DE102009052467B3 - Inductive proximity sensor with temperature compensation - Google Patents
Inductive proximity sensor with temperature compensation Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009052467B3 DE102009052467B3 DE102009052467A DE102009052467A DE102009052467B3 DE 102009052467 B3 DE102009052467 B3 DE 102009052467B3 DE 102009052467 A DE102009052467 A DE 102009052467A DE 102009052467 A DE102009052467 A DE 102009052467A DE 102009052467 B3 DE102009052467 B3 DE 102009052467B3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- values
- digital
- proximity sensor
- temperature
- sequence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
- H03K17/9502—Measures for increasing reliability
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D3/00—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups
- G01D3/028—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure
- G01D3/036—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure on measuring arrangements themselves
- G01D3/0365—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure on measuring arrangements themselves the undesired influence being measured using a separate sensor, which produces an influence related signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
- H03K17/952—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
- H03K17/9537—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit
- H03K17/9542—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator
- H03K17/9547—Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator with variable amplitude
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/94—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00 characterised by the way in which the control signal is generated
- H03K2217/9401—Calibration techniques
- H03K2217/94031—Calibration involving digital processing
Abstract
Es wird ein induktiver Näherungssensor mit Temperaturkompensation offenbart. Die Temperaturkompensation verwendet einen ΣΔ-Modulator, um die Temperatur eines Temperatursensors, zum Beispiel den Widerstandswert eines temperaturabhängigen Widerstands, abzutasten und zu digitalisieren. Eine erste digitale Filterstufe mit Tiefpasscharakteristik normiert die digitalisierten Werte derart, dass die normierten Werte Adressen einer Nachschlagetabelle bilden. Die Nachschlagetabelle bildet den Temperaturgang des induktiven Näherungssensors ab und liefert eine Folge digitaler Nachschlagewerte an eine zweite Filterstufe, die eine Folge von Temperaturkompensationswerten erzeugt, welche von einer Auswerteeinheit zur Temperaturkompensation verwendet werden.An inductive proximity sensor with temperature compensation is disclosed. The temperature compensation uses a ΣΔ modulator to sample and digitize the temperature of a temperature sensor, for example the resistance value of a temperature-dependent resistor. A first digital filter stage with a low-pass characteristic normalizes the digitized values in such a way that the standardized values form addresses of a look-up table. The look-up table maps the temperature response of the inductive proximity sensor and supplies a sequence of digital look-up values to a second filter stage, which generates a sequence of temperature compensation values which are used by an evaluation unit for temperature compensation.
Description
Die Erfindung betrifft einen induktiven Näherungssensor, der ein Sensorelement, welches einen Schwingkreis und eine damit verbundene Auswerteeinheit umfasst, die ein Ausgangssignal in Abhängigkeit von der Bedämpfung des Schwingkreises durch ein elektrisch leitfähiges Objekt bereitstellt, und eine Temperaturkompensationsschaltung aufweist, die einen Temperatursensor zur Erfassung der Temperatur des induktiven Näherungssensors umfasst. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Temperaturkompensation eines induktiven Näherungssensors.The invention relates to an inductive proximity sensor comprising a sensor element, which comprises a resonant circuit and an evaluation unit connected thereto, which provides an output signal in response to the damping of the resonant circuit by an electrically conductive object, and a temperature compensation circuit comprising a temperature sensor for detecting the temperature of the inductive proximity sensor. The invention further relates to a method for temperature compensation of an inductive proximity sensor.
