DE102008032170A1 - Eine Herstellungsmethode einer lichtemittierenden Diode - Google Patents

Eine Herstellungsmethode einer lichtemittierenden Diode Download PDF

Info

Publication number
DE102008032170A1
DE102008032170A1 DE102008032170A DE102008032170A DE102008032170A1 DE 102008032170 A1 DE102008032170 A1 DE 102008032170A1 DE 102008032170 A DE102008032170 A DE 102008032170A DE 102008032170 A DE102008032170 A DE 102008032170A DE 102008032170 A1 DE102008032170 A1 DE 102008032170A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chip
light
emitting diode
area
circuit layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102008032170A
Other languages
English (en)
Inventor
Chih-Yung Ting
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ALPHA PHOTONITEK CORP., TAIPEI, TW
Original Assignee
Lee Ko-Hsin Hsintien City
Sun Tseng-Bao Hsintien
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lee Ko-Hsin Hsintien City, Sun Tseng-Bao Hsintien filed Critical Lee Ko-Hsin Hsintien City
Publication of DE102008032170A1 publication Critical patent/DE102008032170A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10969—Metallic case or integral heatsink of component electrically connected to a pad on PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Bei der vorliegenden Erfindung handelt es sich um eine Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode, insbesondere eine solche Ausführungsart, die ein leichteres und schnelleres Ableiten der Abwärme und zur Nutzung eines Chips (4) ermöglicht. Eine hinzugefügte Metallschaltkreisschicht (3) aus geätztem Metall ist auf einer Oberfläche eines wärmeableitfähigen Trägermaterials (1), mit dem die Metallschaltkreisschicht (3) mit einem lötfesten Schutzfilm (5) abgedeckt wird, beschichtet. Eine hochreflektierende Oberfläche eines Bereiches zwischen den Drahtanhaftbereichen (32) wird behandelt, um einen mit einem Chip eingebetteten Bereich (33) zu bilden, den Chip mit der lichtemittierenden Diode im mit dem Chip eingebetteten Bereich anzuhaften, den Chip elektrisch mit den Lötverbindungen der Drahtanhaftbereiche (32) mit den Drähten zu verbinden und um einen Klebstoff auf die Oberfläche des gesamten Trägermaterials (1), einschließlich auf den mit dem Chip eingebetteten Bereich (33) und auf die Drahtanhaftbereiche (32), aufzutragen, um so einerseits den Chip zu verdrahten und um andererseits die lichtemittierende Diode nachfolgend zu ummanteln. Diese Ausführungsart garantiert eine gute Wärmeableitfähigkeit, einen verbesserten Effekt der Lichtextraktion für die Lichtreflexion und ermöglicht eine praktischere Anwendbarkeit der lichtemittierenden Diode.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • (a) Umfeld der Erfindung
  • Bei der vorliegenden Erfindung handelt es sich um eine Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode, insbesondere eine Herstellmethode, mit der die Abwärme von einem Chip leichter und schneller abgeleitet und die Effizienz der Lichtreflexion verbessert wird, wobei einerseits mit einer Metallschicht eines mit einem Chip eingebetteten Bereiches die Abwärme vom Chip seitlich schneller abgeleitet wird und andererseits mit der hochreflektierenden Oberfläche der Metallschicht das Licht besser genutzt und das Licht für die lichtemittierende Diode leichter und praktischer extrahiert wird.
  • (b) Beschreibung der herkömmlichen Ausführungsart
  • Als einen Teil der energischen Entwicklung der modernen Technologien besitzen zahlreiche technologische Erzeugnisse ziemlich anspruchsvolle und außerordentliche Funktionen. Ungeachtet ob bei der Arbeit oder im Alltagsleben ermöglichen diese technologische Produkte den Benutzern eine schnelle und praktische Benutzbarkeit und vereinfachten den Benutzern unterschiedliche Arbeitsschritte und Vorgänge im Alltagsleben. In allen Modellen der technologischen Produkte ist zum Steigern und Verbessern der Funktionen der Produkte üblicherweise ein Chip-Ummantelungselement vorgesehen. Ein herkömmlicher Chip wird mit einer Technik zum direkten Befestigen des Chips (oder ein Chip On Board; COB) ummantelt, was eine der Methoden zum Ummanteln eines integrierten Schaltkreises (IS) darstellt, wobei mit dieser Methode ein bloßer Chip direkt auf eine gedruckte Leiterplatte angehaftet und ummantelt wird. Die COB-Technik umfaßt drei Grundschritte: Gesenkfassung, Drahtkontaktieren und Ummanteln der Gesenke und Drähte. Mit der COB-Technik werden die Schritte zum Ummanteln und Prüfen während dem Herstellvorgang der IS effektiv und direkt auf die Schritte zum Zusammenbauen der Leiterplatten übertragen. Diese Ummantelungstechnik stellt tatsächlich nur einen kleinen Teil der Oberflächenmontagetechnik dar. Hinsichtlich der Stromleitfähigkeit werden Drähte zum Anhaften der Verbindungen auf der Leiterplatte oder auf dem Trägermaterial verwendet, um die Schaltung zu verbinden, wobei danach eine Außenseite mit der Ummantelungstechnik ummantelt wird.
  • Die 7 zeigt einen Ausschnitt einer Seitenansicht einer weiteren herkömmlichen Ausführungsart eines lichtemittierenden Chips, wobei sich ein Chip A auf einer Anhaftstelle B1 eines lötfesten Schutzfilmes eines dem Metallträgermaterials B (Trägermaterial aus Aluminium oder Kupfer) befindet; die Drähte A1, A2 auf dem Chip A mit Anhafteinlagen B2, B3 auf einer Isolierschicht B4 verbunden sind und eine Oberfläche des Metallträgermaterials B mit einem Klebstoff C beschichtet ist, um so die Einbettung des lichtemittierenden Chips A zu bilden. Die Peripherien des Chips A weisen jedoch keine Strukturen für eine leichtere und schnellere Wärmeableitung auf, so dass daher die Abwärme schlecht abgeleitet wird und die Abwärme des Chips A angestaut und dadurch die Zuverlässigkeit des Produktes beeinträchtigt wird.
  • Die 8 zeigt einen Ausschnitt einer Seitenansicht einer weiteren herkömmlichen Ausführungsart einer Einbettung für einen lichtemittierenden Chip, wobei der Chip A durch ein Loch B5 in der Isolierschicht B4 ragt und sich direkt auf dem Metallträgermaterial B befindet; die Drähte A1, A2 auf dem Chip A mit den Anhafteinlagen B2, B3 befestigt sind und mit dem Klebstoff C der Chip A ummantelt wird, um auf diese Weise die Einbettung eines weiteren lichtemittierenden Chips A zu schaffen. Obwohl die vom Chip A erzeugte Abwärme zum Metallträgermaterial B geleitet werden kann ist die Wirkung der Oberflächenreflexion neben den folgenden Nachteilen unzulänglich:
    • (1) Der Chip A ist auf der Anhaftstelle B1 des lötfesten Schutzfilmes angehaftet, so dass daher die Abwärme nicht leicht abgeleitet und nur ein Teil der Energie durch das Metallträgermaterial B in einer Längsrichtung nach außen geleitet wird, was dazu führt, dass die Temperatur des Chips A wegen der unzureichenden Wärmeableitung ansteigt und durch diese höhere Temperatur die Leistung und die Neutzungsdauer beeinträchtigt bzw. verkürzt werden.
    • (2) Der Chip A wird im runden Loch, welches nach unten zum Metallträgermaterial B gebohrt ist, angehaftet, so dass der Großteil des hellen Lichtes vom Chip A nach dem Streuen vom Metall absorbiert oder in einer rauhen Ebene aufgefangen wird, wenn der Chip A das Licht emittiert und wegen einem unzulänglichen Design des Mechanismus zur Verbesserung der Lichtreflexion, so dass die Leuchtstärke einerseits nicht verstärkt wird und dies andererseits zu einem verminderten Effekt der Lichtextraktion führt.
  • Das Ziel der Forschung und der Entwicklung zur Schaffung des Designs eines Gesamtaufbaus und einer Herstellmethode des lichtemittierenden Chips, mit der eine gute Wärmeableitung, die Abwärme schnell abgeleitet und die Leuchtstärke des emittierten Lichtes verbessert wird, basiert daher auf der Lösung der oben genannten Probleme und Nachteile der herkömmlichen Methode zur Ummantelung der lichtemittierenden Diode.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Das Hauptziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung einer Methode zum Herstellen einer lichtemittierenden Diode, wobei ein Verfahrensschritt der Herstellmethode ein Hinzufügen einer Metallschaltkreisschicht auf eine Oberfläche eines wärmeleitenden Trägermaterials; einem Bilden von mindestens einem Drahtkontaktierbereich auf der Metallschaltkreisschicht durch Ätzen; einem Bilden eines mit einem Chip eingebetteten Bereiches durch Behandeln einer hochreflektierenden Oberfläche auf der Metallschaltkreisschicht an den Peripherien der Drahtkontaktierbereiche; einem Anhaften eines Chips einer lichtemittierenden Diode im mit dem Chip eingebetteten Bereich; einem elektrischen Verbinden des Chips mit Drähten zu den Lötverbindungen der jeweiligen Drahtkontaktierbereiche; und dem Beschichten einer Gesamtfläche des Trägermaterials, einschließlich des mit dem Chip eingebetteten Bereiches und den Drahtkontaktierbereichen mit einem Klebstoff besteht. Auf diese Weise wird ein Chip mit einer lichtemittierenden Diode mit einer Einbettung ummantelt, wobei die Abwärme leicht und schnell abgeleitet, der Effekt der Lichtextraktion verbessert wird und die lichtemittierende Diode praktischer angewendet werden kann.
  • Für ein besseres Verständnis der genannten iele und der technischen Methoden der vorliegenden Erfindung folgt der nachstehenden Kurzbeschreibung der beigelegten Zeichnungen eine detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsarten.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 stellt ein Flußdiagramm einer Herstellmethode der vorliegenden Erfindung dar.
  • 2 zeigt eine Explosionsansicht der vorliegenden Erfindung.
  • 3 zeigt eine dreidimensionale Ansicht der vorliegenden Erfindung.
  • 4 zeigt einen Ausschnitt der 3 im Schnitt A-A'.
  • 5 zeigt eine Draufsicht der vorliegenden Erfindung.
  • 6 zeigt einen Ausschnitt einer Seitenansicht einer bevorzugten Ausführungsart nach der vorliegenden Erfindung.
  • 7 zeigt einen Ausschnitt einer Seitenansicht einer herkömmlichen Einbettung eines lichtemittierenden Chips.
  • 8 zeigt einen Ausschnitt einer Seitenansicht einer weiteren herkömmlichen Einbettung eines lichtemittierenden Chips.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSARTEN
  • Die 1 bis 3 stellen ein Flußdiagramm einer Herstellmethode dar bzw. zeigen eine Explosionsansicht und eine dreidimensionale Ansicht der vorliegenden Erfindung. Eine erfindungsgemäße Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode erfordert mindestens ein Trägermaterial 1, eine hitzeleitenden Isolierschicht 2, eine Metallschaltkreisschicht 3, einen Chip 4 und einen lötfesten Schutzfilm 5. Der Vorgang der Herstellmethode umfaßt folgende Schritte:
    • (100) Hinzufügen der auf dem Trägermaterial 1 aufgetragenen Isolierschicht 2, mit der die Abwärme gut abgeleitet wird und die mit einer guten Wärmeableitfähigkeit versehen ist;
    • (101) Befestigen der Isolierschicht 2 mit der Metallschaltkreisschicht 3, die mit einer Schaltunngsanordnung im voraus zusammengesetzt wurde und zumeist aus einer Kupferfolie 31 besteht;
    • (102) Ausführen eines Ätzvorgangs auf der Metallschaltkreisschicht 3 über dem Trägermaterial 1, um Drahtanhaftbereiche 32 zu bilden, die auf der Oberfläche des Trägermaterials 1 freigelegt sind, wobei ein Bereich der Peripherien der Drahtanhaftbereiche 32 als einen mit einem Chip eingebetteten Bereich ausgeführt ist, um einen Chip mit der lichtemittierenden Diode anzuhaften;
    • (103) Ausführen einer Behandlung der hochreflektierenden Oberfläche einer Oberfläche des mit dem Chip eingebetteten Bereiches 33;
    • (104) Anhaften des Chips 4 mit der lichtemittierenden Diode auf dem mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 auf der Oberfläche der Metallschaltkreisschicht 3;
    • (105) Elektrisches Verbinden des Chips 4 mit den Drähten 41 mit dem Inneren der Drahtanhaftbereiche 32 und
    • (106) Ausführen eines Ummantelungsvorgangs nach dem Verdrahten des Chips 4 der lichtemittierenden Diode.
  • Für die oben genannte Herstellmethode der vorliegenden Erfindung besteht das Trägermaterial 1, das für die lichtemittierende Diode verwendet wird, aus einem stark wärmeableitfähigen Material, einschließlich eines metallischen oder nichtmetallischen Materials, mit dem die Abwärme gut abgeleitet wird. Andererseits ist die Metallschaltkreisschicht 3 auf dem Trägermaterial 1 und der Isolierschicht 2 durch Ätzen mit mindestens einem Drahtanhaftbereich 32 zusammen mit dem mit einem Chip eingebetteten Bereich 33, der auf der Oberfläche der Metallschaltkreisschicht 3 gebildet ist, versehen. Zusätzlich kann die hochreflektierende Oberfläche durch Polieren, Galvanisieren oder Sprühen zu dem mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 behandelt werden, während durch Galvanisieren eine silberweiße galvanische Schicht, die aus Silber, Chrom oder Aluminium bestehen kann, auf die Oberfläche des metallischen Materials aufgetragen wird.
  • Je nach der Verteilung der Elektroden auf dem Chip kann der mit dem Chip eingebettete Bereich 33 ebenfalls mit einem Film mit einem glatten Hochglanz, einer weißen und wärmeleitfähigen Farbbeschichtung, einer löftesten Farbe oder einem Plastikmaterial überzogen sein. Außerdem ist die Oberfläche des Trägermaterials 1 außerhalb der Drahtanhaftbereiche 32 mit einem lötfesten Schutzfilm 5 mit einer guten Wärmeableitfähigkeit abgedeckt. Daher kann der mit dem Chip eingebettete Bereich 33 je nach der Verteilung der Elektroden auf dem Chip 4 mit der lichtemittierenden Diode auf der Oberfläche der ursprünglichen Metallschaltkreisschicht 3 oder weiter mit dem lötfesten Schutzfilm 5, der über eine gute Wärmeableitfähigkeit verfügt, beschichtet sein.
  • Die 3 und die 4 zeigen eine dreidimensionale Ansicht der vorliegenden Erfindung sowie einen Ausschnitt der Seitenansicht entlang dem Schnitt A-A' der 3. Die Oberfläche der Metallschaltkreisschicht 3 ist mit dem mit einem Chip eingebetteten Bereich 33 gebildet, um damit den Chip 4 anzuhaften, wobei die Fläche des mit dem Chip eingebetteten Bereiches 33 mindestens das Fünffache der des Chips 4 beträgt, wobei das helle Licht des Chips 4 mit der Behandlung der hochreflektierenden Oberfläche des mit dem Chip eingebetteten Bereiches 33 reflektiert wird. Zudem wird die Oberfläche des Trägermaterials 1 für den lötfesten Schutzfilm 5 oberflächenvergütet, wobei dieser lötfeste Schutzfilm 5 so bearbeitet wird, damit die Oberfläche der Metallschaltkreisschicht 3 mit einer weißen und wärmeableitfähigen Farbbeschichtung, einer lötfesten Farbbeschichtung oder mit einem Plastikmaterial beschichtet werden kann. Der lötfeste Schutzfilm 5 ist mit einer wärmeableitfähigen Farbbeschichtung, einer lötfesten Farbbeschichtung oder mit einem Plastikmaterial versehen, das eine aus Aluminiumoxid (Al2O3), Zinkoxid (ZnO), Bornitrid (BN) und Titaniumdioxid (TiO2) bestehende Verbindung ist, um damit den weißen und lötfesten Schutzfilm 5 zu bilden und um einen guten Rückstrahleffekt für die Lichtextraktion zu erzielen.
  • Die 3 bis 5 zeigen eine dreidimensionale Ansicht der vorliegenden Erfindung, einen Ausschnitt der Seitenansicht entlang dem Schnitt A-A' der 3 sowie eine Draufsicht der vorliegenden Erfindung. Der Chip 4 mit der lichtemittierenden Diode ist auf einer Kupferfolie 31 der Metallschaltkreisschicht 3 angehaftet, so dass die Wärmeenergie, die vom Chip 4 beim Ausstrahlen des Lichtes bei der Benutzung erzeugt wird, diffuse und seitlich durch die Kupferfolie 31 der Metallschaltkreisschicht 3 an die unmittelbare Umgebung abgegeben wird, um die Abwärme schnell vom Chip 4 abzuleiten und um wirksam zu verhindern, dass die Nutzung der Effizienz des Chips 4 wegen einer Anstauung der Wärmeenergie nicht beeinträchtigt wird. Außerdem sind die Drahtanhaftbereiche 32 und der mit dem Chip eingebettete Bereich 33, der sich auf der Metallschaltkreisschicht 3 befindet, sowie die Außenperipherien der Drahtanhaftbereiche 32 und des mit dem Chip eingebetteten Bereiches 33 mit dem lötfesten Schutzfilm 5 beschichtet, damit durch das weißen und wärmeableitfähige Element, das der Farbbeschichtung hinzugefügt ist, durch die lötfeste Farbbeschichtung oder durch das Plastik des lötfesten Schutzfilmes 5 die Abwärme vom Chip 4 im mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 leichter abgeleitet und das Licht durch die Behandlung der hochreflektierenden Oberfläche des mit dem Chip eingebetteten Bereiches 33 zusammen mit dem lötfesten Schutzfilm 5 gut reflektiert wird, wenn der Chip 4 das Licht ausstrahlt. Daher kann das vom Chip 4 reflektierte Licht ausgestrahlt werden, womit die Nutzung des Lichtes und die Effizienz der Lichtextraktion des Chips 4 verbessert werden, und um somit die lichtemittierende Diode praktischer anzuwenden, deren Nutzungsdauer zu verlängern und um diese wirtschaftlicher zu nutzen.
  • Die 3, 5 und die 6 zeigen eine dreidimensionale Ansicht der vorliegenden Erfindung, eine Draufsicht der vorliegenden Erfindung und einen Ausschnitt der Seitenansicht einer bevorzugten Ausführungsart nach der vorliegenden Erfindung.
  • Mit dem Ätzvorgang kann die Metallschaltkreisschicht 3 auf dem Trägermaterial 1 und der Isolierschicht 2 in einen einzelnen Drahtanhaftbereich 32 geformt werden, wobei die Metallschaltkreisschicht 3 außerhalb des Drahtanhaftbreiches 32, wo der Chip 4 angehaftet ist, reserviert sein kann um so einen mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 zu bilden, der mindestens das Fünffache der Fläche des Chips 4 beträgt. Danach wird die hochreflektierende Oberfläche zum mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 behandelt, die Lötverbindungen des Chips 4 werden elektrisch mit dem Drahtanhaftbereich 32 mit den Drähten 41 nach dem Anhaften des Chips 4 auf den mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 verbunden und die Oberfläche des gesamten Trägermaterials 1 wird mit dem lötfesten Schutzfilm 5 beschichtet. Mit der weißen und wärmeableitfähigen Verbindung, die in der Farbbeschichtung, in der lötfesten Farbbeschichtung oder im Plastik des lötfesten Schutzfilmes 5 enthalten ist, kann die Abwärme vom Chip 4 im mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 leichter abgeleitet werden, wobei die hohe Effizienz der Lichtreflexion zum Reflektieren des Lichtes aus dem Chip 4 beim Ausstrahlen des Lichtes gebildet werden kann, indem die hochreflektierende Oberfläche zum mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 mit Hilfe des lötfesten Schutzfilmes 5 behandelt wird, um das Licht besser auszunutzen und um die Effizienz der Lichtextraktion des Chips 4 zu verbessern.
  • Bei der oben beschriebenen Methode zum Herstellen der lichtemittierenden Diode wird die Kupferfolie 31 der Metallschaltkreisschicht 3 über dem Trägermaterial 1 mit dem mit einem Chip eingebetteten Bereich 33 zum Anhaften des Chips 4 gebildet, wobei die Oberfläche des Trägermaterials 1 durch Behandeln der hochreflektierenden Oberfläche zum mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 weiter mit dem lötfesten Schutzfilm 5 beschichtet werden kann, um die Abwärme vom Chip 4 schnell und leicht abzuleiten und um die Leuchtstärke des Lichtes zu verstärken. Solange außerdem die Kupferfolie 31 des Chips 4 über die Effizienz der seitlichen Wärmeableitung verfügt und der gute Effekt der Lichtextraktion durch die Reflexion mit der Behandlung der hochreflektierenden Oberfläche zum mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 zusammen mit der weißen und wärmeableitfähigen Verbindung, die im lötfesten Schutzfilm 5 enthalten ist, erzeugt wird, kann die Abwärme leicht abgeleitet und das Licht des Chips 4 kann besser genutzt werden, wenn der Chip 4 das Licht ausstrahlt, um die Nutzung des Chips 4 wirksam auszubauen.
  • Bei der praktischen Anwendung der oben beschriebenen Methode zum Herstellen der lichtemittierenden Diode werden die folgenden Vorteile offensichtlich:
    • 1. Wenn der Chip 4 das Licht ausstrahlt kann die Abwärme seitlich durch die Kupferfolie 31 der Metallschaltkreisschicht 3 abgeleitet werden. Neben dem Trägermaterial 1 und dem lötfesten Schutzfilm 5, die über eine hohe Wärmeableitfähigkeit verfügen, kann die Abwärme vom Chip 4 leichter und schneller abgeleitet werden, um dem Chip 4 eine gute Wärmeableitung zu verleihen.
    • 2. Durch die Behandlung der hochreflektierenden Oberfläche bis zum mit dem Chip eingebetteten Bereich 33 der Metallschaltkreisschicht 3 und im Zusammenhang mit der Beschichtung der Oberfläche des Trägermaterials 1 mit dem weißen lötfesten Schutzfilm 5 kann das Licht stark reflektiert werden, um so das Licht des Chips 4 besser auszunutzen und um die Effizienz der Leichtextraktion durch Vereinfachen der Lichtreflexion mit Hilfe des mit dem Chip eingebetteten Bereiches 33 und des lötfesten Schutzfilmes 5 zu verbessern.
    • 3. Der Chip 4 ist mit einer guten Wärmeableitfähigkeit versehen, während mit der Effizienz der Lichtreflexion die Lichtemission verstärkt wird, um die praktische Anwendbarkeit der lichtemittierenden Diode auszubauen, die Nutzungsdauer zu verlängern und um wirtschaftlichere Vorteile zu erzielen.
  • Nach der obigen Beschreibung soll mit der vorliegenden Erfindung eine Methode zum Herstellen eines Chips mit einer lichtemittierenden Diode geschaffen werden, bei der die Abwärme leichter abgeleitet und das Licht des Chips 4 leichter reflektiert werden, wobei die Abwärme von Chip 4 mit Hilfe der Kupferfolie 31 der Metallschaltkreisschicht 3 auf dem Trägermaterial 1 schneller abgeleitet wird, während das helle Licht mit der Behandlung der hochreflektierenden Oberfläche und durch die weitere Beschichtung mit dem weißen lötfesten Schutzfilm 5 reflektiert wird, so dass die vom Chip 4 beim Emittieren des Lichtes erzeugte Wärmeenergie durch die Kupferfolie 31 und dem lötfesten Schutzfilm 5 schneller abgeleitet wird und das Licht gleichzeitig schneller reflektiert wird, um die Effizienz der Lichtextraktion mit dem weißen Material, mit dem der lötfeste Schutzfilm 5 versehen wird, zu verbessern.
  • Es ist selbstverständlich, dass die hier beschriebenen Ausführungsarten lediglich die Prinzipien der Erfindung darstellen und dass von Fachleuten auf diesem Gebiet zahlreiche Modifizierungen vorgenommen werden können, ohne dabei vom Geist und Umfang der Erfindung wie in den nachstehenden Schutzansprüchen dargelegt abzuweichen.

Claims (8)

  1. Eine Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode, insbesondere eine Herstellmethode für eine gute Wärmeableitfähigkeit und eine verbesserte Lichtreflexion, wobei der Vorgang der Herstellmethode die folgenden Schritte umfaßt: (1) Hinzufügen einer Isolierschicht (2) mit einer guten Wärmeableitfähigkeit auf einem wärmeableitfähigen Trägermaterial (1); (2) Befestigen einer Metallschaltkreisschicht (3) auf der Isolierschicht (2); (3) Ausführen eines Ätzvorgangs in der Metallschaltkreisschicht (3) auf dem Trägermaterial (1), um Drahtanhaftbereiche (32) zu bilden, die auf der Oberfläche des Trägermaterials (1) freigelegt sind, während ein reservierter Bereich der Metallschaltkreisschicht (3), wo der Chip mit der lichtemittierenden Diode angehaftet ist, entfernt wird, ohne dass dabei ein Ätzvorgang ausgeführt wird, um einen mit dem Chip eingebetteten Bereich zu bilden; (4) Ausführen einer Behandlung der hochreflektierenden Oberfläche zum mit dem Chip eingebetteten Bereich (33); (5) Anhaften des Chips mit der lichtemittierenden Diode in den mit dem Chip eingebetteten Bereich (33); (6) elektrisches Verbinden des Chips (4) mit den Drahtanhaftbereichen (32) mit den Drähten; und (7) Fertigstellen einer Verdrahtung des Chips mit der lichtemittierenden Diode.
  2. Die Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der Metallschaltkreisschicht (3), die auf dem mit dem Chip eingebetteten Bereich (33) freigelegt ist, durch Behandlung der hochreflektierenden Oberfläche durch Polieren, Galvanisieren oder Sprühen bearbeitet wird, wobei die Peripherien des Chips (4) im mit dem Chip eingebetteten Bereich (33), die Peripherien der Drahtanhaftbereiche (32) und die Oberflächen, die auf den Drahtanhaftbereichen (32) freigelegt sind, weiter mit einem lötfesten Schutzfilm (5) beschichtet sind.
  3. Die Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine silberweiße galvanische Schicht galvanisiert wird, wobei dieses silberweiße Material Silber, Chrom oder Aluminium sein kann.
  4. Die Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägermaterial (1) aus einem wärmeableitfähigen Material besteht, einschließlich aus einem metallischen Material oder aus einem nichtmetallischen Material mit einer guten Wärmeableitfähigkeit.
  5. Die Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der Metallschaltkreisschicht (3) mit dem weißen lötfesten Schutzfilm (5) aus einer Farbbeschichtung oder aus einem Plastik mit einer guten Wärmeableitfähigkeit besteht.
  6. Die Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Farbbeschichtung oder Plastikbeschichtung mit der guten Wärmeableitfähigkeit aus einer Verbindung besteht, die aus Aluminiumoxid (Al2O3), Zinkoxid (ZnO), Bornitrid (BN) und aus Titaniumoxid (TiO2) besteht.
  7. Die Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der mit dem Chip eingebettete Bereich (33) der Metallschaltkreisschicht (3) unter dem Chip (4) als einen Bereich ausgeführt ist, der mindestens das Fünffache der Fläche des Chips (4) beträgt.
  8. Die Herstellmethode einer lichtemittierenden Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschaltkreisschicht (3) mit mindestens einem Drahtanhaftbereich (32) gebildet ist, wobei letztere auf der Oberfläche des Trägermaterials (1) durch einen Ätzvorgang freigelegt ist.
DE102008032170A 2007-07-18 2008-07-08 Eine Herstellungsmethode einer lichtemittierenden Diode Withdrawn DE102008032170A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW096126250 2007-07-18
TW096126250A TW200905905A (en) 2007-07-18 2007-07-18 Method of manufacture of light emitting diode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008032170A1 true DE102008032170A1 (de) 2009-01-29

Family

ID=39718050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008032170A Withdrawn DE102008032170A1 (de) 2007-07-18 2008-07-08 Eine Herstellungsmethode einer lichtemittierenden Diode

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE102008032170A1 (de)
FR (1) FR2919116A1 (de)
GB (1) GB2451168B (de)
TW (1) TW200905905A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202012011948U1 (de) * 2012-02-13 2014-03-20 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Flächenverguß

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2593703B2 (ja) * 1987-12-24 1997-03-26 三菱電線工業株式会社 発光ダイオード照明具
US6489637B1 (en) * 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
JP2005268405A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Dow Corning Toray Co Ltd 光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法
JP2007214245A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の製造方法
JP2007324205A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4367457B2 (ja) * 2006-07-06 2009-11-18 パナソニック電工株式会社 銀膜、銀膜の製造方法、ｌｅｄ実装用基板、及びｌｅｄ実装用基板の製造方法
CN101005733A (zh) * 2006-12-29 2007-07-25 上海芯光科技有限公司 薄型半导体照明平面集成光源模块的制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202012011948U1 (de) * 2012-02-13 2014-03-20 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Flächenverguß
US10586901B2 (en) 2012-02-13 2020-03-10 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED module having a highly reflective carrier

Also Published As

Publication number Publication date
GB2451168B (en) 2011-01-05
FR2919116A1 (fr) 2009-01-23
GB2451168A (en) 2009-01-21
TW200905905A (en) 2009-02-01
GB0812352D0 (en) 2008-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004052902B4 (de) Aufbau zur Unterbringung eines lichtemittierenden Elements, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102005030128B4 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102013205894B4 (de) Formgehäuse und Leuchtbauelement
DE102005013265A1 (de) Leuchtdiode
EP2452116B1 (de) Leuchtvorrichtung mit einer flexiblen leiterplatte
EP2591502B1 (de) Leuchtdiode
DE102012102114A1 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, Beleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung
DE102017128441A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung
DE102006038099A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung
DE102006033470A1 (de) Leuchtdioden-Gehäusestruktur
DE102013212247B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CH689339A5 (de) Konfektionierbares LED-Leuchpaneel.
EP3428696B1 (de) Reflektierendes verbundmaterial, insbesondere für oberflächenmontierte bauelemente (smd), und lichtemittierende vorrichtung mit einem derartigen verbundmaterial
EP2327110B1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
WO2016162433A1 (de) Lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements
DE102008032170A1 (de) Eine Herstellungsmethode einer lichtemittierenden Diode
DE102017130764B4 (de) Vorrichtung mit Halbleiterchips auf einem Primärträger und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung
DE102018101050A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
EP1767849A1 (de) Leuchteinrichtung
DE10221587A1 (de) Geätzter Metalllichtreflektor zur Beleuchtung eines Fahrzeugmerkmals
EP1634332A1 (de) Isoliertes metallsubstrat mit wenigstens einer leuchtdiode, leuchtdiodenmatrix und herstellungsverfahren
WO2014166948A1 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2012175385A1 (de) Led-leuchtvorrichtung und verfahren zum herstellen einer led-leuchtvorrichtung
DE19963264A1 (de) Trägermaterial für ein elektronisches Hochleistungs-Bauelement und ein damit hergestelltes Bauelement
DE102015206802A1 (de) Leuchtmittel mit LEDs

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: ALPHA PHOTONITEK CORP., TAIPEI, TW

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20120201