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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung
zur Messung des relativen lokalen Lagefehlers eines der Abschnitte
eines abschnittsweise belichteten Objektes, insbesondere einer Lithographiemaske
oder eines Wafers.
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Solche
Objekte werden durch eine Schreiber abschnittweise belichtet, wobei
der Schreiber beispielsweise ein Elektronenstrahl- oder Laserstrahl-Schreiber
sein kann. Der Schreiber weist ein Schreibfeld mit beispielsweise
einer Größe von 10 × 10 μm, in dem
er hochgenau mit dem Elektronenstrahl bzw. Laserstrahl die gewünschten
Strukturen belichtet. Um größere Bereiche
zu belichten, wird das Objekt nach dem Belichten des im Schreibfeld
liegenden Abschnittes so verschoben, daß der nun zu belichtende Abschnitt
direkt an den bereits belichteten Abschnitt angrenzt. Die Verschiebung
des Objektes kann jedoch fehlerhaft sein, so daß der zu belichtende Abschnitt
relativ zum bereits belichteten Abschnitt versetzt ist. Dieser Versatz
wird häufig
Stitchingfehler oder auch relativer lokaler Lagefehler genannt.
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Diese
lokalen Lagefehler sind sehr klein (typischerweise im Bereich von
einigen nm) und lassen sich ohne Intrafeld-Verzeichnungskalibrierung
von existierenden Registrationsmeßgeräten kaum ermitteln. Eine solche
Verzeichnungskalibrierung ist jedoch sehr aufwendig und führt zu hohen
Gerätekosten.
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Aufgabe
der Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur
Messung des relativen lokalen Lagefehlers eines der Abschnitte eines
abschnittsweise belichteten Objektes, insbesondere einer Lithographiemaske
oder eines Halbleiterwafers, zur Verfügung zu stellen, mit denen
die Messung vergleichsweise einfach und kostengünstig durchgeführt werden
können.
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Erfindungsgemäß wird die
Aufgabe gelöst
durch ein Verfahren zur Messung des relativen lokalen Lagefehlers
eines der Abschnitte eines abschnittsweise belichteten Objektes,
insbesondere einer Lithographiemaske oder eines Wafers, wobei jeder
belichtete Abschnitt mehrere Meßmarken
aufweist, bei dem
- a) ein Bereich des Objektes,
der größer ist
als der eine Abschnitt, vergrößert abgebildet
und als Bild detektiert wird,
- b) anhand des detektierten Bildes Lagefehler der im detektierten
Bild enthaltenen Meßmarken
ermittelt werden,
- c) korrigierte Lagefehler abgeleitet werden, indem von den ermittelten
Lagefehlern der Meßmarken
Lagefehleranteile, die durch die vergrößerte Abbildung und Detektion
bedingt sind, extrahiert werden,
- d) anhand der korrigierten Lagefehler der Meßmarken der relative lokale
Lagefehler des einen Abschnitts abgeleitet wird.
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Mit
diesem Meßverfahren
ist es möglich,
mit nur einer Aufnahme den relativen lokalen Lagefehler des einen
Abschnittes abzuleiten. Insbesondere ist daher keine hochgenaue
Positionierung des Objektes für
die Aufnahme notwendig. Auch können
die durch die Aufnahme bedingten Fehler gut extrahiert werden, so
daß der
relative lokale Lagefehler sehr genau bestimmt werden kann, ohne
z. B. aufwendige Kalibrierungen für die vergrößerte Abbildung durchführen zu
müssen.
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Insbesondere
kann im Schritt c) zur Ableitung des korrigierten Lagefehlers eine
Hochpaß-Filterung durchgeführt werden.
Damit können
sehr gut die durch die vergrößerte Abbildung
und detektionsbedingten Lagefehleranteile von dem ermittelten Lagefehler
extrahiert werden. Dabei wird ausgenutzt, daß sich die Lagefehler der Meßmarken
an den Abschnittsgrenzen sprunghaft ändern, wohingegen die durch
die vergrößerte Abbildung
und detektionsbedingten Lagefehleranteile sich deutlich langsamer ändern.
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Insbesondere
können
im Schritt d) anhand der korrigierten Lagefehler der Meßmarken
die Meßmarken bestimmt
werden, die in einem Abschnitt liegen, und die korrigierten Lagefehler
der so bestimmten Meßmarken können zur
Ableitung des relativen lokalen Lagefehlers des einen Abschnitts
verwendet werden. Dazu kann insbesondere eine Mittelwertbildung
eingesetzt werden.
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Mit
diesen Schritten ist eine sehr genaue Bestimmung des relativen lokalen
Lagefehlers möglich.
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Ferner
kann im Schritt c) eine Funktion, die sich langsamer ändert als
die zu erwartende Änderung
der ermittelten Lagefehler der Meßmarken an den Abschnittsgrenzen,
an die ermittelten Lagefehler angefittet werden und dann bei jedem
ermittelten Lagefehler der Funktionswert der angefitteten Funktion
für die
entsprechende Meßmarke
abgezogen werden, um den korrigierten Lagefehler zu erhalten. Diese
Schritte lassen sich leicht implementieren und führen zu einer hochgenauen Bestimmung
des relativen lokalen Lagefehlers.
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Im
Schritt a) kann ein Bereich des Objektes, der mehrere Abschnitte
vollständig
enthält,
vergrößert abgebildet
und als Bild detektiert werden und kann im Schritt d) für jeden
der mehreren Abschnitte der relative lokale Lagefehler abgeleitet
werden.
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Damit
ist es möglich,
mit nur einer Aufnahme für
mehrere Abschnitte den relativen lokalen Lagefehler mit hoher Genauigkeit
zu bestimmen.
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Bei
den Meßmarken
kann es sich um übliche
Meßmarken
bei der Registration handeln, wie z. B. Kreuze, Winkeln, Rechteck
in Rechteck, Kontaktlöcher,
... Es können
auch Gitterstrukturen oder jede andere Art von Strukturen, deren
Positionen auf dem Objekt bekannt sind, als Meßmarken eingesetzt werden.
Bevorzugt sind pro Abschnitt mindestens drei bis fünf Meßmarken
in jeder Richtung (x- und y-Richtung) vorhanden.
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Es
wird ferner eine Vorrichtung zur Messung des relativen lokalen Lagefehlers
eines der Abschnitte eines abschnittsweise belichteten Objektes,
insbesondere einer Lithographiemaske oder eines Wafers, wobei jeder
belichtete Abschnitt mehrere Meßmarken
aufweist, bereitgestellt, die ein Aufnahmemodul, das einen Bereich
des Objektes, der größer ist
als der eine Abschnitt, vergrößert abbildet
und als Bild detektiert, und ein Auswertemodul aufweist, das
- A) anhand des detektierten Bildes Lagefehler
der im detektierten Bild enthaltenen Meßmarken ermittelt,
- B) korrigierte Lagefehler ableitet, indem von den ermittelten
Lagefehlern der Meßmarken
Lagefehleranteile, die durch die vergrößerte Abbildung und Detektion
bedingt sind, extrahiert werden, und
- C) anhand der korrigierten Lagefehler der Meßmarken den relativen lokalen
Lagefehler des einen Abschnitts ableitet.
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Mit
dieser Vorrichtung kann der relative lokale Lagefehler mit großer Genauigkeit
bestimmt werden.
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Insbesondere
kann das Auswertemodul im Schritt B) zur Ableitung der korrigierten
Lagefehler eine Hochpaß-Filterung
durchführen.
Dies läßt sich
leicht implementieren und führt
zu sehr genauen Ergebnissen.
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Das
Auswertemodul der Vorrichtung kann ferner im Schritt C) anhand der
korrigierten Lagefehler der Meßmarken
die Meßmarken
bestimmen, die in einem Abschnitt liegen, und die korrigierten Lagefehler
der so bestimmten Meßmarken
zur Ableitung des relativen lokalen Lagefehlers des einen Abschnitts
verwenden. Insbesondere kann dazu eine Mittelwertbildung durchgeführt werden.
Dies führt
zu einer äußerst genauen
Bestimmung des relativen lokalen Lagefehlers.
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Bei
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
kann das Auswertemodul im Schritt B) eine Funktion, die sich langsamer ändert als
die zu erwartende Änderung
der ermittelten Lagefehler der Meßmarken an den Abschnittsgrenzen,
an die ermittelten Lagefehler anfitten und dann bei jedem ermittelten
Lagefehler den Funktionswert der angefitteten Funktion für die entsprechende
Meßmarke
abziehen, um den korrigierten Lagefehler zu erhalten. Damit wird
eine hochgenaue Bestimmung des relativen lokalen Lagefehlers ermöglicht.
