DE102009009342B3 - Pyroelektrischer Detektor - Google Patents
Pyroelektrischer Detektor Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009009342B3 DE102009009342B3 DE200910009342 DE102009009342A DE102009009342B3 DE 102009009342 B3 DE102009009342 B3 DE 102009009342B3 DE 200910009342 DE200910009342 DE 200910009342 DE 102009009342 A DE102009009342 A DE 102009009342A DE 102009009342 B3 DE102009009342 B3 DE 102009009342B3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pyroelectric
- sensitive element
- electrically
- volume
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 title description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 title description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 21
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002305 electric material Substances 0.000 abstract 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000006100 radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0215—Compact construction
- G01J5/022—Monolithic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/024—Special manufacturing steps or sacrificial layers or layer structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen pyroelektrischen Detektor mit hoher Empfindlichkeit. Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen pyroelektrischen Detektor mit verbesserter Empfindlichkeit anzugeben. Hierzu wird eine interne thermische Verstärkung der Temperaturänderung im elektrisch-aktiven Volumen (5) des pyroelektrischen Chips (1) durch eine gezielte Strukturierung benachbarter, elektrisch-passiver Volumen (6) erzeugt. Die Auswirkungen der Strukturierung auf die Empfindlichkeit sind stark vo der Modulationsfrequenz des einfallenden Strahlungsflusses abhängig.
Description
- Die Erfindung betrifft einen pyroelektrischer Detektor mit hoher Empfindlichkeit nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Der genannte pyroelektrische Detektor wandelt einfallende Infrarotstrahlung in ein elektrisches Ausgangssignal um. Pyroelektrische Sensoren finden in der berührungslosen Temperaturmessung, in der Gasanalyse, in Spektrometern sowie Bewegungs- und Brandmeldern Verwendung.
- Ein pyroelektrischer Detektor ist aus einem empfindlichen Element und einem Vorverstärker aufgebaut. Das empfindliche Element besteht aus einem pyroelektrischen Chip, dessen Ober- und Unterseite mit Elektroden beschichtet sind. Durch ein Fenster oder ein Infrarotfilter trifft Wärmestrahlung auf das empfindliche Element. Der absorbierte Strahlungsfluss führt zu einer Temperaturänderung des empfindlichen Elements. Als Folge des pyroelektrischen Effekts ändert sich die spontane Polarisation des Pyroelektrikums. Die daraus resultierende Ladungstrennung wird mit Hilfe des Vorverstärkers in eine auswertbare Signalspannung gewandelt. Pyroelektrische Sensoren können nur zeitlich modulierte Strahlungsflüsse detektieren.
- Für den Entwurf von Sensoren mit einer hohen Empfindlichkeit muss die absorbierte Strahlung eine möglichst große Temperaturänderung des empfindlichen Elements bewirken. Durch konstruktive Maßnahmen, zum Beispiel Ätzen eines Isolationsgrabens um das empfindliche Element, kann der Wärmeleitwert zum umgebenden Chipmaterial und somit der Wärmeverlust an die Umgebung verringert werden. Das Aufbringen einer Absorptionsschicht verbessert den Absorptionsgrad des empfindlichen Elementes und folglich die Empfindlichkeit. Durch die Reduktion der Dicke des empfindlichen Elements kann die Wärmekapazität gesenkt und somit die Temperaturänderung als Folge des absorbierten Strahlungsflusses vergrößert werden. Da eine Verringerung der Chipdicke jedoch gleichzeitig eine Zunahme der elektrischen Kapazität des empfindlichen Elements zur Folge hat, bleibt im Spannungsbetrieb insbesondere für die technisch interessanten Strahlungsmodulationsfrequenzen von mehr als 10 Hz die Empfindlichkeit unverändert.
- Bisherige Optimierungsansätze zur Erhöhung der Empfindlichkeit zielten in Abhängigkeit von der Modulationsfrequenz des Sensors hauptsächlich auf die Entwicklung spezieller pyroe lektrischer Materialien, auf Maßnahmen zur thermischen Isolation des empfindlichen Elementes sowie die Nutzung spezieller Absorptionsschichten ab.
