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Die
Erfindung betrifft ein Solar-Modul-System und ein Bypass-Bauteil
zum Verbinden mit einer Solarzellen-Kette. Insbesondere betrifft
die Erfindung Solar-Modul-Systeme und Bypass-Bauteile, bei denen Überbrückungstransistoren
eingesetzt werden.
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Solar-Module
wandeln Licht in Elektrizität um,
durch die Geräte
zu Hause und im Büro
direkt mit Energie versorgt werden können oder die in das Stromnetz
eingespeist werden kann. Eine typische Ausführung für ein Solar-Modul-System umfasst mehrere
Module, von denen jedes eine Kette von in Reihe geschalteter Solarzellen
aufweist. Jede Solarzelle erzeugt eine bestimmte Menge an elektrischer Energie.
Durch die Zellen in das Modul fließender Strom überträgt elektrische
Energie der Zellen an eine Last nach außen (z. B. Haushaltsgeräte) oder an das
Stromnetz. Wenn eine der Zellen in dem Solar-Modul beschattet (d.
h. bedeckt) ist, dann wird in dieser Zelle keine Elektrizität erzeugt
und Strom kann nicht durch die Zelle fließen. Da die Zellen in Reihe geschaltet
sind, ist es unter diesen Umständen
notwendig, die beschattete Zelle zu überbrücken, so dass die elektrische
Energie, die in den restlichen (nicht beschatteten) Zellen erzeugt
wird, von dem Modul nach außen
abgegeben werden kann.
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Bei
einer Ausführung
der Erfindung ist ein Solar-Modul-System bereitgestellt. Das Solar-Modul-System umfasst
mehrere Solarzellen, von denen jede bei Licht Energie erzeugt. Die
mehreren Solarzellen sind in Ketten oder Reihen angeordnet. Jede Solarzellen-Kette
oder -Reihe umfasst wenigstens zwei in Reihe geschaltete Solarzellen.
Strom kann durch alle Solarzellen-Ketten fließen, um Energie, die durch
die Solarzellen jeder Kette erzeugt wird, an eine Last abzugeben.
Das Solar-Modul-System umfasst ebenfalls mehrere Bypass-Bauteile,
wobei jeweils ein separates Bypass-Bauteil für jede Solarzellen-Kette bereitgestellt
ist. Jedes Bypass-Bauteil kann einen Bypass-Weg für die jeweilige
Solarzellen-Kette bereitstellen, falls wenigstens eine Solarzelle
der jeweiligen Kette keine Energie erzeugt. Jedes Bypass-Bauteil
umfasst wenigstens zwei Transistoren, die miteinander in Reihe und
mit der jeweiligen Solarzellen-Kette parallel geschaltet sind. Jeder Transistor
umfasst einen Steuer- und/oder Regelungsanschluss. Eine Steuer-
und/oder Regelungslogik für
jedes Bypass-Bauteil stellt ein Steuer- und/oder Regelungssignal
für den
Steuer- und/oder Regelungsanschluss von jedem der wenigstens zwei Transistoren
bereit. Das Steuer- und/oder Regelungssignal schaltet die wenigstens
zwei Transistoren ein, so dass Strom durch die wenigstens zwei Transistoren
fließt,
wodurch die jeweilige Solarzellen-Kette überbrückt wird, wenn wenigstens eine
Solarzelle der jeweiligen Kette keine Energie erzeugt.
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Gemäß einer
anderen Ausführung
der Erfindung ist ein Bypass-Bauteil zum Verwenden mit einer Solarzellen-Kette
oder -Reihe bereitgestellt. Jede Solarzelle erzeugt bei Licht Energie.
Strom kann durch alle Solarzellen der Kette fließen, um die Energie, die durch
die Solarzellen der Kette erzeugt wird, an eine Last nach außen abzugeben.
Das Bypass-Bauteil stellt einen Bypass-Weg für die Solarzellen-Kette bereit,
falls wenigstens eine Solarzelle der Kette keine Energie erzeugt.
Das Bypass-Bauteil umfasst wenigstens zwei Transistoren, die miteinander
in Reihe und mit der Solarzellen-Kette parallel geschaltet sind,
wobei jeder Transistor einen Steuer- und/oder Regelungsanschluss
aufweist. Eine Steuer- und/oder Regelungslogik für das Bypass-Bauteil stellt
ein Steuer- und/oder Regelungssignal für den Steuer- und/oder Regelungsanschluss
jedes Transistors bereit. Das Steuer- und/oder Regelungssignal schaltet
die wenigstens zwei Transistoren ein, so dass Strom durch die wenigstens
zwei Transistoren fließt,
wodurch die Solarzellen-Kette überbrückt wird, wenn
wenigstens eine Solarzelle der Kette keine Energie erzeugt.
