DE102010001791A1 - LED-assembly, has light emission opening unsealed by enclosing unit, and electro static discharging units formed in such manner such that discharging units made up of ceramic material form enclosing unit - Google Patents

LED-assembly, has light emission opening unsealed by enclosing unit, and electro static discharging units formed in such manner such that discharging units made up of ceramic material form enclosing unit Download PDF

Info

Publication number
DE102010001791A1
DE102010001791A1 DE102010001791A DE102010001791A DE102010001791A1 DE 102010001791 A1 DE102010001791 A1 DE 102010001791A1 DE 102010001791 A DE102010001791 A DE 102010001791A DE 102010001791 A DE102010001791 A DE 102010001791A DE 102010001791 A1 DE102010001791 A1 DE 102010001791A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
led
esd
led chip
led assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102010001791A
Other languages
German (de)
Inventor
Marko Schweighart
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tridonic Jennersdorf GmbH
Original Assignee
Ledon Lighting Jennersdorf GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ledon Lighting Jennersdorf GmbH filed Critical Ledon Lighting Jennersdorf GmbH
Priority to DE102010001791A priority Critical patent/DE102010001791A1/en
Publication of DE102010001791A1 publication Critical patent/DE102010001791A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0254High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
    • H05K1/0257Overvoltage protection
    • H05K1/0259Electrostatic discharge [ESD] protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07Electric details
    • H05K2201/073High voltage adaptations
    • H05K2201/0738Use of voltage responsive materials, e.g. voltage switchable dielectric or varistor materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/0929Conductive planes
    • H05K2201/09309Core having two or more power planes; Capacitive laminate of two power planes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/06Lamination
    • H05K2203/063Lamination of preperforated insulating layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

The assembly has electrical supply units supplying power to an LED-chip, and an enclosing unit (4) partially surrounding the LED-chip. A light emission opening (10) is unsealed by the enclosing unit, and electro static discharging units (7, 8) are formed in such a manner that the discharging units made up of ceramic material form the enclosing unit. The LED-chip is arranged on a substrate layer that is made up of electrical non-conducting material selected from aluminum nitrate or aluminum-di-oxide, and the discharging units are made up of the ceramic material.

Description

Die Erfindung betrifft eine LED-Baueinheit
mit mindestens einem LED-Chip,
mit elektrischen Zuleitungsmitteln zur Stromversorgung des/der LED-Chip/s,
mit Einschlussmitteln für den/die LED-Chip/s, welche den/die LED-Chip/s zumindest teilweise rahmenförmig umgeben und eine Austrittsöffnung für das Licht aufweisen, und mit ESD-Mitteln zum Schutz des/der LED-Chips gegen Beschädigung durch Überspannung.
The invention relates to an LED assembly
with at least one LED chip,
with electrical supply means for powering the LED chip (s),
encasing means for the LED chip (s) surrounding the LED chip (s) at least partially framed and having an exit port for the light; and ESD means for protecting the LED chip (s) against overvoltage damage ,

Der Begriff LED steht für den englischen Begriff „light emitting diode” (Leuchtdiode). Der Begriff ESD steht für den englischen Begriff „electro static discharge” (elektrostatische Entladung).Of the Term LED stands for the English term "light emitting diode "(light-emitting diode). The term ESD stands for the English term "electrostatic discharge" (electrostatic discharge) Discharge).

Eine LED-Baueinheit der vorstehend genannten Art ist beispielsweise nach der US 2008/0142831 A1 bekannt. Diese weist zwei Leiterplatten auf. Auf der einen Leiterplatte ist ein LED-Chip angeordnet. Auf der anderen Leiterplatte befindet sich ein nicht näher beschriebenes Element, welches dazu dient, den LED-Chip gegen Überspannung zu schützen. Dazu ist das Element zu dem LED-Chip parallel geschaltet. Bei auftretenden Überspannungen an den Spannungsversorgungsanschlüssen für den LED-Chip wird das Element niederohmig. Die beiden Leiterplatten sind in eine Packung aus Isoliermaterial eingekapselt. Die Packung hat eine Lichtaustrittsöffnung, durch die der LED-Chip das von ihm erzeugte Licht abstrahlen kann. Das bedeutet, dass die Packung den LED-Chip rahmenförmig umgibt. An der Außenseite der Packung sind zwei Zuleitungsanschlüsse, die mit den beiden Leiterplatten elektrisch verbunden sind. Über diese Zuleitungsanschlüsse kann der LED-Chip mit Strom versorgt werden.An LED assembly of the aforementioned type is for example according to US 2008/0142831 A1 known. This has two printed circuit boards. On the one circuit board, an LED chip is arranged. On the other circuit board is an unspecified described element, which serves to protect the LED chip against overvoltage. For this purpose, the element is connected in parallel to the LED chip. If overvoltages occur at the voltage supply connections for the LED chip, the element becomes low-resistance. The two circuit boards are encapsulated in a package of insulating material. The package has a light exit opening through which the LED chip can radiate the light generated by it. This means that the package surrounds the LED chip like a frame. On the outside of the package are two supply connections, which are electrically connected to the two printed circuit boards. The LED chip can be supplied with power via these supply connections.

US 2008/0 25 449 A1 zeigt eine Komponente zum Überspannungsschutz mittels einer Varistorschicht, die sich auf einem Keramiksubstrat befindet. Innerhalb einer Ausbuchtung der Varistorschicht ist ein LED-Chip angeordnet. Dieser befindet sich auf einem Wärmeleiter, der sich vertikal durch das Keramiksubstrat erstreckt. Der LED-Chip ist über zwei Anschlüsse mit Durchkontaktierungslöchern, die eine Silberfüllung aufweisen, elektrisch verbunden, wobei jeder Anschluss mit einer Schicht der Varistorschicht elektrisch verbunden ist. Es wird eine Flip-Chip-Montage des LED-Chips vorgeschlagen, und von einer elektrischen Verbindung mittels Bonddrähte abgeraten, da diese zu Abschattungseffekten führen können. Die Komponente wird zusätzlich auf der Oberseite von einer Glas-Keramik-Schicht bedeckt. US 2008/0 25 449 A1 shows a component for overvoltage protection by means of a varistor layer, which is located on a ceramic substrate. Within a bulge of the varistor layer, an LED chip is arranged. This is located on a heat conductor that extends vertically through the ceramic substrate. The LED chip is electrically connected via two terminals having via holes having a silver fill, each terminal being electrically connected to a layer of the varistor layer. It is proposed a flip-chip mounting of the LED chip, and advised against an electrical connection by means of bonding wires, since these can lead to shading effects. The component is additionally covered on top by a glass-ceramic layer.

