DE102007062711A1 - Halbleiterwafer mit einer Vielzahl von Sensorelementen und Verfahren zum Vermessen von Sensorelementen auf einem Halbleiterwafer - Google Patents

Halbleiterwafer mit einer Vielzahl von Sensorelementen und Verfahren zum Vermessen von Sensorelementen auf einem Halbleiterwafer Download PDF

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Abstract

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Vermessen von Sensorelementen im Waferverbund, wobei die Sensorelemente mit nichtelektrischen Stimuli beaufschlagt werden sollen. Ein Halbleiterwafer (100) mit einer Vielzahl von Sensorelementen (10), wobei jedes Sensorelement (10) einen Versorgungsspannungsanschluss (11), einen Masseanschluss (12) und mindestens einen Sensorsignalausgang (13) aufweist, wird dazu so konfiguriert, dass auf dem Halbleiterwafer (100) ein Bussystem (17) integriert ist, an das zumindest die Masseanschlüsse (12) der Sensorelemente (10) angeschlossen sind und über das eine Versorgungsspannung an die Sensorelemente (10) angelegt werden kann, und dass jedes Sensorelement (10) mit mindestens einem ansteuerbaren Schalterelement (14) zum Auswählen des Sensorelements (10) ausgestattet ist, so dass lediglich ein ausgewähltes Sensorelement (10) ein Sensorsignal an eine Diagnoseeinrichtung liefert.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft einen Halbleiterwafer mit einer Vielzahl von Sensorelementen, wobei jedes Sensorelement einen Versorgungsspannungsanschluss, einen Masseanschluss und mindestens einen Sensorsignalausgang aufweist.
  • Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Vermessen derartiger Sensorelemente im Waferverbund.
  • Derzeit werden Siliziumsensoren auf Waferebene rein elektrisch getestet. In der Praxis werden dazu Test- und Handlingsysteme verwendet, die durch Aufsetzen von Nadeln an bestimmten Kontaktstellen der Sensorelemente elektrische Stimuli erzeugen, um Spannungen und Ströme bei unterschiedlichen Temperaturen zu erfassen und so die elektrischen Funktionsparameter der einzelnen Sensorelemente zu bewerten. Das Anfahren und Feinpositionieren der Nadeln an den Kontaktstellen muss für jedes Sensorelement auf dem Wafer gesondert durchgeführt werden. Je mehr Sensorelemente auf dem Wafer angeordnete sind, um so mehr Zeit wird demnach für die mechanische Positionierung der Kontaktnadeln benötigt. Außerdem wird diese Positionierung immer kritischer, da die Sensorelemente immer kleiner werden.
  • Erst nach Vereinzelung und Verpackung bzw. Montage werden die einzelnen Sensorelemente unter Beaufschlagung von nichtelektrischen Stimuli, wie z. B. Druck, Beschleunigung, Drehrate, etc., vermessen und abgeglichen.
  • In der DE 696 33 713 T2 werden Maßnahmen zur elektronischen Auswahl und zum elektronischen Testen von nicht vereinzelten Chips auf einem Wafer beschrieben. Damit sollen noch vor dem Vereinzeln schlechte Chips identifiziert und ausgesondert werden, um den Herstellungsprozess nur mit den zum Testzeitpunkt guten Chips weiterzuführen und so eine möglichst hohe Ausbeute an funktionsfähigen Bauteilen zu erzielen. Dazu sind alle auf einem Wafer realisierten Chips an ein Bussystem mit einer Waferversorgungsspannungs-Busleitung und einer Wafermasse-Busleitung angeschlossen. Über dieses Bussystem wird den Chips elektrische Energie zugeführt. Defekte, insbesondere kurzschlussbehaftete Chips lassen sich identifizieren und gegebenenfalls vom Bussystem trennen. Des Weiteren wird mit der DE 696 33 713 T2 vorgeschlagen, die integrierten Schaltungen der einzelnen Chips so auszulegen, dass sie im Rahmen der im Waferverbund durchgeführten Tests wahlweise aktiv oder in einem Bypass-Modus betrieben werden können. Ist ein Chip aktiv geschaltet, so werden seine Kontaktstellen über das Bussystem und die benachbarten im Bypass-Modus befindlichen Chips mit elektrischen Testsignalen beaufschlagt, um die Funktionalität des ausgewählten Chips zu prüfen.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Im Unterschied dazu werden mit der vorliegenden Erfindung Maßnahmen zum Vermessen von Sensorelementen im Waferverbund vorgeschlagen, wobei die Sensorelemente mit nichtelektrischen, also mechanischen und/oder chemischen Stimuli beaufschlagt werden, wie z. B. Druck, Beschleunigung, Drehrate, etc..
