DE102009036843A1 - Method for producing a light-emitting diode and light-emitting diode - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägersubstrats (10), das eine Silizium-Oberfläche (10a) aufweist, - epitaktisches Abscheiden einer aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge (20) auf der Silizium-Oberfläche (10a) des Trägersubstrats (10) zur Bildung eines Leuchtdiodenträgers (100), - Bereitstellen einer Leuchtdioden-Struktur (300) auf einem Aufwachsträger (200), - Verbinden der dem Aufwachsträger (200) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) mit der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche des Leuchtdiodenträgers (100), - Ablösen des Aufwachsträgers (200), - Herstellen zumindest eines p-Kontaktes (62) und eines n-Kontaktes (61) zum Kontaktieren der Leuchtdioden-Struktur (300) von der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) her.The invention relates to a method for producing a light-emitting diode comprising the following steps: providing a carrier substrate (10) having a silicon surface (10a), epitaxially depositing an aluminum-containing nitride layer sequence (20) on the silicon surface (10a ) of the carrier substrate (10) to form a light-emitting diode carrier (100), - providing a light-emitting diode structure (300) on a growth carrier (200), - connecting the surface of the light-emitting diode structure (300) facing away from the growth carrier (200) with the one Carrier substrate (10) facing away from the surface of the LED holder (100), - detachment of the Aufwachsträgers (200), - producing at least one p-contact (62) and an n-contact (61) for contacting the light-emitting diode structure (300) of the Carrier substrate (10) facing away from surface of the light-emitting diode structure (300) ago.
Description
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode angegeben. Darüber hinaus wird eine Leuchtdiode angegeben.It a method for producing a light-emitting diode is specified. In addition, a light-emitting diode is specified.
Die
Druckschrift
Bei Hochleistungsleuchtdioden, die beispielsweise als Leuchtmittel in Lampen oder Scheinwerfern eingesetzt werden können, stellt die Ableitung von im Betrieb erzeugter Wärme ein wichtiges Problem dar. Ein weiteres Problem besteht darin, dass die Leuchtdioden eine Hochspannungsstabilität von wenigstens 100 V, zum Beispiel 500 V bis zirka vier kV aufweisen sollten.at High-performance light-emitting diodes, for example, as a light source in Lamps or headlamps can be used the dissipation of heat generated during operation is an important problem Another problem is that the light emitting diodes a High voltage stability of at least 100V, for example 500 V to about four kV should have.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit einem thermisch leitfähigen aber elektrisch isolierenden Leuchtdiodenträger anzugeben.A to be solved task is a cost-effective Method for producing a light-emitting diode with a thermal conductive but electrically insulating light-emitting diode carrier specify.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Leuchtdiode wird in einem Verfahrensschritt ein Trägersubstrat bereitgestellt, das eine Silizium-Oberfläche aufweist. Dazu kann das Trägersubstrat beispielsweise aus Silizium bestehen. Ferner ist es möglich, dass es sich bei dem Trägersubstrat um ein SOI-Substrat (Silizium an Insulator) handelt. Bei der Silizium-Oberfläche des Trägersubstrats handelt es sich beispielsweise um eine (111)-Silizium-Oberfläche. Die Silizium-Oberfläche zeichnet sich durch ihre gute thermische Leitfähigkeit von zirka 140 W/(mK) aus.At least an embodiment of the method for producing a LED is provided in a process step, a carrier substrate, which has a silicon surface. For this purpose, the carrier substrate for example, consist of silicon. It is also possible in that the carrier substrate is an SOI substrate (Silicon to insulator) acts. At the silicon surface of the The carrier substrate is, for example, a (111) silicon surface. The silicon surface is characterized by its good thermal Conductivity of approximately 140 W / (mK).
Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung einer Leuchtdiode weist das Verfahren einen Verfahrensschritt auf, bei dem eine aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge auf der Silizium-Oberfläche epitaktisch abgeschieden wird. Die Schichtenfolge umfasst dabei zumindest eine Schicht. Die aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge umfasst vorzugsweise zumindest eine Schicht, die aus einem Material besteht, dass Aluminium und Stickstoff aufweist. Das Material kann darüber hinaus weitere Stoffe wie Silizium und/oder Gallium und/oder Indium umfassen.At least an embodiment of a method described herein For producing a light-emitting diode, the method has a method step in which an aluminum-containing nitride layer sequence on the Silicon surface is deposited epitaxially. The Layer sequence comprises at least one layer. The aluminum-containing Nitride layer sequence preferably comprises at least one layer, which consists of a material that has aluminum and nitrogen. The material can also contain other substances such as silicon and / or gallium and / or indium.
Die aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge und das Trägersubstrat, auf welches die aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge epitaktisch abgeschieden ist, bilden einen Leuchtdiodenträger. Der Leuchtdiodenträger ist elektrisch isolierend und weist eine Hochspannungsstabilität von wenigstens 500 V auf. Vorzugsweise weist der Leuchtdiodenträger eine Durchbruchspannung von größer 1 kV auf. Solch hohe Durchbruchspannungen können insbesondere aufgrund der aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge des Leuchtdiodenträgers erzielt werden. Zum Beispiel ist die aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge elektrisch isolierend.The aluminum-containing nitride layer sequence and the carrier substrate, on which the aluminum-containing nitride layer sequence epitaxially is deposited, forming a light-emitting diode. Of the Light-emitting diode carrier is electrically insulating and has a high voltage stability of at least 500V. Preferably the light-emitting diode carrier has a breakdown voltage of greater than 1 kV. Such high breakdown voltages may in particular due to the aluminum-containing nitride layer sequence of the LED carrier can be achieved. For example the aluminum-containing nitride layer sequence electrically insulating.
Die aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge wird beispielsweise mittels einer der folgenden Wachstumstechniken auf die Silizium-Oberfläche des Trägersubstrats epitaktisch abgeschieden: MOVPE (Metallorganische Gasphasenepitaxie), HVPE (Hydridgasphasenepitaxie), MBE (Molekularstrahlepitaxie).The aluminum-containing nitride layer sequence is, for example, by means of one of the following growth techniques on the silicon surface of the Carrier substrate epitaxially deposited: MOVPE (organometallic Gas phase epitaxy), HVPE (hydride gas phase epitaxy), MBE (Molecular Beam Epitaxy).
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem eine Leuchtdioden-Struktur auf einem Aufwachsträgerbereitgestellt wird. Beispielsweise wird dazu ein Wafer bereitgestellt, bei dem eine Leuchtdioden-Struktur epitaktisch auf den Aufwachsträger abgeschieden ist. Der Aufwachsträger kann dabei beispielsweise Silizium, Saphir, Siliziumcarbid oder Galliumnitrid enthalten oder aus einem dieser Materialien bestehen. Die Leuchtdioden-Struktur basiert beispielsweise auf dem Materialsystem InGaN. Die Leuchtdioden-Struktur umfasst wenigstens eine aktive Zone, die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Die Leuchtdioden-Struktur kann durchtrennt werden. Dadurch kann die Leuchtdioden-Struktur in eine Vielzahl von Leuchtdiodenchips vereinzelt werden.At least An embodiment of the method comprises the method a process step in which a light-emitting diode structure on a Wake up vehicle is provided. For example For this purpose, a wafer is provided in which a light-emitting diode structure epitaxially deposited on the growth support. Of the Growth carrier can be, for example, silicon, sapphire, Silicon carbide or gallium nitride or from one of these Materials exist. The light-emitting diode structure is based, for example on the material system InGaN. The light-emitting diode structure comprises at least an active zone used to generate electromagnetic radiation is provided. The light-emitting diode structure can be cut through. As a result, the light-emitting diode structure can be divided into a plurality of light-emitting diode chips to be isolated.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Leuchtdiode umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem die dem Aufwachsträger abgewandte Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur mit der dem Trägersubstrat abgewandten Oberfläche des Leuchtdiodenträgers verbunden wird. Das heißt, die Leuchtdioden-Struktur wird mit der aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge verbunden. Dies kann beispielsweise mittels eines Lotmaterials geschehen, welches eine mechanisch stabile Verbindung zwischen der Leuchtdioden-Struktur und dem Leuchtdiodenträger vermittelt. Das Verbinden kann dann zum Beispiel über eutektisches Bonden geschehen. Das Verbindungsmittel kann dabei auch aus zwei oder mehr Materialien bestehen und elektrisch leitfähig oder elektrisch isolierend sein.At least an embodiment of the method for producing a Light emitting diode, the method comprises a method step in which the growth carrier facing away from the surface Light-emitting diode structure with the carrier substrate facing away Surface of the LED holder is connected. That is, the light-emitting diode structure comes with the aluminum-containing Nitride layer sequence connected. This can be done for example by means of a solder material happen, which is a mechanically stable compound mediated between the light-emitting diode structure and the LED support. The bonding may then be eutectic, for example Bonding happened. The connecting means can also consist of two or more materials and electrically conductive or be electrically insulating.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem weiteren Verfahrensschritt der Aufwachsträger von der Leuchtdioden-Struktur abgelöst. Dies kann beispielsweise mittels eines Schleifens, Ätzens und/oder Laser-Lift-Off-Verfahrens geschehen. Nach dem Ablösen des Aufwachsträgers liegt die dem Trägersubstrat abgewandte Oberfläche, also die Oberseite, der Leuchtdioden-Struktur frei.At least an embodiment of the method is in another Process step of the growth carrier of the light-emitting diode structure replaced. This can be done, for example, by means of grinding, etching and / or laser lift-off procedure happen. After peeling off of the growth carrier is the carrier substrate remote surface, so the top, the light-emitting diode structure free.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Verfahrensschritt des Verfahrens zumindest ein p-Kontakt und zumindest ein n-Kontakt zum Kontaktieren der Leuchtdioden-Struktur von der dem Trägersubstrat abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur aus hergestellt. Das heißt, die Leuchtdioden-Struktur ist dann von der gleichen Seite her sowohl n-seitig als auch p-seitig kontaktierbar. Beispielsweise ist die dem Trägersubstrat abgewandte Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur die n-leitende Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur. Zum Beispiel mittels Ätzen kann ein Kanal in der Leuchtdioden-Struktur von der Oberseite her erzeugt werden, der bis zur p-leitenden Seite der Leuchtdioden-Struktur reicht und der mit dem p-Kontakt an der Oberseite der Leuchtdioden-Struktur verbunden werden kann. Vorzugsweise wird für jeden späteren Leuchtdiodenchip der Leuchtdioden-Struktur wenigstens ein p-Kontakt und wenigstens ein n-Kontakt in der beschriebenen Weise hergestellt.At least an embodiment of the method is in a process step of the method at least one p-contact and at least one n-contact for contacting the light-emitting diode structure from the carrier substrate turned away surface of the light-emitting diode structure made. That is, the light-emitting diode structure is then the same Side can be contacted on both the n-side and the p-side. For example is the surface facing away from the carrier substrate the light-emitting diode structure of the n-conductive surface of the Light-emitting diode structure. For example, by etching can a channel in the light emitting diode structure generated from the top which are up to the p-type side of the light-emitting diode structure ranges and the one with the p-contact at the top of the light-emitting diode structure can be connected. Preferably, for each later LED chip of the light-emitting diode structure at least one p-contact and at least one n-contact made in the manner described.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Leuchtdiode umfasst das Verfahren die folgenden Schritte vorzugsweise in der folgenden Reihenfolge:
- – Bereitstellen eines Trägersubstrats, das eine Silizium-Oberfläche aufweist,
- – Epitaktisches Abscheiden einer aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge auf der Silizium-Oberfläche des Trägersubstrats zur Bildung eines Leuchtdiodenträgers,
- – Bereitstellen einer Leuchtdioden-Struktur auf einem Aufwachsträger,
- – Verbinden der dem Aufwachsträger abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur mit der dem Trägersubstrat abgewandten Oberfläche des Leuchtdiodenträgers,
- – Ablösen des Aufwachsträgers,
- – Herstellen zumindest eines p-Kontakts und eines n-Kontaktes zum Kontaktieren der Leuchtdioden-Struktur von der dem Trägersubstrat abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur her.
- Providing a carrier substrate having a silicon surface,
- Epitactically depositing an aluminum-containing nitride layer sequence on the silicon surface of the carrier substrate to form a light-emitting diode carrier,
- Providing a light-emitting diode structure on a growth carrier,
- Connecting the surface of the light-emitting diode structure facing away from the growth carrier to the surface of the light-emitting diode carrier facing away from the carrier substrate,
- Detachment of the growth carrier,
- - Producing at least one p-contact and an n-contact for contacting the light-emitting diode structure of the carrier substrate remote from the surface of the light-emitting diode structure ago.
Das
hier beschriebene Verfahren weist dabei unter anderem die folgenden
Vorteile auf:
Zum einen zeichnet sich der Leuchtdiodenträger durch
eine gute thermische Leitfähigkeit aus, die beispielsweise über
der thermischen Leitfähigkeit von Germanium oder einer
Al2O3-Keramik liegt. Ferner kann als Trägersubstrat ein
Silizium-Wafer Verwendung finden, der besonders kostengünstig
ist. Ferner zeichnet sich das Trägersubstrat mit der Silizium-Oberfläche
durch eine gute Verarbeitbarkeit aus, da Silizium-Standardtechnologien,
die beispielsweise bei der Chipherstellung eingesetzt werden, Verwendung
finden können. Trägersubstrate mit einer Silizium-Oberfläche
sind ferner beispielsweise besser verfügbar als zum Beispiel
Saphir-Substrate.The method described here has, among other things, the following advantages:
On the one hand, the light-emitting diode carrier is distinguished by a good thermal conductivity, which, for example, lies above the thermal conductivity of germanium or an Al 2 O 3 ceramic. Furthermore, a silicon wafer can be used as the carrier substrate, which is particularly cost-effective. Furthermore, the carrier substrate with the silicon surface is characterized by a good processability, since standard silicon technologies, which are used for example in chip production, can be used. Support substrates having a silicon surface are also more readily available than, for example, sapphire substrates.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst der Aufwachsträger der Leuchtdioden-Struktur ein Aufwachssubstrat und eine Pufferschichtenfolge, wobei die Pufferschichtenfolge epitaktisch auf eine Aufwachsoberfläche des Aufwachssubstrats abgeschieden ist. Das heißt, der Aufwachsträger ist – ähnlich wie der Leuchtdiodenträger – zumindest zweiteilig aufgebaut: Er weist ein Aufwachssubstrat auf und eine Pufferschichtenfolge, deren dem Aufwachssubstrat abgewandte Oberfläche als Aufwachsoberfläche für das epitaktische Abscheiden der Leuchtdioden-Struktur dient.At least An embodiment of the method comprises the growth carrier the light-emitting diode structure a growth substrate and a buffer layer sequence, wherein the buffer layer sequence is epitaxially applied to a growth surface of the growth substrate is deposited. That is, the growth carrier is - similar to the LED - at least constructed in two parts: it has a growth substrate and a Buffer layer sequence, the surface facing away from the growth substrate as growth surface for the epitaxial deposition the light-emitting diode structure is used.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Aufwachsoberfläche des Aufwachssubstrats dabei eine Silizium Oberfläche. Für das Aufwachssubstrat kann dann beispielsweise ein Silizium-Wafer Verwendung finden. Ferner ist es möglich, dass es sich bei dem Aufwachssubstrat um einen SOI-Wafer handelt. Bei der Silizium-Oberfläche handelt es sich beispielsweise um eine (111)-Silizium-Oberfläche.At least An embodiment of the method is the growth surface of the growth substrate while a silicon surface. For the Growth substrate may then use, for example, a silicon wafer Find. Further, it is possible that the growth substrate is an SOI wafer. At the silicon surface For example, it is a (111) silicon surface.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Pufferschichtenfolge zumindest eine aluminiumhaltige Nitrid-Schicht. Das heißt, auch die Pufferschichtenfolge ist eine aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge. Die Leuchtdioden-Struktur wird also epitaktisch auf eine aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge abgeschieden.At least An embodiment of the method comprises the buffer layer sequence at least one aluminum-containing nitride layer. This means, The buffer layer sequence is also an aluminum-containing nitride layer sequence. The light-emitting diode structure is thus epitaxially on an aluminum-containing Nitride layer sequence deposited.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens enthalten oder bestehen die aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge des Leuchtdiodenträgers und/oder die Pufferschichtenfolge des Aufwachsträgers eines der folgenden Materialien: AlN, AlGaN, SiGaN, SiAlGaN. Zusätzlich oder alternativ können die Schichtenfolgen auch Schichten aus weiteren Materialien wie beispielsweise InGaN oder GaN umfassen. Beispielsweise ist es möglich, dass die Schichtenfolgen Einzelschichten umfassen, die aus zumindest einem der genannten Materialien bestehen. Bevorzugt enthält jede der Schichtenfolgen zumindest eine aluminiumhaltige Nitrid-Schicht, die beispielsweise aus AlN oder aus AlGaN besteht.At least contain or consist of an embodiment of the method the aluminum-containing nitride layer sequence of the light-emitting diode carrier and / or the buffer layer sequence of the growth carrier of a the following materials: AlN, AlGaN, SiGaN, SiAlGaN. additionally or alternatively, the layer sequences can also be layers from other materials such as InGaN or GaN. For example, it is possible that the layer sequences Single layers comprising at least one of said Materials exist. Preferably, each of the layer sequences contains at least an aluminum-containing nitride layer, for example made of AlN or AlGaN.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind der Aufwachsträger und der Leuchtdiodenträger identisch aufgebaut. Beispielsweise weisen beide Träger eine Silizium-Oberfläche auf, auf welche die gleiche aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge epitaktisch abgeschieden ist. Vorteilhafterweise können dann für die Erzeugung des Aufwachsträgers und des Leuchtdiodenträgers die gleichen Technologien sowie die gleichen Herstellungsapparate Verwendung finden.At least An embodiment of the method is the growth carrier and the LED support constructed identically. For example both carriers have a silicon surface, to which the same aluminum-containing nitride layer sequence epitaxially is deposited. Advantageously, then for the generation of the growth carrier and the LED holder the same technologies as well as the same manufacturing equipment Find use.
Ferner erweist es sich bei dem Verbinden der Leuchtdioden-Struktur mit dem Leuchtdiodenträger als besonders vorteilhaft, dass der Aufwachsträger und der Leuchtdiodenträger identisch aufgebaut sind, da die beiden Träger die gleichen thermischen Eigenschaften aufweisen. Dies führt zu einer Reduktion von thermischen Verspannungen beim Verbinden. Die thermischen Verspannungen können beispielsweise durch Erhitzen einer Lotschicht zwischen der Leuchtdioden-Struktur und dem Leuchtdiodenträger entstehen. Auch die thermischen Belastungen durch thermische Verspannungen beim Ablösen des Aufwachsträgers von der Leuchtdioden-Struktur sind in diesem Fall reduziert.Furthermore, it proves to be particularly advantageous in connecting the light-emitting diode structure to the light-emitting diode carrier that the growth carrier and the light-emitting diode carrier are constructed identically, since the two carriers have the same thermal properties. This leads to a reduction of thermal stresses during bonding. The thermal stresses can arise, for example, by heating a solder layer between the light-emitting diode structure and the light-emitting diode carrier. The thermal stresses due to thermal stresses when detaching the growth carrier from the light-emitting diode structure are also reduced in this case.
Es wird darüber hinaus eine Leuchtdiode angegeben. Die hier beschriebene Leuchtdiode kann mittels dem hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das Verfahren offenbarten Merkmale sind auch für die hier beschriebene Leuchtdiode offenbart und umgekehrt.It In addition, a light-emitting diode is specified. This one described light emitting diode can by means of the method described here for producing a light-emitting diode are produced. This means, all features disclosed for the method are also disclosed for the light-emitting diode described here and vice versa.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode umfasst die Leuchtdiode ein Trägersubstrat, das eine Silizium-Oberfläche aufweist. Ferner umfasst die Leuchtdiode eine aluminiumhaltige Nitrid-Schichtenfolge, die auf der Silizium-Oberflächedes Trägersubstrats aufgebracht ist. Die Leuchtdiode umfasst ferner eine Verbindungsmittelschicht auf der dem Trägersubstrat abgewandten Oberfläche der aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge. Bei der Verbindungsmittelschicht handelt es sich beispielsweise um eine Lotschicht. Die Verbindungsmittelschicht kann dabei auch aus mehreren Schichten aufgebaut sein, die beim Verbinden von Trägersubstrat und einer Leuchtdioden-Struktur durchmischen.At least An embodiment of the light emitting diode comprises the light emitting diode a carrier substrate having a silicon surface having. Furthermore, the light-emitting diode comprises an aluminum-containing nitride layer sequence, that on the silicon surface of the carrier substrate is applied. The light-emitting diode further comprises a connecting medium layer the carrier substrate facing away from the surface of the aluminum-containing nitride layer sequence. In the bonding agent layer For example, it is a layer of solder. The bonding agent layer can also be made up of several layers, the at Connecting carrier substrate and a light-emitting diode structure mix thoroughly.
Die Leuchtdiode umfasst ferner eine Leuchtdioden-Struktur auf der der aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge abgewandten Oberfläche der Verbindungsmittelschicht. Schließlich umfasst die Leuchtdioden-Struktur an ihrer dem Trägersubstrat abgewandten Oberseite zumindest einen n-Kontakt und zumindest einen p-Kontakt, wobei die Kontakte zum n-seitigen und p-seitigen Kontaktieren der Leuchtdioden-Struktur dienen. Eine Strahlungsaustrittsfläche der Leuchtdioden-Struktur, durch die im Betrieb der Leuchtdiode erzeugte elektromagnetische Strahlung die Leuchtdioden-Struktur verlassen kann, befindet sich vorzugsweise an der Oberseite der Leuchtdioden-Struktur.The Light-emitting diode further comprises a light-emitting diode structure on the aluminum-containing nitride layer sequence facing away from the surface the bonding agent layer. Finally, the light-emitting diode structure includes at least on its upper side facing away from the carrier substrate an n-contact and at least one p-contact, wherein the contacts to the n-side and p-side contacting the light-emitting diode structure serve. A radiation exit surface of the light-emitting diode structure, by the electromagnetic generated during operation of the light emitting diode Radiation can leave the light-emitting diode structure is located preferably at the top of the light-emitting diode structure.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode ist zwischen der Leuchtdioden-Struktur und der Verbindungsmittelschicht eine reflektierende Schicht angeordnet, die zur Reflexion von im Betrieb der Leuchtdiode erzeugter elektromagnetischer Strahlung in Richtung der Oberseite der Leuchtdioden-Struktur eingerichtet ist. Bei der reflektierenden Schicht handelt es sich also um einen Spiegel, der erzeugte elektromagnetische Strahlung in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche, also in Richtung der Oberseite der Leuchtdioden-Struktur, reflektiert. Beispielsweise enthält der Spiegel ein Metall wie Silber und/oder es handelt sich um einen dielektrischen Spiegel.At least an embodiment of the light emitting diode is between the Light-emitting diode structure and the connecting medium layer a reflective Layer arranged for the reflection of generated during operation of the light emitting diode electromagnetic radiation in the direction of the top of the light-emitting diode structure is set up. The reflective layer is So a mirror, the generated electromagnetic radiation in the direction of the radiation exit surface, ie in the direction the top of the light-emitting diode structure, reflected. For example The mirror contains a metal like silver and / or it acts a dielectric mirror.
Im Folgenden werden das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode sowie die hier beschriebene Leuchtdiode anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert.in the Following are the methods of preparation described herein a light-emitting diode and the light-emitting diode described here based on of embodiments and the associated Figures explained in more detail.
Anhand
der schematischen Schnittdarstellungen der
Anhand
der schematischen Schnittdarstellungen der
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Same, similar or equivalent elements are in the figures with provided the same reference numerals. The figures and the proportions the elements shown in the figures with each other are not to be considered to scale. Rather, you can individual elements for better presentation and / or for better Understanding shown exaggeratedly large be.
Anhand
der schematischen Schnittdarstellung der
In
Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der
Vorliegend
ist das Aufwachssubstrat
Im
in Verbindung mit der
In
einem weiteren Verfahrensschritt, siehe dazu die schematische Schnittdarstellung
der
Die
durch das Ablösen des Aufwachsträgers
Im
Ausführungsbeispiel der
In
Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der
Zusätzlich
zum in Verbindung mit der
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these. Rather, the invention comprises each new feature as well as any combination of features, which in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly in the patent claims or embodiments is specified.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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