DE102008049586A1

DE102008049586A1 - Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie

Info

Publication number: DE102008049586A1
Application number: DE102008049586A
Authority: DE
Inventors: Adrian Dr. Staicu; Martin Dr. Endres
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2008-09-30
Filing date: 2008-09-30
Publication date: 2010-04-08
Also published as: WO2010037453A9; WO2010037453A8; US8717541B2; CN102171616A; TW201017231A; TWI506304B; WO2010037453A1; JP6280827B2; US9304406B2; US20110164233A1; KR20110059745A; JP5603868B2; KR101645049B1; JP2012504321A; CN102171616B; US20140218709A1; JP2014197706A

Abstract

Ein Feldfacettenspiegel dient zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie zur Übertragung einer in einem Objektfeld angeordneten Struktur eines Objektes in ein Bildfeld. Der Feldfacettenspiegel (6) hat eine Mehrzahl von Feldfacetten (18x) mit Reflexionsflächen (22). Die Anordnung der Feldfacetten (18x) nebeneinander spannt eine Basisebene (xy) auf. Projektionsflächen der Reflexionsflächen (22) von mindestens zwei der Feldfacetten (18x) auf die Basisebene (x, y) unterscheiden sich in mindestens einem der nachfolgenden Parameter: Größe, Form, Orientierung. Es resultiert ein Feldfacettenspiegel, bei dem eine Gewährleistung einer uniformen Objektfeld-Ausleuchtung bei gleichzeitig hohem EUV-Durchsatz hohen Anforderungen entspricht.

Description

Die Erfindung betrifft einen Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Feldfacettenspiegels, eine Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Feldfacettenspiegel, ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mikro- bzw. nanostrukturiertes und nach einem derartigen Herstellungsverfahren hergestelltes Bauteil.
Ein derartiger Feldfacettenspiegel ist bekannt aus der WO2007/128407A .
Derartige Feldfacettenspiegel sollen einerseits eine uniforme Beleuchtung des Objektfeldes bereitstellen und andererseits einen möglichst großen Anteil des von einer EUV-Lichtquelle bereitgestellten Beleuchtungslichts hin zum Objektfeld führen. Dabei erhalten die Facetten des Feldfacettenspiegels eine Form und ein Aspektverhältnis, die an das auszuleuchtende Objektfeld angepasst sind. In Bezug auf die gleichzeitige Gewährleistung einer uniformen Objektfeld-Ausleuchtung, insbesondere auch dann, wenn das von der EUV-Lichtquelle bereitgestellte Beleuchtungslicht keine uniforme Intensitätsverteilung über das Beleuchtungsbündel aufweist, und eines hohen EUV-Durchsatzes besteht bei den bekannten Feldfacettenspiegeln noch Verbesserungsbedarf.
Es ist daher eine Aufgabe der folgenden Erfindung, einen Feldfacettenspiegel der eingangs genannten Art derart weiter zu bilden, dass eine Gewährleistung einer uniformen Objektfeld-Ausleuchtung bei gleichzeitig hohem EUV-Durchsatz hohen Anforderungen entspricht.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch einen Feldfacettenspiegel mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Der Kern der Erfindung ist es, die bisher eingehaltene Randbedingung aufzugeben, wonach die Projektion von Feldfacettenrändern in Richtung auf eine Normale einer in der Regel vorhandenen Trägerplatte der bekannten Feldfacettenspiegel identisch ist, und zwar identisch sowohl in Bezug auf die Größe und auf die Form als auch in Bezug auf die Orientierung. Durch den neuen Freiheitsgrad der Zulassung nicht identisch ausgeformter Projektionsflächen ist beispielsweise eine Vorkompensation einer aufgrund der Abbildungsverhältnisse möglichen Verdrehung der Bilder einzelner Feldfacetten relativ zueinander bei deren Überlagerung auf dem Objektfeld erreichbar. Eine derartige Verdrehung der Facettenbilder resultiert, wie erfindungsgemäß erkannt wurde, aufgrund verschiedener Wege des über die Feldfacetten kanalweise geführten Beleuchtungslichts durch die Beleuchtungsoptik. Hierbei kann es auch zu einer Variation des Abbildungsmaßstabes der Feldfacetten auf das Objektfeld kommen. Durch das Aufgeben der Bedingung identischer Projektionsflächen der Feldfacetten-Reflexionsflächen auf die Basisebene kann auch diese Variation des Abbildungsmaßstabes vorkompensiert werden. Bei der Abbildung auf das Objektfeld führt die Verdrehung der Facettenbilder ohne Vorkompensation zum unerwünschten Effekt der randseitigen Streuung der Objektfeldausleuchtung, da die dem Objektfeld überlagerten Bilder der Feldfacetten mit den unterschiedlichen realen Facettenflächen insbesondere randseitig nicht mehr zusammenpassen.
Die Feldfacetten können nebeneinander auf einer Trägerplatte angeordnet sein. Diese Trägerplatte verläuft dann in der Regel parallel zur Basisebene des Feldfacettenspiegels.
Mindestens zwei der Feldfacetten können um eine Achse senkrecht zur Basisebene des Feldfacettenspiegels um mehr als 1° zueinander verkippt angeordnet sein. Eine derart verkippte Anordnung der Feldfacetten stellt einen bisher wegen vermeintlicher sterischer Unterbringungsprobleme der Feldfacetten verworfenen Freiheitsgrad darstellt, der insbesondere eine bei den bisher bekannten Belegungs-Geometrien von Feldfacetten auf dem Feldfacettenspiegel beobachtete randseitige Streuung der Objektfeldausleuchtung vermindern oder sogar ganz vermeiden hilft. Der erfindungsgemäße Freiheitsgrad der Verkippung der Feldfacetten um eine Achse senkrecht zur Haupt-Reflexionsebene erleichtert eine Auslegung, bei der Kippwinkel um Achsen, die in der Haupt-Reflexionsebene liegen und zu einem zu großen Missverhältnis zwischen der Fläche der Projektion der Reflexionsflächen verkippter Feldfacetten auf der Haupt-Reflexionsebene einerseits und der realen Reflexionsfläche andererseits führen, vermieden sind. Erfindungsgemäß können Feldfacetten mit einem in Bezug auf ihre Fertigung günstigeren Aspektverhältnis zu Belegung des Feldfacettenspiegels herangezogen werden, ohne dass eine störende randseitige Streuung bei der Objektfeldausleuchtung die Folge ist. Außerdem erhöht sich damit effektiv der Füllgrad des Objektfeldes und damit der transportierbare Lichtleitwert. Dies ist insbesondere für Quellen mit großem Lichtleitwert oder für Beleuchtungssysteme, welche unterschiedlich stark gefüllte Beleuchtungspupillen ohne Lichtverlust anbieten, wichtig. Eine Zuordnung von um die Kippachse senkrecht zur Haupt-Reflexionsebene verkippten Feldfacetten zu den über eine Zuordnung zu Pupillenfacetten eines Pupillenfacettenspiegels vorgegebenen Beleuchtungswinkeln führt zur Möglichkeit, eine an den Rändern des Objektfeldes erfolgende Intensitätsüberwachung des Beleuchtungslichts mit minimierten Verlusten zu gewährleisten. Derartige Feldfacetten können in einer Projektionsbelichtungsanlage zum Einsatz kommen, innerhalb der während einer Projektionsbelichtung ein Objekt in einer Objektverlagerungsrichtung kontinuierlich oder schrittweise verlagert wird.
Eine Teilring- bzw. Bogenform der Feldfacetten nach Anspruch 4 ermöglicht eine gut angepasste Ausleuchtung eines entsprechend teilring- bzw. bogenförmigen Objektfeldes. Eine derartige Objektfeldform lässt sich mit einer als Spiegeloptik ausgeführten, nachgeschalteten Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage gut abbilden.
Eine Anordnung der Kippachse nach Anspruch 5 gewährleistet, dass eine Verkippung der jeweiligen Feldfacette den Belegungsbedarf dieser Feldfacette in der Haupt-Reflexionsebene nur gering ändert, da eine Verkippung allenfalls zu einer geringen Abweichung der Lage der bogen- bzw. teilringförmigen Seitenkanten der Facetten-Reflexionsfläche führt. Bei einer Verkippung um diese Kippachse verschieben sich praktisch ausschließlich die in Umfangsrichtung um die Teilkreis- bzw. Bogenform führenden bzw. nachfolgenden Stirnseiten der Facetten-Reflexionsflächen.
Feldfacetten nach Anspruch 6 lassen sich im Vergleich zu Feldfacetten mit geringerer Teilringstärke mit geringerem Herstellungsaufwand fertigen. Mit dieser minimalen Teilringstärke einher geht eine entsprechend für die Herstellung der Feldfacetten besser handhabbare Stärke des jeweiligen Feldfacetten-Grundkörpers. Zudem kann die relative gegenseitige Abschattung der Feldfacetten mit zunehmender Breite geringer sein.
Um einen weiteren Kipp-Freiheitsgrad nach Anspruch 7 verkippte Feldfacetten gewährleisten eine erwünschte Variabilität bei der Zuordnung der Feldfacetten zu Pupillenfacetten eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik der EUV-Projektionsbelichtungsanlage. Eine vorgegebene und gut durchmischte Zuordnung von den Feldfacetten zugeordneten Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels ist möglich. Als Kippachse für dem weiteren Kipp-Freiheitsgrad ist eine Achse gewählt, deren Verkippung zu einer möglichst geringen Abweichung einer Fläche einer auf die Haupt-Reflexionsebene projizierten Feldfacette zur realen Reflexionsfläche der Feldfacette führt.
Von gegenüberliegenden sphärischen Seitenwänden nach Anspruch 8 begrenzte Facetten-Grundkörper können exakt gefertigt werden. Es ist möglich, derartige Feldfacetten mit geringen Abständen nebeneinander anzuordnen, was zu einer hohen Belegungsdichte der Feldfacetten innerhalb der Haupt-Reflexionsebene führt.
Eine Facettenform nach Anspruch 9 ist gut an eine Bogen- bzw. Teilringform eines auszuleuchtenden Objektfeldes angepasst.
Facetten mit Seitenwänden des Facetten-Grundkörpers nach Anspruch 10 lassen sich einerseits sehr dicht packen und ermöglichen andererseits eine Verschiebung der beiden benachbarten Facetten-Grundkörper relativ zueinander entlang der sphärischen Fläche der beiden einander zugewandten Seitenwände. Dies ermöglicht neue Freiheitsgrade bei der relativen Positionierung der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels zueinander.
Feldfacetten nach Anspruch 11 lassen sich mit ein und demselben Bearbeitungswerkzeug zur Herstellung der sphärischen Seitenwände herstellen.
Facettenspiegel nach Anspruch 12 lassen sich einerseits dicht packen und können andererseits zwischen anderen Feldfacetten dicht gepackt angeordnet und trotzdem um das Zentrum herum kippjustiert werden.
Feldfacetten nach Anspruch 13 können auch an exotischere Objektfeldformen oder auch an andere Anforderungen beispielsweise zur Intensitätskontrolle des Beleuchtungslichts angepasst werden.
Ein Feldfacettenspiegel nach Anspruch 14 ermöglicht die Ausleuchtung von im Bereich von Rändern des Objektfeldes angeordneten Sensoren, sodass eine effektive Überwachung der Energie bzw. Intensität einer Lichtquelle, mit der der Facettenspiegel beaufschlagt ist, möglich ist.
Ein Feldfacettenspiegel nach Anspruch 15, für den erfindungsgemäß verschiedene Ausführungen angegeben sind, erhöht den EUV-Lichtdurchsatz innerhalb einer mit einem derartigen Feldfacettenspiegel ausgerüsteten Projektionsbelichtungsanlage.
Ein Fertigungsverfahren nach Anspruch 16 erlaubt eine effiziente Herstellung von Feldfacettengruppen mit Seitenwänden benachbarter Facetten-Grundkörper, die den gleichen Krümmungsradius haben.
Ein Fertigungsverfahren nach Anspruch 17 ist angepasst an Facettenblock-Anordnungen von Feldfacettenspiegeln.
Ein Fertigungsverfahren nach Anspruch 18 ermöglicht eine exakte Ausrichtung der innerhalb eines Facettenblocks zusammengefassten Feldfacetten.
Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 19, eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 20, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 21, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 22 sowie eines mikrostrukturierten Bauteils nach Anspruch 23 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den erfindungsgemäßen Feldfacettenspiegel bereits diskutiert wurden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser Zeichnung zeigen:
1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie, wobei eine Beleuchtungsoptik im Meridionalschnitt gezeigt ist;
2 eine Aufsicht auf einen Feldfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik nach 1;
3 schematisch eine Ausschnittsvergrößerung gemäß Ausschnitt III in 2;
4 vergrößert, perspektivisch und gebrochen eine einzelne der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels nach 2;
5 bis 8 jeweils in Aufsicht verschiedene Ausführungen von gruppenweise angeordneten Feldfacetten zum Einsatz im Feldfacettenspiegel nach 2 sowie Beispiele für deren benachbarte Anordnung;
9 in einem zu 1 vergleichbaren, um 180° um eine x-Achse und um 90° um eine z-Achse gedrehten Meridionalschnitt Beleuchtungsverhältnisse am Rand eines von der Beleuchtungsoptik ausgeleuchteten Objektfeldes am Ort eines Intensitäts-Überwachungssensors;
10 eine Aufsicht auf das Objektfeld, wobei die Randausleuchtung von diesem für verschiedene Beleuchtungsrichtungen hervorgehoben ist;
11 in einer zur 10 ähnlichen Darstellung eine Überlagerung der Ausleuchtung des Objektfeldes ausgehend von einem vorgegebenen Testpunkt-Muster auf den Feldfacetten bei einer Anordnung nach 2;
12 schematisch eine Darstellung zweier benachbarter und zueinander verkippt angeordneter Feldfacetten zur Darstellung möglicher Kippwinkel;
13 schematisch einen Ablauf bei der Herstellung eines Feldfacettenspiegels mit Feldfacetten, wobei einander zugewandte Sei tenwände benachbarter Facetten-Grundkörper den gleichen Krümmungsradius haben.
1 zeigt schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die EUV-Mikrolithographie. Als Lichtquelle 2 dient eine EUV-Strahlungsquelle. Hierbei kann es sich um eine LPP-(Laser Produced Plasma, lasererzeugtes Plasma)Strahlungsquelle oder um eine DPP-(Discharged Produced Plasma, gasendladungserzeugtes Plasma)Strahlungsquelle handeln. Die Lichtquelle 2 emittiert EUV-Nutzstrahlung 3 mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Die Nutzstrahlung 3 wird nachfolgend auch als Beleuchtungs- oder Abbildungslicht bezeichnet.
Das von der Lichtquelle emittierte Beleuchtungslicht 3 wird zunächst von einem Kollektor 4 gesammelt. Hierbei kann es sich, abhängig vom Typ der Lichtquelle 2, um einen Ellipsoid-Spiegel oder um einen genesteten Kollektor handeln. Nach dem Kollektor 4 durchtritt das Beleuchtungslicht 3 eine Zwischenfokusebene 5 und trifft anschließend auf einen Feldfacettenspiegel 6, der nachfolgend noch im Detail erläutert wird. Vom Feldfacettenspiegel 6 wird das Beleuchtungslicht 3 hin zu einem Pupillenfacettenspiegel 7 reflektiert. Über die Facetten des Feldfacettenspiegels 6 einerseits und des Pupillenfacettenspiegels 7 andererseits wird das Beleuchtungslichtbündel in eine Mehrzahl von Ausleuchtungskanälen aufgeteilt, wobei jedem Ausleuchtungskanal genau ein Facettenpaar mit einer Feldfacette oder einer Pupillenfacette zugeordnet ist.
Eine dem Pupillenfacettenspiegel 7 nachgeordnete Folgeoptik 8 führt das Beleuchtungslicht 3, also das Licht aller Ausleuchtungskanäle, hin zu einem Objektfeld 9. Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 7 sowie die Folgeoptik 8 sind Bestandteile einer Beleuchtungsoptik 10 zur Ausleuchtung des Objektfeldes 9. Das Objektfeld 9 ist bogen- bzw. teilkreisförmig, wie nachfolgend noch erläutert wird. Das Objektfeld 9 liegt in einer Objektebene 11 einer der Beleuchtungsoptik 10 nachgeordneten Projektionsoptik 12 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Eine im Objektfeld 9 angeordnete Struktur auf einem in der Zeichnung nicht dargestellten Retikel, also auf einer zu projizierenden Maske, wird mit der Projektionsoptik 12 auf ein Bildfeld 13 in einer Bildebene 14 abgebildet. Am Ort des Bildfeldes 13 ist ein in der Zeichnung ebenfalls nicht dargestellter Wafer angeordnet, auf den die Struktur des Retikels zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils, beispielsweise eines Halbleiterchips, übertragen wird.
Die Folgeoptik 8 zwischen dem Pupillenfacettenspiegel 7 und dem Objektfeld 9 hat drei weitere EUV-Spiegel 15, 16, 17. Der letzte EUV-Spiegel 17 vor dem Objektfeld 9 ist als Spiegel für streifenden Einfall (grazing incidence-Spiegel) ausgeführt. Bei alternativen Ausführungen der Beleuchtungsoptik 10 kann die Folgeoptik 8 auch mehr oder weniger Spiegel aufweisen oder sogar ganz entfallen. Im letzteren Fall wird das Beleuchtungslicht 3 vom Pupillenfacettenspiegel 7 direkt zum Objektfeld 9 geführt.
Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein xyz-Koordinatensystem verwendet. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft in der 1 nach rechts und die z-Richtung verläuft in der 1 nach unten. Soweit in den 2 ff. ebenfalls ein kartesisches Koordinatensystem verwendet wird, spannt dieses jeweils die Reflexionsfläche der dargestellten Komponente auf. Die x-Richtung ist dann jeweils parallel zur x-Richtung in der 1. Eine Winkelbeziehung der y-Richtung der individuellen Reflexionsfläche zur y-Richtung in der 1 hängt von der Orientierung der jeweiligen Reflexionsfläche ab.
2 zeigt den Feldfacettenspiegel 6 stärker im Detail. Dieser hat insgesamt vier in Spalten S1, S2, S3, S4, die in der 2 von links nach rechts durchnummeriert sind, angeordnete einzelne Feldfacetten 18. Die beiden mittleren Spalten S2, S3, sind durch einen Bauraum 19 voneinander getrennt, der in y-Richtung verläuft und eine konstante x-Ersteckung hat. Der Bauraum 19 entspricht einer Fernfeld-Abschattung des Beleuchtungslichtbündels, die konstruktiv durch den Aufbau der Lichtquelle 2 und des Kollektors 4 bedingt ist. Die vier Facettenspalten S1 bis S4 haben jeweils eine y-Ersteckung, die gewährleistet, dass alle vier Facettenspalten S1 bis S4 innerhalb eines kreisförmig begrenzten Fernfeldes 20 des Beleuchtungslichts 3 liegen. Mit der Berandung des Fernfeldes 20 fällt der Rand einer Trägerplatte 21 für die Feldfacetten 18 zusammen.
Die Feldfacetten 18 haben eine in Bezug auf eine Projektion auf die xy-Ebene, also in Bezug auf eine Haupt-Reflexionsebene des Feldfacettenspiegels 6, eine zueinander kongruente Bogen- bzw. Teilringform, die zur Form des Objektfeldes 9 ähnlich ist.
Das Objektfeld 9 hat ein x/y-Aspektverhältnis von 13/1. Das x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 18 ist größer als 13/1. Je nach Ausführung beträgt das x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 18 beispielsweise 26/1 und ist in der Regel größer als 20/1.
Insgesamt hat der Feldfacettenspiegel 6 416 Feldfacetten 18. Alternative Ausführungen derartiger Feldfacettenspiegel 6 können Anzahlen der Feld facetten 18 im Bereich zwischen einigen zehn bis beispielsweise tausend haben.
Die Feldfacetten 18 haben eine Ersteckung in y-Richtung von etwa 3,4 mm. Die Ausdehnung der Feldfacetten 18 in y-Richtung ist insbesondere größer als 2 mm.
Die Gesamtheit aller 416 Feldfacetten 18 hat eine Packungsdichte von 73%. Die Packungsdichte ist definiert als die Summe der Fläche aller Feldfacetten 18 im Verhältnis zur auf der Trägerplatte 21 insgesamt ausgeleuchteten Fläche.
3 zeigt eine Ausschnittsvergrößerung des Feldfacettenspiegels 6 in einem Endbereich der Facettenspalte S1. Benachbarte der Feldfacetten 18 sind um eine Achse, die senkrecht zur Haupt-Reflexionsebene des Feldfacettenspiegels 6, also parallel zur z-Achse in der 2, verläuft, um mehr als 1° zueinander verkippt angeordnet.
Dies ist in der 2 am Beispiel der in der Facettenspalte S4 zweiten Feldfacette 18₂ von unten im Vergleich zur in der Spalte S4 dritten Feldfacette 18₃ von unten dargestellt. Diese beiden Feldfacetten 18₂ , 18₃ sind um eine Achse 23, die senkrecht auf der Zeichenebene der 2 steht, also senkrecht auf der Haupt-Reflexionsebene des Feldfacettenspiegels 6, zueinander um einen Kippwinkel Kz von etwa 2° zueinander verkippt. Auch ein größerer Kippwinkel Kz ist möglich. Dies bewirkt, dass die Feldfacette 18₂ gegenüber der Feldfacette 18₃ am linken Rand, also in negativer x-Richtung übersteht, während die Feldfacette 18₃ gegenüber der Feldfacette 18₂ um den gleichen Betrag am rechten Rand, also in positiver x-Richtung übersteht. Entsprechende Überstände zwischen benachbarten der Feldfacet ten 18 sind der Ausschnittsvergrößerung der 3 zu entnehmen. Die Kippwinkel Kz zwischen benachbarten der Feldfacetten 18 variieren im Bereich zwischen ±2,5°.
Die Kippachsen 23, mittels der der Kippwinkel Kz jeweils benachbarter der Feldfacetten 18 zueinander definiert ist, liegen mittig zwischen den Ringzentren, die diesen beiden teilringförmigen Feldfacetten 18 zugeordnet sind. Die benachbarten Feldfacetten 18 sind also zueinander um die Achse 23 verkippt, die in guter Näherung mit dem Ringzentren zusammenfällt. Der Kipp benachbarter Feldfacetten 18 zueinander um die über die Lage der jeweiligen Ringzentren dieser Feldfacetten 18 definierte Achse 23 wird nachfolgend auch als Kipp Z bezeichnet. Diesem Kipp Z ist jeweils ein Kippwinkel Kz zugeordnet.
4 zeigt Details des Aufbaus einer der Feldfacetten 18. In x-Richtung hat die Reflexionsfläche 22 eine Erstreckung von etwa 60 mm. Der Facetten-Grundkörper 24 setzt sich abgewandt von der Reflexionsfläche 22 in in der 4 nicht näher dargestellter Weise fort.
Die Reflexionsfläche 22 trägt eine die Reflektivität steigernde Multilager(Mehrlagen)-Beschichtung mit alternierenden Molybdän- und Silizium-Schichten.
Der Facetten-Grundkörper 24 ist von zwei im Wesentlichen senkrecht zur y-Achse angeordneten, gegenüberliegenden sphärischen Seitenwänden 27, 28 konvex/konkav begrenzt. Die dem Betrachter der 4 zugewandte Seitenwand 27 ist konvex ausgeführt und die vom Betrachter der 4 abgewandte Seitenwand 28 ist konkav ausgeführt.
Beschränkt man sich auf eine derartige Gestaltung eines Facetten-Grundkörpers 24, bei dem die Seitenwände 27, 28 parallel verschobene Zylinderflächen sind, so sind Projektionen der Reflexionsflächen 22 derartiger Facetten-Grundkörper 24 auf eine Basisebene xy, die durch die Anordnung der Feldfacetten 18 nebeneinander aufgespannt ist, begrenzt durch parallel verschobene Teilkreise. Die Richtung der radial verlaufenden Parallelverschiebung des durch die konkav ausgeführte Seitenwand 28 definierten inneren Teilkreises zum durch die konvexe Seitenwand 27 definierten äußeren Teilkreis ist für jede der Feldfacetten 18 individuell. Ein Winkel zwischen diesen Parallelverschiebungs-Richtungen und der y-Achse entspricht dem jeweiligen Kippwinkel Kz.
Die Reflexionsfläche 22 ist als eine von insgesamt vier Stirnwänden des Facetten-Grundkörpers 24 ausgeführt. Die Reflexionsfläche 22 kann plan oder auch, entsprechend vorgegebener Abbildungsvorgaben, gekrümmt, z. B. sphärisch, asphärisch oder als Freiformfläche, ausgeführt sein.
4 zeigt eine weitere Kippmöglichkeit benachbarter Feldfacetten 18 zueinander, nämlich eine Verkippung um eine zur y-Achse parallele, weitere Kippachse 25, was nachfolgend auch als Kipp Y bezeichnet wird. Die Kippachse 25 verläuft parallel zu einem Radius, der durch die Teilringform der Reflexionsfläche 22 der Feldfacette 18 vorgegeben ist. Aufgrund des Kipp Y ergibt sich eine Winkelabweichung einer normalen N auf die verkippte Reflexionsfläche (vgl. 22') in der 4. Diese Kipp Y-Abweichung um ein einen Kippwinkel Ky ist in der 4 stark übertrieben dargestellt. Ein derartiger Kipp Y kann zur korrekten Ausrichtung der Reflexionsfläche 22 der jeweiligen Feldfacette 18 oder auch im Zusammenhang mit der Fertigung des Feldfacettenspiegels 6 genutzt werden.
Prinzipiell ist es möglich, über den Kipp Y eine Zuordnung der jeweiligen Feldfacette 18 zur zugeordneten Pupillenfacette des Pupillenfacettenspiegels 7 herbeizuführen.
Alternativ zu einer Verkippung um einen Kippwinkel Kz, wie im Zusammenhang mit der 2 beschrieben, ist es auch möglich, die Feldfacetten 18 um eine ebenfalls zur z-Achse parallele Kippachse 26 (vgl. 4) zu verkippen, die durch einen Schwerpunkt 27a der Reflexionsfläche 22 verläuft. Auch eine solche Verkippung um die Kippachse 26 führt zu einem Kipp Z der Feldfacette 18.
5 zeigt die Verkippung benachbarter Feldfacetten 18 um die jeweils zu diesen definierten Kippachsen 23 nochmals schematisch. In der 5 sind Ausschnitte zweier benachbarter Spalten Sx und Sy dargestellt. Insgesamt vier Feldfacetten 18₁ bis 18₄ der Spalte Sx, deren Index von oben nach unten durchnummeriert ist, und insgesamt drei Feldfacetten 18₅ bis 18₇ der Spalte Sy, deren Index ebenfalls von oben nach unten durchnummeriert ist, sind in der 5 dargestellt. Die Feldfacetten 18₁ bis 18₇ haben jeweils wiederum eine Bogen- bzw. Teilringform.
Nicht alle der Feldfacetten 18₁ bis 18₇ haben in Bezug auf ihre Projektion auf die Haupt-Reflexionsebene xy des Feldfacettenspiegels 6 eine zueinander kongruente Teilringform. So überstreicht die Feldfacette 18₂ einen größeren Umfangswinkel als die darüber angeordnete Feldfacette 18₁ und hat in x-Richtung eine größere Erstreckung als die Feldfacette 18₁ .
Einander zugewandte Seitenwände 27, 28 der Feldfacetten 18₁ bis 18₄ einerseits und der Feldfacetten 18₅ bis 18₇ andererseits haben jeweils den gleichen Krümmungsradius.
Effektive Kippwinkel Kz der Feldfacetten 18₅ bis 18₇ zueinander sind in der 5 durch Pfeile 29 angedeutet. Drei der dargestellten Pfeile 29 stellen Verlängerungen von Mittel-Symmetrie-Radien der jeweiligen Feldfacetten 18₅ bis 18₇ dar. Beim jeweiligen Mittel-Symmetrie-Radius handelt es sich um den zusammenfallenden Radius der beiden konkaven bzw. konvexen Seitenwände 28, 27 einer der Feldfacetten 18. Diese Symmetrie-Radien werden in der Zeichnung ebenfalls mit der Bezugsziffer 29 gekennzeichnet. Dargestellt ist zudem eine repräsentative Kippachse 23.
Die Krümmungsradien einiger der Seitenwände 27, 28 von den Feldfacetten 18 sind in der 5 durch gestrichelte Kreise angedeutet.
6 zeigt eine weitere Anordnung benachbarter Feldfacettenspiegel 18₁ bis 18₈ innerhalb einer Facettenspalte Sx. Die sphärisch konkave Seitenwand 28₈ der in der 6 zuunterst dargestellten Feldfacette 18₈ hat einen Krümmungsradius mit dem Betrag R₁, ausgehend von einem Zentrum 30₈ . Die sphärisch konvexe Seitenwand 27₈ der Feldfacette 18₈ hat einen Krümmungsradius, ebenfalls mit dem Betrag R₁, ausgehend von einem Zentrum 30₇ , das um eine Mittenstärke Mz des Facetten-Grundkörpers 248 der Feldfacette 18₈ in positiver y-Richtung versetzt zum Zentrum 30₈ angeordnet ist. Das Zentrum 30₇ ist gleichzeitig das Zentrum für die Krümmung der konkav sphärischen Seitenwand 28₇ der Feldfacette 18₇ , die der Feldfacette 18₈ benachbart ist. Entsprechend sind auch die anderen Seitenwände 27₁ bis 27₇ und 28₁ bis 28₆ der sonstigen in der 6 dargestellten Feldfacetten 18₁ bis 18₈ durch Zentren 30₁ bis 30₇ , die voneinander jeweils wiederum um den Abstand Mz voneinander positiver y-Richtung beabstandet sind, definiert.
In der Ausführung nach 6 haben also alle Seitenwände 27₁ bis 27₈ , 28₁ bis 28₈ vom Betrag her den gleichen Krümmungsradius R₁. Die Seitenwände 27_x , 28_x eines der Facettenspiegel 18, verlaufen bei der Ausführung nach 6 nicht konzentrisch, sondern die Krümmungs-Mittelpunkte 30_x der beiden Seitenwände 27_x , 28_x des jeweiligen Feldfacettenspiegels 18_x sind um die Stärke der Reflexionsfläche in y-Richtung zueinander versetzt.
7 zeigt eine alternative Ausführung von innerhalb einer Spalte S, benachbart angeordneter Feldfacetten 18. In der 7 sind vier Feldfacetten 18₁ bis 18₄ übereinander dargestellt. Zwei der vier in der 7 dargestellten Feldfacetten 18, nämlich die Feldfacetten 18₂ und 18₄ haben gegenüberliegende Seitenwände 27₂ , 28₂ bzw. 27₄ , 28₄ , die unterschiedliche Krümmungsradien R₂, R₁ aufweisen und konzentrisch ausgeführt sind. Dies ist in der 7 anhand der Krümmung der Seitenwände 27₂ , 28₂ der Feldfacette 18₂ näher veranschaulicht. Die sphärisch konkav ausgeführte Seitenwand 28₂ hat einen Krümmungsradius mit dem Betrag R₁, ausgehend von einem Zentrum 30₂ . Ausgehend vom gleichen Zentrum 30₂ hat die sphärisch konvex ausgeführte Seitenwand 27₂ der Feldfacette 18₂ einen Krümmungsradius mit Betrag R₂, wobei R₂ größer ist als R₁.
Die beiden weiteren in der 7 dargestellten Feldfacetten 18₁ , 18₃ haben konvex/konkave Seitenwände 27₁ , 28₁ bzw. 27₃ , 28₃ , die verschiedene Krümmungsradien haben und zudem nicht konzentrisch ausgeführt sind. Die Anordnung der Facetten 18_x in der Spalte Sx nach 7 ist so, dass sich jeweils eine Feldfacette 18 mit konzentrisch ausgeführten Seitenwänden 27, 28 mit einer Feldfacette 18 mit nicht konzentrisch ausgeführten Seitenwänden 27, 28 die zudem unterschiedliche Krümmungsradien haben, abwechselt.
8 zeigt eine Facettenspalte Sx mit Feldfacetten 18₁ bis 18₄ , deren gegenüberliegende Seitenwände 27, 28 nicht konzentrisch ausgeführt sind. Zudem sind Zentren, über die die sphärischen Seitenwände 27, 28 der Feldfacetten 18₁ bis 18₄ nach 8 definiert sind, fallweise auch in x-Richtung gegeneinander versetzt. Die Reflexionsflächen der Feldfacetten 18₁ bis 18₄ nach 8 bilden jeweils Teilringe mit in Umfangsrichtung variierender y-Stärke. Die y-Stärke der Reflexionsfläche 22 der Feldfacette 18₄ in der 8 nimmt von links nach rechts kontinuierlich zu. Die y-Stärke der Reflexionsfläche 22 Feldfacette 18₂ in der 8 nimmt von links nach rechts kontinuierlich ab. Stärken der Feldfacetten 18₁ bis 18₄ in der y-Richtung sind in der 8 stark übertrieben dargestellt. Gestrichelt sind in der 8 unter einem spitzen Winkel zur x-Achse verlaufende Linien angedeutet, die Kippwinkel K_z der Feldfacetten 18₁ , 18₂ und 18₃ repräsentieren.
Nachfolgend werden anhand der 9 bis 11 Beleuchtungsverhältnisse im Bereich des Objektfeldes 9 und im Bereich der Objektebene 11 erläutert. In einer Detektionsebene 31, die zur Objektebene 11 um einen Abstand Δz beabstandet ist und in Strahlrichtung des Beleuchtungslichts 3 vor der Objektebene 11 liegt, ist eine Detektionseinrichtung 32 mit zwei EUV-Intensitätssensoren 33 angeordnet, von denen in der 9 einer schematisch dargestellt ist. Die 9 zeigt vergrößert den Rand des Objektfeldes 9 bei positiven x-Werten.
Zur Beleuchtung des Objektfeldes 9 kann dieses unabhängig von einem Beleuchtungswinkel innerhalb der numerischen Apertur NA des Beleuchtungslichts 3 bis zu einem x-Wert x_n zur Projektionsbelichtung genutzt werden. Bei Einstrahlung aus Richtung –NA schattet in der in der 9 dargestellte Sensor 33 das Objektfeld 9 bei x-Werten, die größer sind als x_n ab. Damit aus der Strahlrichtung-NA der Sensor 33 noch beaufschlagt wird, muss das Beleuchtungslichtbündel in der Objektebene 11 in x-Richtung eine Erstreckung bis x_–NA haben, wobei gilt x_–NA > x_n. Damit Beleuchtungslicht 3, das auf den in der 9 dargestellten Sensor 33 genau in z-Richtung eintrifft (v_x = 0), muss in der Objektebene 11 eine Ausleuchtung bis zum Wert x₀ erfolgen, wobei gilt: x₀ > x_–NA Damit Beleuchtungslicht, das unter den Beleuchtungswinkel +NA einfällt, den in der 9 dargestellten Sensor 33 erreicht, muss in der Objektebene 11 eine Ausleuchtung bis zum x-Wert x_+NA erfolgen, wobei gilt: x_+NA > x₀.
Dies ist in der 10 schematisch dargestellt, die die Ausleuchtung des Objektfeldes 9 über dessen Rand bei den Werten ±x_n hinaus darstellt. Gezeigt sind mit unterschiedlichen Punkt-Darstellungen die Ecken der in x-Richtung erforderlichen Objektfeldausleuchtung, damit bei den Einstrahlungen aus den Beleuchtungsrichtungen –NA, v_x = 0 und +NA eine Ausleuchtung des Sensors 33 gewährleistet ist. Die Ecken zur Beleuchtungsrichtung –NA, die bei positiven x-Werten den geringsten x-Abstand zum nutzbaren Feldrand x_N haben, haben bei negativen x-Werten den größten x-Abstand zum nutzbaren Feldrand –x_n. Bei den Ecken zu der Beleuchtungsrichtung +NA ist dies genau umgekehrt. Die Eckpunkte zur Beleuchtungsrichtung v_x = 0 haben zu beiden Seiten des Objektfeldes 9 den gleichen x-Abstand zu den nutzbaren Feldgrenzen ±x_n.
Entsprechend müssen die Feldfacetten 18, deren Form auf dem Objektfeld 9 abgebildet überlagert wird, beleuchtungswinkelabhängig, also abhängig von ihrer Zuordnung zu den jeweiligen Pupillenfacetten des Pupillenfacet tenspiegels 7, verschiedene Erstreckungen in der x-Richtung haben, damit ohne Lichtverlust abhängig vom Beleuchtungswinkel eine Ausleuchtung der Sensoren 33 jeweils gerade noch erfüllt ist. Diese zur Ausleuchtung der Sensoren 33 notwendigen verschiedenen Erstreckungen der Feldfacetten 18 in der x-Richtung werden durch eine in der x-Richtung gezielte Asymmetrie bestimmter der Feldfacetten 18 um den mittleren Symmetrie-Radius in der x-Richtung erzielt.
Die Ausleuchtung der Sensoren 33 wird also unabhängig vom Kippwinkel Kz erreicht durch ein Anpassen der azimutalen Erstreckung der einzelnen Feldfacetten 18 zu beiden Seiten des Mittel-Symmetrieradius 29. Gemessen vom Mittel-Symmetrieradius aus haben die Feldfacetten 18 zu beiden Seiten hin eine ungleiche x-Erstreckung sowie eine ungleiche Ausdehnung in azimutaler Richtung um die jeweilige Kippachse 23.
10 verdeutlicht in einem Insert die Form der Projektionsflächen derart asymmetrisierter Feldfacetten 18a, 18b und 18c. Alle drei Feldfacetten 18a bis 18c haben ein und denselben Mittel-Symmetrieradius 29. Ausgehend von diesem überstreicht die in der 10 zuoberst dargestellte Feldfacette 18a nach rechts einen größeren Azimutwinkel als nach links. Die in der 10 mittig dargestellte Feldfacette 18b überstreicht nach links einen größeren Azimutwinkel als nach rechts. Die in der 10 zuunterst dargestellte Feldfacette 18c überstreicht zu beiden Richtungen in etwa den gleichen Azimutwinkel. Es wird darauf hingewiesen, dass alle drei Feldfacetten 18a bis 18c den gleichen Kippwinkel K_Z haben.
11 zeigt die Überlagerung von entsprechend der Anordnung nach 2 mit Kipp Z gegeneinander verkippten Feldfacetten 18 im Objektfeld 9. Dargestellt ist die Überlagerung ausgewählter Ausleuchtungspunkte AP einerseits im Bereich der Mitte der jeweiligen Feldfacette 18 und andererseits im Bereich der beiden Seiten der Feldfacetten 18. Die 11 zeigt, dass gleiche Positionen auf den verschiedenen Feldfacetten 18 bei der Anordnung nach 2 im Objektfeld 9 auch im Bereich der Ränder des Objektfeldes 9 auf den gleichen Positionen überlagert werden.
Eine unerwünschte Streuung, also eine Abweichung der Bilder gleicher Facettenpunkt verschiedener Facetten in der Objektebene 11 findet nicht statt.
Diese praktisch perfekte Überlagerung der Bilder der Feldfacetten 18 im Objektfeld 9 ist eine direkte Folge der Tatsache, dass sich die Projektionsflächen der Reflexionsflächen 22 der verschiedenen Feldfacetten 18 auf die Basisebene xy in mindestens einem der nachfolgenden Parameter unterscheiden: Größe der Reflexionsflächen 22, Form der Reflexionsflächen 22, Orientierung der Reflexionsflächen 22. Dieser Unterschied führt zu einer Vorkompensation, sodass die individuelle Abbildung der unterschiedlichen Reflexionsflächen 22 in das Objektfeld 9 mit der hierbei erfolgenden Verkippung, der hierbei erfolgenden Größenänderung und der hierbei erfolgenden Formänderung genau zur in der 11 dargestellten, perfekten Überlagerung der Feldfacetten 18 im Objektfeld 9 führt.
12 veranschaulicht die Möglichkeiten einer Verkippung zweier Feldfacetten 18₁ , 18₂ , deren einander zugewandte Seitenwände 27₁ , 28₂ konzentrisch mit dem gleichen Krümmungsradius angeordnet sind. Ein beliebiger Kipp auf der hierdurch definierten Oberfläche um ein Zentrum O ist möglich. Die zugehörige Kippachse kann in beliebiger Richtung verlaufen. Es ist lediglich erforderlich, dass diese Kippachse durch das Zentrum O verläuft.
13 zeigt schematisch den Ablauf eines Verfahrens zur Herstellung eines Facettenspiegels 6 nach Art desjenigen der 2. Zunächst werden einzelne Roh-Feldfacetten 34 mit sphärischen Seitenwänden 27, 28 hergestellt (vgl. Verfahrensschritt 35, bei dem ein sphärischer Schleifkörper 36 zur Herstellung der Seitenwände 28 angedeutet ist). In einem Verfahrensschritt 37 werden dann die einzelnen Roh-Feldfacetten 34 zu einem Feldfacetten-Stapel 38 zugeordnet, bei dem jeweils aneinander zugeordnete Seitenwände 27, 28 benachbarter Facetten-Grundkörper 24 den gleichen Krümmungsradius haben.
Die einzelnen Reflexionsflächen 22 der Roh-Feldfacetten 34 werden individuell bearbeitet, also optisch poliert und mit dem Reflexions-Multilager versehen.
Nach dem Zuordnen im Schritt 37 und vor dem individuellen Bearbeiten (Schritt 39) wird in einem Verfahrensschritt 40 ein Block aus den Roh-Feldfacetten 34 zusammengesetzt (Schritt 40a) und dann eine Grundfläche 41 des Blocks aus den Roh-Feldfacetten 34 zu einer planen Referenzfläche geschliffen. Nach dem individuellen Bearbeiten 39 erfolgt dann ein Zusammensetzen jeweils einer Gruppe der Feldfacetten 18 zu einem Facettenblock 42, wobei die Referenzfläche 41 an einer planen Gegenfläche 43 einer Spiegel-Haltestruktur 44 angelegt wird.
Durch die vorstehend beschriebenen Anordnungsvarianten der Feldfacetten 18 des Feldfacettenspiegels 6 ist ein Transfer des Beleuchtungslichts 3, das zur Beleuchtung des Objektfeldes 9 vom Feldfacettenspiegel 6 reflektiert wurde, maximiert.
Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden das Retikel und der Wafer bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikrostruktur auf dem Wafer und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Das Retikel wird dabei in der y-Richtung während der Projektionsbelichtung kontinuierlich verlagert. Alternativ ist auch eine Ausgestaltung als Stepper möglich, bei der das Retikel schrittweise in der y-Richtung verlagert wird.
Bei der Anordnung nach 7 ist eine Kippjustage beispielsweise der Feldfacette 18₂ um das Zentrum 30₂ möglich, ohne dass hierbei die anderen Feldfacetten 18₁ , 18₃ , 18₄ , verlagert werden müssen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- WO 2007/128407 A [0002]

Claims

Feldfacettenspiegel (6) zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die EUV-Mikrolithographie zur Übertragung einer in einem Objektfeld (9) angeordneten Struktur eines Objektes in ein Bildfeld (13), – mit einer Mehrzahl von Feldfacetten (18) mit Reflexionsflächen (22), – wobei die Feldfacetten (18) so angeordnet sind, dass die Anordnung der Feldfacetten (18) nebeneinander eine Basisebene (xy) des Feldfacettenspiegels (6) aufspannt, dadurch gekennzeichnet, dass sich Projektionsflächen der Reflexionsflächen (22) von mindestens zweien der Feldfacetten (18) auf die Basisebene (xy) in mindestens einem der nachfolgenden Parameter unterscheiden: – Größe, – Form, – Orientierung.
Feldfacettenspiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldfacetten (18) insbesondere zeilen- und spaltenweise nebeneinander auf einer Trägerplatte (21) angeordnet sind.
Feldfacettenspiegel nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei der Feldfacetten (18) um eine Achse (23; 26) senkrecht zur Basisebene (xy) des Feldfacettenspiegels (6) um mehr als 1° zueinander verkippt angeordnet sind.
Feldfacettenspiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass Projektionen der Feldfacetten (18) auf die Basisebene (xy) eine Teilringform haben.
Feldfacettenspiegel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kippachse (23) durch einen Mittelpunkt eines Rings, auf dem die Teilringform benachbarten Feldfacetten (18) angeordnet ist, verläuft.
Feldfacettenspiegel nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldfacetten (18) in einer Projektion auf die Basisebene (xy) eine Stärke des Teilrings von mindestens 2 mm, insbesondere eine Stärke von 3,4 mm aufweisen.
Feldfacettenspiegel nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei der Feldfacetten (18) zueinander um eine Achse (25) verkippt sind, die parallel zu einem Radius des Teilrings verläuft.
Feldfacettenspiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsflächen (22) der Feldfacetten (18) jeweils durch eine Stirnwand eines Facetten-Grundkörpers (24) ausgebildet sind, wobei der Facetten-Grundkörper (24) von zwei gegenüberliegenden sphärischen Seitenwänden (27, 28) begrenzt ist.
Feldfacettenspiegel nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Facetten-Grundkörper von den zwei gegenüberliegenden, sphärischen Seitenwänden (27, 28) konvex/konkav begrenzt ist.
Feldfacettenspiegel nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden einander zugewandten Seitenwände (27_x , 28_y ) benachbarter Facetten-Grundkörper (24) den gleichen Krümmungsradius haben und konzentrisch zueinander verlaufen.
Feldfacettenspiegel nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden gegenüberliegenden Seitenwände (27_x , 28_x ) des Facetten-Grundkörpers (24) einer der Feldfacetten (18) den gleichen Krümmungsradius (R₁) haben und nicht konzentrisch ausgeführt sind.
Feldfacettenspiegel nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden gegenüber liegenden Seitenwände (27_x , 28_x ) des Facetten-Grundkörpers (24) einer der Feldfacetten (18) unterschiedlichen Krümmungsradius (R₁, R₂) haben und konzentrisch ausgeführt sind.
Feldfacettenspiegel nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden gegenüberliegenden Seitenwände (27_x , 28_x ) des Facetten-Grundkörpers (24) nicht konzentrisch ausgeführt sind, wobei die Reflexionsfläche (22) einen Teilring mit in Umfangsrichtung variierender Stärke bildet.
Feldfacettenspiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei der Feldfacetten (18a bis 18c) um einen Mittel-Symmetrieradius (29) unterschiedliche und insbesondere um diesen Mittel-Symmetrieradius (29) asymmetrische azimutale Erstreckungen aufweisen.
Feldfacettenspiegel (6) zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die EUV-Mikrolithographie zur Übertragung einer in einem Objektfeld (9) angeordneten Struktur eines Objektes in ein Bildfeld (13), mit einer Mehrzahl von Feldfacetten (18), die derart angeordnet sind, dass ein Transfer von Beleuchtungslicht (3) zur Beleuchtung des Objektfeldes (9), das vom Feldfacettenspiegel (6) reflektiert wurde, maximiert ist.
Verfahren zur Herstellung eines Feldfacettenspiegels (6) nach einem der Ansprüche 8 bis 15 mit folgenden Schritten: – Herstellen von einzelnen Roh-Feldfacetten (34) mit Facetten-Grundkörpern (24) mit sphärischen Seitenwänden (27, 28), – Zuordnen der einzelnen Roh-Feldfacetten (34) zu einem Feldfacetten-Stapel (38), bei dem jeweils einander zugeordnete Seitenwände (27, 28) benachbarter Facetten-Grundkörper (24) den gleichen Krümmungsradius haben, – individuelles Bearbeiten (39) der einzelnen Reflexionsflächen (22) der Feldfacetten, – Zusammensetzen einer Gruppe der bearbeiteten Feldfacetten (18) zu einer Facettenanordnung auf den Feldfacettenspiegel (6).
Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass beim Zusammensetzen der Anordnung der Feldfacetten (18) eine gruppenweise Anordnung zu Feldfacettenblöcken (42) erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Zuordnen und vor dem individuellen Bearbeiten ein Roh-Facettenblock zusammengesetzt (40a) und eine Grundfläche (41) des Roh-Facettenblocks zu einer planen Referenzfläche geschliffen wird.
Beleuchtungsoptik mit einem Feldfacettenspiegel (6) nach einem der Ansprüche 1 bis 15.
Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik (10) nach Anspruch 19 und einer EUV-Lichtquelle (2).
Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem nach Anspruch 20 und einer Projektionsoptik (12) zur Abbildung des Objektfeldes (9) in das Bildfeld (13).
Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Retikels und eines Wafers, – Projizieren einer Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 21, – Erzeugen einer Mikrostruktur auf dem Wafer.
Mikrostrukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 22.