  • Dazu soll auf einem Halbleiterwafer der eingangs genannten Art ein Bussystem integriert werden, an das zumindest die Masseanschlüsse der Sensorelemente angeschlossen sind und über das eine Versorgungsspannung an die Sensorelemente angelegt werden kann. Zudem soll jedes Sensorelement mit mindestens einem ansteuerbaren Schalterelement zum Auswählen des Sensorelements ausgestattet sein, so dass lediglich ein ausgewähltes Sensorelement Sensorsignale an eine Diagnoseeinrichtung liefert.
  • Im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Vermessen von Sensorelementen auf einem solchen Halbleiterwafer wird der gesamte Wafer mit allen Sensorelementen mit nicht elektrischen Stimuli beaufschlagt. Durch Ansteuerung des entsprechenden Schalterelements wird mindestens ein Sensorelement ausgewählt, so dass jeweils das auf Stimuli reagierende Sensorsignal des mindestens einen ausgewählten Sensorelements von einer Diagnoseeinrichtung erfasst wird.
  • Die erfindungsgemäßen Maßnahmen ermöglichen nicht nur das Identifizieren und Aussondern von schlechten, fehlerhaften Sensorelementen, sondern auch die Berechnung von individuellen Abgleichparametern für jedes einzelne Sensorelement auf einem Halbleiterwafer.
  • Die vorliegende Erfindung lässt sich sowohl auf Sensorelemente anwenden, die elektrische Sensorsignale liefern, als auch auf Sensorelemente, die optische Sensorsignale aussenden. Die Diagnoseeinrichtung muss dann dem Typ des Sensorelements entsprechend ausgelegt sein.
  • Auch die Funktionsweise des Schalterelements zum Auswählen eines Sensorelements kann von dessen Typ abhängen. So empfiehlt es sich, optische Empfängerelemente mit einem Schalterelement zu koppeln, über das der Versorgungsspannungsanschluss an das Bussystem angeschlossen wird. Bei dieser Variante werden nur ausgewählte Sensorelemente mit Spannung versorgt.
  • Bei elektrischen Sensorelementen wird der Sensorsignalausgang vorteilhafterweise ebenfalls an das Bussystem geführt, an das dann auch die Diagnoseeinrichtung angeschlossen ist. In diesem Fall besteht die Möglichkeit, das Schalterelement dem Sensorsignalausgang vorzuschalten bzw. zwischen Sensorsignalausgang und Bussystem anzuordnen, so dass nur das Sensorsignal eines ausgewählten Sensorelements auf das Bussystem aufgeschaltet wird.
  • Die Auswahl einzelner Sensorelemente ist nur dann sinnvoll, wenn die einzelnen Sensorelemente auch identifizierbar sind. Als Identifizierungsmerkmal kann beispielsweise die Position des Sensorelements auf dem Halbleiterwafer genutzt werden. Diese Information geht allerdings mit dem Vereinzeln der Sensorelemente verloren. In einer besonders vorteilhaften Variante der Erfindung ist jedes Sensorelement mit einem digital codierbaren Schalterelement ausgestattet, dem eine individuelle Adresse einprogrammiert werden kann. Anhand dieser Adresse lässt sich dann jedes Sensorelement auch noch nach der Vereinzelung eindeutig identifizieren.
  • So wie es für die funktionale Anordnung der Schalterelemente verschiedene Möglichkeiten gibt, so können die Schalterelemente auch auf unterschiedlichen Funktionsprinzipien beruhen. Wenn die Schalterelemente der einzelnen Sensorelemente mit einem digitalen Adresscode versehen sind, können sie einfach über einen Selektanschluss des jeweiligen Sensorelements elektrisch angesteuert werden. In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn auch dieser Selektanschluss an das Bussystem angeschlossen ist.
  • Die Schalterelemente können aber auch durch optische Anregung ansteuerbar sein. In diesem Fall können die einzelnen Sensorelemente einfach anhand ihrer Position auf dem Wafer ausgewählt werden, eine Sensor-ID bzw. Adresse ist nicht notwendig. Als optisch ansteuerbares Schalterelement, das dem digitalen Sensorsignalausgang eines Sensorelements vorgeschaltet ist, eignet sich besonders gut ein mittels Laser ansteuerbarer integrierter Fototransistor. Für analoge Sensorsignale wird eine Kombination, bestehend aus einem mittels Laser ansteuerbaren integrierten Fototransistor und einem im nichtgeschalteten Zustand hochohmigen Analogschalter, bevorzugt. Der abzugleichende Sensor wird durch Positionierung des Laserscanners kombiniert mit einer digitalen Bild-/Mustererkennung ausgewählt.
  • In einer besonders vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung dient die Diagnoseeinrichtung nicht nur zum Vermessen der einzelnen Sensorelemente, sondern auch zum Berechnen von individuellen Abgleichparametern für jedes einzelne ausgewählte Sensorelement. Lassen sich die Sensorelemente auch noch nach dem Vereinzeln eindeutig identifizieren, so kann der eigentliche Abgleich auch noch nach der Montage der Sensorelemente erfolgen. Unter bestimmten Umständen kann ein Abgleich aber auch im Waferverbund vorgenommen werden. In diesem Fall ist auf jedem Sensorelement eine Abgleichschaltung integriert. Vorraussetzung hierfür ist, dass sich die Sensoreigenschaften nach dem Vereinzeln und bei der späteren Verpackung nur minimal verändern oder zumindest vorhersagen lassen, so dass Korrekturwerte vorgehalten werden können
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Wie bereits voranstehend erörtert, gibt es verschiedene Möglichkeiten, die Lehre der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise auszugestalten und weiterzubilden. Dazu wird einerseits auf die den unabhängigen Patentansprüchen nachgeordneten Patentansprüche und andererseits auf die nachfolgende Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen verwiesen.
  • 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen ersten erfindungsgemäßen Halbleiterwafer mit Sensorelementen,
  • 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen zweiten erfindungsgemäßen Halbleiterwafer mit Sensorelementen, und
  • 3 zeigt eine Vorrichtung zum Vermessen von Sensorelementen auf einem Halbleiterwafer.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • In 1 ist ein Halbleiterwafer 100 mit neun Sensorelementen 10 dargestellt, die für eine Vielzahl von Sensorelementen stehen, wie sie üblicherweise bei der Herstellung auf einem Halbleiterwafer angeordnet sind. Bei den Sensorelementen 10 kann es sich beispielsweise um mikromechanische Drucksensoren handeln. Jedes dieser Sensorelemente 10 ist mit einem Versorgungsspannungsanschluss 11, einem Masseanschluss 12 und einem Sensorsignalausgang 13 ausgestattet.
  • Neben den Sensorelementen 10 ist auf dem Halbleiterwafer 100 ein Bussystem 17 integriert, an das sowohl die Versorgungsspannungsanschlüsse 11 als auch die Masseanschlüsse 12 der Sensorelemente 10 angeschlossen sind. Die Auslegung des Bussystems 17 und der Sensorelemente 10 muss garantieren, dass defekte Sensorelemente erkannt und abgetrennt werden können. Als defekt werden beispielsweise Sensorelemente bezeichnet, die eine Busleitung kurzschließen. Erfolgt die Anbindung der einzelnen Sensorelemente an die Spannungsversorgung über auftrennbare Brennstrecken, so können defekte Sensorelemente einfach in einem Vormessschritt abgetrennt werden. Eine andere Möglichkeit besteht darin, auf jedem Sensorelement einen Überstromdetektor zu integrieren, der die Spannungsversorgung im Falle eines Kurzschlusses selbstständig unterbricht.
  • Erfindungsgemäß ist jedes Sensorelement 10 mit einem ansteuerbaren Schalterelement 14 zum Auswählen des Sensorelements 10 ausgestattet, so dass lediglich ein ausgewähltes Sensorelement 10 ein Sensorsignal an eine Diagnoseeinrichtung liefert. Die Diagnoseeinrichtung ist hier nicht dargestellt.
  • Im hier beschriebenen Ausführungsbeispiel liefern die Sensorelemente 10 elektrische Sensorsignale. Dabei kann es sich entweder um analoge oder digitale Ausgangssignale handeln. Die Schalterelemente 14 sorgen dafür, dass immer nur das Sensorsignal eines ausgewählten Sensorelements 10 auf das Bussystem 17 aufgeschaltet wird, an das auch die Diagnoseeinrichtung angeschlossen ist.
  • Die Schalterelemente 14 sind digital codierbar und mit einem Adresscode versehen, über den sich jedes Sensorelement 10 eindeutig identifizieren lässt und dementsprechend auch auswählen lässt. Die Adresscodes werden den einzelnen Sensorelementen bzw. den Schalterelementen der einzelnen Sensorelemente beispielsweise in einem Vormessschritt einprogrammiert. Mittels derartig programmierter Schalterelemente 14 lässt sich dann ein ganzes Netzwerk von Sensorelementen 10 mit nur einem oder zwei I/O-Pins kontrollieren. Es genügen vierzehn Adressbits, um bis zu 214 (16384) Sensorelemente anzusteuern, was für einen Wafer in jedem Fall ausreichend ist.
  • Die Schalterelemente 14 sind jeweils mit einem Selektanschluss 15 des Sensorelements 10 verbunden, der ebenfalls an das Bussystem 17 angeschlossen ist. Für die Ansteuerung von Sensorelementen mit analogen Ausgangsspannungen eignet sich beispielsweise ein unidirektionales Eindraht-Bussystem. Um Sensorelemente mit analogem Ausgangssignal auswählen zu können, ist eine Kombination eines chipselektierenden Adressdecoders mit einem Analogschalter als Schalterelement 14 erforderlich, wobei der Analogschalter im nicht geschalteten Zustand ausreichend hochohmig an die Ausgangsleitung angebunden sein sollte. Sowohl der Adressdecoder als auch der Analogschalter müssen auf dem Sensorelement integriert sein. Für Sensorelemente mit digitalem Ausgangssignal eignet sich eine bidirektionale I2C-2-Draht-Schnittstelle, die auch für die A/D-Wandler von digitalen Sensoren Verwendung findet.
  • Zum Vermessen der Sensorelemente wird der gesamte Wafer mit allen Sensorelementen mit nicht elektrischen Stimuli beaufschlagt, d. h. im Fall von Drucksensoren mit Druck. Dann wählt die Diagnoseeinrichtung jeweils ein Sensorelement 10 anhand seines Adresscodes aus und steuert das Schalterelement 14 dieses Sensorelements 10 über den Selektanschluss 15 und das Bussystem 17 an. Da immer nur das Sensorsignal des ausgewählten Sensorelements 10 auf das Bussystem 17 geschaltet und an die Diagnoseeinrichtung übermittelt wird, handelt es sich hier um eine Multiplexfunktion. Durch diese serielle Ansteuerung ist die Diagnoseeinrichtung in der Lage, die jeweils erfassten Sensorsignale den einzelnen Sensorelementen zuzuordnen und diese Zuordnung abzuspeichern. Ausgehend von den Ergebnissen des sequentiellen Vermessens der einzelnen Sensorelemente auf dem Wafer können dann individuelle Abgleichparameter für jedes einzelne Sensorelement berechnet werden, wie beispielsweise Offset, Temperaturkoeffizient(TK)-Offset, Empfindlichkeit und TK-Empfindlichkeit oder auch nichtlineare Parameter.
  • Eine wichtige Voraussetzung für den Abgleich auf Chipebene im Waferverbund ist, dass sich die Sensoreigenschaften nach dem Vereinzeln und bei der späteren Verpackung nur minimal verändern oder zumindest vorhersagen lassen, so dass ein Korrekturwert vorgehalten werden kann. Dies kann durch eine geeignete Verpackung realisiert werden, z. B. eine Befestigung im Gehäuse mit weichem Kleber.
  • Der Abgleich selbst kann einfach digital über binär gestufte Parameterbits erfolgen. Eine geeignete Chipelektronik bewirkt dann den Abgleich, z. B. das Schreiben einer EPROM-Sequenz oder das Schalten von binär gestuften Parameterbits mittels Legieren von Zenerdioden. Auch andere PROM-Speicherprinzipien sind möglich. Alternativ lässt sich das elektronische Programmieren der Parameterbits nach erfolgtem Vermessen im Waferverbund auf einem klassischen Waferprober durchführen. Bei einprogrammierter Adresse ist eine Programmierung der Sensorchips sogar noch nach dem Vereinzeln und Verpacken möglich. Letzteres würde auch ein Nachjustieren des durch die Aufbau- und Verbindungstechnik beeinflussten Offsets ermöglichen.
  • Mit der voranstehend beschriebenen Abgleichmethode können beliebige Sensoren abgeglichen werden, wie z. B. piezoresistive oder kapazitive Drucksensoren – auch für höhere Druckbereiche-, Massenflusssensoren, Beschleunigungssensoren, Drehratensensoren oder auch chemische Sensoren.
  • Wie in 1 ist in 2 ein Halbleiterwafer 200 mit neun Sensorelementen 20 dargestellt, die für eine Vielzahl von Sensorelementen stehen. Jedes dieser Sensorelemente 20 ist mit einem Versorgungsspannungsanschluss 21, einem Masseanschluss 22 und einem Sensorsignalausgang 23 für elektrische Sensorsignale ausgestattet.
  • Neben den Sensorelementen 20 ist auch auf dem Halbleiterwafer 200 ein Bussystem 27 integriert, an das sowohl die Versorgungsspannungsanschlüsse 21 als auch die Masseanschlüsse 22 und die Sensorsignalausgänge 23 der Sensorelemente 10 angeschlossen sind.
  • Erfindungsgemäß ist zudem jedes Sensorelement 20 mit einem ansteuerbaren Schalterelement 24 zum Auswählen des Sensorelements 20 ausgestattet. Das Schalterelement 24 ist hier dem Sensorsignalausgang 23 vorgeschaltet, so dass lediglich das Sensorsignal eines ausgewählten Sensorelements 20 auf das Bussystem 27 aufgeschaltet wird. Dadurch kann das Sensorsignal von einer hier nicht dargestellten Diagnoseeinrichtung erfasst werden, die ebenfalls an das Bussystem 27 angeschlossen ist.
  • Bei den Schalterelementen 24 des hier beschriebenen Ausführungsbeispiels handelt es sich um optisch anregbare Schalter. In diesem Fall werden die Schalterelemente 24 mittels Laser angesteuert bzw. aktiviert. Bei Sensorelementen mit digitalen Ausgangssignalen kann einfach ein integrierter Fototransistor als optisch anregbares Schalterelement 24 verwendet werden. Bei Sensorelementen mit analogen Ausgangssignalen empfiehlt sich die Verwendung eines integrierten Fototransistors in Kombination mit einem Analogschalter, der im nicht geschalteten Zustand ausreichend hochohmig sein sollte.
  • Die Auswahl der einzelnen Sensorelemente 20 erfolgt anhand ihrer Position auf dem Wafer 200. Nach dem sequentiellen Vermessen der einzelnen Sensorelemente 20 können auch hier wieder für jedes Sensorelement individuelle Abgleichparameter berechnet werden.
  • Der Abgleich selbst erfolgt hier bevorzugt auf Waferebene und kann einfach digital über binär gestufte Parameterbits erfolgen. Die Informationsübertragung der jeweiligen Abgleichbitsequenz auf das Sensorelement kann mittels Lichtimpulsen auf fotoempfindliche Bauelemente, wie z. B. Fototransistoren, durchgeführt werden. Eine geeignete Chipelektronik bewirkt dann den Abgleich, z. B. ein durch Lichtimpulse getriggertes Legieren einer Zenerdiode oder das Schreiben einer EPROM-Sequenz.
  • Alternativ ist es auch möglich, einen elektronischen Abgleich auf einem klassischen Waferprober oder mit Waferpositions-ID nach dem Vereinzeln und Verpacken durchzuführen. In diesem Fall kann beispielsweise der durch die Aufbau- und Verbindungstechnik beeinflusste Offset nachjustiert werden.
  • In 3 ist eine Vorrichtung 300 dargestellt, mit der sich Drucksensorelemente im Waferverbund vermessen lassen. Dazu umfasst die Vorrichtung 300 eine Druckkammer 301, in der ein Wafer 310 mit den zu vermessenden Sensorelementen angeordnet wird. In der Druckkammer sind neben einer Halterung für den Wafer 310 auch Kontaktierungen für das auf dem Wafer 310 integrierte Bussystem vorgesehen, insbesondere Anschlüsse für Versorgungsspannung, Masse und den Sensorsignalausgang. Die Vorrichtung 300 ist zum Vermessen von Sensorelementen auf einem Halbleiterwafer ausgelegt, wie er voranstehend in Verbindung mit 2 beschrieben worden ist. Die einzelnen Sensorelemente werden hier anhand ihrer Position auf dem Wafer 310 identifiziert und mit Hilfe von optisch ansteuerbaren Schalterelementen ausgewählt. Dazu ist die Druckkammer 301 mit einem druckfesten Quarzglasfenster 302 ausgestattet, über dem ein Lasersystem 303 mit integrierter Bildverarbeitung und Strahlablenkung angeordnet ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 69633713 T2 [0005, 0005]

Claims (15)

  1. Halbleiterwafer (100) mit einer Vielzahl von Sensorelementen (10), wobei jedes Sensorelement (10) einen Versorgungsspannungsanschluss (11), einen Masseanschluss (12) und mindestens einen Sensorsignalausgang (13) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Halbleiterwafer (100) ein Bussystem (17) integriert ist, an das zumindest die Masseanschlüsse (12) der Sensorelemente (10) angeschlossen sind und über das eine Versorgungsspannung an die Sensorelemente (10) angelegt werden kann, und dass jedes Sensorelement (10) mit mindestens einem ansteuerbaren Schalterelement (14) zum Auswählen des Sensorelements (10) ausgestattet ist, so dass lediglich ein ausgewähltes Sensorelement (10) ein Sensorsignal an eine Diagnoseeinrichtung liefert.
  2. Halbleiterwafer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Versorgungsspannungsanschluss der Sensorelemente über das Schalterelement an das Bussystem angeschlossen ist, so dass nur ein ausgewähltes Sensorelement mit Spannung versorgt wird.
  3. Halbleiterwafer (200) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensorsignalausgang (23) der Sensorelemente (20) über das Schalterelement (24) an das Bussystem (27). angeschlossen wird, so dass nur das Sensorsignal eines ausgewählten Sensorelements (20) auf das Bussystem (27) aufgeschaltet wird.
  4. Halbleiterwafer (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Schalterelement (14) digital codierbar ist.
  5. Halbleiterwafer (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Schalterelement (14) über einen Selektanschluss (15) des Sensorelements (10) ansteuerbar ist und dass der Selektanschluss (15) ebenfalls an das Bussystem (17) angeschlossen ist.
  6. Halbleiterwafer (200) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Schalterelement (24) durch optische Anregung ansteuerbar ist.
  7. Halbleiterwafer nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein mittels Laser ansteuerbarer integrierter Fototransistor als Schalterelement für digitale Sensorsignale dient.
  8. Halbleiterwafer nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kombination, bestehend aus einem mittels Laser ansteuerbaren integrierten Fototransistor und einem hochohmigen Analogschalter, als Schalterelement für analoge Sensorsignale dient.
  9. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass auf jedem Sensorelement eine Abgleichschaltung integriert ist.
  10. Verfahren zum Vermessen von Sensorelementen auf einem Halbleiterwafer gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, – bei dem der gesamte Wafer mit allen Sensorelementen mit Stimuli beaufschlagt wird, – bei dem mindestens ein Sensorelement durch Ansteuerung des entsprechenden Schalterelements ausgewählt wird, – bei dem jeweils das Sensorsignal des mindestens einen ausgewählten Sensorelements von einer Diagnoseeinrichtung erfasst wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Schalterelement des mindestens einen Sensorelements mit einer digitalen Adresscodierung versehen ist und das Sensorelement anhand dieser Adresscodierung ausgewählt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Schalterelement des mindestens einen Sensorelements durch optische Anregung ansteuerbar ist und das Sensorelement anhand seiner Position auf dem Wafer ausgewählt wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei es sich bei den Sensorsignalen um elektrische Signale handelt, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils nur das Sensorsignal des mindestens einen ausgewählten Sensorelements auf das Bussystem des Halbleiterwafers aufgeschaltet wird, an das auch die Diagnoseeinrichtung angeschlossen ist.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei es sich bei den Sensorsignalen um' optische Signale handelt, dadurch gekennzeichnet, dass die Diagnoseeinrichtung das Sensorsignal des mindestens einen ausgewählten Sensorelements optisch erfasst.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Diagnoseeinrichtung ausgehend von den erfassten Sensorsignalen individuelle Abgleichparameter für das ausgewählte Sensorelement berechnet.
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