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Die
Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
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In
der Druckschrift „Nano Tube Radio" (K. Jensen,
J. Weldon, H. Garcia, A. Zettl, Nanoletters, American Chemical Society) ist
ein Verfahren zum Herstellen einer Sensoreinrichtung beschrieben,
bei dem zwischen einer Primärelektrode und einer Sekundärelektrode
ein Nanoröhrchen angeordnet wird. Ein Ende des Nanoröhrchens
wird an der Primärelektrode befestigt und mit dieser elektrisch
kontaktiert (Kontaktierung erfolgt beispielsweise nach Takeshi Kawano
et al., „Formation and characterization of silicon/carbon
nanotube/silicon heterojunctions by local synthesis and assembly" APPLIED
PHYSICS LETTERS 89, 163510 (2006) oder nach Jean-Marc Bonard
et al., „Field Emission of Individual Carbon Nanotubes
in the Scanning Electron Microscope", PHYSICAL REVIEW LETTERS
VOLUME 89, NUMBER 19 197602 (2002)). Das andere Ende des
Nanoröhrchens behält einen vorgegebenen Abstand
bzw. Spalt zu der Sekundärelektrode, so dass das andere Ende
des Nanoröhrchens mechanisch schwingfähig bleibt.
Die Primärelektrode und die Sekundärelektrode
werden mit einer elektrischen Messeinrichtung verbunden. Wird diese
Anordnung einem äußeren elektrischen Feld ausgesetzt,
so wird das Nanoröhrchen anfangen zu schwingen, sobald
das äußere elektrische Feld eine elektrische Frequenz
aufweist, die zumindest näherungsweise mit der mechanischen
Eigenfrequenz des Nanoröhrchens übereinstimmt.
Durch die mechanische Resonanz wird wiederum ein Stromfluss durch
das Nanoröhrchen erzeugt, der sich mit der Messeinrichtung feststellen lässt,
wodurch mittelbar auch das äußere elektrische Feld
gemessen werden kann.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen
einer Sensoreinrichtung anzugeben, das sich besonders einfach und
zuverlässig durchführen lässt. Insbesondere
soll in sehr reproduzierbarer Weise ein vorgegebenes Spaltmaß für
den Spalt zwischen Nanoröhrchen und Sekundärelektrode
eingehalten werden.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren
mit den Merkmalen gemäß Patentanspruch 1 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen
Verfahrens sind in Unteransprüchen angegeben.
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Danach
ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass das Nanoröhrchen
auf der Primärelektrode in Richtung Sekundärelektrode
aufgewachsen wird, wobei das Wachsen des Nanoröhrchens
in Richtung Sekundärelektrode unterstützt wird,
indem zwischen der Primärelektrode und der Sekundärelektrode
eine elektrische Spannung angelegt wird.
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Ein
wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens
ist darin zu sehen, dass bei diesem das Nanoröhrchen durch
ein Wachstum unmittelbar zwischen der Primärelektrode und
der Sekundärelektrode der Sensoreinrichtung gebildet wird.
Mit anderen Worten werden also für die Herstellung des Nanoröhrchens
die sowieso vorhandene Primärelektrode der Sensoreinrichtung
sowie die früher oder später zwangsläufig
sowieso vorhandene Sekundärelektrode der Sensoreinrichtung
verwendet. Durch die erfindungsgemäße Doppelnutzung
der Primär- und der Sekundärelektrode, die also
sowohl für das spätere Messen äußerer
elektrischer Felder eingesetzt werden als auch bereits für
die Herstellung des Nanoröhrchens herangezogen werden, lässt
sich erreichen, dass sich ein gewünschtes bzw. vorgegebenes
Spaltmaß für den Spalt zwischen Sekundärelektrode
und Nanoröhrchen besonders genau einstellen lässt.
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Insbesondere
im Hinblick auf minimale Herstellungszeiten wird es als vorteilhaft
angesehen, wenn das Wachstum des Nanoröhrchens beendet wird,
bevor das andere Ende des Nanoröhrchens die Sekundärelektrode
berührt. Vorzugsweise wird hierzu während des
Wachstums des Nanoröhrchens insitu gemessen, ob der Abstand
zwischen dem anderen Ende des Nanoröhrchens und der Sekundärelektrode
bereits dem vorgegebenen Abstand entspricht, und es wird das Aufwachsen
des Nanoröhrchens beendet, sobald dies der Fall ist.
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Alternativ
kann das Wachstum des Nanoröhrchens auch erst beendet werden,
nachdem das andere Ende des Nanoröhrchens die Sekundärelektrode
bereits kontaktiert hat. In diesem Falle wird es als vorteilhaft
angesehen, wenn anschließend – also nach dem Kontaktieren – ein
Strom durch das Nanoröhrchen geleitet wird, wobei die Höhe
des Stroms derart bemessen wird, dass das andere Ende des Nanoröhrchens
aufgrund der thermischen Belastung durch den Strom thermisch zerstört
und die Länge des Nanoröhrchens verkürzt
wird. Der Strom wird demgemäß angelegt, bis sich
der vorgegebene Spalt zwischen dem anderen Ende des Nanoröhrchens und
der Sekundärelektrode bildet.
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Das
Aufwachsen des Nanoröhrchens erfolgt vorzugsweise unter
Verwendung eines Prozessgases, das das Material für das
Wachstum des Nanoröhrchens bereitstellt. Bevorzugt wird
das Aufwachsen zumindest einmal, vorzugsweise regelmäßig,
unterbrochen und das Prozessgas unter Bildung eines Unterdrucks,
vorzugsweise eines Vakuums, abgepumpt. Nach Erreichen des Unterdrucks
kann eine Messspannung an die Primärelektrode und die Sekundärelektrode
angelegt werden und der Strom durch das Nanoröhrchen gemessen
werden. Das Aufwachsen wird vorzugsweise beendet, sobald im Rahmen
der Strommessung ein Messstrom gemessen wird, der größer
als eine vorgegebene Stromschwelle ist.
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Die
Stromschwelle kann beispielsweise dem Rauschstrom entsprechen, der
auch ohne angelegte Messspannung im Rahmen einer Strommessung messbar
wäre. Alternativ kann die Stromschwelle dem Messstrom entsprechen,
der bei einem durch das Nanoröhrchen verursachten Kurzschluss
zwischen der Primärelektrode und der Sekundärelektrode
messbar ist.
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Besonders
bevorzugt wird jedoch die Stromschwelle größer
als der Rauschstrom und kleiner als ein durch das Nanoröhrchen
verursachter Kurzschlussstrom bemessen. Die Stromschwelle, der erwähnte
Rauschstrom und der erwähnte Kurzschlussstrom können
beispielsweise anhand von Probemessungen bestimmt werden, anhand
derer Vergleichskurven für die zukünftige Durchführung
des Herstellungsverfahrens aufgestellt werden.
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Im Übrigen
wird es als vorteilhaft angesehen, wenn, nachdem der Messstrom anzeigt,
dass das Nanoröhrchen einen Kurzschluss zwischen der Primärelektrode
und der Sekundärelektrode hervorruft, eine Spannung angelegt
wird, die größer als die Messspannung ist und
die zu einem erhöhten Stromfluss, der größer
als der Messstrom ist, durch das Nanoröhrchen führt,
wobei die Höhe des erhöhten Stromflusses derart
bemessen wird, dass das andere Ende des Nanoröhrchens aufgrund
der thermischen Belastung durch den erhöhten Stromfluss
thermisch zerstört und das Nanoröhrchen verkürzt
wird und der vorgegebene Spalt zwischen dem anderen Ende des Nanoröhrchens
und der Sekundärelektrode wieder hergestellt wird. Bei
dieser Ausgestaltung wird also ein zu langes Nanoröhrchen
endseitig abgebrannt, bis das Nanoröhrchen die gewünschte
Länge aufweist.
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Besonders
einfach und damit vorteilhaft lassen sich die Primärelektrode
und die Sekundärelektrode auf demselben Träger
mit einem oder mehreren Lithografieschritten bilden. Vorzugsweise
werden die Primärelektrode und die Sekundärelektrode
aus derselben Materialschicht, die sich auf demselben Träger
befindet, gebildet.
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Um
eine lokale Erwärmung der Primärelektrode beispielsweise
dort zu erreichen, wo das Nanoröhrchen auf der Primärelektrode
aufwachsen soll, wird es als vorteilhaft angesehen, wenn die Primärelektrode
derart strukturiert wird, dass sie einen verjüngten Bereich
aufweist. Beispielsweise wird in einem solchen Falle durch einen
elektrischen Stromfluss durch die Primärelektrode eine
lokale Erwärmung im Bereich der Verjüngung hervorgerufen,
wodurch dort ein Nanoröhrchenwachstum gefördert wird.
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Vorzugsweise
wird die Sekundärelektrode derart strukturiert, dass sie
einen spitz zulaufenden Bereich bildet, der in Richtung Primärelektrode,
vorzugsweise in Richtung des verjüngten Bereichs der Primärelektrode,
ausgerichtet ist. Wird während des Wachstums zwischen der
Primärelektrode und der Sekundärelektrode eine
elektrische Spannung angelegt, so wird sich zwischen dem spitz zulaufenden Bereich
und dem gegenüberliegenden Bereich eine hohe elektrische
Felddichte ausbilden, wodurch sich das Wachstum des Nanoröhrchens
noch weiter unterstützen lässt.
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Auch
kann zum Unterstützen des Nanoröhrchenwachstums
auf dem verjüngten Bereich der Primärelektrode
ein Katalysatormaterial aufgebracht werden.
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Die
Erfindung bezieht sich darüber hinaus auf eine Sensoreinrichtung
zum Messen eines elektrischen Feldes mit einer Primärelektrode,
einer Sekundärelektrode und einem Nanoröhrchen,
dessen eines Ende von der Primärelektrode gehalten wird und
mit dieser elektrisch kontaktiert ist, und mit einer elektrischen
Messeinrichtung, die mit der Primärelektrode und der Sekundärelektrode
verbunden ist, wobei zwischen dem anderen Ende des Nanoröhrchens und
der Sekundärelektrode ein vorgegebener Spalt verbleibt,
so dass das andere Ende mechanisch schwingfähig ist.
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Diesbezüglich
liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Sensoreinrichtung
anzugeben, die sich besonders einfach herstellen lässt
und die das Einhalten vorgegebener Spaltmaße besonders
einfach macht.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
dass sich die Primärelektrode und die Sekundärelektrode
auf demselben Träger befinden und das Nanoröhrchen
auf der Primärelektrode in Richtung der Sekundärelektrode
aufgewachsen ist.
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Bezüglich
der Vorteile der erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung
sei auf die oben bereits erwähnten Vorteile des erfindungsgemäßen
Verfahrens verwiesen, da sich die Vorteile des Verfahrens und die
der Sensoreinrichtung im Wesentlichen entsprechen. Hervorgehoben
sei an dieser Stelle lediglich nochmals die doppelte Funktion der
Primär- und der Sekundärelektrode. Vorteilhafte
Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung
sind in Unteransprüchen angegeben.
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Die
Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen
näher erläutert; dabei zeigen beispielhaft
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1 ein
Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße
Sensoreinrichtung,
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2 bis 9 ein
Ausführungsbeispiel für die Herstellung der Sensoreinrichtung
gemäß 1.
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In
den Figuren werden der Übersicht halber für identische
oder vergleichbare Komponenten stets dieselben Bezugszeichen verwendet.
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In
der 1 ist ein Ausführungsbeispiel für eine
Sensoreinrichtung 5 gezeigt. Die Sensoreinrichtung 5 weist
einen Träger 10 auf, auf dem eine strukturierte
Materialschicht 15 aufgebracht ist. Die Materialschicht 15 bildet
eine Primärelektrode 20 sowie eine Sekundärelektrode 25.
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In
der 1 lässt sich erkennen, dass ein Ende 30 eines
beispielsweise aus Kohlenstoff bestehenden Nanoröhrchens 35 auf
einer Katalysatorschicht 40 befestigt ist, die auf der
Primärelektrode 20 aufgebracht ist. Das Nanoröhrchen 35 erstreckt sich
in Richtung der Sekundärelektrode 25, wobei ein Spalt
d zwischen dem anderen Ende 45 des Nanoröhrchens 35 und
der Sekundärelektrode 25 verbleibt. Aufgrund des
Spaltes d ist das Nanoröhrchen 35 mechanisch schwingfähig,
da es nämlich nur an seinem einen Ende 30 von
der Primärelektrode 20 gehalten wird.
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In
der 1 erkennt man darüber hinaus eine Spannungsquelle 60,
die eine Vorspannung Uv zwischen der Primärelektrode 20 und
der Sekundärelektrode 25 erzeugt. Außerdem
erkennt man eine elektrische Messeinrichtung 65, mit der
sich der Strom I zwischen der Primärelektrode 20 und
der Sekundärelektrode 25 messen lässt.
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Mit
der elektrischen Messeinrichtung 65 ist es nun möglich,
ein im Bereich der Sensoreinrichtung 5 vorhandenes elektrisches
Feld E quantitativ zu messen, wie dies in der eingangs bereits erwähnten Druckschrift „Nano
Tube Radio” eingehend erläutert ist.
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Im
Zusammenhang mit den 2 bis 9 wird nun
beschrieben, wie sich die Sensoreinrichtung 5 gemäß 1 beispielsweise
herstellen lässt.
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Ausgegangen
wird beispielsweise von einem SOI(SOI: Silicon an Insulator)-Material 100,
das ein Siliziumsubstrat 110 sowie eine Siliziumdioxidzwischenschicht 120 aufweist
(vgl. 2). Das Siliziumsubstrat 110 sowie die
Siliziumdioxidzwischenschicht 120 bilden den Träger 10 gemäß 1.
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Auf
der Siliziumdioxidzwischenschicht 120 ist eine obere Siliziumschicht 130 aufgebracht,
die eine Materialschicht 140 zur Herstellung der Primärelektrode 20 und
der Sekundärelektrode 25 gemäß 1 bildet.
Die Materialschicht 140 entspricht der Materialschicht 15 gemäß der 1.
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In
der 3 ist dargestellt, wie die Materialschicht 140 nach
einem Lithografieschritt aussehen kann. Man erkennt die Primärelektrode 20 sowie
die Sekundärelektrode 25 gemäß 1.
In der 3 ist die Struktur im Querschnitt dargestellt.
Die 4 zeigt demgegenüber dieselbe Struktur
in einer Sicht von oben. Man erkennt, dass die Primärelektrode 20 einen
verjüngten Bereich 200 aufweist, auf dem die Katalysatorschicht 40 aufgebracht
ist.
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Die
Sekundärelektrode 25 ist mit einem spitz zulaufenden
Bereich 210 ausgestattet, der derart ausgerichtet ist,
dass er sich in Richtung des verjüngten Bereichs 200 der
Primärelektrode 20 erstreckt.
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Nach
dem Herstellen der Primärelektrode 20 und der
Sekundärelektrode 25 werden Trennelemente 220 auf
den Träger 10 aufgesetzt, so dass sich die Struktur
mit einem Deckel 230 gasdicht verschließen lässt
(vgl. 5). Durch den Deckel 230 wird ein Innenraum 240 gebildet,
in dem sich der verjüngte Bereich 200 der Primärelektrode 20 sowie
der spitz zulaufende Bereich 210 der Sekundärelektrode 25 befinden.
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Um
eine äußere elektrische Kontaktierung der Primärelektrode 20 und
der Sekundärelektrode 25 zu erreichen, ist die
in der 5 dargestellte Struktur zusätzlich mit äußeren
elektrischen Anschlüssen 250 ausgestattet. Bei
dem Ausführungsbeispiel gemäß 5 erstrecken
sich die äußeren Anschlüsse 250 durch
den Deckel 230 hindurch; selbstverständlich ist
auch eine andere Anordnung der äußeren Anschlüsse 250 möglich.
Beispielsweise können diese in einem außerhalb
des Innenraums 240 befindlichen Abschnitt des Trägers 10 angeordnet
werden.
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Um
nun das Nanoröhrchen 35 gemäß 1 aufwachsen
zu können, wird in den Innenraum 240 ein Prozessgas
P eingeleitet (vgl. 6). Außerdem wird an
die äußeren Anschlüsse 250 eine
Spannung Uw angelegt, die das Wachstum des Nanoröhrchens 35 zwischen
der Primärelektrode 20 und der Sekundärelektrode 25 unterstützen
soll.
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Selbstverständlich
kann das Prozessgas P auch an der Primärelektrode 20 und
der Sekundärelektrode 25 vorbeigeleitet werden,
bevor der Deckel 230 aufgebracht ist und solange die Struktur
noch offen ist; in diesem Falle wird der Deckel 230 beispielsweise
aufgebracht, nachdem das Nanoröhrchen 35 gemäß der 1 fertig
aufgewachsen ist.
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Darüber
hinaus wird ein elektrischer Heizstrom Ith in die Primärelektrode 20 eingespeist.
Der Stromfluss durch die Primärelektrode 20 hat
insbesondere in dem verjüngten Bereich 200 zur
Folge, dass es zu einer signifikanten Temperaturerhöhung kommt.
Aufgrund dieser Temperaturerhöhung wird sich im Bereich
des Katalysators 40 bzw. auf dem Katalysator 40 Material
aus dem Prozessgas P abscheiden, so dass es zu einem Wachstum des
Nanoröhrchens 35 in Richtung des spitz zulaufenden
Bereiches 210 der Sekundärelektrode 25 kommt.
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Um
ein solches Wachstum des Nanoröhrchens 35 zu erreichen,
kann beispielsweise als Prozessgas Methan, Acetylen oder ein anderes
kohlenwasserstoffhaltiges Gas verwendet werden. Vorzugsweise wird
ein Nanoröhrchen 35 aus Kohlenstoffmaterial hergestellt,
so dass ein sogenanntes CNT (CNT: carbon nanotube) entsteht.
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Als
Katalysatormaterial 40 eignet sich beispielsweise Eisen,
Kobalt, Nickel oder Molybdän, da auf solchen Materialien
Kohlenstoffnanoröhrchen besonders gut aufwachsen. Eine
Wachstumstemperatur zwischen 500°C und 1000°C
ist für das gewünschte Wachstum in den meisten
Fällen geeignet.
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Um
zu erreichen, dass der in der 1 bereits
erwähnte Spalt d zwischen dem anderen Ende 45 des
Nanoröhrchens 35 und der Sekundärelektrode 25 verbleibt,
wird das Wachstum des Nanoröhrchens 35 regelmäßig,
beispielsweise periodisch, unterbrochen, um eine Messung des Spalts
d zwischen Nanoröhrchen 35 und Sekundärelektrode 25 zu
ermöglichen. Hierzu wird das Prozessgas P aus dem Innenraum 240 vorzugsweise
abgesaugt und in dem Innenraum 240 ein Unterdruck, beispielsweise
ein Vakuum, erzeugt; ein solches Absaugen ist jedoch nur fakultativ.
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Falls
auf der Struktur der Deckel 230 noch nicht aufgebracht
ist, wird beispielsweise der gesamte Prozessraum abgesaugt und dort
ein Unterdruck, beispielsweise ein Vakuum erzeugt.
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Anschließend
wird eine Messspannung Umess an die Primärelektrode und
die Sekundärelektrode angelegt und der resultierende Strom
Imess gemessen, der durch die Primärelektrode 20,
die Sekundärelektrode 25 sowie das bereits gewachsene Nanoröhrchen 35 fließt
(vgl. 7).
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Der
typische Stromverlauf, der sich in Abhängigkeit von dem
Spaltabstand d zwischen Nanoröhrchen 35 und Sekundärelektrode 25 ergibt,
ist beispielhaft in der 8 gezeigt. Man erkennt, dass
bei großen Abständen d > d0 der durch das Nanoröhrchen 35 fließende
Tunnelstrom so klein ist, dass er in dem thermischen Rauschen (vgl.
Rauschstrom Ir) der Messanordnung untergeht und nicht feststellbar ist.
Erst wenn der Spalt d klein genug ist und den Wert d0 unterschreitet,
wird ein messbarer Tunnelstrom Imess auftreten. Das Auftreten des
Tunnelstroms zeigt an, dass das Nanoröhrchen 35 die
Sekundärelektrode 25 fast erreicht hat und das
Wachstum abgebrochen werden kann. Wie bereits im Zusammenhang mit
der 1 erläutert, sollte vorzugsweise stets
ein geringer Spalt d zwischen dem anderen Ende 45 des Nanoröhrchens 35 und
der Sekundärelektrode 25 verbleiben.
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Soll
hingegen ein noch kleinerer Abstand d als d0 erzeugt werden, so
kann das Wachstum – wie im Zusammenhang mit der 6 bereits
erläutert – nochmals fortgesetzt werden und die
Länge des Nanoröhrchens 35 erhöht
werden, bis der gewünschte Spalt d zwischen dem anderen
Ende 45 und der Sekun därelektrode 25 erreicht
ist. Zur Feststellung, ob der gewünschte Abstand tatsächlich
bereits erreicht worden ist, kann beispielsweise die Vergleichskurve verwendet
werden, die in der 8 beispielhaft dargestellt ist.
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Wird
nun festgestellt, dass das Wachstum zu lang durchgeführt
wurde und das andere Ende 45 des Nanoröhrchens 35 bereits
die Sekundärelektrode 25 erreicht hat und durch
das Nanoröhrchen 35 ein elektrischer Kurzschluss
zwischen Primärelektrode und Sekundärelektrode
aufgetreten ist, so wird sich dies durch einen signifikanten Strom
Imess feststellen lassen.
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In
einem solchen Fall kann der gewünschte Spalt d wieder hergestellt
werden, indem das andere Ende 45 des Nanoröhrchens 35 zumindest
teilweise bzw. zumindest abschnittsweise abgebrannt wird. Hierzu
wird – wie dies beispielhaft in der 9 gezeigt
ist – eine Spannung Ub, die größer als
die Messspannung Umess ist, zwischen der Primärelektrode 20 und
der Sekundärelektrode 25 angelegt, so dass es
zu einem erhöhten Stromfluss Ib durch das Nanoröhrchen 35 kommt.
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Aufgrund
der thermischen Belastung des Nanoröhrchens 35 wird
das andere Ende 45 zerstört, so dass wieder ein
Spalt d zwischen dem anderen Ende 45 und der Sekundärelektrode 25 erzeugt
wird.
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In
der beschriebenen Weise lässt sich, sei es bereits während
des Wachstums oder nachfolgend im Rahmen eines Abbrennvorgangs,
der gewünschte Spalt d zwischen Nanoröhrchen 35 und
Sekundärelektrode 25 sehr genau einstellen.
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Bei
dem obigen Ausführungsbeispiel wurde beispielhaft von einem
SOI-Ausgangsmaterial 100 ausgegangen. Alternativ kommen
auch andere Materialien in Betracht, beispielsweise Silizium material mit
einem schlecht leitenden Substrat und einer gut leitenden Deckschicht
für die Herstellung der Primär- und der Sekundärelektrode;
vorzugsweise weisen in einem solchen Falle das Substrat und die
Deckschicht eine unterschiedliche Dotierung auf. Auch kann als Träger
eine Glasschicht verwendet werden, auf der eine leitfähige
Materialschicht für die Herstellung der Primär-
und der Sekundärelektrode vorhanden ist.
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- 5
- Sensoreinrichtung
- 10
- Träger
- 15
- Materialschicht
- 20
- Primärelektrode
- 25
- Sekundärelektrode
- 30
- Ende
- 35
- Nanoröhrchen
- 40
- Katalysatorschicht
- 45
- Ende
- 60
- Spannungsquelle
- 65
- Messeinrichtung
- 100
- SOI-Material
- 110
- Siliziumsubstrat
- 120
- Siliziumdioxidzwischenschicht
- 130
- Siliziumschicht
- 140
- Materialschicht
- 200
- verjüngter
Bereich
- 210
- spitz
zulaufender Bereich
- 220
- Trennelemente
- 230
- Deckel
- 240
- Innenraum
- 250
- elektrische
Anschlüsse
- d
- Spalt
- E
- Feld
- I
- Strom
- Ib
- Strom
- Ir
- Rauschstrom
- Ith
- Heizstrom
- Imess
- Strom
- P
- Prozessgas
- Umess
- Messspannung
- Ub
- Spannung
- Uv
- Vorspannung
- Uw
- Spannung
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- - Druckschrift „Nano
Tube Radio” (K. Jensen, J. Weldon, H. Garcia, A. Zettl,
Nanoletters, American Chemical Society) [0002]
- - Takeshi Kawano et al., „Formation and characterization
of silicon/carbon nanotube/silicon heterojunctions by local synthesis
and assembly” APPLIED PHYSICS LETTERS 89, 163510 (2006) [0002]
- - Jean-Marc Bonard et al., „Field Emission of Individual
Carbon Nanotubes in the Scanning Electron Microscope”,
PHYSICAL REVIEW LETTERS VOLUME 89, NUMBER 19 197602 (2002) [0002]