DE102008050762A1 - Schaltbauelement oder Speicherbauelement hoher Speicherdichte auf Basis Hf- oder Zr-haltiger Dielektrika - Google Patents
Schaltbauelement oder Speicherbauelement hoher Speicherdichte auf Basis Hf- oder Zr-haltiger Dielektrika Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008050762A1 DE102008050762A1 DE102008050762A DE102008050762A DE102008050762A1 DE 102008050762 A1 DE102008050762 A1 DE 102008050762A1 DE 102008050762 A DE102008050762 A DE 102008050762A DE 102008050762 A DE102008050762 A DE 102008050762A DE 102008050762 A1 DE102008050762 A1 DE 102008050762A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- dielectric layer
- electronic component
- component according
- switching voltage
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000013500 data storage Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5685—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using storage elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
- G11C2213/32—Material having simple binary metal oxide structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
- G11C2213/34—Material includes an oxide or a nitride
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
die eine dielektrische Schicht zwischen halbleitenden oder metallisch leitfähigen Schichten enthält, wobei die dielektrische Schicht Hafniumoxid oder Zirkoniumoxid oder eine Kombination von Hafniumoxid und Zirkoniumoxid enthält, dadurch gekennzeichnet, dass der dielektrischen Schicht mindestens ein Zusatzstoff aus einer Gruppe Zusatzstoffe, die aus Barium, Strontium, Titan und Tantal besteht, zugesetzt ist, wobei die dielektrische Schicht ausgebi mindestens einer ersten Kombination von Polarität und Betrag zwischen den halbleitenden oder metallische leitfähigen Schichten von einem ersten Zustand höheren elektrischen Widerstands in einen zweiten Zustand niedrigeren elektrischen Widerstands zu schalten, und nach Ende des Anliegens der ersten Schaltspannung bei Anliegen einer zweiten Schaltspannung mindestens einer zweiten Kombination von Polarität und Betrag vom zweiten Zustand in den ersten Zustand zurückzuschalten.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit einer Schichtfolge, die eine dielektrische Schicht zwischen halbleitenden oder metallisch leitfähigen Schichten enthält, wobei die dielektrische Schicht vorwiegend Hafniumoxid oder Zirkoniumoxid oder eine Kombination von Hafniumoxid und Zirkoniumoxid enthält.
- Derartige elektronische Bauelemente finden beispielsweise als programmierbare resistive Speicherbauelemente Verwendung. Eine programmierbare resistive Speicherzelle mit einer programmierbaren Widerstandsschicht ist aus dem Dokument
DE 2006 023 609 A1 bekannt. - Das der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende technische Problem ist es, ein verbessertes elektronisches Bauelement bereitzustellen, das insbesondere bei Nutzung als Speicherelement eine höhere Speicherdichte ermöglicht.
- Das technische Problem wird bei dem einleitend genannten elektronischen Bauelement dadurch gelöst, dass der dielektrischen Schicht mindestens ein Zusatzstoff aus einer Gruppe Zusatzstoffe zugesetzt ist. Die Gruppe der Zusatzstoffe besteht aus Barium, Strontium, Titan und Tantal.
- Mit dem Zusätzen eines oder mehrerer Zusatzstoffe aus dieser Gruppe von Stoffen zur dielektrischen Schicht gelingt es, die (relative) Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht gegenüber reinem Hafniumoxid oder reinem Zirkoniumoxid oder einer Kombination dieser Materialien deutlich zu erhöhen.
- Dies ist nach derzeitiger Erkenntnis der Erfinder darauf zurückzuführen, dass die genannten Stoffe in der Gruppe von Zusatzstoffen eine polarisierende Wirkung in der dielektrischen Schicht verstärken. Durch die höhere Dielektrizitätskonstante gelingt es einerseits, im Falle technologisch vorgegebener Dickenanforderungen der dielektrischen Schicht die Kapazitätsdichte zu erhöhen und somit eine höhere Speicherdichte zu erzielen. Andererseits kann im Fall einer vorgegebenen, bezüglich auftretenden Leckstroms kritisch dünnen Schichtdicke ohne Veränderung der Kapazitätsdichte eine deutliche Verbesserung erzielt werden, indem der Leckstrom reduziert wird.
- Das elektronische Bauelement der vorliegenden Erfindung hat weiterhin den Vorteil, dass die Schichtmorphologie der dielektrischen Schicht auch bei besonders hohen Temperaturen bis hin zu 950°C temperaturstabil ist. Dies macht die Schichtfolge auch gegenüber Prozessbedingungen stabil, die besonders hohe Prozesstemperaturen erforderlich machen.
- Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen elektronischen Bauelements beschrieben. Die zusätzlichen Merkmale der Ausführungsbeispiele können miteinander kombiniert werden, soweit sie nicht ausdrücklich als Alternativen zueinander beschrieben sind.