EP 1 858 033 A1 offenbart ebenfalls eine Varistorkomponente, bei der ein Varistor auf einem Keramiksubstrat angebracht ist und eine Aussparung aufweist, in der ein LED-Chip angeordnet ist. Das Keramiksubstrat besteht aus einem Aluminiumsubstrat mit einer Reinheit von 96%. Das Keramiksubstrat wird somit zur Wärmeabführung verwendet. Das Keramiksubstrat kann hauptsächlich eines der Materialien Aluminium Oxid, Zirkonium Oxid, Silizium Oxid oder Magnesium Oxid enthalten. Die Varistorkomponente wird zusätzlich auf der Oberseite von einer Glas-Keramik-Schicht bedeckt. EP 1 858 033 A1 also discloses a varistor component in which a varistor is mounted on a ceramic substrate and has a recess in which an LED chip is disposed. The ceramic substrate consists of an aluminum substrate with a purity of 96%. The ceramic substrate is thus used for heat dissipation. The ceramic substrate may mainly contain one of the materials aluminum oxide, zirconium oxide, silicon oxide or magnesium oxide. The varistor component is additionally covered on top by a glass-ceramic layer.

US 2008/0 224 815 A1 , die vom demselben Anmelder wie US 2008/0 25 449 A1 , stellt eine Abwandlung von der dort gezeigten Komponente dar. Bei der in US 2008/0 224 815 A1 beanspruchten Ausführungsform sind zusätzlich Anschlusselektroden auf der Glas-Keramik-Schicht angebracht, die mit den Durchkontaktierungslöchern elektrisch verbunden sind. Eine elektrische Verbindung mit dem LED-Chip wird nun dadurch realisiert, dass zwei Metalldrähte jeweils an einer Anschlusselektrode und an der Oberseite des LED-Chips angebracht sind. Dabei ragen die Metalldrähte über die Komponente hinaus. US 2008/0 224 815 A1 as filed by the same applicant US 2008/0 25 449 A1 , represents a modification of the component shown there US 2008/0 224 815 A1 claimed embodiment, additional terminal electrodes are mounted on the glass-ceramic layer, which are electrically connected to the via holes. An electrical connection to the LED chip is now realized by two metal wires are each attached to a terminal electrode and the top of the LED chip. The metal wires protrude beyond the component.

Weiterhin ist eine LED-Baueinheit auf dem Markt, die von der Firma Lumileds „Rebel” vertrieben wird. Diese LED-Baueinheit weist ein Substrat aus Keramikmaterial auf, auf dem ein LED-Chip angeordnet ist. Auf der Oberseite des Substrates verlaufen Leiterbahnen, die mit entsprechenden Leiterbahnen an der Unterseite des Substrates über Kontaktierungs-Löcher elektrisch verbunden sind. Der LED-Chip kann auf diese Weise mit Strom versorgt werden. Neben dem LED-Chip befindet sich auf dem Substrat weiterhin ein TVS-Element, das zu dem LED-Chip parallel geschaltet ist und dieses gegen Überspannungen schützen soll. Die Abkürzung TVS steht für den englischen Begriff „transiant voltage suppressor”. Das TVS-Element hat also die Funktion der eingangs beschriebenen ESD-Mittel. Der LED-Chip und das TVS-Element sind von einer Silikon-Linse überdeckt.Farther is a LED package on the market, which is distributed by the company Lumileds "Rebel". This LED package has a substrate of ceramic material, on which an LED chip is arranged. On top of the substrate run traces that are connected to the corresponding traces on the Bottom of the substrate via contacting holes are electrically connected. The LED chip can handle this way Be supplied with electricity. Next to the LED chip is on the substrate continue a TVS element connected in parallel to the LED chip and this is to protect against surges. The abbreviation TVS stands for the English term "transiant voltage suppressor ". The TVS element thus has the function of initially described ESD means. The LED chip and the TVS element are covered by a silicone lens.

Zu erwähnen ist ferner ein auf dem Markt befindliches Produkt der Firma Nichia, das unter der Bezeichnung „Rigel” verkauft wird. Bei diesem sind die Einschlussmittel von einem als SMD-Bauteil gestalteten Keramik-Package gebildet, das mit einer eine Lichtaustrittsöffnung bildenden zentralen Ausnehmung versehen ist, an deren Grund ein LED-Chip angeordnet ist. Die Abkürzung SMD steht hier für den englischen Begriff „surface mounted device”. Der LED-Chip wird über nach außen führende Zuleitungen mit Strom versorgt. Dem Schutz des LED-Chips gegen eine Beschädigung durch Überspannungen dient hier eine Zenerdiode in Form eines separaten Bauelementes.To mention is also a product on the market the company Nichia, sold under the name "Rigel" becomes. In this case, the containment means of a SMD component designed ceramic package formed with a light exit opening forming central recess is provided at the bottom of a LED chip is arranged. The abbreviation SMD stands for the English term "surface mounted device". The LED chip is going over to the outside Power supply lines. The protection of the LED chip against a Damage caused by overvoltages is used here Zener diode in the form of a separate component.

Ausgehend von der eingangs beschriebenen bekannten LED-Baueinheit liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, diese konstruktiv so zu vereinfachen, dass sie unter Anwendung moderner Fertigungsmethoden einfacher und kostengünstiger hergestellt werden kann.Based on the above-described known LED assembly, the invention has for its object to simplify this constructive so They can be made easier and cheaper using modern manufacturing methods.

Die Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die ESD-Mittel so geformt sind, dass sie auch die Einschlussmittel bilden.The The object is achieved according to the invention that the ESD funds are shaped so that they include the containment form.

Zweckmäßigerweise wird/werden der/die LED-Chip/s auf einer Substratschicht aus elektrisch nicht leitendem Material angeordnet, wie dies auch bei der bekannten LED-Baueinheit „Rebel” von Lumileds der Fall ist.Conveniently, the LED chip (s) on a substrate layer will not become electrically conductive arranged conductive material, as with the well-known LED assembly "Rebel" of Lumileds is the case.

Zur praktischen Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Lösung wird vorgeschlagen, dass die ESD-Mittel auf der Substratschicht angeordnet und von mindestens einer ESD-Schicht und mindestens zwei elektrisch leitenden Elektrodenschichten gebildet sind, wobei die/jede ESD-Schicht zwischen je zwei Elektrodenschichten eingebettet ist, von denen jeweils eine mit je einem der beiden Stromversorgungs-Anschlüsse des/eines LED-Chips verbunden ist,
und dass der ohmsche Widerstand der/jeder ESD-Schicht spannungsabhängig ist, derart, dass er bei steigender Spannung an den die betreffende ESD-Schicht einschließenden Elektrodenschichten sinkt und bei sich vermindernder Spannung steigt.
For the practical embodiment of the solution according to the invention, it is proposed that the ESD means be arranged on the substrate layer and formed by at least one ESD layer and at least two electrically conductive electrode layers, wherein the / each ESD layer is embedded between each two electrode layers, of which one each connected to one of the two power supply terminals of the / an LED chip,
and that the ohmic resistance of the / each ESD layer is voltage-dependent, such that it decreases with increasing voltage to the electrode layers enclosing the relevant ESD layer and increases with decreasing voltage.

Insbesondere dann, wenn die LED-Baueinheit mehrere LED-Chips aufweist, sollte der Rahmen zweckmäßiger Weise eine Mehrzahl von als Packet über einander angeordneten ESD-Schichten aufweisen, wobei jede ESD-Schicht jeweils zwischen zwei aus einer entsprechenden Vielzahl von elektrisch leitenden Elektrodenschichten eingebettet ist.Especially then, if the LED package has multiple LED chips, should the frame expediently a plurality of have as packet over arranged ESD layers, each ESD layer being between two of a corresponding one Embedded variety of electrically conductive electrode layers is.

Als Material wird für die Substratschicht vorzugsweise Aluminiumnitrid (AlN) verwendet, weil dieses trotz seiner ausgezeichneten elektrischen Isoliereigenschaften ein sehr guter Wärmeleiter ist. Dadurch ist es geeignet, die in dem/den LED-Chip/s erzeugte Wärme abzuleiten. Vorteilhafterweise vereinfacht sich durch den Einsatz einer Substratschicht aus Aluminiumnitrid (AlN) auch der Aufbau insgesamt, da kein zusätzlicher Wärmeleiter benötigt wird, wie er beispielsweise in US 2008/0 25 449 A1 gezeigt ist. Alternativ eignet sich für die Substratschicht aber auch Aluminiumdioxid (Al2O3). Das letztgenannte Material zeichnet sich dadurch aus, dass es das von dem/den LED-Chip/s erzeugte Licht gut reflektiert.Aluminum nitride (AlN) is preferably used as the material for the substrate layer because, despite its excellent electrical insulating properties, it is a very good conductor of heat. This makes it possible to dissipate the heat generated in the LED chip (s). Advantageously, the use of a substrate layer of aluminum nitride (AlN) also simplifies the structure as a whole since no additional heat conductor is required, as is required, for example, in US Pat US 2008/0 25 449 A1 is shown. Alternatively, aluminum dioxide (Al 2 O 3 ) is also suitable for the substrate layer. The latter material is characterized in that it reflects well the light generated by the LED chip (s).

Auch für die ESD-Schicht/en verwendet man vorzugsweise Keramik-Material. Dadurch ergibt sich die Möglichkeit, für die Herstellung der LED-Baueinheit die LTCC-Technologie anzuwenden. Die Abkürzung LTCC steht hier für den englischen Begriff „low temperature cofired ceramics” (Niedertemperatur-Sintertechnik).Also For the ESD layer (s) one preferably uses ceramic material. This gives the possibility for the production the LED assembly to apply the LTCC technology. The abbreviation LTCC stands for the English term "low temperature cofired ceramics "(low-temperature sintering technology).

Eine andere zweckmäßige Weiterbildung kann darin bestehen, dass auf die Unterseite der Substratschicht Leiterbahnen in Form einer Lötmetall-Schicht aufgebracht sind,
dass die Substratschicht mit Durchkontaktierungs-Löchern versehen ist,
dass zwischen der Substratschicht und dem/den LED-Chip/s eine Leiterbahnen bildende Leiterschicht angeordnet ist,
dass die Leiterbahnen der Leiterschicht mit den entsprechenden Leiterbahnen an der Unterseite der Substratschicht über die Durchkontaktierungs-Löcher elektrisch verbunden sind, und dass die Elektroden des/der LED-Chips mit den entsprechenden Leiterbahnen auf der Oberseite der Substratschicht elektrisch verbunden sind.
Another expedient refinement may be that conductor tracks in the form of a solder layer are applied to the underside of the substrate layer,
the substrate layer is provided with via holes,
in that a conductor layer-forming conductor layer is arranged between the substrate layer and the LED chip (s),
in that the conductor tracks of the conductor layer are electrically connected to the corresponding conductor tracks on the underside of the substrate layer via the via holes, and that the electrodes of the LED chip (s) are electrically connected to the corresponding conductor tracks on the upper side of the substrate layer.

Die Elektrodenschichten werden zweckmäßigerweise mit den entsprechenden Leiterbahnen an der Oberseite der Substratschicht elektrisch verbunden.The Electrode layers are expediently with the corresponding conductor tracks at the top of the substrate layer electrically connected.

Um den/die LED-Chip/s zu schützen und um das von diesem/diesen abgestrahlte Licht möglichst gut zu reflektieren, kann oben auf den Rahmen noch ein Deckrahmenteil aus Aluminium (Al) oder Aluminiumdioxid (Al2O3) aufgesetzt werden.In order to protect the LED chip (s) and to reflect the light emitted by this / these as well as possible, a cover frame part of aluminum (Al) or aluminum dioxide (Al 2 O 3 ) can be placed on top of the frame.

Ein weiterer Vorschlag zur Vereinfachung der Produktion der LED-Baueinheit besteht ferner die Möglichkeit, dass der/die LED-Chip/s als COB-Bauteil/e ausgebildet und durch COB-Technologie auch die Leiterbahnen der auf der Oberseite der Substratschicht befindlichen Leiterschicht aufgebracht wird/werden.One Another proposal to simplify the production of the LED assembly there is also the possibility that the / the LED chip / s designed as a COB component / e and by COB technology also the Conductor tracks located on the top of the substrate layer Conductor layer is / are applied.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen beschrieben.One Embodiment of the invention will be described below of the drawings.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine Ansicht schräg von oben auf eine perspektivische Darstellung einer Substratplatte mit Leiterschicht und vier LED-Chips; 1 an oblique view from above of a perspective view of a substrate plate with a conductor layer and four LED chips;

2 eine Ansicht schräg von oben auf den auf die Substratschicht in 1 aufzusetzenden Rahmen mit Lichtdurchtrittsöffnung; 2 a view obliquely from above on the substrate layer in 1 aufzusetzenden frame with light passage opening;

3 eine Ansicht schräg von oben auf eine perspektivische Darstellung der zusammengesetzten Baueinheit; 3 a view obliquely from above on a perspective view of the assembled assembly;

4 eine Ansicht schräg von oben auf die um 180 Grad gewendete Baueinheit aus 3; 4 a view obliquely from above on the 180 degrees turned assembly from 3 ;

5 eine Explosionsdarstellung der in 3 gezeigten Baueinheit in perspektivischer Darstellung, jedoch nach einer 90 Grad Drehung um eine gedachte vertikale Achse; 5 an exploded view of in 3 shown assembly in perspective view, but after a 90 degree rotation about an imaginary vertical axis;

6 eine Ansicht VI aus 5 auf die ESD-Schichten und die Elektrodenschichten nach dem sie zusammengesetzt worden sind. 6 a view VI 5 on the ESD layers and the electrode layers after they have been assembled.

