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Technisches Gebiet
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Die
Erfindung betrifft ein Trägerelement, an welchem ein Hg-haltiges
Material zur Anbringung in einer Entladungslampe ausgebildet ist,
sowie ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Trägerelements.
Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Entladungslampe mit einem
derartigen Trägerelement.
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Stand der Technik
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Das
Einbringen von Quecksilber in Entladungslampen, insbesondere Niederdruckentladungslampen,
ist bekannt und kann beispielsweise mit einem Metallband, welches
entsprechend beschichtet ist, erfolgen. Aus der
WO 98/14983 ist eine Niederdruckentladungslampe
bekannt, bei der ein Trägerelement, welches plattenartig
ausgebildet ist, in einem Entladungsgefäß der
Lampe angeordnet ist und insbesondere beispielsweise an einem Elektrodengestell
befestigt ist. Das Trägerelement ist oberflächenbeschichtet
und weist einerseits eine Beschichtung mit einem Hg-haltigen Material
und andererseits eine Beschichtung mit einem Gettermaterial auf.
Die beiden Beschichtungen sind separiert voneinander ausgebildet.
Das Trägerelement kann eine im Wesentlichen ebene Platte
oder jedoch auch eine gewinkelt ausgebildete Platte sein.
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Üblicherweise
wird eine derartige Oberflächenbeschichtung mit einem Schnecken-Vibrationssystem
durchgeführt, wobei dazu ein entsprechendes Pulver auf
das Trägerelement aufgebracht und verteilt wird. Durch
diese Vorgehensweise ist die Dosiergenauigkeit vollkommen vom Dosiersystem
abhängig und relativ ungenau. Dadurch schwankt die Quecksilberkonzentration,
wodurch auch die Funktionalität der Ladungslampe beeinträchtigt
werden kann.
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Darstellung der Erfindung
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Es
ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Trägerelement
zu schaffen, bei dem die Dosierung des Hg-haltigen Materials verbessert
werden kann. Insbesondere ist es auch Aufgabe ein derartiges Herstellungsverfahren
für ein Trägerelement zu schaffen. Ebenso soll
eine Entladungslampe mit einem Trägerelement geschaffen
werden, bei der die Funktionalität durch eine präzisere
und genauere Einstellung der Menge des Quecksilbers verbessert werden
kann.
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Diese
Aufgaben werden durch ein Trägerelement, welches die Merkmale
nach Anspruch 1 aufweist, sowie ein Verfahren, welches die Merkmale nach
Anspruch 15 aufweist, gelöst. Ebenso werden diese Aufgaben
durch eine Entladungslampe, welche die Merkmale nach Anspruch 12
aufweist, gelöst.
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Ein
erfindungsgemäßes Trägerelement ist zur
Anbringung in einer Entladungslampe ausgebildet und ist darüber
hinaus mit einem Hg-haltigen Material versehen. Das Trägerelement
weist zumindest eine Vertiefung auf, in welcher das Hg-haltige Material
angeordnet ist. Im Unterschied zum Stand der Technik wird somit
eine spezifische Formgebung des Trägerelements dahingehend
durchgeführt, dass zumindest eine ein spezifisches Volumen
definierende Vertiefung vorgesehen ist, wodurch eine örtlich
konzentrierte und somit lokal fokussierte Anbringung des Hg-Materials
ermöglicht ist. Es wird somit keine Oberflächenbeschichtung
des Trägerelements mehr durchgeführt sondern eine
Volumenbeschichtung. Durch diese Ausgestaltung kann eine wesentlich
präzisere Dosierung und Anbringung des Hg-haltigen Materials
und somit auch der Quecksilberkonzentration auf dem Trägerelement
durchgeführt werden. Im Unterschied zur aus dem Stand der
Technik bekannten Oberflächenbeschichtung ist durch eine
derartige Volumenbeschichtung auch die Anbringung von sehr geringen
Quecksilbermengen gewährleistet. Dadurch kann überflüssiges
und nicht erforderliches Zugeben von Quecksilber vermieden werden
und dennoch die hohe Funktionalität gewährleistet
werden. Darüber hinaus unterliegt bei einer derartigen
Ausgestaltung des Trägerelements mit zumindest einer Vertiefung,
in welcher das Hg-haltige Material angeordnet ist, nicht mehr den
Schwankungen bei der Aufbringung des Pulvers mit einem Schnecken-Vibrationssystem.
Das aufzufüllende Volumen ist sehr konstant und präzise.
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Vorzugsweise
ist das Hg-haltige Material ausschließlich in der Vertiefung
ausgebildet. Die um die Vertiefung herumlaufenden Oberflächen
und auch die sonstigen Oberflächen des Trägerelements außerhalb
der Vertiefung sind frei von Quecksilbermaterial. Neben einer präzisen
Einstellung der Hg-Konzentration und somit auch der Dosierung kann
dadurch auch die lokale und somit örtlich foku sierbare
Anbringung des Hg-Materials gewährleistet werden.
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Insbesondere
ist vorgesehen, dass eine Vertiefung als Rille ausgebildet ist.
Somit werden geometrische Strukturen wie Gräben als Vertiefungen vorgesehen,
welche mit dem Hg-haltigen Material zumindest teilweise gefüllt
werden können. Eine derartige Rille kann einen geradlinigen
Verlauf aufweisen. Eine längliche Struktur einer Rille
kann jedoch auch zumindest bereichsweise gekrümmt ausgebildet sein.
Unter einer Krümmung wird sowohl eine stetige bogenförmige
Ausgestaltung als jedoch auch eine eckige Konstruktion verstanden.
Die Rille kann quer, längs oder schräg verlaufend
ausgebildet sein.
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Im
Querschnitt kann eine derartige als Rille ausgebildete Vertiefung
eckig oder eckenfrei konzipiert sein. Beispielsweise kann eine im
Querschnitt rechteckige oder U-förmige Konstruktion vorgegeben sein.
Ebenso kann jedoch auch eine V-förmige Querschnittformgebung
vorgesehen sein. Dies sind lediglich beispielhafte Dimensionierungen
und geometrische Gestaltungen einer Vertiefung, welche nicht als abschließend
zu verstehen sind.
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Neben
einer länglichen Struktur einer Vertiefung, beispielsweise
in Form einer Rille oder eines Grabens, kann jedoch auch eine lochartige
oder napfartige Struktur vorgesehen sein. Insbesondere ist eine
derartige Ausgestaltung sacklochartig konzipiert, was bedeutet,
dass das Loch nicht durchgängig sondern am Boden verschlossen
ist. Sowohl bei länglichen geometrischen Gestaltungen einer
Vertiefung als auch bei sacklochartigen Ausgestaltungen können
zumindest zwei Vertiefungen im Trägerelement vor gesehen
sein. Die Anbringung einer derartigen Mehrzahl von Vertiefungen
kann beliebig verteilt auf dem Trägerelement vorgesehen
sein. Es kann jedoch auch eine geordnete Anordnung mit einer beispielsweise äquidistanten
Positionierung vorgesehen sein.
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Vorzugsweise
ist eine Vertiefung vollständig mit Hg-haltigem Material
gefüllt. Durch eine derartige Ausgestaltung kann besonders
exakt die Hg-Menge für ein Trägerelement dosiert
werden. Da sehr exakt das Volumen einer Vertiefung vorgegeben werden kann,
kann durch eine derartige vollständige Befüllung
der Vertiefung auch sehr exakt nachvollzogen werden, welche Quecksilbermenge
vorliegt. Bevorzugt ist die Befüllung einer Vertiefung
mit Hg-haltigem Material so vorgesehen, dass das Material eben und
bündig mit der die Vertiefung an der Oberkante umgebenden
Oberfläche des Trägerelements ausgebildet ist.
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Insbesondere
kann vorgesehen sein, dass die vollständige Füllung
der Vertiefung mit Hg-haltigem Material vor dem Verpressen des Materials
gegeben ist und nach dem Verpressen die Oberseite des Materials
in der Vertiefung gegenüber dem Niveau der Oberfläche
des Trägerelements abgesenkt ist. Es kann auch vorgesehen
sein, dass die vollständige Füllung nach dem Verpressen
ausgebildet ist und somit quasi ein stufenfreier Übergang
mit der die Vertiefung umgebende Oberfläche des Trägerelements
ist.
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Insbesondere
ist auch vorgesehen, dass in der Vertiefung Gettermaterial angeordnet
ist. In einer Vertiefung ist somit sowohl Hg-haltiges Material als auch
Gettermaterial vorgesehen. Somit ist quasi eine Vermischung in einer
Vertiefung zwischen diesen beiden unterschiedlichen Mate rialien
vorgesehen. Auch hier kann die platzsparende Ausgestaltung im Vergleich
zum genannten Stand der Technik ermöglicht werden, bei
dem neben der platzintensiven Oberflächenbeschichtung auch
eine Separierung der beiden Materialien durch separate und getrennt
voneinander ausgebildete Schichten vorgesehen ist.
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Vorzugsweise
ist das Hg-haltige Material ein Pulver, welches insbesondere in
die Vertiefung eingebracht und dann in die Vertiefung eingepresst
ist. Nur das in der Vertiefung befindliche Hg-haltige Material ist
einer derartigen Verpressung ausgesetzt. Das während der
Herstellung gegebenenfalls auch auf die anderen Oberflächen
des Trägerelements aufgebrachte Hg-haltige Material wird
nicht verpresst und nach dem Verpressen des Hg-haltigen Materials in
einer Vertiefung von diesen Oberflächen entfernt, insbesondere
abgesaugt. Dadurch kann die gewünschte Hg-freie Realisierung
der Oberflächen des Trägerelements erreicht werden.
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Das
Trägerelement ist vorzugsweise aus Metall ausgebildet und
bevorzugt als plattenartiges Teil konzipiert. Es kann auch als Metallband
bezeichnet werden.
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Insbesondere
ist vorgesehen, dass die Menge von Quecksilber abhängig
von der Konzentration des Quecksilbers in dem in der Vertiefung
ausgebildeten Material und/oder von der Anzahl der Vertiefungen
und/oder von dem Volumen zumindest einer Vertiefung dosierbar ist.
Durch zumindest einen dieser genannten Parameter kann die pro Trägerelement
vorgesehene Menge von Quecksilber sehr exakt festgelegt werden und
insbesondere auch das Einbringen von äu ßert geringen
Quecksilbermengen einfach und präzise erfolgen.
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Vorzugsweise
ist zumindest eine weitere Vertiefung vorgesehen, in welcher Hg-freies
Material, insbesondere Gettermaterial, ausgebildet ist. Das Trägerelement
fasst bei einer derartigen Ausgestaltung somit zumindest eine Vertiefung,
in der Hg-haltiges Material angeordnet ist, und zumindest eine weitere
Vertiefung, in welcher kein Quecksilbermaterial enthalten ist. Dadurch
kann auch bedarfs- und situationsabhängig eine ausreichende
Menge an Gettermaterial bereitgestellt werden, welches individuell stets
genau worden kann.
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Ein
weiterer Aspekt der Erfindung betrifft eine Entladungslampe mit
einem Entladungsgefäß und zumindest einer darin
angeordneten Elektrode, sowie einem erfindungsgemäßen
Trägerelement oder einer vorteilhaften Ausgestaltung davon,
wobei das Trägerelement in dem Entladungsgefäß angeordnet
ist. Insbesondere ist die Entladungslampe als Niederdruckentladungslampe
konzipiert. Sowohl Entladungslampen mit lediglich einer Elektrode,
beispielsweise einer Lampenwendel, als auch Entladungslampen mit
zwei Elektroden können vorgesehen sein. Insbesondere können
somit auch Leuchtstofflampen vorgesehen sein, welche ein stabförmiges
oder aber auch ein zumindest an einer Stelle gebogenes oder gekrümmtes
Entladungsgefäß aufweisen.
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Durch
eine derartige Entladungslampe kann die Quecksilbermenge sehr exakt
dosiert und insbesondere auch mit einer relativ geringen Menge ausgebildet
werden, wodurch die Funktionalität und insbesondere die
Umweltfreundlich keit der Lampe verbessert werden kann, da sie eine
geringere Schwermetallmenge aufweist.
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Besonders
bevorzugt erweist es sich, wenn das Trägerelement an einem
Elektrodengestell der Entladungslampe angeordnet ist. So kann vorgesehen
sein, dass das Trägerelement an einer Stromzuführung
des Elektrodengestells angeordnet ist. Eine Stromzuführung
ist zum Halten der Elektrode vorgesehen und wird nach außen
mit den elektrischen Kotaktierungen der Entladungslampe elektrisch
verbunden. Des Weiteren kann jedoch auch vorgesehen sein, dass das
Trägerelement an einer Mittelstütze des Elektrodengestells
angeordnet ist. Eine Mittelstütze ist insbesondere dazu
vorgesehen, eine Kappe, welche vorzugsweise als ringartiger Hohlkörper ausgebildet
ist, zu halten. Eine derartige Kappe umgibt eine in dem Entladungsgefäß angeordnete
Elektrode. Dies ist insbesondere beispielsweise bei Leuchtstofflampen
vorgesehen. Die Elektrode erstreckt sich somit in dem rohrartigen
Hohlkörper, welcher die Kappe bildet, und welcher an der
Mittelstütze angeordnet ist.
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Bevorzugt
kann auch vorgesehen sein, dass das Trägerelement insbesondere
diese Kappe darstellt. Trägerelement und Kappe sind somit
eine Komponente, wobei diese somit multifunktional ausgebildet ist.
Dadurch kann Platz gespart werden und die Reduzierung der Bauteile
einer Entladungslampe erreicht werden.
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Bei
einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen
eines Hg-haltiges Material aufweisenden Trägerelements,
welches für eine Entladungslampe vorgesehen und verwendet
werden kann, wird in das Trägerelement zumindest eine Vertiefung
ausgebildet, in welche das Hg-haltige Material eingefüllt
wird. Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird
somit keine Oberflächenbeschichtung eines Trägerelements
sondern eine Volumenbeschichtung ermöglicht. Dadurch können
sehr präzise Quecksilberkonzentrationen pro Trägerelement
eingestellt werden und insbesondere das Einbringen von sehr geringen
Quecksilbermengen aufwandsarm erreicht werden.
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Vorzugsweise
wird das Hg-haltige Material auf dem Trägerelement als
Pulver verteilt und nur das in der Vertiefung befindliche Material
nach dem Einfüllen in die Vertiefung gepresst. Bevorzugt
wird das sich außerhalb der Vertiefung befindliche Hg-haltige Material
nach dem Verpressen des in der Vertiefung enthaltene Hg-haltigen
Materials entfernt, insbesondere abgesaugt. Zur Aufbringung kann
ein Vibrationssystem vorgesehen sein. Die Dosiermenge des Pulvers
ist nun von dem Volumen der Vertiefung im Metallband abhängig
und unterliegt nicht mehr den Schwankungen des Vibrationssystems.
Das aufzufüllende Volumen ist exakt bekannt und daher die Konzentrationsdimensionierung
des Quecksilbers pro Trägerelement sehr konstant. Je nach
Tiefe und Breite der Vertiefung ist die Quecksilbermenge festgelegt,
weil die Quecksilberkonzentration im Pulver sehr genau hergestellt
werden kann.
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Vorteilhafte
Ausführungen des erfindungsgemäßen Trägerelements
sind als vorteilhafte Ausführungen der Entladungslampe
und des erfindungsgemäßen Verfahrens anzusehen.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden nachfolgend anhand schematischer Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
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1 eine
Schnittdarstellung durch ein Ausführungsbeispiel einer
Entladungslampe;
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2 eine
perspektivische Darstellung eines Teilausschnitts eines erfindungsgemäßen
Trägerelements gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel;
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3 eine
perspektivische Darstellung eines Teilausschnitts eines erfindungsgemäßen
Trägerelements gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel;
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4 eine
Schnittdarstellung des Trägerelements gemäß 2;
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5 eine
Schnittdarstellung des Trägerelements gemäß 3;
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6 eine
schematische Draufsicht auf ein Trägerelement gemäß einem
dritten Ausführungsbeispiel;
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7 eine
schematische Draufsicht auf ein Trägerelement gemäß einem
vierten Ausführungsbeispiel;
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8 eine
schematische Draufsicht auf ein Trägerelement gemäß einem
fünften Ausführungsbeispiel; und
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9 eine
schematische Draufsicht auf ein Trägerelement gemäß einem
sechsten Ausführungsbeispiel.
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Darstellung der Erfindung
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In
den Figuren werden gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit den
gleichen Bezugszeichen versehen.
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In 1 ist
in einer schematischen Schnittdarstellung ein Ausschnitt einer als
Quecksilberdampf-Niederdruckentladungslampe ausgebildeten Entladungslampe 1 gezeigt.
Die Entladungslampe 1 umfasst ein rohrförmiges
Entladungsgefäß 2, welches stabförmig,
U-förmig oder auch mehrfach gebogen sein kann. Die Enden
des Entladungsgefäßes 2 sind gasdicht
verschlossen. Ein Elektrodengestell 3 der Entladungslampe 1 erstreckt
sich von einem Ende 4 der Entladungslampe 1 in
den im Inneren des Entladungsgefäßes 2 ausgebildeten
Entladungsraum 5. Das Elektrodengestell 3 umfasst
einen Glastellerfuß 6, dessen erweiterter Rand 7 mit
dem Ende 4 des Entladungsgefäßes 2 gasdicht
verschmolzen ist.
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Des
Weiteren weist das Elektrodengestell 3 zwei separate Stromzuführungen 8 und 9 auf,
welche zur Halterung einer als Lampenwendel ausgebildeten Elektrode 10 vorgesehen
sind. In dem Entladungsraum 5 der Entladungslampe 1 ist
des Weiteren ein Trägerelement 11 angeordnet.
Das Trägerelement 11 ist in der gezeigten Ausführung
gemäß 1 an der Stromzuführung 8 befestigt.
Das Trägerelement 11 ist in 1 schematisch
dargestellt. An dem Trägerelement 11 ist zumindest
eine Vertiefung 12 ausgebildet in welcher Hg-haltiges Material
angeordnet ist. Das Trägerelement 11 kann auch
eine Mehrzahl derartiger Vertiefungen 12 aufweisen, welche
geometrisch gleich oder auch unterschiedlich ausgebildet sein können.
Das Trägerelement 11 ist als Metallband konzipiert
und in erster Näherung plattenartig ausgebildet.
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Neben
der in 1 gezeigten Anbringung des Trägerelements 11 an
der Stromzuführung 8, kann auch vorgesehen sein,
dass das Trägerelement 11 an der Stromzuführung 9 befestigt
ist.
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Ebenso
kann jedoch auch vorgesehen sein, dass eine in 1 nicht
dargestellte Kappe für die Elektrode 10 vorgesehen
ist, wobei diese Kappe als rohrartiger Hohlkörper konzipiert
ist, welcher die Elektrode 10 umgibt. Vorzugsweise weisen
die in 1 nicht gezeigte und horizontal verlaufenden Längsachse
der Elektrode 10 und die Längsachse einer derartigen
Kappe die gleiche Orientierung auf. Insbesondere ist eine koaxiale
Anordnung vorgesehen.
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Bei
einer derartigen Ausgestaltung kann das Trägerelement 11 zugleich
diese Kappe darstellen.
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Die
Kappe ist insbesondere mit einer stabförmigen Mittelstütze
(nicht dargestellt) positionsgenau angeordnet, wobei diese Mittelstütze
als zusätzliche Komponente zu den Stromzuführungen 8 und 9 dem Elektrodengestell 3 zugeordnet
ist. Es kann auch vorgesehen sein, dass das Trägerelement 11 an
dieser genannten Mittelstütze, an der die Kappe angeordnet ist,
befestigt ist.
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In 2 ist
ein erstes Ausführungsbeispiel des Trägerelements 11 in
einer perspektivischen Darstellung in einem Teilausschnitt gezeigt.
Die plattenartige Struktur des als Metallband ausgebildeten Trägerelements 11 ist
zu erkennen. In etwa mittig ist die Vertiefung 12 als Rille
bzw. Graben konzipiert, welcher sich über die gesamte Breite
b1 des Trägerelements 11 erstreckt. Die Vertiefung 12 weist
eine Weite w1 und Tiefe t1 auf. In der gezeigten Ausführung
ist die Tiefe t1 größer als die Weite w1. Prinzipiell
ist es bevorzugt, wenn die Geometrie der Vertiefung 12 so
ausgelegt ist, dass die Weite w1 kleiner oder gleich der Tiefe t1
ist. Es kann jedoch auch vorgesehen sein, dass die Weite w1 etwas
größer als die Tiefe t1 ist. Prinzipiell ist durch
die Ausgestaltung des Trägerelements 11 eine Volumenbeschichtung
vorgesehen. Dies bedeutet, dass außerhalb der Vertiefung 12 liegende
Oberflächen in Form der Oberseiten 15 und in Form
der Unterseiten 16 des Trägerelements 11 frei
von Quecksilber sind. Eine Oberflächenbeschichtung ist
daher am Trägerelement 11 nicht gegeben.
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In
der in 2 gezeigten Ausführung, weist das Trägerelement 11 Stufen 13 und 14 auf,
wodurch ein im Vergleich zur Tiefe t1 relativ geringer Niveauunterschied
gegeben ist. Diese Stufen 13 und 14 können
jedoch auch nicht ausgebildet sein und sind für die Erfindung
nicht wesentlich.
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Eine
in 2 gezeigte und durch die relativ weit auseinander
liegenden Stufen 13 und 14 ausgebildete Absenkung
von Teilbereichen des Trägerelements 11 im Vergleich
zu anderen Teilbereichen, wird im Kontext der Erfindung nicht als
Vertiefung wie sie durch die Ausgestaltung der Vertiefung 12 definiert ist,
verstanden. Denn wie eindeutig zu erkennen ist, stellen die Abstufungen 13 und 14 in
y-Richtung ein deutlich geringeres Maß im Vergleich zur
Beabstandung zwischen den beiden Stufen 13 und 14 in x-Richtung
dar. Derartige Niveauvariationen mit deutlich größeren
Abmessungen in x-Richtung im Vergleich zu denen in y-Richtung sind
nicht mehr als Vertiefungen im Sinne dieser Anmeldung anzusehen.
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In
der gezeigten Ausführung weist die Vertiefung 12 in
einer Längsschnittdarstellung eine eckenfreie und im Wesentlichen
eine U-förmige Formgebung auf. Diese Rille bzw. dieser
Graben der Vertiefung 12 ist in der gezeigten Ausführung
vollständig mit Hg-haltigen Material 17 aufgefüllt.
Dies bedeutet, dass das Material 17 bis zu den Übergängen
bzw. Kanten 18 und 19 aufgefüllt ist
und somit ein bündiger und im Wesentlichen ebener Übergang
von der Materialoberfläche des Materials 17 zu
den benachbarten Oberflächen gemäß den
Oberseiten 15 des Trägerelements 11 ausgebildet
ist. Das Hg-haltige Material 17 umfasst um Ausführungsbeispiel
des Weiteren auch Gettermaterial. In der Vertiefung 12 ist somit
sowohl Quecksilber als auch Gettermaterial vermischt. Als Gettermaterial
kann beispielsweise ein Zirkon-Aluminium-Getter vorgesehen sein.
Bei dem quecksilberhaltigen Material kann es sich um eine Quecksilber-Titan-Legierung
handeln.
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Da
die Ausmaße (w1, t1, b1) der Vertiefung 12 sehr
genau bekannt sind, kann auch das Volumen sehr genau bestimmt werden,
und somit auch die Quecksilbermenge sehr genau dosiert werden. Da üblicherweise
die Quecksilberkonzentration in dem Material 17 pro Mengeneinheit
bekannt ist, kann somit auch abhängig von dem Volumen der
Vertiefung 12 die Quecksilberkonzentration des Trägerelements 11 sehr
genau dosiert werden. Es lassen sich abhängig von der Konzentration
des Quecksilbers in dem Material 17 und/oder der Anzahl
der Vertiefungen 12 in dem Trägerelement 11 und/oder
des Volumens zumindest einer Vertiefung 12 sehr genau dosieren
und es können auch sehr geringe Quecksilbermengen somit
exakt eingestellt werden.
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Das
in 2 gezeigte Trägerelement 11 wird so
hergestellt, dass zunächst das als Metallband bereitgestellte
Trägerelement 11 entsprechend der Darstellung
in 2 geformt wird. Insbesondere wird dazu eine Biegung
bezüglich der Herstellung des Grabens für die
Vertiefung 12 durchgeführt. Im Nachfolgenden wird
dann das pulverförmige Hg-haltige Material 17,
welches im Ausführungsbeispiels auch Gettermaterial aufweist,
auf dem Trägerelement 11 verteilt. Insbesondere
wird dabei ein Einfüllen in die Vertiefung 12 durchgeführt.
Dies erfolgt über ein Vibrationssystem, wobei im Nachgang
zu dem Aufbringen auf dem Trägerelement 11 ein
Verpressen des Materials 17 ausschließlich in
der Vertiefung 12 erfolgt. Nach diesem Verpressen des lokalen
Bereichs wird dann im Nachfolgenden die restliche auf den Oberseiten 15 verbleibende
Menge des Materials 17, welches dort gerade nicht verpresst
wurde, abgesaugt. Bei dem in 2 dargestellten
Trägerelement 11 sind die Oberseiten 15 und
die Unterseiten 16 somit frei von Quecksilberhaltigen Material
und auch frei von dem Gettermaterial.
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In 3 ist
ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Trägerelements 11 in
perspektivischer Ansicht gezeigt. Im Unterschied zur Ausführung
gemäß 2 ist hier eine als Rille ausgebildete
Vertiefung 12 dargestellt, welche im Querschnitt keine
U-förmige Formgebung aufweist, sondern nach unten hin aufgeweitet
ist und eine bauchige Struktur zeigt. Diese wird durch ein Flachdrücken
des Trägerelements 11 mit Walzen erreicht. Im
Bereich der Kanten 18 und 19 weist die Vertiefung 12 eine
Weite w2 auf, welche kleiner ist als eine Weite w3 in der Vertiefung 12.
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Die
Vertiefungen 12 in den 2 und 3 sind
als längliche geradlinige Rillen ausgebildet. Es kann jedoch
auch ein nicht geradliniger Verlauf vorgesehen sein.
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In
den 4 und 5 sind vergrößerte Darstellungen
der Querschnitte der Ausführungen in 2 und 3 im
Bereich der Vertiefungen 12 gezeigt.
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In 6 ist
ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Trägerelements 11 in
einer Draufsichtdarstellung gezeigt, wobei lediglich der Ausschnitt
des Trägerelements 11 gezeigt ist, in dem eine
Mehrzahl von Vertiefungen 20, 21, 22 und 23 ausgebildet
ist. Bei dieser Ausführung sind die Vertiefungen 20 bis 23 nicht
als längliche Rillen oder dergleichen konzipiert, sondern
als Sacklöcher. Gemäß der Darstellung
in 6 weisen diese Vertiefungen 20 bis 23 eine eckenfreie,
und insbesondere runde Lochstruktur auf.
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In 7 ist
eine weitere Ausführung eines Trägerelements 11 gezeigt,
welche im Unterschied zur Darstellung gemäß 6 eine
Mehrzahl von Vertiefungen 20 bis 23 aufweist,
welche keine runde Geometrie bei einer Draufsicht von oben aufweisen, sondern
diese eckig, insbesondere viereckig ist.
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In 8 ist
eine Ausführung gezeigt, bei der im Unterschied zu den
Draufsichtdarstellungen in 6 und 7 lediglich
zwei Vertiefungen 20 und 21 vorgesehen sind, welche
bei einer Draufsichtbetrachtung eine ovale Geometrie zeigen.
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In 9 ist
eine weitere schematische Darstellung eines Trägerelements 11 in
einer Draufsicht gezeigt, bei der zwei Vertiefungen 12 gezeigt
sind, welche als längliche Rillen ausgebildet sind und
beabstandet und parallel zueinander vorgesehen sind. Die Vertiefungen 12 in 9 können
beispielsweise gemäß den Ausgestaltungen in 2 oder 3 vorgesehen
sein. Beide Vertiefungen 12 können gleich oder
aber auch unterschiedlich in Ausmaßen und/oder Geometrie
konzipiert sein.
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Beispielsweise
kann bei der in 2 dargestellten Ausführung
die Weite w1 1 mm betragen. Die Tiefe t1 kann ebenfalls 1 mm oder
aber auch mehr betragen. Dies sind lediglich beispielhafte Werte, welche
größer oder kleiner sein können. Insbesondere
kann durch die Ausgestaltung der Vertiefungen 12 die sehr
exakte Dosierung der Quecksilbermenge erfolgen, wobei diese pro
Trägerelement 11 kleiner oder gleich 4 mg sein
kann. Insbesondere können auch sehr kleine Quecksilbermengen
kleiner oder gleich 1 mg sehr exakt dosiert werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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