DE102008042777A1 - Selektiver Lötstop - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer Oberfläche auf einem Bauteil (200; 300), welche Bereiche mit einer unterschiedlichen Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel (230) aufweist. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer ersten metallischen Schicht (210) auf dem Bauteil (200; 300), ein Ausbilden einer zweiten metallischen Schicht (220) auf der ersten metallischen Schicht (210), wobei die zweite metallische Schicht (220) eine Oxidation der ersten metallischen Schicht (210) verhindert. Das Verfahren umfasst weiter ein Entfernen der zweiten metallischen Schicht (220) mit Hilfe eines Lasers (290) in einem vorgegebenen Oberflächenbereich (285; 385; 386) zum Freilegen der ersten metallischen Schicht (210) und ein Oxidieren der freigelegten ersten metallischen Schicht (210) an der Oberfläche, wodurch eine Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel (230) in dem vorgegebenen Oberflächenbereich (285; 385; 386) geringer ist als in einem an den vorgegebenen Oberflächenbereich (285; 385; 386) angrenzenden Oberflächenbereich.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer Oberfläche auf einem Bauteil, welche Bereiche mit einer unterschiedlichen Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel aufweist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Verbinden eines ersten Bauteils mit einem zweiten Bauteil über ein Lötmittel.
  • Stand der Technik
  • Ein gängiges Verfahren zum stoffschlüssigen Verbinden (Fügen) von Bauteilen ist das Lötverfahren. Hierbei werden die Bauteile über ein aufgeschmolzenes Metall bzw. eine Metallegierung, auch als Lötmittel oder Lot bezeichnet, miteinander verbunden. Um möglichst ausgasungs- bzw. rückstandsfreie Verbindungen herzustellen, wie dies beispielsweise im Bereich mikromechanischer Sensoren gefordert wird, werden flussmittelfreie Lote eingesetzt.
  • Üblicherweise werden auf den Fügepartnern (welche häufig Stahl, Nickellegierungen, usw. aufweisen) reine Nickelschichten ausgebildet, da diese die Entstehung von stabilen intermetallischen Verbindungen ermöglichen. Problematisch ist jedoch, dass die Nickelschichten relativ stark zur Oberflächenoxidation neigen. Eine Oberflächenoxidation kann bereits bei Raumtemperatur auftreten und wird insbesondere durch einen erhöhten Feuchtigkeitsanteil bzw. eine erhöhte Temperatur begünstigt. Die Bildung einer Oxidschicht hat zur Folge, dass die Fließ- und Benetzungseigenschaften in Bezug auf ein (flussmittelfreies) Lot reduziert und dadurch die Ausbildung einer Lötverbindung gestört wird. Im Extremfall findet gar keine Anbindung des Lotes mehr statt. Um eine derartige Be einträchtigung zu vermeiden, wird eine Nickelschicht üblicherweise mit einem Oxidations- bzw. Anlaufschutz versehen. In der Regel wird hierbei eine Goldschicht auf der Nickelschicht ausgebildet, so dass eine Verringerung der Benetzbarkeit durch ein Lötmittel vermieden wird.
  • Häufig ist der Oberflächenbereich auf einem Bauteil, der von einem Lot benetzt werden soll, definiert bzw. begrenzt. Herkömmlicherweise wird daher die Beschichtung der Bauteile mit Nickel und Gold selektiv durchgeführt, um die Benetzung des Lotes nur auf einen vorgesehenen Oberflächenbereich zu beschränken. Zu diesem Zweck wird vor Ausbilden der Nickelschicht eine strukturierte Maskierungsschicht auf dem betreffenden Bauteil ausgebildet, wodurch die Bildung der Nickel- und Goldschicht nur in Bereichen zwischen der Maskierungsschicht erfolgt. Diese Vorgehensweise ist jedoch relativ aufwändig und infolgedessen mit hohen Herstellungskosten verbunden.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein verbessertes Verfahren zum Erzeugen einer Oberfläche auf einem Bauteil mit Bereichen mit einer unterschiedlichen Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel, sowie ein entsprechendes Verfahren zum Verbinden von zwei Bauteilen anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und durch ein Verfahren gemäß Anspruch 9 gelöst. Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Erzeugen einer Oberfläche auf einem Bauteil vorgeschlagen, welche Bereiche mit einer unterschiedlichen Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel aufweist. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden einer ersten metallischen Schicht auf dem Bauteil und ein Ausbilden einer zweiten metallischen Schicht auf der ersten metallischen Schicht, wobei die zweite metallische Schicht eine Oxidation der ersten metallischen Schicht verhindert. Das Verfahren umfasst weiter ein Entfernen der zweiten metallischen Schicht mit Hilfe eines Lasers in einem vorgegebenen Oberflächenbereich zum Freilegen der ersten metallischen Schicht, und ein Oxidieren der freigelegten ersten metallischen Schicht an der Oberfläche, wodurch eine Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel in dem vorgegebenen Oberflächenbereich geringer ist als in einem an den vorgegebenen Oberflächenbereich angrenzenden Oberflächenbereich.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht ein einfaches und kostengünstiges Erzeugen einer Oberfläche auf dem Bauteil mit Bereichen mit einer unterschiedlichen Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel. Anstatt eine Maskierungsschicht einzusetzen, wird ein Oberflächenbereich mit einer reduzierten Benetzbarkeit durch selektives Entfernen der zweiten metallischen Schicht und Oxidieren der in diesem Bereich freigelegten ersten metallischen Schicht erzeugt. Hierbei kann beispielsweise ein gängiger Beschriftungslaser zum Einsatz kommen.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform weist die erste metallische Schicht Nickel auf. Auf diese Weise eignet sich das Bauteil zur Herstellung einer relativ stabilen Lötverbindung. Des Weiteren ist es bevorzugt, dass die zweite metallische Schicht Gold aufweist. Hierdurch wird einerseits ein zuverlässiger Oxidationsschutz des darunter liegenden Nickels erzielt und andererseits eine hohe Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel ermöglicht.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist der vorgegebene Oberflächenbereich, in welchem die zweite Schicht entfernt wird, die Form einer Linie auf. Auf diese Weise kann auf der Oberfläche des Bauteils relativ schnell ein mit einem Lötmittel zu benetzender Oberflächenbereich definiert werden, welcher durch die Linie von einem weiteren Oberflächenbereich, auf welchem keine Benetzung erfolgen soll, getrennt ist.
  • Erfindungsgemäß wird des Weiteren ein Verfahren zum Verbinden eines ersten Bauteils mit einem zweiten Bauteil vorgeschlagen. Bei diesem Verfahren wird eine Oberfläche auf dem ersten Bauteil durch Durchführen eines der vorstehend beschriebenen Verfahren erzeugt, wobei die Oberfläche einen mit einem Lötmittel zu benetzenden Lötbereich aufweist, welcher an den eine geringere Benetzbarkeit aufweisenden vorgegebenen Oberflächenbereich angrenzt. Auf den Lötbereich wird ein Lötmittel aufgebracht und aufgeschmolzen. Das erste und zweite Bauteil werden einander angenähert, um das erste und zweite Bauteil über das Lötmittel zu verbinden.
  • Dieses Verfahren ermöglicht ein einfaches und kostengünstiges Herstellen einer Lötverbindung zwischen dem ersten und zweiten Bauteil. Durch das Vorsehen des Oberflächenbereichs mit einer geringeren Benetzbarkeit ist die Möglichkeit gegeben, die Benetzung mit dem Lötmittel lediglich auf den Lötbereich zu beschränken.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Fügeverbindung zwischen zwei Bauteilen über ein Lot in einer vergrößerten seitlichen Schnittdarstellung;
  • 2 bis 4 die Herstellung einer Lötverbindung zwischen zwei Bauteilen inklusive des Erzeugens eines selektiven Lötstops, jeweils in einer Aufsichts- und einer seitlichen Schnittdarstellung;
  • 5 eine weitere Lötverbindung zwischen zwei Bauteilen in einer Aufsichts- und einer seitlichen Schnittdarstellung; und
  • 6 bis 8 die Herstellung einer Lötverbindung zwischen zwei weiteren Bauteilen, jeweils in einer Aufsichts- und einer seitlichen Schnittdarstellung.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • 1 zeigt die Struktur einer Fügeverbindung zwischen einem ersten Bauteil 100 und einem zweiten Bauteil 150 über ein Lot 130 in einer seitlichen Schnittdarstellung (ohne Darstellung der intermetallischen Phasen). Bei dem Bauteil 100 kann es sich beispielsweise um ein metallisches Bauteil handeln, welches beispielsweise Stahl aufweist. Das Bauteil 150 kann beispielsweise Glas aufweisen.
  • Um das Bauteil 100 mit dem Bauteil 150 zu verbinden, ist auf dem Bauteil 100 ein Schichtenstapel aus einer Nickelschicht 110 und einer Goldschicht 120 vorgesehen. Die Nickelschicht 110 ermöglicht hierbei die Herstellung einer relativ stabilen Lötverbindung. Durch die Goldschicht 120 wird eine Oberflächenoxidation der Nickelschicht 110 verhindert, wodurch eine hohe Anbindung bzw. Benetzbarkeit in Bezug auf das Lot 130 ermöglicht wird. Zur Beschichtung des Bauteils 100 können zum Beispiel galvanische oder chemische (außenstromlose) Abscheideverfahren zum Einsatz kommen. Alternativ können die Schichten 110, 120 mit einem Kathodenzerstäubungsverfahren, auch als „Sputtern” bezeichnet, erzeugt werden. Sofern die Nickelschicht 110 durch chemische Abscheidung hergestellt wird, kann die Nickelschicht 110 einen Phosphoranteil aufweisen. Dieser liegt insbesondere an einer Oberfläche der Nickelschicht 110 in einer höheren Konzentration vor, wie in 1 anhand des Bereichs 115 angedeutet ist.
  • Auch auf dem Bauteil 150 ist eine Oberflächenbeschichtung aus einer Nickelschicht 160 und einer Goldschicht 170 vorgesehen, wodurch eine stabile Verbindung ermöglicht und eine hohe Benetzbarkeit im Hinblick auf das Lot 130 gewährleistet ist. Die Schichten 160, 170 können ebenfalls mittels eines galvanischen oder chemischen Abscheideverfahrens bzw. mit Hilfe eines Sputterverfahrens erzeugt werden. Um eine ausreichende Haftung der Nickelschicht 160 auf dem Glasmaterial des Bauelements 150 zu erzielen, wird das Bauelement 150 ferner vor dem Ausbilden der Nickelschicht 160 mit einer Haftvermittlerschicht 155 versehen. Die Haftvermittlerschicht 155 kann beispielsweise Chrom aufweisen.
  • Zum Herstellen der in 1 dargestellten Fügeverbindung kann das Lot 130 in flüssiger bzw. aufgeschmolzener Form auf wenigstens einem der Bauteile 100, 150 bzw. deren Goldschichten 120, 170 vorgesehen werden, sowie die Bauteile 100, 150 aneinander angenähert werden, um die Ausbildung intermetallischer Verbindungen zwischen den Schichten 110, 120 des Bauteils 100 bzw. den Schichten 160, 170 des Bauteils 150 und dem Lot 130 hervorzurufen. Bei dem Lot 130 kann es sich um ein flussmittelfreies Lot handeln, wodurch die Fügeverbindung ausgasungs- bzw. rückstandsfrei ist.
  • Sofern die beiden Bauteile 100, 150 großflächig mit den Schichten 110, 120 bzw. den Schichten 155, 160, 170 versehen sind, kann das Lot 130 die Bauteile 100, 150 bzw. eines der Bauteile 100, 150 entsprechend großflächig benetzen. In der Regel wird jedoch nur eine lokal begrenzte Anbindung des Lotes 130 angestrebt. Anstatt zu diesem Zweck eine strukturierte Maskierungsschicht auszubilden, was mit einem relativ hohen Aufwand verbunden ist, ist erfindungsgemäß der Einsatz eines Lasers zum selektiven Erzeugen einer reduzierten Benetzbarkeit auf einer Bauteiloberfläche vorgesehen. Dieses Vorgehen wird anhand der folgenden Figuren näher erläutert.
  • Die 2 bis 4 zeigen die Herstellung einer Fügeverbindung zwischen zwei Bauteilen 200, 250, jeweils in einer Aufsichtsdarstellung (linke Seite) und einer seitlichen Schnitt darstellung (rechte Seite). Bei dem Bauteil 200 kann es sich beispielsweise um ein metallisches Bauteil handeln, welches zum Beispiel Stahl oder eine Nickellegierung aufweist. Auch das Bauteil 250 kann ein metallisches Bauteil darstellen oder alternativ Glas aufweisen.
  • Auf dem bereitgestellten Bauteil 200 wird wie in 2 dargestellt eine Oberflächenbeschichtung ausgebildet. Hierzu wird eine Nickelschicht 210 auf das Bauteil 200, und auf die Nickelschicht 210 eine Goldschicht 220 aufgebracht. Beide Schichten 210, 220 können jeweils mit Hilfe eines galvanischen oder chemischen Abscheideverfahrens bzw. mit Hilfe eines Kathodenzerstäubungsverfahrens erzeugt werden. Um die Goldschicht einfach und kostengünstig auszubilden, wird die Goldschicht 220 vorzugsweise durch chemische Abscheidung auf der Nickelschicht 210 erzeugt. Zu dem gleichen Zweck wird die Goldschicht bevorzugt mit einer relativ geringen Dicke von weniger als einem Mikrometer hergestellt. Durch die Goldschicht 220 ist die Nickelschicht 210 zuverlässig vor einem Anlaufen bzw. Oxidieren geschützt.
  • Nachfolgend wird, wie in 3 dargestellt, ein Laser 290 eingesetzt, um die Goldschicht 220 in einem vorgegebenen Oberflächenbereich 285 zu entfernen bzw. zu verdampfen, und dadurch die Nickelschicht 210 selektiv freizulegen. Hierzu wird ein von dem Laser 290 emittierter Laserstrahl 280 auf die Oberflächenbeschichtung des Bauteils 200 gerichtet und auf dieser entlang geführt. Die freigelegte Nickelschicht 210 wird des weiteren an der Oberfläche oxidiert, so dass in dem Oberflächenbereich 285 eine Oxidschicht 215 gebildet wird. Aufgrund der Oxidschicht 215 sind die Fließ- und Benetzungseigenschaften in Bezug auf ein Lötmittel in dem Bereich 285 gegenüber einem an den Bereich 285 angrenzenden Oberflächenbereich reduziert. Der vorgegebene Bereich 285 kann wie in 3 dargestellt in Form einer geschlossenen Linie ausgebildet werden, und wird daher im Folgenden als Lötstoplinie 285 bezeichnet. Die Lötstoplinie 285 umschließt dabei einen mit einem Lötmittel zu benetzenden Lötbereich auf der durch die Beschichtungen 210, 220 bereitgestellten Oberfläche des Bauteils 200.
  • Der Einsatz des Lasers 290 ermöglicht eine genaue und schnelle Herstellung der Lötstoplinie 285. Hierzu sind bereits gängige Beschriftungslaser geeignet. Eine hohe Bearbeitungsgeschwindigkeit lässt sich insbesondere bei einer geringen Dicke der Goldschicht 220 von weniger als einem Mikrometer erzielen. Bei einer solchen Dicke kann die Lötstoplinie 285 ferner mit einer relativ geringen Laserleistung 290 erzeugt werden. Der Laser 290 kann hierbei derart betrieben werden, dass neben dem selektiven Entfernen der Goldschicht 220 auch ein entsprechender Energie- oder Wärmeeintrag in die freigelegte Nickelschicht 210 hervorgerufen wird. Sofern das Bauteil 200 beim Einsatz des Lasers 290 einer Sauerstoffatmosphäre ausgesetzt ist, kann der Energieeintrag des Laser 290 die Bildung der Oxidschicht 215 bewirken.
  • Eine Oberflächenoxidation findet nur bei dem freigelegten Anteil der Nickelschicht 210 statt, wohingegen der von der Goldschicht 220 bedeckte Anteil der Nickelschicht 210 einer Oxidation nicht zugänglich ist. Die geometrische Ausdehnung der Lötstoplinie 215 wird daher ausschließlich durch das Entfernen der Goldschicht 220 festgelegt. Auf diese Weise kann die Lötstoplinie 285 mit einer hohen Genauigkeit und gegebenenfalls einer geringen Breite erzeugt werden.
  • Anstelle die Oxidation aufgrund eines Energieeintrags des Lasers 290 zu bewirken, kann das (vollständige) Ausbilden der Oxidschicht 215 auch erst im Anschluss an das selektive Entfernen der Goldschicht 220 erfolgen. Zu diesem Zweck kann beispielsweise ein zusätzlicher Temperaturschritt zum Aufheizen des Bauteils 200 durchgeführt und/oder das Bauteil 200 einer sauerstoffhaltigen bzw. -reichen Atmosphäre ausgesetzt werden.
  • Nach dem Ausbilden der Lötstoplinie 285 wird das Bauteil 200 wie in 4 dargestellt mit dem weiteren Bauteil 250 über ein Lot 230 verbunden. Die laterale Ausdehnung des Bauteils 250 ist dabei kleiner als der von der Lötstoplinie 285 umschlossene Lötbereich. Auch auf dem weiteren Bauteil 250 wird eine Oberflächenbeschichtung umfassend eine Nickelschicht 260 und eine Goldschicht 270 ausgebildet. Gegebenenfalls kann vor dem Ausbilden der Nickelschicht 260 das Bauteil 250 mit einer Haftvermittlerschicht (zum Beispiel aus Chrom) beschichtet werden, um eine ausreichende Haftung der Nickelschicht 260 zu ermöglichen.
  • Zum stoffschlüssigen Verbinden der Bauteile 200, 250 kann das Lot 230 auf die Goldschicht 220 des Bauteils 200 in dem von der Lötstoplinie 285 umschlossenen Lötbereich aufgebracht und durch einen Temperaturschritt aufgeschmolzen werden. Nachfolgend werden die Bauteile 200, 250 aneinander angenähert, um die Ausbildung intermetallischer Verbindungen zwischen den Oberflächenbeschichtungen der Bauteile 200, 250 und dem Lot 230 zu bewirken. Bei dem Lot 230 kann es sich um ein flussmittelfreies Lot handeln, wodurch die Fügeverbindung ausgasungs- bzw. rückstandsfrei ist. Das Lot 230 kann hierbei Metalle wie zum Beispiel Kupfer, Zinn, Silber, Indium, Blei aufweisen.
  • Das Lot 230 kann beispielsweise in Form eines festen Plättchens auf den Lötbereich des Bauteils 200 aufgebracht und nachfolgend aufgeschmolzen werden. Alternativ ist der Einsatz einer Lotpaste vorstellbar, welche beispielsweise aufgedruckt oder im Rahmen eines Dispense-Verfahrens aufgebracht wird. Nach dem Aufbringen der Lotpaste können die Bauteile 200, 250 angenähert und anschließend die Lotpaste zum Herstellen der intermetallischen Verbindungen aufgeschmolzen werden. Die Lotpaste kann auch vor dem Annähern der Bauteile 200, 250 aufgeschmolzen werden. Durch die Lötstoplinie 285 bzw. die Oxidschicht 215 wird verhindert, dass das Lot 230 (bei entsprechend definierter Lotmenge) die Goldschicht 220 des Bau teils 200 in einem Oberflächenbereich außerhalb des von der Lötstoplinie 285 umschlossenen Lötbereichs benetzt.
  • 5 zeigt eine Lötverbindung gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel. Das Bauteil 200 ist hierbei mit einem Bauteil 251 über das Lot 230 verbunden, wobei die laterale Ausdehnung des Bauteils 251 im Gegensatz zu dem Bauteil 250 größer ist als der von der Lötstoplinie 285 umschlossene Lötbereich. Um entsprechend dem Bauteil 200 auch auf der Oberfläche bzw. Oberflächenbeschichtung 260, 270 des Bauteils 251 nur eine lokal definierte Benetzung durch das Lot 230 zu erzielen, weist das Bauteil 251 ebenfalls eine durch eine Nickeloxidschicht 265 gebildete Lötstoplinie auf. Die Lötstoplinie 265 kann ebenfalls durch selektives Entfernen der Goldschicht 270 mit Hilfe eines Lasers und Oxidieren der freigelegten Nickelschicht 260 hergestellt werden. Auf diese Weise kann die Benetzung mit dem Lot 230 auf einen Lötbereich auf dem Bauteil 251 eingeschränkt werden, welcher durch die Lötstoplinie 265 definiert bzw. umschlossen wird. Zum Herstellen der Lötverbindung kann das Lot 230 wiederum auf den Lötbereich des Bauteils 200, oder zusätzlich bzw. ausschließlich auf den Lötbereich des Bauteils 251 aufgebracht werden.
  • Die 6 bis 8 zeigen die Herstellung einer Lötverbindung zwischen zwei weiteren Bauteilen 300, 350, jeweils in einer Aufsichtsdarstellung (links) und einer seitlichen Schnittdarstellung (rechts). Bei dem Bauteil 300 handelt es sich um einen metallischen Sockel für eine TO-Zelle eines mikromechanischen Drucksensors. Das Bauteil 350 stellt einen Glaskörper dar, auf welchem ein Sensorchip (nicht dargestellt) aufbringbar ist.
  • Der Sockel 300 weist eine in der Aufsicht im Wesentlichen kreisförmige Form auf, wobei in der Mitte eine im Wesentlichen quadratische Vertiefung 301 zum Aufnehmen des Bauteils 350 vorgesehen ist. Beide Bauteile 300, 350 weisen die Bauteile 300, 350 durchdringende Löcher 302, 352 auf. Die Löcher 302, 352 kommen übereinander zu liegen, um einen definierten Druck an einen auf das Bauteil 350 aufgebrachten Sensorchip anzulegen. Der Sockel 300 kann ferner Durchkontaktierungen zum Anschließen des Sensorchips aufweisen (nicht dargestellt).
  • Auf den bereitgestellten Sockel 300 wird wie in 6 dargestellt eine großflächige Oberflächenbeschichtung 310 aufgebracht. Die Beschichtung 310 umfasst eine auf den Sockel 300 aufgebrachte Nickelschicht und eine auf die Nickelschicht aufgebrachte Goldschicht. Die Beschichtung 310 kann dabei auch die Seitenwände des Loches 302 bedecken (nicht dargestellt).
  • Um eine Benetzung der Beschichtung 310 mit einem Lötmittel lediglich im Bereich der Vertiefung 301 zu erzielen, werden, wie in 7 dargestellt, eine am Rand der Vertiefung 301 angeordnete Lötstoplinie 385 und eine um das Loch 302 herum angeordnete Lötstoplinie 386 erzeugt. Zu diesem Zweck wird ein Laser 290 eingesetzt, welcher einen Laserstrahl 280 zum Entfernen der Goldschicht bzw. Freilegen der Nickelschicht der Beschichtung 310 aussendet. Durch den Energieeintrag des Lasers 290 können die freigelegte Nickelschicht an der Oberfläche oxidiert und auf diese Weise die Benetzungseigenschaften reduziert werden. Durch die Lötstoplinien 385, 386 wird ein Lötbereich in der Vertiefung 301 definiert.
  • Nachfolgend wird ein flussmittelfreies Lot 230 (beispielsweise in Form eines Plättchens) auf den Lötbereich in der Vertiefung 301 aufgebracht und aufgeschmolzen. Weiter wird das Bauteil 350, welches mit einer Oberflächenbeschichtung 360 aus einer Haftvermittlerschicht, einer Nickelschicht und einer Goldschicht (entsprechend dem Bauteil 150 von 1) versehen ist, in die Vertiefung 301 eingebracht, so dass sich der in 8 dargestellte Aufbau ergibt. Durch die Lötstoplinien 385, 386 wird das Lot 230 davon abgehalten, auf die Oberfläche bzw. Oberflächenbeschichtung 310 des Bauteils 300 außerhalb der Vertiefung zu fließen sowie die Seitenwände des Loches 302 zu benetzen.
  • Die anhand der Figuren erläuterten Verfahren stellen mögliche Ausführungsformen der Erfindung dar. Darüber hinaus lassen sich weitere Verfahren verwirklichen, welche Abwandlungen bzw. Kombinationen der beschriebenen Verfahren darstellen. Beispielsweise können auf einer Oberfläche eines Bauteils mehrere, von Lötstoplinien definierte oder umschlossene Lötbereiche ausgebildet werden. Des Weiteren kann eine Lötstoplinie anstelle einer geschlossenen auch eine offene Form aufweisen, um als Barriere ein Fliessen eines Lötmittels von einem vorgegebenen Lötbereich auf einen anderen Oberflächenbereich zu verhindern. Ein Oberflächenbereich mit einer reduzierten Benetzbarkeit kann ferner mit einer anderen Form als einer Linienform, beispielsweise (groß) flächig mithilfe eines Lasers ausgebildet werden.
  • Anstelle der angegebenen Materialien lassen sich alternativ andere Materialien einsetzen. Beispielsweise kann anstatt der Goldschicht als Anlaufschutz eine andere Edelmetallschicht, zum Beispiel eine Platinschicht, verwendet werden. Auch anstelle der Nickelschicht kann alternativ eine andere lötfähige Schicht, zum Beispiel eine Kupfer- oder eine Titanschicht zum Einsatz kommen. Anstelle von Schichten mit nur einem chemischen Element sind Schichten mit mehreren Elementen oder auch Legierungen vorstellbar.

Claims (9)

  1. Verfahren zum Erzeugen einer Oberfläche auf einem Bauteil (200; 300), welche Bereiche mit einer unterschiedlichen Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel (230) aufweist, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte: Ausbilden einer ersten metallischen Schicht (210) auf dem Bauteil (200; 300); Ausbilden einer zweiten metallischen Schicht (220) auf der ersten metallischen Schicht (210), wobei die zweite metallische Schicht (220) eine Oxidation der ersten metallischen Schicht (210) verhindert; Entfernen der zweiten metallischen Schicht (220) mit Hilfe eines Lasers (290) in einem vorgegebenen Oberflächenbereich (285; 385; 386) zum Freilegen der ersten metallischen Schicht (210); und Oxidieren der freigelegten ersten metallischen Schicht (210) an der Oberfläche, wodurch eine Benetzbarkeit in Bezug auf ein Lötmittel (230) in dem vorgegebenen Oberflächenbereich (285; 385; 386) geringer ist als in einem an den vorgegebenen Oberflächenbereich (285; 385; 386) angrenzenden Oberflächenbereich.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste metallische Schicht (210) Nickel aufweist.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite metallische Schicht (220) Gold aufweist.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite metallische Schicht (220) eine Dicke von weniger als einem Mikrometer aufweist.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der vorgegebene Oberflächenbereich, in welchem die zweite metallische Schicht (220) entfernt wird, die Form einer Linie (285; 385; 386) aufweist.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausbilden der ersten metallischen Schicht (210) mit Hilfe eines der folgenden Prozesse durchgeführt wird: elektrolytische Abscheidung; außenstromlose Abscheidung; und Kathodenzerstäubung.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausbilden der zweiten metallischen Schicht (220) mit Hilfe eines der folgenden Prozesse durchgeführt wird: elektrolytische Abscheidung; außenstromlose Abscheidung; und Kathodenzerstäubung.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Oxidieren der freigelegten ersten metallischen Schicht (210) durch einen Energieeintrag des Lasers (290) in die erste Schicht (210) bewirkt wird.
  9. Verfahren zum Verbinden eines ersten Bauteils (200; 300) mit einem zweiten Bauteil (250; 350), gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte: Erzeugen einer Oberfläche auf dem ersten Bauteil (200; 300) durch Durchführen eines Verfahrens gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Oberfläche einen mit einem Lötmittel (230) zu benetzenden Lötbereich aufweist, welcher an den eine geringere Benetzbarkeit aufweisenden vorgegebenen Oberflächenbereich (285; 385; 386) angrenzt; Aufbringen eines Lötmittels (230) auf den Lötbereich; Aufschmelzen des Lötmittels (230); und Annähern des ersten und zweiten Bauteils (200; 300; 250; 350), um das erste und zweite Bauteil (200; 300; 250; 350) über das Lötmittel (230) zu verbinden.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011010317A1 (de) 2011-02-03 2012-08-09 Benteler Automobiltechnik Gmbh Bauelement mit Lotstoppvertiefung
DE102012110382A1 (de) 2011-12-21 2013-06-27 Curamik Electronics Gmbh Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Substrates
WO2014198511A1 (de) * 2013-06-14 2014-12-18 Robert Bosch Gmbh Substrat mit einem aus oxid, sulfid oder nitrid bestehenden lotstoppbereich zur begrenzung eines lotbereichs und entsprechendes herstellungsverfahren
US10157865B2 (en) 2013-03-08 2018-12-18 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device with metal film and method for manufacturing semiconductor device with metal film
DE112010003177B4 (de) 2009-06-16 2021-08-19 Intel Corporation Gehäuse mit integrierter Schaltung mit Sicherheitsmerkmal und Verfahren zu dessen Herstellung
EP4053886A1 (de) * 2021-03-01 2022-09-07 Infineon Technologies AG Verfahren zur herstellung eines substrats mit einer lotstoppstruktur, substrat mit einer lotstoppstruktur und elektronische vorrichtung
DE102022106080A1 (de) 2022-03-16 2023-09-21 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Verfahren zur Montage eines Sensorelements sowie Sensoranordnung mit dem Sensorelement

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104603921B (zh) * 2012-09-04 2018-07-24 三菱电机株式会社 半导体装置、半导体装置的制造方法
US9609752B1 (en) * 2013-03-15 2017-03-28 Lockheed Martin Corporation Interconnect structure configured to control solder flow and method of manufacturing of same
US10076800B2 (en) * 2015-11-30 2018-09-18 Cree Fayetteville, Inc. Method and device for a high temperature vacuum-safe solder stop utilizing laser processing of solderable surfaces for an electronic module assembly
US10307851B2 (en) * 2016-12-14 2019-06-04 Raytheon Company Techniques for providing stop-offs for brazing materials or other materials on structures being joined
US10544040B2 (en) * 2017-05-05 2020-01-28 Dunan Microstaq, Inc. Method and structure for preventing solder flow into a MEMS pressure port during MEMS die attachment
DE102018125300A1 (de) * 2018-10-12 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Aufbringen von zumindest einem Lötpad auf ein elektronisches Bauteil

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4904498A (en) * 1989-05-15 1990-02-27 Amp Incorporated Method for controlling an oxide layer metallic substrates by laser
JPH05315408A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Nitto Denko Corp フィルムキャリアおよびこれを用いた半導体装置
US6372623B1 (en) * 1997-08-18 2002-04-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device and method of fabrication
JP4074751B2 (ja) * 2000-10-25 2008-04-09 日本航空電子工業株式会社 電子部品
US6593545B1 (en) * 2001-08-13 2003-07-15 Amkor Technology, Inc. Laser defined pads for flip chip on leadframe package fabrication method
TWI227579B (en) * 2002-10-10 2005-02-01 Matsushita Electric Works Ltd Contact used in a connector, and method for manufacturing an element to be soldered
JP4003705B2 (ja) * 2003-06-27 2007-11-07 松下電工株式会社 半田付け用端子の製造方法
EP1919031B1 (de) * 2005-08-23 2014-10-08 DDK Ltd. Mikrominiaturkontakt und verfahren zu dessen herstellung sowie elektronisches bauteil
JP2008085272A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Sanyo Electric Co Ltd サブマウント、および、これを用いた半導体装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112010003177B4 (de) 2009-06-16 2021-08-19 Intel Corporation Gehäuse mit integrierter Schaltung mit Sicherheitsmerkmal und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102011010317A1 (de) 2011-02-03 2012-08-09 Benteler Automobiltechnik Gmbh Bauelement mit Lotstoppvertiefung
DE102012110382A1 (de) 2011-12-21 2013-06-27 Curamik Electronics Gmbh Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Substrates
DE102012110382B4 (de) * 2011-12-21 2021-02-18 Rogers Germany Gmbh Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Substrates
US10157865B2 (en) 2013-03-08 2018-12-18 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device with metal film and method for manufacturing semiconductor device with metal film
DE112013006790B4 (de) 2013-03-08 2022-05-25 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung
DE112013006790B8 (de) 2013-03-08 2022-08-18 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
WO2014198511A1 (de) * 2013-06-14 2014-12-18 Robert Bosch Gmbh Substrat mit einem aus oxid, sulfid oder nitrid bestehenden lotstoppbereich zur begrenzung eines lotbereichs und entsprechendes herstellungsverfahren
EP4053886A1 (de) * 2021-03-01 2022-09-07 Infineon Technologies AG Verfahren zur herstellung eines substrats mit einer lotstoppstruktur, substrat mit einer lotstoppstruktur und elektronische vorrichtung
DE102022106080A1 (de) 2022-03-16 2023-09-21 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Verfahren zur Montage eines Sensorelements sowie Sensoranordnung mit dem Sensorelement

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