DE102008022476B3 - Verfahren zur mechanischen Bearbeitung einer Scheibe - Google Patents

Verfahren zur mechanischen Bearbeitung einer Scheibe Download PDF

Info

Publication number
DE102008022476B3
DE102008022476B3 DE200810022476 DE102008022476A DE102008022476B3 DE 102008022476 B3 DE102008022476 B3 DE 102008022476B3 DE 200810022476 DE200810022476 DE 200810022476 DE 102008022476 A DE102008022476 A DE 102008022476A DE 102008022476 B3 DE102008022476 B3 DE 102008022476B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
disc
saw
disk
edge
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE200810022476
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Blaha
Simon Ehrenschwendtner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic AG filed Critical Siltronic AG
Priority to DE200810022476 priority Critical patent/DE102008022476B3/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102008022476B3 publication Critical patent/DE102008022476B3/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur mechanischen Bearbeitung einer Scheibe, umfassend folgende Schritte: a) Bereitstellen einer mittels einer Drahtsäge von einem Werkstück abgetrennten Scheibe, umfassend eine Sägeunterlage in ihrem Umfangsbereich; b) Fixieren der Scheibe auf einem Scheibenhalter, der in Rotation versetzt werden kann; c) Mechanische Bearbeitung der auf dem rotierenden Scheibenhalter befindlichen Scheibe, beinhaltend Entfernen der Sägeunterlage und Verrundung der Kante der Scheibe durch Zustellung rotierender Schleifscheiben in einem Arbeitsschritt.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bearbeitung einer Scheibe, geeignet zum Entfernen der Kittleiste von Scheiben nach deren Abtrennen von einem Werkstück mittels einer Drahtsäge.
  • Insbesondere eignet sich das Verfahren zur Anwendung bei der Herstellung von Halbleiter-, z. B. Siliciumscheiben. Die ersten Schritte bei der Herstellung von Siliciumscheiben sind üblicherweise wie folgt: Ziehen eines zylindrischen Einkristalls aus einer Siliciumschmelze durch Animpfen mit einem Impflingskristall, Rundschleifen des gewachsenen Einkristalls, Zersägen des einkristallinen Stabs in Scheiben.
  • Drahtsägen werden verwendet, um eine Vielzahl von Siliciumscheiben oder aber auch Solarwafer und andere Kristallwafer in einem Arbeitsgang von einem Kristall abzutrennen, finden also Anwendung bei der Herstellung von Produkten für die Chipindustrie, für die Photovoltaikindustrie, aber auch bei der Herstellung von Scheiben aus Kristallen jeglicher Art, z. B. Materialien wie III-V-Hallbleiter, Galliumnitrid oder Siliciumcarbid oder auch Keramiken. Grundsätzlich sind Drahtsägeverfahren immer dann bevorzugt, wenn es in längen Herstellungsprozessketten aus wirtschaftlichen Gründen von Vorteil ist, alle Scheiben in einem einzigen Arbeitsgang vom Werkstück abzutrennen und dann ein ganzes Batch weiterverarbeiten zu können.
  • In der US-5,771,876 ist das Funktionsprinzip einer solchen Drahtsäge beschrieben.
  • Derartige Drahtsägen besitzen ein Drahtgatter, das von einem Sägedraht gebildet wird, der um zwei oder mehrere Drahtführungsrollen gewickelt ist. Der Sägedraht kann mit einem Schneidbelag belegt sein. Bei Verwendung von Drahtsägen mit Sägedraht ohne fest gebundenen Schneidkorn wird Schneidkorn in Form einer Suspension („Slurry”) während des Abtrennvorganges zugeführt. Beim Abtrennvorgang durchdringt das Werkstück das Drahtgatter, in dem der Sägedraht in Form parallel nebeneinander liegender Drahtabschnitte angeordnet ist. Die Durchdringung des Drahtgatters wird mit einer Vorschubeinrichtung bewirkt, die das Werkstück gegen das Drahtgatter oder das Drahtgatter gegen das Werkstück führt.
  • Beim Abtrennen von Siliciumscheiben von einem Kristall ist es üblich, dass der Kristall mit einer Sägeleiste verbunden ist, in die der Sägedraht am Ende des Verfahrens einschneidet. Die Sägeleiste ist beispielsweise eine Graphitleiste (Kohleleiste), die auf der Umfangsfläche des Kristalls aufgeklebt oder aufgekittet wird. Das Werkstück mit der Sägeleiste wird dann auf einem Trägerkörper aufgekittet.
  • Üblicherweise wird die Sägeunterlage auf einen Siliciumstab händisch aufgebracht. Je nach Länge, Durchmesser, Umfangsmerkmal muss eine entsprechende Sägeunterlage ausgewählt werden und auf einer definierten Fläche aufgebracht werden.
  • Aus DE 10335063 ist bekannt, die zu verklebende Mantelfläche der Stäbe mit einer Trennschicht zu besprühen. Das Trocknen der Schicht wird mittels UV-Strahlern beschleunigt. Ein Haftmittel, z. B. ein Harz und Härter werden in einem bestimmten Gewichtsverhältnis in einer automatischen Misch- und Dosierstation im richtigen Verhältnis gemischt und vom Roboter auf Stab und Adapter aufgetragen. Bevorzugt wird ein wasserlösliches Haftmittel (ohne Chemikalien lösbar) verwendet. Ebenso kann vor dem Aufbringen des Haftmittels ein wasserlösliches Trennmittel aufgebracht werden.
  • Die entstandenen Siliciumscheiben bleiben nach dem Abtrennen wie die Zähne eines Kammes auf der Sägeleiste fixiert und können so aus der Drahtsäge genommen werden.
  • Später wird die verbliebene Sägeleiste von den Siliciumscheiben abgelöst. Dies geschieht z. B. händisch durch das jeweilige Personal oder wird chemisch abgelöst.
  • Aus DE 10335062 ist bekannt, dass die Entfernung der Sägeunterlage nach dem Anläsen des wasserlöslichen Kitts oder der Trennschicht in einer Ultraschall-Wanne erfolgt, vorzugsweise mechanisch unterstützt in oder über der Wanne. Ein Stößel zum Abdrücken der Kohle kann parallel zum Scheibenrand positioniert werden. Die Kohleleisten werden mit einem Transportband in ein einfach zu entleerendes Behältnis transportiert.
  • Aus US 6 074 442 A ist bekannt, eine Sägeunterlage durch eine mechanische Bearbeitung von einem Wafer zu trennen.
  • Nach Abtrennen der Siliciumscheiben vom Kristall, Entfernen der Kohleleisten erfolgen üblicherweise mechanische Bearbeitungsschritte, die darauf abzielen, der Siliciumscheibe eine Form zu geben, die sich insbesondere durch eine profilierte Kante und sich planparallel gegenüberliegende Seiten auszeichnet. Zu den Form gebenden Bearbeitungsschritten gehören daher neben einem Kantenverrunden insbesondere das Läppen und das Schleifen der Seiten der Siliciumscheibe.
  • DE 44 00 221 A1 offenbart eine Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens zur Herstellung von angefasten Siliciumscheiben. Zwischen den Arbeitsschritten „Ablösen der Sägeunterlage” und „Kantenverrundung” sind ein Reinigungsschritt an einer Reinigungssektion und ein Transportschritt mittels eines Förderbandes vorgesehen.
  • Bei den gängigen Verfahren werden die Scheiben also nach Anläsen des Klebers durch chemische Substanzen oder durch Wasser, durch Eigengewicht oder Aufbringung einer zusätzlichen Kraft von der Kittleiste getrennt. Dabei entstehen undefinierte Ablösekräfte und schlimmstenfalls Beschädigungen am Wafer.
  • Die Aufgabe der Erfindung bestand darin, derartige undefinierte Ablösekräfte und etwaige Beschädigungen zu vermeiden.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch das Verfahren gemäß Anspruch 1.
  • Ausgangspunkt ist ein mittels einer Drahtsäge zersägtes Werkstück. Die Scheiben bilden einen sog. Sägekamm und haften an der Sägeleiste.
  • Die Scheiben werden anschließend vereinzelt, d. h. die Scheiben werden aus dem Sägekamm herausgebrochen.
  • Dabei bleibt ein Sägeleistenrest sowie der zuvor an der Mantelfläche des Werkstücks aufgebrachte Kleber an den einzelnen Scheiben haften.
  • Anschließend wird die Scheibe mit Sägeleiste, z. B. Restkohleleiste, auf einem Vakuuumsauger (Chuck) zentriert, fixiert und in Rotation versetzt.
  • Der Rest der anhaftenden Kohleleiste wird anschließend z. B. mittels Sägedraht, Wasserstrahl, Laserstrahl, mittels einer Schleifscheibe oder einem anderem geeigneten Trennverfahren abgetrennt.
  • Im gleichen Arbeitsgang erfolgt auch Silicium-Materialabtrag, um den Wafer auf einen bestimmten, gewünschten Durchmesser zu schleifen und die Kante zu profilieren.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, dass das Abtrennen der Kitteleiste, Entfernen der Restkohleleiste sowie das Kantenverrunden des Wafers in einem Arbeitsgang realisiert wird.
  • Im Gegensatz zum Stand der Technik wirkt eine definierte Ablösekraft an der Waferkante. Beschädigungen werden vermieden.
  • Es ist bekannt, dass die Kante der Siliciumscheibe vor dem Kantenverrundungsschritt äußerst empfindlich ist. Insbesondere das Entfernen der Kohleleiste hat sich in diesem Zusammenhang als äußerst kritisch erwiesen. Dieses Problem tritt im erfindungsgemäßen Verfahren nicht auf.
  • Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass nur ein einmaliges Zentrieren des Wafers für mehrere nachfolgende Bearbeitungsschritte nötig ist, was das Handling erleichtert und auch zu einer bedeutsamen Zeitersparnis führt.
  • Schließlich – ebenfalls vorteilhaft – kommt das Verfahren beim Abtrennen der Sägeleiste ohne Einsatz von Chemikalien (im Stand der Technik z. B. Ameisensäure) aus.
  • Ein Kantenprofil erzeugender Bearbeitungsschritt ist deshalb erforderlich, da die Kante im nicht bearbeiteten Zustand besonders bruchempfindlich ist und die Siliciumscheibe schon durch geringfügige Druck- und/oder Temperaturbelastungen im Kantenbereich beschädigt werden kann. Die unbehandelte Kante einer von einem Einkristall abgetrennten Siliciumscheibe hat eine vergleichsweise raue und uneinheitliche Oberfläche. Sie bricht bei mechanischer Belastung häufig aus und ist eine Quelle störender Partikel. Es ist daher üblich, die Kante zu glätten und ihr ein bestimmtes Profil zu geben.
  • Dies geschieht durch eine Material abtragende Bearbeitung der Kante der Siliciumscheibe mit einem entsprechenden Bearbeitungswerkzeug. Eine dafür geeignete Vorrichtung ist beispielsweise in DE 195 35 616 A1 offenbart.
  • Üblicherweise ist beim Kantenverrunden die Siliciumscheibe auf einem sich drehenden Chuck fixiert und wird mit der Kante gegen eine sich ebenfalls drehende Arbeitsfläche eines Bearbeitungswerkzeugs zugestellt. Eine derartige Vorrichtung ist geeignet, die Kante der Siliciumscheibe mit einem Bearbeitungswerkzeug zu bearbeiten. Bei den dabei eingesetzten Bearbeitungswerkzeugen handelt es sich zumeist um Schleifscheiben, die an einer Spindel befestigt sind und profilierte Umfangsflächen aufweisen, die als Arbeitsflächen zur Bearbeitung der Kante der Siliciumscheibe dienen. Das Material abtragende Schleifkorn ist üblicherweise auf den Arbeitsflächen fest gebunden und weist üblicherweise eine grobe Körnung auf.
  • Beim Kantenverrunden von Siliciumscheiben mit Notch ist eine zusätzliche Schleifspindel (Notchspindel) mit einem Schleifstift (Profilnotchstift) erforderlich. Da das Profil des Profilnotchstiftes üblicherweise mit dem Profil der Profilschleifscheibe identisch ist, wird im Rahmen dieser Erfindung nicht näher auf die Spezifikationen des Profilnotchstiftes eingegangen. Wenn bestimmte Spezifikationen der Profilschleifscheibe genannt sind, sollen diese im Rahmen der Erfindung auch für die verwendeten Profilnotchstifte gelten.
  • Nach dem Stand der Technik ist es üblich, die Siliciumscheiben mit einem zur Mittelebene der Scheibe symmetrischen Profil mit gleichartigen Facetten an der Scheibenvorderseite und der Scheibenrückseite oder aber mit einem asymmetrischen Kantenprofil mit unterschiedlichen Facettenweiten auf Vorder- und Rückseite zu versehen. Dabei erhält die Kante der Siliciumscheibe ein Profil, das geometrisch ähnlich zu einem Zielprofil ist. Ein geeignetes Verfahren hierfür ist beispielsweise in DE 101 31 246 C2 beschrieben.
  • Beispiel
  • Halbleiterstab, der mittels CZ(Czochralski)- oder FZ(Floatzone)-Verfahren gewachsen wurde, wird in eine Aufkittvorrichtung gehoben. Der Stab wird üblicherweise an seiner Mantelfläche auf Rollen gehalten und fixiert. Ein Teil des Stabmantels wird über seine gesamte Länge mit einem Kleber versehen. Auf diesem Kleber wird eine Kohleleiste aufgekittet. Der derart vorbereitete Stab wird anschließend in einer Drahtsäge in Scheiben zersägt. Als Sägedraht wird z. B. Stahl mit Messing- oder Zinkbeschichtung verwendet. Als Schneidemittel ist eine Siliciumcarbid/Glycol-Suspension üblich.
  • Nach dem Zersägen werden die Scheiben herausgebrochen und in einer Cassette (Horde) in einen Reinigungswagen gelegt. Dort werden die Scheiben mit vollentsalztem Wasser gereinigt. Anschließend holt ein Roboter eine einzelne Scheibe aus der Cassette, legt sie auf einen Transportriemen, der die Scheibe auf einen Zentrierchuck legt. Der Zentrierchuck umfasst üblicherweise Zentrierstifte und eine aus transparentem Kunststoff bestehende Auflagefläche. Auf dem Zentrierchuck wird die Scheibe zentriert und orientiert (Pre-alignment). Anschließend wird die Scheibe mittels eines Greifers auf einen Schleifchuck gehoben. Dieser Schleifchuck umfasst üblicherweise Druckstifte und sog. Notchzentrierer, die eine Feinkorrektur von Zentrierung/Orientierung (Alignment) ermöglichen. Dann wird die Scheibe vom Schleifchuck angesaugt und der Schleifvorgang beginnt.
  • Dabei wird die Restkohleleiste und der Kleber entfernt. Außerdem wird die Scheibe im gleichen Arbeitsgang mit einer verrundeten Kante versehen.
  • Figur
  • 1 zeigt schematisch einen zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten Aufbau.
  • 1 zeigt Scheibe 11 mit Restkohleleiste 12 auf Transfer-Chuck 51 mit Zentrierstiften 6. Dort wird die orientiert ankommenden Scheibe 11 zentriert. Dann wird Scheibe 11 zu Vakuum-Chuck 52 transportiert. Anschließend beginnt die Scheibe 11 langsam zu rotieren und die dabei noch anhaftende Restkohleleiste bzw. Kleber 12 zunächst z. B. durch Verwendung von Sägedraht, Wasserstrahl, Laser oder mittels einer anderen geeigneten Abtrennvorrichtung (schematisch dargestellt durch 4) von der Scheibe 11 abgetrennt. Beim Weiterrotieren werden durch eine Schleifscheibe 32 die noch zurückgebliebenen Kohleleisten- und Kleberreste 12 entfernt und Scheibe 11 auf einen definierten Durchmesser geschliffen. Anschließend wird bei Weiterdrehen der Scheibe 11 die Scheibenkante mittels einer zweiten Schleifscheibe 31 profiliert (Verrundung der Kante).

Claims (5)

  1. Verfahren zur mechanischen Bearbeitung einer Scheibe, umfassend folgende Schritte: a) Bereitstellen einer mittels einer Drahtsäge von einem Werkstück abgetrennten Scheibe, umfassend eine Sägeunterlage in ihrem Umfangsbereich; b) Fixieren der Scheibe auf einem Scheibenhalter, der in Rotation versetzt werden kann; c) Mechanische Bearbeitung der auf dem rotierenden Scheibenhalter befindlichen Scheibe, beinhaltend Entfernen der Sägeunterlage und Verrundung der Kante der Scheibe durch Zustellung rotierender Schleifscheiben in einem Arbeitschritt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Entfernen der Sägeunterlage ohne jeglichen Einsatz von ätzenden Chemikalien erfolgt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass vor der mechanischen Bearbeitung gemäß c) ein Teil der Sägeleiste mechanisch oder mittels eines Wasserstrahls abgetrennt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass es sich beim Werkstück um einen Halbleiterstab und bei der Scheibe um eine Halbleiterscheibe, vorzugsweise um eine Siliciumscheibe, handelt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Scheibe eine Orientierungskerbe umfasst und vor der mechanischen Bearbeitung gemäß c) zentriert und orientiert wird.
DE200810022476 2008-05-07 2008-05-07 Verfahren zur mechanischen Bearbeitung einer Scheibe Expired - Fee Related DE102008022476B3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200810022476 DE102008022476B3 (de) 2008-05-07 2008-05-07 Verfahren zur mechanischen Bearbeitung einer Scheibe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200810022476 DE102008022476B3 (de) 2008-05-07 2008-05-07 Verfahren zur mechanischen Bearbeitung einer Scheibe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008022476B3 true DE102008022476B3 (de) 2009-12-24

Family

ID=41335205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200810022476 Expired - Fee Related DE102008022476B3 (de) 2008-05-07 2008-05-07 Verfahren zur mechanischen Bearbeitung einer Scheibe

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102008022476B3 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010010886A1 (de) 2010-03-10 2011-09-15 Siltronic Ag Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
DE102009060575B4 (de) * 2009-12-23 2013-09-05 Gebrüder Decker GmbH & Co. KG Verfahren sowie Vorrichtung zum Vereinzeln von Wafern aus einem Ingot

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4400221A1 (de) * 1993-01-11 1994-07-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben und Anlage hierfür
DE19535616A1 (de) * 1994-09-29 1996-04-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd Schleifvorrichtung für Waferrand
US6074442A (en) * 1994-10-28 2000-06-13 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of separating slice base mounting member from wafer and jig adapted therefor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4400221A1 (de) * 1993-01-11 1994-07-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben und Anlage hierfür
DE19535616A1 (de) * 1994-09-29 1996-04-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd Schleifvorrichtung für Waferrand
US6074442A (en) * 1994-10-28 2000-06-13 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of separating slice base mounting member from wafer and jig adapted therefor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009060575B4 (de) * 2009-12-23 2013-09-05 Gebrüder Decker GmbH & Co. KG Verfahren sowie Vorrichtung zum Vereinzeln von Wafern aus einem Ingot
DE102009060575B9 (de) * 2009-12-23 2013-11-28 Gebrüder Decker GmbH & Co. KG Verfahren sowie Vorrichtung zum Vereinzeln von Wafern aus einem Ingot
DE102010010886A1 (de) 2010-03-10 2011-09-15 Siltronic Ag Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
WO2011110430A1 (de) 2010-03-10 2011-09-15 Siltronic Ag Verfahren zur bearbeitung einer halbleiterscheibe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112004000768B4 (de) Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Elements
DE102005014539B4 (de) Waferverarbeitungsverfahren
DE102015002542B4 (de) Waferteilungsverfahren
DE102006018644B4 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Halbleiterwafer
DE102006030866B4 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Halbleiterwafer
DE102008051673B4 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Auftrennen eines Verbundstabs aus Silicium in eine Vielzahl von Scheiben
DE102016215473B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE10333810B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers einschließlich Schleifen der Rückseite
DE2702261A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum schleifen der kanten eines zerbrechlichen werkstuecks
DE102005046726A1 (de) Nichtpolierte Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer nichtpolierten Halbleiterscheibe
DE102018210110A1 (de) Waferherstellungsvorrichtung
DE102017201151A1 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE4134110A1 (de) Verfahren zum rotationssaegen sproedharter werkstoffe, insbesondere solcher mit durchmessern ueber 200 mm in duenne scheiben vermittels innenlochsaege und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE102019204741A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Wafers
DE10028062A1 (de) Verfahren zum Durchschneiden einer Schutzfolie bei Halbleiterwafern
DE102019212101A1 (de) Halbleitersubstratbearbeitungsverfahren
EP2153960A2 (de) Träger, Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Wafern sowie Verwendung der hergestelllten Wafer
DE102010008975A1 (de) Werkstückbearbeitungsverfahren und -vorrichtung
DE102015204698A1 (de) Verfahren zum Teilen eines Wafers
DE102008022476B3 (de) Verfahren zur mechanischen Bearbeitung einer Scheibe
WO2011110430A1 (de) Verfahren zur bearbeitung einer halbleiterscheibe
DE102009025242B4 (de) Verfahren zum beidseitigen chemischen Schleifen einer Halbleiterscheibe
DE102014227005B4 (de) Verfahren zum Aufteilen eines Wafers in Chips
DE102010007459B4 (de) Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial
DE102018217410A1 (de) Werkstückschleifverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20121201