1 zeigt eine Substratplatte 2 aus einem elektrisch isolierenden Material wie bspw. einem Keramikmaterial, vorzugsweise eine solche aus Aluminiumnitrid (AlN) oder Aluminiumdioxid (Al2O3), auf deren Oberseite eine elektrisch leitende Schicht 6 aufgebracht ist, die aus Leiterbahnen 6a6f besteht. Auf den erweiterten Abschnitten der Leiterbahnen 6a6d sind vier LED-Chips 3a3d durch COB-Technologie aufgebracht. COB steht für den englischen Begriff chip on board. Jeder der LED-Chips 3a3d ist mit zwei Anschlusskontakten versehen, von denen sich der eine an seiner Unterseite befindet und mit der entsprechenden Leiterbahn 6a6d verlötet oder verklebt wird. Der andere Anschlusskontakt befindet sich auf der Oberseite des LED-Chips und jeweils durch die entsprechenden Drähte 11a11d mit der entsprechenden Leiterbahn 6e, 6b, 6c und 6f verbunden. Auf diese Weise wird gewährleistet, dass jeweils zwei der vier LED-Chips in Serie geschaltet sind, und zwar im vorliegenden Fall die LED-Chips 3a und 3b einerseits und die LED-Chips 3c und 3d andererseits. Selbstverständlich sind auch Schaltungen möglich, bei denen die LED-Chips einzeln oder in anderen Kombinationen angesteuert werden, wenn die entsprechenden Kontakte zur Unterseite der Einheit durchgeführt werden. 1 shows a substrate plate 2 of an electrically insulating material such as a ceramic material, preferably one of aluminum nitride (AlN) or aluminum dioxide (Al2O3), on top of which an electrically conductive layer 6 is applied, made of conductor tracks 6a - 6f consists. On the extended sections of the tracks 6a - 6d are four LED chips 3a - 3d Applied by COB technology. COB stands for the English term chip on board. Each of the LED chips 3a - 3d is provided with two connection contacts, one of which is located on its underside and with the corresponding conductor track 6a - 6d soldered or glued. The other terminal contact is located on top of the LED chip and through the respective wires 11a - 11d with the corresponding trace 6e . 6b . 6c and 6f connected. This ensures that two of the four LED chips are connected in series, in this case the LED chips 3a and 3b one hand, and the LED chips 3c and 3d on the other hand. Of course, circuits are also possible in which the LED chips are driven individually or in other combinations when the corresponding contacts are made to the underside of the unit.

In die Leiterbahnen 6a6d münden Durchkontaktierungs-Löcher 12, die durch die Substratplatte 2 hindurch geführt sind.In the tracks 6a - 6d open through holes 12 passing through the substrate plate 2 passed through.

Der auf die Substratplatte 2 in 1 aufzusetzende Rahmen 4 ist in 2 gezeigt. Er besteht aus einer Mehrzahl von als Packet übereinander angeordneten ESD-Schichten 8 und dazwischen angeordneten Elektrodenschichten 7, deren genaue Anordnung und Positionierung später noch in Verbindung mit 5 erläutert wird. Der Rahmen 4 ist oben mit einem Deckrahmenteil 9 aus Aluminium (Al), Glas oder aus Aluminiumdioxid (Al2O3) abgeschlossen. In der Mitte weist der Rahmen 4 eine Lichtdurchtrittsöffnung 10 auf, durch die das von den LED-Chips 3a3d erzeugte Licht abgestrahlt werden kann. Der Rahmen 4 mit dem oben aufsitzenden Deckrahmenteil 9 hat eine Doppelfunktion. Er dient einerseits dazu, die LED-Chips 3a3d gegen mechanische Beschädigungen zu schützen; andererseits schützt er die LED-Chips auch gegen Beschädigungen durch Überspannungen. Die letztgenannte Funktion wird später noch genauer erläutert.The on the substrate plate 2 in 1 to be set up 4 is in 2 shown. It consists of a plurality of stacked ESD layers as a packet 8th and interposed electrode layers 7 whose exact arrangement and positioning later still in conjunction with 5 is explained. The frame 4 is up with a deck frame part 9 made of aluminum (Al), glass or aluminum dioxide (Al2O3). In the middle, the frame points 4 a light passage opening 10 on top of that by the LED chips 3a - 3d generated light can be emitted. The frame 4 with the top-mounted deck frame part 9 has a double function. On the one hand, it serves the LED chips 3a - 3d to protect against mechanical damage; On the other hand, it also protects the LED chips against damage caused by surges. The latter function will be explained later in more detail.