- So ist aus der
US 3 816 750 A ist ein pyroelektrischer Sensor auf der Basis von heißgepresstem PLZT bekannt. Die Druckschrift beschreibt günstige Zusammensetzungen und Strukturen der Keramik für pyroelektrische Anwendungen, deren Eigenschaften und ihre Auswirkungen auf die zu erwartende Empfindlichkeit und spezifische Detektivität von Sensoren. Die Ausführungsbeispiele beziehen sich auf die Herstellung von Einelementsensoren und pyroelektrischen Arrays. Dabei wird unter einem Array eine ein- oder zweidimensionale Anordnung vieler empfindlicher Elemente auf oder in einem Substrat verstanden, die einzeln ausgelesen werden können. Der pyroelektrische Sensor auf Basis von heißgepresstem PLZT löst nicht die Aufgabe entsprechend der vorliegenden Erfindung. - In der
US 3 453 432 A ist ein pyroelektrischer Strahlungssensor mit Kompensation von Umgebungstemperaturänderungen beschrieben. Der Sensor besteht aus einem aktiven pyroelektrischen Element und einem oder mehreren Kompensationselementen. Die Elemente sind durch einen Schnitt mechanisch getrennt und nebeneinander auf einer Isolationsschicht montiert, die sich auf einer Wärmesenke befindet. Die Elemente besitzen beidseitig Elektroden. Das aktive pyroelektrische Element besitzt auf der oberen Elektrode einen Strahlungsabsorber, während das Kompensationselement eine hochreflektierende Metallschicht besitzt. Bei einer Parallelschaltung der entgegengesetzt polarisierten Elemente können Umgebungstemperaturänderungen, die auf beide Elemente einwirken, kompensiert werden. Gleichzeitig können Strahlungsflüsse auf dem aktiven Element detektiert werden. Die Verschaltung der Elemente führt jedoch zu einer Reduzierung der Empfindlichkeit um den Faktor 2. - Ferner ist aus der
DE 196 18 936 A1 eine ferroelektrische Bauelement-Anordnung und ein Verfahren zur Herstellung bekannt. Aufgabe der Erfindung ist es, eine integrierte Anordnung ferroelektrischer Bauelemente anzugeben, deren Bauelemente elektrisch gut und sicher voneinander isoliert sind, deren Anschlussleitungen keine zusätzlichen Kapazitäten bilden und deren Herstellungsverfahren auch bei hoher Packungsdichte vereinfacht ist. Die vorhandenen Gräben dienen zur thermischen Isolierung der Detektorelemente bzw. der aktiven Bereiche. Es handelt sich hierbei nicht um einen Einelementsensor sondern um ein Array von Bauelementen - Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen pyroelektrischen Detektor anzugeben, der mittels einer bereits bestehenden Technologie herstellbar ist und der durch Nutzung des empfindlichen Elements, ohne spezielle pyroelektrische Materialien und die Nutzung spezieller Absorptionsschichten, eine wesentlich verbesserte Empfindlichkeit aufweist.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen pyroelektrischen Detektor mit den in Anspruch 1 genannten Merkmalen gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
- Der erfindungsgemäße Detektor besitzt einen pyroelektrischen Chip aus LiTaO3, welches über einen elastischen Kleber an den Ecken mit dem Chipträger verbunden ist. Das empfindliche Element ist durch einen Graben vom umgebenden Chipmaterial thermisch isoliert und nur über eine Zungenstruktur mit selbigem verbunden. Die Kontaktierung der Frontelektrode erfolgt außerhalb des empfindlichen Elements über Drahtbondung. Die Kontaktierung der Rückelektrode wird ebenfalls außerhalb des empfindlichen Elements mittels Leitklebers realisiert. Der Graben um das empfindliche Element sowie die Kontaktierung außerhalb dessen ermöglichen eine sehr gute thermische Isolierung des empfindlichen Elements und eine hohe sowie homogene Empfindlichkeit über die empfindliche Fläche.
- Durch eine gezielte 3-dimensionale Strukturierung des empfindlichen Elements wurde es möglich, eine thermische Verstärkung im empfindlichen Element zu erreichen, und damit die Empfindlichkeit wesentlich zu vergrößern. Sensoren mit hohen Signal-Rausch-Abständen können somit realisiert werden.
- Die 3-dimensionale Strukturierung ergibt sich aus der Übertragung eines Gittermusters mittels Ionenstrahlätzens in das empfindliche Element. Die obere Elektrode wird gleichzeitig mit dem Ätzprozess lateral strukturiert und weist folglich eine Lochstruktur auf. Auf Grund der Existenz der Ätzgruben ergeben sich lokal Gebiete geringerer Chipdicke. Da diese Bereiche keine obere Elektrode aufweisen, werden sie als elektrisch-passive Volumen bezeichnet, während die mit oberer Elektrode beschichteten Gebiete mit der Ausgangschipdicke als elektrisch-aktive Volumen bezeichnet werden. Innerhalb einer Chopperperiode führt die lokale Reduktion der Chipdicke bei gleichmäßiger Bestrahlung des Chips zu einer schnelleren und größeren Erwärmung der elektrisch-passiven Volumen. Der entstehende Temperaturgradient zwischen den elektrisch-aktiven und elektrisch-passiven Volumen hat einen lateralen Wärmestrom von den elektrisch-passiven in die elektrisch-aktiven Volumen des empfindlichen Elements zur Folge. In Abhängigkeit vom Verhältnis der Wärmekapazitäten der elektrisch-passiven und elektrisch-aktiven Volumen und den Absorptionseigenschaften auf der Bestrahlungsseite ist in den Bereichen der elektrisch-aktiven Volumen ein größerer Temperaturanstieg gegenüber herkömmlichen, nicht strukturierten Elementen zu verzeichnen. Bei einer geeigneten Wahl der Ätzstrukturgrößen vergrößert der Einfluss dieser thermischen Verstärkung die Empfindlichkeit. Das Sensorausgangssignal und somit die Sensitivität wird gegenüber unstrukturierten pyroelektrischen Infrarotsensoren signifikant verbessert.
- Der Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht in der einfachen Integrierbarkeit in die bisherige Herstellungstechnologie pyroelektrischer Infrarotsensoren.
- Nachfolgend wird die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung der Draufsicht des pyroelektrischen Detektors, -
2 einen Ausschnitt des empfindlichen Elements in der Draufsicht, -
3 den in2 angedeuteten Schnitt durch das empfindliche Element, -
4 eine Darstellung der Ergebnisse der Empfindlichkeitssimulation für verschiedene Strukturierungsparameter, -
5 Frequenzgang des Empfindlichkeitsgewinns ΔSV eines pyroelektrischen Infrarotsensors mit neuartiger Strukturierung (a = 15 μm; s = 39 μm) gegenüber einem Sensor mit unstrukturiertem empfindlichen Element. - In
1 ist der pyroelektrische Detektor in der Draufsicht schematisch dargestellt. Die X- und Y-Achse liegen in der Ebene des pyroelektrischen Chips1 und die Z-Achse steht senkrecht auf diesem. Der pyroelektrische Chip1 besteht aus pyroelektrischem Material (z. B. LiTaO3). Der pyroelektrische Chip1 hat eine typische Dicke von 20 μm und laterale Abmessungen von 3 × 3 mm2. Das empfindliche Element2 sei durch einen mittels Ionenstrahlätzens erzeugten Isolationsgraben3 weitestgehend thermisch vom pyroelektrischen Chip1 isoliert. Die typischen lateralen Abmessungen des empfindlichen Elements2 betragen 1 × 1 mm2. - In
2 ist ein Ausschnitt der Draufsicht des empfindlichen Elements2 abgebildet. Die mittels Ionenstrahlätzens erzeugten Ätzgruben4 weisen die Kantenlänge s sowie den Abstand a voneinander auf. - In
3 ist der in2 angedeutete Schnitt durch das empfindliche Element dargestellt. Das Volumen unterhalb der Ätzgruben4 wird als elektrisch-passives Volumen6 bezeichnet. Die typische Dicke dp dieses Bereichs beträgt circa 2 μm. Das elektrisch-aktive Volumen5 weist eine Dicke da von etwa 5 μm auf. Die obere Elektrode7 bedeckt nur das elektrisch-aktive Volumen und besitzt somit eine Lochstruktur. Die untere Elektrode8 bedeckt die Rückseite des empfindlichen Elements2 vollständig. -
4 können die Ergebnisse einer Empfindlichkeitssimulation für das Pyroelektrikum Lithiumtantalat entnommen werden. Für verschiedene Strukturparameter (a = Ätzgrubenabstand, s = Kantenlänge der Ätzgruben) ist die zu erwartende Sensorempfindlichkeit bei einer Strahlungsmodulationsfrequenz von 10 Hz dargestellt. Für experimentelle Untersuchungen wurden die Strukturparameter zu
a = 15 μm und
s = 39 μm
gewählt. - In
5 ist der gemessene Frequenzgang der Empfindlichkeitsverbesserung eines Sensors mit der neuartigen Strukturierung des empfindlichen Elements (a = 15 μm; s = 39 μm) gegenüber einem unstrukturierten Sensor mit homogener Dicke des empfindlichen Elements abgebildet. Eine Erhöhung der Empfindlichkeit von bis zu 55% für Frequenzen zwischen 1 Hz und 100 Hz ist deutlich zu erkennen. -
- 1
- Pyroelektrischer Chip
- 2
- Empfindliches Element
- 3
- Isolationsgraben
- 4
- Ätzgrube
- 5
- Elektrisch-aktives Volumen
- 6
- Elektrisch-passives Volumen
- 7
- Obere Elektrode
- 8
- Untere Elektrode
- da
- Dicke des elektrisch-aktiven Volumens
- dP
- Dicke des elektrisch-passiven Volumens
Claims (4)
- Pyroelektrischer Detektor mit hoher Empfindlichkeit, bestehend aus einem pyroelektrischen Chip (
1 ) und einer ersten rauscharmen Signalverarbeitungseinheit, die in einem Sensorgehäuse mit einem infrarotdurchlässigen Fenster untergebracht sind, wobei der pyroelektrische Chip (1 ) aus einem Pyroelektrikum besteht, das eine obere Elektrode (7 ) und auf der gegenüberliegenden Seite eine untere Elektrode (8 ) besitzt und die Überlappungsfläche beider Elektroden (7 ), (8 ) ein strahlungsempfindliches Element (2 ) bilden, das kleiner als der pyroelektrische Chip (1 ) ist, dadurch gekennzeichnet, dass das empfindliche Element (2 ) zu dessen thermischer Verstärkung 3-dimensional strukturiert ist, wodurch das empfindliche Element (2 ) von der oberen Elektrode (7 ) unbedeckte Flächen mit geringerer Dicke des Pyroelektrikums aufweist, und die Flächen mit geringerer Dicke des Pyroelektrikums elektrisch-passive Volumen (6 ) zu den angrenzenden elektrisch-aktiven Volumen (5 ) im Pyroelektrikum des empfindlichen Elements (2 ) bilden, wobei der Flächenanteil des elektrisch-aktiven Volumens (5 ) an der Fläche des empfindlichen Elements mindestens um die Hälfte geringer ist als der Flächenanteil des elektrisch-passiven Volumens (6 ). - Pyroelektrischer Detektor mit hoher Empfindlichkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke da des elektrisch-aktiven Volumens (
5 ) kleiner als 25 μm ist und die Dicke dP des elektrisch-passiven Volumens (6 ) kleiner als die Hälfte der Dicke da ist. - Pyroelektrischer Detektor mit hoher Empfindlichkeit nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des elektrisch-passiven Volumens (
6 ) mit einer gut absorbierenden Schicht bedeckt ist. - Pyroelektrischer Detektor mit hoher Empfindlichkeit nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die 3-dimensionale Strukturierung des empfindlichen Elements (
2 ) durch Ionenätzen erfolgt ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200910009342 DE102009009342B3 (de) | 2009-02-06 | 2009-02-06 | Pyroelektrischer Detektor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200910009342 DE102009009342B3 (de) | 2009-02-06 | 2009-02-06 | Pyroelektrischer Detektor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102009009342B3 true DE102009009342B3 (de) | 2010-10-07 |
Family
ID=42675244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200910009342 Expired - Fee Related DE102009009342B3 (de) | 2009-02-06 | 2009-02-06 | Pyroelektrischer Detektor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102009009342B3 (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3453432A (en) * | 1966-06-23 | 1969-07-01 | Barnes Eng Co | Pyroelectric radiation detector providing compensation for environmental temperature changes |
US3816750A (en) * | 1971-06-04 | 1974-06-11 | Honeywell Inc | Pyroelectric detector |
DE19618936A1 (de) * | 1996-05-10 | 1997-11-13 | Siemens Ag | Ferroelektrische Bauelement-Anordnung und Verfahren zur Herstellung |
-
2009
- 2009-02-06 DE DE200910009342 patent/DE102009009342B3/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3453432A (en) * | 1966-06-23 | 1969-07-01 | Barnes Eng Co | Pyroelectric radiation detector providing compensation for environmental temperature changes |
US3816750A (en) * | 1971-06-04 | 1974-06-11 | Honeywell Inc | Pyroelectric detector |
DE19618936A1 (de) * | 1996-05-10 | 1997-11-13 | Siemens Ag | Ferroelektrische Bauelement-Anordnung und Verfahren zur Herstellung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60001462T2 (de) | Bolometer mit mikrobrückenstruktur | |
DE68923589T2 (de) | Infrarot-Detektor. | |
DE69419775T2 (de) | Bildsensormatrix für infrarote strahlung mit kompositsensoren die jedes pixel formen | |
DE19739477B4 (de) | Pyroelektrische Infrarotsensorvorrichtung | |
DE112013004275T5 (de) | Gewundener IR-Sensor | |
DE69513221T2 (de) | Wärmedetektor und Herstellungsverfahren | |
WO2017220381A1 (de) | Thermopile infrarot einzelsensor für temperaturmessungen oder zur gasdetektion | |
DE102018120061A1 (de) | Ein Detektormodul für einen photoakustischen Gassensor | |
DE3724966A1 (de) | Sensor | |
DE4102524A1 (de) | Infrarotsensor | |
DE3642780A1 (de) | Detektormatte und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE3202819C2 (de) | Infrarotdetektor und Verfahren zum Herstellen | |
DE2916744A1 (de) | Detektor fuer infrarotstrahlung und verfahren zu dessen herstellung | |
EP3140245B1 (de) | Sensorbauelement mit zwei sensorfunktionen | |
DE60007804T2 (de) | Bolometrischer Detektor mit elektrischer Zwischenisolation und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3043341A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feuchtedetektoren | |
DE2942242C2 (de) | ||
DE102007024902B4 (de) | Vorrichtung mit Membranstuktur zur Detektion von Wärmestrahlung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung | |
DE69216862T2 (de) | Verwendung von vanadium oxyd in mikrobolometer sensoren | |
DE102007024903B4 (de) | Vorrichtung mit Sandwichstruktur zur Detektion von Wärmestrahlung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung | |
DE102009009342B3 (de) | Pyroelektrischer Detektor | |
DE69932897T2 (de) | Infrarot-detektorelement, infrarot-sensoreinheit und infrarotdetektor mit diesem infrarot-detektorelement | |
DE102017221076B4 (de) | Infrarotstrahlungssensoren | |
DE102017012296B4 (de) | lnfrarotstrahlungssensoren | |
EP2223343B1 (de) | Vorrichtung mit einer abgeschirmten sandwichstruktur zur detektion von wärmestrahlung und verwendung der vorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |