DE102009033511A1

DE102009033511A1 - Mikrospiegelanordnung mit Anti-Reflexbeschichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE102009033511A1
Application number: DE102009033511A
Authority: DE
Inventors: Karl-Stefan Weissenrieder; Roland Dr. Loercher
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2009-07-15
Filing date: 2009-07-15
Publication date: 2011-01-20
Also published as: US8928980B2; JP2012533095A; US20120182606A1; JP5781069B2

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Mikrospiegelanordnung (1), umfassend: mindestens einen Mikrospiegel (3) mit einer reflektierenden Oberfläche (11), die an einem bevorzugt aus Silizium bestehenden Spiegelsubstrat (2) gebildet ist, sowie eine Anti-Reflexbeschichtung (7), die an dem Spiegelsubstrat (2) außerhalb der reflektierenden Oberfläche (11) gebildet ist. Die bevorzugt strukturierte Anti-Reflexbeschichtung (7) weist wenigstens eine absorbierende Schicht (7a) aus einem bevorzugt nichtmetallischen Material auf, das bei einer Wellenlänge im UV-Bereich, insbesondere bei 193 nm, einen Absorptionskoeffizienten von 0,1 oder mehr, bevorzugt von 0,2 oder mehr, insbesondere von 0,4 oder mehr aufweist. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer Anti-Reflexbeschichtung (7). Die Anti-Reflexbeschichtung (7) kann hierbei insbesondere zur Kompensation der Schichtspannung einer reflektierenden Beschichtung (8) dienen, an der die reflektierende Oberfläche (11) gebildet ist.

Description

Hintergrund der Erfindung
Die Erfindung betrifft eine Mikrospiegelanordnung, umfassend: mindestens einen Mikrospiegel mit einer reflektierenden Oberfläche, die an einem bevorzugt aus Silizium bestehenden Spiegelsubstrat gebildet ist, sowie eine Anti-Reflexbeschichtung, die an dem Spiegelsubstrat außerhalb der reflektierenden Oberfläche gebildet ist. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer Anti-Reflexbeschichtung für eine Mikrospiegelanordnung.
Mikrospiegelanordnungen weisen eine Mehrzahl von Mikrospiegeln auf, die in einer flächigen, in der Regel matrixförmigen Anordnung nebeneinander angeordnet sind und unabhängig voneinander bewegt werden können. Typischer Weise ist die optische Oberfläche eines einzelnen Mikrospiegels relativ zu einer allen Mikrospiegeln gemeinsamen Ebene beweglich, insbesondere verkippbar gelagert. Zur Erzeugung der Bewegung bzw. Verkippung können unter dem Mikrospiegel Elektroden angebracht sein, die das Spiegelsubstrat elektrostatisch anziehen. Durch die Verkippung der einzelnen Mikrospiegel können diese die einfallende Strahlung gezielt in unterschiedliche Raumrichtungen reflektieren und so z. B. zur Pupillenformung in Beleuchtungssystemen für die Mikrolithographie eingesetzt werden.
Da bautechnisch bedingt die reflektierenden Oberflächen der Mikrospiegel in der Regel nicht unmittelbar benachbart zueinander angeordnet werden können, trifft die auf die Mikrospiegelanordnung einfallende Strahlung nicht nur die reflektierenden Oberflächen der einzelnen Mikrospiegel, sondern auch Bereiche, in denen keine Reflexion der Strahlung gewünscht ist. Der außerhalb der reflektierenden Oberflächen der einfallenden Strahlung ausgesetzte Bereich der Mikrospiegelanordnung sollte möglichst wenig Strahlung reflektieren bzw. zurückstreuen, da diese beispielsweise bei Verwendung der Mikrospiegelanordnung zur Pupillenformung unmittelbar in den Bereich der Pupille reflektiert wird.
Aus der US 6,891,255 B2 sind eine Mikrospiegelanordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung bekannt geworden, bei denen die Beständigkeit eines Mikrospiegels für Strahlung im UV-Wellenlängenbereich durch Aufbringen einer strahlungsbeständigen Schicht erhöht werden soll. Es wird weiterhin vorgeschlagen, auf die Rückseite des Mikrospiegels und/oder an einem unbeweglichen Substrat, an dem der Mikrospiegel gelagert ist, eine Anti-Reflexbeschichtung aufzubringen. Als Materialien für die Schichten der Anti-Reflexbeschichtung werden unter anderem Magnesium-Fluorid und Calcium-Fluorid vorgeschlagen.
Zur Reduzierung der Reflektivität der Mikrospiegelanordnung außerhalb der optischen Oberflächen kann auch eine die einfallende Strahlung auffangende Blende vorgesehen sein. Nachteilig an dieser Lösung ist aber deren geringe mechanische Stabilität, sowie die ggf. nicht ausreichende Genauigkeit bei deren Befestigung bzw. Justage.
Aufgabe der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Mikrospiegelanordnung und ein Verfahren zur Herstellung einer Anti-Reflexbeschichtung anzugeben, welche eine deutliche Reduzierung der Reflektivität für die außerhalb der reflektierenden Oberflächen einfallende Strahlung und ggf. eine verringerte Deformation des beschichteten Spiegelsubstrats ermöglichen.
Gegenstand der Erfindung
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die bevorzugt strukturierte Anti-Reflexbeschichtung wenigstens eine absorbierende Schicht aus einem bevorzugt nicht-metallischen Material aufweist, das bei einer Wellenlänge im UV-Bereich, insbesondere bei 193 nm, einen Absorptionskoeffizienten von 0,1 oder mehr, bevorzugt von 0,2 oder mehr, insbesondere von 0,4 oder mehr aufweist.
Die Anti-Reflexbeschichtung ist typischer Weise benachbart zu den reflektierenden Oberflächen auf dem Spiegelsubstrat angeordnet und sollte möglichst die gesamte Fläche außerhalb der reflektierenden Oberflächen bedecken, was in der Regel nur erreicht werden kann, wenn die Anti-Reflexbeschichtung strukturiert wird, wobei die Toleranzen bei der Strukturierung der Anti-Reflexbeschichtung so gering wie möglich ausfallen sollten. Als Verfahren zur Strukturierung der Anti-Reflexbeschichtung mit niedrigen Toleranzen ist die Fotolithographie besonders gut geeignet.
Bei der Strukturierung werden Teile des Materials der Anti-Reflexbeschichtung abgetragen, was bei Verwendung von metallischen Materialien, insbesondere von Schwermetallen, zu einer erhöhten Belastung der Umwelt führen kann, weshalb in der Regel nicht-metallische Materialien für die Anti-Reflexbeschichtung verwendet werden sollten. Es versteht sich, dass ggf. dennoch auf metallische Materialien, z. B. Aluminium, Chrom oder Titan zurückgegriffen werden kann, wenn deren Entsorgung sichergestellt ist.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist das Material der absorbierenden Schicht eine Silizium-Stickstoff-Verbindung, die bevorzugt ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Silizium-Nitride (Si_xN_y) und Silizium-Oxid-Nitride (SiN_xO_y). Hierbei handelt es sich um Materialien, die in standardisierten Prozessen als dünne Schichten aufgebracht werden können, und zwar insbesondere durch plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD)). Weiterhin kann bei Verwendung dieser Materialien die Schichtspannung eingestellt und zur Kompensation der Schichtspannung einer auf der AR-Beschichtung aufgebrachten Hochreflektierenden(HR)-Beschichtung eingesetzt werden (siehe unten). Auch sind diese Schichtmaterialien weitgehend selektiv zum Silizium-Substrat ätzbar, d. h. es tritt beim Abätzen, insbesondere beim nasschemischen Abätzen, in der Regel eine vernachlässigbare Dickenänderung des Siliziums auf. Der Absorptionskoeffizient (Imaginärteil des Brechungsindex) der oben beschriebenen Materialien kann in Abhängigkeit von der Art der Auftragung variieren und z. B. bei SiN für eine Wellenlänge von 193 nm in einem Bereich zwischen 0,17 und 0,3 oder auch höher, bis ca. 0,7 liegen, vgl. für Details hierzu die US 6 319 568 B1 , welche bezüglich dieses Aspekts durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist auf die absorbierende Schicht mindestens eine weitere Schicht mit einem niedrigeren Brechungsindex als dem Brechungsindex der absorbierenden Schicht aufgebracht. Die weitere Schicht dient zur Vermeidung bzw. Verringerung von Reflexionen bei der Einkopplung der einfallenden Strahlung in die absorbierende Schicht und besteht aus einem gegenüber der einfallenden Strahlung transparenten Material, das einen vergleichsweise niedrigen Absorptionskoeffizienten aufweist, der z. B. bei weniger als 0,001 liegen kann. Es versteht sich, dass auch transparente Schichten mit höheren Absorptionskoeffizienten, z. B. 0,015 oder darüber, verwendet werden können. Auch kann die Anti-Reflexbeschichtung eine Mehrzahl von übereinander angeordneten Schichtpaaren aufweisen, die jeweils aus einer absorbierenden und einer transparenten Schicht bestehen.
Bevorzugt besteht die weitere Schicht aus einer Silizium-Sauerstoff-Verbindung, insbesondere aus Siliziumdioxid (SiO₂). Dieses Material weist bei einer Wellenlänge von 193 nm einen Absorptionskoeffizienten von ca. 0,0002 oder mehr auf, der ebenfalls in Abhängigkeit von den Beschichtungsbedingungen variieren kann.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform bestehen alle Schichten der Anti-Reflexbeschichtung aus nicht-metallischen Materialen, insbesondere aus Silizium-Verbindungen. In diesem Fall lässt sich die gesamte Anti-Reflexbeschichtung durch geeignete Wahl der Reaktivgasanteile in einer einzigen Beschichtungsanlage aufbringen.
In einer weiteren, besonders vorteilhaften Ausführungsform ist die Dicke der wenigstens einen absorbierenden Schicht so gewählt, dass die auf die absorbierende Schicht auftreffende Strahlung weitgehend absorbiert wird. Die Erfinder haben erkannt, dass bei Verwendung eines Spiegelsubstrats aus Silizium sich an der Oberfläche des Spiegelsubstrats eine dünne Schicht aus Siliziumoxid (SiO₂) ausbilden kann, deren Dicke typischer Weise zwischen ca. 0 nm und ca. 7 nm variiert. Diese Siliziumoxid-Schicht sollte bei der Berechnung des Schichtdesigns der Anti-Reflexbeschichtung mit berücksichtigt werden, was aber wegen ihrer variablen Dicke in der Regel nur schwer möglich ist. Daher wird vorgeschlagen, die Dicke der absorbierenden Schicht so groß zu wählen, dass nahezu keine Strahlung auf das Spiegelsubstrat bzw. die Siliziumoxid-Schicht mehr auftrifft. Auf diese Weise ist die Berechnung des Designs von der Siliziumoxid-Schicht unabhängig und es bestehen definierte Bedingungen für die Berechnung der Schichtdicken der auf die absorbierende Schicht folgenden weiteren Schichten.
Bevorzugt liegt die Dicke der wenigstens einen absorbierenden Schicht zwischen 40 nm und 100 nm, insbesondere zwischen 60 nm und 80 nm. Bei den für die Mikrospiegelanordnung verwendeten Leistungsdichten und den für die absorbierende Schicht typischer Weise verwendeten Silizium-Stickstoff-Verbindungen genügt eine absorbierende Schicht mit einer solchen Dicke in der Regel, die einfallende Strahlung weitgehend zu absorbieren.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform weist die Anti-Reflexbeschichtung bei einer Wellenlänge von 193 nm unter senkrechtem Einfall eine Reflektivität von 5% oder weniger, bevorzugt von 3% oder weniger, insbesondere von 1% oder weniger auf. Dies ist eine deutliche Reduzierung der Reflektivität gegenüber einem Spiegelsubstrat z. B. aus Silizium, das bei einer Wellenlänge von 193 nm eine Reflektivität von ca. 65% aufweist.
In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform weist die Anti-Reflexbeschichtung unter senkrechtem Einfall in einem Wellenlängenbereich zwischen 185 nm und 210 nm, insbesondere bis 230 nm, eine Reflektivität von 10% oder weniger, bevorzugt von 5% oder weniger auf. Eine solche breitbandige Entspiegelung kann erreicht werden, indem die Dicken der absorbierenden Schicht und der weiteren Schichten geeignet aufeinander abgestimmt werden Für die Optimierung der Schichtdicken bei bekannten Brechzahlen der verwendeten Schichtmaterialien können konventionelle Schichtdesignprogramme verwendet werden. Vorteile einer Breitbandentspiegelung sind höhere Fertigungstoleranzen und die Abdeckung eines breiteren Bereiches der Einfallswinkel für eine ausgewählte Wellenlänge.
Bevorzugt ist die reflektierende Oberfläche an einer reflektierenden Beschichtung gebildet, die insbesondere auf die Anti-Reflexbeschichtung und/oder auf das Spiegelsubstrat aufgebracht ist. Die reflektierende Beschichtung besteht hierbei typischer Weise aus einem Mehrfachschichtsystem aus mehreren transparenten Einzelschichten und kann insbesondere auf die Anti-Reflexbeschichtung zunächst flächig aufgebracht und nachfolgend durch lithographische Verfahren strukturiert werden, indem die reflektierende Beschichtung in vorgegebenen Bereichen gezielt bis zur Anti-Reflexbeschichtung abgetragen wird. Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, die reflektierende Beschichtung zumindest teilweise direkt auf das Spiegelsubstrat aufzubringen, z. B. wenn die Anti-Reflexbeschichtung bereits so strukturiert ist, dass in den Bereichen, in denen die optischen Oberflächen gebildet werden sollen, keine Anti-Reflexbeschichtung vorhanden ist.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform ist die Schichtspannung der Anti-Reflexbeschichtung so auf die Schichtspannung der reflektierenden Beschichtung abgestimmt, dass sich die Schichtspannungen von Anti-Reflexbeschichtung und reflektierender Beschichtung weitgehend kompensieren. Dies ist günstig, da in diesem Fall auch sehr dünne Substrate (z. B. mit einer Dicke von ca. 30 μm) nicht oder nur unwesentlich durch die Schichtspannung der reflektierenden Beschichtung deformiert werden können.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform umfasst die Mikrospiegelanordnung eine Stützstruktur, an welcher der mindestens eine Mikrospiegel beweglich gelagert ist. Die bewegliche Lagerung des in der Regel plattenförmigen Mikrospiegels an der in der Regel säulenförmigen Stützstruktur kann z. B. über ein Scharnier oder über eine Feder erfolgen. Die Auslenkung des Mikrospiegels erfolgt hierbei typischer Weise durch elektrostatische Anziehung des Spiegelsubstrats mit Hilfe von unter dem Mikrospiegel angeordneten Elektroden.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung ist realisiert in einem Verfahren der eingangs genannten Art, umfassend: Beschichten eines Spiegelsubstrats insbesondere aus Silizium mit der Anti-Reflexbeschichtung, sowie Strukturieren der Anti-Reflexbeschichtung unter Aufbringen einer durch Bestrahlung strukturierbaren Materialschicht auf die Anti-Reflexbeschichtung und/oder auf das Spiegelsubstrat.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, die Anti-Reflexbeschichtung mit Hilfe eines lithographischen Verfahrens zu strukturieren, d. h. durch Aufbringen einer strahlungsempfindlichen Materialschicht, die durch Bestrahlung strukturiert werden kann. Hierbei kann die Materialschicht auf die Anti-Reflexbeschichtung aufgebracht werden oder direkt auf das Spiegelsubstrat, wobei sie in ersterem Fall als Ätzmaske und in letzterem Fall als Opferschicht oder Ätzstopp dient. In jedem Fall wird die strahlungsempfindliche Materialschicht nach bzw. bei der Strukturierung der Anti-Reflexbeschichtung entfernt, so dass die Anti-Reflexbeschichtung zunächst flächig aufgetragen und nachfolgend gezielt in den Bereichen abgetragen werden kann, in denen keine Anti-Reflexbeschichtung gewünscht ist.
In einer bevorzugten Variante wird das Spiegelsubstrat mit wenigstens einer absorbierenden Schicht aus einem bevorzugt nicht-metallischen Material beschichtet, das bei einer Wellenlänge im UV-Bereich, insbesondere bei 193 nm, einen Absorptionskoeffizienten von 0,1 oder mehr, bevorzugt von 0,2 oder mehr, insbesondere von 0,4 oder mehr aufweist, so dass die Zahl der Schichten und damit die Zahl der Beschichtungsvorgänge gegenüber einer Anti-Reflexbeschichtung aus einem üblichen, aus transparenten Materialien bestehenden Mehrfachschicht-System deutlich reduziert werden kann.
In einer weiteren vorteilhaften Variante wird als Material der absorbierenden Schicht eine Silizium-Stickstoff-Verbindung gewählt, insbesondere ein Silizium-Nitrid (Si_xN_y) oder ein Silizium-Oxid-Nitrid (SiN_x O_y), die jeweils die gewünschte hohe Absorption bei 193 nm aufweisen.
Bevorzugt wird auf die absorbierende Schicht mindestens eine weitere Schicht mit einem niedrigeren Brechungsindex als dem Brechungsindex der absorbierenden Schicht aufgebracht, um die Strahlung in die absorbierende Schicht einzukoppeln, d. h. die absorbierende Schicht zu entspiegeln. Es versteht sich, dass auf die weitere Schicht auch eine Schicht mit höherem Brechungsindex folgen kann bzw. ein übliches Schichtsystem mit mehreren transparenten Schichten aus alternierenden hoch- und niedrigbrechenden Materialien auf die absorbierende Schicht aufgebracht werden kann.
Eine bevorzugte Variante des Verfahrens umfasst das Aufbringen einer reflektierenden Beschichtung auf die Anti-Reflexbeschichtung und/oder auf das Spiegelsubstrat zur Erzeugung mindestens einer reflektierenden Oberfläche an einem Mikrospiegel. Die reflektierende Beschichtung kann hierbei aus einem herkömmlichen reflektierenden Mehrfachschicht-System mit alternierenden hoch- bzw. niedrig brechenden, transparenten Schichten bestehen.
Bei einer besonders vorteilhaften Variante wird die reflektierende Beschichtung zunächst flächig aufgebracht und nachfolgend selektiv außerhalb der reflektierenden Oberfläche von der Anti-Reflexbeschichtung entfernt, wobei auch in diesem Fall eine strahlungsempfindliche, strukturierbare Materialschicht im Bereich der reflektierenden Oberfläche als Ätzmaske auf die reflektierende Beschichtung und/oder außerhalb der reflektierenden Oberfläche als Opferschicht bzw. als Ätzstopp auf die Anti-Reflexbeschichtung aufgebracht werden kann.
In einer weiteren vorteilhaften Variante wird die Schichtspannung der Anti-Reflexbeschichtung so auf die Schichtspannung der reflektierenden Beschichtung abgestimmt, dass die beiden Schichtspannungen sich im Wesentlichen kompensieren, d. h. eine z. B. negative Schichtspannung der Anti-Reflexbeschichtung kann durch eine betragsmäßig im Wesentlichen gleich große positive Schichtspannung der reflektierenden Beschichtung ausgeglichen werden und umgekehrt. Unter einer Kompensation „im Wesentlichen” wird verstanden, dass die Abweichung des Absolutbetrags der Schichtspannungen bei ca. 10% oder weniger liegt.
In einer besonders vorteilhaften Variante wird die Anti-Reflexbeschichtung zunächst flächig auf das Spiegelsubstrat aufgebracht und nachfolgend selektiv im Bereich der reflektierenden Oberfläche von dem Spiegelsubstrat entfernt. Auf diese Weise kann die reflektierende Beschichtung im Bereich der reflektierenden Oberfläche direkt auf das Spiegelsubstrat aufgebracht werden, so dass das Spiegelsubstrat, das von sich aus (z. B. im Falle von Silizium) bereits eine hohe Reflektivität für die einfallende Strahlung aufweist, nur noch durch eine geringe Anzahl von reflektierenden Schichten ergänzt werden muss, um die gewünschte hohe Reflektivität für die einfallende Strahlung im Bereich der reflektierenden Oberfläche zu erhalten.
In einer besonders vorteilhaften Variante wird mindestens eine, bevorzugt jede Schicht der Anti-Reflexbeschichtung durch plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung aufgebracht. Insbesondere bei ausschließlicher Verwendung von Silizium-Verbindungen als Materialien für die Schichten der Anti-Reflexbeschichtung kann die Anti-Reflexbeschichtung in einer Beschichtungsanlage in einem einzigen Beschichtungsvorgang aufgebracht werden, indem die Reaktivgasanteile geeignet variiert werden.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.
Zeichnung
Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigt:
1a eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Mikrospiegelanordnung in einer Draufsicht,
1b die Mikrospiegelanordnung von 1a in einer Schnittdarstellung nach dem Beschichten und vor dem Strukturieren der Anti-Reflexbeschichtung mittels einer strahlungsempfindlichen, strukturierten Materialschicht, sowie
1c die Mikrospiegelanordnung von 1b nach dem Strukturieren der Anti-Reflexbeschichtung und nach dem Entfernen der strahlungsempfindlichen Materialschicht,
2a–c eine schematische Darstellung einer ersten Variante der Beschichtung der Mikrospiegelanordnung von 1a mit einer Anti-Reflexbeschichtung und einer reflektierenden Beschichtung,
3a–c eine schematische Darstellung einer zweiten Variante der Beschichtung der Mikrospiegelanordnung von 1a,
4a–c eine schematische Darstellung einer dritten Variante der Beschichtung der Mikrospiegelanordnung von 1a,
5 eine Darstellung der Reflektivität einer ersten Variante der Anti-Reflexbeschichtung in Abhängigkeit vom Einfallswinkel, und
6 eine Darstellung der Reflektivität einer zweiten Variante der Anti-Reflexbeschichtung in Abhängigkeit vom Einfallswinkel und von der Dicke einer auf dem Spiegelsubstrat gebildeten Siliziumoxidschicht.
In 1a ist schematisch eine Mikrospiegelanordnung 1 gezeigt, die ein plattenförmiges Spiegelsubstrat 2 aufweist, an dem eine Mehrzahl von Mikrospiegeln 3 zwischen als Scharnieren dienenden Teilbereichen 4 des Spiegelsubstrats 2 mit verringerter Dicke an säulenförmigen Stützstrukturen 5 beweglich gelagert ist. Unterhalb des Spiegelsubstrats 2 sind im Bereich jedes Mikrospiegels 3 mehrere, typischer weise drei (nicht gezeigte) Elektroden angebracht, durch die sich die Mikrospiegel 3 gegenüber einer jeweiligen, gestrichelt angedeuteten Achse verkippen lassen, die im Bereich der Stützstrukturen 5 durch das Spiegelsubstrat 2 verläuft. Es versteht sich, dass die Mikrospiegel 3 auch um zwei z. B. zueinander senkrechte Achsen verkippt werden können, wenn die Anordnung bzw. Formgebung der Scharniere 4 geeignet modifiziert wird, z. B. wenn diese in den Eckbereichen der Mikrospiegel 3 angeordnet werden.
Um die in 1a gezeigte Mikrospiegelanordnung 1 zu erhalten, wird auf das noch unstrukturierte, plane Spiegelsubstrat 2 eine Anti-Reflexbeschichtung 7 sowie eine reflektierende Beschichtung 8 aufgebracht, wie nachfolgend anhand der 2a–c, 3a–c und 4a–c näher erläutert wird, welche unterschiedliche Varianten des Beschichtungsvorgangs zeigen.
In 2a ist eine Beschichtungs-Variante dargestellt, bei der auf das Spiegelsubstrat 2 die Anti-Reflexbeschichtung 7 und auf diese die reflektierende Beschichtung 8 flächig aufgebracht ist. Auf die reflektierende Beschichtung 8 ist eine strahlungsempfindliche Materialschicht 9 aufgebracht, im Folgenden auch Resist genannt, die in einem vorausgehenden Schritt durch Bestrahlung bzw. Belichtung und anschließendes Entwickeln strukturiert und nachfolgend in den unbelichteten Bereichen entfernt wurde. Die Materialschicht 9 kann hierbei aus den in der Mikrolithographie üblichen Resist-Materialien bestehen, welche selektiv abgetragen werden können, so dass die reflektierende Beschichtung 8 beim teilweisen Abtrag der Materialschicht 9 intakt bleibt.
Wie ebenfalls in 2a gezeigt ist, wird nachfolgend die reflektierende Beschichtung 8 selektiv in den Bereichen durch einen Ätzprozess abgetragen, an denen keine strukturierte Materialschicht 9 vorhanden ist. Der Ätzangriff ist hierbei durch gestrichelte Pfeile 10 angedeutet und kann mittels trockenem oder nassem Ätzen auf bekannte Weise durchgeführt werden. Durch das Ätzen erfolgt ein vollständiger Abtrag der reflektierenden Beschichtung 8 in den nicht durch den Resist 9 geschützten Bereichen, wie in 2b dargestellt ist, d. h. der Resist 9 dient als Ätzmaske für die Strukturierung der reflektierenden Beschichtung 8. In 2c wird das Ergebnis der Beschichtung dargestellt, nachdem der Resist 9 von der reflektierenden Beschichtung 8 entfernt wurde, wodurch eine reflektierende Oberfläche 11 mit der gewünschten Geometrie an der reflektierenden Beschichtung 8 gebildet wird.
Der in 3a–c dargestellte Beschichtungsprozess unterscheidet sich von dem der 2a–c gezeigten dadurch, dass vor dem Aufbringen der reflektierenden Beschichtung 8 auf die Anti-Reflexbeschichtung 7 zunächst der Resist 9 aufgebracht und strukturiert wird, vgl. 3a. Der Resist 9 dient hierbei als Opferschicht und kann wie in 3b durch Pfeile 12 angedeutet ist, mittels geeigneter, ebenfalls bekannter Verfahren von der Anti-Reflexbeschichtung 7 abgehoben werden, nachdem auf diese die reflektierende Beschichtung 8 aufgebracht wurde. Wie in 3c gezeigt, bleibt auf diese Weise ebenfalls nur der gewünschte Bereich der reflektierenden Beschichtung 8 mit der reflektierenden Oberfläche 11 auf der Anti-Reflexbeschichtung 7 zurück.
4a–c zeigen schließlich eine Variante des Verfahrens, bei denen die Beschichtungsschritte der 2a–c und 3a–c kombiniert werden. Ausgangspunkt ist hierbei die in 3b dargestellte Situation, bei der auf den strukturierten Resist 9 die reflektierende Beschichtung 8 aufgebracht wurde. In diesem Fall wurde aber ein Resist-Material gewählt, das nicht als Opferschicht, sondern als Ätzstopp für die darunter liegende Anti-Reflexbeschichtung 7 dient. Wie in 4b dargestellt, wird auf den Teilbereich der reflektierenden Beschichtung 8, welcher unmittelbar auf die Anti-Reflexbeschichtung 7 aufgebracht wurde, eine weitere Resist-Schicht 9a als Ätzstopp aufgebracht und strukturiert, so dass der nicht von der Resist-Schicht 9a bedeckte Teil der reflektierenden Beschichtung 9 in einem nachfolgenden Ätzschritt abgetragen werden kann, wie in 4b durch Pfeile 10 dargestellt ist, wobei das Ätzen an dem Resist 9 gestoppt wird. Nach dem Abtragen des Resists 9 und der Resist-Schicht 9a wird ebenfalls die reflektierende Oberfläche 11 mit der gewünschten Form auf der Anti-Reflexbeschichtung 7 erhalten, wie in 4c gezeigt ist.
Die beiden in 3a–c und 4a–c gezeigten Varianten bieten sich an, wenn die reflektierende Beschichtung 8 nicht selektiv bezüglich der Anti-Reflexbeschichtung 7 geätzt werden kann. Bei den oben beschriebenen Beschichtungsvarianten können die einzelnen Schichten jeweils durch übliche Dünnschicht-Beschichtungsverfahren, z. B. durch plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD), durch thermisches Verdampfen oder durch Sputtern aufgebracht werden.
Neben den in 2a–c bis 4a–c gezeigten Beschichtungsvarianten ist es auch möglich, zunächst die Anti-Reflexbeschichtung 7 zu strukturieren und in den Bereichen gezielt abzutragen, in denen die reflektierende Beschichtung 8 bzw. die optische Oberfläche 11 gebildet werden soll. Auf diese Weise kann die reflektierende Beschichtung 8 unmittelbar auf das Spiegelsubstrat 2 aufgebracht werden, so dass dessen hohe Reflektivität beim Design der reflektiven Beschichtung berücksichtigt und genutzt werden kann.
In jedem Fall wird nachfolgend auf das Substrat 2 eine weitere Resistschicht 9b flächig aufgebracht, die in den als Scharniere dienenden Teilbereichen 4 strukturiert ist, wie in 1b dargestellt, in der auf die Darstellung Anti-Reflexbeschichtung sowie die reflektierenden Beschichtung der besseren Übersicht halber verzichtet wurde. Die in 1b gezeigte Darstellung folgt hierbei der in 1a gezeigten Schnittlinie vor der Strukturierung des Substrats 2. In einem nachfolgenden Ätzschritt werden in den Teilbereichen 4 Durchbrüche gebildet, wie in 1c gezeigt ist, in der die Mikrospiegelanordnung 1 entlang der Schnittlinie von 1a im Endzustand nach dem Entfernen der Resistschicht 9b dargestellt ist.
In 1c ist außerdem der Aufbau der Anti-Reflexbeschichtung 7 genauer gezeigt: Diese weist eine erste, absorbierende Schicht 7a auf, auf die eine weitere Schicht 7b aufgebracht ist, die zum Einkoppeln der auf die Anti-Reflexbeschichtung 7 auftreffenden, (nicht gezeigten) Strahlung in die absorbierende Schicht 7a dient und deren Brechungsindex geringer ist als derjenige der absorbierenden Schicht 7a. Auf das erste Schichtenpaar 7a, 7b folgen noch zwei weitere, identische Schichtenpaare 7a, 7b. Die absorbierende Schicht 7a besteht im vorliegenden Fall aus Silizium-Nitrid (SiN), welches in Abhängigkeit von der gewählten Prozessführung einen Realteil des Brechungsindex n zwischen ca. 2,20 und 2,65 und einen Imaginärteil k (Absorptionskoeffizienten) zwischen 0,17 und 0,7 bei einer Wellenlänge von 193 nm aufweist. Die weitere Schicht 7b besteht hierbei aus SiO₂, das einen Brechungsindex n zwischen 1,56 und 1,70 und einen Absorptionskoeffizienten k zwischen 0,0002 und 0,015 aufweist.
Wie aus 1c ebenfalls zu ersehen ist, wird ca. 50% der Fläche der Mikrospiegelanordnung 1 zur gezielten Umlenkung der einfallenden Strahlung an den reflektierenden Oberflächen 11 verwendet. Außerhalb der reflektierenden Oberflächen 11 trifft noch ca. 1% der gesamten Intensität der einfallenden Strahlung auf, von denen maximal 10% reflektiert werden dürfen, wenn die Mikrospiegelanordnung 1 zur Pupillenformung verwendet werden soll, da in diesem Fall die nicht gezielt reflektierte Strahlung direkt in die Pupille gelangt. Da das Spiegelsubstrat 2 aus Silizium eine Reflektivität von ca. 65% aufweist, muss eine Anti-Reflexbeschichtung 7 so ausgelegt sein, dass die Reflektivität um ca. 55–60% reduziert wird.
Ein typisches Schichtdesign (6-Schichter) für die Anti-Reflexbeschichtung 7, das eine Reflektivität R von weniger als 10% auch bei hohen Inzidenzwinkeln α von 50° und darüber aufweist, ist in 5 gezeigt, wobei die Schichtdicken gegeben sind durch: Si (2,9 H 1,95 L) 3 (physikalische Dicke jeweils in Nanometern) und für die einzelnen Schichten folgende Daten zu Grunde gelegt wurden:

n k

Silizium-Substrat: 0,88 2,78

SiN: H 2,5 0,3

SiO₂: L 1,56 0,0002
Es versteht sich, dass durch Anpassung der Dicken der Schichten 7a, 7b bzw. der Anzahl der verwendeten Schichten die Reflektivität geeignet anpassen, insbesondere weiter verringern lässt, wobei für die Entspiegelung des nicht transparenten Siliziums die vergleichsweise hohe Absorption (Absorptionskoeffizient größer 0,1) von Silizium-Nitrid als absorbierendem Schichtmaterial günstig ist. Es versteht sich, dass auch andere Schichtmaterialien für die Anti-Reflexbeschichtung 7 in Frage kommen, z. B. Silizium-Nitride anderer Zusammensetzung (Si_xN_y) bzw. Silizium-Oxid-Nitride (SiO_xN_y), wobei die Anzahl und Reihenfolge der aufgebrachten Schichten von der zu erzielenden Reflektivität und dem Inzidenzwinkelbereich abhängig ist, unter dem die Strahlung auf die Mikrospiegelanordnung 1 einfällt.
Bei der ausschließlichen Verwendung der oben erwähnten, Silizium enthaltenden Materialien für die Schichten der Anti-Reflexbeschichtung 7 können alle Schichten in derselben Beschichtungsanlage aufgebracht werden, indem die Reaktivgasanteile in der Anlage geeignet eingestellt werden. Es versteht sich, dass auch Schichten aus anderen Materialien, mit denen sich die gewünschte Reflektivität erzielen lässt, in der Anti-Reflexbeschichtung Verwendung finden können. Insbesondere können als absorbierende Schichten ggf. auch Metalle wie Aluminium, Chrom oder Titan eingesetzt werden. Auch für die weitere Schicht 7b können andere Materialien als Siliziumoxid (SiO₂) verwendet werden, die für die einfallende Strahlung im Wesentlichen transparent sind und einen Brechungsindex aufweisen, der unter dem Brechungsindex der absorbierenden Schicht 7a liegt.
Bei dem im Zusammenhang mit 5 beschriebenen Beispiel für eine Anti-Reflexbeschichtung ist die Schichtdicke der absorbierenden Schicht 7a nicht groß genug, um die einfallende Strahlung vollständig zu absorbieren. Demzufolge muss das Spiegelsubstrat 2 bei der Berechnung des Schichtdesigns berücksichtigt werden. In der Regel bildet sich jedoch an der Oberfläche des Spiegelsubstrats eine dünne Schicht aus Siliziumoxid (maximal 7 nm) aus, wobei die Dicke ortsabhängig sein kann und auch in Abhängigkeit vom Herstellungsprozess des Spiegelsubstrats variiert. Da die Dicke der Oxidschicht in der Regel bei der Berechnung des Designs nicht genau bekannt ist, ist es schwierig, ein Design mit den gewünschten Eigenschaften zu erzeugen. Daher ist es vorteilhaft, die reflektierende Schicht 7a der Anti-Reflexbeschichtung mit einer solchen Dicke zu versehen, dass die einfallende Strahlung nicht oder nur in geringem Umfang bis zum Spiegelsubstrat 2 bzw. zu der oxidischen Schicht gelangt, so dass diese für die Wirkung der Entspiegelung unerheblich bleibt. Je nach Zielwert für die Restreflexion liegt bei Silizium-Nitrid als absorbierender Schicht die hierfür benötigte Dicke zwischen einigen 10 nm und über 100 nm. Die benötigte Dicke hängt vom Absorptionskoeffizienten und damit auch vom Herstellungsprozess der Silizium-Nitrid-Schicht ab.
6 zeigt ein Beispiel für die Reflektivität R eines Schichtdesigns (2-Schichters) mit einer Reflexion von ca. ≤ 1% bei senkrechtem Einfall und einer Wellenlänge von 193 nm. Das Design weist folgende physikalische Schichtdichen auf: (Si-Substrat) (0 bis 7 nm N) (97.9 nm H) (28.5 nm L)
Für die einzelnen Schichten wurden folgende Daten zu Grunde gelegt:

Brechzahl n k

Substrat Si 0,88 2,78

N Nat. SiO2 1,56 0,0002

H PECVD SiN 2,38 0,44

L PECVD SiO2 1,66 0,0005
Die in 6 dargestellten Reflektivitätskurven 10a bis 10e wurden hierbei für folgende Dicken der Siliziumoxidschicht im Bereich zwischen 0 nm und 7 nm ermittelt: Kurve 10a: 0 nm, 10b: 1 nm, 10c: 3 nm, 10d: 5 nm, 10e: 7 nm. Wie deutlich zu erkennen ist, nimmt die Reflektivität R mit zunehmender Schichtdicke der nativen SiO₂-Schicht ab, die Dicke der absorbierenden Schicht 7a von ca. 100 nm ist aber ausreichend, um bei allen betrachteten Fällen eine Reflektivität R zu erreichen, die bei senkrechtem Einfall im Bereich um ca. 1% und darunter liegt. Bei diesem Design ist abweichend von dem in 1c dargestellten Fall somit ein einziges Schichtenpaar 7a, 7b ausreichend, um die gewünschte Reflektivität R zu erzielen.
Zusätzlich zur Entspiegelung bei einer einzelnen Wellenlänge, z. B. bei 193 nm, ist es auch möglich, eine Entspiegelung über einen Wellenlängenbereich z. B. zwischen 185 nm und 230 nm zu realisieren. In diesem Fall muss das optische Design bzw. müssen die Schichtdicken der Schichten 7a, 7b und ggf. weiterer Schichten entsprechend angepasst werden Für die Optimierung der Schichtdicken bei bekannten Brechzahlen der verwendeten Schichtmaterialien werden typischerweise handelsübliche Schichtdesignprogramme verwendet. Vorteile einer Breitband-Entspiegelung sind höhere Fertigungstoleranzen und die Abdeckung eines breiteren Bereiches der Einfallswinkel für eine ausgewählte Wellenlänge.
Bei der in 1c dargestellten Konfiguration, bei der die reflektierende Beschichtung 8 auf die Anti-Reflexbeschichtung 7 aufgebracht ist, ist es möglich, die Schichtspannung der Anti-Reflexbeschichtung so auf die Schichtspannung der reflektierenden Beschichtung abzustimmen, dass die beiden Schichtspannungen sich im Wesentlichen kompensieren, d. h. eine resultierende positive Schichtspannung der einen Beschichtung kann durch eine betragsmäßig im Wesentlichen gleich große (Abweichung maximal ca. 10%) negative Schichtspannung der anderen Beschichtung kompensiert werden. Hierbei kann ausgenutzt werden, dass die Schichtspannungen der einzelnen Schichten, insbesondere der absorbierenden Schicht 7a (z. B. aus SiN) in Abhängigkeit vom gewählten Beschichtungsverfahren bzw. der gewählten Beschichtungsparameter variiert, so dass die Schichtspannung der Anti-Reflexbeschichtung geeignet angepasst werden kann. Typische Schichtspannungen liegen idealerweise im Bereich ±40 MPa aber auch bis 400 MPa ist möglich.
Es versteht sich, dass die Anti-Reflexbeschichtung nicht zwingend auf der Oberseite des Spiegelsubstrats 2 aufgebracht werden muss, sondern dass bei geeigneter Geometrie der Mikrospiegelanordnung auch eine Anbringung der Anti-Reflexbeschichtung an der Rückseite des Spiegelsubstrats 2 oder an einem darunter liegenden Substrat, das ggf. ebenfalls aus Silizium besteht, aufgebracht werden kann, wie in der eingangs zitierten US 6,891,255 B2 dargestellt ist, welche bezüglich dieses Aspekts durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird.
Die oben beschriebene Mikrospiegelanordnung eignet sich insbesondere zur Pupillenformung in Beleuchtungssystemen für die Mikrolithographie, die bei einer Wellenlänge von 193 nm betrieben werden. Es versteht sich, dass die oben beschriebenen Konzepte mit geeigneten Abwandlungen auch bei anderen Wellenlängen Verwendung finden können. Ferner kann die oben beschriebene Mikrospiegelanordnung auch in anderen optischen Anlagen bzw. auf anderen Gebieten der Optik als der Mikrolithographie gewinnbringend eingesetzt werden. Wesentlich ist hierbei, dass die Anti-Reflexbeschichtung durch die Fotolithographie strukturiert werden kann, weshalb bei der Strukturierung nur geringe Toleranzen auftreten und die Anti-Reflexbeschichtung nahezu die gesamte Fläche außerhalb der reflektierenden Oberflächen bedecken kann, so dass der „Rahmen” der einzelnen Mikrospiegel im Wesentlichen vollständig mit ihr beschichtet werden kann.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

- US 6891255 B2 [0004, 0061]
- US 6319568 B1 [0010]

Claims

Mikrospiegelanordnung (1), umfassend: mindestens einen Mikrospiegel (3) mit einer reflektierenden Oberfläche (11), die an einem bevorzugt aus Silizium bestehenden Spiegelsubstrat (2) gebildet ist, sowie eine Anti-Reflexbeschichtung (7), die an dem Spiegelsubstrat (2) außerhalb der reflektierenden Oberfläche (11) gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die bevorzugt strukturierte Anti-Reflexbeschichtung (7) wenigstens eine absorbierende Schicht (7a) aus einem bevorzugt nicht-metallischen Material aufweist, das bei einer Wellenlänge im UV-Bereich, insbesondere bei 193 nm, einen Absorptionskoeffizienten von 0,1 oder mehr, bevorzugt von 0,2 oder mehr, insbesondere von 0,4 oder mehr aufweist.
Mikrospiegelanordnung nach Anspruch 1, bei der das Material der absorbierenden Schicht (7a) eine Silizium-Stickstoff-Verbindung ist, die bevorzugt ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Silizium-Nitride (Si_xN_y) und Silizium-Oxid-Nitride (SiN_xO_y).
Mikrospiegelanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der auf die absorbierende Schicht (7a) mindestens eine weitere Schicht (7b) mit einem niedrigeren Brechungsindex als dem Brechungsindex der absorbierenden Schicht aufgebracht ist.
Mikrospiegelanordnung nach Anspruch 3, bei der die weitere Schicht (7b) aus einer Silizium-Sauerstoff-Verbindung, insbesondere aus Siliziumdioxid (SiO₂) besteht.
Mikrospiegelanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der alle Schichten (7a, 7b) der Anti-Reflexbeschichtung (7) aus nicht-metallischen Materialen, insbesondere aus Silizium-Verbindungen, bestehen.
Mikrospiegelanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Dicke der wenigstens einen absorbierenden Schicht (7a) so gewählt ist, dass die auf die absorbierende Schicht (7a) auftreffende Strahlung vollständig absorbiert wird.
Mikrospiegelanordnung nach Anspruch 6, bei der die Dicke der wenigstens einen absorbierenden Schicht (7a) zwischen 40 nm und 100 nm, bevorzugt zwischen 60 nm und 80 nm liegt.
Mikrospiegelanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Anti-Reflexbeschichtung (7) bei einer Wellenlänge von 193 nm unter senkrechtem Einfall eine Reflektivität von 5% oder weniger, bevorzugt von 3% oder weniger, insbesondere von 1% oder weniger aufweist.
Mikrospiegelanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Anti-Reflexbeschichtung (7) unter senkrechtem Einfall in einem Wellenlängenbereich zwischen 185 nm und 210 nm, insbesondere bis 230 nm eine Reflektivität von 10% oder weniger, bevorzugt von 5% oder weniger aufweist.
Mikrospiegelanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die reflektierende Oberfläche (11) an einer reflektierenden Beschichtung (8) gebildet ist, die bevorzugt auf die Anti-Reflexbeschichtung (7) und/oder auf das Spiegelsubstrat (2) aufgebracht ist.
Mikrospiegelanordnung nach Anspruch 10, bei der die Schichtspannung der Anti-Reflexbeschichtung (7) die Schichtspannung der reflektierenden Beschichtung (8) im Wesentlichen kompensiert.
Mikrospiegelanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend eine Stützstruktur (5), an welcher der mindestens eine Mikrospiegel (3) beweglich gelagert ist.
Verfahren zum Herstellen einer Anti-Reflexbeschichtung (7) für eine Mikrospiegelanordnung (1), umfassend: Beschichten eines Spiegelsubstrats (2) insbesondere aus Silizium mit der Anti-Reflexbeschichtung (7), sowie Strukturieren der Anti-Reflexbeschichtung (7) unter Aufbringen einer durch Bestrahlung strukturierbaren Materialschicht (9b) auf die Anti-Reflexbeschichtung (9) und/oder auf das Spiegelsubstrat (2).
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem das Spiegelsubstrat (2) mit wenigstens einer absorbierenden Schicht (7a) aus einem bevorzugt nicht-metallischen Material beschichtet wird, das bei einer Wellenlänge im UV-Bereich, insbesondere bei 193 nm, einen Absorptionskoeffizienten von 0,1 oder mehr, bevorzugt von 0,2 oder mehr, insbesondere von 0,4 oder mehr aufweist.
Verfahren nach Anspruch 14, bei dem als Material der absorbierenden Schicht (7a) eine Silizium-Stickstoff-Verbindung gewählt wird, insbesondere ein Silizium-Nitrid (Si_xN_y) oder ein Silizium-Oxid-Nitrid (SiN_xO_y).
Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, bei dem auf die absorbierende Schicht (7a) mindestens eine weitere Schicht (7b) mit einem niedrigeren Brechungsindex als dem Brechungsindex der absorbierenden Schicht (7a) aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, weiter umfassend: Aufbringen einer reflektierenden Beschichtung (8) auf die Anti-Reflexbeschichtung (7) und/oder auf das Spiegelsubstrat (2) zur Erzeugung mindestens einer reflektierenden Oberfläche (11) an einem Mikrospiegel (3).
Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die reflektierende Beschichtung (8) zunächst flächig aufgebracht und nachfolgend selektiv außerhalb der reflektierenden Oberfläche (11) von der Anti-Reflexbeschichtung entfernt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 17 oder 18, bei dem die Schichtspannung der Anti-Reflexbeschichtung (7) so auf die Schichtspannung der reflektierenden Beschichtung (8) abgestimmt ist, dass beide Schichtspannungen sich im Wesentlichen kompensieren.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, bei dem die Anti-Reflexbeschichtung (7) zunächst flächig auf das Spiegelsubstrat (2) aufgebracht und nachfolgend selektiv im Bereich der reflektierenden Oberfläche (11) von dem Spiegelsubstrat (2) entfernt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 20, bei dem mindestens eine, bevorzugt jede Schicht (7a, 7b) der Anti-Reflexbeschichtung (7) durch plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung aufgebracht wird.