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Es
wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben. Darüber
hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen
Halbleiterbauelements angegeben.
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Optoelektronische
Halbleiterbauelemente, wie beispielsweise Halbleiterlaser, finden
sich auf vielen technischen Anwendungsgebieten wieder. Optoelektronische
Halbleiterbauelemente können durch Eigenschaften wie kompakte
Bauweise, geringer Platzbedarf, vielfältige Ausgestaltungsmöglichkeiten, gute
Effizienz und hoher Wirkungsgrad sowie gute Einstellmöglichkeit
des relevanten Spektralbereichs überzeugen. Für
viele Anwendungsbereiche sind optoelektronische Halbleiterbauelemente
erwünscht, die leuchtkräftig sind, hohe Intensitäten
und große optische Ausgangsleistungen aufweisen.
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In
der Druckschrift
EP
1 514 335 B1 ist ein Verfahren zur Passivierung der Spiegelflächen
von optischen Halbleiterbauelementen beschrieben.
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In
der Druckschrift
US 5,799,028 ist
eine Passivierung und ein Schutz einer Halbleiteroberfläche
offenbart.
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Eine
zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement anzugeben, das für hohe optische Ausgangsleistungen
geeignet ist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin,
ein effizientes und einfaches Verfahren zur Herstellung eines solchen
optoelektronischen Halbleiterbauelements anzugeben.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
umfasst dieses mindestens einen optisch aktiven Bereich. Der optisch
aktive Bereich besteht mindestens zum Teil aus einem kristallinen
Halbleitermaterial. Mindestens einer der Stoffe Gallium oder Aluminium wird
von dem den optisch aktiven Bereich bildenden Halbleitermaterial
umfasst. Beispielsweise weist der optisch aktive Bereich eine pn-Übergangszone
auf. Der optisch aktive Bereich kann quantentopf-, quantenpunkt-
oder quantenlinienartige Strukturen, entweder einzeln oder in Kombination,
oder auch flächig ausgestaltete pn-Übergangsbereiche
enthalten. Mögliche Bauteile, in denen der optisch aktive
Bereich eingesetzt werden kann, sind etwa Laserdioden, insbesondere
für nahinfrarotes Licht, Superlumineszenzdioden oder Leuchtdioden,
insbesondere Hochleistungsdioden, das heißt, Dioden mit
einer optischen Leistung von mindestens 0,5 W, bevorzugt von solchen
mit einer optischen Leistung von mindestens 1 W.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
weist dieses mindestens eine Facette am optisch aktiven Bereich
auf. Das Halbleiterbauelement kann insbesondere über zwei
Facetten an einander gegenüberliegenden Seiten verfügen.
Unter Facette ist hierbei eine glatte Grenzfläche zu verstehen. „Glatt” bedeutet
hierbei, dass die Oberflächenrauheit der Facette deutlich
kleiner ist als die Wellenlänge des vom optoelektronischen
Halbleiterbauteils 1 in dessen Betrieb zu erzeugenden Lichts,
bevorzugt kleiner als die Hälfte der Wellenlänge,
besonders bevorzugt kleiner als ein Viertel der Wellenlänge.
Die Facette bildet also eine Grenzfläche oder eine Außenfläche
des optisch aktiven Bereichs aus, etwa zwischen diesem und umgebender
Luft oder einem anderen Material mit niedrigerem optischen Brechungsindex,
als der optisch aktive Bereich aufweist. Die Facette kann eine angeschliffene
Fläche darstellen. Eine Facette am optisch aktiven Bereich
kann auch erzeugt werden, indem dessen Halbleitermaterial beispielsweise eingeritzt
und anschließend gebrochen wird.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
umfasst dieses mindestens eine schwefel- oder selenhaltige Grenzschicht.
Diese befindet sich an der Facette. Bevorzugt steht die Grenzschicht
in direktem Kontakt zur Facette. Die Grenzschicht bedeckt mindestens
einen Teil der von der Facette gebildeten Grenzfläche,
bevorzugt die gesamte Grenzfläche. Die Dicke der Grenzschicht
beträgt höchstens zehn Monolagen, bevorzugt höchstens
fünf Monolagen. Besonders bevorzugt beträgt die
Dicke der Grenzschicht höchstens eine Monolage. Als Monolage
wird hierbei eine Kristallschicht der Dicke einer Einheitszelle
des Halbleitermaterials aufgefasst. In der Grenzschicht sind bevorzugt
keine Sauerstoffatome vorhanden. Das heißt, die Grenzschicht
ist frei von Sauerstoffatomen, wobei „frei” bedeutet,
dass der Sauerstoffrestanteil weniger als 10 Teile pro Milliarde, kurz
ppb, beträgt, besonders bevorzugt weniger als 1 ppb.
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In
mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen
Halbleiterbauelements umfasst dieses mindestens einen optisch aktiven
Bereich, der mit einem kristallinen Halbleitermaterial gebildet
ist, das mindestens einen der Stoffe Gallium oder Aluminium enthält.
Weiterhin umfasst das Halbleiterbauelement mindestens eine Facette
am optisch aktiven Bereich. Weiterhin weist das Halbleiterbauelement mindestens
eine schwefel- oder selenhaltige Grenzschicht mit einer Dicke von
bis zu fünf Monolagen auf, wobei die Grenzschicht sich
an der Facette befindet. Ein solches Halbleiterbauelement hat eine hohe
Zerstörschwelle bezüglich optischer Leistungen,
die im Betrieb des Halbleiterelements auftreten.
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Sind
Halbleitermaterialien, die mindestens einen der Stoffe Aluminium
oder Gallium enthalten, etwa Luft, insbesondere Sauerstoff, ausgesetzt,
so findet eine Oxidation statt. An der Grenzfläche Halbleitermaterial/Luft
bildet sich infolgedessen eine Oxidschicht. Diese Oxidschicht und
eventuelle weitere Verunreinigungen können Farbbeziehungsweise Absorptionszentren
ausbilden, die im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauteils
verstärkt Licht absorbieren beziehungsweise reabsorbieren.
Dies führt zu einer lokalen Erwärmung im Bereich
der Verunreinigungen beziehungsweise der oxidierten Bereiche. Je
nach verwendetem Halbleitermaterial kann diese lokale Erwärmung
wiederum zu einer Absenkung der Bandlücke des Halbleitermaterials
führen, was die Reabsorption verstärkt. Die Temperatur
im Bereich der Verunreinigungen steigt dadurch weiter an.
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Die
lokale Erhitzung aufgrund von Absorption beziehungsweise Reabsorption
kann bis zu einem Aufschmelzen der betroffenen Halbleiterbereiche führen
und dadurch die Grenzfläche, insbesondere die Facette,
zerstören. Die Effizienz des betroffenen optoelektronischen
Halbleiterbauteils wird hierdurch negativ beeinflusst. Ist auf der
Facette beispielsweise eine Spiegelschicht aufgetragen, so kann
ebenfalls die Spiegelschicht beschädigt werden. Speziell
kann die Spiegelschicht aufgrund eines lokalen Aufschmelzens sich von
der Facette lösen. Insbesondere im Falle eines Laserresonators,
bei dem die Facette und eine daran angebrachte Spiegelschicht mindestens
einen Resonatorspiegel ausbilden, kann dies zu einer Zerstörung
des zum Beispiel als Laserdiode ausgestalteten Bauteils führen.
Dies wird auch als katastrophaler optischer Schaden, Catastrophical Optical
Damage, kurz COD, bezeichnet. Die Intensitäts- beziehungsweise
Lichtleistungsschwelle, ab der der Degradationsmechanismus einsetzt,
ist ein Gütekriterium, beispielsweise für einen
Laser, und wird als Power Catastrophical Optical Damage-Schwelle, kurz
PCOD-Schwelle, bezeichnet.
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Dieser
Zerstörungsmechanismus kann unterbunden oder zu deutlich
höheren optischen Leistungen hin verschoben werden, indem
verhindert wird, dass die Facette ganz oder teilweise oxidiert. Die
Oxidation kann unterbunden werden, indem an der Facette eine Grenzschicht
angebracht ist, die an potentiellen Sauerstoff-Anbindungsstellen
Atome mit einer größeren Affinität zum
Halbleitermaterial des optisch aktiven Bereichs aufweist als Sauerstoff selbst.
Dies wird durch eine schwefel- oder selenhaltige Grenzschicht erreicht.
Zudem ist die schwefel- oder selenhaltige Grenzschicht für
die relevante, beispielsweise nahinfrarote Laserstrahlung transparent, sodass
keine Absorption beziehungsweise Reabsorption an der Grenzschicht
auftritt.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
umfasst dieses mindestens eine Passivierungsschicht auf der Grenzschicht.
Die Passivierungsschicht deckt mindestens Teile der Grenzschicht
und somit auch der Facette ab. Bevorzugt bedeckt die Passivierungsschicht
die komplette Grenzschicht und ebenfalls die komplette durch die
Facette gebildete Grenzfläche. Mehrere verschieden ausgeprägte,
aufeinander angeordnete Passivierungsschichten können etwa
als Adapterschichten zwischen Facette und weiteren, aufzubringenden
Schichten dienen, zum Beispiel, um eine Anpassung verschiedener
Kristallgitter aneinander zu ermöglichen. Ein solches Halbleiterbauelement
kann vielseitig ausgestaltet sein und ist robust gegen Umwelteinflüsse
wie beispielsweise Oxidation und Feuchtigkeit.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
basiert das Halbleitermaterial des optisch aktiven Bereichs auf
Galliumarsenid, Aluminium-Gallium-Arsenid, Indium-Gallium-Aluminium-Phosphid,
Gallium-Indium-Nitrid-Arsenid, Galliumnitrid, Indium-Gallium-Aluminium-Arsenid
oder Galliumphosphid. ”Basierend auf” bedeutet
hierbei, dass der wesentliche Bestandteil des Halbleitermaterials
einer der genannten Verbindungen entspricht. Das Halbleitermaterial kann
auch andere, insbesondere Dotierstoffe aufweisen. Durch die Verwendung
derartiger Halbleitermaterialien kann der vom optisch aktiven Bereich
zu emittierende oder zu empfangende Frequenzbereich abgestimmt werden.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
weist die Grenzschicht Galliumselenid, Galliumsulfid, Aluminiumselenid
oder Aluminiumsulfid auf. Selen und Schwefel weisen eine hohe chemische
Affinität zu Gallium beziehungsweise Aluminium auf. Die
Affinität von Selen und Schwefel zu Gallium und Aluminium kann
insbesondere höher sein als die von Sauerstoff zu Gallium
und Aluminium. Dadurch verhindert eine solche Grenzschicht schädigenden
Einfluss auf die Facette durch Oxidation.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
ist die Passivierungsschicht mit Zinkselenid oder Zinksulfid gestaltet.
Eine solche Passivierungsschicht kann einfach zum Beispiel über
metallorganische Gasphasenepitaxie, kurz MOVPE, hergestellt werden
und bietet guten Schutz, beispielsweise gegen Oxidation oder Feuchtigkeit.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
beträgt die Dicke der Passivierungsschicht wenigstens 5
nm und höchstens 200 nm, bevorzugt wenigstens 10 nm und
höchstens 100 nm, besonders bevorzugt wenigstens 20 nm
und höchstens 60 nm. Eine Passivierungsschicht einer derartig
gestalteten Dicke ist mit angemessenem Fertigungsaufwand herzustellen und
bietet einen ausreichenden Schutz des Halbleiterbauelements, insbesondere
des optisch aktiven Bereichs, speziell vor Oxidation.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
umfasst dieses mindestens eine dielektrische Schichtenfolge, die
in Form eines Bragg-Spiegels auf der Passivierungsschicht aufgebracht
ist. Ein Bragg-Spiegel wird aus einer Anzahl dielektrischer Schichten
mit abwechselnd hohem und niedrigem optischen Brechungsindex gebildet.
Die Anzahl der Schichten beträgt bevorzugt zwischen zehn
und zwanzig. Die einzelnen dielektrischen Schichten können
beispielsweise aus Aluminiumoxid, Siliziumdioxid, Tantaloxid, Silizium-Aluminium-Galliumarsenid oder
Aluminium-Gallium-Indium-Phosphid basieren, je nachdem, für
welchen Spektralbereich der Bragg-Spiegel reflektierend wirken soll.
Der Bragg-Spiegel bedeckt mindestens einen Teil der Passivierungsschicht,
bevorzugt die gesamte Passivierungsschicht und somit auch die gesamte
Facette. Über einen Bragg-Spiegel ist auf einfache Art
und Weise ein Resonator hoher Güte, beispielsweise für ein
Laserbauteil, erzeugbar.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements
ist dieses als Laserbarren ausgestaltet. Das bedeutet, das optoelektronische
Halbleiterbauelement weist einen zum Beispiel elektrisch oder optisch
pumpbaren optisch aktiven Bereich auf. Außerdem umfasst
das Halbleiterbauelement einen Laserresonator, der beispielsweise
durch Facetten beziehungsweise Grenzflächen am optisch
aktiven Bereich gebildet wird. Bevorzugt weist der Laserbarren ebenfalls
elektrische Anschlusseinrichtungen auf, um den Laserbarren, falls
dieser elektrisch gepumpt wird, betreiben zu können. Ein
derart gestalteter Laserbarren weist eine hohe Zerstörschwelle
auf und ist dazu geeignet, hohe optische Ausgangsleistungen zu erzeugen.
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Es
wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Beispielsweise
kann mittels des Verfahrens ein optoelektronisches Halbleiterbauelement
hergestellt werden, wie es in Verbindung mit einem oder mehrerer
der oben genannten Ausführungsformen beschrieben ist.
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Das
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
weist gemäß zumindest einer Ausführungsform
mindestens folgende Verfahrensschritte auf:
- – Bereitstellen
eines optisch aktiven Bereichs, dessen Halbleitermaterial mindestens
einen der Stoffe Gallium oder Aluminium enthält,
- – Erzeugen mindestens einer Facette am optisch aktiven
Bereich,
- – Desoxidation der Facette mittels eines schwefel- oder
selenhaltigen Gasstroms, und
- – Erzeugen mindestens einer selen- oder schwefelhaltigen
Grenzschicht aus bis zu zehn Monolagen.
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Durch
ein derart gestaltetes Verfahren lässt sich ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement effizient und vergleichsweise einfach herstellen.
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Das
Bereitstellen des optisch aktiven Bereichs kann beinhalten, dass
der aktive Bereich epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat gewachsen wird.
In diesem Falle kann das Aufwachsen des optisch aktiven Bereichs
im Wafer-Verbund stattfinden. Der Verfahrensschritt des Bereitstellens
kann ebenso enthalten, dass der optisch aktive Bereich von einem Aufwachssubstrat
separiert wird oder dass ein Aufwachssubstrat, etwa ein Wafer, in
mehrere Bestandteile, die ein oder mehrere optisch aktive Bereiche umfassen
können, separiert wird.
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Das
Erzeugen der mindestens einen Facette am optisch aktiven Bereich
kann mittels Ritzen und anschließendem Brechen oder auch
mittels Spalten erfolgen. Die durch die Facette gebildete Grenzfläche
des optisch aktiven Bereichs weist bevorzugt eine Rauheit auf, die
geringer ist als die Wellenlänge der elektromagnetischen
Strahlung, die vom optoelektronischen Halbleiterbauelement in dessen
Betrieb erzeugt werden soll. Bevorzugt ist die Rauheit geringer
als die Hälfte der Wellenlänge, besonders bevorzugt
geringer als ein Viertel der Wellenlänge. Eine etwa gesägte
Facette kann anschließend mittels Polieren oder Schleifen
geglättet werden. Bevorzugt werden zwei einander im Wesentlichen
gegenüberliegende beziehungsweise planparallel zueinander
angeordnete Facetten gebildet, insbesondere wenn eine Verwendung
des optoelektronischen Halbleiterbauelements für Laseranwendungen
vorgesehen ist, so dass der optisch aktive Bereich zusammen mit
den Facetten einen Resonator ausbilden soll. „Im Wesentlichen” bedeutet
hierbei im Rahmen der Fertigungstoleranzen.
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Bevorzugt
wird die Desoxidation mit einem schwefel- oder selenhaltigen Gasstrom
durchgeführt. Das Gas wird hierbei über die Facette
geleitet, zum Beispiel ähnlich einem MOVPE-Verfahren. An
der Grenzfläche des den optisch aktiven Bereich bildenden
Halbleitermaterials werden hierdurch die sich an und nahe der Grenzfläche
befindlichen Sauerstoffatome durch reaktive Selen- oder Schwefelatome
aus dem Gasstrom ersetzt, wodurch die Desoxidation der Facette realisiert
wird.
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Eine
selen- oder schwefelhaltige erzeugte Grenzschicht weist eine Dicke
von höchstens fünf Monolagen auf, das heißt,
die Dicke der Grenzschicht beträgt höchstens fünf
Einheitszellen des Kristallgitters des Halbleitermaterials. Bevorzugt
wird nur eine einzige Monolage ausgebildet. Die Dicke der Grenzschicht
entspricht bevorzugt mindestens der Dicke der zu desoxidierenden,
sauerstoffhaltigen Schicht. Die Monolage weist bevorzugt mindestens eine
der Verbindungen Galliumselenid, Galliumsulfid, Aluminiumselenid
oder Aluminiumsulfid auf.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Passivierungsschicht
mittels eines Gasstroms auf der Grenzschicht gebildet, etwa ähnlich
einem MOVPE-Verfahren. Bevorzugt bedeckt die Passivierungsschicht
die gesamte Grenzschicht, die wiederum bevorzugt die gesamte durch
die Facette gebildete Grenzfläche bedeckt. Die Passivierungsschicht
wird etwa durch ein II-VI-Halbleitermaterial, bevorzugt durch Zinkselenid
oder Zinksulfid, gebildet. Das die Passivierungsschicht bildende
Material wird bevorzugt so gewählt, dass es sich gut auf
der Grenzschicht aufwachsen lässt. Beinhaltet die Grenzschicht
zum Beispiel Ga(Al)2Se3,
so stellt ZnSe ein besonders geeignetes Material für die Passivierungsschicht
dar. Ein solches Verfahren ermöglicht eine einfache Herstellung
eines Passivierungsfilms.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des Verfahrens finden die Verfahrensschritte
Desoxidation und Erzeugen der Grenzschicht bei Atmosphärendrücken
größer als 10–3 mbar
statt. Das bedeutet, für diese Verfahrensschritte ist dann
kein Hochvakuum oder Ultrahochvakuum erforderlich. Bei der Desoxidation
mittels eines Gasstroms und gegebenenfalls beim Erzeugen einer Passivierungsschicht
mittels eines Gasstroms treten bevorzugt Atmosphärendrücke
im Bereich von 100 mbar bis 1100 mbar auf, besonders bevorzugt zwischen
300 mbar und 700 mbar. Da auf ein Hochvakuum oder Ultrahochvakuum
verzichtet werden kann, reduzieren sich die Herstellungskosten des
optoelektronischen Halbleiterbauteils.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des Verfahrens finden Desoxidation
und Aufbringen der Passivierungsschicht in derselben Verfahrensführungskammer
statt. Dies kann dadurch realisiert werden, dass der zu behandelnde
optisch aktive Bereich in eine Kammer gebracht wird, in der eine
Beströmung mit verschiedenen Gasen möglich ist.
Zum Beispiel wird ein erster Gasstrom mit einem schwefel- oder selenhaltigen
Gas über die Facette geleitet. Anschließend wird
von diesem ersten Gasstrom auf einen zweiten Gasstrom umgeschaltet,
wodurch die Passivierungsschicht aufgewachsen wird. Das Umschalten
wird bevorzugt schnell vollzogen, so dass kein sauerstoffhaltiges
Gas zur Facette gelangt. „Schnell” bedeutet hierbei
insbesondere in weniger als einer Sekunde. Zwischen Desoxidation
und Aufbringen der Passivierungsschicht muss das zu behandelnde
Bauteil also nicht aus der Verfahrensführungskammer herausgeholt
werden. Dies verhindert effektiv, dass zwischen Desoxidation und
Aufbringen der Passivierungsschicht etwa eine Oxidation stattfinden
kann. Außerdem vereinfacht sich das Verfahren, da ein Verfahrensschritt
des Umlagerns der zu behandelnden Bauteile entfällt.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines
optoelektronischen Bauteils werden bei der Desoxidation beziehungsweise
beim Aufbringen der Passivierungsschicht ein Gasstrom verwendet,
der mindestens einen der Stoffe H2, H2Se, H2S, ein Selen-Metall-Organyl,
ein Schwefel-Metall-Organyl, Trimethylzink, Diethyizink oder ein
Zinkorganyl enthalten. Der Gasstrom kann insbesondere Mischungen
oben genannter Stoffe aufweisen. Auch Zusatzstoffe können
dem Gasstrom beigegeben sein, beispielsweise um eine Dotierung zu
erzielen. Durch die Verwendung oben aufgeführter Stoffe
im Gasstrom wird ein effektives Desoxidieren und/oder Bilden der
Passivierungsschicht ermöglicht.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt die
Verfahrenstemperatur jeweils höchstens 360°C,
insbesondere bei den Schritten Desoxidation, Erzeugen der Grenzschicht
und Erzeugen der Passivierungsschicht. Bevorzugt liegt die Verfahrenstemperatur
unterhalb von 350°C, besonders bevorzugt im Bereich zwischen
260 und 300°C.
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Derartige
Verfahrenstemperaturen können gewährleisten, dass
der optisch aktive Bereich während des Herstellungsverfahrens
aufgrund der Prozesstemperaturen nicht beschädigt wird.
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Insbesondere
bei solchen Prozesstemperaturen liegt das reaktive Gas nicht als
hoch- oder niederenergetisches Plasma vor. Da kein Plasma vorliegt,
kann die Behandlung des den optisch aktiven Bereich bildenden Halbleitermaterials
und deren Facette besonders schonend erfolgen.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt die
Dauer der Verfahrensschritte Desoxidation, Erzeugen der Grenzschicht und/oder
Aufbringen der Passivierungsschicht jeweils weniger als sechs Minuten,
bevorzugt weniger als drei Minuten, besonders bevorzugt weniger
als eine Minute. Durch die geringe Zeitdauer der entsprechenden
Verfahrensschritte wird eine kostengünstige Herstellung
des optoelektronischen Halbleiterbauteils gewährleistet.
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Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des Verfahrens sind die zu behandelnden
Bauelemente während der Verfahrensschritte Desoxidation und/oder
Aufbringen der Passivierungsschicht eingehordet. ”Eingehordet” bedeutet
hierbei, dass eine Vielzahl zu behandelnder Bauelemente, etwa in
einem regelmäßigen Muster, auf einem Träger
platziert sind. Als Träger können etwa Teller,
Gitter oder Wafer verwendet werden. Der Träger samt den
darauf befindlichen zu behandelnden Bauelementen wird dann in beispielsweise
eine Verfahrensführungskammer eingeführt. Die
zu behandelnden Facetten sind bevorzugt in einer Ebene angeordnet,
die durch die Facetten gebildeten Grenzflächen der optisch
aktiven Bereiche sind bevorzugt in eine gleiche Richtung ausgerichtet.
Die zu behandelnden Bauteile können derart eingehordet
sein, dass sich deren nicht durch Facetten gebildete Grenzflächen
gegenseitig mindestens zum Teil berühren und abdecken,
und somit nicht desoxidiert oder passiviert werden. Bevorzugt sind
die zu behandelnden Bauteile quaderförmig ausgestaltet
und die zu behandelnden Facetten sind durch Stirnflächen
der Quader gebildet. Durch das Einhorden der zu behandelnden Bauteile
ist ein effizientes und kostengünstiges Verfahren möglich.
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Die
angegebene Reihenfolge der Verfahrensschritte ist als bevorzugt
anzusehen. Abweichende Reihenfolgen, je nach Erfordernissen, sind aber
ebenso möglich.
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Im
Folgenden wird das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil
sowie das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils anhand
von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen
Figuren näher erläutert.
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Es
zeigen:
-
1 eine
schematische Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements,
-
2 eine
schematische Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels
eines Halbleiterbauelements,
-
3 eine
schematische Seitenansicht eines Ausführungsbeispiels eines
Halbleiterbauelements (a) in Form eines Laserbarrens sowie eine schematische
Seitenansicht (b) eines Laserstapels,
-
4 eine
schematische Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels
eines Halbleiterbauelements in Form eines vertikal emittierenden
Lasers,
-
5 eine
schematische dreidimensionale Darstellung von eingehordeten Bauelementen,
und
-
6a bis
f eine schematische Darstellung verschiedener Verfahrensschritte
zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements.
-
In
den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder
gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen
versehen. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgetreu
anzusehen; vielmehr können einzelne Elemente zum besseren
Verständnis übertrieben groß dargestellt
sein.
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In 1 ist
ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 gezeigt. Am
optisch aktiven Bereich 2, der etwa auf AlGaAs basiert,
ist eine Facette 3 erzeugt. Die Facette 3 stellt eine
glatte Grenzfläche am optisch aktiven Bereich 2 zur
Umgebung dar. Über die gesamte Fläche der Facette 3 ist
eine Grenzschicht 4 angebracht. Die Grenzschicht wird von
einer Monolage Ga(Al)2Se3 gebildet.
Diese Monolage weist die Dicke einer Einheitszelle des Kristallgitters
auf. Aufgrund der hohen Affinität von Selen zu Gallium
und Aluminium wird eine Oxidation der Facette unterbunden.
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Beim
Ausführungsbeispiel gemäß 2 ist auf
der Grenzschicht 4 zusätzlich eine Passivierungsschicht 5 aufgebracht.
Das Halbleitermaterial des optisch aktiven Bereichs 2 basiert
zum Beispiel auf InGaAlP. Die Grenzschicht 4 ist schwefelhaltig. Die
Passivierungsschicht 5 weist eine Dicke von zirka 50 nm
auf und besteht aus ZnS. Das in der Grenzschicht 4 vorhandene
Ga(Al)2S3 bietet
für ZnS eine gute Wachstumsbasis. Durch die geringe Dicke
der Passivierungsschicht 5 führen Gitterfehlanpassungen
zwischen Grenzschicht 4 und Passivierungsschicht 5 zwar
möglicherweise zu Versetzungen im Kristallgitter, allerdings
zu keinen Korngrenzen, so dass die Passivierungsschicht 5 dicht
zum Beispiel gegenüber Sauerstoff ist. Die Passivierungsschicht 5 erfüllt
also die Funktion, die an sauerstoffhaltiger Atmosphäre,
insbesondere Luft, unbeständige Grenzschicht 4 vor
der Einwirkung von Luft beziehungsweise vor Oxidation zu schützen.
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Alternativ
kann die Grenzschicht 4 auch mit Ga(Al)2Se3 gebildet sein, die Passivierungsschicht 5 besteht
dann bevorzugt aus ZnSe. Neben ZnS und ZnSe werden geeignete Passivierungsschichten 5 beispielsweise
von II-VI-Halbleitern wie CdSe, CdS, CdTe, ZnTe und BeTe, oder auch
von MgTe oder MgSe gebildet.
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Die
Passivierungsschicht 5 besteht bevorzugt aus einem Material,
das für die im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements
auftretenden Wellenlängen transparent ist. ZnSe ist transparent
bei Wellenlängen größer als zirka 550
nm, ZnS bei Wellenlängen größer als zirka
370 nm, abhängig von der Kristallstruktur. Ebenso sind
die Materialen der Grenzschicht 4 und der Passivierungsschicht 5 geeignet
aufeinander abzustimmen, zum Beispiel betreffs der Gitterkonstanten
der Kristallgitter.
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Eine
alternative oder zusätzliche Möglichkeit, eine
Facette 3 vor einer Zerstörung aufgrund Absorption
oder Reabsorption zu bewahren, besteht darin, die Strahlung erzeugenden
oder absorbierenden Strukturen in einem optisch aktiven Bereich 2 in
der Nähe der Facette 3 zu zerstören.
Dies ist durch Auflösen von zum Beispiel Quantentöpfen
im optisch aktiven Bereich 2, so genanntes Quantumwell-Intermixing,
kurz QWI, möglich. Hierbei werden zum Beispiel Fremdmaterialien
etwa durch Diffusion in die Kristallstruktur der sich nahe der Facette 3 befindlichen
Regionen des optisch aktiven Bereichs 2 gebracht, wodurch
dieser deaktiviert wird.
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Ein
Ausführungsbeispiel in Form eines Laserbarrens 7 ist
in 3a dargestellt. Ein optisch aktiver
Bereich 2 ist von Halbleiterschichten 10 eingeschlossen,
an denen wiederum Elektroden 9 zur Bestromung angebracht
sind. Der optisch aktive Bereich 2 basiert zum Beispiel
auf AlGaN. An der Facette 3, die durch Brechen erzeugt
werden kann, befindet sich eine Grenzschicht 4. Die Dicke
der Grenzschicht beträgt eine Monolage. Die Grenzschicht 4 ist in
diesem Ausführungsbeispiel im Wesentlichen parallel zur
Wachstumsrichtung der Halbleiterschichten 10 beziehungsweise
des optisch aktiven Bereichs 2 ausgerichtet. Auf der Grenzschicht 4 ist
eine Passivierungsschicht 5 mit einer Dicke von zirka 20
nm aufgebracht. Grenzschicht 4 und Passivierungsschicht 5 bedecken
jeweils die gesamte durch die Facette 3 gebildete Grenzfläche.
Auf der der Facette 3 abgewandten Seite der Passivierungsschicht 5 ist eine
dielektrische Schichtenfolge 6 aufgebracht, die als Bragg-Spiegel
ausgestaltet ist. Der Bragg-Spiegel besteht aus einer Schichtenfolge
mit jeweils abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex. Die
elektrische Schicht kann zum Beispiel auf Zinkselenid, Aluminiumoxid,
Siliziumdioxid, Tantaloxid oder Silizium basieren. Die Passivierungsschicht 5 kann auch
einen Teil des Bragg-Spiegels darstellen. Zusammen mit einem nicht
gezeichneten zweiten Bragg-Spiegel an der der Facette 3 gegenüberliegenden,
ebenfalls nicht gezeichneten Grenzfläche, bildet der erste
Bragg-Spiegel 6 einen Resonator aus, beispielsweise für
einen im nahinfraroten emittierenden Halbleiterlaser.
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Das
optoelektronische Halbleiterbauteil 1 in Form eines Laserstapels
kann dann, wie in 3b gezeigt, aus
einer Vielzahl gestapelter beziehungsweise gestackter Laserbarren 7 gebildet
werden. Je nach konkreter Ausgestaltung der Laserbarren 7 kann
es von Vorteil sein, dass eine durchgehende Grenzschicht 4 beziehungsweise
Passivierungsschicht 5 über die gesamten Facetten 3 der
verschiedenen Laserbarren 7 ausgebildet wird.
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Gemäß 4 wird
das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 durch einen
vertikal emittierenden, beispielsweise optisch gepumpten Halbleiterlaser,
kurz VECSEL, gebildet. Auf einem etwa mit einem Halbleitermaterial
gebildeten Substrat 12 ist eine erste dielektrische Schichtenfolge 6b,
die einen ersten Bragg-Spiegel 6b bildet, aufgebracht.
Optisch aktive Bereiche 2b und 2c sind auf der
dem Substrat 12 abgewandten Seite eines ersten Bragg-Spiegels 6b angeordnet.
Auf der dem Substrat 12 abgewandten Seite der optisch aktiven
Bereiche 2c sind Elektroden 9 und Halbleiterschichten 10 angebracht, über die
die aktiven Bereiche 2c elektrisch gepumpt werden können
und hierdurch einen ersten Laser ausbilden, dessen Resonator durch
zwei zweite Bragg-Spiegel 6a gebildet wird. Die zweiten Bragg-Spiegel 6a sind
als am weitesten außen liegende Komponenten über
den Facetten 3 angebracht. Die Facetten 3 stellen
die lateral äußeren Grenzflächen der
optisch aktiven Bereiche 2c, des Substrats 12 sowie
der Halbleiterschichten 10 dar. An den Facetten 3 des
ersten elektrisch gepumpten Lasers sind Grenzschichten 4 angebracht.
Die Grenzschichten 4 sind wiederum von Passivierungsschichten 5 abgedeckt,
wobei Grenzschichten 4 und Passivierungsschichten 5 die
gesamten durch die Facetten 3 gebildeten Grenzflächen
abdecken. Grenzschichten 4 und Passivierungsschichten 5 schützen also
nicht nur die optisch aktiven Bereiche 2c, sondern auch
das diese umgebende Halbleitermaterial.
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Der
vertikal emittierende, durch den ersten Laser gepumpte optisch aktive
Bereich 2b wird von einem dritten Bragg-Spiegel 6c abgedeckt,
der zusammen mit dem ersten Bragg-Spiegel 6b den Resonator
des VECSEL ausbildet.
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Neben
horizontal emittierenden Lasern, wie in 3 gezeigt,
oder vertikal emittierenden Lasern, wie in 4 dargestellt,
können schwefel- oder selenhaltige Grenzschichten ebenfalls
in Leuchtdioden und Superlumineszenzdioden Verwendung finden. Auch
andere Bauteile, bei denen hohe Lichtintensitäten an Grenzflächen
auftreten und die über mindestens ein Halbleitermaterial
verfügen, das mindestens einen der Stoffe Gallium oder
Aluminium beinhaltet, können mit der beschriebenen Art
eines Oxidationsschutzes und/oder einer Passivierung ausgestattet sein.
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Ein
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 1 ist
schematisch in 6 dargestellt.
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In 6a wird ein optisch aktiver Bereich 2 bereitgestellt.
Der optisch aktive Bereich 2 kann eine Schicht mit Quantenpunkten,
Quantentöpfen oder Quantenlinien sein, oder auch einen
oder mehrere flächig ausgeprägten pn-Übergangsbereiche
beinhalten. Der optisch aktive Bereich 2 kann auch durch Heterostrukturen
gebildet sein. Insbesondere kann das Bereitstellen des optisch aktiven
Bereichs 2 durch epitaktisches Aufwachsen auf einem Substrat, wie
einem Wafer, erfolgen.
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In 6b ist das Fertigen der Facetten 3 schematisch
dargestellt. Beispielsweise als Wafer vorliegende optisch aktive
Bereiche 2 werden angeritzt und anschließend gebrochen,
so dass glatte Grenzflächen, die Facetten 3 bilden,
entstehen. Um den Aufwand für das Erstellen der Facetten 3 gering zu
halten und eine einfache Handhabung zu ermöglichen, werden
die Facetten 3 bevorzugt an Luft erstellt.
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Da
das den optisch aktiven Bereich 2 bildende Halbleitermaterial
beispielsweise auf Galliumarsenid, Galliumphosphid oder Galliumnitrid
basiert, bildet sich an Luft eine Oxidschicht 13 auf der
Facette 3 aus. Diese Oxidschicht und eventuelle weitere
Verunreinigungen bilden lokal absorbierende Strukturen aus, die
zu einer späteren Zerstörung des optoelektronischen
Halbleiterbauelements 1 führen können. Daher
ist die Oxidschicht 13, die Galliumoxid und/oder Aluminiumoxid
aufweisen kann, zu entfernen, um eine hohe Lebensdauer des Halbleiterbauelements 1 zu
gewährleisten.
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Dies
geschieht, wie in 6d gezeigt, bevorzugt
mit einem hoch reaktiven selen- oder schwefelhaltigen Gasfluss 8.
Bevorzugt wird der Gasstrom 8 durch H2Se
gebildet. Der sich in der Oxidschicht 13 befindliche Sauerstoff
wird hierdurch im Wesentlichen durch Selen substituiert und es bildet
sich eine selenhaltige Grenzschicht 4 an der Facette 3 aus.
Die Prozesstemperatur während dieses Verfahrensschrittes
liegt bevorzugt zwischen 260 und 300°C. Bei diesen Temperaturen
erfolgt keine Schädigung, beispielsweise des zur Verwendung
in einer Laserdiode ausgestalteten optisch aktiven Bereichs 2.
Der Atmosphärendruck während der Desoxidation
beträgt einige hundert mbar. Es ist somit keine aufwändige
und dadurch kostenintensive Hochvakuum- oder Ultrahochvakuumumgebung
erforderlich. Bei den beschriebenen Prozessbedingungen beträgt
die Dauer der Oxidation weniger als eine Minute.
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Nach
der Desoxidation mittels des Gasstroms 8 wird ohne Pause
schnell auf einen weiteren Gasstrom 14 umgeschaltet, über
den die Passivierungsschicht 5 aufgetragen wird. Besteht
die Passivierungsschicht 5 aus Zinkselenid, so besteht
der Gasstrom 14 etwa aus einer Mischung aus einem selen-
und einem zinkhaltigen Gas, beispielsweise aus H2Se
und Trimethylzink. Erneut findet dieser Prozess wieder bei Drücken
von einigen hundert mbar statt. Dieser Verfahrensschritt findet
bevorzugt in derselben Prozessführungskammer wie die Desoxidation statt,
sodass kein Umlagern der zu passivierenden Bauteile erforderlich
ist.
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Die
exakte Stöchiometrie und die Dicke der Passivierungsschicht 5 richten
sich nach den jeweiligen Erfordernissen. Bevorzugt beträgt
die Dicke etwa 50 nm. Die Aufwachsgeschwindigkeit der Zinkselenidschicht
liegt bei einigen hundert Nanometern pro Minute, so dass auch der
Verfahrensschritt des Aufwachsens der Passivierungsschicht 5 auf
der Sekunden-Zeitskala ablaufen kann und somit nur wenig Zeit in
Anspruch nimmt.
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Die
Verfahrensschritte Desoxidation gemäß 6d und Aufwachsen der Passivierungsschicht 5 gemäß 6e laufen bevorzugt bei in einer Horde 11 eingehordeten
optisch aktiven Bereichen 2 ab, wie in 5 illustriert.
Die beispielsweise quaderförmige Geometrien aufweisenden
eingehordeten optoelektronischen Halbleiterbauelemente 1 werden
aneinander geschichtet, so dass die zu desoxidierenden beziehungsweise
zu beschichtenden Facetten 3 etwa in einer Ebene und parallel
zueinander ausgerichtet sind. Die nicht durch die Facette 3 gebildeten
Seitenflächen der Bauelemente 1 sind bevorzugt
so angeordnet, dass sie sich gegenseitig, mindestens zum Teil, berühren
und somit keine Beschichtung oder auch Kontamination der nicht durch
die Facette 3 gebildeten Seitenflächen stattfindet.
Je nach Erfordernissen können auch mehrere derartige gebildete Horden 11 auf
einem nicht gezeichneten Träger angebracht sein.
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Die
Facetten 3 weisen zum Beispiel Flächen in der
Größenordnung eines Quadratmillimeters auf. Bei
einem angenommenen Trägerdurchmesser von zirka 100 mm können
so in einer Charge zirka 1000 einzelne Halbleiterelemente 1 einfach
gehandhabt werden. Nach Desoxidation und Passivierung der Facetten 3 können
die Horden 11 aus der Prozessführungskammer entfernt
und beispielsweise gewendet werden, sodass die den gezeigten Facetten 3 gegenüberliegenden
Facetten, sofern erforderlich, ebenfalls behandelt werden können.
Da besagte Verfahrensschritte keine Vakuumbedingungen erfordern,
ist die Handhabung erheblich vereinfacht. Bei genannten zu behandelnden
Flächen sind Gasströme 8, 14 der
Reaktionsgase mit Durchflussgeschwindigkeiten von lediglich zirka
30 μmol/min erforderlich. Der Materialaufwand ist dadurch
vergleichsweise gering. Das Verfahren ist leicht für größere
Stückzahlen skalierbar.
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In
einem weiteren, optionalen Verfahrensschritt gemäß 6f kann eine dielektrische Schichtenfolge 6 etwa
mittels MOVPE, aufgebracht werden.
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Mittels
dieses Verfahrens können beispielsweise Bauteile, wie in
den 1 bis 4 gezeigt, erzeugt werden.
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Ein
alternatives Verfahren, eine Facette 3 vor Oxidation zu
schützen, besteht darin, die Facette 3 in einem
Ultrahochvakuum, kurz UHV, etwa durch Brechen zu erzeugen und ebenfalls
unter UHV-Bedingungen zu passivieren. Allerdings ist das Erzeugen von
Facetten 3 im UHV aufwändig. Bei Drücken
von typisch weniger als 10–8 mbar
wird zudem eine Oxidation an der Facette 3 nicht vollständig
verhindert, sondern nur deutlich verringert. Die Gefahr eines COD besteht
grundsätzlich weiterhin.
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Eine
weitere alternative Möglichkeit ist dadurch gegeben, dass
Facetten 3 an Luft erzeugt und anschließend im
UHV weiterbehandelt werden. Die Facetten 3 können
beispielsweise mittels eines H2-Plasmas
unter UHV-Bedingungen gereinigt werden. Auch bei dieser Methode
verbleiben Restoxide an den Facetten 3. Zudem ist UHV-Technologie
kostenintensiv und nur bedingt für größere
zu behandelnde Flächen beziehungsweise Stückzahlen
skalierbar.
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Die
hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand
der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr
umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination
von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in
den Patentansprüchen beinhaltet. Dies gilt auch, wenn dieses
Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder
Ausführungsbeispielen angegeben ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - EP 1514335
B1 [0003]
- - US 5799028 [0004]