DE102009029132A1 - Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Stabintegrator - Google Patents

Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Stabintegrator Download PDF

Info

Publication number
DE102009029132A1
DE102009029132A1 DE102009029132A DE102009029132A DE102009029132A1 DE 102009029132 A1 DE102009029132 A1 DE 102009029132A1 DE 102009029132 A DE102009029132 A DE 102009029132A DE 102009029132 A DE102009029132 A DE 102009029132A DE 102009029132 A1 DE102009029132 A1 DE 102009029132A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical element
illumination system
rod
light
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102009029132A
Other languages
English (en)
Inventor
Stig Bieling
Martin Dr. Meier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102009029132A priority Critical patent/DE102009029132A1/de
Publication of DE102009029132A1 publication Critical patent/DE102009029132A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0927Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/095Refractive optical elements
    • G02B27/0955Lenses
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/0994Fibers, light pipes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B15/00Optical objectives with means for varying the magnification
    • G02B15/14Optical objectives with means for varying the magnification by axial movement of one or more lenses or groups of lenses relative to the image plane for continuously varying the equivalent focal length of the objective

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem mit einem von einer Lichtquelle (1) und weiteren optischen Elementen erzeugten Projektionslicht, insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage in der Mikrolithographie, mit einem Stabintegrator (5) zur Erzeugung einer homogenen Intensitätsverteilung des Projektionslichtes an der Austrittsfläche (5a) des Stabintegrators (5) und einem optischen Element (OE) im Lichtweg vor dem Stabintegrator zur Erzeugung einer Lichtverteilung auf der Eintrittsfläche des Stabintegrators, wobei der Stabintegrator (5) einen rechteckigen Querschnitt aufweist, und wobei es in der Ebene unmittelbar vor der der Lichtquelle optisch zugewandten Eintrittsfläche (5e) des Stabintegrators (5) ein optisches Element (50) angeordnet ist, das eine Brechkraft aufweist.