Induktive Näherungssensoren detektieren elektrisch leitfähige Metalle auf Grundlage des Wirbelstromprinzips. Mittels eines elektrischen Schwingkreises mit einer Spule und einem Kondensator (LC-Schwingkreis) wird ein magnetisches Wechselfeld aufgebaut, das über die Spule des Schwingkreises in den Raum gerichtet abgestrahlt wird. Gelangt ein elektrisch leitfähiges Objekt (im Folgenden auch ”Target” genannt) in den Wirkungsbereich des Wechselfeldes, werden durch das Wechselfeld im Target Wirbelströme induziert, die wiederum ein Magnetfeld hervorrufen, das dem anregenden Magnetfeld entgegengesetzt gerichtet ist. Die Erzeugung der Wirbelströme entzieht dem anregenden Magnetfeld Energie und beeinflusst damit die Impedanz der Spule bzw. dämpft den LC-Schwingkreis. Zur Erfassung der Anwesenheit und/oder des Abstandes eines Targets von dem induktiven Näherungssensor wird häufig über eine direkte Messung der Schwingkreisamplitude der Realteil der Spulenimpedanz ermittelt, der ein Maß für die Dämpfung des Schwingkreises darstellt. Bei dem Target kann es sich zum Beispiel um eine Schaltfahne handeln, die über den induktiven Näherungssensor ein Schaltsignal auslösen kann.Inductive proximity sensors detect electrically conductive metals based on the eddy current principle. By means of an electrical resonant circuit with a coil and a capacitor (LC resonant circuit), an alternating magnetic field is set up, which is emitted via the coil of the resonant circuit directed into the room. If an electrically conductive object (also referred to below as "target") enters the effective region of the alternating field, eddy currents are induced by the alternating field in the target, which in turn cause a magnetic field which is opposite to the exciting magnetic field. The generation of the eddy currents deprives the exciting magnetic field energy and thus influences the impedance of the coil or damps the LC resonant circuit. To detect the presence and / or the distance of a target from the inductive proximity sensor, the real part of the coil impedance is often determined by direct measurement of the resonant circuit amplitude, which represents a measure of the damping of the resonant circuit. The target may be, for example, a switching tag which can trigger a switching signal via the inductive proximity sensor.
Da das magnetische Feld im Nahbereich mit der dritten Potenz in den Raum hinein abnimmt, wird es mit größer werdendem Abstand des Targets von der Spule immer schwieriger, das Target mit einer ausreichenden Genauigkeit zu detektieren. Der gemäß IEC60947-5-2/EN60947-5-2 bestimmte Abstand eines genormten Targets von dem induktiven Näherungssensor, bei dem ein sicheres Erkennen des Targets gewährleistet ist, wird als Nennschaltabstand bezeichnet und beträgt in der Regel wenige Millimeter. Zur Erzielung möglichst hoher Schaltabstände, die über den Nennschaltabstand hinausgehen, trägt neben einer möglichst hoch aufgelösten Auslesung des Sensorsignals (die z. B. gemäß
Bei einfachen Nennschaltabständen ist die Änderung des Realteils der Spulenimpedanz durch den Targeteinfluss im Verhältnis noch viel größer als seine Änderung mit der Temperatur, sodass eine Variation des Schaltabstandes über die Temperatur von +/–10%, was einem üblichen Toleranzband entspricht, teilweise auch ohne Kompensation nicht überschritten wird. Werden die Schaltabstände jedoch größer, so nimmt der Einfluss des Targets im Verhältnis zur Temperatur überproportional ab, sodass oftmals bereits bei zweifachem Nennschaltabstand eine Temperaturkompensation erforderlich wird. Um Näherungsschalter mit noch höheren Schaltabständen, etwa dem 3- bis 4-fachen Nennschaltabstand, zu realisieren, müssen weitreichende Temperaturkompensationsmaßnahmen ergriffen werden.At simple nominal switching distances, the change of the real part of the coil impedance by the target influence in ratio is still much larger than its change with the temperature, so that a variation of the switching distance over the temperature of +/- 10%, which corresponds to a usual tolerance band, sometimes without compensation is not exceeded. However, if the switching distances become larger, the influence of the target in relation to the temperature decreases disproportionately, so that a temperature compensation is often required even at twice the nominal switching distance. In order to realize proximity switches with even higher switching distances, such as 3 to 4 times the nominal switching distance, far-reaching temperature compensation measures must be taken.
Im Stand der Technik sind bereits Vorrichtungen und Verfahren zur Temperaturkompensation von induktiven Näherungssensoren bekannt. So offenbart die Patentschrift
Die Patentschrift
Die aus dem Stand der Technik bekannten Temperaturkompensierungen sind entweder relativ unflexibel, oder aber sehr aufwändig in der Realisierung.The temperature compensations known from the prior art are either relatively inflexible or very complicated to implement.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen induktiven Näherungssensor mit einer Temperaturkompensation, die einerseits hohe Genauigkeit und große Flexibilität gewährleistet und andererseits mit geringem Hardwareaufwand zu realisieren ist, und ein entsprechendes Verfahren bereitzustellen.The object of the invention is to provide an inductive proximity sensor with a temperature compensation, which on the one hand ensures high accuracy and great flexibility, and on the other hand can be realized with little hardware expenditure, and to provide a corresponding method.
Diese Aufgabe wird durch die Gegenstände der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind Gegenstand von Unteransprüchen.This object is solved by the subject matters of the independent claims. Preferred embodiments are the subject of dependent claims.
Der erfindungsgemäße induktive Näherungssensor verwendet eine Temperaturkompensationsschaltung mit einem ΣΔ-Modulator zur Abtastung eines Temperatursignals, das von einem Temperatursensor stammt, welcher die Temperatur des induktiven Näherungssensors erfasst. Der ΣΔ-Modulator liefert eine erste Folge digitaler Werte an eine erste digitale Filterstufe mit Tiefpasscharakteristik. Die erste digitale Filterstufe liefert eine zweite Folge digitaler Werte an eine Nachschlagetabelle, welche daraus eine Folge digitaler Nachschlagewerte erzeugt. Die Folge digitaler Nachschlagewerte wird von einer zweiten Filterstufe mit Tiefpasscharakteristik empfangen, die eine Folge von Temperaturkompensationswerten erzeugt, wobei die zweite Filterstufe vorzugsweise digital ausgestaltet. ist und stärker filtert als die erste digitale Filterstufe. Die zweite Filterstufe
Dieser Aufbau ermöglicht eine hochgenaue und flexible Temperaturkompensation, ohne dass dazu komplexe und kostspielige Mikroprozessoren, digitale Signalprozessoren (DSP) oder ähnliche elektronische Bauteile verwendet werden müssen. Die hohe Genauigkeit wird durch die an sich bekannte Rauschformung des ΣΔ-Modulators möglich, durch welche das Quantisierungsrauschen zu höheren Frequenzen hin verschoben wird, wodurch das relativ niederfrequente Nutzsignal mit hohem Signal-Rauschabstand erfasst werden kann.This design allows for highly accurate and flexible temperature compensation without the need for complex and expensive microprocessors, digital signal processors (DSP) or similar electronic components. The high accuracy is possible by the known per se noise shaping of the ΣΔ modulator, through which the quantization noise is shifted towards higher frequencies, whereby the relatively low-frequency useful signal can be detected with a high signal-to-noise ratio.
Die Flexibilität der Temperaturkompensation wird durch die Verwendung einer Nachschlagetabelle ermöglicht, in der ein beliebiger Temperaturgang des induktiven Näherungssensors hinterlegt werden kann. Dabei kann der jeweilige Temperaturgang für den jeweils verwendeten induktiven Näherungssensor individuell erfasst und abgespeichert werden.The flexibility of the temperature compensation is made possible by the use of a look-up table, in which any temperature response of the inductive proximity sensor can be deposited. In this case, the respective temperature response for the inductive proximity sensor used in each case can be detected and stored individually.
Die Verwendung eines digitalen Kennlinienspeichers statt toleranzbehafteter und temperaturabhängiger analoger Komponenten erhöht zudem die Genauigkeit der Temperaturkompensation.The use of a digital characteristic memory instead of tolerant and temperature-dependent analog components also increases the accuracy of the temperature compensation.
Ein wesentliches Element der Erfindung besteht darin, die Tiefpassfilterung eines ΣΔ-modulierten binären Signals auf zwei Filterstufen zu verteilen und die Nachschlagetabelle zwischen diesen geeignet anzuordnen. Durch eine entsprechende Auslegung der ersten digitalen Filterstufe wird die von ihr erzeugte zweite Folge digitaler Werte so normiert, dass die Werte der zweiten Folge digitaler Werte direkt als Adressen oder Stützstellen der Nachschlagetabelle verwendet werden können. Die zweite Folge digitaler Werte wird bei der Verwendung eines ΣΔ-Modulators erster Ordnung in der Regel zwischen zwei Stützstellen hin- und herspringen. Die Art der Interpolation, beispielsweise linear, quadratisch oder kubisch, hängt dabei von der Ordnung des ΣΔ-Modulators (ΣΔ-Modulator erster, zweiter oder dritter Ordnung) ab. Die dem ΣΔ-Modulator innewohnende Interpolationseigenschaft wird also zur Interpolation zwischen Stützstellen ohne einen Mikroprozessor genutzt. Da in der Regel bereits wenige Stützstellen genügen, ist der Speicherbedarf der Nachschlagetabelle minimal.An essential element of the invention is to distribute the low-pass filtering of a ΣΔ-modulated binary signal to two filter stages and to arrange the look-up table between them. By means of a corresponding design of the first digital filter stage, the second sequence of digital values it generates is normalized such that the values of the second sequence of digital values can be used directly as addresses or reference points of the lookup table. The second sequence of digital values will usually jump between two nodes when using a first order ΣΔ modulator. The type of interpolation, for example linear, quadratic or cubic, depends on the order of the ΣΔ modulator (ΣΔ modulator of the first, second or third order). The inherent interpolation property of the ΣΔ modulator is thus used for interpolation between nodes without a microprocessor. Since usually only a few support points suffice, the memory requirement of the lookup table is minimal.
