DE102008001248A1 - Manufacturing method for a micromechanical component and micromechanical component - Google Patents

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Joerg Muchow
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil (10) mit den Schritten: Bilden einer ersten Elektrodeneinheit (14) in einer ersten Stellung zu einem Grundsubstrat (16); Bilden eines Stützelements (22) mit einer ersten Untereinheit (23, 28, 30) mit einer ersten Eigenspannung und einer zweiten Untereinheit (23, 28, 30) mit einer von der ersten Eigenspannung abweichenden zweiten Eigenspannung, wobei das Stützelement (22) an einem ersten Ende an der ersten Elektrodeneinheit (14) und an einem zweiten Ende an dem Grundsubstrat (16) befestigt ist; und Biegen des Stützelements (22) aufgrund einer Differenz zwischen der ersten Eigenspannung und der zweiten Eigenspannung, wobei aufgrund des Biegens des Stützelements (22) die erste Elektrodeneinheit (14) aus der ersten Stellung zu dem Grundsubstrat (16) in eine zweite Stellung zu dem Grundsubstrat (16) verstellt wird. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein mikromechanisches Bauteil (10).The invention relates to a manufacturing method for a micromechanical component (10), comprising the steps of: forming a first electrode unit (14) in a first position relative to a base substrate (16); Forming a support element (22) having a first subunit (23, 28, 30) with a first residual stress and a second subunit (23, 28, 30) having a second residual stress deviating from the first residual stress, wherein the support element (22) is attached to a first end attached to the first electrode unit (14) and at a second end to the base substrate (16); and bending the support member (22) due to a difference between the first residual stress and the second residual stress, wherein the first electrode unit (14) moves from the first position to the base substrate (16) to a second position due to the bending of the support member (22) Base substrate (16) is adjusted. Furthermore, the invention relates to a micromechanical component (10).

Description

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein entsprechendes mikromechanisches Bauteil.The The invention relates to a manufacturing method for a micromechanical component. Furthermore, the invention relates to a corresponding micromechanical Component.

Stand der TechnikState of the art

Ein mikromechanisches Bauteil mit einem verstellbaren Stellelement benutzt zum Verstellen des Stellelements häufig einen elektrostatischen Antrieb aus zwei Elektrodeneinheiten. Durch das Anlegen einer Spannung zwischen der statischen Elektrodeneinheit und der beweglich dazu ausgebildeten Elektrodeneinheit erfährt die bewegliche Elektrodeneinheit, beispielsweise ein Elektrodenkamm, eine Kraft in Richtung der statischen Elektrodeneinheit, welche ebenfalls ein Elektrodenkamm sein kann. Auf diese Weise wird das mit der beweglichen Elektrodeneinheit gekoppelte Stellelement über den elektrostatischen Antrieb verstellt. Ein derartiger elektrostatischer Antrieb wird beispielsweise oft in einem Mikrospiegel zum Verstellen der Spiegelplatte verwendet.One used micromechanical component with an adjustable actuator to adjust the actuator often an electrostatic Drive from two electrode units. By applying a voltage between the static electrode unit and the movable to it formed electrode unit undergoes the movable electrode unit, For example, an electrode comb, a force in the direction of the static Electrode unit, which may also be an electrode comb. In this way, the coupled with the movable electrode unit Control element over adjusted the electrostatic drive. Such an electrostatic Drive, for example, often in a micromirror for adjusting used the mirror plate.

Allerdings erfordert die zunehmende Miniaturisierung eines mikromechanischen Bauteils auch eine reduzierte Größe der beiden Elektrodeneinheiten des elektrostatischen Antriebs. Dies kann wiederum zu Problemen beim Anordnen der beiden Elektrodeneinheiten zueinander führen. Für eine quasistatische Ansteuerung, welche bevorzugt wird, müssen die beiden Elektrodeneinheiten in zwei Ebenen übereinander angeordnet werden. Dies erschwert allerdings die Herstellung der beiden Elektrodeneinheiten. Insbesondere steigert die Verwendung von teueren Silicon-On-Isolator (SOI) Substraten bei der Herstellung der beiden Elektrodeneinheiten die Herstellungskosten für ein mikromechanisches Bauteil.Indeed requires the increasing miniaturization of a micromechanical Component also a reduced size of the two Electrode units of the electrostatic drive. This can turn to problems in arranging the two electrode units to each other to lead. For one quasi-static control, which is preferred, must two electrode units are arranged in two planes one above the other. However, this complicates the production of the two electrode units. In particular, the use of expensive silicone-on-insulator increases (SOI) substrates in the preparation of the two electrode units the production costs for a micromechanical component.

Es ist deshalb wünschenswert, über ein kostengünstiges und/oder einfach herstellbares mikromechanisches Bauteil mit einem quasistatisch betreibbaren elektrostatischen Antrieb zu verfügen.It is therefore desirable over a cost-effective and / or easily manufacturable micromechanical component with a quasi-static electrostatic drive.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Die Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und ein mikromechanisches Bauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 13.The The invention provides a manufacturing method for a micromechanical component with the features of claim 1 and a micromechanical component with the features of claim 13.

Die vorliegende Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass es möglich ist, eine erste Elektrodeneinheit mittels eines Biegens eines an der ersten Elektrodeneinheit befestigten Stützelements, welches mindestens eine Untereinheit aus einem Material mit einer Zug- oder Druckspannung umfasst, aus der Ebene der zweiten Elektrodeneinheit herauszuheben. Dabei wird die erste Elektrodeneinheit ohne eine Fremdkrafteinwirkung, wie beispielsweise einem extern auf die erste Elektrodeneinheit ausgeübten Druck, nur durch die Druck- und/oder Zugspannung der mindestens einen Untereinheit des Stützelements verstellt.The present invention is based on the recognition that it is possible a first electrode unit by means of a bending at the first electrode unit attached support element, which at least a subunit of a material with a tensile or compressive stress comprises lifting out of the plane of the second electrode unit. In this case, the first electrode unit without a foreign force, such as one externally to the first electrode unit exerted Pressure, only by the pressure and / or tension of at least a subunit of the support element adjusted.

Die Eigenspannungen der ersten Untereinheit und der zweiten Untereinheit sind extrinsische und/oder intrinsische Spannungen. Beispielsweise bewirkt eine Differenz der Temperaturausdehnungskoeffizienten der beiden Untereinheiten eine extrinsische Spannung. Bei einer epitaktischen Schicht als mindestens eine Untereinheit können auch durch Gitterfehlanpassungen eine extrinsische Spannung erzeugt werden. Intrinsische Spannungen sind hingegen mit Gitterfehlern verbunden, die während eines Wachstums in die Kristalle eingebaut werden.The Residual stresses of the first subunit and the second subunit are extrinsic and / or intrinsic stresses. For example, causes a difference in the coefficients of thermal expansion of the two Subunits an extrinsic tension. In an epitaxial Layer as at least one subunit may also be due to lattice mismatches an extrinsic stress can be generated. Intrinsic tensions On the other hand, they are associated with lattice defects that occur during growth in the Crystals are incorporated.

Beispielsweise wird die erste Untereinheit aus einem ersten Material mit einem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten und die zweite Untereinheit aus einem zweiten Material mit einem von dem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten abweichenden zweiten Temperaturausdehnungskoeffizienten gebildet. Als Alternative dazu können die erste Untereinheit und die zweite Untereinheit so gebildet werden, dass die erste Untereinheit als erste Eigenspannung eine erste intrinsische Spannung und die zweite Untereinheit als zweite Eigenspannung eine von der ersten intrinsischen Spannung abweichende zweite intrinsische Spannung aufweisen. Mit einer dieser einfach ausführbaren Methoden kann die erste Elektrodeneinheit ohne eine Fremdkrafteinwirkung verstellt werden.For example becomes the first subunit of a first material with a first coefficient of thermal expansion and the second subunit of a second material having one of the first coefficient of thermal expansion deviating second coefficient of thermal expansion formed. As an alternative, you can the first subunit and the second subunit are formed so that the first subunit as the first residual stress is a first intrinsic Voltage and the second subunit as second residual stress one of the second intrinsic deviating from the first intrinsic tension Have tension. With one of these easily executable Methods, the first electrode unit adjusted without an external force become.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird eine Elektroden-Material-Schicht auf das Grundsubstrat aufgebracht, wobei die erste Elektrodeneinheit und mindestens eine von der ersten Elektrodeneinheit elektrisch isolierte zweite Elektrodeneinheit aus der Elektroden-Material-Schicht gebildet werden. Somit ist es möglich, zwei voneinander elektrisch isolierte Elektrodeneinheiten aus der Elektroden-Material-Schicht herzustellen und anschließend die erste Elektrodeneinheit mittels des Biegens des Stützelements gegenüber der zweiten Elektrodeneinheit zu verstellen. Zum Herstellen der mindestens zwei Elektrodeneinheiten sind somit nur ein Ausgangswafer und eine Elektroden-Material-Schicht nötig. Nach dem Herstellungsverfahren können Kontaktelemente zum Anlegen einer elektrischen Spannung an die beiden Elektrodeneinheiten gebildet werden. Wird zu einem späteren Zeitpunkt eine elektrische Spannung zwischen die stationäre und die dazu bewegliche Elektrodeneinheit angelegt, so wird die bewegliche Elektrodeneinheit in Richtung der stationären Elektrodeneinheit gezogen. Ein an die bewegliche Elektrodeneinheit gekoppeltes Verstellelement ist auf diese Weise verstellbar.In a preferred embodiment an electrode material layer is applied to the base substrate, wherein the first electrode unit and at least one of the first Electrode unit electrically insulated second electrode unit be formed from the electrode material layer. Thus it is possible, two mutually electrically insulated electrode units from the Electrode material layer and then the first electrode unit by means of bending the support element across from to adjust the second electrode unit. To make the at least two electrode units are thus only one output wafer and an electrode material layer necessary. After the manufacturing process can Contact elements for applying an electrical voltage to the two Electrode units are formed. Will be at a later date an electrical voltage between the stationary and the movable electrode unit applied, the movable electrode unit is in the direction of stationary Electrode unit pulled. On to the movable electrode unit coupled adjustment is adjustable in this way.

Beispielsweise wird aus der Elektroden-Material-Schicht ein Verbindungsteil als die erste Untereinheit des Stützelements gebildet, wobei mindestens eine Schicht als die zweite Untereinheit auf dem Verbindungsteil gebildet wird. Durch die hier vorgestellte Prozessierung können die beiden Elektrodeneinheiten und das Verbindungsteil in einer Ebene so strukturiert werden, dass sich die Formen der mindestens zwei Elektrodeneinheiten und des Verbindungsteils aneinander anpassen.For example becomes from the electrode material layer, a connecting part as the first subunit of the support element formed, wherein at least one layer as the second subunit is formed on the connecting part. By the presented here Processing can the two electrode units and the connecting part in one Level can be structured so that the forms of at least two electrode units and the connecting part to each other.

Vorzugsweise wird das Verbindungsteil so gebildet, dass das Verbindungsteil eine minimale Höhe senkrecht zu einer Oberfläche des Grundsubstrats aufweist, welche kleiner als eine minimale Höhe der ersten Elektrodeneinheit und/oder der zweiten Elektrodeneinheit senkrecht zu der Oberfläche des Grundsubstrats ist. Auf diese Weise ist gewährleistet, dass das Verbindungsteil eine geringe Biegesteifigkeit aufweist und sich das Stützelement somit automatisch in den gewünschten Endzustand biegt.Preferably the connecting part is formed so that the connecting part a minimum height perpendicular to a surface of the base substrate which is smaller than a minimum height of the first Electrode unit and / or the second electrode unit vertically to the surface of the basic substrate. In this way it is ensured that the connecting part has a low bending stiffness and thus the support element automatically in the desired Final state bends.

In einer bevorzugten Weiterbildung werden als die mindestens eine Schicht eine erste Schicht (28), welche eine Druckspannung auf das Stützelement ausübt, und eine zweite Schicht, welche eine Zugspannung auf das Stützelement ausübt, auf dem Verbindungsteil gebildet. Dabei kann die erste Schicht ein Nitrid und/oder ein Metall, wie beispielsweise Titan, Wolfram, Tantal, umfassen. Ebenso kann die zweite Schicht Siliziumoxid umfassen. Damit ist gewährleistet, dass das Stützelement auf einfache Weise in einen gewünschten Endzustand ohne eine Fremdkrafteinwirkung biegbar ist. Insbesondere lassen sich die hier genannten Materialien für die erste und/oder zweite Schicht leicht auf eine Oberfläche aufbringen und in eine gewünschte Form strukturieren.In a preferred embodiment, as the at least one layer, a first layer ( 28 ), which exerts a compressive stress on the supporting element, and a second layer, which exerts a tensile stress on the supporting element, formed on the connecting part. In this case, the first layer may comprise a nitride and / or a metal, such as titanium, tungsten, tantalum. Likewise, the second layer may comprise silicon oxide. This ensures that the support element is bendable in a simple manner in a desired final state without an external force. In particular, the materials mentioned here for the first and / or second layer can be easily applied to a surface and structured in a desired shape.

Als weitere vorteilhafte Weiterbildung kann das Bilden des Stützelements folgende Schritte umfassen: Bilden einer unteren Lage mit der ersten Untereinheit und der zweiten Untereinheit, und Bilden einer oberen Lage mit einer über der ersten Untereinheit angeordneten dritten Untereinheit aus dem zweiten Material der zweiten Untereinheit und einer über der zweiten Untereinheit angeordneten vierten Untereinheit aus dem ersten Material der ersten Untereinheit. Auch ein derartiges Stützelement lässt sich ohne eine Fremdkrafteinwirkung in den gewünschten Endzustand biegen.When Further advantageous development can be the formation of the support element the steps include: forming a bottom layer with the first one Subunit and the second subunit, and forming an upper subunit Location with a over the first subunit arranged third subunit from the second Second subunit material and one over the second subunit arranged fourth subunit of the first material of the first Subunit. Even such a support element can be without an external force in the desired Bend final state.

Vorteilhafterweise wird die erste Elektrodeneinheit aufgrund des Biegens des Stützelements aus der ersten Stellung mit einem ersten Abstand zu dem Grundsubstrat in die zweite Stellung mit einem zweiten Abstand zu dem Grundsubstrat verstellt, wobei der zweite Abstand größer als der erste Abstand ist. Auf diese Weise können die aus der Elektroden-Material-Schicht hergestellten mindestens zwei Elektrodeneinheiten so zueinander angeordnet werden, dass sich die statische und die bewegliche Elektrodeneinheit in zwei verschiedenen übereinander angeordneten Ebenen befinden. Auf die Verwendung von teueren Silicon-On-Isolator (SOI) Substraten kann damit verzichtet werden. Zum Herstellen und Anordnen der beiden Elektrodeneinheiten sind deshalb nur wenige Prozessschritte notwendig. Dies reduziert die Herstellungskosten für die mindestens zwei Elektrodeneinheiten. Vorzugsweise erfolgt die Herstellung der mindestens zwei Elektrodeneinheiten in einem Waferprozess, bei welchem auf einem Wafer viele Einzelbauteile prozessiert und anschließend vereinzelt werden, was die Herstellungskosten zusätzlich reduziert.advantageously, becomes the first electrode unit due to the bending of the support member from the first position at a first distance to the base substrate to the second position with a second distance to the base substrate adjusted, wherein the second distance is greater than the first distance. On this way you can the at least two made of the electrode material layer Electrode units are arranged to each other so that the static and the movable electrode unit in two different superimposed arranged levels are located. On the use of expensive silicone-on-insulator (SOI) substrates can be dispensed with. For manufacturing and arranging The two electrode units are therefore only a few process steps necessary. This reduces the manufacturing cost for the at least two Electrode units. Preferably, the production of at least two electrode units in a wafer process, in which Processed many individual components on a wafer and then separated them be, which additionally reduces the manufacturing costs.

Beispielsweise wird das Stützelement so gebildet, dass das Stützelement in einem Ausgangszustand eine erste Oberfläche aufweist, welche parallel zu einer Oberfläche der Elektroden-Material-Schicht und/oder der Oberfläche des Grundsubstrats ausgerichtet ist, wobei das Stützelement aufgrund der Differenz zwischen der ersten Eigenspannung und der zweiten Eigenspannung in einen Endzustand gebogen wird. In dem Endzustand weist das Stützelement eine gebogene Oberfläche auf. Der Endzustand des Stützelements ist so festgelegt, dass die erste Elektrodeneinheit weg von dem Grundsubstrat gehoben wird. Vorzugsweise wird die erste Elektrodeneinheit vollständig aus der Ebene der zweiten Elektrodeneinheit herausgehoben. Der Abstand zwischen dem Grundsubstrat und der ersten Elektrodeneinheit ist in diesem Fall größer als die Schichtdicke der Elektroden-Material-Schicht. Das Biegen des Stützelements aus dem Ausgangszustand in den Endzustand erfolgt ohne eine Fremdkrafteinwirkung lediglich durch die Zug- und/oder Druckspannung der mindestens einen Untereinheit. Insbesondere ist das Stützelement in dem Endzustand S-förmig gebogen.For example becomes the support element so formed that the support element in an initial state has a first surface which is parallel to a surface the electrode material layer and / or the surface of the Base substrate is aligned, wherein the support element due to the difference between the first residual stress and the second residual stress is bent into a final state. In the final state, the support element has a curved surface on. The final state of the support element is set so that the first electrode unit is away from the Base substrate is lifted. Preferably, the first electrode unit is completely off lifted out of the plane of the second electrode unit. The distance between the base substrate and the first electrode unit in this case larger than the layer thickness of the electrode material layer. The bending of the Support element off the initial state in the final state takes place without an external force only by the tensile and / or compressive stress of at least one Subunit. In particular, the support element is in the final state S-shaped bent.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird das Stützelement in dem Ausgangszustand zumindest teilweise mäanderförmig gebildet. Diese mäanderförmige Form erlaubt es, ein Stützelement mit einer vergleichsweise langen Mittellängslinie auf einer kleinen Fläche anzuordnen. Durch die vergleichsweise lange Mittellängslinie des Stützelements mit einer vorgegebenen Steigung wird ein Herausheben der ersten Elektrodeneinheit um eine relativ große Höhendifferenz beim Biegen des Stützelements erreicht.In a preferred embodiment becomes the support element formed in the initial state at least partially meandering. This meandering shape allows a support element with a comparatively long centerline on a small area to arrange. Due to the comparatively long central longitudinal line of the support element with a given slope will be a lifting of the first Electrode unit by a relatively large height difference when bending the supporting member reached.

In einer Weiterbildung des Herstellungsverfahrens umfasst das Bilden des Stützelements ein Aufbringen der mindestens einen Schicht aus dem Material mit der Zug- oder Druckspannung auf eine Teiloberfläche der Elektroden-Material-Schicht, und ein Unterteilen der Elektroden-Material-Schicht zum Bilden eines Verbindungsteils aus der Elektroden-Material-Schicht, welches die erste Elektrodeneinheit mit dem Grundsubstrat verbindet. Die hier genannten Verfahrensschritte lassen sich einfach und kostengünstig ausführen.In a development of the production method, the forming of the support element comprises applying the at least one layer of the material with the tensile or compressive stress to a partial surface of the electrode material layer, and dividing the electrode material layer to form a connecting part of the electric the material layer which connects the first electrode unit to the base substrate. The process steps mentioned here can be carried out easily and inexpensively.

Die in den oberen Absätzen beschriebenen Vorteile sind auch bei einem entsprechenden mikromechanischen Bauteil gewährleistet.The in the upper paragraphs described advantages are also in a corresponding micromechanical Component guaranteed.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der Figuren erläutert. Es zeigen:Further Features and advantages of the present invention will become apparent below explained with reference to the figures. Show it:

1A bis 1C eine Draufsicht und zwei Querschnitte zum Darstellen einer ersten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils; 1A to 1C a plan view and two cross sections for illustrating a first embodiment of the micromechanical component;

2 einen Querschnitt zum Darstellen einer Funktionsweise der ersten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils; 2 a cross section illustrating an operation of the first embodiment of the micromechanical component;

3A und B eine Draufsicht und einen Querschnitt zum Darstellen einer zweiten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils; 3A and FIG. B is a plan view and a cross section illustrating a second embodiment of the micromechanical component.

4 einen Querschnitt zum Darstellen einer dritten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils; 4 a cross section for illustrating a third embodiment of the micromechanical component;

5 einen Querschnitt zum Darstellen einer vierten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils; 5 a cross section for illustrating a fourth embodiment of the micromechanical component;

6 ein Flussdiagramm zum Darstellen einer ersten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für ein mikromechanisches Bauteil; 6 a flowchart for illustrating a first embodiment of the manufacturing method for a micromechanical component;

7 ein Flussdiagramm zum Darstellen einer zweiten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für ein mikromechanisches Bauteil; und 7 a flowchart for illustrating a second embodiment of the manufacturing method for a micromechanical component; and

8 ein Flussdiagramm zum Darstellen einer dritten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für ein mikromechanisches Bauteil. 8th a flowchart for illustrating a third embodiment of the manufacturing method for a micromechanical component.

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

Die in den folgenden Absätzen beschriebenen Ausführungsformen des mikromechanischen Bauteils lassen sich beispielsweise in einem Head-up-Display im Kraftfahrzeug-Bereich einsetzen. Ebenso können die Ausführungsformen in Miniprojektoren im Consumer-Bereich eingesetzt werden. Denkbar ist auch eine Verwendung der Ausführungsformen des mikromechanischen Bauteils als Schalter in optischen Netzwerken (optical-cross connect) oder als Oberflächenscanner.The in the following paragraphs described embodiments of the micromechanical component can be, for example, in a head-up display use in the automotive sector. Likewise, the embodiments be used in mini projectors in the consumer sector. It is conceivable also a use of the embodiments of the micromechanical component as a switch in optical networks (optical-cross connect) or as a surface scanner.

1A bis 1C zeigen eine Draufsicht und zwei Querschnitte zum Darstellen einer ersten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils. 1A to 1C show a plan view and two cross sections to illustrate a first embodiment of the micromechanical device.

1A zeigt eine Draufsicht auf eine Teiloberfläche eines mikromechanischen Bauteils 10 oberhalb einer Symmetrieachse 11. Das mikromechanische Bauteil 10 weist als verstellbares Stellelement eine Spiegelplatte 12 auf. Die hier beschriebene Ausführungsform ist jedoch nicht auf die Spiegelplatte 12 als Stellelement beschränkt. Anstelle der Spiegelplatte 12 kann das mikromechanische Bauteil 10 auch ein anderes Stellelement, beispielsweise eine Mikropinzette oder einen Schalter mit einem kapazitiven oder einem ohmschen Kontakt, aufweisen. 1A shows a plan view of a partial surface of a micromechanical device 10 above an axis of symmetry 11 , The micromechanical component 10 has as adjustable actuator a mirror plate 12 on. However, the embodiment described here is not on the mirror plate 12 limited as an actuator. Instead of the mirror plate 12 can the micromechanical component 10 Also, another actuator, such as a Mikropinzette or a switch with a capacitive or ohmic contact having.

Die Spiegelplatte 12 ist an eine erste Elektrodeneinheit 14 gekoppelt, welche gegenüber einem Grundsubstrat 16 des mikromechanischen Bauteils 10 verstellbar ist. Demgegenüber sind eine zweite Elektrodeneinheit 18 und eine dritte Elektrodeneinheit 20 unverstellbar zum Grundsubstrat 16 angeordnet. Die Elektrodeneinheiten 14, 18 und 20 sind in dem dargestellten Beispiel als Kammelektroden ausgebildet. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf einen bestimmten Elektrodentyp oder eine bestimmte Anzahl von Elektrodenfingern 14a, 18a oder 20a der Elektrodeneinheiten 14, 18 oder 20 beschränkt.The mirror plate 12 is to a first electrode unit 14 coupled, which faces a base substrate 16 of the micromechanical component 10 is adjustable. In contrast, a second electrode unit 18 and a third electrode unit 20 not adjustable to the basic substrate 16 arranged. The electrode units 14 . 18 and 20 are formed in the example shown as comb electrodes. However, the present invention is not limited to a particular electrode type or a certain number of electrode fingers 14a . 18a or 20a the electrode units 14 . 18 or 20 limited.

Die Elektrodeneinheiten 14, 18 und 20 sind so ausgelegt, dass eine Spannung zwischen den beiden Elektrodeneinheiten 14 und 18 oder zwischen den beiden Elektrodeneinheiten 14 und 20 anlegbar ist. Liegt keine Spannung zwischen den Elektrodeneinheiten 14, 18 oder 20 an, so befindet sich die erste Elektrodeneinheit 14 in einer Ausgangsstellung über den beiden Elektrodeneinheiten 18 und 20. In der Ausgangsstellung wird die erste Elektrodeneinheit 14 zusammen mit der Spiegelplatte 12 mittels mehrerer Stützelemente 22 von den auf dem Grundsubstrat 16 ausgebildeten Sockelelementen 24 abgestützt.The electrode units 14 . 18 and 20 are designed so that a voltage between the two electrode units 14 and 18 or between the two electrode units 14 and 20 can be applied. There is no voltage between the electrode units 14 . 18 or 20 on, this is the first electrode unit 14 in a starting position over the two electrode units 18 and 20 , In the starting position, the first electrode unit 14 together with the mirror plate 12 by means of several support elements 22 from those on the ground substrate 16 trained socket elements 24 supported.

1B zeigt einen Querschnitt entlang einer Linie A-A' der 1A zum Darstellen der Funktionsweise der Stützelemente 22. Die Linie A-A' verläuft dabei durch die Mittellängslinie der gezeigten Stützelemente 22. 1B shows a cross section along a line AA 'the 1A to illustrate the operation of the support elements 22 , The line AA 'extends through the central longitudinal line of the support elements shown 22 ,

Die gezeigten Stützelemente 22 weisen Verbindungsteile 23 auf, welche an je einem ihrer Enden an einem der beiden Sockelelemente 24 befestigt sind. Die anderen Enden der Verbindungsteile 23 der Stützelemente 22 sind fest an der ersten Elektrodeneinheit 14 angeordnet. Vorzugsweise sind die Spiegelplatte 12, die erste Elektrodeneinheit 14, die Verbindungsteile 23 und die beiden Sockelelemente 24 einstückig miteinander ausgebildet.The support elements shown 22 have connecting parts 23 on, which at each one of its ends on one of the two base elements 24 are attached. The other ends of the connecting parts 23 the support elements 22 are fixed to the first electrode unit 14 arranged. Preferably, the mirror plate 12 , the first electrode unit 14 , the connecting parts 23 and the two base elements 24 formed integrally with each other.

Die Sockelelemente 24 sind innerhalb der Ebene der zweiten Elektrodeneinheit 18 und der dritten Elektrodeneinheit 20 angeordnet. Vorzugsweise weisen die Sockelelemente 24 eine Ausdehnung senkrecht zur Oberfläche des Grundsubstrats 16 auf, welche gleich der Ausdehnung der Elektrodeneinheiten 18 und 20 senkrecht zur Oberfläche des Grundsubstrats 16 ist. Die Sockelelemente 24 und die Elektrodeneinheiten 18 und 20 sind mittels der auf der Oberfläche des Grundsubstrats 16 ausgebildeten Restbereiche 26 einer teilweise geätzten Nivellierschicht von dem Grundsubstrat 16 elektrisch isoliert.The base elements 24 are within the Plane of the second electrode unit 18 and the third electrode unit 20 arranged. Preferably, the base elements 24 an extension perpendicular to the surface of the base substrate 16 which is equal to the extent of the electrode units 18 and 20 perpendicular to the surface of the base substrate 16 is. The base elements 24 and the electrode units 18 and 20 are by means of on the surface of the base substrate 16 trained rest areas 26 a partially etched leveling layer from the base substrate 16 electrically isolated.

Um die erste Elektrodeneinheit 14 und die Spiegelplatte 12 aus der Ebene der Sockelelemente 24, der zweiten Elektrodeneinheit 18 und der dritten Elektrodeneinheit 20 herauszuheben, sind die beiden Stützelemente 22 entsprechend gebogen. Dazu ist eine Oberfläche eines jeden Verbindungsteils 23 zumindest teilweise mit einer ersten Schicht 28 aus einem Material mit einer Druckspannung und mit einer zweiten Schicht 30 aus einem Material mit einer Zugspannung bedeckt. Die beiden Schichten 28 und 30 sind vorzugsweise so auf jedes der beiden gezeigten Verbindungsteile 23 aufgebracht, dass die Schicht 28 aus dem Material mit der Druckspannung eine Teiloberfläche des Stützelements 22 nahe der ersten Elektrodeneinheit 14 bildet. Demgegenüber bildet die Schicht 30 aus dem Material mit der Zugspannung eine Teiloberfläche des Stützelements 22, welche nahe dem Sockelelement 24 liegt.To the first electrode unit 14 and the mirror plate 12 from the plane of the base elements 24 , the second electrode unit 18 and the third electrode unit 20 stand out, are the two supporting elements 22 bent accordingly. This is a surface of each connecting part 23 at least partially with a first layer 28 made of a material with a compressive stress and with a second layer 30 covered by a material with a tensile stress. The two layers 28 and 30 are preferably so on each of the two connecting parts shown 23 applied that layer 28 from the material with the compressive stress, a partial surface of the support element 22 near the first electrode unit 14 forms. In contrast, the layer forms 30 from the material with the tensile stress, a partial surface of the support element 22 , which are close to the base element 24 lies.

Die Schichten 28 und 30 bestehen aus zwei verschiedenen Materialien, wobei ein erstes Material einen Temperaturausdehnungskoeffizienten größer als der Temperaturausdehnungskoeffizient der Verbindungsteile 23 hat und ein zweites Material einen Temperaturausdehnungskoeffizienten kleiner als der Temperaturausdehnungskoeffizient der Verbindungsteile 23 hat. Es wird hier ausdrücklich darauf hingewiesen, dass keine der beiden Schichten 28 und 30 einen Temperaturausdehnungskoeffizienten gleich dem Temperaturausdehnungskoeffizienten der Verbindungsteile 23 aufweist. Der Temperaturausdehnungskoeffizient der Verbindungsteile 23 ist beispielsweise der Temperaturausdehnungskoeffizient von Polysilizium.The layers 28 and 30 consist of two different materials, wherein a first material has a coefficient of thermal expansion greater than the coefficient of thermal expansion of the connecting parts 23 and a second material has a coefficient of thermal expansion smaller than the coefficient of thermal expansion of the connecting parts 23 Has. It is expressly noted here that neither of the two layers 28 and 30 a coefficient of thermal expansion equal to the coefficient of thermal expansion of the connecting parts 23 having. The coefficient of thermal expansion of the connecting parts 23 For example, the temperature expansion coefficient of polysilicon.

Beispielsweise werden die Schichten 28 und 30 bei einer Temperatur unter der Betriebstemperatur des mikromechanischen Bauteils 10 auf die Verbindungsteile 23 aufgebracht. Die erste Schicht 28 mit der Druckspannung ist in diesem Fall ein Material, dessen Temperaturausdehnungskoeffizient größer als der Temperaturausdehnungskoeffizient der Verbindungsteile 23 ist. Dies führt dazu, dass sich die erste Schicht 28 stärker als die Verbindungsteile 23 ausdehnt und dabei die Stützelemente in eine der ersten Schicht 28 entgegen gerichtete Richtung biegt. Entsprechend wird als zweite Schicht 30 zur Erzeugung der Zugspannung ein Material mit einem Temperaturausdehnungskoeffizient größer als dem Temperaturausdehnungskoeffizient der Verbindungsteile 23 verwendet. Bei einer Abkühlung schrumpft die Schicht 30 stärker als die Verbindungsteile 23 aus und bewirkt somit ein Biegen der Stützelemente 22 in Richtung der Schicht 30.For example, the layers become 28 and 30 at a temperature below the operating temperature of the micromechanical component 10 on the connecting parts 23 applied. The first shift 28 with the compressive stress is in this case a material whose thermal expansion coefficient is greater than the coefficient of thermal expansion of the connecting parts 23 is. This causes the first layer 28 stronger than the connecting parts 23 expands while keeping the support elements in one of the first layer 28 opposite direction bends. Accordingly, as the second layer 30 for generating the tensile stress, a material having a coefficient of thermal expansion greater than the coefficient of thermal expansion of the connecting parts 23 used. When cooled, the layer shrinks 30 stronger than the connecting parts 23 and thus causes a bending of the support elements 22 in the direction of the layer 30 ,

Selbstverständlich ist es auch möglich, die Schichten 28 und 30 bei einer Temperatur über der Betriebstemperatur des mikromechanischen Bauteils 10 auf die Verbindungsteile 23 aufzubringen. Die erste Schicht 28 mit der Druckspannung ist dann ein Material mit einem Temperaturausdehnungskoeffizient kleiner als dem Temperaturausdehnungskoeffizient der Verbindungsteile 23 und die zweite Schicht 30 mit der Zugspannung ist ein Material, dessen Temperaturausdehnungskoeffizient größer als der Temperaturausdehnungskoeffizient der Verbindungsteile 23 ist.Of course it is also possible, the layers 28 and 30 at a temperature above the operating temperature of the micromechanical component 10 on the connecting parts 23 applied. The first shift 28 with the compressive stress is then a material having a coefficient of thermal expansion smaller than the coefficient of thermal expansion of the connecting parts 23 and the second layer 30 with the tensile stress is a material whose thermal expansion coefficient is larger than the coefficient of thermal expansion of the joint parts 23 is.

Aufgrund der aufgebrachten Schichten 28 und 30 wirkt ein Bimorph-Effekt auf jedes der Stützelemente 22. Der Bimorph-Effekt gleicht dem Bimetall-Effekt, ist jedoch nicht auf die Verwendung von Metallen zur Beschichtung der Oberflächen der Verbindungsteile 23 beschränkt. Durch den Bimorph-Effekt wird jedes Stützelement 22 so gebogen, dass seine Form angenähert als S-förmig beschreibbar ist. Die Schicht 28 mit der Druckspannung drückt die von der ersten Elektrodeneinheit 14 abgewandten Bereiche des Stützelements 22 in Richtung des Grundsubstrats 16. Demgegenüber zieht die Schicht 30 mit der Zugspannung die Bereich des Stützelements 22 nahe der ersten Elektrodeneinheit 14 in eine Richtung weg von dem Grundsubstrat 16. Auf diese Weise werden die Stützelemente 22 so gebogen, dass die erste Elektrodeneinheit 14 und die Spiegelplatte 12 aus der Ebene der beiden gezeigten Sockelelemente 24 und der Elektrodeneinheiten 18 und 20 herausragen.Due to the applied layers 28 and 30 A bimorph effect acts on each of the support elements 22 , The bimorph effect is similar to the bimetal effect, but is not due to the use of metals to coat the surfaces of the joints 23 limited. The bimorph effect makes every support element 22 bent so that its shape can be approximately described as S-shaped. The layer 28 with the compressive stress pushes from the first electrode unit 14 remote areas of the support element 22 in the direction of the basic substrate 16 , In contrast, the layer pulls 30 with the tension the area of the support element 22 near the first electrode unit 14 in a direction away from the ground substrate 16 , In this way, the support elements 22 bent so that the first electrode unit 14 and the mirror plate 12 from the plane of the two base elements shown 24 and the electrode units 18 and 20 protrude.

Der minimale Abstand d1 zwischen der ersten Elektrodeneinheit 14 in der Ausgangsstellung und dem Grundsubstrat 16 ist somit deutlich größer als der minimale Abstand d2 der zweiten Elektrodeneinheit 18 zum Grundsubstrat 16, bzw. der dritten Elektrodeneinheit 20 zum Grundsubstrat 16. Vorzugsweise ist der minimale Abstand d1 größer als ein Abstand d3 einer von dem Grundsubstrat 16 abgewandten Fläche der Elektrodeneinheit 18 oder der Elektrodeneinheit 20 zum Grundsubstrat 16.The minimum distance d1 between the first electrode unit 14 in the starting position and the basic substrate 16 is thus significantly larger than the minimum distance d2 of the second electrode unit 18 to the basic substrate 16 , or the third electrode unit 20 to the basic substrate 16 , Preferably, the minimum distance d1 is greater than a distance d3 of one of the base substrate 16 opposite surface of the electrode unit 18 or the electrode unit 20 to the basic substrate 16 ,

Es wird hier ausdrücklich darauf hingewiesen, dass das Herausdrücken der ersten Elektrodeneinheit 14 und der Spiegelplatte 12 aus der Ebene der Elektrodeneinheiten 18 und 20 und der Sockelelemente 24 ohne eine Fremdkrafteinwirkung lediglich aufgrund der Druckspannung der Schicht 28 und/oder der Zugspannung der Schicht 30 erfolgt. Wie weiter unten genauer ausgeführt wird, ist es somit möglich, die Elektrodeneinheiten 14, 18 und 20, die Spiegelplatte 12, die Verbindungsteile 23 und die Sockelelemente 24 aus einer Elektroden-Material-Schicht, welche auf das Grundsubstrat 16 mit einer isolierenden Oberfläche aufgebracht wird, herzustellen.It is expressly noted here that the pressing out of the first electrode unit 14 and the mirror plate 12 from the plane of the electrode units 18 and 20 and the base elements 24 without an external force only due to the compressive stress of the layer 28 and / or the tension of the layer 30 he follows. As will be explained in more detail below, it is so with possible, the electrode units 14 . 18 and 20 , the mirror plate 12 , the connecting parts 23 and the base elements 24 from an electrode material layer, which is on the base substrate 16 is applied with an insulating surface to produce.

In einer Weiterbildung der ersten Ausführungsform kann eine Aussparung mit den Grenzlinien 32 in das Grundsubstrat 16 geätzt werden. Anschließend kann eine von den Schichten 28 und 30 weggerichtete Seite der Stützelemente 22 mit mindestens einer weiteren Schicht 28 oder 30 aus einem Material mit einer Zug- oder Druckspannung zumindest teilweise bedeckt werden. Auf diese Weise kann die Hubwirkung der Stützelemente 22 auf die erste Elektrodeneinheit 14 und die Spiegelplatte 12 verstärkt werden.In a further development of the first embodiment, a recess with the boundary lines 32 into the basic substrate 16 be etched. Subsequently, one of the layers 28 and 30 directed side of the support elements 22 with at least one further layer 28 or 30 be covered at least partially from a material with a tensile or compressive stress. In this way, the lifting action of the support elements 22 on the first electrode unit 14 and the mirror plate 12 be strengthened.

1C zeigt einen Querschnitt zum Darstellen einer Funktionsweise der ersten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils. Der Querschnitt verläuft dabei entlang der Linie B-B' der 1A. Dabei liegt zwischen den Elektrodeneinheiten 14, 18 oder 20 keine Spannung U an. 1C shows a cross section illustrating an operation of the first embodiment of the micromechanical device. The cross section runs along the line BB 'of 1A , It lies between the electrode units 14 . 18 or 20 no voltage U on.

In der Ausgangsstellung verläuft die erste Elektrodeneinheit 14 parallel zur Oberfläche des Grundsubstrats 16. Entsprechend ist auch die Spiegelplatte 12 in ihrer Ausgangsstellung bei keinem Potentialunterschied zwischen den Elektrodeneinheiten 14, 18 oder 20 parallel zur Oberfläche des Grundsubstrats 16 ausgerichtet.In the initial position, the first electrode unit runs 14 parallel to the surface of the base substrate 16 , The mirror plate is also corresponding 12 in its initial position with no potential difference between the electrode units 14 . 18 or 20 parallel to the surface of the base substrate 16 aligned.

2 zeigt einen Querschnitt zum Darstellen einer Funktionsweise der ersten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils. Der Querschnitt verläuft dabei entlang der Linie B-B' der 1A. Dabei liegt zwischen den Elektrodeneinheiten 14 und 18 eine Spannung U ungleich Null an. 2 shows a cross section illustrating an operation of the first embodiment of the micromechanical device. The cross section runs along the line BB 'of 1A , It lies between the electrode units 14 and 18 a voltage U not equal to zero.

Aufgrund der zwischen den Elektrodeneinheiten 14 und 18 angelegten Spannung U wirkt ein Drehmoment M in Richtung der zweiten Elektrodeneinheit 18 auf die erste Elektrodeneinheit 14. Die erste Elektrodeneinheit 14 wird aus ihrer Ausgangslage um einen Verstellwinkel α um ihre Mittellängsachse gedreht. Dabei wird auch die an die erste Elektrodeneinheit 14 gekoppelte Spiegelplatte 12 aus ihrer Ausgangslage um den Verstellwinkel α mitgedreht. Auf diese Weise kann beispielsweise ein Laserstrahl zum Projizieren eines Videobilds abgelenkt werden. Derartige Mikrospiegel werden beispielsweise im Consumer-Bereich oder in einem Kraftfahrzeug verwendet.Due to the between the electrode units 14 and 18 applied voltage U acts a torque M in the direction of the second electrode unit 18 on the first electrode unit 14 , The first electrode unit 14 is rotated from its initial position by an adjustment angle α about its central longitudinal axis. At the same time, the first electrode unit becomes the same 14 coupled mirror plate 12 rotated from its initial position by the adjustment angle α. In this way, for example, a laser beam for projecting a video image can be deflected. Such micromirrors are used for example in the consumer sector or in a motor vehicle.

3A und B zeigen eine Draufsicht und einen Querschnitt zum Darstellen einer zweiten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils. 3A and Fig. B show a top view and a cross section to illustrate a second embodiment of the micromechanical component.

3A zeigt eine Draufsicht auf eine Teiloberfläche eines mikromechanischen Bauteils 40 oberhalb einer Symmetrieachse 41. Das mikromechanische Bauteil 40 weist die schon beschriebenen Komponenten 12 bis 20 und 24 auf. Allerdings sind die Stützelemente des mikromechanischen Bauteils 40 gegenüber der oben beschriebenen Ausführungsform anders ausgebildet. 3A shows a plan view of a partial surface of a micromechanical device 40 above an axis of symmetry 41 , The micromechanical component 40 has the components already described 12 to 20 and 24 on. However, the support elements of the micromechanical component 40 formed differently from the embodiment described above.

Das dargestellte Stützelement des mikromechanischen Bauteils 40 umfasst zwei mäanderförmige Abschnitte 42 und eine Torsionsfeder 44. Jeder der beiden dargestellten mäanderförmigen Abschnitte 42 ist an einem Ende an einem Sockelelement 24 befestigt. Das andere Ende jedes mäanderförmigen Abschnitts 42 ist an der Torsionsfeder 44 befestigt, welche die erste Elektrodeneinheit 14 mit den beiden dargestellten mäanderförmigen Abschnitten 42 verbindet.The illustrated support element of the micromechanical component 40 includes two meandering sections 42 and a torsion spring 44 , Each of the two meandering sections shown 42 is at one end to a base element 24 attached. The other end of each meandering section 42 is on the torsion spring 44 attached, which is the first electrode unit 14 with the two meandering sections shown 42 combines.

Jede der beiden mäanderförmigen Abschnitte 42 weist eine von dem Grundsubstrat 16 abgewandte Oberfläche auf, welche teilweise mit den oben schon genannten Schichten 28 und 30 bedeckt ist. Die Schicht 28 aus dem Material mit der Druckspannung erstreckt sich von der Torsionsfeder 44 zu einer Mitte des mäanderförmigen Abschnitts 42. Die dem Sockelelement 24 zugewandte Seite der Oberfläche des mäanderförmigen Abschnitts 42 ist mit der Schicht 30 aus dem Material mit der Zugspannung bedeckt. Wie oben schon beschrieben, weisen die Schichten 28 und 30 einen von dem Temperaturausdehnungskoeffizienten der Verbindungsteile 23 abweichenden Temperaturausdehnungskoeffizienten auf.Each of the two meandering sections 42 has one of the base substrate 16 on the opposite surface, which partially with the above already mentioned layers 28 and 30 is covered. The layer 28 of the material with the compressive stress extends from the torsion spring 44 to a center of the meandering section 42 , The the base element 24 facing side of the surface of the meandering section 42 is with the layer 30 from the material covered with the tension. As already described above, the layers have 28 and 30 one of the temperature expansion coefficient of the connecting parts 23 deviating coefficients of thermal expansion.

Aufgrund der mäanderförmigen Abschnitte 42 steht eine vergrößerte Oberfläche der Stützelemente zum Aufbringen der Schichten 28 und 30 zur Verfügung. Zusätzlich wird die Mittellängslinie der Stützelemente verlängert. Somit können die erste Elektrodeneinheit 14 und die Spiegelplatte 12 in einem größeren Abstand d1 zum Grundsubstrat 16 gehoben werden. Durch diese Vergrößerung des Abstands d1 ist eine größere Spiegelauslenkung möglich. Die Torsionsfeder 44 mit einer reduzierten Breite senkrecht zur Längsrichtung der Torsionsfeder 44 vereinfacht das Verstellen der ersten Elektrodeneinheit 14, bzw. der Spiegelplatte 12. Durch eine zusätzliche Verschmälerung, Verjüngung und/oder vertikale Abdünnung kann die Federsteifigkeit der Stützelemente 23 ebenso beeinflusst werden.Due to the meandering sections 42 is an enlarged surface of the support elements for applying the layers 28 and 30 to disposal. In addition, the central longitudinal line of the support elements is extended. Thus, the first electrode unit 14 and the mirror plate 12 at a greater distance d1 to the base substrate 16 be lifted. By increasing the distance d1 a larger mirror deflection is possible. The torsion spring 44 with a reduced width perpendicular to the longitudinal direction of the torsion spring 44 simplifies the adjustment of the first electrode unit 14 , or the mirror plate 12 , By additional narrowing, taper and / or vertical thinning, the spring stiffness of the support elements 23 be influenced as well.

Auf der Oberfläche des Grundsubstrats 16 ist zusätzlich eine integrierte Schaltung 46 angeordnet. Mittels der integrierten Schaltung 46 können beispielsweise die Signale zum Ansteuern der Elektrodeneinheiten 14, 18 und 20 aufbereitet werden. Vorzugsweise wird die integrierte Schaltung 46 in einem monokristallinen Bereich der Funktionsschicht des Grundsubstrats 16 gebildet. Das Ausbilden der mäanderförmigen Abschnitte 42 gewährleistet, dass trotz der relativ langen Gesamtlänge des Stützelements eine ausreichende Anbringfläche für die integrierte Schaltung 46 zur Verfügung steht.On the surface of the base substrate 16 is additionally an integrated circuit 46 arranged. By means of the integrated circuit 46 For example, the signals for driving the electrode units 14 . 18 and 20 be prepared. Preferably, the integrated circuit 46 in a monocrystalline region of the functional layer of the base substrate 16 educated. The formation of the mä other shaped sections 42 ensures that despite the relatively long overall length of the support element has a sufficient mounting surface for the integrated circuit 46 is available.

3B zeigt einen Querschnitt entlang der Linie C-C' der 3A. Zu erkennen sind dabei Restabschnitte 48 einer strukturierten Isolations- und/oder Opferschicht zwischen den Elektrodeneinheiten 18 und 20 und dem Grundsubstrat 16. 3B shows a cross section along the line CC 'of 3A , Recognizable are remaining sections 48 a structured insulation and / or sacrificial layer between the electrode units 18 and 20 and the basic substrate 16 ,

4 zeigt einen Querschnitt zum Darstellen einer dritten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils. 4 shows a cross section to illustrate a third embodiment of the micromechanical device.

Das dargestellte mikromechanische Bauteil 50 umfasst die oben schon beschriebenen Komponenten 12 bis 20 und 24. Im Gegensatz zu den oben erläuterten Ausführungsformen weisen die Stützelemente 52 des mikromechanischen Bauteils 50, bzw. die Verbindungsteile 23 der Stützelemente 52, jedoch eine minimale Höhe h1 senkrecht zur Oberfläche des Grundsubstrats 16 auf, welche deutlich kleiner als eine minimale Höhe h2 des Sockelelements 24 oder kleiner als eine minimale Höhe h3 einer Elektrodeneinheit 14, 18 oder 20 senkrecht zur Oberfläche des Grundsubstrats 16 ist. Die minimale Höhe h1 eines jeden Stützelements 52 kann beispielsweise durch einen zweistufigen Trenchprozess reduziert werden. Aufgrund der vergleichsweise kleinen minimalen Höhe h1 der Stützelemente 52 wird der Bimorph-Effekt verstärkt, so dass die erste Elektrodeneinheit 14, bzw. die Spiegelplatte 12 weiter aus der Ebene der Komponenten 18, 20 und 24 herausgehoben wird. Zusätzlich sind die Elektrodeneinheiten 18 und 20 mittels einer strukturierten Oxidschicht 54 von dem Grundsubstrat 16 elektrisch isoliert.The illustrated micromechanical component 50 includes the components already described above 12 to 20 and 24 , In contrast to the embodiments explained above, the support elements 52 of the micromechanical component 50 , or the connecting parts 23 the support elements 52 but a minimum height h1 perpendicular to the surface of the base substrate 16 which is significantly smaller than a minimum height h2 of the base element 24 or smaller than a minimum height h3 of an electrode unit 14 . 18 or 20 perpendicular to the surface of the base substrate 16 is. The minimum height h1 of each support element 52 can be reduced for example by a two-stage trench process. Due to the comparatively small minimum height h1 of the support elements 52 the bimorph effect is enhanced so that the first electrode unit 14 , or the mirror plate 12 further from the level of the components 18 . 20 and 24 is lifted out. In addition, the electrode units 18 and 20 by means of a structured oxide layer 54 from the basic substrate 16 electrically isolated.

5 zeigt einen Querschnitt zum Darstellen einer vierten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils. 5 shows a cross section for illustrating a fourth embodiment of the micromechanical component.

Das dargestellte mikromechanische Bauteil 60 hat die oben beschriebenen Komponenten 12 bis 20 und 24. Im Gegensatz zu den oben beschriebenen Ausführungsformen sind die Stützelement 62 des mikromechanischen Bauteil 60 ausschließlich aus den Schichten 28 und 30 zusammengesetzt. Die als Spiegelaufhängung ausgebildeten Stützelemente 62 bestehen damit lediglich aus einem Bimorph.The illustrated micromechanical component 60 has the components described above 12 to 20 and 24 , In contrast to the embodiments described above, the support element 62 of the micromechanical component 60 exclusively from the layers 28 and 30 composed. The trained as a mirror suspension support elements 62 consist only of a bimorph.

Bei dem dargestellten mikromechanischen Bauteil 60 weist jedes Stützelement 62 eine untere Lage aus einem Abschnitt der Schicht 30 und einem Abschnitt der Schicht 28 auf. Auf die untere Lage ist eine obere Lage aufgebracht, wobei der Abschnitt der Schicht 28 der unteren Lage von einem Abschnitt der Schicht 30 der oberen Lage abgedeckt wird. Entsprechend deckt ein Abschnitt der Schicht 28 der oberen Lage den Abschnitt der Schicht 30 der unteren Lage ab.In the illustrated micromechanical component 60 has each support element 62 a lower layer of a portion of the layer 30 and a section of the layer 28 on. On the lower layer an upper layer is applied, wherein the portion of the layer 28 the lower layer of a section of the layer 30 the upper layer is covered. Accordingly, a section of the layer covers 28 the upper layer the section of the layer 30 the lower layer.

Durch die ausschließliche Verwendung der Materialien der Schichten 28 und 30 zum Herstellen der Stützelemente 62 ist gewährleistet, dass sich die Stützelemente 62 automatisch ohne eine Fremdkrafteinwirkung in einen gewünschten Endzustand biegen. Der Endzustand in näherungsweise eine S-Form der Stützelemente 62. Nach dem Biegen der Stützelemente 62 in den Endzustand weisen die erste Elektrodeneinheit 14 und die Spiegelplatte 12 einen möglichst großen minimalen Abstand d1 zum Grundsubstrat 16 auf.By the exclusive use of the materials of the layers 28 and 30 for producing the support elements 62 ensures that the support elements 62 automatically bend into a desired final state without the intervention of external forces. The final state in approximately an S-shape of the support elements 62 , After bending the support elements 62 in the final state, the first electrode unit 14 and the mirror plate 12 the largest possible minimum distance d1 to the base substrate 16 on.

6 zeigt ein Flussdiagramm zum Darstellen einer ersten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für ein mikromechanisches Bauteil. 6 shows a flowchart for illustrating a first embodiment of the manufacturing method for a micromechanical component.

In einem ersten Schritt S1 des Verfahrens wird eine Elektroden-Material-Schicht, vorzugsweise Polysilizium oder ein kristallines Silizium, auf ein Grundsubstrat, vorzugsweise mit zumindest einer isolierenden Teiloberfläche, aufgebracht. Als Grundsubstrat kann ein Siliziumwafer verwendet werden, dessen Oberfläche, beispielsweise aufgrund einer thermischen Oxidierung, zumindest teilweise mit einem Oxid bedeckt ist. Unter dem Aufbringen einer Elektroden-Material-Schicht auf dem Grundsubstrat kann auch ein Bereitstellen eines SOI-Wafers verstanden werden.In a first step S1 of the method is an electrode material layer, preferably polysilicon or a crystalline silicon, on a base substrate, preferably with at least one insulating partial surface applied. As a base substrate, a silicon wafer can be used, the Surface, for example due to thermal oxidation, at least partially covered with an oxide. Under the application of an electrode material layer On the base substrate may also be provided an SOI wafer be understood.

In einem Schritt S2 wird zumindest eine erste Elektrodeneinheit und eine von der ersten Elektrodeneinheit elektrisch isolierte zweite Elektrodeneinheit aus der Elektroden-Material-Schicht gebildet. In einem Schritt S3 wird mindestens ein Stützelement zum Abstützen der ersten Elektrodeneinheit von dem Grundsubstrat hergestellt. Der Schritt S3 kann vor, nach oder zumindest teilweise gleichzeitig mit dem Schritt S2 ausgeführt werden. Das hergestellte Stützelement umfasst mindestens eine Schicht aus einem Material mit einer Zug- oder Druckspannung. Beispielsweise wird die mindestens eine Schicht aus dem Material mit der Zug- oder Druckspannung auf ein aus der Elektroden-Material-Schicht geformtes Stützelement aufgebracht. Ebenso kann das Stützelements lediglich aus der mindestens einen Schicht aus dem Material mit der Zug- oder Druckspannung hergestellt werden.In a step S2 is at least a first electrode unit and a second one electrically insulated from the first electrode unit Electrode unit formed from the electrode material layer. In a step S3, at least one support element for supporting the first electrode unit made of the base substrate. Of the Step S3 may be before, after, or at least partially simultaneously executed with the step S2 become. The produced support element comprises at least one layer of a material with a tensile or compressive stress. For example, the at least one layer from the material with the tensile or compressive stress on one of the Applied electrode-material layer shaped support member. As well can the support element only from the at least one layer of the material with the tensile or compressive stress are produced.

In einem späteren Schritt S4 wird das Stützelement ohne eine Fremdkrafteinwirkung lediglich aufgrund der Zug- oder Druckspannung der mindestens einen Schicht gebogen. Dies bewirkt, dass die erste Elektrodeneinheit aus der Ebene der zweiten Elektrodeneinheit zumindest teilweise herausgehoben wird. Die erste Elektrodeneinheit weist nach dem Schritt S4 einen größeren Abstand zum Grundsubstrat auf, als die zweite Elektrodeneinheit.In a later one Step S4 becomes the support element without an external force only due to the train or Compression of the at least one layer bent. This causes, that the first electrode unit from the plane of the second electrode unit at least partially highlighted. The first electrode unit has a greater distance from the base substrate after step S4 on, as the second electrode unit.

7 zeigt ein Flussdiagramm zum Darstellen einer zweiten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für ein mikromechanisches Bauteil. 7 shows a flowchart for illustrating a second embodiment of the manufacturing method for a micromechanical component.

In einem ersten Schritt S10 wird eine Opferschicht, beispielsweise ein Oxid, auf einer Oberfläche eines Grundsubstrats gebildet. Das Grundsubstrat ist vorzugsweise ein Siliziumwafer. Dann wird die oben schon beschriebene eine Elektroden-Material-Schicht auf die Opferschicht aufgebracht (Schritt S11).In a first step S10 becomes a sacrificial layer, for example an oxide, on a surface of a basic substrate. The base substrate is preferable a silicon wafer. Then, the already described above becomes an electrode material layer applied to the sacrificial layer (step S11).

In einem weiteren Schritt S12 wird mindestens eine Schicht aus einem Material mit einer Zug- oder Druckspannung auf zumindest einer Teiloberfläche der Elektroden-Material-Schicht abgeschieden und strukturiert. Bei der dargestellten Ausführungsform umfasst der Schritt S12 die Teilschritte S12a und S12b. In Teilschritt S12a wird eine erste Schicht aus einem Material mit einer Zugspannung auf der Elektroden-Material-Schicht gebildet. Vorzugsweise umfasst die Schicht aus dem Material mit der Zugspannung ein Nitrid und/oder ein Metall, wie beispielsweise Titan, Wolfram und/oder Tantal. Vorzugsweise kann die erste Schicht aus dem Material mit der Zugspannung über ein CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) auf die Elektroden-Material-Schicht aufgebracht werden.In a further step S12 is at least one layer of a Material with a tensile or compressive stress on at least a partial surface of Electrode material layer deposited and patterned. In the illustrated embodiment Step S12 includes substeps S12a and S12b. In partial step S12a becomes a first layer of a material with a tensile stress formed on the electrode material layer. Preferably comprises the layer of material with the tensile stress of a nitride and / or a metal such as titanium, tungsten and / or tantalum. Preferably may be the first layer of the material with the tension over a CVD method (Chemical Vapor Deposition) on the electrode material layer be applied.

In dem Teilschritt S12b wird eine zweite Schicht aus einem Material mit einer Druckspannung, vorzugsweise Siliziumoxid, auf der Oberfläche der Elektroden-Material-Schicht gebildet. Bei einer Elektroden-Material-Schicht aus Silizium kann die Schicht aus dem Material mit der Druckspannung mittels eines thermischen Oxidierungsschritts gebildet werden.In the sub-step S12b is a second layer of a material with a compressive stress, preferably silicon oxide, on the surface of the Electrode material layer formed. For an electrode material layer made of silicon, the layer of the material with the compressive stress by means of a thermal oxidation step are formed.

In einem nachfolgenden Verfahrensschritt S13 wird mindestens ein Ätzschritt ausgeführt, um die mindestens zwei elektrisch voneinander isolierten Elektrodeneinheiten und mindestens ein von der ersten und der zweiten Schicht zumindest teilweise bedecktes Stützelement aus der Elektroden-Material-Schicht zu bilden. Bei der dargestellten Ausführungsform werden drei Ätzschritte S13a, S13b und S13c ausgeführt. Der Ätzschritt S13a ist ein Rückseiten-Trenchen mittels einer beispielsweise aus einem Lack oder einem Oxid zuvor hergestellten Trenchmaske. Als Ätzstopp für das Rückseiten-Trenchen dient die Opferschicht. Die Opferschicht dient auch als Ätzstopp für ein Vorderseiten-Trenchen mit einer Trenchmaske, beispielsweise aus einem Lack oder einem Oxid (Ätzschritt S13b).In a subsequent method step S13 is at least one etching step executed around the at least two electrically insulated electrode units and at least one of the first and second layers at least partially covered support element from the electrode material layer to build. In the illustrated embodiment, three etching steps S13a, S13b and S13c executed. The etching step S13a is a backside trench by means of, for example, a paint or an oxide previously prepared trench mask. As an etch stop for the Backside Trenchen serves the Sacrificial layer. The sacrificial layer also serves as an etch stop for a front trench with a trench mask, for example, a paint or an oxide (etching step S13b).

In dem abschließenden Ätzschritt S13c wird die Opferschicht geätzt. Dies kann beispielsweise mittels eines HF-Gasphasenätzens, eines HF-Dampfätzens oder einem Ätzen in einer wässrigen HF-haltigen Lösung erfolgen. Auf diese Weise werden die Anbindungsbereiche der Elektroden und der Spiegelaufhängung nicht vollständig unterätzt, so dass sie am Grundsubstrat angebunden bleiben.In the final etching step S13c, the sacrificial layer is etched. This can be done, for example, by means of an HF gas phase etching, a RF Dampfätzens or an etching in an aqueous HF-containing solution respectively. In this way, the attachment areas of the electrodes and the mirror suspension not completely undercut, so that they stay connected to the basic substrate.

8 zeigt ein Flussdiagramm zum Darstellen einer dritten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für ein mikromechanisches Bauteil. 8th shows a flowchart for illustrating a third embodiment of the manufacturing method for a micromechanical component.

In einem ersten Schritt S20 des Herstellungsverfahrens wird eine Isolierschicht, beispielsweise ein Oxid, auf einem Grundsubstrat gebildet. Die Isolierschicht wird anschließend strukturiert, wobei die Anbindungsstellen der später hergestellten Elektrodeneinheiten auf dem Grundsubstrat festgelegt werden. Dabei wird die Isolierschicht so strukturiert, dass die Elektrodenanbindungen später gegenüber dem Grundsubstrat elektrisch isoliert sind. Anschließend wird in einem Schritt S21 eine Opferschicht auf das Grundsubstrat aufgebracht und strukturiert. Die Opferschicht kann beispielsweise Siliziumgermanium enthalten. Dann wird in einem Schritt S22 eine Elektroden-Material-Schicht auf dem Grundsubstrat mit der zumindest teilweise isolierenden Teiloberfläche gebildet. Die Elektroden-Material-Schicht kann beispielsweise Silizium oder Polysilizium enthalten.In a first step S20 of the manufacturing process is an insulating layer, For example, an oxide formed on a base substrate. The insulating layer will follow structured, wherein the attachment sites of the later produced electrode units be set on the base substrate. In this case, the insulating layer structured so that the electrode connections later compared to the Base substrate are electrically isolated. Subsequently, in one step S21 applied and patterned a sacrificial layer on the base substrate. The sacrificial layer may contain, for example, silicon germanium. Then, in a step S22, an electrode material layer formed on the base substrate with the at least partially insulating sub-surface. The electrode material layer For example, it may contain silicon or polysilicon.

Auf der Elektroden-Material-Schicht wird eine Schicht aus einem Material mit einer Zug- oder Druckspannung gebildet (Schritt S23). Beispielsweise wird, wie oben schon beschrieben, eine Schicht aus einem Material mit einer Zugspannung auf die Elektroden-Material-Schicht aufgebracht (Teilschritt S23a). Die Schicht aus dem Material mit der Zugspannung kann ein Nitrid und/oder ein Metall, beispielsweise Titan, Wolfram oder Tantal, umfassen. Auch der oben beschriebene Schritt eines Bildens einer Schicht aus einem Material mit einer Druckspannung, vorzugsweise Siliziumoxid, kann ausgeführt werden (Teilschritt S23b).On the electrode material layer becomes a layer of a material formed with a tensile or compressive stress (step S23). For example becomes, as already described above, a layer of a material applied with a tensile stress on the electrode material layer (Sub-step S23a). The layer of the material with the tensile stress may be a nitride and / or a metal, such as titanium, tungsten or tantalum. Also the step described above Forming a layer of a material having a compressive stress, preferably silica, may be carried out (substep S23b).

Anschließend wird mindestens ein Ätzschritt S24 ausgeführt, um die mindestens zwei Elektrodeneinheiten und mindestens ein Stützelement zum Abstützen einer Elektrodeneinheit zu bilden. Beispielsweise wird zuerst ein Vorderseiten-Trenchen (Teilschritt S24a) mit einer Trenchmaske, beispielsweise aus Lack oder einem Oxid, ausgeführt, wobei die Opferschicht als Ätzstopp dient. Als Alternative dazu kann auch in die Opferschicht oder durch die Opferschicht getrencht werden. Vorzugsweise werden dabei kleine Ätzöffnungen in das Stellelement getrencht, damit die Unterätzung nicht zu groß wird. Danach erfolgt ein Opferschichtätzen (Teilschritt S24b), zum Beispiel mittels ClF3 oder XeF2. Da Siliziumgermanium gegenüber ClF3 oder XeF2 eine deutlich höhere Ätzrate besitzt als Silizium, kann es bei einem Opferschichtätzen vollständig von dem Substrat entfernt werden. Die Anbindungsbereiche der Elektroden und der Spiegelaufhängung sind somit direkt am Grundsubstrat angebunden.Subsequently, at least one etching step S24 is carried out to form the at least two electrode units and at least one support element for supporting an electrode unit. For example, a front side trenching (sub-step S24a) is carried out first with a trench mask, for example made of lacquer or an oxide, the sacrificial layer serving as an etching stop. Alternatively, it may also be dipped into the sacrificial layer or through the sacrificial layer. In this case, small etching openings are preferably trimmed into the control element, so that the undercut is not too large. This is followed by sacrificial layer etching (sub-step S24b), for example by means of ClF 3 or XeF 2 . Since silicon germanium has a significantly higher etching rate than silicon with respect to ClF 3 or XeF 2 , it can be completely removed from the substrate in a sacrificial layer etching. The connection areas of the electrodes and the mirror suspension are therefore directly on Base substrate tethered.

In den in den oberen Absätzen beschriebenen Ausführungsformen wurden die Schichten 28 und 30 mit verschiedenen Temperaturausdehnungskoeffizienten zum Biegen mindestens eines Stützelements verwendet. Selbstverständlich kann auch nur eine der beiden Schichten 28 und 30 zum Verformen eines Stützelements auf das Stützelement aufgebracht werden. Somit lassen sich die hier beschriebenen Ausführungsformen auch vereinfachen. Anstelle oder zusätzlich zu den verschiedenen Temperaturausdehnungskoeffizienten können sich die Untereinheiten des mindestens einen Stützelements auch in ihren intrinsischen Spannungen unterscheiden.In the embodiments described in the upper paragraphs, the layers became 28 and 30 used with different coefficients of thermal expansion for bending at least one support element. Of course, only one of the two layers 28 and 30 be applied to the support member for deforming a support element. Thus, the embodiments described herein can also be simplified. Instead of or in addition to the different coefficients of thermal expansion, the subunits of the at least one support element may also differ in their intrinsic stresses.

Claims (13)

Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil (10, 40, 50, 60) mit den Schritten: Bilden einer ersten Elektrodeneinheit (14) auf einem Grundsubstrat (16), wobei die erste Elektrodeneinheit (14) in einer ersten Stellung zu dem Grundsubstrat (16) gebildet wird; Bilden eines Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) mit einer ersten Untereinheit (23, 28, 30) mit einer ersten Eigenspannung und einer zweiten Untereinheit (23, 28, 30) mit einer von der ersten Eigenspannung abweichenden zweiten Eigenspannung, wobei das Stützelement (22, 42, 44, 52, 62) so ausgebildet wird, dass es an einem ersten Ende des Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) an der ersten Elektrodeneinheit (14) und an einem zweiten Ende des Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) an dem Grundsubstrat (16) befestigt ist; und Biegen des Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) aufgrund einer Differenz zwischen der ersten Eigenspannung der ersten Untereinheit (23, 28, 30) und der zweiten Eigenspannung der zweiten Untereinheit (23, 28, 30), wobei aufgrund des Biegens des Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) die erste Elektrodeneinheit (14) aus der ersten Stellung zu dem Grundsubstrat (16) in eine zweite Stellung zu dem Grundsubstrat (16) verstellt wird.Manufacturing method for a micromechanical component ( 10 . 40 . 50 . 60 ) comprising the steps of: forming a first electrode unit ( 14 ) on a base substrate ( 16 ), wherein the first electrode unit ( 14 ) in a first position to the base substrate ( 16 ) is formed; Forming a supporting element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) with a first subunit ( 23 . 28 . 30 ) with a first residual stress and a second subunit ( 23 . 28 . 30 ) with a second residual stress deviating from the first residual stress, wherein the supporting element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) is formed so that it at a first end of the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) on the first electrode unit ( 14 ) and at a second end of the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) on the base substrate ( 16 ) is attached; and bending the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) due to a difference between the first residual stress of the first subunit ( 23 . 28 . 30 ) and the second residual stress of the second subunit ( 23 . 28 . 30 ), due to the bending of the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) the first electrode unit ( 14 ) from the first position to the base substrate ( 16 ) in a second position to the base substrate ( 16 ) is adjusted. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Untereinheit (23, 28, 30) aus einem ersten Material mit einem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten und die zweite Untereinheit (23, 28, 30) aus einem zweiten Material mit einem von dem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten abweichenden zweiten Temperaturausdehnungskoeffizienten gebildet wird.The manufacturing method according to claim 1, wherein the first subunit ( 23 . 28 . 30 ) of a first material having a first coefficient of thermal expansion and the second subunit ( 23 . 28 . 30 ) is formed of a second material having a second temperature expansion coefficient deviating from the first coefficient of thermal expansion. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Untereinheit und die zweite Untereinheit so gebildet werden, dass die erste Untereinheit (23, 28, 30) als erste Eigenspannung eine erste intrinsische Spannung und die zweiten Untereinheit (23, 28, 30) als zweite Eigenspannung eine von der ersten intrinsischen Spannung abweichende zweite intrinsische Spannung aufweisen.The manufacturing method according to claim 1, wherein the first subunit and the second subunit are formed so that the first subunit ( 23 . 28 . 30 ) as a first residual stress, a first intrinsic stress and the second subunit ( 23 . 28 . 30 ) have as a second residual stress a second intrinsic stress deviating from the first intrinsic stress. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Elektroden-Material-Schicht auf das Grundsubstrat (16) aufgebracht wird, und wobei die erste Elektrodeneinheit (14) und mindestens eine von der ersten Elektrodeneinheit (14) elektrisch isolierte zweite Elektrodeneinheit (18, 20) aus der Elektroden-Material-Schicht gebildet werden.Manufacturing method according to one of the preceding claims, wherein an electrode material layer on the base substrate ( 16 ), and wherein the first electrode unit ( 14 ) and at least one of the first electrode unit ( 14 ) electrically insulated second electrode unit ( 18 . 20 ) are formed from the electrode material layer. Herstellungsverfahren nach Anspruch 4, wobei aus der Elektroden-Material-Schicht ein Verbindungsteil (23) als die erste Untereinheit des Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) gebildet wird, und wobei mindestens eine Schicht (28, 30) als die zweite Untereinheit (28, 39) auf dem Verbindungsteil (23) gebildet wird.A manufacturing method according to claim 4, wherein from the electrode material layer a connecting part ( 23 ) as the first subunit of the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) and at least one layer ( 28 . 30 ) as the second subunit ( 28 . 39 ) on the connecting part ( 23 ) is formed. Herstellungsverfahren nach Anspruch 5, wobei das Verbindungsteil (23) so gebildet wird, dass das Verbindungsteil (23) eine minimale Höhe (h1) senkrecht zu einer Oberfläche des Grundsubstrats (16) aufweist, welche kleiner aus eine minimale Höhe (h3) der ersten Elektrodeneinheit (14) und/oder der zweiten Elektrodeneinheit (18, 20) senkrecht zu der Oberfläche des Grundsubstrats (16) ist.Manufacturing method according to claim 5, wherein the connecting part ( 23 ) is formed so that the connecting part ( 23 ) a minimum height (h1) perpendicular to a surface of the base substrate ( 16 ), which is smaller from a minimum height (h3) of the first electrode unit ( 14 ) and / or the second electrode unit ( 18 . 20 ) perpendicular to the surface of the base substrate ( 16 ). Herstellungsverfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei als die mindestens eine Schicht (28, 30) eine erste Schicht (28), welche eine Druckspannung auf das Stützelement (22, 42, 44, 52, 62) ausübt, und eine zweite Schicht (30), welche eine Zugspannung auf das Stützelement (22, 42, 44, 52, 62) ausübt, auf dem Verbindungsteil (23) gebildet werden.A manufacturing method according to claim 5 or 6, wherein as said at least one layer ( 28 . 30 ) a first layer ( 28 ), which a compressive stress on the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) and a second layer ( 30 ), which a tensile stress on the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ), on the connecting part ( 23 ) are formed. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Bilden des Stützelements (22, 42, 44, 52) folgende Schritte umfasst: Bilden einer unteren Lage mit der ersten Untereinheit (28) und der zweiten Untereinheit (30); und Bilden einer oberen Lage mit einer über der ersten Untereinheit (28) angeordneten dritten Untereinheit (30) aus dem zweiten Material der zweiten Untereinheit (30) und einer über der zweiten Untereinheit (30) angeordneten vierten Untereinheit (28) aus dem ersten Material der ersten Untereinheit (28).Manufacturing method according to one of claims 1 to 4, wherein the forming of the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 ) comprises the following steps: forming a lower layer with the first subunit ( 28 ) and the second subunit ( 30 ); and forming an upper layer with one above the first subunit ( 28 ) arranged third subunit ( 30 ) from the second material of the second subunit ( 30 ) and one above the second subunit ( 30 ) arranged fourth subunit ( 28 ) from the first material of the first subunit ( 28 ). Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrodeneinheit (14) aufgrund des Biegens des Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) aus der ersten Stellung mit einem ersten Abstand (d2) zu dem Grundsubstrat in die zweite Stellung mit einem zweiten Abstand (d1) zu dem Grundsubstrat verstellt wird, und wobei der zweite Abstand (d1) größer als der erste Abstand (d2) ist.Manufacturing method according to one of the preceding claims, wherein the first electrode unit ( 14 ) due to the bending of the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) is shifted from the first position with a first distance (d2) to the base substrate to the second position with a second distance (d1) to the base substrate, and wherein the second distance (d1) is greater than the first distance (d2). Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Stützelement (22, 42, 44, 52, 62) so gebildet wird, dass das Stützelement (22, 42, 44, 52, 62) in einem Ausgangszustand eine erste Oberfläche aufweist, welche parallel zu einer Oberfläche der Elektroden-Material-Schicht und/oder der Oberfläche des Grundsubstrats (16) ausgerichtet ist, und wobei das Stützelement (22, 42, 44, 52, 62) aufgrund der Differenz zwischen der ersten Eigenspannung und der zweiten Eigenspannung in einen Endzustand gebogen wird.Manufacturing process according to one of claim, wherein the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) is formed so that the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) has in a starting state a first surface which is parallel to a surface of the electrode material layer and / or the surface of the base substrate ( 16 ), and wherein the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) is bent to a final state due to the difference between the first residual stress and the second residual stress. Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, wobei das Stützelement (22, 42, 44, 52, 62) in dem Endzustand S-förmig gebogen ist.Manufacturing method according to claim 10, wherein the supporting element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) is bent in the final state S-shaped. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Stützelement (42, 44) in dem Ausgangszustand zumindest teilweise mäanderförmig gebildet wirdManufacturing method according to one of the preceding claims, wherein the support element ( 42 . 44 ) is formed in the initial state at least partially meandering Mikromechanisches Bauteil (10, 40, 50, 60) mit einem Grundsubstrat (16); einer auf dem Grundsubstrat (16) angeordneten ersten Elektrodeneinheit (14); und einem Stützelement (22, 42, 44, 52, 62) mit einer ersten Untereinheit (23, 28, 30) mit einer ersten Eigenspannung und einer zweiten Untereinheit (23, 28, 30) mit einer von der ersten Eigenspannung abweichenden zweiten Eigenspannung; wobei das Stützelement (22, 42, 44, 52, 62) so ausgebildet ist, dass es an einem ersten Ende des Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) an der ersten Elektrodeneinheit (14) und an einem zweiten Ende des Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) an dem Grundsubstrat (16) befestigt ist, und wobei die erste Elektrodeneinheit (14) aufgrund einer Differenz zwischen der ersten Eigenspannung der ersten Untereinheit (23, 28, 30) und der zweiten Eigenspannung der zweiten Untereinheit (23, 28, 30) durch Biegen des Stützelements (22, 42, 44, 52, 62) aus einer ersten Stellung zu dem Grundsubstrat (16) in eine zweite Stellung zu dem Grundsubstrat (16) verstellbar ist.Micromechanical component ( 10 . 40 . 50 . 60 ) with a base substrate ( 16 ); one on the base substrate ( 16 ) arranged first electrode unit ( 14 ); and a support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) with a first subunit ( 23 . 28 . 30 ) with a first residual stress and a second subunit ( 23 . 28 . 30 ) with a second residual stress deviating from the first residual stress; the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) is formed so that it at a first end of the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) on the first electrode unit ( 14 ) and at a second end of the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) on the base substrate ( 16 ), and wherein the first electrode unit ( 14 ) due to a difference between the first residual stress of the first subunit ( 23 . 28 . 30 ) and the second residual stress of the second subunit ( 23 . 28 . 30 ) by bending the support element ( 22 . 42 . 44 . 52 . 62 ) from a first position to the base substrate ( 16 ) in a second position to the base substrate ( 16 ) is adjustable.
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