3 zeigt die zusammengesetzte Baueinheit 1, wobei erkennbar ist, wie die LED-Chips sicher gegen mechanische Beschädigungen in der Öffnung des Rahmens 4 eingebettet sind. Im Fertigungszustand gemäß 3 werden die LED-Chips durch jeweils zwei Verbindungsdrähte 11 mit den entsprechenden Leiterbahnen verbunden, und zwar der LED-Chip 3a mit der Leiterbahn 6e, der LED-Chip 3b mit der Leiterbahn 6b, der LED-Chip 3c mit der Leiterbahn 6c und der LED-Chip 3d mit Leiterbahn 6f (siehe 1). Es werden deshalb jeweils zwei Verbindungsdrähte 11 verwendet, weil sie entsprechend dünner und somit flexibler sein können als nur einer. Somit können auch Abschattungseffekte verringert werden, wie eine Silhouettenbildung durch die Verbindungsdrähte. Ebenfalls wird die Gleichmäßigkeit der Lichtemission weniger beeinträchtigt. Selbstverständlich ist es auch möglich, nur jeweils einen Verbindungsdraht 11 zu verwenden. Diese Möglichkeit ist in 5 gezeigt. Vorteilhafterweise ragen die Drähte nicht aus der LED-Baueinheit heraus, sondern werden von dem Deckrahmenteil 9 nicht nur seitlich umgeben und somit seitlich geschützt sondern auch in vertikaler Orientierung überragt. Somit stellt das Deckrahmenteil 9 auch einen Schutz in vertikaler Richtung dar. Dieser Schutz ist dementsprechend bereits in einer frühen Produktionsphase der LED-Baueinheit gewährleistet, beispielsweise bevor die LED-Baueinheit in eine Leuchte eingesetzt wird, oder bevor das Rahmenteil 9 mit einer durchsichtigen Vergussmasse gefüllt wird oder bevor eine durchsichtige Abdeckscheibe auf das Rahmenteil 9 aufgesetzt wird. 3 shows the assembled unit 1 , where it can be seen how the LED chips safely against mechanical damage in the opening of the frame 4 are embedded. In the production state according to 3 The LED chips are connected by two connecting wires 11 connected to the corresponding tracks, namely the LED chip 3a with the conductor track 6e , the LED chip 3b with the conductor track 6b , the LED chip 3c with the conductor track 6c and the LED chip 3d with conductor track 6f (please refer 1 ). There are therefore two connecting wires 11 used because they can be correspondingly thinner and thus more flexible than just one. Thus, shading effects such as silhouette formation by the bonding wires can also be reduced. Also, the uniformity of the light emission is less affected. Of course it is also possible, only one connecting wire 11 to use. This possibility is in 5 shown. Advantageously, the wires do not protrude out of the LED package but are from the deck frame part 9 not only laterally surrounded and thus protected laterally but also projects in a vertical orientation. Thus, the deck frame part 9 This protection is accordingly ensured already in an early production phase of the LED assembly, for example, before the LED assembly is inserted into a lamp, or before the frame part 9 is filled with a transparent potting compound or before a transparent cover on the frame part 9 is put on.

4 zeigt die LED-Baueinheit 1 von unten. Man erkennt, dass auch die Unterseite Leiterbahnen 5a5e aufweist, welche von einer lötbaren Schicht 5 gebildet sind. Die vier Leiterbahn-Inseln 5a5d sind mit Durchkontaktierungs-Löchern 12 durch die Substratplatte 2 zu den Leiterbahnen 6a6d an der Oberseite der Substratplatte 2 elektrisch verbunden. Hierbei ist zu beachten, dass die 1 und 2 einerseits und die 3 und 4 andererseits gegeneinander in einer vertikalen Achse um 90 Grad gedreht sind. 4 shows the LED assembly 1 from underneath. One recognizes that also the underside conductor tracks 5a - 5e which of a solderable layer 5 are formed. The four track islands 5a - 5d are with via holes 12 through the substrate plate 2 to the tracks 6a - 6d at the top of the substrate plate 2 electrically connected. It should be noted that the 1 and 2 on the one hand and the 3 and 4 on the other hand rotated against each other in a vertical axis by 90 degrees.

5 zeigt eine Explosionsdarstellung der LED-Baueinheit 1 aus 3. Man erkennt die Substratplatte 2 mit den Durchkontaktierungs-Löchern 12. Über der Substratplatte 2 befindet sich die Leiterschicht 6 mit den Leiterbahnen 6a6f. Auf den zu den Leiterbahnen 6a6d gehörenden Leiterbahn-Flächen sitzen die LED-Chips 3a3d. Über den LED-Chips 3a3d ist ein Stapel aus 2·4 übereinander angeordneten Elektrodenschichten dargestellt. Der rechte Stapel wird von den Elektrodenschichten 7a7d gebildet. Der linke Stapel wird von den Elektrodenschichten 7e7h gebildet. Die beiden Stapel stehen elektrisch nicht miteinander in Verbindung. Sie sind über die Durchkontaktierungs-Löcher 12 mit den Leiterbahnen 5a5e an der Unterseite der Substratplatte 2 befindlichen Lötmittel-Schicht 5 verbunden. 5 shows an exploded view of the LED assembly 1 out 3 , One recognizes the substrate plate 2 with the via holes 12 , Above the substrate plate 2 is the conductor layer 6 with the tracks 6a - 6f , On the to the tracks 6a - 6d belonging conductor track surfaces sit the LED chips 3a - 3d , About the LED chips 3a - 3d a stack of 2 x 4 stacked electrode layers is shown. The right stack is from the electrode layers 7a - 7d educated. The left stack is from the electrode layers 7e - 7h educated. The two stacks are not electrically connected. They are over the via holes 12 with the tracks 5a - 5e at the bottom of the substrate plate 2 located solder layer 5 connected.

In diesem Zusammenhang sei bemerkt, dass das Muster der Leiterbahnen 5a5e an der Unterseite der Substratplatte 2 nicht genau mit dem Muster der Leiterbahnen 5a5e in 4 übereinstimmt. Dies ist jedoch für die Funktion der LED-Baueinheit von untergeordneter Bedeutung. Sowohl in 4 als auch in 5 hat die Lötmittel-Schicht 5 an der Unterseite der Substratplatte 2 jeweils 5 Leiterbahnen 5a5e.In this regard, it should be noted that the pattern of the tracks 5a - 5e on the bottom the substrate plate 2 not exactly with the pattern of the tracks 5a - 5e in 4 matches. However, this is of minor importance for the function of the LED assembly. As well in 4 as well as in 5 has the solder layer 5 at the bottom of the substrate plate 2 5 tracks each 5a - 5e ,

Über den beiden Stapeln von Elektrodenschichten 7a7d und 7e7h befindet sich ein Stapel von 5 ESD-Schichten 8a8e, die jedoch nicht doppelt vorliegen wie die Elektrodenschichten 7.Over the two stacks of electrode layers 7a - 7d and 7e - 7h There is a stack of 5 ESD layers 8a - 8e , which are not duplicated as the electrode layers 7 ,

Ganz oben bildet den Abschluss das bereits erwähnte Deckrahmenteil 9.At the top, the conclusion forms the already mentioned Deckrahmenteil 9 ,

5 zeigt die Elektrodenschichten 7 und die ESD-Schichten 8 in auseinandergezogener Form. Wie die Elektrodenschichten 7 und die ESD-Schichten 8 tatsächlich angeordnet sind, zeigt 6. Man erkennt, dass zwischen jeweils zwei Elektrodenschichten 7 jeweils eine ESD-Schicht 8 angeordnet ist. Die jeweils eine ESD-Schicht 8 einschließende Elektroden-Schichten haben ein unterschiedliches Potential. Im vorliegenden konkreten Fall liegt an den über die Durchkontaktierungs-Löcher 12 versorgten gegenpoligen Elektrodenschichten die Spannung, die jeweils zwei in Serie geschalteten LED-Chips zugeführt wird. Im Falle von 6, die das rechte Stapel mit den Elektroden-Schichten 7a7d zeigt, liegt an jeder der ESD-Schichten die Spannung, die den in Serie geschalteten LED-Chips 3c und 3d zugeführt wird. Selbstverständlich gibt es auch noch andere Verbindungs-Möglichkeiten für die ESD-Schichten. 5 shows the electrode layers 7 and the ESD layers 8th in an exploded form. Like the electrode layers 7 and the ESD layers 8th actually arranged, shows 6 , It can be seen that between every two electrode layers 7 one ESD layer each 8th is arranged. Each one ESD layer 8th enclosing electrode layers have a different potential. In this specific case is due to the via via holes 12 supplied opposite polarity electrode layers, the voltage which is supplied in each case two series-connected LED chips. In case of 6 Make the right stack with the electrode layers 7a - 7d shows, on each of the ESD layers, the voltage applied to the series connected LED chips 3c and 3d is supplied. Of course, there are also other connection options for the ESD layers.