Die Mittelwertbildung zwischen den von der Nachschlagetabelle erzeugten digitalen Nachschlagewerten erfolgt dann in der zweiten Filterstufe. Die beiden Filterstufen können ohne Verwendung eines Mikroprozessors realisiert werden, bei einer Ausführungsform beispielsweise als Summiererelemente, wodurch eine kostengünstige Temperaturkompensation ermöglicht wird. Jedoch können auch komplexere Filter, beispielsweise FIR-Filter, implementiert werden.The averaging between the digital lookup values generated by the lookup table then occurs in the second filter stage. The two filter stages can be implemented without the use of a microprocessor, in one embodiment, for example, as summing elements, thereby enabling cost-effective temperature compensation. However, more complex filters, such as FIR filters, can be implemented.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist ein sogenannter Dezimator zwischen die zweite Filterstufe und die Auswerteeinheit des induktiven Näherungssensors gekoppelt. Dieser Dezimator ist in für ΣΔ-Modulatoren an sich bekannter Weise ausgestaltet, um die durch die Überabtastung des ΣΔ-Modulators erzeugten redundanten Werte, die keine zusätzliche Information beinhalten, aus der Folge von Temperaturkompensationswerten herauszufiltern.In a preferred embodiment, a so-called decimator is coupled between the second filter stage and the evaluation unit of the inductive proximity sensor. This decimator is designed in a manner known per se for ΣΔ modulators in order to filter out the redundant values generated by the oversampling of the ΣΔ modulator, which contain no additional information, from the sequence of temperature compensation values.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die von der ersten digitalen Filterstufe erzeugte zweite Folge digitaler Werte nur Werte, die Adressen oder Stützstellen der Nachschlagetabelle entsprechen. Auf diese Weise wird sichergestellt, dass alle von dem ΣΔ-Modulator und der ersten Filterstufe erzeugten Werte von der Nachschlagetabelle verarbeitet werden können.In a preferred embodiment, the second series of digital values produced by the first digital filter stage comprises only values corresponding to addresses or nodes of the look-up table. In this way, it is ensured that all of the ΣΔ modulator and the first filter stage generated values can be processed by the lookup table.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird ein ΣΔ-Modulator höherer Ordnung M verwendet, um dadurch eine stetigere Interpolation, z. B. eine quadratische oder kubische Interpolation, zwischen den Stützwerten der Nachschlagetabelle zu erreichen.In a preferred embodiment, a higher order ΣΔ modulator M is used, thereby providing a more stable interpolation, e.g. For example, a quadratic or cubic interpolation can be achieved between the supporting values of the look-up table.
Der induktive Näherungssensor umfasst bei einer Ausführungsform einen Temperatursensor, der aus einem temperaturabhängigen Widerstand besteht. Dies ermöglicht eine einfache, kostengünstige und genaue Erfassung der Temperatur des induktiven Näherungssensors.The inductive proximity sensor in one embodiment comprises a temperature sensor consisting of a temperature-dependent resistor. This allows a simple, inexpensive and accurate detection of the temperature of the inductive proximity sensor.
Eine bevorzugte Ausführungsform verwendet den Gleichstromwiderstand einer Spule des LC-Schwingkreises des Näherungssensors direkt als den temperaturabhängigen Widerstand des Temperatursensors. Da bei dieser Ausführungsform kein separates Bauteil zur Temperaturerfassung verwendet wird, entfallen damit mögliche Temperaturübergangsprobleme zwischen dem induktiven Näherungssensor und einem separaten Temperaturerfassungsbauteil.A preferred embodiment uses the DC resistance of a coil of the LC resonant circuit of the proximity sensor directly as the temperature-dependent resistance of the temperature sensor. Since no separate component for temperature detection is used in this embodiment, thus eliminating possible temperature transition problems between the inductive proximity sensor and a separate temperature sensing device.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die Auswerteeinheit des induktiven Näherungssensors einen Digital-Analog-Umsetzer, der die Folge von Temperaturkompensationswerten in einen temperaturabhängigen Strom umsetzt. Dieser Strom wird durch ein Nachführen einer Oszillatorspannung des Schwingkreises des Näherungssensors zur Temperaturkompensation verwendet. Diese Ausführungsform ermöglicht eine einfache analoge Temperaturkompensation.In a preferred embodiment, the evaluation unit of the inductive proximity sensor comprises a digital-to-analog converter, which converts the sequence of temperature compensation values into a temperature-dependent current. This current is used by tracking an oscillator voltage of the resonant circuit of the proximity sensor for temperature compensation. This embodiment enables a simple analog temperature compensation.
Bei einer alternativen bevorzugten Ausführungsform umfasst die Auswerteeinheit des induktiven Näherungssensors einen Digital-Analog-Umsetzer, der die Folge von Temperaturkompensationswerten in eine temperaturabhängige Spannung umsetzt, die zur Temperaturkompensation durch ein Nachführen einer Schaltschwelle eines Komparators verwendet wird. Dieser Aufbau ermöglicht eine analoge Temperaturkompensation des induktiven Näherungssensors auf einfache Weise.In an alternative preferred embodiment, the evaluation unit of the inductive proximity sensor comprises a digital-to-analog converter, which converts the sequence of temperature compensation values into a temperature-dependent voltage which is used for temperature compensation by tracking a switching threshold of a comparator. This structure enables analog temperature compensation of the inductive proximity sensor in a simple manner.
Die zweite Filterstufe kann dann auch nach dem Digital-Analog-Umsetzer angeordnet und analog ausgeführt sein.The second filter stage can then also be arranged after the digital-to-analog converter and executed in an analogous manner.
Bei einer weiteren Ausführungsform umfasst die Auswerteeinheit des induktiven Näherungssensors einen Analog-Digital-Umsetzer, der eine Oszillatorspannung des Schwingkreises des Näherungssensors in digitalisierte Amplitudeninformationen umsetzt. Bei dieser Ausführungsform ist die zweite Filterstufe digital ausgestaltet und liefert eine digitale Folge von Temperaturkompensationswerten. Diese Ausführungsform umfasst ferner, dass die Auswerteeinheit des induktiven Näherungssensors zum direkten Verrechnen der Folge von Temperaturkompensationswerten mit den digitalisierten Amplitudeninformationen ausgestaltet ist. Durch die digitale Verarbeitung der Signale kann die Auswerteeinheit sehr einfach ausgestaltet sein, beispielsweise kann ein einfacher Summierer ausreichend sein.In a further embodiment, the evaluation unit of the inductive proximity sensor comprises an analog-to-digital converter, which converts an oscillator voltage of the resonant circuit of the proximity sensor into digitized amplitude information. In this embodiment, the second filter stage is digital and provides a digital series of temperature compensation values. This embodiment further comprises that the evaluation unit of the inductive proximity sensor is configured to directly calculate the sequence of temperature compensation values with the digitized amplitude information. Due to the digital processing of the signals, the evaluation unit can be configured very simply; for example, a simple summer can be sufficient.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform verwendet einen zweiten ΣΔ-Modulator, wobei der zweite ΣΔ-Modulator zur Erzeugung digitalisierter Amplitudeninformationen des Schwingkreises ausgestaltet ist. Ferner verwendet diese Ausführungsform bei der Temperaturkompensation eine digitale zweite Filterstufe, die eine digitale Folge von Temperaturkompensationswerten liefert. Die Auswerteeinheit ist dabei zum direkten Verrechnen der digitalen Folge von Temperaturkompensationswerten mit den digitalisierten Amplitudeninformationen ausgestaltet. Auch bei dieser Ausführungsform kann die Auswerteeinheit sehr einfach ausgestaltet sein, beispielsweise als Summierer. Durch den Wegfall analoger Bauteile kann diese Ausführungsform besonders einfach durch einen integrierten Schaltkreis realisiert werden.A further preferred embodiment uses a second ΣΔ modulator, wherein the second ΣΔ modulator is designed to generate digitized amplitude information of the resonant circuit. Further, this embodiment uses a digital second filter stage in temperature compensation that provides a digital sequence of temperature compensation values. The evaluation unit is designed for directly calculating the digital sequence of temperature compensation values with the digitized amplitude information. Also in this embodiment, the evaluation unit can be configured very simply, for example as a summer. By eliminating analog components, this embodiment can be particularly easily realized by an integrated circuit.
Bei einer weiteren bevorzugten und davon ausgehenden Ausführungsform ist der Schwingkreis des Näherungssensors in dem Rückkopplungszweig des zweiten ΣΔ-Modulators angeordnet, wodurch neben einer hohen Auflösung der Oszillatorspannung auch eine große Dynamik des induktiven Näherungssensors ermöglicht wird.In a further preferred and outgoing embodiment of the resonant circuit of the proximity sensor is arranged in the feedback branch of the second ΣΔ modulator, which in addition to a high resolution of the oscillator voltage and a large dynamics of the inductive proximity sensor is possible.
Die Aufgabe wird weiterhin mit einem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst. Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens und besonders bevorzugte Ausgestaltungen ergeben sich in analoger Weise aus den obigen Schilderungen zu entsprechenden Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtung und deren Vorteile.The object is further achieved by a method having the features of
Im Folgenden wird die Erfindung anhand beispielhafter Ausführungsformen unter Bezug auf die beiliegenden schematischen Figuren im Detail erläutert. Dabei zeigen:In the following, the invention will be explained in detail with reference to exemplary embodiments with reference to the attached schematic figures. Showing:
Allgemein erzeugt ein ΣΔ-Modulator in an sich bekannter Weise ein pulshäufigkeitsmoduliertes digitales Signal, dessen Mittelwert ein sehr genaues Maß für das analoge Eingangssignal des ΣΔ-Modulators darstellt. Durch die hohe Überabtastung wird ein Quantisierungsrauschen in einen hohen Frequenzbereich verlagert und kann anschließend leicht ausgefiltert werden, so dass ein relativ niederfrequentes Nutzsignal mit hoher Auflösung bereitgestellt werden kann.In general, a ΣΔ modulator generates, in a manner known per se, a pulse frequency-modulated digital signal whose mean value represents a very accurate measure of the analog input signal of the ΣΔ modulator. Due to the high oversampling, a quantization noise is shifted to a high frequency range and can then be easily filtered out, so that a relatively low-frequency useful signal with high resolution can be provided.
Der ΣΔ-Modulator
Neben der Berücksichtigung der Signalbandbreite fb des Nutzsignals kann es bei der Auslegung des ΣΔ-Modulators vorteilhaft sein, die Resonanzfrequenz des LC-Schwingkreises des induktiven Näherungssensors einzubeziehen. Dadurch kann sichergestellt werden, dass bei einer Digitalisierung der Oszillatorausgangsspannung des LC-Schwingkreises des Näherungssensors und einer anschließenden digitalen Verrechnung mit einer Folge von Temperaturkompensationswerten mit aufeinander abgestimmten Abtastfrequenzen gearbeitet wird. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass kein separater Takt für den ΣΔ-Modulator notwendig ist.In addition to the consideration of the signal bandwidth f b of the useful signal, it may be advantageous in the design of the ΣΔ modulator to include the resonant frequency of the LC resonant circuit of the inductive proximity sensor. In this way, it can be ensured that the oscillator output voltage of the LC resonant circuit of the proximity sensor is digitized and a subsequent digital computation with a sequence of temperature compensation values with matched sampling frequencies is carried out. Another advantage is that no separate clock is necessary for the ΣΔ modulator.
In an sich bekannter Weise besteht die Ausgabe des ΣΔ-Modulators
Eine erste digitale Filterstufe
Bei dem in
Jeder der Werte der zweiten Folge digitaler Werte entspricht dabei einer Adresse der Nachschlagetabelle
Bei dem gezeigten Beispiel liegt die tatsächliche Temperatur bei 12,5°C, also genau zwischen zwei als Stützstellen verwendeten Temperaturen 0°C und 25°C. Die zweite Folge digitaler Werte nach der ersten Filterstufe
Eine Temperatur von z. B. 25°C entspräche direkt der Stützstelle yϑ[n] = 2, so dass die Nachschlagetabelle
Die Folge digitaler Nachschlagewerte, die von der Nachschlagetabelle
Die von der zweiten Filterstufe
Wie die untere Skala zeigt, werden Stützstellen im Abstand von 25°C bei –25°C beginnend bis zu +75°C verwendet. Es können jedoch auch mehr oder weniger Stützstellen und andere Abstände zwischen den Stützstellen verwendet werden. Die Skala am oberen Rand des Diagramms von
Das Diagramm in
In
In
Durch den temperaturabhängigen Referenzstrom kann ein Ausgangssignal der Oszillatorschaltung
Bei der Ausführungsform der
In
Bei den Ausführungsformen von
Die SC-Schaltung kann in hier nicht dargestellter Weise mit einem Komparator und einer Referenzspannungs-Rückkopplung kombiniert werden, um dadurch einen ΣΔ-Modulator erster Ordnung auszubilden, der wie oben beschrieben zu einer hochgenauen Abtastung des Temperaturwerts eingesetzt wird.The SC circuit may be combined with a comparator and a reference voltage feedback in a manner not shown herein to thereby form a first order ΣΔ modulator which is used for high accuracy sampling of the temperature value as described above.
Für den Fall, dass der gesamte induktive Näherungssensor oder Teile desselben in einer integrierten Schaltung zusammengefasst sind, kann der Temperatursensor entweder in die integrierte Schaltung integriert sein oder separat davon angeordnet sein.In the event that the entire inductive proximity sensor or parts thereof are combined in an integrated circuit, the temperature sensor may either be integrated into the integrated circuit or be arranged separately from it.
Während die zweite Filterstufe in den Ausführungsformen von
Bei der Ausführungsform der
Um die Genauigkeit der Temperaturkompensation noch weiter zu erhöhen, wird bei einer weiteren Ausführungsform ein zusätzlicher digitaler ΣΔ-Modulator direkt nach der Nachschlagetabelle angeordnet.In order to further increase the accuracy of the temperature compensation, in another embodiment, an additional digital ΣΔ modulator is placed directly after the look-up table.
Der für die erfindungsgemäße Temperaturkompensation eingesetzte ΣΔ-Modulator
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 1010
- TemperaturkompensationsschaltungTemperature compensation circuit
- 1111
- temperaturabhängiger Widerstandtemperature-dependent resistance
- 1212
- ΣΔ-ModulatorΣΔ modulator
- 1313
- TiefpassfilterLow Pass Filter
- 1414
- Nachschlagetabellelookup table
- 1515
- TiefpassfilterLow Pass Filter
- 1616
- Dezimatordecimator
- 20, 20'20, 20 '
- Digital/Analog-UmsetzerDigital / analog converter
- 21, 21'21, 21 '
- Oszillatoroscillator
- 2222
- Komparatorcomparator
- 23, 23'23, 23 '
- Ausgangsstufeoutput stage
- 2424
- Targettarget
- 2525
- SpuleKitchen sink
- 2626
- Kondensatorcapacitor
- 2727
- Analog/Digital-UmsetzerAnalog / digital converter
- 2828
- digitale Verrechnungsstufedigital billing level
- 2929
- ΣΔ-ModulatorΣΔ modulator
- 130130
- Folge digitaler Nachschlagewerte Temperatur des induktiven NäherungssensorsSequence of digital reference values Temperature of the inductive proximity sensor
- xϑ(t)x θ (t)
- zeitlicher Verlauf eines temperaturabhängigen Signalstime course of a temperature-dependent signal
- yϑ[n]y θ [n]
- zweite Folge digitaler Wertesecond sequence of digital values
- fb f b
- Bandbreite des NutzsignalsBandwidth of the useful signal
- fc f c
- Filterabtastfrequenzfilter sampling
- MM
- Ordnung des ΣΔ-ModulatorsOrder of the ΣΔ modulator
Claims (13)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009052467A DE102009052467B3 (en) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | Inductive proximity sensor with temperature compensation |
CH01649/10A CH702140B1 (en) | 2009-11-09 | 2010-10-08 | Inductive proximity sensor with temperature compensation. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009052467A DE102009052467B3 (en) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | Inductive proximity sensor with temperature compensation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102009052467B3 true DE102009052467B3 (en) | 2011-07-14 |
Family
ID=43977863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102009052467A Active DE102009052467B3 (en) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | Inductive proximity sensor with temperature compensation |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH702140B1 (en) |
DE (1) | DE102009052467B3 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9088261B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-07-21 | Texas Instruments Incorporated | Resonant impedance sensing based on controlled negative impedance |
EP4030135A1 (en) * | 2021-01-15 | 2022-07-20 | Pepperl+Fuchs SE | Inductive sensor unit |
DE102021121686A1 (en) | 2021-08-20 | 2023-02-23 | Heinz-Dieter Schunk Gmbh & Co. Spanntechnik Kg | Sensor device for detecting the position of a clamping element of a clamping or gripping device and clamping or gripping device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017219858A1 (en) * | 2017-11-08 | 2019-05-09 | Robert Bosch Gmbh | Method for operating a magnetic field sensor and associated magnetic field sensor arrangement |
DE112019007317T5 (en) * | 2019-05-15 | 2022-03-24 | Dana Automotive Systems Group, Llc | Sensor system and a method for its temperature compensation |
US11171641B2 (en) * | 2019-06-03 | 2021-11-09 | Cirrus Logic, Inc. | Compensation for air gap changes and temperature changes in a resonant phase detector |
CN111965433B (en) * | 2020-07-23 | 2023-03-03 | 深圳市志奋领科技有限公司 | Method for evaluating magnetic core of inductive proximity switch |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH69950A (en) * | 1914-12-24 | 1915-08-02 | Basf Ag | Process for the production of nitrogen oxides by the catalytic oxidation of ammonia |
DE3926083C2 (en) * | 1989-08-07 | 1991-09-05 | Christian Lohse Beruehrungslose Schalttechnik Gmbh, 5241 Katzwinkel, De | |
DE19527174A1 (en) * | 1995-07-25 | 1997-01-30 | Balluff Gebhard Gmbh & Co | Non-contact proximity switch and method for programming it |
DE10046147C1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-02-21 | Balluff Gmbh | Proximity sensor for detection of electrically conductive or magnetisable object has separate setting elements providing calibration and temperature compensation for proximity sensor |
DE102007007551A1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Sick Ag | Inductive proximity sensor |
DE102007014343A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Werner Turck Gmbh & Co. Kg | Proximity switch has transmission coil, which generates electromagnetic alternating field as part of oscillator, which is influenced in different ways by actuator depending on its distance to proximity switch |
-
2009
- 2009-11-09 DE DE102009052467A patent/DE102009052467B3/en active Active
-
2010
- 2010-10-08 CH CH01649/10A patent/CH702140B1/en unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH69950A (en) * | 1914-12-24 | 1915-08-02 | Basf Ag | Process for the production of nitrogen oxides by the catalytic oxidation of ammonia |
DE3926083C2 (en) * | 1989-08-07 | 1991-09-05 | Christian Lohse Beruehrungslose Schalttechnik Gmbh, 5241 Katzwinkel, De | |
DE19527174A1 (en) * | 1995-07-25 | 1997-01-30 | Balluff Gebhard Gmbh & Co | Non-contact proximity switch and method for programming it |
DE10046147C1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-02-21 | Balluff Gmbh | Proximity sensor for detection of electrically conductive or magnetisable object has separate setting elements providing calibration and temperature compensation for proximity sensor |
DE102007007551A1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Sick Ag | Inductive proximity sensor |
DE102007014343A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Werner Turck Gmbh & Co. Kg | Proximity switch has transmission coil, which generates electromagnetic alternating field as part of oscillator, which is influenced in different ways by actuator depending on its distance to proximity switch |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9088261B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-07-21 | Texas Instruments Incorporated | Resonant impedance sensing based on controlled negative impedance |
EP4030135A1 (en) * | 2021-01-15 | 2022-07-20 | Pepperl+Fuchs SE | Inductive sensor unit |
DE102021121686A1 (en) | 2021-08-20 | 2023-02-23 | Heinz-Dieter Schunk Gmbh & Co. Spanntechnik Kg | Sensor device for detecting the position of a clamping element of a clamping or gripping device and clamping or gripping device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH702140B1 (en) | 2014-05-15 |
CH702140A2 (en) | 2011-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102009052467B3 (en) | Inductive proximity sensor with temperature compensation | |
EP1959570B1 (en) | Inductive proximity sensor | |
DE102006051365B4 (en) | Measuring amplification device and method | |
EP2651036B1 (en) | Inductive proximity sensor | |
EP1130360B1 (en) | Sensor | |
DE102005038875A1 (en) | Capacitance measuring circuit | |
EP1130782A2 (en) | Method and circuit for the analogue-to-digital conversion of signals | |
EP0503272A1 (en) | Circuit arrangement for measuring the capacitance ratio of two capacitors | |
DE3642771C2 (en) | ||
DE19844663C2 (en) | Circuit arrangement and method for setting switching points of a decision maker | |
EP3457369B1 (en) | Circuit arrangement for a smoke sensor | |
DE102016115015A1 (en) | Inductive proximity sensor | |
EP2033310B1 (en) | Thermally stable resonant circuit for inductive sensors | |
EP3320373B1 (en) | Filter circuit for suppressing signal distortion | |
DE102014209339B4 (en) | Inductive proximity switch | |
EP0422732B1 (en) | Adaptive apparatus for identification of a periodic signal | |
DD275540A1 (en) | PART DISCHARGE SENSOR | |
EP1093224A2 (en) | Pulse detector and method for the detection of sinusoidal pulses | |
DE102021127122B4 (en) | Device and method for detecting an electrical line current with an optimized sampling rate | |
DE102021127119B4 (en) | Device and method for detecting an electrical line current with an optimized sampling rate | |
DE102021127129B4 (en) | Device and method for detecting an electrical line current with an optimized sampling rate | |
DE102013200479A1 (en) | Measurement device for measuring electric power transmitted via conductor, has power detector that determines electrical power from current signal and voltage signal determined by current and voltage measuring units respectively | |
DE102022201923B3 (en) | Method and circuit arrangement for determining an inductance of a measuring coil and use therefor | |
EP0412573A2 (en) | Analog signal to frequency converter | |
WO2012049205A1 (en) | Inductive proximity switch |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20111015 |