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Das
Aufnahmemodul der erfindungsgemäßen Vorrichtung
kann einen Bereich des Objektes, der mehrere Abschnitte vollständig enthält, vergrößert abbilden
und als Bild detektieren und das Auswertemodul kann im Schritt C)
für jeden
der mehreren Abschnitte den relativen lokalen Lagefehler ableiten.
Damit ist es möglich, mit
nur einer Aufnahme mehrere lokale Lagefehler mehrerer Abschnitte
gleichzeitig mit hoher Genauigkeit zu bestimmen.
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Natürlich ist
es bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
und der erfindungsgemäßen Vorrichtung
möglich,
mehrere Aufnahmen des selben Bereiches durchzuführen und für jede der Aufnahmen den bzw.
die relativen lokalen Lagefehler zu bestimmen und anhand der so
bestimmten lokalen Lagefehler (beispielsweise über eine Mittelwertbildung)
den bzw. die relativen lokalen Lagefehler mit höherer Genauigkeit zu erhalten.
Auch ist es möglich,
daß mehrere
unterschiedliche Bereiche aufgenommen und in der erfindungsgemäßen Art
und Weise ausgewertet werden, um den bzw. die relativen lokalen
Lagefehler in den unterschiedlichen Bereichen zu bestimmen.
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Der
bzw. die bestimmten lokalen Lagefehler können z. B. verwendet werden,
um den benutzten Schreiber hinsichtlich der Genauigkeit bei der
Positionierung des Objekts zu verbessern, um die relativen lokalen
Lagefehler der Abschnitte bei zu belichtenden Objekten zu minimieren.
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Es
versteht sich, daß die
vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden
Merkmale nicht nur in den angegebenen Kombinationen, sondern auch
in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung einsetzbar sind,
ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
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Nachfolgend
wird die Erfindung beispielsweise anhand der beigefügten Zeichnungen,
die auch erfindungswesentliche Merkmale offenbaren, noch näher erläutert. Es
zeigen:
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1 eine
schematische Ansicht der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Messung
des relativen lokalen Lagefehlers;
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2 eine
schematische Draufsicht auf das Objekt 2;
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3 eine
weitere schematische Draufsicht auf das Objekt 2 zur Erläuterung
des relativen lokalen Lagefehlers;
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4 eine
Darstellung einer Meßmarke 13;
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5 die
Darstellung eines Vektorfeldes der gemessenen Lagefehler der detektierten
Meßmarken 13;
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6 die
Darstellung eines Vektorfeldes der korrigierten Lagefehler der Meßmarken 13;
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7 eine
schematische Draufsicht auf ein weiteres Objekt 2, und
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8 eine
weitere schematische Draufsicht auf das Objekt 2 von 7 zur
Erläuterung
des Stitchingfehlers.
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Bei
der in 1 gezeigten Ausführungsform umfaßt die Vorrichtung 1 zur
Messung des lokalen Lagefehlers eines der Abschnitte eines abschnittsweise
belichteten Objektes 3, das hier eine Lithographiemaske ist,
ein Beleuchtungsmodul 3, ein Detektionsmodul 4,
einen Objekttisch 5, sowie eine Steuereinheit 6.
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Das
Beleuchtungsmodul 3 umfaßt eine Beleuchtungsquelle 7,
die inkohärente
oder partielle kohärente Beleuchtungsstrahlung
mit einer Wellenlänge
von 193 nm abgibt, einen teiltransparenten Umlenkspiegel 8 sowie
ein Objektiv 9, wobei die Beleuchtungsstrahlung über den
Umlenkspiegel 8 und das Objektiv 9 auf einen abzubildenden
Bereich des Objektes 2 gerichtet wird.
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Das
Detektionsmodul 4 umfaßt
das Objektiv 9, den Umlenkspiegel 8, eine Tubusoptik 10 sowie
eine CCD-Kamera 11, wobei das Objektiv 9 zusammen
mit der Tubusoptik 10 eine vergrößernde Abbildungsoptik 12 bilden,
mit der der beleuchtete Bereich des Objektes 2 vergrößert abgebildet
und mittels der CCD-Kamera 11 als Bild aufgenommen wird.
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Wie
in der schematischen Draufsicht in 2 angedeutet
ist, wurde die Lithographiemaske 2 abschnittsweise belichtet,
wobei die einzelnen Abschnitte idealerweise jeweils direkt aneinander
angrenzen. In 2 sind schematisch neun gleich
große
Abschnitte A11, A12, ... A33 dargestellt. Jeder dieser Abschnitt
A11 ... A33 wird nacheinander in einen Maskenschreiber mittels z.
B. einem Elektronenstrahl oder einem Laserstrahl belichtet und nach
der Belichtung eines einzelnen Abschnitts wird die Lithographiemaske
in dem Maskenschreiber entsprechend verfahren, um den nächsten Abschnitt
belichten zu können.
Nachdem dieses Verfahren nicht absolut fehlerfrei möglich ist,
sind die einzelnen Abschnitte A11 ... A33 bei der belichteten Lithographiemaske 2 zueinander
versetzt und weisen somit jeweils einen relativen lokalen Lagefehler
auf, wie schematisch in 3 dargestellt ist. In 3 ist
der relative lokale Lagefehler der einzelnen Abschnitte A11–A33 nicht
maßstabsgerecht
gezeichnet, sondern deutlich übertrieben
dargestellt. So liegt der relative lokale Lagefehler der Größenordnung
von einigen nm, was bei einer Kantenlänge von 12 μm der einzelnen Abschnitte A11–A33 bei
maßstabsgerechter
Darstellung nicht erkennbar wäre.
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Um
den relativen lokalen Lagefehler eines der Abschnitte A11–A33 zu
bestimmen, nimmt die Vorrichtung 1 einen Bereich B der
Lithographiemaske auf, der größer ist
als die Größe der einzelnen
Abschnitte A11–A33.
Die Größe des Bereiches
B ist insbesondere so gewählt,
daß zumindest
einer der Abschnitte vollständig
innerhalb des Bereiches B liegt. Der Bereich B ist in 2 und 3 jeweils
mit einer Strichlinie eingezeichnet.
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In
jedem der Abschnitte A11–A33
sind neben den benötigten
Strukturen für
die Maske 2 noch jeweils mehrere Meßmarken 13 mit belichtet
worden. Zur Vereinfachung der Darstellung sind die Strukturen und
Meßmarken 13 in 2 und 3 nicht
eingezeichnet. In 4 ist jedoch eine Meßmarke 13 stark
vergrößert gezeigt.
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In
dem hier beschriebenen Beispiel beträgt die Größe des quadratischen Bereiches
B 20 μm × 20 μm, so daß in diesem
Bereich 12 × 12
Meßmarken 13,
die in einem regelmäßigen Gitter
angeordnet sind, mittels der Abbildungsoptik 12 abgebildet
und der CCD-Kamera 11 aufgenommen werden.
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Die
Meßmarken 13 können in
Form eines regelmäßigen Gitters
angeordnet sein, wobei ein Abstand zwischen zwei benachbarten Meßmarken 13 in
x- und y-Richtung bis hinunter zur Auflösungsgrenze der Abbildungsoptik 12 möglich ist.
Der Abstand ist somit bevorzugt größer oder gleich zu λ/(2·NA), wobei λ die Wellenlänge der
detektierten Strahlung und NA die numerische Apertur der Abbildungsoptik 12 ist.
Bei dem hier beschriebenen Ausführungsbeispiel
beträgt
der Abstand 300 nm.
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Das
aufgenommene Bild bzw. die entsprechenden Bilddaten werden von der
CCD-Kamera 11 zur Steuereinheit 6 weitergeleitet,
die die Bilddaten wie folgt auswertet.
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Zunächst bestimmt
die Steuereinheit 6 für
jede der Meßmarken 13 die
jeweilige Ist-Position und leitet daraus die laterale Abweichung
(Lagefehler der detektierten Meßmarke)
relativ zu einem frei wählbaren
Bezugspunkt ab, der z. B. im aufgenommenen Bild liegt. In 4 sind
die Lagefehler aller detektierten Meßmarken 13 als Vektorfeld
dargestellt, wobei die maximale Abweichung 85,9 nm beträgt. In der
Darstellung von 5 sind zur Verdeutlichung Gitterlinien
eingezeichnet, an deren Schnittpunkten jeweils die jeweilige Ist-Position
(relativ zum gewählten
Bezugspunkt) der entsprechenden Meßmarke 13 liegt. Wie
der Darstellung in 5 entnommen werden kann, kann
den lokalen Lagefehlern der Meßmarken
keinerlei Stitchingfehler bzw. relativer lokaler Lagefehler der
einzelnen Abschnitte A11 ... A33 entnommen werden. Dies ist hauptsächlich darin
begründet,
daß aufgrund
der Abbildungsfehler der Abbildungsoptik 12 sowie der Detektion
mittels der CCD-Kamera 11 der weitaus überwiegende Anteil der detektierten
Lagefehler durch diese Fehler bei der Abbildung resultieren und
nicht Bestandteil des zu messenden lokalen Lagefehlers sind.
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Um
diesen durch die Abbildungsoptik 12 und die CCD-Kamera 11 bedingten
Anteil der gemessenen Lagefehler möglichst stark zu reduzieren,
führt die
Steuereinheit 6 eine Hochpaß-Filterung des Vektorfeldes durch, da
die durch die Abbildungsoptik 12 und die CCD-Kamera 11 bedingten
Lagefehleranteile im aufgenommen Bild langsamer variieren als die
Lagefehler der Meßmarken 13 an
den Abschnittsgrenzen aufgrund der relativen lokalen Lagefehler
der einzelnen Abschnitte A11–A33,
die bei der abschnittsweisen Belichtung erzeugt wurden. Unter der
Annahme, daß der
Maskenschreiber bis auf die Positionierung für die Belichtung der einzelnen
Abschnitte optimal arbeitet, dürften
lediglich sprunghafte Änderungen
an den Abschnittsgrenzen auftreten.
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Das
derart hochpaßgefilterte
Vektorfeld ist in 6 dargestellt, wobei hier die
maximale Vektorlänge 5,1
nm beträgt
und somit ca. um eine Größenordnung
geringer ist als im Vergleich zur maximalen Vektorlänge in 5.
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Man
kann 6 deutlich die einzelnen Abschnitte an sich und
deren Lagefehler entnehmen, da stets an den Abschnittsgrenzen sprunghafte Änderungen
der Vektoren vorhanden sind. Je kleiner der Abstand zwischen den
Meßmarken 13 ist,
desto besser sind die Sprünge
an den Abschnittsgrenzen sichtbar. In 6 ist mit
einer gepunkteten Linie die Position des Abschnittes A22 eingezeichnet,
die aufgrund des relativen lokalen Lagefehlers vorliegt. Der dargestellte
Versatz des Abschnittes A22 ist nicht maßstabsgetreu, sondern deutlich zu
groß dargestellt,
um den relativen lokalen Lagefehler des Abschnittes A22 in 6 darstellen
zu können. Der
relative lokale Lagefehler kann beispielsweise dadurch berechnet
werden, daß ein
Mittelwert über
alle hochpaßgefilterten
Lagefehler der Meßmarken
innerhalb eines Abschnitts durchgeführt wird.
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Die
oben beschriebenen Schritte müssen
natürlich
nicht in der Steuereinheit 6 durchgeführt werden, sondern können auch
zum Teil oder vollständig
in einer externen Recheneinheit (in den Figuren nicht gezeigt) durchgeführt werden.
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Die
beschriebene Hochpaß-Filterung
kann z. B. dadurch realisiert werden, daß eine langsam veränderliche
Vektor-Funktion f →(x, y; a
1, a
2,
a
3, ...) aufgestellt wird und dann die Koeffizienten
{a
1, a
2, a
3, ...} dadurch bestimmt werden, daß die Vektor-Funktion
für alle
Meßpunkt-Koordinaten (x
k, y
k) mit k = 1
... K (hier K = 144) möglichst
optimal an die gemessenen Versatzvektoren
angefittet
wird. Dies kann beispielsweise mittels der Methode der kleinsten
Quadrate so durchgeführt
werden, daß der
Betrag von M der nachfolgenden Formel 1 minimal wird
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Die
korrigierten Versatz-Vektoren lassen sich gemäß der nachfolgenden Formel
2 bestimmen
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Diese
korrigierten Versatz-Vektoren sind in 6 dargestellt.
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Die
langsam veränderliche
Vektorfunktion f → kann beispielsweise wie folgt lauten:
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Unter
einer langsam veränderlichen
Vektorfunktion f → wird hier insbesondere eine solche Funktion verstanden,
die sich über
einander angrenzende Abschnitte A11–A33 langsamer ändert (bzw.
deren Funktionswerte sich langsamer ändern) als die zu erwartenden
sprunghaften Änderungen
der Lagefehler der Meßmarken 13 an
den Abschnittsgrenzen der aneinander grenzenden Abschnitte A11–A33.
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Die
in der Formel 3 angegebenen einzelnen Terme können, müssen aber nicht alle in der
langsam veränderlichen
Vektorfunktion f enthalten sein.
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Der
Term
betrifft
Translationen, der Term
a3·(–yx ) betrifft
Drehungen, der Term
a4·(xy ) betrifft
die Vergrößerungen,
der Term
a5·(yx ) betrifft nicht orthogonale Änderungen,
der Term
a6·(x–y ) betrifft asymmetrische
Skalen in x- und y-Richtung, der Term
(a7·x + a8·y)·(xy ) betrifft
trapezförmige
Fehler, der Term
(a9·y + a10·x)·(–yx ) betrifft Keilfehler,
und die Terme
a11·(x2 +
y2)·(xy ) und
a12·(x2 + y2)2·(xy ) betreffen
rotationssymmetrische Verzerrungen dritter bzw. fünfter Ordnung.
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Mit
der erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 zur
Messung des relativen lokalen Lagefehlers ist es somit möglich, die
systematischen Anteile des gemessenen Lagefehlers, die durch die
Abbildungsoptik 12 und die CCD-Kamera 11 bedingt
sind, weitestgehend zu eliminieren, so daß mit einer einzigen Aufnahme
des Bereiches B der lokale Lagefehler des zumindest einen Abschnittes
A22 bestimmt werden kann. Es ist nicht notwendig, daß das Objekt 2 mittels
des Objekttisches 5 hochgenau positioniert wird.
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Natürlich ist
es mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 möglich, mehrere
Aufnahmen des selben Bereiches B durchzuführen. Auch kann mittels des
Objekttisches 5 das Objekt 2 verschoben werden,
um mehrere Aufnahmen nacheinander von verschiedenen Stellen des
Objektes zu erstellen und somit von mehreren Abschnitten die relativen
lokalen Lagefehler zu ermitteln. Diese Informationen können dann
genutzt werden, um die Genauigkeit des Musterschreibers, mit dem
das Objekt 2 belichtet wurde, zu erhöhen.
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Bei
den Meßmarken 13 kann
es sich um spezielle Meßmarken
handeln, die üblicherweise
bei Masken zur Registration vorgesehen werden. Es können natürlich auch
andere Strukturen der Maske 2 verwendet werden, von denen
die Lage über
die Maske 2 bekannt ist.
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Natürlich ist
es auch möglich,
den Bereich B, der mittels des Detektionsmoduls 4 vergrößert aufgenommen
wird, so zu wählen,
daß mehrere
Abschnitte der abschnittsweise belichteten Lithographiemaske 2 vollständig aufgenommen
werden. Dies ist in 7 schematisch in gleicher Weise
wie in 2 dargestellt. Ein Vergleich zwischen den 2 und 7 läßt erkennen,
daß bei
idealer Belichtung sechs Abschnitte A23, A24, A32, A34, A42 und
A43 vollständig
im Aufnahmebereich B liegen.
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In 8 ist
in gleicher Weise wie in 3 stark übertrieben für jeden
der Abschnitte der lokale Versatz dargestellt. Aus der Darstellung
in 8 ist ersichtlich, daß die sechs Abschnitte A23,
A24, A32, A34, A42 und A43 alle innerhalb des Aufnahmebereichs B
liegen und somit erfindungsgemäß für jeden
der sechs Abschnitte der relative lokale Lagefehler ermittelt werden
kann. Dabei kann der relative lokale Lagefehler für jeden
der sechs Abschnitte relativ zu dem frei wählbaren Bezugspunkt und somit
zum selben Bezugspunkt bestimmt werden. Natürlich ist es auch möglich, den
relativen lokalen Lagefehler für
jeden der Abschnitte relativ auf einen direkten Nachbarn zu bestimmen.
Man erhält
auf jeden Fall eine auswertbare Aussage über die Stitchingfehler, die
der Musterschreiber erzeugt hat, und kann dies dann zur Verbesserung
der Genauigkeit des Musterschreibers verwenden.
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Die
Lithographiemaske 2 kann z. B. eine Lithographiemaske sein,
die nur zur Qualifizierung des Maskenschreibers belichtet wird.
In diesem Fall kann man die Meßmarken
so auswählen
und anordnen, daß man eine
möglichst
gute Aussage über
die Stitchingfehler des Maskenschreibers erhält. Natürlich ist es auch möglich, eine
für die
Produktion hergestellte Lithographiemaske in der beschriebenen Art
und Weise zu vermessen.
