DE102010000270A1 - Electrode for a reactor for the production of polycrystalline silicon - Google Patents
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Abstract
Es ist eine Elektrode (6) für einen Reaktor (10) zbart. Mehrere Elektroden (6) sind hierzu in einem Boden (12) des Reaktors (10) befestigt. Die Elektroden (6) tragen Filamentstäbe (60) aus Reinst-Silizium. Der Elektrodenkörper (4) ist mit mehreren elastischen Elementen (2) in Richtung (5) einer Oberseite (13) des Bodens (12) des Reaktors (10) hin mechanisch vorgespannt. Zwischen der Oberseite (13) des Bodens (12) des Reaktors (10) und einem zur Oberseite (13) des Bodens (12) parallelen Ring (7) des Elektrodenkörpers (4) ist ein radial umlaufendes Dichtelement (3) eingesetzt.There is an electrode (6) for a reactor (10) zbart. For this purpose, several electrodes (6) are fastened in a base (12) of the reactor (10). The electrodes (6) carry filament rods (60) made of pure silicon. The electrode body (4) is mechanically pretensioned by several elastic elements (2) in the direction (5) of an upper side (13) of the bottom (12) of the reactor (10). A radially encircling sealing element (3) is inserted between the top (13) of the bottom (12) of the reactor (10) and a ring (7) of the electrode body (4) parallel to the top (13) of the bottom (12).
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Elektrode für einen Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium. Eine Vielzahl von Elektroden ist dabei auf einem Boden des Reaktors verteilt. In den einzelnen Elektroden sind Filamentstäbe aus Reinst-Silizium befestigt, wobei über einen Elektrodenkörper den Filamentstäben die erforderliche Stromzufuhr zugeleitet wird, damit die Filamentstäbe eine für die Abscheidung von polykristallinem Silizium erforderliche Temperatur erlangen.The present invention relates to an electrode for a reactor for producing polycrystalline silicon. A plurality of electrodes is distributed on a bottom of the reactor. In the individual electrodes filament rods made of ultra-pure silicon are attached, via an electrode body the filament rods the required power supply is supplied so that the filament rods obtain a temperature required for the deposition of polycrystalline silicon temperature.
Das polykristalline Silizium wird in Reaktoren auf den Filamentstäben abgeschieden. Bei der Abscheidung des polykristallinen Siliziums unterscheidet man im Wesentlichen zwei Prozesse, den Monosilan-Prozess oder das Siemens-Verfahren. Die Verfahren unterscheiden sich im Wesentlichen durch die Reaktionspartner, aus denen sich das polykristalline Silizium auf den Filamentstäben abscheidet.The polycrystalline silicon is deposited in reactors on the filament rods. In the deposition of the polycrystalline silicon, a distinction is made essentially two processes, the monosilane process or the Siemens process. The processes differ essentially by the reaction partners, from which the polycrystalline silicon is deposited on the filament rods.
Bei dem Siemens-Verfahren wird Trichlorsilan (SiHCl3) in Anwesenheit von Wasserstoff an den beheizten Reinst-Siliziumstäben bei ca. 1000 bis 1200°C thermisch zersetzt. Das elementare Silizium wächst dabei auf den Filamentstäben auf. Der dabei frei werdende Chlorwasserstoff wird in den Kreislauf zurückgeführt. Der Prozess läuft bei einem Druck von ca. 6,5 bar ab.In the Siemens process, trichlorosilane (SiHCl 3 ) is thermally decomposed at about 1000 to 1200 ° C. in the presence of hydrogen on the heated ultra-pure silicon rods. The elemental silicon grows on the filament rods. The liberated hydrogen chloride is recycled into the circulation. The process takes place at a pressure of approx. 6.5 bar.
Bei dem Monosilan-Prozess wird Monosilan (SiH4) in Anwesenheit von Wasserstoff an den beheizten Reinst-Siliziumstäben bei 850 bis 900°C thermisch zersetzt. Das elementare Silizium wächst dabei auf den Filamentstäben auf. Der Monosilan-Prozess läuft bei einem Druck von ca. 2 bis 2,5 bar ab.In the monosilane process, monosilane (SiH 4 ) is thermally decomposed at 850 to 900 ° C in the presence of hydrogen on the heated ultra-pure silicon rods. The elemental silicon grows on the filament rods. The monosilane process takes place at a pressure of approx. 2 to 2.5 bar.
Die europäische Patentanmeldung
Die U.S.-Patentanmeldung 2009/0081380 A1 offenbart einen Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium. Polykristallines Silizium scheidet sich dabei auf einem Filamentstab aus Reinst-Silizium ab. Die Reinst-Siliziumstäbe sind dabei in einer Elektrode befestigt, welche ebenfalls verteilt am Boden des Reaktors angeordnet sind. Ebenso ist am Boden des Reaktors eine Vielzahl von Einlassdüsen für das Reaktionsgas vorgesehen. Die Austrittsöffnung der Einlassdüsen liegt dabei höher als die Befestigungsebene der Filamentstäbe in der Elektrode. Die Elektroden sind entsprechend der in der europäischen Patentanmeldung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Elektrode für die Halterung der Filamentstäbe für die Abscheidung von polykristallinem Silizium derart auszugestalten, dass während des laufenden Produktionsprozesses und unabhängig von den herrschenden Produktionsbedingungen eine Dichtigkeit der Elektrode vom Reaktorinnenraum zur Umgebung gewährleistet ist.The invention has for its object to design an electrode for holding the filament rods for the deposition of polycrystalline silicon such that during the ongoing production process and regardless of the prevailing production conditions a tightness of the electrode from the reactor interior is ensured to the environment.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Elektrode, die die Merkmale im Anspruch 1 umfasst.The object is achieved by an electrode comprising the features in claim 1.
Erfindungsgemäß sind mehrere Elektroden in einem Boden des Reaktors befestigt. Die Elektroden tragen dabei Filamentstäbe, die in einem Elektrodenkörper sitzen und über den die Stromzufuhr zu den Elektroden bzw. Filamentstäben erfolgt. Der Elektrodenkörper selbst ist mit mehreren elastischen Elementen in Richtung der Oberseite des Bodens des Reaktors hin mechanisch vorgespannt. Zwischen der Oberseite des Bodens des Reaktors und einem zur Oberseite des Bodens parallelen Ring des Elektrodenkörpers ist ein radial umlaufendes Dichtelement eingesetzt. Das Dichtelement selbst ist im Bereich zwischen der Oberseite des Bodens des Reaktors und dem dazu parallelen Ring des Elektrodenkörpers von einem Keramikring abgeschirmt.According to the invention, a plurality of electrodes are mounted in a bottom of the reactor. The electrodes carry filament rods, which sit in an electrode body and via which the power is supplied to the electrodes or filament rods. The electrode body itself is mechanically biased with several elastic elements towards the top of the bottom of the reactor. Between the top of the bottom of the reactor and a parallel to the top of the bottom ring of the electrode body, a radially encircling sealing element is used. The sealing element itself is shielded in the region between the top of the bottom of the reactor and the parallel ring of the electrode body of a ceramic ring.
Der Boden des Reaktors kann dabei als Boden mit einem Zwischenraum oder mit zwei Zwischenräumen ausgebildet sein. Für den Fall, dass lediglich ein Zwischenraum im Reaktorboden ausgebildet ist, wird in diesem Zwischenraum Kühlwasser geführt. Ebenso ist die Umwandung des Reaktors als Doppelwandung ausgebildet, um somit eine Kühlung des Reaktorinnenraums zu erzielen. Für den Fall, dass der Reaktorboden aus zwei Zwischenräumen besteht, wird in einem der Zwischenräume Gas zu den Eintrittsdüsen geführt. In dem anderen Zwischenraum wird, wie bereits oben erwähnt, das für die Kühlung des Reaktorinneren erforderliche Kühlwasser geführt.The bottom of the reactor can be designed as a bottom with a gap or with two spaces. In the event that only a gap is formed in the reactor bottom, cooling water is conducted in this intermediate space. Likewise, the conversion of the reactor is designed as a double wall, so as to achieve a cooling of the reactor interior. In the event that the reactor bottom consists of two spaces, gas is fed to the inlet nozzles in one of the intermediate spaces. In the other intermediate space, as already mentioned above, the cooling water required for the cooling of the interior of the reactor is conducted.
Der Elektrodenkörper erstreckt sich dabei entlang einer Längsachse zumindest bis über eine Unterseite des Bodens hinaus. Das radial umlaufende Dichtelement ist dabei derart ausgebildet, dass es den Elektrodenkörper zumindest ebenfalls bis über die Unterseite des Bodens hinaus umgibt.In this case, the electrode body extends along a longitudinal axis at least to beyond an underside of the bottom. The radially encircling sealing element is designed in such a way that it also surrounds the electrode body at least likewise beyond the underside of the bottom.
Der Boden des Reaktors hat mehrere Durchbrüche ausgebildet, die von der Oberseite des Reaktorbodens bis zur Unterseite des Reaktorbodens reichen. In diesen Durchbrüchen sitzt der Elektrodenkörper zusammen mit dem Dichtelement. Die Durchbrüche besitzen selbstverständlich eine Wandung zu den Zwischenräumen des Reaktorbodens hin. Somit ist es sichergestellt, dass das Kühlwasser bzw. das Reaktionsgas nicht mit den Elektroden in Kontakt tritt.The bottom of the reactor has several apertures formed from the top of the Substrate bottom to the bottom of the reactor floor rich. In these openings, the electrode body sits together with the sealing element. The openings of course have a wall to the interstices of the reactor floor. Thus, it is ensured that the cooling water or the reaction gas does not come into contact with the electrodes.
Die mehreren elastischen Elemente sind mittels eines Gewindestifts am Elektrodenkörper gehaltert. Die elastischen Elemente sind an deren Oberseite von der Unterseite des Bodens abgestützt.The plurality of elastic elements are held by means of a threaded pin on the electrode body. The elastic elements are supported at the top of the bottom of the soil.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind jeweils zwei elastische Elemente um 180°C zueinander versetzt am Elektrodenkörper gehaltert. Die elastischen Elemente, welche die Elektroden gegenüber dem Reaktorboden vorspannen, sind als Schraubenfedern ausgebildet.According to a preferred embodiment of the invention, in each case two elastic elements are mounted offset by 180 ° C to each other on the electrode body. The elastic elements, which bias the electrodes relative to the reactor bottom, are designed as helical springs.
Das radial umlaufende Dichtelement besteht aus einem Material mit geringer thermischer Ausdehnung. Bevorzugt besteht das Material des radial umlaufenden Dichtelements aus PTFE.The radially encircling sealing element consists of a material with a low thermal expansion. The material of the radially encircling sealing element preferably consists of PTFE.
Der Elektrodenkörper besitzt in Richtung einer Längsachse einen Hohlraum, in den über eine Zuleitung Kühlwasser zuführbar ist. Im Hohlraum ist ein Rohr geführt, über das in Verbindung mit einer Ableitung das erwärmte Kühlwasser abgeführt wird. Die Kühlung ist erforderlich, da je nach dem verwendeten Prozess für die Herstellung von polykristallinem Silizium im Innenraum des Reaktors eine Temperatur von 800 bis 1200°C vorliegt. Die Elektroden werden mit dem zugeführten Kühlwasser auf eine Temperatur von 150°C gekühlt. Die Kühlung soll dabei auf +/–20°C geregelt sein. Ebenso wird, wie bereits erwähnt, durch die doppelwandige Ausbildung des Reaktors der Reaktor auf eine entsprechende Temperatur gekühlt.The electrode body has in the direction of a longitudinal axis a cavity into which cooling water can be supplied via a feed line. In the cavity, a pipe is guided, via which, in conjunction with a discharge, the heated cooling water is discharged. The cooling is necessary since, depending on the process used for the production of polycrystalline silicon in the interior of the reactor, a temperature of 800 to 1200 ° C is present. The electrodes are cooled with the supplied cooling water to a temperature of 150 ° C. The cooling should be regulated to +/- 20 ° C. Likewise, as already mentioned, the reactor is cooled to a corresponding temperature by the double-walled design of the reactor.
Im Folgenden sollen Ausführungsbeispiele die Erfindung und ihre Vorteile anhand der beigefügten Figuren näher erläutern.In the following, embodiments of the invention and their advantages with reference to the accompanying figures will be explained in more detail.
Für gleiche oder gleich wirkende Elemente der Erfindung werden identische Bezugszeichen verwendet. Ferner werden der Übersicht halber nur Bezugszeichen in den einzelnen Figuren dargestellt, die für die Beschreibung der jeweiligen Figur oder für die Einordung einer Figur in den Kontext anderer Figuren erforderlich sind.For identical or equivalent elements of the invention, identical reference numerals are used. Furthermore, for the sake of clarity, only reference symbols are shown in the individual figures, which are required for the description of the respective figure or for the arrangement of a figure in the context of other figures.
In der hier gezeigten Ausführungsform ist eine Gasabführung
In der hier dargestellten Ausführungsform ist der Boden
Der Elektrodenkörper
Die Erfindung wurde unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen beschrieben. Es ist für einen Fachmann selbstverständlich, dass Änderungen und Abwandlungen gemacht werden können, ohne dabei den Schutzbereich der nachstehenden Ansprüche zu verlassen.The invention has been described with reference to preferred embodiments. It will be understood by those skilled in the art that changes and modifications may be made without departing from the scope of the following claims.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- EP 2108619 A2 [0005] EP 2108619 A2 [0005]
- EP 2108619 [0006] EP 2108619 [0006]
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014146877A1 (en) * | 2013-03-20 | 2014-09-25 | Wacker Chemie Ag | Device for protecting an electrode seal in a reactor for the deposition of polycrystalline silicon |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011078727A1 (en) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Wacker Chemie Ag | Protective device for electrode holders in CVD reactors |
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2432383C2 (en) * | 1973-11-22 | 1983-02-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Reaction vessel for depositing semiconductor material on heated substrates |
EP2039653A2 (en) * | 2007-09-20 | 2009-03-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Reactor for polycrystalline silicon and polycrystalline silicon production method |
EP2105408A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-09-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon manufacturing apparatus |
EP2108619A2 (en) | 2008-03-21 | 2009-10-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
EP2138459A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing polycrystalline silicon |
EP2161241A2 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4847009B2 (en) * | 2002-05-23 | 2011-12-28 | ラム リサーチ コーポレーション | Multi-component electrode for semiconductor processing plasma reactor and method of replacing part of multi-component electrode |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2432383C2 (en) * | 1973-11-22 | 1983-02-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Reaction vessel for depositing semiconductor material on heated substrates |
EP2039653A2 (en) * | 2007-09-20 | 2009-03-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Reactor for polycrystalline silicon and polycrystalline silicon production method |
EP2108619A2 (en) | 2008-03-21 | 2009-10-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
EP2105408A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-09-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon manufacturing apparatus |
EP2138459A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing polycrystalline silicon |
EP2161241A2 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014146877A1 (en) * | 2013-03-20 | 2014-09-25 | Wacker Chemie Ag | Device for protecting an electrode seal in a reactor for the deposition of polycrystalline silicon |
KR101811932B1 (en) | 2013-03-20 | 2017-12-22 | 와커 헤미 아게 | Device for protecting an electrode seal in a reactor for the deposition of polycrystalline silicon |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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