Die Elektroden-Schichten 7a7d werden durch zwei Elektroden-Schichten-Gruppen mit jeweils mindestens zwei übereinander angeordneten und elektrisch verbundenen Elektroden-Schichten 7a, 7c und 7b, 7c gebildet. Vorteilhafterweise können die Elektroden-Schichten einer Gruppe auch mechanisch miteinander verbunden sein, so dass sie eine feste Einheit bilden. Die Elektroden-Schichten 7a, 7c und 7b, 7c sind ineinander verzahnt, indem sie bei der Produktion der LED-Baueinheit ineinander geschoben werden. Dabei befindet sich jedoch grundsätzlich zwischen zwei Elektrode-Schichten eine ESD-Schicht. Mittels der ESD-Schichten 7a7d ist also eine elektrische Isolierung der zwei Gruppen voneinander gewährleistet. Die zwei Gruppen können also ein unterschiedliches elektrisches Potential aufweisen, das aus den oben beschriebenen unterschiedlichen Anschlüssen über die Durchkontaktierungs-Löcher 12 resultiert.The electrode layers 7a - 7d are formed by two electrode layers groups each having at least two superimposed and electrically connected electrode layers 7a . 7c and 7b . 7c educated. Advantageously, the electrode layers of a group may also be mechanically interconnected so as to form a solid unit. The electrode layers 7a . 7c and 7b . 7c are interlocked by being telescoped during production of the LED package. However, there is basically an ESD layer between two electrode layers. By means of the ESD layers 7a - 7d Thus, an electrical insulation of the two groups is guaranteed from each other. The two groups may thus have a different electrical potential, that of the different terminals described above via the via holes 12 results.

Die in obigem Absatz beschriebene Anordnung findet auch bei dem zweiten Stapel von Elektrodenschichten 7e7h Anwendung.The arrangement described in the paragraph above also applies to the second stack of electrode layers 7e - 7h Application.

Die ESD-Schichten 7a7h sind aus einem elektrisch nichtleitendem Material, vorzugsweise einem Keramik-Material, dessen ohmscher Widerstand sinkt, wenn die an den benachbarten Elektroden-Schichten 7 anliegende Spannung steigt und umgekehrt. Auf diese Weise wird der angestrebte Schutz der LED-Chips 3a3d gegen Beschädigungen durch Überspannungen realisiert.The ESD layers 7a - 7h are made of an electrically nonconductive material, preferably a ceramic material, whose ohmic resistance decreases when at the adjacent electrode layers 7 applied voltage increases and vice versa. In this way, the desired protection of the LED chips 3a - 3d realized against damage due to overvoltages.

Durch Verwendung von Keramik-Material mit den vorstehend beschriebenen Eigenschaften ist es möglich, das LED-Bauteil 1 mittels moderner Fertigungsmethoden, wie der LTCC-Technik und der SMD-Technik kostengünstig und kompakt herzustellen.By using ceramic material having the properties described above, it is possible to use the LED component 1 Using modern manufacturing methods, such as the LTCC technology and the SMD technology cost-effective and compact manufacture.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - US 2008/0142831 A1 [0003] US 2008/0142831 A1 [0003]
  • - US 2008/025449 A1 [0004, 0006, 0014] US 2008/025449 A1 [0004, 0006, 0014]
  • - EP 1858033 A1 [0005] EP 1858033 A1 [0005]
  • - US 2008/0224815 A1 [0006, 0006] US 2008/0224815 A1 [0006, 0006]

Claims (15)

LED-Baueinheit (1) mit mindestens einem LED-Chip (3), mit elektrischen Zuleitungsmitteln (5, 12, 6) zu Stromversorgung des/der LED-Chips (3), mit Einschlussmitteln (4) für den/die LED-Chip/s (3), welche den/die LED-Chip/s (3) zumindest teilweise rahmenförmig umgeben und eine Lichtaustrittsöffnung (10) freilassen, und mit ESD-Mitteln (7, 8) zum Schutz des/der LED-Chips (3) gegen Beschädigung durch Überspannung, dadurch gekennzeichnet, dass die ESD-Mittel (7, 8) so geformt sind, dass sie auch die Einschlussmittel (4) bilden.LED assembly ( 1 ) with at least one LED chip ( 3 ), with electrical supply means ( 5 . 12 . 6 ) to power the LED chip (s) ( 3 ), with containment means ( 4 ) for the LED chip (s) ( 3 ) containing the LED chip (s) ( 3 ) at least partially surrounded by a frame and a light exit opening ( 10 ) and with ESD funds ( 7 . 8th ) for protecting the LED chip (s) ( 3 ) against damage by overvoltage, characterized in that the ESD means ( 7 . 8th ) are shaped so that they also contain the containment means ( 4 ) form. LED-Baueinheit (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der/die LED-Chip/s (3) auf einer Substratschicht (2) aus elektrisch nichtleitendem Material angeordnet ist/sind.LED assembly ( 1 ) according to claim 1, characterized in that the LED chip (s) (s) ( 3 ) on a substrate layer ( 2 ) is arranged from electrically non-conductive material / are. LED-Baueinheit (1) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die ESD-Mittel (7, 8) auf der Substratschicht (2) angeordnet und von mindestens einer ESD-Schicht (8a8e) und mindestens zwei elektrisch leitenden Elektroden-Schichten (7a7h) gebildet sind, wobei die/jede ESD-Schicht (8a8e) zwischen je zwei Elektrodenschichten (7a7h) eingebettet ist, von denen jeweils eine mit je einem der beiden Stromversorgungs-Anschlüsse des/eines LED-Chips (3) verbunden ist, und dass der ohmsche Widerstand der/jeder ESD-Schicht (8a8e) spannungsabhängig ist, derart, dass er bei steigender Spannung an den die betreffende ESD-Schicht (8a8e) einschließenden Elektroden-Schichten (7a7h) sinkt und bei sich vermindernder Spannung steigt.LED assembly ( 1 ) according to claim 2, characterized in that the ESD means ( 7 . 8th ) on the substrate layer ( 2 ) and at least one ESD layer ( 8a - 8e ) and at least two electrically conductive electrode layers ( 7a - 7h ), wherein the / each ESD layer ( 8a - 8e ) between each two electrode layers ( 7a - 7h ), of which one each with one of the two power supply terminals of the / an LED chip ( 3 ) and that the ohmic resistance of the / each ESD layer ( 8a - 8e ) is voltage-dependent, such that it is connected to the ESD layer ( 8a - 8e ) including electrode layers ( 7a - 7h ) decreases and increases with decreasing voltage. LED-Baueinheit (1) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Rahmen (4) eine Mehrzahl von als Packet übereinander angeordneten ESD-Schichten (8a8e) aufweist, wobei jede ESD-Schicht jeweils zwischen zwei aus einer entsprechenden Vielzahl von elektrisch leitenden Elektroden-Schichten (7a7d) eingebettet ist.LED assembly ( 1 ) according to claim 3, characterized in that the frame ( 4 ) a plurality of stacked ESD layers ( 8a - 8e each ESD layer between each two of a corresponding plurality of electrically conductive electrode layers ( 7a - 7d ) is embedded. LED-Baueinheit (1) nach dem vorherigen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Vielzahl von Elektroden-Schichten (7a7d) durch zwei Elektroden-Schichten-Gruppen mit jeweils mindestens zwei übereinander angeordneten und elektrisch verbundenen Elektroden-Schichten (7a, 7c und 7b, 7c) gebildet werden, wobei die Elektroden-Schichten-Gruppen ineinander verzahnt sind und mittels der ESD-Schichten (7a7d) voneinander isoliert sind.LED assembly ( 1 ) according to the preceding claim, characterized in that the plurality of electrode layers ( 7a - 7d ) by two electrode layer groups each having at least two superimposed and electrically connected electrode layers ( 7a . 7c and 7b . 7c ) are formed, wherein the electrode-layer groups are interlocked and by means of the ESD layers ( 7a - 7d ) are isolated from each other. LED-Baueinheit (1) nach einem der Ansprüche 2–4, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden-Schichten zwei elektrisch voneinander isolierte Stapel (7a7d, 7e7h) bilden, die nebeneinander angeordnet sind.LED assembly ( 1 ) according to any one of claims 2-4, characterized in that the electrode layers comprise two electrically isolated stacks ( 7a - 7d . 7e - 7h ), which are arranged side by side. LED-Baueinheit (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratschicht aus Aluminiumnitrid (AlN) oder Aluminiumdioxid (Al2O3) besteht.LED assembly ( 1 ) according to one of claims 2 to 6, characterized in that the substrate layer consists of aluminum nitride (AlN) or aluminum dioxide (Al2O3). LED-Baueinheit (1) nach einem der Ansprüche 3–7, dadurch gekennzeichnet, dass die ESD-Schicht/en (8) aus Keramikmaterial sind.LED assembly ( 1 ) according to any one of claims 3-7, characterized in that the ESD layer (s) ( 8th ) are made of ceramic material. LED-Baueinheit (1) nach einem der Ansprüche 2–8, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Unterseite der Substratschicht (2) Leiterbahnen (5a5d) in Form einer Lötmetall-Schicht (5) aufgebracht sind, dass die Substratschicht (2) mit Durchkontaktierungs-Löchern (12) versehen ist, dass zwischen der Substratschicht (2) und dem/den LED-Chip/s (3) eine Leiterbahnen (6a6f) bildende Leiterschicht (6) angeordnet ist, dass die Leiterbahnen (6a6f) der Leiterschicht (6) mit den entsprechenden Leiterbahnen (5a5d) an der Unterseite der Substratschicht (2) über die Durchkontaktierungs-Löcher (12) elektrisch verbunden sind, und dass die Elektroden des/der LED-Chips (3) mit den entsprechenden Leiterbahnen (6a6f) der Leiterschicht (6) auf der Oberseite der Substratschicht (2) elektrisch verbunden sind.LED assembly ( 1 ) according to any one of claims 2-8, characterized in that on the underside of the substrate layer ( 2 ) Conductor tracks ( 5a - 5d ) in the form of a solder layer ( 5 ) are applied, that the substrate layer ( 2 ) with via holes ( 12 ), that between the substrate layer ( 2 ) and the LED chip (s) ( 3 ) a conductor tracks ( 6a - 6f ) forming conductor layer ( 6 ) is arranged, that the conductor tracks ( 6a - 6f ) of the conductor layer ( 6 ) with the corresponding tracks ( 5a - 5d ) at the bottom of the substrate layer ( 2 ) via the via holes ( 12 ) and that the electrodes of the LED chip (s) ( 3 ) with the corresponding tracks ( 6a - 6f ) of the conductor layer ( 6 ) on top of the substrate layer ( 2 ) are electrically connected. LED-Baueinheit (1) nach einem der Ansprüche 2–9, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden-Schichten (7a7d) mit den entsprechenden Leiterbahnen (6a6d) an der Oberseite der Substratschicht (2) elektrisch verbunden sind.LED assembly ( 1 ) according to any one of claims 2-9, characterized in that the electrode layers ( 7a - 7d ) with the corresponding tracks ( 6a - 6d ) at the top of the substrate layer ( 2 ) are electrically connected. LED-Baueinheit (1) nach einem der vorher stehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dem Rahmen (4) ein oben auf diesem aufsitzendes Deckrahmenteil (9) aus Aluminum (Al), Glas oder Aluminumoxid (Al2O3) zugeordnet ist.LED assembly ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the frame ( 4 ) a top of this seated deck frame part ( 9 ) made of aluminum (Al), glass or aluminum oxide (Al2O3). LED-Baueinheit (1) nach einem der Ansprüche 3–11, dadurch gekennzeichnet, dass die ESD-Schichten (8a8e) die Elektrodenschichten (7a7d) und gegebenenfalls auch der Deckrahmen (9) durch LTCC-Technologie hergestellt und zusammengefügt sind.LED assembly ( 1 ) according to any one of claims 3-11, characterized in that the ESD layers ( 8a - 8e ) the electrode layers ( 7a - 7d ) and possibly also the cover frame ( 9 ) are manufactured and assembled by LTCC technology. LED-Baueinheit (1) nach einem der Ansprüche 2–12, dadurch gekennzeichnet, dass der/die LED-Chip/s (3) als COB-Bauteil/e ausgebildet und durch COB-Technologie auf die Leiterbahnen (6a6f) der auf der Oberseite der Substratschicht (2) befindlichen Leiterschicht (6) aufgebracht ist/sind.LED assembly ( 1 ) according to any one of claims 2-12, characterized in that the LED chip (s) (s) ( 3 ) formed as a COB component / e and by COB technology on the interconnects ( 6a - 6f ) on the top of the substrate layer ( 2 ) conductor layer ( 6 ) is / are applied. LED-Baueinheit (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der/die LED-Chip/s (3) mit Drähten (11a11d) mit der Leiterbahn (6a6f) zur elektrischen Kontaktierung verbunden sind.LED assembly ( 1 ) after one of vorge herenden claims, characterized in that the / the LED chip / s ( 3 ) with wires ( 11a - 11d ) with the conductor track ( 6a - 6f ) are connected to the electrical contact. LED-Baueinheit (1) nach Anspruch 11 und 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Drähte (11a11d) von dem Deckrahmenteil (9) in einer vertikalen Erstreckung überragt werden.LED assembly ( 1 ) according to claims 11 and 14, characterized in that the wires ( 11a - 11d ) of the deck frame part ( 9 ) are projected in a vertical extension.
DE102010001791A 2009-02-16 2010-02-11 LED-assembly, has light emission opening unsealed by enclosing unit, and electro static discharging units formed in such manner such that discharging units made up of ceramic material form enclosing unit Withdrawn DE102010001791A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010001791A DE102010001791A1 (en) 2009-02-16 2010-02-11 LED-assembly, has light emission opening unsealed by enclosing unit, and electro static discharging units formed in such manner such that discharging units made up of ceramic material form enclosing unit

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009009185.8 2009-02-16
DE102009009185 2009-02-16
DE102010001791A DE102010001791A1 (en) 2009-02-16 2010-02-11 LED-assembly, has light emission opening unsealed by enclosing unit, and electro static discharging units formed in such manner such that discharging units made up of ceramic material form enclosing unit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102010001791A1 true DE102010001791A1 (en) 2010-09-30

Family

ID=42664201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102010001791A Withdrawn DE102010001791A1 (en) 2009-02-16 2010-02-11 LED-assembly, has light emission opening unsealed by enclosing unit, and electro static discharging units formed in such manner such that discharging units made up of ceramic material form enclosing unit

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102010001791A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012104494A1 (en) * 2012-05-24 2013-11-28 Epcos Ag light emitting diode device
GB2545728A (en) * 2015-12-23 2017-06-28 Tech Invest Ltd A rolling chassis assembly for a vehicle
CN112738994A (en) * 2020-11-24 2021-04-30 鹤山市世拓电子科技有限公司 Printed circuit board with embedded power device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1858033A1 (en) 2005-04-01 2007-11-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Varistor and electronic component module using same
US20080025449A1 (en) 2004-05-12 2008-01-31 Ivonete Markman Dual Mode Sync Generator in an Atsc-Dtv Receiver
US20080142831A1 (en) 2006-12-18 2008-06-19 Lighthouse Technology Co., Ltd Package structure
US20080224815A1 (en) 2007-03-13 2008-09-18 Tatsuya Inoue Electrostatic discharge protection component, and electronic component module using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080025449A1 (en) 2004-05-12 2008-01-31 Ivonete Markman Dual Mode Sync Generator in an Atsc-Dtv Receiver
EP1858033A1 (en) 2005-04-01 2007-11-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Varistor and electronic component module using same
US20080142831A1 (en) 2006-12-18 2008-06-19 Lighthouse Technology Co., Ltd Package structure
US20080224815A1 (en) 2007-03-13 2008-09-18 Tatsuya Inoue Electrostatic discharge protection component, and electronic component module using the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012104494A1 (en) * 2012-05-24 2013-11-28 Epcos Ag light emitting diode device
US9449958B2 (en) 2012-05-24 2016-09-20 Epcos Ag Light-emitting diode device
GB2545728A (en) * 2015-12-23 2017-06-28 Tech Invest Ltd A rolling chassis assembly for a vehicle
GB2545728B (en) * 2015-12-23 2021-04-21 Timoney Dynamic Solutions Ltd A rolling chassis assembly for a vehicle
CN112738994A (en) * 2020-11-24 2021-04-30 鹤山市世拓电子科技有限公司 Printed circuit board with embedded power device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2201585B1 (en) Electric multilayer component
EP2174328B1 (en) Multilayer electrical component with a resistor and a decoupling layer
DE102008024480A1 (en) Electrical component arrangement
EP2289076B1 (en) Electric component assembly
EP2289074B1 (en) Electric component arrangement comprising a varistor and a semiconductor component
DE102009007316A1 (en) Electrical multilayer component
DE102008049398A1 (en) Headlamp with a plurality of Lumineszenzdiodenemitern
DE202011100820U1 (en) Power semiconductor
DE102012101606A1 (en) ESD protection device and device with an ESD protection device and an LED
DE102010001791A1 (en) LED-assembly, has light emission opening unsealed by enclosing unit, and electro static discharging units formed in such manner such that discharging units made up of ceramic material form enclosing unit
DE102009032253B4 (en) electronic component
DE102017118490A1 (en) LED module
DE102014101092A1 (en) Chip with protective function and method of manufacture
WO2019002098A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and assembly having an optoelectronic semiconductor component
WO2016034539A1 (en) Electrical component, component arrangement, and a method for producing an electrical component and component arrangement
WO2014135560A1 (en) Optoelectronic component and electronic device having an optoelectronic component
DE102007006157A1 (en) Varistor and light device
EP2015033B1 (en) Sensor
DE202010008705U1 (en) Array-like multi-chip housing for LEDs
DE102008026347A1 (en) Power-electronic arrangement, has electrically conducting regions arranged in edge region, where arrangement between one of conducting regions and base body comprises electrically conductive connection
DE102007044198A1 (en) Opto-electronic component e.g. service mountable device, has diode chip and electrostatic discharge protection element arranged on sides of carrier, where sides are opposite to each other
DE102013201327A1 (en) Printed circuit board, optoelectronic component and arrangement of optoelectronic components
WO2015114103A1 (en) Surface-mountable multi-chip component
DE10055680A1 (en) Optoelectronic component used as an SMD-LED comprises a multilayered base plate, a semiconductor chip with electrical connections and a plastic for encapsulating the base plate and chip
DE102006057534A1 (en) Varistor element

Legal Events

Date Code Title Description
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: TRIDONIC JENNERSDORF GMBH, AT

Free format text: FORMER OWNER: LEDON LIGHTING JENNERSDORF GMBH, JENNERSDDORF, AT

Effective date: 20110502

R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination