DE102008015551A1 - Optoelectronic component has support body, which has conductive paths structured for electrically contacting semiconductor chip, where semiconductor chip has active layer suitable for generating electromagnetic radiation - Google Patents

Optoelectronic component has support body, which has conductive paths structured for electrically contacting semiconductor chip, where semiconductor chip has active layer suitable for generating electromagnetic radiation Download PDF

Info

Publication number
DE102008015551A1
DE102008015551A1 DE200810015551 DE102008015551A DE102008015551A1 DE 102008015551 A1 DE102008015551 A1 DE 102008015551A1 DE 200810015551 DE200810015551 DE 200810015551 DE 102008015551 A DE102008015551 A DE 102008015551A DE 102008015551 A1 DE102008015551 A1 DE 102008015551A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor chip
insulating layer
electrically insulating
contact surface
optoelectronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE200810015551
Other languages
German (de)
Inventor
Walter Wegleiter
Karl Weidner
Jörg SORG
Oliver Wutz
Norbert Dr. Stath
Bert Dr. Braune
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE200810015551 priority Critical patent/DE102008015551A1/en
Publication of DE102008015551A1 publication Critical patent/DE102008015551A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

The optoelectronic component has a support body (1) and a semiconductor chip (2). The support body has conductive paths (3a,3b) structured for electrically contacting the semiconductor chip. The semiconductor chip has an active layer (4) for generating electromagnetic radiation. The semiconductor chip is partially provided with an electric insulating layer (5). A planar conductive structure (6) is arranged on a partial area of the electric insulating layer. An independent claim is included for a method for manufacturing an optoelectronic component.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer planaren Kontaktierung. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.The The present invention relates to an optoelectronic device with a planar contact. Furthermore, the invention relates a method for producing an optoelectronic component.

Bei herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen kommen als elektrische Kontaktiertechniken zwischen einem Chip und einem Träger überwiegend Drahtbonden und Löten oder eine Chipmontage mit Leitkleber zum Einsatz. Auf diese Weise entstehen Bauelemente oder LED-Arrays für Beleuchtungsmodule. Im Zuge der Miniaturisierung sind immer geringere Bauteilhöhen erwünscht.at conventional optoelectronic devices come as electrical contacting techniques between a chip and a carrier predominantly Wire bonding and soldering or chip mounting with conductive adhesive for use. This creates components or LED arrays for lighting modules. In the course of miniaturization are ever lower component heights desired.

Aus der Patentschrift US 6,412,971 B1 ist beispielsweise eine Licht emittierende Halbleiter-Vorrichtung bekannt, die auf einem Substrat angeordnet ist und eine planare Kontaktierung aufweist. Dazu wird zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses eine elektrisch isolierende Schicht auf zumindest einem Teilbereich der Oberfläche der Halbleiter-Vorrichtung aufgebracht. Zur planaren Kontaktierung der Halbleiter-Vorrichtung wird auf einem Teilbereich der elektrisch isolierenden Schicht eine Metallschicht angeordnet, die von einem Vorderseitenkontakt der Halbleiter-Vorrichtung entlang einer Seitenfläche der Halbleiter-Vorrichtung zu einer Leiterbahn des Substrats führt.From the patent US Pat. No. 6,412,971 B1 For example, a semiconductor light-emitting device is known which is arranged on a substrate and has a planar contact. For this purpose, to avoid an electrical short circuit, an electrically insulating layer is applied to at least a portion of the surface of the semiconductor device. For planar contacting of the semiconductor device, a metal layer is arranged on a partial region of the electrically insulating layer, which leads from a front-side contact of the semiconductor device along a side surface of the semiconductor device to a conductor track of the substrate.

Bei herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen mit Halbleiterchips oder bei herkömmlichen Halbleiterchip-Arrays mit konventioneller Aufbau- und Verbindungstechnik ist es jedoch aufwändig, eine gezielte Beeinflussung der Abstrahlcharakteristik der Strahlung des Halbleiterchips zu verwirklichen. Eine gezielte Beeinflussung der Abstrahlcharakteristik bei herkömmlichen Bauelementen ist nur mit zusätzlichen optischen Bauelementen wie beispielsweise Reflektoren, Optiken und/oder Linsen zu realisieren, wobei diese der Miniaturisierung von Bauelementen und Halbleiterchip-Arrays entgegenstehen.at conventional optoelectronic components with semiconductor chips or in conventional semiconductor chip arrays with conventional Assembly and connection technology, however, it is complex, a targeted influence on the radiation characteristics of the radiation to realize the semiconductor chip. A targeted influence the emission characteristics of conventional components is only with additional optical components such as Reflectors, optics and / or lenses to realize, these the miniaturization of devices and semiconductor chip arrays conflict.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, bei dem möglich ist, die Abstrahlcharakteristik gezielt zu beeinflussen und dass sich durch eine geringe Bauhöhe des Bauelements auszeichnet.Of the Invention is based on the object, an optoelectronic component in which it is possible to provide the emission characteristic to influence specifically and that by a low height of the component distinguished.

Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 oder des nebengeordneten Patentanspruchs 3 und durch ein Verfahren zu dessen Herstellung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 18 oder des nebengeordneten Patentanspruchs 19 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und bevorzugte Weiterbildungen des Bauelements sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These The object is achieved by an optoelectronic component having the features of patent claim 1 or the independent claim 3 and by a method for its production with the features of claim 18 or the independent claim 19 solved. Advantageous embodiments and preferred developments of the device are the subject of the dependent Claims.

Erfindungsgemäß ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das einen Trägerkörper und mindestens einen Halbleiterchip aufweist. Der Trägerkörper weist zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips strukturierte Leiterbahnen auf. Der Halbleiterchip weist eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht, eine erste Kontaktfläche und eine zweite Kontaktfläche auf. Mindestens die erste Kontaktfläche ist auf der dem Trägerkörper gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet. Der Halbleiterchip ist zumindest teilweise mit einer elektrisch isolierenden Schicht versehen, die mindestens eine erste Aussparung im Bereich der ersten Kontaktfläche aufweist. Auf zumindest einem ersten Teilbereich der elektrisch isolierenden Schicht ist eine erste planare Leitstruktur angeordnet, die von der ersten Kontaktfläche entlang einer ersten Seitenfläche des Halbleiterchips zu einer ersten Leiterbahn des Trägerkörpers führt. Die elektrisch isolierende Schicht weist für die von der aktiven Schicht des Halbleiterchips emittierte Strahlung strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften auf.According to the invention an optoelectronic component is provided which has a carrier body and has at least one semiconductor chip. The carrier body has structured for electrical contacting of the semiconductor chip Tracks on. The semiconductor chip has one for generating electromagnetic Radiation suitable active layer, a first contact surface and a second contact surface. At least the first Contact surface is on the support body opposite surface of the semiconductor chip arranged. The semiconductor chip is at least partially with a provided electrically insulating layer, the at least a first Has recess in the region of the first contact surface. On at least a first portion of the electrically insulating Layer is a first planar conductive structure arranged by the first contact surface along a first side surface of the semiconductor chip to a first conductor track of the carrier body leads. The electrically insulating layer has for the radiation emitted by the active layer of the semiconductor chip beam-shaping and / or converting properties.

Die Kontaktierung des Halbleiterchips erfolgt also nicht durch Drähte, sondern durch mindestens eine erste planare Leitstruktur, beispielsweise in Form einer Kupferschicht.The Contacting the semiconductor chip is thus not made by wires, but by at least one first planar conductive structure, for example in the form of a copper layer.

Durch die planare Kontaktierung ergibt sich eine besonders geringe Bauhöhe des Bauelements. Ferner ist die elektrisch isolierende Schicht so ausgebildet, dass sie für die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften aufweist, die die Abstrahlcharakteristik und/oder die Direktionalität der emittierten Strahlung gezielt beeinflussen. Beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht den Abstrahlwinkel und/oder den Farbort der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung gezielt verändern und/oder korrigieren.By The planar contacting results in a particularly low height of the component. Further, the electrically insulating layer is so formed to be for those emitted from the active layer Having radiation beam shaping and / or converting properties, the radiation characteristic and / or the directionality specifically influence the emitted radiation. For example, the electrically insulating layer the radiation angle and / or the color location selectively alter the radiation emitted by the semiconductor chip and / or correct.

Unter dem „Farbort” werden im Folgenden die Zahlenwerte verstanden, die die Farbe des emittierten Lichts des Bauelements im CIE-Farbraum beschreiben.Under the "color location" will be the numerical values below understood that the color of the emitted light of the device in the CIE color space.

Ferner erhöht sich die Auskoppeleffizienz der von dem Bauelement emittierten Strahlung im Vergleich zu herkömmlichen Bauelementen, die beispielsweise in eine Vergussmasse eingebettet sind, und bei denen die Vergussmasse konvertierende Eigenschaften aufweist.Further increases the coupling efficiency of the device emitted radiation compared to conventional devices, which are embedded for example in a potting compound, and at which the potting compound has converting properties.

Dadurch, dass keine zusätzlichen optischen Bauelemente, wie beispielsweise Reflektoren, Optiken und/oder Linsen, Anwendung finden, kann eine Miniaturisierung der Bauelemente realisiert werden, die gleichzeitig eine Kostenreduzierung mit sich bringt.Because no additional optical components, such as, for example, reflectors, optics and / or lenses, are used, miniaturization of the components can be realized. which at the same time brings a cost reduction.

Bevorzugt sind die erste Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterchips und die zweite Kontaktfläche auf der der ersten Kontaktfläche gegenüberliegenden Oberfläche, also auf der dem Trägerkörper zugewandten Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet. In diesem Fall weist die elektrisch isolierende Schicht genau eine Aussparung im Bereich der ersten Kontaktfläche auf, wobei auf der elektrisch isolierenden Schicht genau eine erste planare Leitstruktur angeordnet ist.Prefers are the first contact surface on the carrier body opposite surface of the semiconductor chip and the second contact surface on the first contact surface opposite surface, so on the Carrier body facing surface of Semiconductor chips arranged. In this case, the electric insulating layer exactly one recess in the area of the first Contact surface, taking on the electrically insulating layer exactly a first planar conductive structure is arranged.

Alternativ sind sowohl die erste als auch die zweite Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet. In diesem Fall weist die elektrisch isolierende Schicht zusätzlich zur ersten Aussparung eine zweite Aussparung im Bereich der zweiten Kontaktfläche auf, wobei auf einem zweiten Teilbereich der elektrisch isolierenden Schicht eine zweite planare Leitstruktur angeordnet ist, die von der zweiten Kontaktfläche entlang einer zweiten Seitenfläche des Halbleiterchips zu einer zweiten Leiterbahn des Trägerkörpers führt.alternative are both the first and the second contact surface on the opposite side of the carrier body Surface of the semiconductor chip arranged. In this case has the electrically insulating layer in addition to first recess a second recess in the region of the second Contact surface on, taking on a second portion the electrically insulating layer has a second planar conductive structure is arranged, which from the second contact surface along a second side surface of the semiconductor chip to a second conductor track of the carrier body leads.

Ferner können sowohl die erste als auch die zweite Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper zugewandten Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet sein. In diesem Fall sind die erste und die zweite Kontaktfläche jeweils auf einer Leiterbahn des Trägerkörpers angeordnet und mit dieser elektrisch leitend verbunden. Eine erste und/oder zweite planare Leitstruktur, die auf der elektrisch isolierenden Schicht angeordnet sind, findet in diesem Fall keine Verwendung.Further Both the first and the second contact surface on the surface facing the carrier body be arranged of the semiconductor chip. In this case, the first and the second contact surface in each case on a conductor track arranged the carrier body and electrically with this conductively connected. A first and / or second planar conductive structure, which are arranged on the electrically insulating layer finds in this case, no use.

Die aktive Schicht des Halbleiterchips weist einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, einen Einfachquantentopf (SQW, single quantum well) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW, multiple quantum well) zur Strahlungserzeugung auf. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.The active layer of the semiconductor chip has a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well (SQW, single quantum well) or a multiple quantum well structure (MQW, multiple quantum well) for generating radiation. The term quantum well structure unfolds no significance in terms of dimensionality the quantization. It thus includes, among other things, quantum wells, Quantum wires and quantum dots and any combination of these Structures.

Bevorzugt enthält die elektrisch isolierende Schicht mindestens ein Konversionselement. Beispielsweise enthält die elektrisch isolierende Schicht Phosphor.Prefers The electrically insulating layer contains at least one Conversion element. For example, the electric contains insulating layer of phosphorus.

Der Halbleiterchip emittiert bevorzugt eine Primärstrahlung mit einer Wellenlänge λ0. Das Konversionselement in der elektrisch isolierenden Schicht absorbiert bevorzugt zumindest teilweise Strahlung der Wellenlänge λ0 und emittiert eine Sekundärstrahlung einer anderen Wellenlänge. Dadurch emittiert das Bauelement Mischstrahlung, die sowohl die Primärstrahlung des Halbleiterchips und die Sekundärstrahlung des Konversionselements enthält.The semiconductor chip preferably emits a primary radiation having a wavelength λ 0 . The conversion element in the electrically insulating layer preferably at least partially absorbs radiation of wavelength λ 0 and emits secondary radiation of a different wavelength. As a result, the component emits mixed radiation which contains both the primary radiation of the semiconductor chip and the secondary radiation of the conversion element.

Durch eine gezielte Wahl des Konversionselements kann eine Änderung des Farborts der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung erfolgen. Dadurch kann ein gewünschter Farbort der von dem Bauelement emittierten Strahlung erzielt werden.By A targeted choice of the conversion element can be a change the color location of the emitted radiation from the semiconductor chip. Thereby may be a desired color location of the emitted from the device Radiation can be achieved.

Alternativ kann die elektrisch isolierende Schicht mehr als ein Konversionselement enthalten. Dadurch ergibt sich eine Mischstrahlung der von dem Bauelement emittierten Strahlung, die Primärstrahlung und mehrere Sekundärstrahlungen der mehreren Konversionselemente enthält. Durch die Verwendung von mehr als einem Konversionselement kann somit eine genaue Farbselektion des Farborts erfolgen, wodurch sich ein gewünschter Farbort der emittierten Strahlung des Bauelements ergibt.alternative For example, the electrically insulating layer may have more than one conversion element contain. This results in a mixed radiation of the component emitted radiation, the primary radiation and several Contains secondary radiation of the plurality of conversion elements. By using more than one conversion element can thus an accurate color selection of the color locus, resulting in a desired color location of the emitted radiation of the device results.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Bauelements enthält die elektrisch isolierende Schicht mindestens ein Diffusorelement, an dem die emittierte Strahlung gestreut wird.at a preferred embodiment of the device contains the electrically insulating layer at least one diffuser element, where the emitted radiation is scattered.

Bei einer gleichmäßigen Verteilung des Diffusorelements in der elektrisch isolierenden Schicht wird die Primärstrahlung des Halbleiterchips an dem Diffusorelement gleichmäßig gestreut, wobei sich die Streustrahlung der Primärstrahlung ungerichtet in alle Raumrichtungen ausbreitet. Dadurch lassen sich Farbinhomogenitäten über den Abstrahlwinkel verringern. Eine homogene Abstrahlcharakteristik der von dem Bauelement emittierten Strahlung wird mit Vorteil erzielt.at a uniform distribution of the diffuser element in the electrically insulating layer becomes the primary radiation of the semiconductor chip on the diffuser element uniformly scattered, with the scattered radiation of the primary radiation undirected spreads in all spatial directions. This allows color inhomogeneities over reduce the beam angle. A homogeneous radiation characteristic the radiation emitted by the device is achieved with advantage.

Bevorzugt ist sowohl mindestens ein Konversionselement als auch mindestens ein Diffusorelement in der elektrisch isolierenden Schicht enthalten.Prefers is at least one conversion element as well as at least a diffuser element contained in the electrically insulating layer.

Dadurch verringern sich mit Vorteil Farbunterschiede über den Abstrahlwinkel des Halbleiterchips, die sich aufgrund unterschiedlicher Weglängen der Primär- und der Sekundärstrahlung ergeben. Das kommt dadurch zustande, dass an dem mindestens einen Diffusorelement ein Teil der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung gestreut wird, wobei sich die Streustrahlung der Primär- und der Sekundärstrahlung ungerichtet in alle Raumrichtungen ausbreitet, wodurch sich Schwankungen des Farborts über dem Abstrahlwinkel verringern. Auf diese Weise ist über eine genaue Einstellung der Konzentration des Konversionselements in der elektrisch isolierenden Schicht eine gute Steuerung der Farbkoordinaten möglich, während über eine genaue Einstellung der Konzentration des Diffusorelements eine gute Homogenisierung der von dem Bauelement emittierten Strahlung möglich ist.This advantageously reduces color differences over the emission angle of the semiconductor chip, which result due to different path lengths of the primary and secondary radiation. This is due to the fact that at the at least one diffuser element, a part of the primary radiation and the secondary radiation is scattered, wherein the scattered radiation of the primary and secondary radiation propagates undirected in all spatial directions, whereby fluctuations in the color location decrease over the emission angle. In this way, a good control of the color coordinates is possible on a precise adjustment of the concentration of the conversion element in the electrically insulating layer, while on a precise adjustment of the concentration of the diffuser element emit a good homogenization of the emitted from the device radiation is possible.

Bei einer weiteren Ausführungsform des Bauelements weist die elektrisch isolierende Schicht ein Lochraster auf.at a further embodiment of the device, the electrically insulating layer on a breadboard.

Durch das Lochraster wird, ähnlich wie bei einer elektrisch isolierenden Schicht mit Diffusorelement und zusätzlichem Konverterelement, der Farbort der von dem Bauelement emittierten Strahlen homogenisiert.By the breadboard will, similar to an electrically insulating Layer with diffuser element and additional converter element, the color location of the rays emitted by the device homogenized.

Farbinhomogenitäten über dem Abstrahlwinkel reduzieren sich auf diese Weise. Ferner kann durch eine gezielte Anordnung der Löcher in dem Lochraster aufgrund der Abhängigkeit der Streueigenschaften von der Wellenlänge der Strahlung ein gewünschter Farbort der von dem Bauelement emittierten Strahlung erzielt werden.Color inhomogeneities over The angle of radiation is reduced in this way. Furthermore, by a targeted arrangement of the holes in the hole pattern due the dependence of the scattering properties on the wavelength the radiation is a desired color locus of the device emitted radiation can be achieved.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist die elektrisch isolierende Schicht sowohl ein Konversionselement als auch ein Lochraster auf. So kann ein Teil der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung durch die Löcher des Lochrasters ausgekoppelt werden, ohne dabei durch die elektrisch isolierende Schicht mit darin enthaltenem Konversionselement durchzutreten und somit ohne konvertiert zu werden. Ein weiterer Teil der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung durchquert dagegen die elektrisch isolierende Schicht und wird dabei zumindest teilweise mittels des Konversionselements in Strahlung anderer Wellenlänge konvertiert.at a preferred embodiment, the electric insulating layer both a conversion element and a breadboard on. Thus, a part of the radiation emitted by the semiconductor chip be disengaged through the holes of the breadboard, without thereby by the electrically insulating layer with therein contained Conversion element to pass through and thus without being converted. Another part of the radiation emitted by the semiconductor chip on the other hand, it traverses the electrically insulating layer and becomes present at least partially by means of the conversion element in radiation other wavelength converted.

Abhängig von der Anzahl der Löcher in dem Lochraster kann die von dem Bauelement emittierte Strahlung in Richtung der Primärstrahlung verschoben sein. Weist die von dem Bauelement emittierte Mischstrahlung beispielsweise einen zu hohen Anteil der konvertieren Strahlung auf, kann durch eine Erhöhung des Lochanteils in der elektrisch isolierenden Schicht der Farbort der von dem Bauelement emittierten Strahlung in Richtung der Primärstrahlung verschoben sein. Durch das Lochraster, insbesondere durch die Anzahl der Löcher in der elektrisch isolierenden Schicht kann somit ein gewünschter Farbort der von dem Bauelement emittierten Strahlung erzielt werden.Dependent from the number of holes in the breadboard can from the the component emitted radiation in the direction of the primary radiation be postponed. Indicates the mixed radiation emitted by the component For example, too high a proportion of the convert radiation on, can by increasing the hole proportion in the electric insulating layer of the color locus emitted by the device Radiation be shifted in the direction of the primary radiation. Through the hole grid, in particular by the number of holes in the electrically insulating layer can thus be a desired Color location of the emitted radiation from the device can be achieved.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist die elektrisch isolierende Schicht auf der dem Trägerkörper und Halbleiterchip abgewandten Seite eine Prägung auf.at a preferred embodiment, the electric insulating layer on the carrier body and Semiconductor chip side facing away from an imprint.

Durch die geprägte Oberfläche der elektrisch isolierenden Schicht ist die Abstrahlcharakteristik der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung gezielt beeinflusst, sodass eine gewünschte Direktionalität der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung erzielt wird.By the embossed surface of the electrically insulating Layer is the emission characteristic of the semiconductor chip emitted radiation, so that a desired Directionality of emitted from the semiconductor chip Radiation is achieved.

Eine geprägte Oberfläche der elektrisch isolierenden Schicht führt somit zu einer Strahlformung der von dem Bauelement emittierten Strahlung. Weist beispielsweise der Halbleiterchip eine Lambertsche Abstrahlcharakteristik auf, kann durch eine elektrisch isolierende Schicht mit geprägter Oberfläche die Abstrahlcharakteristik der Strahlung des Halbleiterchips derart beeinflusst werden, dass eine gezielte Vorzugsrichtung der Strahlung vorliegt. Dadurch kann beispielsweise eine effiziente Lichteinkopplung in einen Lichtleiter, beispielsweise in Glasfasern, erfolgen.A embossed surface of the electrically insulating Layer thus leads to a beam shaping of the Component emitted radiation. For example, indicates the semiconductor chip a Lambertian radiation on, can by an electric insulating layer with embossed surface the Abstrahlcharakteristik the radiation of the semiconductor chip in such a way be influenced that a purposeful preferred direction of the radiation is present. As a result, for example, an efficient light coupling in a light guide, for example in glass fibers, take place.

Bei einer weiteren Ausgestaltung des Bauelements ist die elektrisch isolierende Schicht aus einer Schichtenfolge gebildet. Die elektrisch isolierende Schicht setzt sich also aus mindestens zwei elektrisch isolierenden Schichten zusammen. Bevorzugt ist die elektrisch isolierende Schicht aus einer Schichtenfolge aus genau zwei elektrisch isolierenden Schichten gebildet, also einer inneren elektrisch isolierenden Schicht, die direkt an die Oberfläche des Halbleiterchips angrenzt, und einer äußeren elektrisch isolierenden Schicht, die an der dem Halbleiterchip abgewandten Oberfläche der inneren elektrisch isolierenden Schicht angeordnet ist.at a further embodiment of the device is the electric insulating layer formed from a layer sequence. The electric Insulating layer thus consists of at least two electrical insulating layers together. Preferably, the electrically insulating Layer of a layer sequence of exactly two electrically insulating Layers formed, so an inner electrically insulating layer, which is directly adjacent to the surface of the semiconductor chip, and an outer electrically insulating layer, the on the semiconductor chip facing away from the surface of the inner electrically insulating layer is arranged.

Bei einer elektrisch isolierenden Schicht, die sich aus einer Schichtenfolge zusammensetzt, weist bevorzugt die äußere elektrisch isolierende Schicht für die von der aktiven Schicht des Halbleiterchips emittierte Strahlung strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften auf. Besonders bevorzugt weist die innere elektrisch isolierende Schicht dabei keine strahlformenden und/oder konvertierenden Eigenschaften auf.at an electrically insulating layer, which consists of a layer sequence preferably, the outer comprises electrically insulating layer for the active layer of the Semiconductor chips emitted radiation jet-forming and / or converting Properties on. Particularly preferably, the inner electrical insulating layer while no jet-forming and / or converting Properties on.

Durch eine elektrisch isolierende Schicht, die sich aus einer Schichtenfolge zusammensetzt, können vorzugsweise unerwünschte Streuprozesse der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung vermieden werden. Unerwünschte Streuprozesse können sich beispielsweise durch Unebenheiten der dem Halbleiterchip zugewandten Oberfläche der elektrisch isolierenden Schicht ergeben, die durch die in der elektrisch isolierenden Schicht integrierten Maßnahmen zur Beeinflussung der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung entstehen können. Durch Unebenheiten der dem Halbleiterchip zugewandten Oberfläche der elektrisch isolierenden Schicht kann sich bereichsweise ein Abstand zwischen Halbleiterchip und elektrisch isolierender Schicht ergeben. Beispielsweise entsteht der Abstand durch Lufteinschlüsse zwischen Halbleiterchip und elektrisch isolierender Schicht. An den Lufteinschlüssen wird die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung unerwünscht gestreut. Durch die elektrisch isolierende Schicht, die sich aus einer Schichtenfolge zusammensetzt, wobei lediglich die äußere elektrisch isolierende Schicht strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften aufweist, können unerwünschte Streuprozesse der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung vermieden werden, da die innere elektrisch isolierende Schicht und der Halbleiterchip im Wesentlichen direkt aneinander anschließen können.An electrically insulating layer, which is composed of a layer sequence, can be used to avoid undesired scattering processes of the radiation emitted by the semiconductor chip. Unwanted scattering processes may result, for example, from unevenness of the surface of the electrically insulating layer facing the semiconductor chip, which may arise due to the measures integrated in the electrically insulating layer for influencing the radiation emitted by the semiconductor chip. As a result of unevenness of the surface of the electrically insulating layer facing the semiconductor chip, a distance between the semiconductor chip and the electrically insulating layer may arise in certain regions. For example, the distance is created by air inclusions between the semiconductor chip and the electrically insulating layer. At the trapped air, the radiation emitted by the semiconductor chip is undesirably scattered. By the electrically insulating layer, which is composed of a layer sequence, wherein only the outer electrically insulating layer beam forming and / or convert de properties, unwanted scattering processes of the radiation emitted by the semiconductor chip radiation can be avoided, since the inner electrically insulating layer and the semiconductor chip can connect substantially directly to each other.

Bevorzugt besteht die elektrisch isolierende Schicht aus einer Schichtenfolge, die sich aus einer inneren und einer äußeren elektrisch isolierenden Schicht zusammensetzt, wobei die äußere elektrisch isolierende Schicht auf der der inneren elektrisch isolierenden Schicht abgewandten Oberfläche eine Prägung aufweist.Prefers If the electrically insulating layer consists of a layer sequence, made up of an inner and an outer electric insulating layer, the outer electrically insulating layer on the inner electrically insulating Layer facing away from the surface has an embossing.

Bei einer weiteren Ausgestaltung des Bauelements kann die äußere elektrisch isolierende Schicht auf der der inneren elektrisch isolierenden Schicht abgewandten Oberfläche kugelförmige Partikel aufweisen.at a further embodiment of the device, the outer electrically insulating layer on the inner electrically insulating layer having remote surface spherical particles.

Die äußere elektrisch isolierende Schicht, die kugelförmige Partikel aufweist, bildet die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung ab. Dadurch kann die Abstrahlcharakteristik der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung gezielt beeinflusst werden. Zusätzliche Optiken auf dem Halbleiterchip oder an dem Halbleiterchip, wie beispielsweise Linsen, sind mit Vorteil nicht notwendig. Dadurch ergibt sich eine besonders geringe Bauhöhe des Bauelements.The outer one electrically insulating layer, the spherical particles has, forms the radiation emitted by the semiconductor chip radiation from. As a result, the emission characteristic of the emitted from the semiconductor chip Radiation can be specifically influenced. Additional optics on the semiconductor chip or on the semiconductor chip, such as Lenses are not necessary with advantage. This results in a particularly low height of the component.

Bei einer weiteren Ausgestaltung des Bauelements enthält der Halbleiterchips eine strukturierte Schicht, insbesondere photonische Kristalle. Diese können beispielsweise als strukturierte Schicht auf einer Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterchips aufgebracht sein. Dadurch kann ein Teil der Strahlung, der unter einem Winkel gleich oder größer als dem Grenzwinkel auf der strukturierten Schicht auftrifft, derart umgelenkt werden, dass der Teil der Strahlung unter einem Winkel kleiner als dem Grenzwinkel auf eine Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterchips auftritt und somit auskoppeln kann.at a further embodiment of the device includes the Semiconductor chips a structured layer, in particular photonic Crystals. These can be structured as, for example Layer applied to a radiation decoupling surface of the semiconductor chip be. This allows part of the radiation to be at an angle equal to or greater than the critical angle on the strikes structured layer, be deflected so that the part of the radiation at an angle smaller than the critical angle on a radiation coupling-out surface of the semiconductor chip occurs and can thus decouple.

Ferner kann die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung durch die photonischen Kristalle derart beeinflusst werden, dass eine gezielte Ausrichtung der Strahlung, also eine gewünschte Vorzugsrichtung der Strahlung, erfolgt.Further For example, the radiation emitted by the semiconductor chip may be due to the photonic Crystals are influenced in such a way that a targeted alignment the radiation, so a desired preferred direction of the Radiation takes place.

Bei einer weiteren Ausgestaltung des Bauelements sind die Maßnahmen zur Beeinflussung der Abstrahlcharakteristik der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung, wie beispielsweise ein Konverterelement, ein Diffusorelement, eine geprägte Oberfläche, ein Lochraster, Glaskügelchen und/oder photonische Kristalle, zumindest teilweise miteinander kombiniert.at a further embodiment of the device are the measures for influencing the emission characteristic of the emitted from the semiconductor chip Radiation, such as a converter element, a diffuser element, an embossed surface, a breadboard, glass beads and / or photonic crystals, at least partially combined with each other.

Dadurch, dass auf dem Halbleiterchip Maßnahmen zur Beeinflussung der Abstrahlcharakteristik vorgesehen sind, kann die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung eine erwünschte Direktionalität und einen erwünschten Farbort über dem Abstrahlwinkel des Halbleiterchips aufweisen.Thereby, that on the semiconductor chip measures to influence the radiation characteristic are provided, the emitted from the semiconductor chip Radiation a desired directionality and a desired color location above the emission angle of the semiconductor chip.

Bevorzugt weist die elektrisch isolierende Schicht, die die Maßnahmen zur Beeinflussung der Abstrahlcharakteristik beinhaltet, eine Dicke zwischen einschließlich 20 nm und einschließlich 5 mm, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 10 μm und einschließlich 200 μm, auf.Prefers indicates the electrically insulating layer that measures for influencing the radiation characteristic includes a thickness between 20 nm inclusive and inclusive 5 mm, more preferably between and including 10 microns and including 200 microns, on.

Die elektrisch isolierende Schicht kann durch eine Folie, einen Lack und/oder eine Polymerschicht gebildet sein. Die Schicht kann auflaminiert, aufgedampft, gedruckt und/oder gespritzt werden. Eine Strukturierung der elektrisch isolierenden Schicht kann beispielsweise mittels Laser, (Plasma) Ätzen und/oder Fotostrukturierung erfolgen. Alternativ kann ein strukturiertes Aufbringen der elektrisch isolierenden Schicht mittels eines Druckverfahrens, ähnlich eines Tintenstrahldruckverfahrens erfolgen. Als Polymer kann insbesondere Parilen verwendet werden.The electrically insulating layer can through a film, a paint and / or a polymer layer may be formed. The layer can be laminated, vapor-deposited, printed and / or sprayed. A structuring the electrically insulating layer can, for example by means of Laser, (plasma) etching and / or photostructuring done. Alternatively, a structured application of the electrically insulating Layer by means of a printing process, similar to an inkjet printing process respectively. Parilen can be used in particular as the polymer.

Die planare Leitstruktur kann eine Lichtaustrittsöffnung des optoelektronischen Bauelements zumindest teilweise verdecken. Dazu ist insbesondere die planare Leitstruktur reflektierend ausgeführt, sodass beispielsweise Licht in das optoelektronische Bauelement zurückreflektiert wird und dieses an einer anderen Lichtaustrittsöffnung verlassen kann. So lässt sich über die planare Kontaktierung zusätzlich eine Lichtführung erzielen.The planar conductive structure may be a light exit opening of the at least partially obscure optoelectronic device. To In particular, the planar guide structure is reflective, so that For example, light is reflected back into the optoelectronic component and this at another light exit opening can leave. So can be over the planar Contact additionally achieve a light guide.

Der Halbleiterchip ist bevorzugt ein Dünnfilmchip. Bei einem Dünnfilmchip ist das Herstellungssubstrat, auf dem der Schichtstapel für den Halbleiterchip hergestellt, insbesondere abgeschieden worden ist, bereichsweise oder vollständig entfernt.Of the Semiconductor chip is preferably a thin-film chip. At a Thin film chip is the manufacturing substrate on which the Layer stack produced for the semiconductor chip, in particular has been deposited, regionally or completely away.

Ein Grundprinzip eines Dünnfilmchips ist beispielsweise in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174 bis 2176 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.A basic principle of a thin-film chip is, for example, in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18 October 1993, 2174 to 2176 described, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Bevorzugt beträgt die Höhe des Halbleiterchips weniger als 200 μm, besonders bevorzugt weniger als 10 μm.Prefers the height of the semiconductor chip is less than 200 microns, more preferably less than 10 microns.

Der Halbleiterchip ist beispielsweise eine LED. Bevorzugt basiert der Halbleiterchip auf einem Nitrid-, Phosphit- oder Arsenidverbindungshalbleiter. ”Auf Nitrid-, Phosphit- oder Arsenidverbindungshalbleitern basierend” bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die aktive Epitaxieschichtenfolge oder zumindest eine Schicht davon ein III/V-Halbleitermaterial mit der Zusammensetzung InxGayAl1-x-yP, InxGayAl1-x-yN oder InxGayAl1-x-yAs, jeweils mit 0 ≤ x 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, umfasst.The semiconductor chip is, for example, an LED. Preferably, the semiconductor chip is based on a nitride, phosphite or Arsenidverbindungshalbleiter. "On nitride, phosphite or Arsenidverbindungshalbleitern based" as used herein means that the active epitaxial layer or at least one layer thereof comprises a III / V semiconductor material having the composition In x Ga y Al 1-xy P, In x Ga y Al 1 -xy N or In x Ga y Al 1-xy As, each with 0 ≤ x 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1.

Als Trägerkörper können eine Leiterplatte, insbesondere eine flexible Leiterplatte, die bevorzugt beidseitig mit Kupfer beschichtet ist, eine Keramik, ein beispielsweise gestanzter oder geätzter Leadframe oder ein Schichtaufbau zum Einsatz kommen, wie er beispielsweise bei der Herstellung von Chipkarten oder flexiblen Schaltkreisen verwendet wird.When Carrier body may be a circuit board, in particular a flexible printed circuit board, preferably with copper on both sides is coated, a ceramic, for example, a punched or etched leadframe or a layered structure are used, such as he for example in the production of smart cards or flexible Circuits is used.

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements aufweisend einen Trägerkörper und einen Halbleiterchip umfasst folgende Verfahrensschritte:

  • – Bereitstellen eines Halbleiterchips auf einem Trägerkörper, wobei der Trägerkörper zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips strukturierte Leiterbahnen aufweist, und der Halbleiterchip eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht, eine erste Kontaktfläche und eine zweite Kontaktfläche aufweist, wobei mindestens die erste Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet ist,
  • – Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht auf zumindest einem Teilbereich des Halbleiterchips, wobei die elektrisch isolierende Schicht mindestens eine Aussparung im Bereich der ersten Kontaktfläche und strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften für die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung aufweist,
  • – Aufbringen mindestens einer ersten planaren Leitstruktur auf zumindest einem ersten Teilbereich der elektrisch isolierenden Schicht, wobei die erste planare Leitstruktur von der ersten Kontaktfläche entlang einer ersten Seitenfläche des Halbleiterchips zu einer ersten Leiterbahn des Trägerkörpers führt.
A method for producing an optoelectronic component having a carrier body and a semiconductor chip comprises the following method steps:
  • - Providing a semiconductor chip on a carrier body, wherein the carrier body for electrically contacting the semiconductor chip has structured conductor tracks, and the semiconductor chip has a suitable for generating electromagnetic radiation active layer, a first contact surface and a second contact surface, wherein at least the first contact surface on the Carrier body opposite surface of the semiconductor chip is arranged,
  • Applying an electrically insulating layer on at least one partial region of the semiconductor chip, wherein the electrically insulating layer has at least one cutout in the region of the first contact surface and beam-forming and / or converting properties for the radiation emitted by the active layer,
  • - Applying at least a first planar conductive structure on at least a first portion of the electrically insulating layer, wherein the first planar conductive structure leads from the first contact surface along a first side surface of the semiconductor chip to a first conductor track of the carrier body.

Dabei können die erste Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterchips und die zweite Kontaktfläche auf der der ersten Kontaktfläche gegenüberliegenden Oberfläche, oder die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterchips, oder die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper zugewandten Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet sein.there may be the first contact surface on the carrier body opposite surface of the semiconductor chip and the second contact surface on the first contact surface opposite surface, or the first Contact surface and the second contact surface the opposite of the carrier body Surface of the semiconductor chip, or the first contact surface and the second contact surface on the carrier body facing surface of the semiconductor chip may be arranged.

Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens ergeben sich analog zu den vorteilhaften Ausgestaltungen des Bauelements und umgekehrt.advantageous Embodiments of the method are analogous to the advantageous Embodiments of the device and vice versa.

Die elektrisch isolierende Schicht kann eine Folie, ein Lack und/oder eine Polymerschicht sein. Die Schicht kann auflaminiert, aufgedampft, gedruckt und/oder gespritzt werden. Eine Strukturierung der elektrisch isolierenden Schicht kann beispielsweise mittels Laser, (Plasma)Ätzen, und/oder Fotostrukturierung erfolgen. Als Polymer kann insbesondere Parilen verwendet werden.The electrically insulating layer may be a film, a varnish and / or be a polymer layer. The layer can be laminated, evaporated, printed and / or sprayed. A structuring of the electric insulating layer, for example, by means of laser, (plasma) etching, and / or photo structuring. In particular, as a polymer Parilen be used.

Bevorzugt wird bei einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht mittels Stretchens verringert.Prefers is used in a method for producing an optoelectronic Component, the thickness of the electrically insulating layer by means of stretching reduced.

Durch die Schichtdickenreduzierung der elektrisch isolierenden Schicht reduziert sich mit Vorteil die Weglänge, die die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung und/oder die die von einem Konversionselement konvertierte Strahlung in der elektrisch isolierenden Schicht zurücklegt. Durch die verkürzte Weglänge in der elektrisch isolierenden Schicht verringern sich Farbunterschiede, die sich aufgrund der unterschiedlichen Weglängen der von der aktiven Schicht emittierten Strahlung und der von einem Konversionselement konvertierten Strahlung ergeben. Durch die Reduzierung der Dicke der elektrisch isolierenden Schicht können somit Schwankungen des Farborts über dem Abstrahlwinkel verringert werden. Ferner kann durch eine gezielte Einstellung der Dicke eine gewünschte Wellenlänge der von dem Bauelement emittierten Strahlung erzielt werden, wodurch ein gezielter Farbort der von dem Bauelement emittierten Strahlung eingestellt werden kann.By the layer thickness reduction of the electrically insulating layer Advantageously reduces the path length, that of the active layer emitted radiation and / or those of a Conversion element converted radiation in the electrically insulating Layer back. Due to the shortened path length in the electrically insulating layer color differences decrease, which due to the different path lengths of the active layer emitted radiation and that of a conversion element converted radiation. By reducing the thickness The electrically insulating layer can thus fluctuations of the color locus above the emission angle can be reduced. Furthermore, by a targeted adjustment of the thickness of a desired Wavelength of the radiation emitted by the device be achieved, creating a targeted color of the component emitted radiation can be adjusted.

Weitere Merkmale, Vorteile, bevorzugte Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten des Bauelements ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1 bis 8 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Other features, advantages, preferred embodiments and advantages of the device will become apparent from the following in connection with the 1 to 8th explained embodiments. Show it:

1 einen schematischen Querschnitt eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements, 1 a schematic cross section of a first embodiment of a device according to the invention,

2 einen schematischen Querschnitt eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements, 2 a schematic cross section of a second embodiment of a device according to the invention,

3 einen schematischen Querschnitt eines dritten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements, 3 a schematic cross section of a third embodiment of a device according to the invention,

4 einen schematischen Querschnitt eines vierten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements, 4 a schematic cross section of a fourth embodiment of a device according to the invention,

5 einen schematischen Querschnitt eines fünften Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements, 5 a schematic cross section of a fifth embodiment of a device according to the invention,

6 einen schematischen Querschnitt eines sechsten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements, 6 a schematic cross section of a sixth embodiment of a device according to the invention,

7 einen schematischen Querschnitt eines siebten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements, und 7 a schematic cross section ei nes seventh embodiment of a device according to the invention, and

8 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Verfahrensschritts zur Reduzierung der Dicke der elektrisch isolierenden Schicht mittels Stretchens. 8th a schematic representation of a method step according to the invention for reducing the thickness of the electrically insulating layer by means of stretching.

Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.Same or equivalent components are always the same Provided with reference numerals. The illustrated components as well as the Size ratios of the components with each other are not to be considered as true to scale.

In den 1 bis 7 ist jeweils ein optoelektronisches Bauelement dargestellt, das einen Trägerkörper 1 und einen Halbleiterchip 2 aufweist.In the 1 to 7 in each case an optoelectronic component is shown, which is a carrier body 1 and a semiconductor chip 2 having.

Der Halbleiterchip 2 ist auf einem Trägerkörper 1 angeordnet und über einen Leitkleber oder ein Lot elektrisch leitend und mechanisch mit dem Trägerkörper 1 verbunden. Als Trägerkörper 1 können eine Leiterplatte, insbesondere eine flexible Leiterplatte, die bevorzugt beidseitig mit Kupfer beschichtet ist, eine Keramik, ein beispielsweise gestanzter oder geätzter Leadframe oder ein Schichtaufbau zum Einsatz kommen.The semiconductor chip 2 is on a carrier body 1 arranged and electrically conductively and mechanically via a conductive adhesive or a solder with the carrier body 1 connected. As a carrier body 1 For example, a printed circuit board, in particular a flexible printed circuit board, which is preferably coated on both sides with copper, a ceramic, an example stamped or etched leadframe or a layer structure can be used.

Der Trägerkörper 1 weist zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips 2 strukturierte Leiterbahnen 3a, 3b auf. Der Halbleiterchip 2 ist bevorzugt auf einer ersten Leiterbahn 3b angeordnet. Dabei ist bevorzugt eine zweite Kontaktfläche des Halbleiterchips mit der ersten Leiterbahn 3b mechanisch und elektrisch leitend verbunden.The carrier body 1 has the electrical contact of the semiconductor chip 2 structured tracks 3a . 3b on. The semiconductor chip 2 is preferred on a first conductor track 3b arranged. In this case, a second contact surface of the semiconductor chip with the first conductor track is preferred 3b mechanically and electrically connected.

Der Halbleiterchip 2 weist eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht 4 auf. Die aktive Schicht 4 des Halbleiterchips 2 weist einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopf(SQW) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW) zur Strahlungserzeugung auf. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.The semiconductor chip 2 has an active layer suitable for generating electromagnetic radiation 4 on. The active layer 4 of the semiconductor chip 2 has a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well (SQW) or a multiple quantum well structure (MQW) for generating radiation. The term quantum well structure unfolds no significance with regard to the dimensionality of the quantization. It thus includes quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.

Der Halbleiterchip 2 ist beispielsweise eine LED. Bevorzugt ist der Halbleiterchip 2 eine Dünnfilm-LED. Bei einer Dünnfilm-LED ist das Herstellungssubstrat, auf dem der Schichtstapel für den Halbleiterchip 2 hergestellt, insbesondere abgeschieden worden ist, bereichsweise oder vollständig entfernt.The semiconductor chip 2 is for example an LED. The semiconductor chip is preferred 2 a thin-film LED. In a thin-film LED, the manufacturing substrate on which the layer stack for the semiconductor chip 2 produced, in particular has been deposited, partially or completely removed.

Auf einer Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips 2 sind Mittel 9 zur Verbesserung der Auskopplung der in der aktiven Schicht 4 erzeugten Strahlung vorgesehen, wodurch sich die Effizienz des Halbleiterchips 2 mit Vorteil steigert.On a radiation exit surface of the semiconductor chip 2 are means 9 to improve the decoupling in the active layer 4 provided radiation, thereby increasing the efficiency of the semiconductor chip 2 increases with advantage.

An der Grenzfläche des Halbleiterchips 2 erfolgt ein Sprung des Brechungsindex von dem Material des Halbleiterchips 2 einerseits zu dem umgebenden Material andererseits. Dadurch kommt es zu einer Brechung des Lichts beim Übergang vom Halbleiterchip 2 in die Umgebung. Je nach Winkel, in dem ein Lichtstrahl auf die Grenzfläche auftrifft, kann es zur Totalreflektion kommen. Aufgrund der parallelen Oberflächen des Halbleiterchips 2 trifft der reflektierte Lichtstrahl im gleichen Winkel auf der gegenüber liegenden Grenzfläche auf, so dass auch dort Totalreflektion auftritt. Die Folge ist, dass der Lichtstrahl somit nichts zur Lichtabstrahlung beitragen kann. Dadurch, dass auf der Strahlungsaustrittsfläche Mittel 9 zur Verbesserung der Auskopplung der in dem Halbleiterchip 2 erzeugten Strahlung vorgesehen sind, wird der Winkel verändert, in dem ein Lichtstrahl auf die Oberfläche auftrifft.At the interface of the semiconductor chip 2 a jump in refractive index occurs from the material of the semiconductor chip 2 on the one hand to the surrounding material on the other. This leads to a refraction of the light during the transition from the semiconductor chip 2 in the nearby areas. Depending on the angle at which a light beam strikes the interface, total reflection may occur. Due to the parallel surfaces of the semiconductor chip 2 the reflected light beam hits at the same angle on the opposite boundary surface, so that total reflection also occurs there. The result is that the light beam can thus contribute nothing to the light emission. Characterized in that on the radiation exit surface means 9 for improving the decoupling in the semiconductor chip 2 provided radiation is generated, the angle is changed, in which a light beam impinges on the surface.

Unter Mittel 9 zur Verbesserung der Auskopplung sind vor allem Oberflächenstrukturierungen zu verstehen. Insbesondere kann eine verbesserte Lichtauskopplung etwa durch eine Mikroprismenstrukturierung oder eine Rauhigkeitserhöhung der Strahlungsaustrittsfläche ermöglicht werden. Sind Aufrauungen der Oberfläche vorgesehen, ist dadurch eine unregelmäßige Oberfläche gebildet, die die Auskopplung von Licht verbessert.Under means 9 To improve the decoupling, surface structuring is to be understood in particular. In particular, improved light extraction can be made possible, for example, by microprism structuring or an increase in the roughness of the radiation exit area. If roughening of the surface is provided, an irregular surface is thereby formed, which improves the extraction of light.

Der Halbleiterchip 2 weist eine planare Kontaktierung auf. Die Kontaktierung des Halbleiterchips 2 erfolgt also nicht durch Drähte, sondern durch eine planare Leitstruktur 6, beispielsweise in Form einer Kupferschicht.The semiconductor chip 2 has a planar contact. The contacting of the semiconductor chip 2 It does not take place by wires, but by a planar guide structure 6 , for example in the form of a copper layer.

Bevorzugt ist der Halbleiterchip 2 mit einer zweiten Leiterbahn 3a des Trägerkörpers planar kontaktiert. Dazu ist die planare Leitstruktur 6, die mit einer ersten Kontaktfläche des Halbleiterchips 2 elektrisch leitend verbunden ist, entlang einer Seitenfläche des Halbleiterchips 2 zu der zweiten Leiterbahn 3a des Trägerkörpers 1 geführt.The semiconductor chip is preferred 2 with a second trace 3a the support body contacted planar. This is the planar guiding structure 6 connected to a first contact surface of the semiconductor chip 2 electrically connected, along a side surface of the semiconductor chip 2 to the second track 3a of the carrier body 1 guided.

Durch die planare Kontaktierung ergibt sich eine besonders geringe Bauhöhe des Bauelements.By The planar contacting results in a particularly low height of the component.

Um die planare Leitstruktur 6 in einem möglichst geringen Abstand vom Trägerkörper 1 und vom Halbleiterchip 2 zu führen, ist über dem Trägerkörper 1 und dem Halbleiterchip 2 eine elektrisch isolierende Schicht 5, zum Beispiel in Form einer Folie, geführt. Auf der elektrisch isolierenden Schicht 5 ist zumindest teilweise die planare Leitstruktur 6 des optoelektronischen Bauelements angeordnet.To the planar conductive structure 6 in the smallest possible distance from the carrier body 1 and from the semiconductor chip 2 Lead is above the vehicle body 1 and the semiconductor chip 2 an electrically insulating layer 5 , for example in the form of a film. On the electrically insulating layer 5 is at least partially the planar guiding structure 6 arranged the optoelectronic component.

Vorzugsweise ist eine Aussparung 14 der elektrisch isolierenden Schicht 5 im Bereich der ersten Kontaktfläche des Halbleiterchips 2 vorgesehen. Durch die Aussparung 14 ist die planare Leitstruktur 6 zur ersten Kontaktfläche des Halbleiterchips 2 geführt. Die planare Leitstruktur 6 beginnt demnach in der Aussparung 14 der elektrisch isolierenden Schicht 5, wobei die erste Kontaktfläche des Halbleiterchips 2 durch die Aussparung 14 mit der planaren Leitstruktur 6 elektrisch leitend verbunden ist, und führt über die elektrisch isolierende Schicht 5 entlang einer Seitenfläche des Halbleiterchips 2 zu der zweiten Leiterbahn 3a des Trägerkörpers 1, mit der die planare Leitstruktur 6 elektrisch leitend verbunden ist.Preferably, a recess 14 the electrically insulating layer 5 in the area of ers th contact surface of the semiconductor chip 2 intended. Through the recess 14 is the planar guiding structure 6 to the first contact surface of the semiconductor chip 2 guided. The planar conductive structure 6 therefore begins in the recess 14 the electrically insulating layer 5 , wherein the first contact surface of the semiconductor chip 2 through the recess 14 with the planar lead structure 6 is electrically connected, and passes over the electrically insulating layer 5 along a side surface of the semiconductor chip 2 to the second track 3a of the carrier body 1 with which the planar conductive structure 6 is electrically connected.

Die planare Leitstruktur 6 verdeckt eine Lichtaustrittsfläche des Halbleiterchips 2 zumindest teilweise. Die planare Leitstruktur 6 ist bevorzugt reflektierend ausgeführt, sodass das Licht in den Halbleiterchip 2 zurückreflektiert wird und diesen an einer anderen Oberfläche verlassen kann. So lässt sich über die planare Kontaktierung 6 zusätzlich eine Lichtführung erzielen.The planar conductive structure 6 covers a light exit surface of the semiconductor chip 2 at least partially. The planar conductive structure 6 is preferably reflective, so that the light in the semiconductor chip 2 is reflected back and can leave it on another surface. This can be done via the planar contacting 6 additionally achieve a light guide.

Die elektrisch isolierende Schicht 5 weist für die von der aktiven Schicht des Halbleiterchips 2 emittierte Strahlung strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften auf. Dadurch beeinflusst die elektrisch isolierende Schicht 5 unter anderem die Abstrahlcharakteristik und die Direktionalität der emittierten Strahlung gezielt. Beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht 5 den Abstrahlwinkel und/oder den Farbort der von dem Halbleiterchip 4 emittierten Strahlung gezielt verändern und/oder korrigieren.The electrically insulating layer 5 indicates that of the active layer of the semiconductor chip 2 emitted radiation beam-forming and / or converting properties. This affects the electrically insulating layer 5 Among other things, the radiation characteristics and the directionality of the emitted radiation targeted. For example, the electrically insulating layer 5 the emission angle and / or the color locus of the semiconductor chip 4 specifically change and / or correct emitted radiation.

Das hat den Vorteil, dass keine zusätzlichen optischen Bauelemente, wie beispielsweise Reflektoren und/oder Linsen zur Strahlungsbeeinflussung Anwendung finden, sodass eine Miniaturisierung des Bauelements realisiert werden kann, die gleichzeitig eine Kostenreduzierung mit sich bringt.The has the advantage that no additional optical components, such as reflectors and / or lenses for radiation control application find, so realized a miniaturization of the device which at the same time brings about a cost reduction.

Die elektrisch isolierende Schicht 5, die die Maßnahmen zur Beeinflussung der Abstrahlcharakteristik beinhaltet, weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 20 nm und einschließlich 5 mm, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 10 μm und einschließlich 200 μm, auf. Die Höhe des Halbleiterchips beträgt bevorzugt weniger als 200 μm, besonders bevorzugt weniger als 10 μm.The electrically insulating layer 5 , which includes the measures for influencing the emission characteristic, preferably has a thickness of between 20 nm and 5 mm inclusive, more preferably between 10 μm and 200 μm inclusive. The height of the semiconductor chip is preferably less than 200 μm, more preferably less than 10 μm.

Die Auskopplung der von der aktiven Schicht 4 des Halbleiterchips 2 im Betrieb erzeugten Strahlung ist in den 1 bis 7 durch Pfeile dargestellt.The decoupling of the active layer 4 of the semiconductor chip 2 Radiation generated during operation is in the 1 to 7 represented by arrows.

In dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel enthält die elektrisch isolierende Schicht 5 sowohl ein Konversionselement 7 als auch ein Diffusorelement 8.In the in 1 illustrated embodiment includes the electrically insulating layer 5 both a conversion element 7 as well as a diffuser element 8th ,

Der Halbleiterchip 2 emittiert bevorzugt eine Primärstrahlung mit einer Wellenlänge λ0. Das Konversionselement 7 in der elektrisch isolierenden Schicht 5 absorbiert bevorzugt zumindest teilweise Strahlung der Wellenlänge λ0 und emittiert eine Sekundärstrahlung einer anderen Wellenlänge. Dadurch emittiert das Bauelement Mischstrahlung, die sowohl die Primärstrahlung des Halbleiterchips 2 und die Sekundärstrahlung des Konversionselements 7 enthält.The semiconductor chip 2 preferably emits a primary radiation having a wavelength λ 0 . The conversion element 7 in the electrically insulating layer 5 preferably absorbs at least partially radiation of wavelength λ 0 and emits a secondary radiation of a different wavelength. As a result, the component emits mixed radiation which is both the primary radiation of the semiconductor chip 2 and the secondary radiation of the conversion element 7 contains.

Das Diffusorelement 8 streut bei einer gleichmäßigen Verteilung des Diffusorelements 8 in der elektrisch isolierenden Schicht 5 die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung des Halbleiterchips 2, wobei sich die Streustrahlung der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung ungerichtet in alle Raumrichtungen ausbreitet. Dadurch werden Farbinhomogenitäten über den Abstrahlwinkel verringert. Eine homogene Abstrahlcharakteristik der von dem Bauelement emittierten Mischstrahlung wird mit Vorteil erzielt.The diffuser element 8th scatters with a uniform distribution of the diffuser element 8th in the electrically insulating layer 5 the primary radiation and the secondary radiation of the semiconductor chip 2 , wherein the scattered radiation of the primary radiation and the secondary radiation propagates undirected in all spatial directions. As a result, color inhomogeneities over the emission angle are reduced. A homogeneous radiation characteristic of the mixed radiation emitted by the component is achieved with advantage.

Durch eine so ausgebildete elektrisch isolierende Schicht 5 erfolgt somit sowohl eine gezielte Korrektur des Farborts der von dem Halbleiterchip 2 emittierten Strahlung durch eine gezielte Wahl des Konversionselements 7, wodurch sich ein gewünschter Farbort der von dem Bauelement emittierten Strahlung ergibt, als auch eine durch das Diffusorelement 8 erzeugte homogene Abstrahlcharakteristik der von dem Bauelement emittierten Mischstrahlung aus Primärstrahlung und Sekundärstrahlung. Auf diese Weise ist über eine genaue Einstellung der Konzentration des Konversionselements eine gute Steuerung der Farbkoordinaten möglich, während sich gleichzeitig über eine genaue Einstellung der Diffusorelementkonzentration eine Farbhomogenisierung über dem Abstrahlwinkel realisieren lässt.By a thus formed electrically insulating layer 5 Thus, both a targeted correction of the color locus of the semiconductor chip 2 emitted radiation through a targeted choice of the conversion element 7 , which results in a desired color location of the radiation emitted by the component, as well as a through the diffuser element 8th generated homogeneous radiation characteristic of the mixed radiation emitted by the component of primary radiation and secondary radiation. In this way, a precise control of the concentration of the conversion element, a good control of the color coordinates is possible, while at the same time can be realized on a precise adjustment of the diffuser element concentration color homogenization over the emission angle.

Die elektrisch isolierende Schicht 5 kann auch mehr als ein Konversionselement 7 erhalten. Durch die Verwendung von mehr als einem Konversionselement 7 kann eine noch genauere Farbselektion des Farborts erfolgen, wodurch sich ein gewünschter Farbort der emittierten Strahlung des Bauelements ergibt.The electrically insulating layer 5 can also do more than one conversion element 7 receive. By using more than one conversion element 7 an even more accurate color selection of the color locus can take place, which results in a desired color locus of the emitted radiation of the component.

Bei dem in 2 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die elektrisch isolierende Schicht 5 ein Lochraster 10 auf. Durch das Lochraster 10 wird, ähnlich wie bei einer elektrisch isolierenden Schicht 5 mit Diffusorelement und zusätzlichem Konverterelement, der Farbort der von dem Bauelement emittierten Strahlung homogenisiert. Durch eine gezielte Anordnung der Löcher in dem Lochraster 10 kann aufgrund der Abhängigkeit der Streueigenschaften von der Wellenlänge der Strahlung ein gewünschter Farbort der von dem Bauelement emittierten Strahlung erzielt werden. Ferner reduzieren sich Farbinhomogenitäten über dem Abstrahlwinkel auf diese Weise.At the in 2 illustrated embodiment, the electrically insulating layer 5 a breadboard 10 on. Through the hole grid 10 is similar to an electrically insulating layer 5 with diffuser element and additional converter element, the color location of the radiation emitted by the component homogenized. Through a targeted arrangement of the holes in the breadboard 10 Due to the dependence of the scattering properties on the wavelength of the radiation, a desired color locus of the radiation emitted by the component can be achieved. Furthermore, color inhomes are reduced above the beam angle in this way.

Bei dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die elektrisch isolierende Schicht 5 auf der dem Trägerkörper 1 und dem Halbleiterchip 2 abgewandten Seite eine Prägung 11 auf.At the in 3 illustrated embodiment, the electrically insulating layer 5 on the carrier body 1 and the semiconductor chip 2 facing away an embossing 11 on.

Durch eine elektrisch isolierende Schicht 5 mit einer geprägten Oberfläche kann eine gewünschte Abstrahlcharakteristik und eine gewünschte Direktionalität der von dem Halbleiterchip 2 emittierten Strahlung erzielt werden.By an electrically insulating layer 5 With an embossed surface, a desired radiation characteristic and a desired directionality of the semiconductor chip 2 emitted radiation can be achieved.

Das in 4 dargestellte Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements weist eine elektrisch isolierende Schicht 5 auf, die aus einer Schichtenfolge gebildet ist. Die elektrisch isolierende Schicht 5 ist beispielsweise aus einer Schichtenfolge gebildet, die sich aus einer inneren und einer äußeren elektrisch isolierenden Schicht 5a, 5b zusammensetzt.This in 4 illustrated embodiment of an optoelectronic component has an electrically insulating layer 5 on, which is formed of a layer sequence. The electrically insulating layer 5 is formed for example of a layer sequence, which consists of an inner and an outer electrically insulating layer 5a . 5b composed.

Lediglich die äußere elektrisch isolierende Schicht 5b weist eine Prägung auf.Only the outer electrically insulating layer 5b has an imprint.

Dadurch, dass sich die elektrisch isolierende Schicht 5 aus einer Schichtenfolge 5a, 5b zusammensetzt, kann die äußere elektrisch isolierende Schicht 5b für die von der aktiven Schicht 4 des Halbleiterchips 2 emittierte Strahlung strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften aufweisen, während die innere elektrisch isolierende Schicht 5a keine strahlformenden und/oder konvertierenden Eigenschaften aufweist. Mit Vorteil wird somit beispielsweise die von dem Halbleiterchip 2 emittierte Strahlung nicht an Lufteinschlüssen gestreut, die sich an der Grenzfläche zwischen Halbleiterchip 2 und innerer elektrisch isolierender Schicht 5a durch integrierte Maßnahmen zur Beeinflussung der von dem Halbleiterchip 2 emittierten Strahlung ergeben könnten.As a result, the electrically insulating layer 5 from a layer sequence 5a . 5b composed, the outer electrically insulating layer 5b for the of the active layer 4 of the semiconductor chip 2 emitted radiation have jet-forming and / or converting properties, while the inner electrically insulating layer 5a has no jet-forming and / or converting properties. Advantageously, for example, that of the semiconductor chip 2 emitted radiation is not scattered at air inclusions, located at the interface between the semiconductor chip 2 and inner electrically insulating layer 5a by integrated measures for influencing the of the semiconductor chip 2 emitted radiation could result.

Zusätzliche Optiken auf dem Halbleiterchip 2, wie beispielsweise Linsen, sind mit Vorteil nicht notwendig, wodurch sich eine besonders geringe Bauhöhe und eine kostengünstige Herstellung des Bauelements ergeben.Additional optics on the semiconductor chip 2 , Such as lenses, are advantageously not necessary, resulting in a particularly low height and cost-effective production of the device arise.

Das Ausführungsbeispiel der 5 unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der 4 dadurch, dass die äußere elektrisch isolierende Schicht 5 keine Prägung 11, sondern kugelförmige Partikel 12 aufweist.The embodiment of 5 differs from the embodiment of 4 in that the outer electrically insulating layer 5 no imprint 11 but spherical particles 12 having.

Bei dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel weist der Halbleiterchip 2 eine strukturierte Schicht 13, insbesondere photonische Kristalle, auf. Diese sind als strukturierte Schicht auf einer Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterchips 2 aufgebracht.At the in 6 illustrated embodiment, the semiconductor chip 2 a structured layer 13 , in particular photonic crystals, on. These are as a structured layer on a radiation decoupling surface of the semiconductor chip 2 applied.

Dadurch kann bewirkt werden, dass ein Teil der Strahlung, der unter einem Winkel gleich oder größer als dem Grenzwinkel der Totalreflexion auf die strukturierte Schicht 13 auftrifft, derart umgelenkt wird, dass der Teil der Strahlung unter einem Winkel kleiner als dem Grenzwinkel auf der Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterchips 2 auftrifft und somit ausgekoppelt werden kann.This may cause a portion of the radiation that is at an angle equal to or greater than the critical angle of total reflection to the patterned layer 13 is incident, is deflected such that the part of the radiation at an angle smaller than the critical angle on the radiation coupling-out surface of the semiconductor chip 2 impinges and thus can be decoupled.

Bei dem in 7 dargstellten Ausführungsbeispiel des Bauelements sind Maßnahmen zur Beeinflussung der Abstrahlcharakteristik der von dem Halbleiterchip 2 emittierten Strahlung aus den 1 und 6 miteinander kombiniert. Der Halbleiterchip 2 weist eine strukturierte Schicht 13 auf. Ferner ist in der elektrisch isolierenden Schicht 5 ein Konverterelement 7 und ein Diffusorelement 8 eingebracht.At the in 7 dargstellten embodiment of the device are measures for influencing the emission characteristics of the semiconductor chip 2 emitted radiation from the 1 and 6 combined together. The semiconductor chip 2 has a structured layer 13 on. Further, in the electrically insulating layer 5 a converter element 7 and a diffuser element 8th brought in.

Auf diese Weise ergibt sich eine gute Steuerung der Farbkoordinaten, wobei gleichzeitig durch die Streuung an den Diffusorelementen 8 eine homogene Abstrahlung erzielt wird.In this way, there is a good control of the color coordinates, at the same time by the scattering of the diffuser elements 8th a homogeneous radiation is achieved.

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Bauelements gemäß der Erfindung wird bevorzugt vor Aufbringen der elektrisch isolierenden Schicht 5 die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht 5 mittels Stretchens verringert, wie im Folgenden anhand der 8A und 8B erläutert wird.In a method for producing a component according to the invention, it is preferable to apply the electrically insulating layer before applying 5 the thickness of the electrically insulating layer 5 reduced by stretching, as in the following with reference to the 8A and 8B is explained.

In 8A ist die ursprüngliche Dicke der vorgesehenen elektrisch isolierenden Schicht 5 dargestellt. Die elektrisch isolierende Schicht 5 weist eine ursprüngliche Dicke d auf.In 8A is the original thickness of the proposed electrically insulating layer 5 shown. The electrically insulating layer 5 has an original thickness d.

In 8B ist eine elektrisch isolierende Schicht 5 dargestellt, nachdem die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht 5 mittels Stretchens verringert ist. Die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht 5 beträgt nun lediglich d-X.In 8B is an electrically insulating layer 5 shown after the thickness of the electrically insulating layer 5 is reduced by stretching. The thickness of the electrically insulating layer 5 is now only dX.

Die elektrisch isolierende Schicht 5 weist bevorzugt eine ursprüngliche Dicke d in einem Bereich zwischen einschließlich 10 μm und einschließlich 200 μm, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 30 μm und einschließlich 50 μm, auf. Mittels Stretchens wird die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht 5 vorzugsweise um 30% bis 50% der ursprünglichen Dicke d reduziert. Beträgt die ursprüngliche Dicke d der elektrisch isolierenden Schicht 5 vor dem Stretchen beispielsweise 30 μm, liegt die Dicke d-X der elektrisch isolierenden Schicht 5 nach dem Stretchen bevorzugt in einem Bereich zwischen einschließlich 15 μm und einschließlich 20 μm. Die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht 5 ist somit mittels Stretchens um 10 μm bis 15 μm reduziert worden.The electrically insulating layer 5 preferably has an original thickness d in a range between 10 μm inclusive and 200 μm inclusive, more preferably between 30 μm and 50 μm inclusive. By means of stretching, the thickness of the electrically insulating layer becomes 5 preferably reduced by 30% to 50% of the original thickness d. Is the original thickness d of the electrically insulating layer 5 For example, before stretching, 30 μm, the thickness dX of the electrically insulating layer is 5 after stretching preferably in a range between 15 μm and 20 μm inclusive. The thickness of the electrically insulating layer 5 has thus been reduced by means of stretching by 10 microns to 15 microns.

Durch die Schichtdickenreduzierung der elektrisch isolierenden Schicht 5 um den Betrag X kann bevorzugt eine Farbortkorrektur der von dem Halbleiterchip 2 emittierten Strahlung erfolgen, die auf einer von der Wellenlänge abhängigen Weglänge der Strahlung in der elektrisch isolierenden Schicht 5 beruht. Durch die Einstellung der Dicke der elektrisch isolierenden Schicht 5 durch den Verfahrensschritt des Stretchens kann somit ein gezielter Farbort der von dem Halbleiterchip 2 emittierten Strahlung eingestellt werden. Auf diese Weise ist über eine genaue Einstellung der Foliendicke eine gute Steuerung der Farbkoordinaten möglich.By the layer thickness reduction of the electrically insulating layer 5 by the amount X may preferably a color coordinates correction of the Semiconductor chip 2 emitted radiation, which is based on a wavelength-dependent path length of the radiation in the electrically insulating layer 5 based. By adjusting the thickness of the electrically insulating layer 5 Thus, by the stretching process step, a targeted color locus of the semiconductor chip can be obtained 2 emitted radiation can be adjusted. In this way, a good control of the color coordinates is possible on a precise adjustment of the film thickness.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt, sondern umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these, but includes every new feature as well as any combination of features, especially any combination includes features in the claims, also if this feature or combination itself is not explicit in the claims or embodiments is specified.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - US 6412971 B1 [0003] - US 6412971 B1 [0003]

Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

  • - I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174 bis 2176 [0047] I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18 October 1993, 2174 to 2176 [0047]

Claims (20)

Optoelektronisches Bauelement, das einen Trägerkörper (1) und mindestens einen Halbleiterchip (2) aufweist, wobei – der Trägerkörper (1) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (2) strukturierte Leiterbahnen (3a, 3b) aufweist, – der Halbleiterchip (2) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (4), eine erste Kontaktfläche und eine zweite Kontaktfläche aufweist, wobei mindestens die erste Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper (1) gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet ist, – der Halbleiterchip (2) zumindest teilweise mit einer elektrisch isolierenden Schicht (5) versehen ist, die mindestens eine Aussparung im Bereich der ersten Kontaktfläche aufweist, – auf zumindest einem ersten Teilbereich der elektrisch isolierenden Schicht (5) mindestens eine erste planare Leitstruktur (6) angeordnet ist, die von der ersten Kontaktfläche entlang einer ersten Seitenfläche des Halbleiterchips (2) zu einer ersten Leiterbahn (3a) des Trägerkörpers führt, und – die elektrisch isolierende Schicht (5) für die von der aktiven Schicht (4) emittierte Strahlung strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften aufweist.Optoelectronic component which has a carrier body ( 1 ) and at least one semiconductor chip ( 2 ), wherein - the carrier body ( 1 ) for electrically contacting the semiconductor chip ( 2 ) structured tracks ( 3a . 3b ), - the semiconductor chip ( 2 ) an active layer suitable for generating electromagnetic radiation ( 4 ), a first contact surface and a second contact surface, wherein at least the first contact surface on the the support body ( 1 ) opposite surface of the semiconductor chip ( 2 ), - the semiconductor chip ( 2 ) at least partially with an electrically insulating layer ( 5 ) is provided, which has at least one recess in the region of the first contact surface, - on at least a first portion of the electrically insulating layer ( 5 ) at least one first planar conductive structure ( 6 ) arranged from the first contact surface along a first side surface of the semiconductor chip ( 2 ) to a first trace ( 3a ) of the carrier body, and - the electrically insulating layer ( 5 ) for the active layer ( 4 ) emitted radiation jet-forming and / or converting properties. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei sowohl die erste Kontaktfläche als auch die zweite Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper (1) gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet sind, – die elektrisch isolierende Schicht (5) eine zweite Aussparung im Bereich der zweiten Kontaktfläche aufweist, und – auf zumindest einem zweiten Teilbereich der elektrisch isolierenden Schicht (5) eine zweite planare Leitstruktur (6) angeordnet ist, die von der zweiten Kontaktfläche entlang einer zweiten Seitenfläche des Halbleiterchips (2) zu einer zweiten Leiterbahn (3b) des Trägerkörpers führt.Optoelectronic component according to claim 1, wherein both the first contact surface and the second contact surface on the the support body ( 1 ) opposite surface of the semiconductor chip ( 2 ), - the electrically insulating layer ( 5 ) has a second recess in the region of the second contact surface, and - on at least a second portion of the electrically insulating layer ( 5 ) a second planar conductive structure ( 6 ) arranged from the second contact surface along a second side surface of the semiconductor chip ( 2 ) to a second trace ( 3b ) of the carrier body leads. Optoelektronisches Bauelement, das einen Trägerkörper (1) und mindestens einen Halbleiterchip (2) aufweist, wobei – der Trägerkörper (1) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (2) strukturierte Leiterbahnen (3a, 3b) aufweist, – der Halbleiterchip (2) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (4), eine erste Kontaktfläche und eine zweite Kontaktfläche aufweist, wobei die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper (1) zugewandten Oberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet sind, – die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche jeweils mit einer Leiterbahn (3a, 3b) des Trägerkörpers elektrisch leitend verbunden sind, – der Halbleiterchip (2) zumindest teilweise mit einer elektrisch isolierenden Schicht (5) versehen ist, und – die elektrisch isolierende Schicht (5) für die von der aktiven Schicht (4) emittierte Strahlung strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften aufweist.Optoelectronic component which has a carrier body ( 1 ) and at least one semiconductor chip ( 2 ), wherein - the carrier body ( 1 ) for electrically contacting the semiconductor chip ( 2 ) structured tracks ( 3a . 3b ), - the semiconductor chip ( 2 ) an active layer suitable for generating electromagnetic radiation ( 4 ), a first contact surface and a second contact surface, wherein the first contact surface and the second contact surface on the the support body ( 1 ) facing surface of the semiconductor chip ( 2 ), - the first contact surface and the second contact surface each with a conductor track ( 3a . 3b ) of the carrier body are electrically conductively connected, - the semiconductor chip ( 2 ) at least partially with an electrically insulating layer ( 5 ), and - the electrically insulating layer ( 5 ) for the active layer ( 4 ) emitted radiation jet-forming and / or converting properties. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch isolierende Schicht (5) mindestens ein Konversionselement (7) enthält.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the electrically insulating layer ( 5 ) at least one conversion element ( 7 ) contains. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch isolierende Schicht (5) mindestens ein Diffusorelement (8) enthält.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the electrically insulating layer ( 5 ) at least one diffuser element ( 8th ) contains. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch isolierende Schicht (5) ein Lochraster (10) aufweist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the electrically insulating layer ( 5 ) a breadboard ( 10 ) having. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch isolierende Schicht (5) auf der dem Trägerkörper (1) und/oder Halbleiterchip (2) abgewandten Seite eine Prägung (11) aufweist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the electrically insulating layer ( 5 ) on the carrier body ( 1 ) and / or semiconductor chip ( 2 ) facing away from a coinage ( 11 ) having. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch isolierende Schicht (5) aus einer Schichtenfolge aus mindestens zwei elektrisch isolierenden Schichten (5a, 5b) gebildet ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the electrically insulating layer ( 5 ) from a layer sequence of at least two electrically insulating layers ( 5a . 5b ) is formed. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 8, wobei die elektrisch isolierende Schicht (5b) auf der dem Trägerkörper (1) und/oder Halbleiterchip (2) abgewandten Seite eine Prägung aufweist.Optoelectronic component according to claim 8, wherein the electrically insulating layer ( 5b ) on the carrier body ( 1 ) and / or semiconductor chip ( 2 ) facing away from an embossing. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei die elektrisch isolierende Schicht (5b) auf der dem Trägerkörper (1) und/oder Halbleiterchip (2) abgewandten Seite kugelförmige Partikel (12) aufweist.Optoelectronic component according to one of claims 8 or 9, wherein the electrically insulating layer ( 5b ) on the carrier body ( 1 ) and / or semiconductor chip ( 2 ) side facing spherical particles ( 12 ) having. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) photonische Kristalle (13) enthält.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the semiconductor chip ( 2 ) photonic crystals ( 13 ) contains. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch isolierende Schicht (5) eine Dicke zwischen einschließlich 10 μm und einschließlich 200 μm aufweist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the electrically insulating layer ( 5 ) has a thickness of between 10 μm and 200 μm inclusive. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch isolierende Schicht (5) eine Folie, ein Lack und/oder eine Polymerschicht ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the electrically insulating layer ( 5 ) is a film, a lacquer and / or a polymer layer. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) ein Dünnfilm-Chip ist.Optoelectronic component according to egg nem of the preceding claims, wherein the semiconductor chip ( 2 ) is a thin-film chip. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) ein LED-Chip ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the semiconductor chip ( 2 ) is an LED chip. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Höhe des Halbleiterchips (2) weniger als 200 μm beträgt.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the height of the semiconductor chip ( 2 ) is less than 200 microns. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 16, wobei die Höhe des Halbleiterchips (2) weniger als 10 μm beträgt.Optoelectronic component according to claim 16, wherein the height of the semiconductor chip ( 2 ) is less than 10 microns. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit den Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Halbleiterchips (2) auf einem Trägerkörper (1), wobei der Trägerkörper (1) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (2) strukturierte Leiterbahnen (3a, 3b) aufweist, und der Halbleiterchip (2) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (4), eine erste Kontaktfläche und eine zweite Kontaktfläche aufweist, wobei mindestens die erste Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper (1) gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet ist, – Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht (5) auf zumindest einem Teilbereich des Halbleiterchips (2), wobei die elektrisch isolierende Schicht (5) mindestens eine erste Aussparung im Bereich der ersten Kontaktfläche und strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften für die von der aktiven Schicht (4) emittierte Strahlung aufweist, – Aufbringen mindestens einer ersten planaren Leitstruktur (6) auf zumindest einem ersten Teilbereich der elektrisch isolierenden Schicht (5), wobei die erste planare Leitstruktur (6) von der ersten Kontaktfläche entlang einer ersten Seitenfläche des Halbleiterchips (2) zu einer ersten Leiterbahn (3a) des Trägerkörpers (1) führt.Method for producing an optoelectronic component with the method steps: - providing a semiconductor chip ( 2 ) on a carrier body ( 1 ), wherein the carrier body ( 1 ) for electrically contacting the semiconductor chip ( 2 ) structured tracks ( 3a . 3b ), and the semiconductor chip ( 2 ) an active layer suitable for generating electromagnetic radiation ( 4 ), a first contact surface and a second contact surface, wherein at least the first contact surface on the the support body ( 1 ) opposite surface of the semiconductor chip ( 2 ), - applying an electrically insulating layer ( 5 ) on at least a portion of the semiconductor chip ( 2 ), wherein the electrically insulating layer ( 5 ) at least a first recess in the region of the first contact surface and jet-forming and / or converting properties for the active layer ( 4 ) emitted radiation, - applying at least a first planar conductive structure ( 6 ) on at least a first portion of the electrically insulating layer ( 5 ), wherein the first planar conductive structure ( 6 ) from the first contact surface along a first side surface of the semiconductor chip ( 2 ) to a first trace ( 3a ) of the carrier body ( 1 ) leads. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit den Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Halbleiterchips (2) auf einem Trägerkörper (1), wobei der Trägerkörper (1) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (2) strukturierte Leiterbahnen (3a, 3b) aufweist, und der Halbleiterchip (2) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (4), eine erste Kontaktfläche und eine zweite Kontaktfläche aufweist, wobei die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche auf der dem Trägerkörper (1) zugewandten Oberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet sind, und die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche jeweils mit einer Leiterbahn (3a, 3b) des Trägerkörpers elektrisch leitend verbunden sind, und – Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht (5) auf zumindest einem Teilbereich des Halbleiterchips (2), wobei die elektrisch isolierende Schicht (5) strahlformende und/oder konvertierende Eigenschaften für die von der aktiven Schicht (4) emittierte Strahlung aufweist.Method for producing an optoelectronic component with the method steps: - providing a semiconductor chip ( 2 ) on a carrier body ( 1 ), wherein the carrier body ( 1 ) for electrically contacting the semiconductor chip ( 2 ) structured tracks ( 3a . 3b ), and the semiconductor chip ( 2 ) an active layer suitable for generating electromagnetic radiation ( 4 ), a first contact surface and a second contact surface, wherein the first contact surface and the second contact surface on the the support body ( 1 ) facing surface of the semiconductor chip ( 2 ) are arranged, and the first contact surface and the second contact surface in each case with a conductor track ( 3a . 3b ) of the carrier body are electrically conductively connected, and - applying an electrically insulating layer ( 5 ) on at least a portion of the semiconductor chip ( 2 ), wherein the electrically insulating layer ( 5 ) jet-forming and / or converting properties for those of the active layer ( 4 ) has emitted radiation. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 18 oder 19, wobei vor Aufbringen der elektrisch isolierenden Schicht (5) die Dicke der elektrisch isolierenden Schicht (5) mittels Stretchens verringert wird.Method according to one of claims 18 or 19, wherein prior to application of the electrically insulating layer ( 5 ) the thickness of the electrically insulating layer ( 5 ) is reduced by means of stretching.
DE200810015551 2008-03-25 2008-03-25 Optoelectronic component has support body, which has conductive paths structured for electrically contacting semiconductor chip, where semiconductor chip has active layer suitable for generating electromagnetic radiation Withdrawn DE102008015551A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200810015551 DE102008015551A1 (en) 2008-03-25 2008-03-25 Optoelectronic component has support body, which has conductive paths structured for electrically contacting semiconductor chip, where semiconductor chip has active layer suitable for generating electromagnetic radiation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200810015551 DE102008015551A1 (en) 2008-03-25 2008-03-25 Optoelectronic component has support body, which has conductive paths structured for electrically contacting semiconductor chip, where semiconductor chip has active layer suitable for generating electromagnetic radiation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008015551A1 true DE102008015551A1 (en) 2009-10-01

Family

ID=41011025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200810015551 Withdrawn DE102008015551A1 (en) 2008-03-25 2008-03-25 Optoelectronic component has support body, which has conductive paths structured for electrically contacting semiconductor chip, where semiconductor chip has active layer suitable for generating electromagnetic radiation

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102008015551A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2423987A3 (en) * 2010-08-26 2014-12-03 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device package, and light unit
DE102019100624A1 (en) * 2019-01-11 2020-07-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH FIRST AND SECOND DIELECTRIC LAYERS AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6412971B1 (en) 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
DE10153176A1 (en) * 2001-08-24 2003-03-13 Schott Glas Integrated circuit component encased in carrier material has contacts which are connected by channels through a thinned under layer
US20040041164A1 (en) * 1999-12-03 2004-03-04 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
DE10353679A1 (en) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Cost-effective, miniaturized assembly and connection technology for LEDs and other optoelectronic modules
US20060055309A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Masato Ono Light emitting device
DE102005041099A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED chip with glass coating and planar assembly and connection technology
DE102006024423A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure producing method for multiple opto-electronic components, involves producing pressure between roller and auxiliary carrier by relative movement of roller relatively to auxiliary carrier

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6412971B1 (en) 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
US20040041164A1 (en) * 1999-12-03 2004-03-04 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
DE10153176A1 (en) * 2001-08-24 2003-03-13 Schott Glas Integrated circuit component encased in carrier material has contacts which are connected by channels through a thinned under layer
DE10353679A1 (en) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Cost-effective, miniaturized assembly and connection technology for LEDs and other optoelectronic modules
US20060055309A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Masato Ono Light emitting device
DE102005041099A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED chip with glass coating and planar assembly and connection technology
DE102006024423A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure producing method for multiple opto-electronic components, involves producing pressure between roller and auxiliary carrier by relative movement of roller relatively to auxiliary carrier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174 bis 2176

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2423987A3 (en) * 2010-08-26 2014-12-03 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device package, and light unit
DE102019100624A1 (en) * 2019-01-11 2020-07-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH FIRST AND SECOND DIELECTRIC LAYERS AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
US12087878B2 (en) 2019-01-11 2024-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor device having dielectric layers, and method for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016119002B4 (en) OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTOELECTRONIC DEVICE
EP1803163B1 (en) Optoelectronic component with a wireless contacting
EP2002176B1 (en) Optoelectronic headlight
EP1982360B1 (en) Light-emitting diode comprising a housing
DE102012002605B4 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
EP2583319B1 (en) Optoelectronic component
EP2297780B1 (en) Optoelectronic module having a carrier substrate and a plurality of radiation emitting semiconductor devices and method of its manufacture
DE102010031945A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
WO2012160107A2 (en) Optical element, optoelectronic component, and method for producing same
DE102006035635A1 (en) lighting arrangement
DE102005059524A1 (en) Housing for an electromagnetic radiation-emitting optoelectronic component, component and method for producing a housing or a component
DE102008021402A1 (en) Surface-mountable light-emitting diode module and method for producing a surface-mountable light-emitting diode module
DE102010009456A1 (en) Radiation-emitting component with a semiconductor chip and a conversion element and method for its production
DE102008019902A1 (en) Optoelectronic component and production method for an optoelectronic component
DE102017111706A1 (en) Light emitting device
WO2013056967A2 (en) Radiation-emitting component
DE102007046348A1 (en) Radiation-emitting device with glass cover and method for its production
DE102012101463A1 (en) Method for producing an optoelectronic component and thus produced optoelectronic component
DE102013212247A1 (en) Optoelectronic component and method for its production
DE102014116529A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
DE102008028886A1 (en) Radiation-emitting component and method for producing a radiation-emitting component
WO2012010377A1 (en) Optoelectronic component
DE102008022542A1 (en) Radiation-emitting component for use in illumination device, has conversion layers including conversion elements for converting portions of primary radiation sent by LED chip into secondary radiation, respectively
DE102008015551A1 (en) Optoelectronic component has support body, which has conductive paths structured for electrically contacting semiconductor chip, where semiconductor chip has active layer suitable for generating electromagnetic radiation
WO2009094987A1 (en) Radiation-emitting optoelectronic component and method for producing a radiation-emitting component

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination

Effective date: 20150326