Description

  • Gegenstand der Erfindung ist ein Beleuchtungssystem mit einem von einer Lichtquelle und weiteren optischen Elementen erzeugten Projektionslicht, insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage in der Mikrolithographie, mit einem Stabintegrator zur Erzeugung einer homogenen Intensitätsverteilung des Projektionslichtes an der Austrittsfläche des Stabintegrators und einem optischen Element (OE) im Lichtweg vor dem Stabintegrator zur Erzeugung einer Lichtverteilung auf der Eintrittsfläche des Stabintegrators, wobei der Stabintegrator einen rechteckigen Querschnitt aufweist.
  • Derartige Beleuchtungssysteme sind aus dem Stand der Technik bekannt. Dabei ist das optische Element (OE) in der Regel ein refraktives optisches Element (ROE), und zwar meist ein Mikrolinsenarray. Es sind jedoch auch andere Elemente, etwa diffraktive optische Elemente, denkbar, die hier verwendet werden können.
  • Die Leistungsfähigkeit der verwendeten Projektionsbelichtungsanlagen wird nicht nur durch die Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs, sondern auch durch ein Beleuchtungssystem bestimmt, das die Maske beleuchtet. Das Beleuchtungssystem enthält zu diesem Zweck eine Lichtquelle, z. B. einen gepulst betriebenen Laser, sowie mehrere optische Elemente, die aus dem von der Lichtquelle erzeugten Licht Lichtbündel erzeugen, welche auf der Maske in Feldpunkten konvergieren. Die einzelnen Lichtbündel müssen dabei bestimmte Eigenschaften haben, die im Allgemeinen auf das Projektionsobjektiv abgestimmt sind.
  • Zu diesen Eigenschaften zählt u. a. die Beleuchtungswinkelverteilung der Lichtbündel, die jeweils auf einen Punkt in der Maskenebene konvergieren. Mit dem Begriff Beleuchtungswinkelverteilung beschreibt man, wie sich die gesamte Intensität eines Lichtbündels auf die unterschiedlichen Richtungen verteilt, unter denen die einzelnen Strahlen des Lichtbündels auf den betreffenden Punkt in der Maskenebene fallen. Wird die Beleuchtungswinkelverteilung speziell an das in der Maske enthaltene Muster angepasst, so lässt sich dieses mit höherer Abbildungsqualität auf den mit Photolack bedeckten Wafer abbilden.
  • Häufig beschreibt man die Beleuchtungswinkelverteilung nicht unmittelbar in der Maskenebene, in welche die zu projizierende Maske eingebracht wird, sondern als Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene, die zu der Maskenebene in einer Fourier-Beziehung steht. Dabei wird die Tatsache ausgenutzt, dass sich jedem Winkel zur optischen Achse, unter dem ein Lichtstrahl eine Feldebene durchtritt, in einer Fourier-transformierten Pupillenebene ein von der optischen Achse aus gemessener Radialabstand zuordnen lässt. Bei einem sog. konventionellen Beleuchtungssetting ist beispielsweise der in einer solchen Pupillenebene ausgeleuchtete Bereich eine zur optischen Achse konzentrische Kreisscheibe. Auf jeden Punkt in der Maskenebene fallen somit Lichtstrahlen unter Einfallswinkeln zwischen 0° und einem durch den Radius der Kreisscheibe gegebenen Maximalwinkel. Bei sogenannten nichtkonventionellen Beleuchtungssettings, z. B. annularer (ringförmiger), Dipol- oder Quadrupolbeleuchtung, hat der in der Pupillenebene ausgeleuchtete Bereich die Form eines zur optischen Achse konzentrischen Rings bzw. mehrerer einzelner Bereiche (Pole), die beabstandet von der optischen Achse angeordnet sind. Die zu projizierende Maske wird bei diesen nichtkonventionellen Beleuchtungssettings somit ausschließlich schief beleuchtet.
  • Bei konventionellen Beleuchtungssettings und der annularen Beleuchtung ist die Beleuchtungswinkelverteilung im Idealfall rotationssymmetrisch. Bei der Quadrupolbeleuchtung ist die Beleuchtungswinkelverteilung zwar idealerweise nicht rotationssymmetrisch, jedoch werden die Pole in der Pupillenebene im Idealfall so ausgeleuchtet, dass die Beleuchtungswinkelverteilung eine vierzählige Symmetrie hat. Somit trifft, vereinfacht gesagt, auf einen Feldpunkt in der Maskenebene aus allen vier Richtungen gleich viel Licht auf.
  • Diese Symmetrieeigenschaften der jeweiligen Beleuchtungswinkelverteilung sind für eine maßhaltige Abbildung der auf der Maske enthaltenen Strukturen von großer Bedeutung. Bei Abweichungen von diesen Symmetrieeigenschaften kann es beispielsweise dazu kommen, dass gleich breite, aber unterschiedlich (z. B. vertikal oder horizontal) auf der Maske orientierte Strukturen mit unterschiedlicher Breite auf den Photolack abgebildet werden. Dies kann die einwandfreie Funktion der mikrolithographisch hergestellten Bauelemente beeinträchtigen.
  • Um Abweichungen von den oben erwähnten idealen Symmetrieeigenschaften der Beleuchtungswinkelverteilungen quantitativ besser erfassen zu können, wird häufig der Begriff der Pupillenelliptizität verwendet. Die Pupillenelliptizität entspricht, vereinfacht gesprochen, dem Verhältnis der Lichtmengen, die aus orthogonalen Richtungen während einer Belichtung auf einen Feldpunkt auf der Maske fallen. Je stärker die Pupillenelliptizität von 1 abweicht, desto unsymmetrischer ist die Beleuchtungswinkelverteilung.