- Bevorzugte Anwendungsgebiete des elektronischen Bauelements sind Schalter und Informationsspeicherbauelemente. Beide Anwendungsfälle nutzen eine Schaltfunktion des elektrischen Widerstands in der dielektrischen Schicht. Dabei ist die dielektrische Schicht vorteilhafterweise ausgebildet, bei Anliegen einer ersten Schaltspannung mindestens einer ersten Kombination von Polarität und Betrag zwischen den halbleitenden oder metallische leitfähigen Schichten von einem ersten Zustand höheren elektrischen Widerstands in einen zweiten Zustand niedrigeren elektrischen Widerstands zu schalten, und nach Ende des Anliegens der ersten Schaltspannung bei Anliegen einer zweiten Schalt spannung mindestens einer zweiten Kombination von Polarität und Betrag vom zweiten Zustand in den ersten Zustand zurückzuschalten.
- Dabei müssen der erste und zweite Zustand nicht notwendigerweise durch genau einen Widerstandswert definiert sein, sondern können alternativ jeweils durch ein bestimmtes Werteintervall des elektrischen Widerstands definiert sein.
- Die Informationsspeicherung ist nicht auf genau 2 Zustände beschränkt, sondern kann auch mehr Zustande (also Widerstandswerte oder Widerstandsintervalle) nutzen, um beispielsweise pro Speicherzelle 2 oder mehr Bit speichern zu können und so eine höhere Speicherdichte zu erzielen.
- Das erfindungsgemäße Schalt-Bauelement lässt sich mit einer Schaltfrequenz von bis zu 50 Gigahertz schalten, wobei in besonderen Ausführungsbeispielen der Widerstandswert der dielektrischen Schicht um einige Größenordnungen geschaltet werden kann.
- Ein bevorzugtes Anwendungsfeld des elektronischen Bauelements der vorliegenden Erfindung liegt im Bereich der resistiven Datenspeicher. Das Informationsspeicherelement kann in unterschiedlichen Ausführungsbeispielen ein flüchtiges oder ein nichtflüchtiges Speicherelement bilden. Das Informationsspeicherbauelement bildet dabei also den Information speichernden Teil einer Speicherzelle eines Datenspeichers.
- Ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel des elektronisches Bauelements hat also eine dielektrische Schicht, die nach Ende des Anlegens der ersten Schaltspannung bei Anliegen der zweiten Schaltspannung, die die Funktion einer Rücksetzspannung hat und deren Betrag kleiner ist als die Schaltspannung, vom zweiten Zustand in der ersten Zustand übergeht. Es wird damit also erreicht, dass das Bauelement durch Anlegen der Rücksetzspannung wieder in den Zustand höheren elektrischen Widerstands zurückversetzt wird. Für den Einsatz als resistives Informationsspeicherelement ist die dielektrische Schicht vorzugsweise zusätzlich ausgebildet, nach Ende des Anliegens der ersten Schaltspannung bei Anliegen von Lesespannungen geringeren Betrags als die Schaltspannung ein Ohmsches Widerstandsverhalten als Funktion der Lesespannung aufzuweisen. Nach Ende des Anliegens der Rücksetzspannung (zweite Schaltspanung) dagegen ist dieses ohmsche Verhalten bei diesem Ausführungsbeispiel nicht gegeben. Es kann also eindeutig identifiziert werden, ob die dielektrische Schicht zuvor in den ersten oder zweiten Zustand geschaltet wurde.
- Die Schichtfolge eines solchen Informationsspeicherelements kann vorteilhaft in einem Leitbahnstapel eines integrierten Schaltkreises angeordnet sein, wodurch eine große Platzersparnis gegenüber ICs erzielt wird, bei denen die Speicherzellen selbst auch in Silizium, also in einem Front-End-Prozess, ausgeführt werden.
- Der Anteil des mindestens einen Zusatzstoffes in der dielektrischen Schicht beträgt in verschiedenen Ausführungsbeispielen weniger als 50 Atomprozent. Besonders gute Ergebnisse wurden bei einem Anteil des oder der Zusatzstoffe von weniger als 30 Prozent erzielt. Insbesondere für die Elemente Titanium oder Tantal hat sich ein Anteil von maximal 15 Atomprozent als vorteilhaft herausgestellt. Als untere Konzentrations-Grenze des mindestens einen Zusatzstoffs ist beispielsweise ein Anteil von 1 Atomprozent sinnvoll.
- Der Zusatzstoff kann in der dielektrischen Schicht einen höhreren Anteil in Atomprozent halten als das Hafnium oder Zirkonium.
- Es ist auch möglich, den Anteil der Zusatzstoffe so zu erhöhen, dass ihr Anteil an der dielektrischen Schicht über 50 Atomprozent beträgt.
- Die Zusammensetzung der Schichtkomponenten in der dielektrischen Schicht kann im chemischen Gleichgewicht oder außerhalb des chemischen Gleichgewichts liegen.
- Vorzugsweise hat die Schicht eine Perovskit-Struktur oder ist perovskitartig, hat also eine den Perovskiten ähnliche Kristallstruktur.
- Die Dicke der dielektrischen Schicht beträgt in den bevorzugten Ausführungsbeispielen maximal 100 Nanometer, besonders vorteilhaft ist eine Dicke bis 30 nm, die dielektrische Schicht mit einer Dicke von nur zwischen 1 und 8 Nanometer ist bei modernen Technologien (130-nm-CMOS oder geringer, ebenso BiCMOS) vorteilhaft zu verwenden.
- Die an die dielektrische Schicht grenzenden Elektrodenschichten sind in bevorzugten Ausführungsbeispielen Metallschichten, die Gold, Titan, eine Aluminium/Titan-Mischung oder Ruthenium enthalten oder aus einem oder mehreren dieser Stoffe bestehen.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 2006023609 A1 [0002]
Claims (14)
- Elektronisches Bauelement mit einer Schichtfolge, die eine dielektrische Schicht zwischen halbleitenden oder metallisch leitfähigen Schichten enthält, wobei die dielektrische Schicht Hafniumoxid oder Zirkoniumoxid oder eine Kombination von Hafniumoxid und Zirkoniumoxid enthält, dadurch gekennzeichnet, dass der dielektrischen Schicht mindestens ein Zusatzstoff aus einer Gruppe Zusatzstoffe, die aus Barium, Strontium, Titan und Tantal besteht, zugesetzt ist, wobei die dielektrische Schicht ausgebildet ist, bei Anliegen einer ersten Schaltspannung mindestens einer ersten Kombination von Polarität und Betrag zwischen den halbleitenden oder metallische leitfähigen Schichten von einem ersten Zustand höheren elektrischen Widerstands in einen zweiten Zustand niedrigeren elektrischen Widerstands zu schalten, und nach Ende des Anliegens der ersten Schaltspannung bei Anliegen einer zweiten Schaltspannung mindestens einer zweiten Kombination von Polarität und Betrag vom zweiten Zustand in den ersten Zustand zurückzuschalten.
- Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, bei dem der Anteil des mindestens einen Zusatzstoffs weniger als 30 Atomprozent beträgt.
- Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, bei dem der Anteil des mindestens einen Zusatzstoffs maximal 15 Atomprozent beträgt.
- Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die dielektrische Schicht eine Perovskitstruktur oder eine perovskitartige Struktur aufweist.
- Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die dielektrische Schicht eine Dicke von maximal 30 Nanometern aufweist.
- Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die dielektrische Schicht eine Dicke von zwischen 1 und 8 Nanometern aufweist.
- Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die dielektrische Schicht an Metallschichten grenzt, die Gold, Titan, eine Aluminium/Titan-Mischung oder Ruthenium enthalten oder aus einem oder mehreren dieser Stoffe bestehen.
- Elektronisches Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Schichtfolge ein resistives Informationsspeicherelement bildet, wobei die dielektrische Schicht zusätzlich ausgebildet ist, nach Ende des Anliegens der ersten Schaltspannung bei Anliegen von Lesespannungen geringeren Betrags als die erste und zweite Schaltspannung ein ohmsches Widerstandsverhalten als Funktion der Lesespannung aufzuweisen.
- Elektronisches Bauelement nach Anspruch 8, bei dem die zweite Schaltspannung eine Betrag hat, der kleiner ist als die erste Schaltspannung, aber größer als die Lesespannung ist.
- Datenspeicher, mit einem elektronischen Bauelement nach Anspruch 8.
- Integrierte Schaltung mit einem Datenspeicher nach Anspruch 10.
- Integrierte Schaltung, bei der die Schichtfolgen der Informationsspeicherelemente des Datenspeicher in einem Leitbahnstapel angeordnet ist.
- Elektronisches Schaltbauelement, mit einem elektronsichen Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7.
- Integrierte Schaltung, umfassend ein elektronisches Schaltbauelement nach Anspruch 13.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008050762A DE102008050762A1 (de) | 2008-10-08 | 2008-10-08 | Schaltbauelement oder Speicherbauelement hoher Speicherdichte auf Basis Hf- oder Zr-haltiger Dielektrika |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008050762A DE102008050762A1 (de) | 2008-10-08 | 2008-10-08 | Schaltbauelement oder Speicherbauelement hoher Speicherdichte auf Basis Hf- oder Zr-haltiger Dielektrika |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102008050762A1 true DE102008050762A1 (de) | 2010-05-12 |
Family
ID=42096243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102008050762A Withdrawn DE102008050762A1 (de) | 2008-10-08 | 2008-10-08 | Schaltbauelement oder Speicherbauelement hoher Speicherdichte auf Basis Hf- oder Zr-haltiger Dielektrika |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102008050762A1 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011159583A3 (en) * | 2010-06-18 | 2012-06-14 | Sandisk 3D Llc | Composition of memory cell with resistance-switching layers |
| US8520425B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-08-27 | Sandisk 3D Llc | Resistive random access memory with low current operation |
| US8724369B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-05-13 | Sandisk 3D Llc | Composition of memory cell with resistance-switching layers |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060027893A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-02-09 | International Business Machines Corporation | Field-enhanced programmable resistance memory cell |
| US20060054950A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | In-Gyu Baek | Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of manufacturing the same |
| DE102006023609A1 (de) | 2006-05-19 | 2007-11-22 | Infineon Technologies Ag | Programmierbare resistive Speicherzelle mit einer programmierbaren Widerstandsschicht |
-
2008
- 2008-10-08 DE DE102008050762A patent/DE102008050762A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060027893A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-02-09 | International Business Machines Corporation | Field-enhanced programmable resistance memory cell |
| US20060054950A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | In-Gyu Baek | Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of manufacturing the same |
| DE102006023609A1 (de) | 2006-05-19 | 2007-11-22 | Infineon Technologies Ag | Programmierbare resistive Speicherzelle mit einer programmierbaren Widerstandsschicht |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011159583A3 (en) * | 2010-06-18 | 2012-06-14 | Sandisk 3D Llc | Composition of memory cell with resistance-switching layers |
| US8395927B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-03-12 | Sandisk 3D Llc | Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer |
| US8395926B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-03-12 | Sandisk 3D Llc | Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement |
| US8520425B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-08-27 | Sandisk 3D Llc | Resistive random access memory with low current operation |
| US8520424B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-08-27 | Sandisk 3D Llc | Composition of memory cell with resistance-switching layers |
| US8724369B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-05-13 | Sandisk 3D Llc | Composition of memory cell with resistance-switching layers |
| US8737111B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-05-27 | Sandisk 3D Llc | Memory cell with resistance-switching layers |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69028507T2 (de) | Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung mit einer isolierenden Schicht für Tunneleffekt | |
| DE102014119172A1 (de) | Verbesserung der rram-speicherung durch abscheiden einer ti-deckschicht vor einem hk-hfo | |
| DE102015102767A1 (de) | Speicher | |
| DE102014119142A1 (de) | Metallleitungsverbindung für eine verbesserte RRAM- Zuverlässigkeit, Halbleiteranordnung, die diese umfasst, und deren Herstellung | |
| DE112006000612T5 (de) | Nichtflüchtiges Speicherelement | |
| DE102015104684A1 (de) | Leckresistente rram/mim-struktur | |
| EP1095377A1 (de) | FeRAM-ANORDNUNG | |
| DE102007033253A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Speichern elektrischer Energie | |
| DE102007033252A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Speichern elektrischer Energie | |
| DE2011794A1 (de) | Halbleiterspeicheranordnung | |
| DE102017000743A1 (de) | Nanopartikelmatrix für 3d nvm rram | |
| DE10212962A1 (de) | Halbleiterspeicherzelle und Halbleiterspeichereinrichtung | |
| DE102008050762A1 (de) | Schaltbauelement oder Speicherbauelement hoher Speicherdichte auf Basis Hf- oder Zr-haltiger Dielektrika | |
| DE102018107723A1 (de) | Magnetspeicher mit wahlfreiem Zugriff | |
| DE1951787C3 (de) | Speicherelement | |
| DE102007047340A1 (de) | Vorrichtung zum Speichern elektrischer Energie | |
| DE102005051573A1 (de) | MIM/MIS-Struktur mit Praseodymtitanat oder Praseodymoxid als Isolatormaterial | |
| DE102020107569A1 (de) | Sot-mram mit dielektrischer grenzflächenschicht undverfahren zu seiner herstellung | |
| DE10202903A1 (de) | Magnetoresistive Speicherzelle mit polaritätsabhängigem Widerstand | |
| DE102007026175A1 (de) | Verfahren zur Ermittlung der Alterung eines elektrischen Transformators | |
| DE102015219696A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines kompakten Mikro- oder Nano-Kondensators und kompakter Mikro- oder Nano-Kondensator | |
| DE2431079A1 (de) | Dynamischer halbleiterspeicher mit zwei-tranistor-speicherelementen | |
| DE2247937A1 (de) | Verfahren zur messung einer gespeicherten ladung | |
| DE102008042323A1 (de) | Elektronisches Bauelement mit Schalteigenschaften | |
| DE102012102326B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines integrierten nichtflüchtigen Analogspeichers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |