduced; and includes the removal step for the annular Reinforcement section, the step of applying the outer Pulse on the dicing tape at the area which at the annular Reinforcement section is attached after the wafer along the boundary between the device area and the peripheral edge area was cut.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Wafer in dem Zustand in die einzelnen Bauelemente geteilt, in dem der Wafer durch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt verstärkt wird. Danach wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt. Dementsprechend kann der Wafer, der eine verringerte Dicke aufweist, zuverlässig in die einzelnen Bauelemente geteilt werden, ohne die Handhabbarkeit des Wafers beim Schneiden desselben zu beeinträchtigen und ohne ein Absplittern jedes Bauelements zu verursachen.According to the Present invention, the wafer in the state in the individual Split elements in which the wafer through the annular Reinforcement section is reinforced. After that will the annular reinforcing portion of the Wafer removed. Accordingly, the wafer that reduces one Has thickness, reliable in the individual components be shared without the handling of the wafer when cutting affecting it and without splintering each one To cause component.

Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, wird offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen studiert werden, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen.The Above and other objects, features and advantages of the present invention Invention and the way to realize it will become more obvious and the invention itself will be best understood by the following description and the appended claims to be studied with reference to the attached drawings, which show some preferred embodiments of the invention.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers, wenn dieser von dessen Vorderseite aus betrachtet wird; 1 Fig. 12 is a perspective view of a semiconductor wafer when viewed from the front side thereof;

2 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterwafers, wenn dieser von dessen Rückseite aus betrachtet wird, in dem Zustand, in dem ein Schutzband an der Vorderseite des Halbleiterwafers angebracht ist; 2 Fig. 12 is a perspective view of the semiconductor wafer when viewed from the back side thereof in the state where a guard tape is attached to the front side of the semiconductor wafer;

3 ist eine perspektivische Ansicht eines wesentlichen Teils einer Schleifvorrichtung; 3 Fig. 12 is a perspective view of an essential part of a grinding apparatus;

4 ist eine schematische Draufsicht zum Veranschaulichen eines durch die Schleifvorrichtung durchzuführenden Waferschleifschritts; 4 FIG. 12 is a schematic plan view illustrating a wafer grinding step to be performed by the grinding apparatus; FIG.

5 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers, der durch Durchführen des Waferschleifschritts ausgebildet wurde; 5 Fig. 10 is a sectional view of the semiconductor wafer formed by performing the wafer grinding step;

6 ist eine perspektivische Ansicht zum Veranschaulichen eines Waferhalteschritts zum Halten des Halbleiterwafers an einem Zerteilungsrahmen durch ein Zerteilungsband; 6 Fig. 15 is a perspective view illustrating a wafer holding step for holding the semiconductor wafer to a dicing frame by a dicing tape;

7 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers, der durch das Zerteilungsband an dem Zerteilungsrahmen gehalten wird; 7 Fig. 12 is a sectional view of the semiconductor wafer held by the dicing tape on the dicing frame;

8 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers in dem Zustand, in dem dieser an einem Einspanntisch gehalten wird; 8th Fig. 11 is a sectional view of the semiconductor wafer in the state of being held on a chuck table;

9 ist eine perspektivische Ansicht zum Veranschaulichen eines Waferteilungsschritts; 9 Fig. 16 is a perspective view illustrating a wafer dividing step;

10A und 10B sind perspektivische Ansichten zum Veranschaulichen eines Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt; und 10A and 10B Fig. 15 is perspective views for illustrating a removal step for the annular reinforcing portion; and

11A und 11B sind Schnittdarstellungen zum Veranschaulichen eines Aufnahmeschritts. 11A and 11B are sectional views illustrating a recording step.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMDETAILED DESCRIPTION THE PREFERRED EMBODIMENT

Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun im Einzelnen mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines durch die vorliegende Erfindung zu bearbeitenden Halbleiterwafers 11. Der in 1 gezeigte Halbleiterwafer 11 ist zum Beispiel ein Siliziumwafer mit einer Dicke von 700 μm. Der Halbleiterwafer 11 weist eine Vorderseite 11a und eine Rückseite 11b auf. Mehrere sich kreuzende Straßen 13 sind an der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 ausgebildet, um dadurch mehrere rechteckige Bereiche abzuteilen, in denen mehrere Bauelemente 15, wie zum Beispiel ICs und LISs, jeweils ausgebildet sind. Der Halbleiterwafer 11 beinhaltet einen Bauelementbereich 17, in dem die Bauelemente 15 ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich 19, der den Bauelementbereich 17 umgibt. Der äußere Umfang des Halbleiterwafers 11 ist mit einer Kerbe 21 als einer Markierung ausgebildet, welche die Kristallorientierung des Siliziumwafers anzeigt.A preferred embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. 1 FIG. 12 is a perspective view of a semiconductor wafer to be processed by the present invention. FIG 11 , The in 1 shown semiconductor wafer 11 is, for example, a silicon wafer with a thickness of 700 microns. The semiconductor wafer 11 has a front 11a and a back 11b on. Several intersecting streets 13 are at the front 11a of the semiconductor wafer 11 formed to thereby divide a plurality of rectangular areas in which multiple components 15 , such as ICs and LISs, are each formed. The semiconductor wafer 11 includes a component area 17 in which the components 15 are formed, and a peripheral edge portion 19 that the component area 17 surrounds. The outer circumference of the semiconductor wafer 11 is with a score 21 is formed as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

Ein Schutzband 23 wird an der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 durch einen Schutzband-Anbringungsschritt angebracht, wie in 2 gezeigt ist. Dementsprechend ist die Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 durch das Schutzband 23 geschützt und die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 freigelegt, wie in 2 gezeigt ist. Nach dem Durchführen des oben beschriebenen Schutzband-Anbringungsschritts wird ein Waferschleifschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 in einem Bereich geschliffen wird, der dem Bauelementbereich 17 entspricht, um eine kreisförmige Aussparung auszubilden und gleichzeitig einen Bereich, der dem Umfangsrandbereich 19 entspricht, als einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt um die kreisförmige Aussparung herum zu belassen. Dieser Waferschleifschritt wird nun mit Bezug auf 3 bis 5 näher beschrieben.A protective tape 23 will be at the front 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape attaching step as shown in FIG 2 is shown. Accordingly, the front is 11a of the semiconductor wafer 11 through the protective tape 23 protected and the back 11b of the semiconductor wafer 11 exposed, as in 2 is shown. After performing the protection described above Tape attachment step, a wafer grinding step is performed in such a manner that the back 11b of the semiconductor wafer 11 is ground in an area of the device area 17 corresponds to form a circular recess and at the same time a portion of the peripheral edge area 19 corresponds to leave as an annular reinforcing portion around the circular recess around. This wafer grinding step will now be described with reference to 3 to 5 described in more detail.

Zunächst wird mit Bezug auf 3 eine perspektivische Ansicht eines wesentlichen Teils einer Schleifvorrichtung 2 zum Durchführen des Waferschleifschritts gezeigt. Die Schleifvorrichtung 2 beinhaltet einen drehbaren Einspanntisch 4 zum Halten des Halbleiterwafers 11 und eine Schleifeinheit 6 zum Schleifen der Rückseite 11b des an dem Einspanntisch 4 gehaltenen Halbleiterwafers 11. Die Schleifeinheit 6 beinhaltet eine Achse 8, die drehbar und vertikal bewegbar ist, eine Schleifscheibe 10, die an dem unteren Ende der Achse 8 angebracht ist, und einen Schleifring 12, der an der unteren Oberfläche der Schleifscheibe 10 befestigt ist. Der Schleifring 12 besteht aus mehreren Schleifelementen (Schleifsteinen), die mit vorgegebenen Abständen entlang des äußeren Umfangs der Schleifscheibe 10 ringförmig angeordnet sind. Der Halbleiterwafer 11 mit dem Schutzband 23 wird an dem Einspanntisch 4 in dem Zustand gehalten, in dem das an der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 angebrachte Schutzband 23 an der oberen Oberfläche des Einspanntischs 4 unter Ansaugen angeordnet ist und die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 dem Schleifring 12 gegenüberliegt.First, with reference to 3 a perspective view of an essential part of a grinding device 2 for performing the wafer grinding step. The grinding device 2 includes a rotatable chuck table 4 for holding the semiconductor wafer 11 and a grinding unit 6 for grinding the back 11b at the chuck table 4 held semiconductor wafer 11 , The grinding unit 6 includes an axis 8th which is rotatable and vertically movable, a grinding wheel 10 at the lower end of the axle 8th attached, and a slip ring 12 attached to the lower surface of the grinding wheel 10 is attached. The slip ring 12 consists of several grinding elements (grindstones), with predetermined intervals along the outer circumference of the grinding wheel 10 are arranged annularly. The semiconductor wafer 11 with the protective tape 23 is at the chuck table 4 kept in the state in which the at the front 11a of the semiconductor wafer 11 attached protective tape 23 on the upper surface of the chuck table 4 is arranged under suction and the back 11b of the semiconductor wafer 11 the slip ring 12 opposite.

Die Beziehung zwischen dem an dem Einspanntisch 4 gehaltenen Halbleiterwafer 11 und dem an der Schleifscheibe 10 angebrachten Schleifring 12 wird nun mit Bezug auf 4 beschrieben. Das Zentrum P1 der Drehung des Einspanntischs 4 und das Zentrum P2 der Drehung des Schleifrings 12 weichen voneinander ab, wie in 4 gezeigt ist. Ferner ist der äußere Durchmesser des Schleifrings 12 so festgelegt, dass er kleiner als der Durchmesser eines Grenzkreises 28 zwischen dem Bauelementbereich 17 und dem Umfangsrandbereich 19 des Halbleiterwafers 11 und etwas größer als der Radius des Grenzkreises 28 ist. Dementsprechend tritt der Schleifring 12 durch das Zentrum P1 der Drehung des Einspanntischs 4.The relationship between the at the chuck table 4 held semiconductor wafer 11 and at the grinding wheel 10 attached slip ring 12 will now be referring to 4 described. The center P1 of the rotation of the chuck table 4 and the center P2 of the rotation of the slip ring 12 differ from each other, as in 4 is shown. Further, the outer diameter of the slip ring 12 set so that it is smaller than the diameter of a boundary circle 28 between the component area 17 and the peripheral edge area 19 of the semiconductor wafer 11 and slightly larger than the radius of the boundary circle 28 is. Accordingly, the slip ring occurs 12 through the center P1 of the rotation of the chuck table 4 ,

Wie in 3 und 4 gezeigt ist, wird der Einspanntisch 4 zum Beispiel mit 300 U/min (Umdrehungen pro Minute) in der durch einen Pfeil 30 gezeigten Richtung gedreht und die Schleifscheibe 10 zum Beispiel mit 6000 U/min in der durch einen Pfeil 32 gezeigten Richtung gedreht. Gleichzeitig wird ein Zuführmechanismus (nicht gezeigt) betätigt, um die Schleifscheibe 10 abzusenken, bis der Schleifring 12 mit der Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 in Kontakt kommt. Danach wird die Schleifscheibe mit einer vorgegebenen Zuführrate um einen vorgegebenen Betrag nach unten zugeführt. Als Folge wird die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 in einem Bereich geschliffen, der dem Bauelementbereich 17 entspricht, um eine kreisförmige Aussparung 24 mit einer vorgegebenen Tiefe auszubilden, wie in 5 gezeigt ist. Das heißt die Dicke des Halbleiterwafers 11 ist nur in dem Bauelementbereich 17 auf eine vorgegebene Dicke (zum Beispiel 50 μm) verringert. Gleichzeitig ist ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt 26 als ein verbleibender Abschnitt in einem Bereich, der dem Umfangsrandbereich 19 entspricht, so ausgebildet, dass er die kreisförmige Aussparung 24 umgibt, wie in 5 gezeigt ist.As in 3 and 4 is shown, the chuck table 4 For example, at 300 rpm (revolutions per minute) in the by an arrow 30 rotated direction and the grinding wheel 10 for example, with 6000 rpm in the by an arrow 32 turned direction shown. At the same time, a feed mechanism (not shown) is actuated to the grinding wheel 10 Lower until the slip ring 12 with the back 11b of the semiconductor wafer 11 comes into contact. Thereafter, the grinding wheel is fed down at a predetermined feeding rate by a predetermined amount. As a result, the back is 11b of the semiconductor wafer 11 Grinded in an area of the device area 17 corresponds to a circular recess 24 with a given depth, as in 5 is shown. That is, the thickness of the semiconductor wafer 11 is only in the component area 17 reduced to a predetermined thickness (for example, 50 microns). At the same time is an annular reinforcing section 26 as a remaining portion in an area corresponding to the peripheral edge area 19 corresponds, so that it forms the circular recess 24 surrounds, as in 5 is shown.

Nach dem Durchführen des Waferschleifschritts wird ein Waferhalteschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 an einen Mittelabschnitt eines Zerteilungsbands 34 als ein Klebeband angebracht wird, dessen äußerer Umfangsabschnitt an einem ringförmigen Zerteilungsrahmen 36 gehalten wird, wie in 6 gezeigt ist. Wie in 7 gezeigt ist, ist das Zerteilungsband 34 an der Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 auf eine solche Weise angebracht, dass es nicht nur die untere Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 26, sondern auch die gesamte innere Oberfläche der kreisförmigen Aussparung 24 bedeckt. Danach wird das Schutzband 23 von der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 abgezogen, wie in 6 gezeigt ist.After performing the wafer grinding step, a wafer holding step is performed in such a manner that the backside 11b of the semiconductor wafer 11 to a central portion of a dicing belt 34 is attached as an adhesive tape whose outer peripheral portion on an annular dicing frame 36 is held as in 6 is shown. As in 7 is shown is the dicing tape 34 at the back 11b of the semiconductor wafer 11 attached in such a way that it is not only the lower surface of the annular reinforcing portion 26 but also the entire inner surface of the circular recess 24 covered. After that, the guard band 23 from the front 11a of the semiconductor wafer 11 deducted, as in 6 is shown.

Nach dem Durchführen des oben beschriebenen Waferhalteschritts wird ein Waferteilungsschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass der an dem Zerteilungsrahmen 36 gehaltene Halbleiterwafer 11 an einem Einspanntisch einer Zerteilungsvorrichtung (Schneidvorrichtung) gehalten und dann entlang jeder Straße 13 durch Verwenden einer Schneidklinge geschnitten wird, um dadurch den Halbleiterwafer 11 in die einzelnen Bauelemente 15 zu teilen. Spezieller wird ein in 8 gezeigter Einspanntisch 40 vorzugsweise als der Einspanntisch der Zerteilungsvorrichtung verwendet. Wie in 8 gezeigt ist, beinhaltet der Einspanntisch 40 einen Drehschaft 42 mit einem Ansaugdurchlass 44 und einer Halteplatte 46, die fest an dem oberen Ende des Drehschafts 42 angebracht ist.After performing the above-described wafer holding step, a wafer dividing step is performed in such a manner that that on the dicing frame 36 held semiconductor wafer 11 held on a chuck table of a dicing device (cutter) and then along each road 13 is cut by using a cutting blade to thereby form the semiconductor wafer 11 in the individual components 15 to share. More specifically, an in 8th shown chuck table 40 preferably used as the chuck table of the dicing device. As in 8th is shown includes the chuck table 40 a turning shaft 42 with a suction passage 44 and a holding plate 46 firmly attached to the upper end of the rotary shaft 42 is appropriate.

Die Halteplatte 46 ist aus Metall, wie zum Beispiel SUS, ausgebildet und weist eine kreisförmige Aussparung 48 und einen Ansaugdurchlass 50 auf, der mit dem Ansaugdurchlass 44 des Drehschafts 42 kommuniziert. Der Ansaugdurchlass 50 öffnet sich zu der kreisförmigen Aussparung 48. Der Ansaugdurchlass 44 des Drehschafts 42 ist mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden. Ein scheibenförmiges poröses Element 52 ist in die kreisförmige Aussparung 48 der Halteplatte 46 eingepasst. Das poröse Element 52 ist zum Beispiel aus poröser Keramik ausgebildet. Das poröse Element 52 weist eine obere Halteoberfläche auf, die in einer höheren Ebene als die obere Oberfläche der Halteplatte 46 liegt. Der Halbleiterwafer 11 wird an dem Einspanntisch 40 auf eine solche Weise gehalten, dass die untere Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 26 des Halbleiterwafers 11 durch das Zerteilungsband 34 an der Halteplatte 46 gehalten wird und die innere Oberfläche der kreisförmigen Aussparung 24 unter Ansaugen durch das Zerteilungsband 34 an dem porösen Element 52 gehalten wird.The holding plate 46 is formed of metal, such as SUS, and has a circular recess 48 and a suction passage 50 on that with the intake passage 44 of the rotation shaft 42 communicated. The intake passage 50 opens to the circular recess 48 , The intake passage 44 of the rotation shaft 42 is connected to a vacuum source (not shown). A shit benförmiges porous element 52 is in the circular recess 48 the holding plate 46 fitted. The porous element 52 is formed, for example, of porous ceramic. The porous element 52 has an upper holding surface which is in a higher plane than the upper surface of the holding plate 46 lies. The semiconductor wafer 11 is at the chuck table 40 held in such a manner that the lower surface of the annular reinforcing portion 26 of the semiconductor wafer 11 through the dicing tape 34 on the retaining plate 46 is held and the inner surface of the circular recess 24 under suction through the dicing belt 34 on the porous element 52 is held.

In dem Zustand, in dem der Halbleiterwafer 11 wie oben beschrieben unter Ansaugen an dem Einspanntisch 40 gehalten wird, wird der Halbleiterwafer 11 entlang jeder Straße 13 durch Verwenden eines in 9 gezeigten Schneidmittels 54 geschnitten. Wie in 9 gezeigt ist, beinhaltet das Schneidmittel 54 eine Achseneinheit 60 mit einem Achsengehäuse 62. Eine Achse 56 ist drehbar in dem Achsengehäuse 62 vorgesehen. Die Achse 56 wird durch einen Servomotor (nicht gezeigt) drehend angetrieben. Eine Schneidklinge 58 ist an der Achse 56 an deren vorderem Ende angebracht. Wie in 9 gezeigt ist, wird der an dem Einspanntisch 40 gehaltene Halbleiterwafer 11 (siehe 8) in der durch eine X-Achse gezeigten Richtung bewegt und gleichzeitig die Schneidklinge 58, die sich mit einer hohen Geschwindigkeit dreht, abgesenkt, um in eine vorgegebene Straße 13 zu schneiden.In the state where the semiconductor wafer 11 as described above with suction on the chuck table 40 is held, the semiconductor wafer 11 along every street 13 by using a in 9 shown cutting means 54 cut. As in 9 is shown includes the cutting means 54 an axis unit 60 with an axle housing 62 , An axis 56 is rotatable in the axle housing 62 intended. The axis 56 is rotationally driven by a servo motor (not shown). A cutting blade 58 is on the axis 56 attached to the front end. As in 9 is shown, the at the chuck table 40 held semiconductor wafer 11 (please refer 8th ) is moved in the direction shown by an X-axis and at the same time the cutting blade 58 , which turns at a high speed, lowered to a predetermined street 13 to cut.

Danach wird der Einspanntisch 40, der den Halbleiterwafer 11 hält, in der durch eine Y-Achse gezeigten Richtung mit einem in einem Speicher gespeicherten vorgegebenen Straßenabstand bewegt (eingeteilt; indiziert) und wird ein ähnlicher Schneidvorgang entlang der nächsten Straße 13 durchgeführt. Dieser Schneidvorgang wird in ähnlicher Weise entlang der anderen Straßen 13 durchgeführt, die sich in der gleichen Richtung (erste Richtung) erstrecken. Danach wird der Einspanntisch 40 um 90 Grad gedreht, um in ähnlicher Weise den Schneidvorgang entlang aller Straßen 13 durchzuführen, die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken. Als Folge wird der Halbleiterwafer 11 in die einzelnen Bauelemente (Chips) 15 geteilt. Jedoch ist zu dem Zeitpunkt, zu dem der Waferteilungsschritt beendet ist, der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26, der an dem Umfangsabschnitt des Wafers 11 ausgebildet ist und eine Dicke von 700 μm aufweist, nicht vollständig geschnitten. Das heißt der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 ist teilweise geschnitten und dessen Ringform ist beibehalten. Danach wird ein Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt auf die folgende Weise durchgeführt.Then the chuck table becomes 40 that the semiconductor wafer 11 stops (indexes) in the direction shown by a Y axis with a predetermined road distance stored in a memory, and becomes a similar cutting operation along the next road 13 carried out. This cutting process is done in a similar way along the other roads 13 performed, which extend in the same direction (first direction). Then the chuck table becomes 40 rotated 90 degrees, in a similar way the cutting process along all roads 13 perform in a second direction perpendicular to the first direction. As a result, the semiconductor wafer becomes 11 into the individual components (chips) 15 divided. However, at the time when the wafer dividing step is completed, the annular reinforcing portion is 26 at the peripheral portion of the wafer 11 is formed and has a thickness of 700 microns, not completely cut. That is, the annular reinforcing portion 26 is partially cut and its ring shape is retained. Thereafter, a removing step for the annular reinforcing portion is performed in the following manner.

Bei dem Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt wird, wie in 10A gezeigt ist, die Schneidklinge 58 direkt oberhalb der Grenze zwischen dem Bauelementbereich 17 und dem Umfangsrandbereich 19 des an dem Einspanntisch 40 gehaltenen Halbleiterwafers 11 angeordnet. An dieser Position wird die Schneidklinge 58 gedreht und abgesenkt, um in die Grenze zwischen dem Bauelementbereich 17 und dem Umfangsrandbereich 19 zu schneiden. Danach wird der Einspanntisch 40 um wenigstens 360 Grad gedreht, um dadurch die Grenze zu schneiden, wie durch eine gekrümmte Linie 64 in 10A gezeigt ist. Danach wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26, der den Umfangsrandbereich 19 beinhaltet, von dem Bauelementbereich 17 getrennt, wie in 10B gezeigt ist. Beim Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 26 von dem Bauelementbereich 17 wird ein äußerer Impuls auf das Zerteilungsband 34 in dessen Bereich aufgebracht, der an dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 26 angebracht ist, wodurch die Klebkraft des Zerteilungsbands 34 verringert wird, und als nächstes wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 von dem Zerteilungsband 34 abgezogen.In the removing step for the annular reinforcing portion, as shown in FIG 10A shown is the cutting blade 58 directly above the boundary between the device area 17 and the peripheral edge area 19 at the chuck table 40 held semiconductor wafer 11 arranged. At this position, the cutting blade 58 turned and lowered to get into the boundary between the device area 17 and the peripheral edge area 19 to cut. Then the chuck table becomes 40 rotated by at least 360 degrees to thereby cut the boundary, as by a curved line 64 in 10A is shown. Thereafter, the annular reinforcing portion 26 , which is the peripheral edge area 19 includes, from the device area 17 separated, as in 10B is shown. When separating the annular reinforcing portion 26 from the device area 17 becomes an external impulse on the dicing belt 34 applied in the region thereof, which at the annular reinforcing portion 26 attached, whereby the bond strength of the dicing tape 34 is reduced, and next, the annular reinforcing section 26 from the dividing belt 34 deducted.

Das Aufbringen eines äußeren Impulses wird entsprechend der Art des Zerteilungsbands 34 zum Beispiel durch Aufbringen ultravioletter Strahlung oder durch Erwärmen verwirklicht. Falls das Zerteilungsband 34 ein UV-Härtungsband ist, wie zum Beispiel „UC-series” (Handelsbezeichnung), das von Furukawa Electric Co., Ltd. hergestellt wird, wird die Klebkraft des Zerteilungsbands 34 durch Aufbringen ultravioletter Strahlung verringert. Falls das Zerteilungsband 34 ein Band, wie zum Beispiel „Revalpha” (Handelsbezeichnung) ist, das von Nitto Denko Corp. hergestellt wird, wird die Klebkraft des Zerteilungsbands 34 durch Erwärmen verringert.The application of an external pulse will be according to the type of dicing tape 34 for example, by applying ultraviolet radiation or by heating. If the dividing band 34 is a UV curing tape, such as "UC-series" (trade name) manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd. is prepared, the adhesion of the dicing tape 34 reduced by applying ultraviolet radiation. If the dividing band 34 a ribbon such as "Revalpha" (trade name), available from Nitto Denko Corp. is prepared, the adhesion of the dicing tape 34 reduced by heating.

Nach dem Durchführen des oben beschriebenen Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt wird ein Aufnahmeschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass die von einander abgeteiltem einzelnen Bauelemente 15 von dem Zerteilungsband 34 abgezogen werden. Dieser Aufnahmeschritt wird durch Verwenden einer in 11A und 11B gezeigten Bandaufweitungsvorrichtung 70 durchgeführt. Die Bandaufweitungsvorrichtung 70 wirkt so, dass sie das Zerteilungsband 34 in dessen radialer Richtung aufweitet, wodurch der Abstand zwischen den nebeneinanderliegenden Bauelementen 15 vor dem eigentlichen Aufnehmen der einzelnen Bauelemente 15 vergrößert wird. Die Bandaufweitungsvorrichtung 70 beinhaltet eine ortsfeste Trommel 72 und eine bewegbare Trommel 74, die außerhalb der ortsfesten Trommel 72 so vorgesehen ist, dass sie durch ein Antriebsmittel (nicht gezeigt) vertikal bewegbar ist.After performing the above-described removal step for the annular reinforcing portion, a picking up step is performed in such a manner that the discrete component parts are separated 15 from the dividing belt 34 subtracted from. This picking step is performed by using an in 11A and 11B shown Bandaufweitungsvorrichtung 70 carried out. The band widening device 70 works so that they are the dividing band 34 widens in its radial direction, whereby the distance between the adjacent components 15 before the actual recording of the individual components 15 is enlarged. The band widening device 70 includes a stationary drum 72 and a movable drum 74 that are outside the fixed drum 72 is provided so that it is vertically movable by a drive means (not shown).

Wie in 11A gezeigt ist, ist der Zerteilungsrahmen 36, der den Halbleiterwafer 11, von dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 entfernt wurde, hält, an der bewegbaren Trommel 74 angebracht und durch mehrere Klammern 76 befestigt. Zu diesem Zeitpunkt ist das obere Ende der bewegbaren Trommel 74 auf im Wesentlichen gleicher Höhe wie das obere Ende der ortsfesten Trommel 72 festgelegt. Wenn die bewegbare Trommel 74 in der in 11A durch einen Pfeil A gezeigten Richtung bewegt wird, gelangt das obere Ende der bewegbaren Trommel 74 auf eine geringere Höhe als das obere Ende der ortsfesten Trommel 72, wie in 11B gezeigt ist. Dementsprechend wird das Zerteilungsband 34 radial aufgeweitet, um dadurch den Abstand zwischen den nebeneinanderliegenden Bauelementen 15 zu vergrößern. In diesem aufgeweiteten Zustand wird jedes Bauelement 15 durch eine Aufnahmevorrichtung 80 aufgenommen, wie in 11B gezeigt ist. Als Folge kann der Aufnahmevorgang leicht und problemlos durchgeführt werden.As in 11A is shown, is the tatter operational framework 36 that the semiconductor wafer 11 of which the annular reinforcing section 26 has been removed, on the movable drum 74 attached and through several brackets 76 attached. At this time, the upper end of the movable drum 74 at substantially the same height as the upper end of the fixed drum 72 established. When the movable drum 74 in the in 11A moved by an arrow A direction, the upper end of the movable drum passes 74 to a lower height than the upper end of the fixed drum 72 , as in 11B is shown. Accordingly, the dicing tape becomes 34 radially widened, thereby increasing the distance between the adjacent components 15 to enlarge. In this expanded state, each component 15 through a receiving device 80 recorded as in 11B is shown. As a result, the recording operation can be performed easily and smoothly.

Gemäß der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 entfernt, nachdem der Halbleiterwafer 11 in die einzelnen Bauelemente 15 geteilt wurde. Dementsprechend kann der Halbleiterwafer 11 zuverlässig in die einzelnen Bauelemente 15 geteilt werden, ohne die Handhabbarkeit des Halbleiterwafers 11 beim Schneiden desselben zu beeinträchtigen und ohne ein Absplittern jedes Bauelements 15 zu verursachen.According to the preferred embodiment described above, the annular reinforcing portion becomes 26 removed after the semiconductor wafer 11 in the individual components 15 was shared. Accordingly, the semiconductor wafer 11 reliable in the individual components 15 be shared without the handling of the semiconductor wafer 11 to interfere with the cutting of the same and without splintering of each component 15 to cause.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb durch die Erfindung umfasst.The The present invention is not limited to the details of those described above limited preferred embodiments. Of the Scope of the invention is defined by the appended claims defined and all changes and modifications made within the equivalence of the scope of the claims, are therefore encompassed by the invention.

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Claims (2)

Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers in mehrere einzelne Bauelemente entlang mehrerer an der Vorderseite des Wafers ausgebildeter Straßen, wobei der Wafer einen Bauelementbereich, in dem die einzelnen Bauelemente ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich, der den Bauelementbaubereich umgibt, aufweist und das Waferbearbeitungsverfahren umfasst: einen Waferschleifschritt zum Schleifen der Rückseite des Wafers in einem Bereich, der dem Bauelementbereich entspricht, um dadurch die Dicke des Bauelementbereichs auf eine vorgegebene Dicke zu verringern und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt an der Rückseite des Wafers in einem Bereich auszubilden, der dem Umfangsrandbereich entspricht; einen Waferhalteschritt zum Anbringen der Rückseite des Wafers an einen Mittelabschnitt eines Zerteilungsbands, dessen äußerer Umfangsabschnitt an einem ringförmigen Zerteilungsrahmen gehalten wird, nach dem Durchführen des Waferschleifschritts; einen Waferteilungsschritt zum Halten des Wafers an einem Einspanntisch, der einen Bauelementbereich-Halteabschnitt zum Halten der Rückseite des Bauelementbereichs unter Ansaugen und einen Halteabschnitt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt zum Halten des ringförmigen Verstärkungsabschnitts aufweist, nach dem Durchführen des Waferhalteschritts und weiter zum Schneiden des Wafers entlang jeder Straße durch Verwenden einer Schneidklinge, um den Bauelementbereich in die einzelnen Bauelemente zu teilen; einen Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt zum Schneiden des Wafers entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsrandbereich durch Verwenden der Schneidklinge, während der Einspanntisch gedreht wird, nach dem Durchführen des Waferteilungsschritts, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt wird; und einen Aufnahmeschritt zum Aufnehmen jedes Bauelements von dem Zerteilungsband nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt.Wafer processing method for dividing a wafer in several individual components along several at the front the wafer formed roads, the wafer a Component area in which the individual components are formed, and a peripheral edge area surrounding the component building area, and the wafer processing method comprises: one Wafer grinding step for grinding the back side of the wafer in an area corresponding to the device area to thereby reduce the thickness of the device region to a predetermined thickness and at the same time an annular reinforcing section at the back of the wafer in an area which corresponds to the peripheral edge region; a wafer holding step for attaching the back of the wafer to a central portion a dicing tape whose outer peripheral portion is held on an annular dicing frame, after performing the wafer grinding step; one Wafer dividing step of holding the wafer to a chuck table, the one component area holding portion for holding the rear side of the device area under suction and a holding section for the annular reinforcing portion for holding of the annular reinforcing section, after performing the wafer holding step and on for cutting the wafer along each street by using a cutting blade to the component area in the individual components to share; a removal step for the annular Reinforcement section for cutting the wafer along the boundary between the device area and the peripheral edge area by using the cutting blade while the chuck table is rotated after performing the wafer dividing step, whereby the annular reinforcing section is removed from the wafer; and a receiving step for Picking up each component from the dicing tape after performing the removal step for the annular reinforcing section. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem: das Zerteilungsband ein Klebeband beinhaltet, dessen Klebkraft durch einen äußeren Impuls verringert werden kann; und der Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt den Schritt des Aufbringens des äußeren Impulses auf das Zerteilungsband in dessen Bereich, der an dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt angebracht ist, nach dem Schneiden des Wafers entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsrandbereich beinhaltet.A wafer processing method according to claim 1, wherein: the Dicing tape includes an adhesive tape, the adhesive force through an external pulse can be reduced; and of the Removal step for the annular reinforcing section the step of applying the external pulse on the dicing tape in its area, on the annular Reinforcement section is attached, after cutting of the wafer along the boundary between the device area and includes the peripheral edge area.
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