  • Gerade bei kleinen Aperturen bzw. Settings kommt es zu einer feldabhängigen Pupillenelliptizität, die beispielsweise durch das optische Element (OE) verursacht werden können.
  • Zur Korrektur der Pupillenelliptizität wird in der DE 101 38 847 ein Filter vorgeschlagen, mit dem die Intensität in einer Pupillenebene vor dem Stabeintritt verändert wird. Dadurch wird aber die Intensität des Projektionslichts abgeschwächt.
  • In der DE 10 2008 041 288 A1 wird ein Graufilter vor dem Stabeintritt eingesetzt, um unter Anderem eine Pupillenelliptizität zu korrigieren. Auch hier wird die Intensität des Projektionslichts verringert.
  • Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Gleichmäßigkeit der Beleuchtungswinkelverteilung auf der Maske bei einem Stabbelichtungssystem durch den Einsatz kostengünstiger Elemente weiter zu verbessern, ohne gleichzeitig die anderen optischen Eigenschaften des Beleuchtungssystems negativ zu beeinflussen.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Beleuchtungssystem der eingangs genannten Art gelöst, bei dem in der Ebene unmittelbar der vor der Lichtquelle optisch zugewandten Eintrittsfläche des Stabintegrators ein optisches Element angeordnet ist das eine Brechkraft aufweist.
  • Dieser Erfindung liegt die überraschende Erkenntnis zugrunde, dass eine Pupillenelliptizität durch einen Telezentriefehler am Stabeingang verursacht wird, der mit dem optischen Element ganz oder teilweise korrigiert werden kann.
  • Es ist daher ein besonderer Vorteil der Erfindung, dass mit einem vergleichsweise einfachen und damit kostengünstigen optischen Element die Pupillenelliptizität bei einem Stabbelichtungssystem zu korrigieren. Überaschenderweise hat sich auch gezeigt, dass auch Abweichungen der Beleuchtungsintensität von der Gleichverteilung in der Maskenebene dadurch verringert werden.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung ist das optische Element so geformt, dass eine Abweichung von der Telezentrie der Lichtbündel am Stabeintritt einfallenden Lichtbündel teilweise oder ganz korrigiert wird.
  • Vorteilhaft ist es, das optische Element so zu formen, dass eine lokale Abweichung von der Telezentrie der am Stabeintritt einfallenden Lichtbündel teilweise oder ganz korrigiert wird. Damit lassen sich lokale Störungen in einfacher Weise ausgleichen.
  • In einer weiteren Ausführung wird das optische Element so geformt, dass ein Fehler der feldabhängigen Pupillenelliptizität teilweise oder ganz korrigiert wird.
  • Besonders vorteilhaft bei Stabsystemen mit hohem Aspektverhältnis ist es, das optische Element als eine Zylinderlinse auszuformen.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist das optische Element eine sphärische oder asphärische gekrümmte Oberfläche. Damit lassen sich lineare bzw. nichtlineare Abweichungen von der Telezentrie der Strahlenbündel am Stabeingang in einfacher Weise korrigieren.
  • Vorteilhafterweise wird das optische Element in eine, die gesamte Stabeintrittsfläche überdeckende, Streuscheibe integriert. Damit lässt sich in einfacher Weise eine meist im Beleuchtungssystem vorhandene Streuscheibe nutzen.
  • Weist das optische Element in einer weiteren Ausführungsform eine kontinuierlich veränderbare der Brechkraft auf, kann ohne Austausch des Elements eine einfache Anpassung an Veränderungen der Telezentrieabweichung erreicht werden.
  • Vorteilhafterweise ist das optische Element als Zoom-System zur Veränderung der Brechkraft ausgestaltet.
  • In weiteren Ausführungsformen ist das optische Element drehbar um die optische Achse gelagert oder ist auswechselbar gestaltet.
  • Außerdem kann das optische Element drehbar um eine Achse senkrecht zur optischen Achse oder verschiebbar entlang einer Achse senkrecht zur optischen Achse ausgestaltet sein.
  • Mit diesen Ausgestaltungen ist eine noch größere Flexibilität in der Korrektur des Telezentriefehlers möglich.
  • Offenbart ist darüber hinaus eine Mikrolithografische Projektionsanlage mit einem oben beschriebenen Beleuchtungssystem.
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren beschrieben
  • Darin zeigen:
  • 1 eine vereinfachte Darstellung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
  • 2 eine schematische Darstellung von auf die Stabeintrittsfläche auftreffenden Lichtbündeln
  • 3 in perspektivischer Ansicht ein Beispiel eines erfindungsgemäßen optischen Elements vor dem Stabeintritt
  • 4a4d verschiedene Ausführungen erfindungsgemäßer optischer Elemente vor dem Stabeintritt mit plankonkaven und plankonvexen Linsen
  • 5 eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Elements
  • 1 zeigt eine Projektionsbelichtungsanlage entlang einer gestrichelt gezeigten optischen Achse OA. Als Lichtquelle dient im Beispiel ein Laser 1.
  • Der Laser 1 ist ein in der Mikrolithographie im tiefen Ultraviolett (DUV) gebräuchlicher KrF-Excimer-Laser mit 248 nm Wellenlänge, wie z. B. in EP 0 312 341 angegeben. Es kennen auch Laser mit anderen Wellenlängen, etwa mit 193 nm oder 157 nm verwendet werden.
  • Ein Strahlaufweiter 14, z. B. eine Spiegelanordnung nach DE-A 41 24 311 , dient zur Kohärenzreduktion und Vergrößerung des Strahlquerschnitts.
  • Ein erstes optisches Rasterelement 9 ist vorgesehen und bildet die Objektebene eines Zoom-Objektivs 2, in dessen Austrittspupille das zweite optische Rasterelement 8, beispielsweise ein refraktives optisches Element (ROE), ein Mikrolinsenarray, vorgesehen ist.
  • Eine Einkoppeloptik 4 überträgt das Licht auf die Eintrittsfläche 5e eines Glasstabs 5, der durch mehrfache innere Reflexion das Licht mischt und homogenisiert. Unmittelbar an der Austrittsfläche 5a ist eine Zwischenfeldebene, in der ein Retikel-Masking-System (REMA) 55, eine verstellbare Feldblende, angeordnet ist. Das nachfolgende Objektiv 6, mit Linsengruppen 61, 63, 65, Umlenkspiegel 64 und Pupillenebene 62 bildet diese Zwischenfeldebene auf die Maske 7 ab.
  • Dieses Beleuchtungssystem bildet zusammen mit einem Projektionsobjektiv und einem verstellbaren Wafer-Halter eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie von elektronischen Bauteilen, aber auch von optischen diffraktiven Elementen und anderen mikrostrukturierten Teilen.
  • Bei einem Wafer-Stepper wird auf der Maske 7 die gesamte einem Chip entsprechende strukturierte Fläche, im Allgemeinen ein Rechteck mit einem beliebigen Aspektverhältnis von z. B. 1:1 bis 1:2, insbesondere 1:1,3, so gleichmäßig wie möglich und so randscharf wie möglich beleuchtet.
  • Bei einem Wafer-Scanner wird auf der Maske 7 ein schmaler Streifen, ein Rechteck mit einem Aspektverhältnis von 1:2 bis 1:8, beleuchtet und durch Scannen das gesamte strukturierte Feld eines Chips seriell beleuchtet. Auch hier ist die Beleuchtung extrem gleichmäßig und randscharf (nur in Richtung senkrecht zur Scanrichtung) zu gestalten.
  • In Ausnahmefällen sind auch andere Formen der beleuchteten Fläche auf der Maske 7 möglich. Die Öffnung des Reticle-Masking-Systems 55 und der Querschnitt des Glasstabs 5 sind der benötigten Form genau angepasst.
  • Die Ausführung der dem Glasstab 5 vorgelagerten Teile insbesondere der optischen Rasterelemente 8 und 9, ist so gewählt, dass die Eintrittsöffnung 5e möglichst optimiert ausgeleuchtet wird.
  • Dazu dienen folgende Maßnahmen: Der vom Strahlaufweiter 14 kommende parallele Lichtstrahl mit rechteckigem Querschnitt und einer Divergenz von beispielsweise 1 mrad wird durch das erste diffraktive Rasterelement 9 soweit in der Divergenz, und seiner Form verändert, dass sich eine beliebige vorbestimmte Lichtverteilung ergibt, so dass auf diese Weise die gewünschte Pupillenlichtverteilung am Ort des zweiten Rasterelements 8 erzeugt wird. Dieses Rasterelement 8 erzeugt mit Hilfe der nachfolgenden Einkoppeloptik 4 eine vorgebbare Beleuchtung einer Fläche am Stabeintritt, wobei die beleuchtete Fläche vorzugsweise kleiner als die Stabeintrittsfläche 5e ist.
  • Da derartige Projektionsbelichtungssysteme mit Stabintegratoren aus dem eingangs genannten Stand der Technik grundsätzlich bekannt sind, wird für weitere Einzelheiten auf diese Schriften verwiesen, deren Inhalt hiermit zum Gegenstand dieser Anmeldung gemacht wird.
  • Bei dem hier beschriebenen System bezeichnen die drei zueinander senkrecht stehenden Achsen x, y und z die Koordinaten des optischen Systems, wobei die z-Achse in Richtung der optischen Achse OA gerichtet ist, während x die Breite und y die Höhe bezeichnen, so dass bei einem Scan-Belichtungsverfahren die y-Achse der Scan-Richtung entspricht, während die x-Achse die hierzu senkrechte Achse bildet.
  • Die Elliptizität einer Pupillenausleuchtung ist eine skalare Größe und wird bestimmt, indem man das Verhältnis der Gesamtintensitäten der um die x-Achse angeordneten Quadranten und der Gesamtintensität der um die y-Achse angeordneten Quadranten bildet. Die Quadranten werden dabei von zwei Geraden begrenzt, welche sich in der Mitte der Pupillenausleuchtung schneiden, senkrecht zueinander stehen und zur horizontalen Richtung jeweils einen Winkel von 45° einschließen.
  • Damit beschreibt die Pupillenelliptizität das Verhältnis der Lichtmengen, die aus orthogonalen Richtungen während einer Belichtung auf einen Feldpunkt auf der Maske fallen. Je stärker die Pupillenelliptizität von dem Wert 1 abweicht, desto unsymmetrischer ist die Beleuchtungswinkelverteilung.
  • Ein weiteres Maß für die Qualität der Beleuchtung der Maske ist die Abweichung der Beleuchtungsintensität von der Gleichverteilung in der Maskenebene, auch Uniformity genannt.
  • Eine weitere Eigenschaft der auf ein optisches Element auftreffenden Lichtbündel ist die Telezentrie. Von einer telezentrischen Beleuchtung spricht man, wenn die energiemäßigen Mittelstrahlen der Lichtbündel, die in der Regel als Schwerstrahlen bezeichnet werden, parallel zur optischen Achse auf das optische Element treffen. Bei nicht-telezentrischer Beleuchtung treffen die gesamten Lichtbündel gewissermaßen schief auf. Die Telezentrie der Lichtbündel kann dabei über die Eintrittsfläche des optischen Elements variieren. Mit anderen Worten bedeutet das, dass an jedem Auftreffpunkt des optischen Elements die Schwerstrahlen Lichtbündel einen anderen Winkel bezüglich der optischen Achse haben können.
  • Sofern die Belichtung der Maske im Scan-Verfahren stattfindet, also sich der Lichtstreifen nach dem Stabintegrator in y-Richtung über das zu belichtende Objekt bewegt, findet in eben dieser y-Richtung durch den Scan-Vorgang selbst eine weitere Integration statt, die entsprechende Fehler, hervorgerufen durch eine möglicherweise ebenfalls inhomogene Intensitätsverteilung in y-Richtung, zumindest teilweise ausgleicht.
  • Eine solche Integrationswirkung tritt jedoch bei Intensitätsschwankungen an den Rändern in x-Richtung, also senkrecht zur Scan-Richtung, gerade nicht auf.
  • Bei den beschriebenen Systemen zeigt sich gerade bei kleinen Aperturen bzw. Settings eine feldabhängige Pupillenelliptizität.
  • Die Erfinder haben überraschenderweise festgestellt, dass diese feldabhängige Pupillenelliptizität durch einen Telezentriefehler am Stabeintritt 5e verursacht wird. Liegt am Stabeintritt ein nicht telezentrischer Eingang vor, so kommt es zu einem Symmetriebruch und insbesondere bei kleinen Aperturen bzw. Settings zu einer feldabhängigen Pupillenelliptizität.
  • Ein einfaches Bild erhält man, wenn man die lokale Verkippung der Lichtbündel am Stabeintritt 5e betrachtet. Diese Verkippung beeinflusst die zum einem Feldpunkt am Stabaustritt 5a gehörenden Strahlen, welche unter einer maximalen Apertur am Stabeintritt 5e eingekoppelt werden.
  • In 2 ist dies beispielhaft dargestellt. Verschiedene Lichtbündel 15a15e treffen auf die Stabeintrittsfläche 5e.
  • Die Lichtbündel weisen eine lokale Verkippung β(x) bezüglich der optischen Achse auf. Das heißt, die Einfallswinkel der Lichtbündel entlang der x-Achse sind nicht Null, was einem ideal telezentrischen Lichteinfall entsprechen würde, sondern weisen einen Verlauf ungleich Null entlang der x-Achse auf. Im gezeigten Fall ist dieser Verlauf linear, die Winkel β(x) ändern sich linear von negativen zu positiven Werten. Der Nullpunkt der x-Achse liegt in der Stabmitte, der Stabrand ist dann bei hmax. Der maximale Kippwinkel bei hmax ist βmax.
  • Wegen der lokalen Verkippung der Lichtbündel gibt es Punkte am Stabeintritt 5e, an denen Lichtstrahlen verschieden eingekoppelt werden. Das führt zu lokalen Lichtverlusten bzw. -gewinnen in der Pupille am Stabaustritt 5a. Im realen 2D-Raum der Pupillenkoordinaten führt dies dann eine feldabhängige Elliptizität ein. Die Änderung der Apertur ist sehr viel größer als Verkippung der Lichtbündel, weshalb die betroffenen Bereiche in der Pupille eher klein sind. Aus diesem Grund dominiert dieser Effekt nur bei kleinen Settings, bei größeren Settings hingegen kann dieser Anteil vernachlässigt werden.
  • Verschieden Ursachen kommen dafür in Frage. Beispielsweise führt die Auslegung der Kanäle des zweiten optischen Rasterelements 8 (ROE) eine Verkippung der Schwerstrahlen und damit einen Telezentriefehler in der Stabeintrittsebene ein. Ein übliches ROE enthält sphärische bzw. elliptische Zylinderlinsen. Die Seite mit der stärkeren Brechkraft der Zylinderlinsen ist dabei dem Zoom-Objektiv 2 zugewandt. Die Lage der bildseitigen Brennlinien der Zylinderlinsen ist nun allerdings nicht exakt in der vorderen Brennebene der Einkoppelgruppe 4. Dies hat einen kleinen Defokus zur Folge, der sich als zusätzlicher Beitrag zum einem Telezentriefehler am Stabeintritt 5e zeigt.
  • Um einen derartigen gleichmäßige Telezentriefehler auszugleichen, kann zum einen das ROE entsprechend angepasst werden. Dies ist jedoch optisch aufwändig und wenig flexibel beim Einsatz in verschiedenen Projektionsbelichtungsanlagen.
  • Eine wesentlich kostengünstigere Lösung bietet das erfindungsgemäße optische Element 50 im hier beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Unmittelbar vor der Stabeintrittsfläche 5e ist das erfindungsgemäße optische Element 50 angeordnet.
  • Damit ist es auch möglich, bereits installierte ältere Beleuchtungseinrichtungen für Projektionsbelichtungsanlagen mit einem derartigen optischen Element 50 nachträglich auszurüsten und so mit geringem Kostenaufwand die Abbildungsqualität zu verbessern.
  • Das optische Element 50 dient dazu, den Telezentriefehler an der Stabeintrittsfläche 5e zu korrigieren. Dazu wird ausgenutzt, dass eine Brechkraft vor der Stabeintrittsfläche 5e den Eintrittswinkel der Lichtbündel in Richtung der optischen Achse verändern können. Dadurch wird der oben beschriebene Telezentriefehler teilweise oder vollständig korrigiert.
  • Das optische Element 50 kann sowohl als konkave als auch konvexe Linse oder Zylinderlinse ausgeformt sein, die wiederum plankonvex, plankonkav, bikonvex oder bikonkav ausgestaltet sein können.
  • Die Form der Oberfläche kann beispielsweise eine sphärische, asphärische, parabolische oder hyperbolische Fläche sein. Die Form der Fläche richtet sich nach dem zu korrigierenden Telezentriefehler an der Stabeintrittsfläche 5e.
  • Ist beispielsweise der Eintrittswinkel der Lichtbündel an der Stabeintrittsfläche 5e nur lokal gestört, kann dieser mit einer an diese Störung angepasste asphärische Linse korrigiert werden.
  • Die Brechkraft kann sowohl zur Stabeintrittsfläche 5e gerichtet als auch davon abgewandt sein im Falle plankonkaver bzw. -konvexer Linsen. Vorzugsweise ist die Brechkraft der Stabeintrittsfläche 5e zugewandt, da so die größte Wirkung erzielt wird.
  • Das optische Element 50 kann dazu beispielsweise als plankonvexe Zylinderlinse ausgebildet sein mit einer planen und einer konvex gekrümmten Oberfläche. Dabei ist die konvexe Oberfläche beispielsweise der Stabeintrittsfläche 5e zugewandt. Die Krümmung der Oberfläche läuft dabei entlang der langen Achse (x-Achse) des Stabes 5. In 3 ist dies, wie weiter Unten erläutert, dargestellt.
  • Im Falle eines linearen Telezentriefehlers mit zum Stabeintritt 5e konvergierenden Schwerstrahlen wie Oben anhand 2 beschrieben kann eine konkave sphärische Oberfläche zur Korrektur eingesetzt werden. Der Radius R der sphärischen Oberfläche berechnet sich dabei wie folgt:
    Figure 00140001
  • Dabei ist n der Brechungsindex der Zylinderlinse, hmax die halbe Stabhöhe, und βmax der maximale Winkel, um den der Schwerstrahl von der optischen Achse abweicht.
  • Da das Aspektverhältnis des Stabquerschnitts relativ groß ist, beispielsweise im Bereich von X/Y von 6, ist es auch alternativ möglich, eine Linse mit sphärischer Oberfläche als optisches Element 50 einzusetzen.
  • Vorteilhaft ist es zudem, das optische Element 50 so zu lagern, dass es um die beiden Achsen X und Y senkrecht zur optischen Achse verkippbar ist. Damit hat man eine zusätzlich Möglichkeit, die Feldverläufe in der Pupillenebene bzw. in der Maskenebene zu beeinflussen.
  • Ebenso kann man das optische Element 50 drehbar um die optische Achse OA lagern, um so noch bessere Korrekturmöglichkeiten zu erhalten.
  • Eine weitere Korrekturmöglichkeit erhält man, wenn das optische Element 50 entlang der x- und/oder der y-Achse verschiebbar ist. Damit kann beispielsweise bei Lichtbündeln, die eine gemeinsame zusätzliche Grundverkippung, ein zusätzlicher Winkel-Offset, zusammen mit der Möglichkeit der Verkippung des optischen Elements 50, auch hier noch eine Korrektur eines Telezentriefehlers erreicht werden.
  • Da vor der Eintrittsfläche des Stabintegrators regelmäßig eine Streuscheibe 51 angebracht wird, bietet es sich zudem an, das optische Element 50 in die Streuscheibe 51 zu integrieren und auf einem einzigen Glasträger anzubringen. Auch hier ist die Brechkraft vorteilhafterweise nahe der Stabeintrittsfläche 5e angeordnet.
  • In 3 in perspektivischer Ansicht ein Beispiel einer Zylinderlinse 50 die mit einer Streuscheibe 51 integriert ist dargestellt. Man sieht hier, dass die Krümmung der Zylinderlinse 50 entlang der x-Achse des Systems, also entlang der langen Stabseite, verläuft. Hier ist die Brechkraft zur Stabeintrittsfläche 5e hin gewandt.
  • Verschiedene Beispiele für Ausführungsformen mit konvex und konkav geformten Linsenoberflächen in Kombination mit der Streuscheibe 51 und den möglichen Anordnungen der Brechkraft bezüglich der Stabeintrittsfläche 51 in den 4a bis 4c exemplarisch in der Draufsicht dargestellt. Selbstverständlich sind alle anderen Kombinationen mit sphärischen und asphärischen konkav oder konvex gekrümmten Oberflächen denkbar, um damit eine optimale Anpassung an den zu korrigierenden Telezentriefehler zu erreichen.
  • In 5 ist eine weitere Ausführungsform dargestellt mit einem Zoom-System als optisches Element 50. Dies hat den besonderen Vorteil, dass die Brechkraft des optischen Elements 50 variiert werden kann ohne das optisches Element 50 austauschen zu müssen. Das Zoom-System ist hier exemplarisch als Kombination einer plan-konkaven Linse 51b mit einer plankonvexen Linse 51a gezeigt. Die plan-konvexen Linse 51a ist mit einer Streuscheibe 51 integriert. Jede andere Kombination, auch mit mehr als zwei Linsen und Formen, ist möglich, die zu einer variablen Einstellung der Brechkraft führt.
  • Um das Beleuchtungssystem an verschiedene Settings anpassen zu können ist es von Vorteil, das optische Element 50 auswechselbar zu gestalten.
  • Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass das optische Element 50 in einem Wechselhalter zur Einzelaufnahme oder in einer Wechselhalterung zur Aufnahme mehrerer verschiedener optischer Elemente 50 angeordnet ist.
  • Ebenso ist es auch möglich, ein derartiges Element gezielt dazu einzusetzen, einen beliebigen vorgebbaren Telezentrieverlauf am Stabeintritt 5e einzustellen, um somit beispielsweise feldabhängige Pupillenelliptizitäten auf Grund anderer Ursachen gegen zu kompensieren.
  • Dabei können die verschiedenen oben beschriebenen Varianten und Ausführungsformen des optischen Elements 50 auch kombiniert werden, um so eine noch flexiblere Korrekturmöglichkeit zu erhalten.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 10138847 [0010]
    • - DE 102008041288 A1 [0011]
    • - EP 0312341 [0036]
    • - DE 4124311 A [0037]

Claims (13)

  1. Beleuchtungssystem mit einem von einer Lichtquelle (1) und weiteren optischen Elementen erzeugten Projektionslicht, insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage in der Mikrolithographie, mit einem Stabintegrator (5) zur Erzeugung einer homogenen Intensitätsverteilung des Projektionslichtes an der Austrittsfläche (5a) des Stabintegrators (5) und einem optischen Element (OE) (2, 4) im Lichtweg vor dem Stabintegrator zur Erzeugung einer Lichtverteilung auf der Eintrittsfläche des Stabintegrators, wobei der Stabintegrator (5) einen rechteckigen Querschnitt aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass in der Ebene unmittelbar vor der der Lichtquelle optisch zugewandten Eintrittsfläche (5e) des Stabintegrators (5) ein optisches Element (50) angeordnet ist, das eine Brechkraft aufweist.
  2. Beleuchtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) so geformt ist, dass ein Abweichung von der Telezentrie der am Stabeintritt (5e) einfallenden Lichtbündel teilweise oder ganz korrigiert wird.
  3. Beleuchtungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) so geformt ist, dass ein Fehler der feldabhängigen Pupillenelliptizität teilweise oder ganz korrigiert wird.
  4. Beleuchtungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) als eine Zylinderlinse ausgeformt ist.
  5. Beleuchtungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) eine sphärische oder asphärische gekrümmte Oberfläche aufweist.
  6. Beleuchtungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) in eine, die gesamte Stabeintrittsfläche (5e) überdeckende, Streuscheibe (51) integriert ist.
  7. Beleuchtungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) eine kontinuierlich veränderbare Brechkraft aufweist.
  8. Beleuchtungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) als Zoom-System zur Veränderung der Brechkraft ausgestaltet ist.
  9. Beleuchtungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) drehbar um die optische Achse angeordnet ist.
  10. Beleuchtungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) auswechselbar ist.
  11. Beleuchtungssystem nach dem einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) drehbar um eine Achse senkrecht zur optischen Achse angeordnet ist.
  12. Beleuchtungssystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (50) verschiebbar ist entlang einer Achse senkrecht zur optischen Achse.
  13. Mikrolithografische Projektionsanlage, dadurch gekennzeichnet, dass sie ein Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 12 aufweist.
DE102009029132A 2009-09-02 2009-09-02 Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Stabintegrator Withdrawn DE102009029132A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009029132A DE102009029132A1 (de) 2009-09-02 2009-09-02 Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Stabintegrator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009029132A DE102009029132A1 (de) 2009-09-02 2009-09-02 Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Stabintegrator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102009029132A1 true DE102009029132A1 (de) 2010-11-04

Family

ID=42813781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009029132A Withdrawn DE102009029132A1 (de) 2009-09-02 2009-09-02 Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Stabintegrator

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102009029132A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10948828B2 (en) * 2018-01-23 2021-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical element for projection lithography

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0312341A2 (de) 1987-10-13 1989-04-19 Theodore Robert Whitney Hoch auflösendes abbildendes System
DE4124311A1 (de) 1991-07-23 1993-01-28 Zeiss Carl Fa Anordnung zur kohaerenzreduktion und strahlformung eines laserstrahls
DE10065198A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-11 Zeiss Carl Lichtintegrator für eine Beleuchtungseinrichtung
DE10138847A1 (de) 2001-08-15 2003-02-27 Zeiss Carl Blende für eine Integratoreinheit
DE102008041288A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Stabintegrator und Graufilter

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0312341A2 (de) 1987-10-13 1989-04-19 Theodore Robert Whitney Hoch auflösendes abbildendes System
DE4124311A1 (de) 1991-07-23 1993-01-28 Zeiss Carl Fa Anordnung zur kohaerenzreduktion und strahlformung eines laserstrahls
DE10065198A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-11 Zeiss Carl Lichtintegrator für eine Beleuchtungseinrichtung
DE10138847A1 (de) 2001-08-15 2003-02-27 Zeiss Carl Blende für eine Integratoreinheit
DE102008041288A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Stabintegrator und Graufilter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10948828B2 (en) * 2018-01-23 2021-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical element for projection lithography

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2100190B1 (de) Projektionsbelichtungsanlage für die mikrolithographie
DE19520563A1 (de) Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
DE102006036064A1 (de) Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
DE10343333A1 (de) Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
WO2005083512A2 (de) Beleuchtungssystem für eine mikrolithographie-projektionsbelichtungsanlage
EP0687956A1 (de) Beleuchtungseinrichtung
DE102008001553A1 (de) Komponente zur Einstellung einer scanintegrierten Beleuchtungsenergie in einer Objektebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
DE60222786T2 (de) Zoomvorrichtung, insbesondere zoomvorrichtung für eine beleuchtungsvorrichtung einer mikrolithographie-projektionsvorrichtung
DE4421053A1 (de) Beleuchtungseinrichtung
EP1180726A2 (de) Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
EP1291720B1 (de) Zoom-System für eine Beleuchtungseinrichtung
DE102012208016A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE19809395A1 (de) Beleuchtungssystem und REMA-Objektiv mit Linsenverschiebung und Betriebsverfahren dafür
DE102005034991A1 (de) Strahlumformsystem für ein Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102007055443B4 (de) Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE10132988B4 (de) Projektionsbelichtungsanlage
WO2011006710A2 (de) Wabenkondensor, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
DE102017200934A1 (de) Verfahren zum Betrieb eines Manipulators einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102009029132A1 (de) Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Stabintegrator
WO2004099873A2 (de) Beleuchtungssystem für eine mikrolithographie-projektionsbelichtungsanlage
DE19856575A1 (de) Projektions-Mikrolithographiegerät
DE102009011207A1 (de) Verfahren und Beleuchtungssystem zum Beleuchten einer Maske in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102008041288A1 (de) Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Stabintegrator und Graufilter
DE102005026632A1 (de) Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
DE102009016456A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie

Legal Events

Date Code Title Description
OAV Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: CARL ZEISS SMT GMBH, 73447 OBERKOCHEN, DE

R120 Application withdrawn or ip right abandoned

Effective date: 20110609