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Wichtige
technische Vorteile der Erfindung sind für einen Fachmann aus den folgenden
Figuren, Beschreibungen und Ansprüchen ersichtlich. Zum vollständigeren
Verständnis
der Erfindung und hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile wird
nun auf die folgende Beschreibung in Verbindung mit den beigelegten
Zeichnungen Bezug genommen.
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1 ist
ein Blockschaltbild eines Solar-Modul-Systems mit Bypass-Bauteilen
gemäß einer
Ausführung
der Erfindung.
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2 ist
eine beispielhafte Ausführung
für ein
Halbleiterpacket mit zwei Ästen
für ein
Bypass-Bauteil gemäß einer
Ausführung
der Erfindung.
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3 ist
eine beispielhafte Ausführung
eines Steuer- und/oder Regelungsschaltkreises gemäß einer
Ausführung
der Erfindung.
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4 ist
ein beispielhaftes Wellenform-Diagramm für den Betrieb eines Bypass-Bauteils
gemäß einer
Ausführung
der Erfindung.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Ausführungen
der Erfindung und ihre Vorteile sind am besten durch Bezugnahme
auf die 1 bis 4 der Zeichnungen
zu verstehen. Gleiche Bezugszeichen werden für gleiche und übereinstimmende
Teile der verschiedenen Zeichnungen verwendet.
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1 ist
ein Blockschaltbild von einem Solar-Modul-System 10 gemäß einer
Ausführung
der Erfindung. Im Allgemeinen erzeugt das Solar-Modul-System 10 bei
Licht Energie (z. B. Spannung) und gibt die Energie an eine Last
(RLast) 12 ab, die z. B. ein Solar-Invertierer oder -Wandler
sein kann. Das Solar-Modul-System 10 umfasst mehrere Solar-Module 14,
die miteinander und an die Last 12 gekoppelt sind. Die
hier verwendeten Begriffe „gekoppelt" oder „geschalten" oder jegliche Variante
davon decken jegliche Verbindung oder Kopplung, entweder direkt
oder indirekt, zwischen zwei oder mehreren Bauteilen oder Komponenten
ab. Wenigstens einige Solar-Module 14 können in dem System 10 in
Reihe geschaltet sein.
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Jedes
Solar-Modul 14 umfasst eine oder mehrere Ketten 16 von
Solarzellen 18 und ein Bypass-Bauteil 20. Für jedes
Solar-Modul 14 sind die Solarzellen 18 in jeder
Kette 16 in Reihe geschaltet. Die Solarzellen 18 können gemäß Techniken
ausgeführt
sein, die von einem gewöhnlichen
Fachmann verstanden werden. Wenn Solarzellen Lichtenergie ausgesetzt
sind, kann jede Solarzelle 18 in einer Kette 16 Energie
erzeugen. Um Energie, die in den Solarzellen 18 der Kette 16 erzeugt
wurde, abzugeben, kann Strom durch die Reihe von Solarzellen 18 in
der Kette fließen.
Dieser Strom kann eine Größe von zum Beispiel
10 A aufweisen. Falls irgendeine Solarzelle 18 einer Kette 16 bedeckt
oder beschattet ist (entweder vollständig oder teilweise), kann
diese Solarzelle 18 keine Energie erzeugen. In diesem Fall
kann Strom entweder nicht durch die Kette 16 fließen oder der
Stromfluss ist wesentlich behindert oder unterbrochen.
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Das
Bypass-Bauteil 20 trägt
oder stellt für
jedes Solar-Modul 14 einen Bypass-Weg oder einen Stromkreis
bereit, damit Strom durch das Solar-Modul 14 fließen kann,
wenn eine oder mehrere der Solarzellen 18 in dem Modul 14 bedeckt
oder beschattet sind (was den Stromfluss durch die jeweilige Kette 16 erschweren
würde).
Wie dargestellt ist, umfasst jedes Bypass-Bauteil 20 wenigstens
zwei Schalter oder Transistoren 22 und eine Steuer- und/oder
Regelungsschaltung 24.
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Die
Transistoren 22 jedes Bypass-Bauteils 20 sind
miteinander in Reihe geschaltet. Ferner sind die in Reihe geschalteten
Transistoren 22 mit der jeweiligen Kette 16 der
Solarzellen 18 in dem Solar-Modul 14 parallel
geschaltet. Bei einer Ausführung
kann jeder Transistor 22 als ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
(MOSFET) ausgebildet sein, obwohl jegliche andere geeignete Energievorrichtung
(z. B. ein IGBT, ein MOS-gated-Thyristor oder JFET) verwendet werden
kann. Jeder Transistor 22 hat einen Steuer- und/oder Regelungsanschluss (z.
B. Tor oder Gatter (gate)), an den ein jeweiliges Steuer- und/oder
Regelungssignal zum Ein- und Ausschalten des jeweiligen Transistors 22 abgegeben
wird, so dass durch den Transistor Strom fließen kann.
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Jeder
Transistor 22 kann eine relativ kleine Größe mit jeweiligen
betriebsgemäßen Parametern oder
Charakteristiken aufweisen. Ein kleiner Transistor kann zum Beispiel
einen relativ kleinen Rdson (Einschaltwiderstand) aufweisen, wie
zum Beispiel 2 mOhm. Jeder Transistor 22 kann ebenfalls
eine Durchbruch- oder Sperrspannung mit einem bestimmten Wert aufweisen,
wie zum Beispiel 20 V. Die Durchbruchspannung ist die minimale Spannung,
die an dem Transistor 22 auftreten muss, bevor Strom durch
den Transistor fließt,
selbst wenn der Transistor nicht durch eine angemessene Spannung,
die an seinem Steuer- und/oder Regelungsanschluss (z. B. Gatter)
angelegt ist, eingeschaltet ist.
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Da
die Transistoren 22 in dem Bypass-Bauteil 20 in
Reihe geschaltet sind, ist die Gesamtdurchbruchspannung an den Transistoren 22 in
etwa gleich der Summe der Durchbruchspannungen der einzelnen Transistoren.
Deshalb wird, wenn zum Beispiel zwei Transistoren 22 in
dem Bypass-Bauteil vorhanden sind und jeder Transistor 22 eine
Durchbruchspannung von 20 V aufweist, die Gesamtspannung der Transistoren 22 des
Bypass-Bauteils etwa 40 V betragen.
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Die
Steuer- und/oder Regelungsschaltung 24 für jedes
Bypass-Bauteil 20 stellt Steuer- und/oder Regelungssignale zum Ein-
und Ausschalten der jeweiligen Transistoren 22 bereit.
Die Steuer- und/oder Regelungsschaltung 24 kann überwachen
oder Anzeichen empfangen, ob eine oder mehrere der Zellen 18 der
jeweiligen Kette 16 beschattet oder bedeckt sind und deshalb
weder Energie erzeugen noch Strom leiten. Bei einer Ausführung kann
dies durch die Überwachung
oder die Berücksichtigung
des Gesamtspannungspotentials an den Transistoren 22 des
Bypass-Bauteils 20 erreicht werden, das dasselbe Potential
ist, wie das Gesamtspannungspotential an der jeweiligen Kette 16 von
Solarzellen 18 in dem Solar-Modul 14.
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Wenn
das Gesamtspannungspotential an der Kette 16 von Solarzellen 18 in
dem Solar-Modul 14 eine entsprechende Schwelle (die einen
vorbestimmten Wert haben kann) nicht überschreitet oder nicht negativ
ist, dann ist es wahrscheinlich, dass alle Solarzellen 18 in
der Kette 16 Energie erzeugen und Strom leiten. In diesem
Fall ist es nicht notwendig, Strom von der Kette 16 zu überbrücken. Die
Steuer- und/oder Regelungsschaltung 24 gibt Steuer- und/oder
Regelungssignale ab, die die Transistoren 22 in dem Bypass-Bauteil 20 nicht
einschalten.
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Falls
das Gesamtspannungspotential an der Kette 16 von Solarzellen 18 in
dem Solar-Modul 14 die bestimmte Schwelle (die einen vordefinierten Wert
haben kann) überschreitet
oder negativ ist, ist es wahrscheinlich, dass eine oder mehrer Solarzellen 18 in
der Kette 16 bedeckt oder beschattet sind und deshalb keinen
Strom leiten. Die Steuer- und/oder Regelungsschaltung 24 wird
Steuer- und/oder Regelungssignale abgeben, um die Transistoren 22 einzuschalten.
Dies ermöglicht
es, dass Strom durch die Transistoren 22 fließt, wodurch
die jeweilige Kette 16 von Solarzellen 18 überbrückt ist.
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Die
Verwendung von zwei oder mehreren Transistoren 22 in jedem
Bypass-Bauteil 20 stellt einen technischen Vorteil gegenüber einigen
bekannten Ausführungen
dar, die entweder eine Diode oder einen einzelnen Transistor zur
Stromüberbrückung verwendet
haben.
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Bei
einem Dioden-Bypass-Bauteil können Spannungsverluste
signifikant sein. Zum Beispiel führt
eine Schottky-Diode mit einer Durchlaßspannung (Vf) von 0,5 V bei
einer Stromgröße von 10
A zu einem Leistungsverlust von 5 W (d. h. Pv = 10 A·0,5 V).
Ferner erzeugen die hohen Verluste eine signifikante Wärme, die
durch einen Kühlkörper abgebaut werden
muss. Solch ein Kühlkörper vergrößert die Größe und die
Kosten für
die Ausführung
eines Bypass-Bauteils.
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Bei
einer Bypass-Ausführung
mit einem einzelnen Transistor wird der Steuer- oder Treiber-Schaltkreis (drive
circuit) zum Einschalten des Bypass-Transistors mit der Sperrspannung
des Bypass-Transistors versorgt, der dem Spannungsabfall über der
Körperdiode
des einen Transistors entspricht. Der Spannungsabfall ist relativ
gering (z. B. etwa 0,5 V) und kann aus sich selbst heraus im Allgemeinen
keine ausreichende Gatter- Steuer- oder Treiberspannung (gate driving
voltage) für
den Transistor bereitstellen. Um eine adäquate Gatter-Treiberspannung
zu erzeugen, ist es notwendig, eine selbstoszillierende Schaltung
und einen Transformator zu verwenden. Der Transformator kann nicht
in einer integrierten Schaltung (integrated circuit = IC) ausgeführt werden,
sondern wird stattdessen typischerweise in einer separaten eigenständigen Vorrichtung
ausgebildet. Deshalb muss die Gatter-Treiberspannung für eine Bypass-Ausführung mit
einem einzelnen Transistor auf einer gedruckten Leiterplatte (printed
circuit board = PCB) ausgeführt
werden, die teuerer ist als eine vollständig integrierte Ausführung. Zusätzlich kann
der Transistor, wenn er durch eine einfache selbstoszillierende
Schaltung betrieben wird, während
des Betriebs in einem linearen Modus (nicht vollständig eingeschaltet)
sein, was weniger effizient ist. Ferner bringt die selbstoszillierende
Schaltung zusätzliche
Komplexität
für die
Ausführung
mit sich. Ebenso hat ein größer bemessener
Transistor gemäß den bekannten
Ausführungen
typischerweise einen höheren
Rdson (z. B. 5 mOhm) als kleinere Transistoren. Der höhere Rdson
des größer bemessenen
Transistors ist ebenfalls weniger effizient.
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Bei
der Ausführung
mit mehreren Transistoren (Verwendung von zwei oder mehreren Transistoren 22 im
Bypass-Bauteil 20) fließt der Strom, wenn der Betrieb
des Bypass-Bauteils 20 beginnt, durch die Körperdioden
der Bypass-Transistoren 22. Der Spannungsabfall an zwei
oder mehreren Dioden (1,0 V oder mehr) ist wenigstens zwei Mal so
groß wie
der Spannungsabfall von einer Bypass-Ausführung mit einem einzelnen Transistor.
Durch solch einen hohen Spannungsabfall ist es verglichen mit einer
Bypass-Ausführung
mit einem einzelnen Transistor, die nur eine Körperdiode aufweist, viel einfacher,
eine integrierte Schaltung (IC) zu betreiben, die die Gatterspannungen
(gate voltages) erzeugt. Deshalb kann die Gatter-Treiberspannung in einer integrierten Schaltung
(IC) erzeugt werden, weshalb verglichen mit einer Überbrückung durch
einen einzelnen Transistor von bekannten Ausführungen eine kleinere weniger
teuere Ausführung
ermöglicht
wird. Eine gedruckte Leiterplatte (PCB) wird für die Ausführung des Bypass-Bauteils 20 gemäß den Ausführungen der
Erfindung nicht benötigt.
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Bei
einigen Ausführungen
können
zum Beispiel alle oder ein Teil von jedem Bypass-Bauteil 20 auf
einer einzelnen oder mehreren Halbleiterplatten (gängigerweise
als „Chip
bezeichnet) ausgebildet werden. Jede Platte weist eine monolythische
Struktur auf, die zum Beispiel aus Silizium oder einem anderen geeigneten
Material gebildet ist. Bei einer Ausführung ist zum Beispiel jeder
Bypass-Transistor 22 auf einem separaten Chip ausgebildet
und die Steuer- und/oder
Regelungsschaltung 24 ist auf einem weiteren Chip ausgebildet.
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Ferner
können
bei einigen Ausführungen
alle oder ein Teil jedes Bypass-Bauteils 20 in einem einzelnen
Halbleiterpacket enthalten oder ausgebildet sein, das eine relativ
kleine Ausführungsgröße aufweist
(speziell im Vergleich zu einer PCB-Ausführung). Deshalb sind z. B.
Chips für
die Bypass-Transistoren 22 und die Steuer- und/oder Regelungsschaltung 24 in
einem Halbleiterpacket enthalten.
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Bei
einigen Ausführungen
kann das einzelne Halbleiterpacket für das Bypass-Bauteil 20 zwei
Leitungsanschlüsse
(z. B. Äste)
aufweisen. Das ermöglicht
es, dass das Bypass-Bauteil 20 gemäß den Ausführungen der Erfindung einen
Ersatz für
eine Diodenausführung
(die selbst zwei Äste
aufweist) darstellt.
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Falls
eine höherer
Gatter-Treiberspannung zum betreiben der Transistoren 22 notwendig
oder gewünscht
ist, kann bei einigen Ausführungen
die Versorgungsspannung zum Erzeugen der höheren Steuer- oder Treiberspannung
(driving voltage) intern durch eine Topologie geschaffen sein, die
zum Beispiel eine invertierende oder Umkehr-Ladepumpe, eine Invertierer-
oder Wandler-Schaltung, eine Aufwärts-Abwärts-Schaltung (Buck-Boost-Schaltung) oder
einen CUK-Konverter aufweist. Eine Topologie mit einer Ladepumpe
verwendet einen oder mehrere Kondensatoren zum Entwickeln eines
hohen Spannungsniveaus aus einem niedrigen Spannungsniveau. Bei
einer Ladepumpen-Topologie für
das Bypass-Bauteil 20 können
die Kondensatoren in das Silizium von einem oder mehreren Chips
oder wenigstens in das einzelne Halbleiterpacket integriert sein. Eine
Topologie mit einer Invertierer- oder Wandler-Schaltung verwendet
einen Induktor oder eine Induktivität. Solch ein Induktor kann
zum Beispiel mit Bonddraht ausgeführt sein, wodurch es möglich ist, dass
er ebenfalls in ein einzelnes Halbleiterpacket integriert ist. Ein
Hochfrequenz-DC/DC-Konverter (z. B. mit einer Frequenz größer als
10 Mhz) kann in solch einer Invertierer-Schaltungs-Topologie verwendet
werden, um die notwendige Spannung an Gatter und Quelle (Gate-to-Source-Spannung)
der Transistoren 22 zu kreieren. Da wenig Strombedarf und
kein Dauerbetrieb vorhanden ist, ist solch ein Hochfrequenz-Konverter
im Vergleich zu DC/DC-Konvertern leichter auszuführen.
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Ferner
kann eine hohe Versorgungsspannung helfen, die Transistoren 22 des
Bypass-Bauteils 20 genauer zu steuern und/oder zu regeln.
Insbesondere kann die Verwendung einer höheren Versorgungsspannung verhindern,
dass die Transistoren 22 in einem linearen Modus arbeiten,
weshalb die Leistung oder Effizienz des Bypass-Bauteils 20 gefördert oder
verbessert wird. Dies stellt einen technischen Vorteil gegenüber einigen
bekannten Ausführungen dar,
in denen der Bypass-Transistor zumindest teilweise in einem linearen
Modus arbeitet, was weniger effizient ist.
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Außerdem wird
bei einer Ausführung
mit mehreren Transistoren (Verwendung von zwei oder mehreren Transistoren 22 in
dem Bypass-Bauteil 20), wenn negativer Strom durch die
Bypass-Transistoren fließt,
der Spannungsabfall über
zwei Körperdioden
verdoppelt oder noch weiter erhöht,
zum Beispiel auf mehr als 1,0 V. Diese Spannung ist ausreichend
für das
Betreiben von Ultraniedrigenergie(ultra low power = ULP)-Logikbauteilen,
weshalb eine Ausführung
an einer integrierten Schaltung (IC) ermöglicht wird. Gleichzeit sind
andere IC-Prozesse verfügbar,
die bei Spannungen über
1,0 V betrieben werden.
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2 ist
eine beispielhafte Ausführung
eines Halbleiterpackets 50 mit zwei Ästen für ein Bypass-Bauteil 20 gemäß einer
Ausführung
der Erfindung. Das Packet 50 hat einen ersten Leitungsanschluss
oder einen Ast 52 und einen zweiten Leitungsanschluss oder
einen Ast 54. Der erste Leitungsanschluss/der erste Ast 52 kann
mit einem Ende der jeweiligen Kette 16 für das Solar-Modul 14 verbunden
sein, während
der zweite Leitungsanschluss/der zweite Ast des Packets 50 mit
dem anderen Ende der Kette 16 verbunden sein kann.
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Die
Ausführung
mit einem Halbleiterpacket 50 mit zwei Ästen für ein Bypass-Bauteil 20 ist
möglich,
weil jeder der zwei oder mehreren Transistoren 22 in dem
Bypass-Bauteil 20 relativ klein sein kann, so dass er mit
einem kleinen Gatter- Steuer- oder Treiber-Schaltkreis (gate driving
circuit) betrieben werden kann. Solch ein kleiner Gatter-Treiber-Schaltkreis
kann in einer integrierten Schaltung (IC) ausgeführt sein. Bei einigen Ausführungen
ist es deshalb, da das Bypass-Bauteil 20 mit einer integrierten Schaltung
(IC) betrieben werden kann, nicht notwendig, viele der Bauteile,
wie einen Transformator, zu verwenden, die typischerweise zum Erzeugen
der Gatter-Treiberspannungen für
eine Ausführung
mit einem einzelnen Transistor benötigt werden und die eine PCB-Ausführung erfordern.
Deshalb kann das Packet 50 relativ klein sein. Ferner wird
kein zusätzlicher
(dritter) Ast zum externen Bereitstellen einer hohen Spannung für das Bypass-Bauteil 20 benötigt. Das
ermöglicht
es, dass das Bypass-Bauteil 20 gemäß den Ausführungen
der Erfindung, einen Ersatz für
eine Diodenausführung
(die selbst zwei Äste
aufweist) darstellt.
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3 ist
eine beispielhafte Ausführung
von einer Steuer- und/oder Regelungsschaltung 24 gemäß einer
Ausführung
der Erfindung. Separate Steuer- und/oder Regelungsschaltungen 24 können für jedes
Bypass-Bauteil 20 in dem Solar-Modul-System 10 bereitgestellt
sein. Die Steuer- und/oder Regelungsschaltung 24 stellt
Steuer- und/oder Regelungssignale zum Ein- und Ausschalten der jeweiligen Transistoren 22 für das Bypass-Bauteil 20 bereit.
Wie gezeigt wird, umfasst die Steuer- und Regelungsschaltung 24 bei
einer Ausführung
einen Steuer- oder Treiber-Schaltkreis (driver circuit) 100,
einen Komparator oder Vergleicher 102, einen Kondensator 104, einen
DC/DC-Konverter 106 und einen Schalter 108.
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Das
Spannungspotential an den Transistoren 22, welches das
gleiche Spannungspotential ist, wie das Spannungspotential an der
Kette 16 von Solarzellen 18, ist Vds. Falls Vds
einen größeren Wert als
0 V aufweist, fließt
Strom durch alle Solarzellen 18 der Kette 16.
In diesem Fall ist es für
das Bypass-Bauteil 20 nicht notwendig die Überbrückungstätigkeit
auszuführen.
Falls Vds einen Wert von etwa 0 V oder weniger aufweist, fließt der Strom
dagegen nicht durch alle Zellen 18 der Kette 16.
Das bedeutet, dass eine oder mehrere der Solarzellen bedeckt oder beschattet
sind (oder ansonsten nicht tätig
sind, um Energie zu erzeugen). In dieser Situation sollten die Transistoren 22 des
Bypass-Bauteils 20 eingeschalten sein, so dass Strom durch
die Transistoren fließen
kann und deshalb die Solarzellen-Kette 16 des Solar-Moduls 14 überbrücken kann.
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Schalter 108 ist
an ein Ende der Solarzellen-Kette 16 gekoppelt. Falls Vds
einen Wert von mehr als 0 V hat, ist der Schalter 108 ausgeschaltet. Wechselseitig
ist, falls Vds einen Wert von etwa 0 V oder weniger hat, der Schalter 108 eingeschaltet. DC/DC-Konverter 106 wandelt
eine niedrigere negative Spannung in eine höhere positive Spannung um. Der
Kondensator 104 wird durch die Abgabe oder den Output des
DC/DC-Konverters 106 aufgeladen. Der Schalter 108 verbindet
den DC/DC-Konverter 106 mit Vds. Bei einer Ausführung, zum
Beispiel falls Vds weniger als –1,0
V aufweist, kann der DC/DC-Konverter 106 diese Spannung
in höhere
positive Spannung konvertieren oder umwandeln und den Kondensator 104 aufladen.
Der Kondensator 104 kann eine Treiberspannung für den Treiber-Schaltkreis 100 bereitstellen.
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Der
Komparator oder Vergleicher 102 vergleicht die Spannung
an dem Kondensator 104 und gibt als Reaktion darauf Steuer-
und/oder Regelungssignale ab. Der Treiber-Schaltkreis 100 spricht auf
die Signale von dem Komparator 102 an. Der Treiber-Schaltkreis 100 stellt
Treibersignale zum Steuern und/oder Regeln des Ein- und Ausschaltens der
Transistoren 22 des Bypass-Bauteils 20 bereit. Falls
Vds einen Wert von mehr als 0 V (Strom fließt durch die Kette 16 der
Solarzellen 18) aufweist, wird der Treiber-Schaltkreis 100 Steuer-
und/oder Regelungssignale mit Werten, die die Transistoren 22 nicht einschalten,
abgeben. Wechselweise wird der Treiber-Schaltkreis, falls Vds einen
Wert von etwa 0 V oder weniger (Strom fließt nicht durch alle Zellen 18 der
Kette 16) aufweist, anfänglich
fortfahren, Steuer- und/oder Regelungssignale mit Werten, die diese Transistoren 22 nicht
einschalten, abzugeben, wenn die Spannung an dem Kondensator 104 von
0 V ansteigt.
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Wenn
die Spannung an dem Kondensator 104 einen bestimmten Wert
erreicht (z. B. 8 V), bewirkt der Komparator 102, dass
der Treiber-Schaltkreis 100 Steuer- und/oder Regelungssignale
abgibt, um die Transistoren 22 einzuschalten, weshalb es
ermöglicht
wird, dass Strom durch die Transistoren fließt und die Solarzellen-Kette 16 überbrückt.
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Wenn
die Spannung an dem Kondensator 104 von 8 V auf einen anderen
bestimmten Wert (z. B. 4 V) fällt,
bleiben die Transistoren eingeschaltet. Der Kondensator 104 wird
wegen einer Stromaufnahme von dem Treiber-Schaltkreis 100,
Komparator 102 und anderen Leckströmen entladen. Danach, wenn
die Spannung an dem Kondensator 104 den anderen Wert erreicht
(z. B. 4 V), schaltet der Treiber-Schaltkreis 100 die Transistoren 22 aus,
um die Transistoren 22 daran zu hindern, in einem linearen Modus
zu arbeiten. Ein weiterer Vorteil des Abschaltens der Transistoren 22 bei
einem bestimmten Niveau ist, dass der Rdson von einem MOSFET steigt, wenn
seine Gatter-Spannung sich verkleinert. Ein höherer Rdson hat eine geringere
Effizienz (oder höhere
Verluste) zur Folge. Es ist wünschenswert
die Verluste zu steuern und/oder zu regeln, insbesonders, wenn kein
Kühlkörper bereitgestellt
ist.
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Bei
einer Ausführung
für diese
Phase, wenn die Transistoren 22 eingeschaltet sind, kann
der Spannungsabfall über
die zwei Transistoren 22 relativ klein sein (z. B. 50 mV).
Diese Spannung ist mit der Eingabe oder dem Input des DC/DC-Konverters 106 verbunden,
der nicht bei einer solch niedrigen Spannung arbeiten kann.
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Im
nächsten
Schritt, wenn der Treiber-Schaltkreis 100 die Transistoren 22 ausschaltet, wird
die Eingabe- oder Input-Spannung des DC/DC-Konverters 106 wegen
des Spannungsabfalls über
zwei Dioden auf ungefähr
1,2 V ansteigen. Der DC/DC-Konverter 106 wird den Kondensator 104 wieder
bis auf zum Beispiel 8 V aufladen.
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Bei
einer Ausführung
verwendet der Treiber-Schaltkreis 100 die Spannung, die
an dem Kondensator 104 gespeichert ist, zum Bereitstellen
der Steuer- und/oder Regelungssignale zum Einschalten oder Betreiben
der Transistoren 22. Deshalb werden keine Batterien oder
zusätzliche
Drähte
(zum Beispiel verbunden mit irgendeiner der Solarzellen) benötigt, um
das Bypass-Bauteil 20 zu mit Energie zu versorgen oder
umzusetzen. Die Spannung zum Betreiben der Transistoren 22 wird
so intern innerhalb des Bypass-Bauteils 20 bereitgestellt.
Das ermöglicht
es, dass das Bypass-Bauteil 20 kompatibel mit den existierenden
Passungen für
Solarzellenmodule, die für
eine Bypass-Diode ausgeführt
sind, ist.
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4 ist
ein beispielhaftes Wellenform-Diagramm 200 für den Betrieb
von einem Bypass-Bauteil 20 gemäß einer Ausführung der
Erfindung. Diagramm 200 umfasst eine Wellenform 202 für den Spannungsabfall
Vds über
die Transistoren 22 in dem Bypass-Bauteil 20 und
eine Wellenform 204 für die
Spannung an Gatter und Quelle (Gate-to-Source-Spannung Vgs) oder
Treiberspannung der Transistoren 22.
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Diagramm 200 zeigt
Wellenformen für
das Bypass-Bauteil 20, das betrieben wird, um die Solarzellen-Kette 16 zu überbrücken, wenn
eine oder mehrere Solarzellen 18 in dem jeweiligen Solarzellenmodul 14 beschattet
oder bedeckt sind und so keine Energie erzeugen.
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Wenn
das Bypass-Bauteil 20 am Anfang beginnt, die Solarzellen-Kette 16 zu überbrücken, kann Vds
für die
Transistoren 22 auf einem ersten Niveau sein (z. B. –1,2 V).
Die Bypass-Transistoren 22 sind eingeschaltet.
Hier arbeitet der mit Vds größer als
1,0 V versorgte DC/DC-Konverter 106, um den Kondensator 104 auf
eine höhere
Spannung aufzuladen, z. B. von 4 V auf 9 V. Zu diesem Anfangszeitpunkt
hat das Bypass-Bauteil 20 höhere Verluste.
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Wenn
der Kondensator 104 sich bis auf einen bestimmten Wert
aufgeladen hat (welcher festgelegt sein kann), versorgt der Kondensator 104 die Einschalt-Spannung
für die
Bypass-Transistoren 22. Hier
kann Vds für
die Transistoren 22 auf einem zweiten Niveau (z. B. –50 mv)
sein. Zu diesem Zeitpunkt hat das Bypass-Bauteil 20 geringere
Verluste.
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Deshalb
ist die Treiberspannung an dem Gatter der Transistoren 22 anfangs
höher (z.
B. etwa 8 V), verringert sich aber mit der Zeit auf einen kleineren
Wert (z. B. etwa 4 V).
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Obwohl
die Erfindung und ihre Vorteile im Detail beschrieben wurden, sollte
verstanden sein, dass verschiedene Veränderungen, Substitutionen und
Abwechslungen gemacht werden können,
ohne sich von dem Sinn und dem Umfang der Erfindung, wie durch die
beigelegten Ansprüche
definiert, zu entfernen. Das bedeutet, dass die Diskussion in dieser
Anmeldung dazu beabsichtigt ist, als eine grundsätzliche Beschreibung zu dienen.
Es sollte verstanden sein, dass die spezifische Diskussion nicht
alle möglichen
Ausführungen
explizit beschreiben kann; viele Alternativen sind implizit. Die
Diskussion kann ebenfalls die generische Natur der Erfindung nicht vollständig erklären und
kann nicht explizit aufzeigen, wie jedes Merkmal oder Bauteil tatsächlich repräsentativ
für eine
breitere Funktion oder für
eine große Vielfalt
von Alternativen oder äquivalenten
Bauteilen sein kann. Diese seien wiederum implizit in dieser Offenbarung
umfasst. An den Stellen, an denen die Erfindung in vorrichtungsorientierter
Terminologie beschrieben ist, führt
jedes Bauteil der Vorrichtung eine Tätigkeit aus. Weder die Beschreibung
noch die Terminologie beabsichtigt den Umfang der Ansprüche zu limitieren.
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- 10
- Solar-Modul-System
- 12
- Last
oder RLast, zum Beispiel Solar-Invertierer oder -Wandler
- 14
- Solar-Modul
- 16
- Solarzellen-Kette
- 18
- Solarzelle
- 20
- Bypass-Bauteil
- 22
- Transistor
- 24
- Steuer-
und/oder Regelungsschaltung
- 50
- Halbleiterpacket
- 52
- erster
Leitungsanschluss oder erster Ast
- 54
- zweiter
Leitungsanschluss oder zweiter Ast
- 100
- Steuer-
oder Treiber-Schaltkreis (driver circuit)
- 102
- Komparator
oder Vergleicher
- 104
- Kondensator
- 106
- DV/DC-Konverter
- 108
- Schalter
- 200
- Wellenform-Diagramm
des Betriebs des Bypass-Bauteils 20
- 202
- Wellenform-Diagramm
des Spannungsabfalls Vds an den Transistoren 22
- 204
- Wellenform-Diagramm
der Gate-to-Source-Spannung Vgs oder Treiberspannung der Transistoren 22