DE102007029855B4 - Method for coating a substrate with a low-viscosity liquid and use of the method for producing organic light-emitting diodes (OLED) - Google Patents
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Abstract
Verfahren zur Beschichtung eines Substrats (1) mit einer niederviskosen Flüssigkeit mit den Schritten, dass ein Filmapplikator (4) über dem Substrat (1) derart positioniert wird, dass zwischen dem Filmapplikator (4) und dem Substrat (1) ein Spalt (5) definierter Breite gebildet wird, dass die Flüssigkeit dem Filmapplikator (4) derart zudosiert wird, dass sie sich im Spalt (5) sammelt, dass anschließend durch eine Relativbewegung von Substrat (1) und Filmapplikator (4) in einem Filmziehprozess ein Nassfilm (2) definierter Schichtdicke auf dem Substrat (1) gebildet wird, dass der Nassfilm (2) in Bewegungsrichtung (A) des Filmapplikators (4) durch mechanische Unterbrechung strukturiert wird, und dass die mechanische Unterbrechung durch eine die Schichtbildung blockierende Schließvorrichtung (11) mit einer Kante (12) erfolgt, wobei die Schließvorrichtung (11) so in Richtung des Nassfilms (2) bewegt wird, bis die Kante (12) den Nassfilm (2) durchdringt.Method for coating a substrate (1) with a low-viscosity liquid, comprising the steps of positioning a film applicator (4) over the substrate (1) such that a gap (5) is provided between the film applicator (4) and the substrate (1) defined width that the liquid is the film applicator (4) is metered in such a way that it collects in the gap (5), that subsequently by a relative movement of substrate (1) and film applicator (4) in a film drawing process, a wet film (2) defined layer thickness on the substrate (1) is formed, that the wet film (2) in the direction of movement (A) of the film applicator (4) is structured by mechanical interruption, and that the mechanical interruption by a layer blocking blocking device (11) with an edge (12), wherein the closing device (11) is moved in the direction of the wet film (2) until the edge (12) penetrates the wet film (2).
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrats mit einer niederviskosen Flüssigkeit.The The present invention relates to a method for coating a Substrate with a low viscosity liquid.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der nasschemischen Beschichtungsverfahren, insbesondere im Bereich organischer Leuchtdioden (OLED). Bei derartigen Verfahren stellt die Strukturierung der zu erzeugenden Schicht häufig ein Problem dar. Dies gilt insbesondere für diejenigen Schichten einer OLED, die aus organischen Molekülen bestehen bzw. diese enthalten. Zudem sind speziell die bei der Herstellung organischer Leuchtdioden eingesetzten Nassbeschichtungsverfahren mit einem großen Materialverlust verbunden.The The present invention relates to the field of wet chemical Coating method, in particular in the field of organic light-emitting diodes (OLED). In such methods, the structuring of the generating layer frequently This is especially true for those layers of one OLED made from organic molecules exist or contain these. In addition, especially in the production organic light emitting diodes used wet coating method with a great Material loss associated.
Zur nasschemischen Beschichtung von Substraten, insbesondere zur Herstellung von organischen Leuchtdioden (OLED), wird bisher das Aufschleuderverfahren angewandt. Das Material wird mittig auf das Substrat aufgegeben, durch eine Drehbewegung über das Substrat verteilt und der Überschuss abgeschleudert. Das Substrat wird somit ganzflächig beschichtet. Die Schichtdicke wird über die Drehgeschwindigkeit und Drehdauer eingestellt. Sofern eine Strukturierung notwendig ist, wird diese über weitere fotolithografische Schritte realisier, die allerdings zeit- und kostenaufwendig sind. Das Aufschleuderverfahren bringt zudem einen großen Materialverlust mit sich, da ein hoher Materialüberschuss notwendig ist, um eine gleichmäßige Beschichtung zu erzeugen.to wet-chemical coating of substrates, in particular for the production Of organic light-emitting diodes (OLED), so far is the spin-on applied. The material is placed in the middle of the substrate, through a rotational movement over the substrate is distributed and the excess spun off. The substrate is thus coated over the entire surface. The layer thickness is about the Rotation speed and rotation time set. Unless structuring is necessary, this is about realize further photolithographic steps, although they and are expensive. The spin-on process also brings a big Material loss with it, since a high excess of material is necessary to a uniform coating to create.
Die
Druckschrift
Allerdings besteht bei einem Beschichten eines Substrats mit einer Flüssigkeit häufig der Wunsch, zwischen den beschichteten Teilabschnitten nicht beschichtete Unterbrechungen auszubilden. Dabei soll der Beschichtungskopf auch über oder entlang die später unbeschichteten Flächen bewegbar sein. Die Druckschrift beschreibt jedoch keine Möglichkeit für ein derartiges Strukturieren der auf das Substrat als Nassfilm aufgebrachten Flüssigkeit.Indeed consists in coating a substrate with a liquid often the desire not coated between the coated sections Train interruptions. The coating head should also be over or along the later uncoated areas be movable. However, the document does not describe any possibility for a such patterning applied to the substrate as a wet film Liquid.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht somit darin, ein gattungsgemäßes Verfahren derart weiterzubilden, dass strukturierte Schichten mit geringerem Materialverlust als bisher erzeugt werden können.The The object of the present invention is thus a generic method such develop further that structured layers with less material loss than previously generated.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst, indem ein Filmapplikator über einem Substrat derart positioniert wird, dass zwischen dem Filmapplikator und dem Substrat ein Spalt definierter Breite gebildet wird, dass die Flüssigkeit dem Filmapplikator derart zudosiert wird, dass sie sich im Spalt sammelt und dass anschließend durch eine Relativbewegung von Substrat und Filmapplikator in einem Filmziehprozess ein Nassfilm definierter Schichtdicke auf dem Substrat gebildet wird, wobei der Nassfilm in Bewegungsrichtung des Filmapplikators durch mechanische Unterbrechung strukturiert wird, und dass die mechanische Unterbrechung durch eine die Schichtbil dung blockierende Schließvorrichtung mit einer Kante erfolgt, wobei die Schließvorrichtung so in Richtung des Nassfilms bewegt wird, bis die Kante den Nassfilm durchdringt.These The object is achieved according to the invention by a movie applicator over a substrate is positioned such that between the film applicator and the substrate is formed a gap of defined width, that the liquid the film applicator is dosed so that they are in the gap collects and that afterwards by a relative movement of substrate and film applicator in one Film drawing process a wet film of defined thickness on the substrate is formed, wherein the wet film in the direction of movement of the film applicator is structured by mechanical interruption, and that the mechanical interruption by a Schichtbil the blocking closing device done with an edge, wherein the locking device so in the direction of the wet film is moved until the edge penetrates the wet film.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren, welches einen Filmziehprozess darstellt, können homogene nasschemische Beschichtungen fast ohne Materialverlust erzeugt werden. Ein Filmapplikator wird über dem Substrat so positioniert, dass sich zwischen Filmapplikator und Substrat ein Spalt bestimmter Höhe ergibt, in dem sich die Flüssigkeit aufgrund der herrschenden Kapillarkräfte sammelt. Bei einer relativen Bewegung des Filmapplikators gegenüber dem Substrat erfährt die Flüssigkeit im Spalt eine Scherung, die zum Materialaustrag hinter dem Spalt führt. Auf dem Substrat bleibt ein Nassfilm mit definierter Schichtdicke zurück. Diese Schichtdicke ist einerseits von der Höhe des Spalts, andererseits von der relativen Geschwindigkeit zwischen Filmapplikator und Substrat abhängig. Hinter dem Filmapplikator bildet die Flüssigkeit einen Meniskus aus, dessen Form unter anderem durch die Scherkraft bestimmt wird, die wiederum proportional zur Relativgeschwindigkeit zwischen Filmapplikator und Substrat ist. Bei gleicher Spalthöhe ergeben sich für höhere Relativgeschwindigkeiten größere Scherkräfte. Dies bewirkt mehr Materialaustrag und damit eine größere Schichtdicke. Durch die Gestaltung des Filmapplikators kann darüber hinaus eine Strukturierung der Nassschicht erzeugt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren ist für das Substrat besonders schonend, da es zu keinem Kontakt zwischen Filmapplikator und Substrat kommt. Der Materialverlust ist sehr gering, fast auf Null reduziert. Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt die Herstellung besonders dünner Nassfilme und ist daher besonders für die Herstellung organischer Leuchtdioden (OLED) geeignet.By the inventive method, which represents a film drawing process, can be homogeneous wet chemical Coatings are produced almost without loss of material. A movie applicator will go over that Substrate positioned so that between film applicator and Substrate a gap of certain height results in which the liquid due to the prevailing capillary forces. In a relative Movement of the film applicator relative to the substrate undergoes the liquid in the gap a shear, the material discharge behind the gap leads. On the substrate remains a wet film with a defined layer thickness back. This layer thickness is on the one hand by the height of the gap, on the other hand the relative speed between film applicator and substrate dependent. Behind the film applicator, the liquid forms a meniscus, whose shape is determined inter alia by the shear force, the in turn proportional to the relative speed between film applicator and substrate is. The same gap height results in higher relative speeds greater shear forces. This causes more material discharge and thus a greater layer thickness. By the Design of the film applicator can also be a structuring the wet layer are generated. The inventive method is for the substrate is particularly gentle, as there is no contact between film applicator and substrate is coming. The material loss is very low, almost up Zero reduced. The inventive method allows the production especially thin Wet films and is therefore particularly suitable for the production of organic Light-emitting diodes (OLED) suitable.
Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.Advantageous developments emerge from the dependent claims.
Die Relativbewegung zwischen Filmapplikator kann dadurch erzeugt werden, dass der Filmapplikator bei fixiertem Substrat bewegt wird. Stattdessen kann auch das Substrat bei fixiertem Filmapplikator bewegt werden. Beide Varianten sind für das erfindungsgemäße Verfahren gleich gut geeignet, und die Auswahl hängt somit nur von den Anforderungen des Einzelfalls ab.The Relative motion between film applicator can be generated thereby the film applicator is moved while the substrate is fixed. Instead, you can Also, the substrate to be moved with a fixed film applicator. Both Variants are for the inventive method equally well suited, and the selection depends only on the requirements of the individual case.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann insbesondere ein Nassfilm mit einer Schichtdicke von 10 bis 1000 nm erzeugt werden, wie er für die Herstellung organischer Leuchtdioden (OLED) benötigt wird.With the method according to the invention In particular, a wet film with a layer thickness of 10 to 1000 nm are generated, as he for the production of organic light emitting diodes (OLED) is needed.
Der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugte Nassfilm kann quer zur Bewegungsrichtung des Filmapplikators durch die Breite des Filmapplikators strukturiert werden, ohne dass dieser das Substrat berührt. Er kann ferner in Bewegungsrichtung des Filmapplikators durch die Dosierung der Flüssigkeit und/oder mechanische Unterbrechung der Schichtbildung strukturiert werden. Somit können auf besonders einfache, kostengünstige Weise zweidimensional strukturierte Nassfilme erzeugt werden. Die Dosierung der Flüssigkeit kann dabei bspw. durch Zu- und Abschalten des Dosiervorgangs variiert werden. Die mechanische Unterbrechung der Schichtbildung kann bspw. durch eine die Schichtbildung blockierende Schließvorrichtung erzeugt werden.Of the generated by the method according to the invention Wet film can transverse to the direction of the film applicator the width of the film applicator be structured without this touches the substrate. He can also in the direction of movement of the film applicator through the Dosage of the liquid and / or mechanical interruption of the layer formation are structured. Thus, you can on a particularly simple, inexpensive Way two-dimensionally structured wet films are generated. The Dosing of the liquid can be varied, for example, by switching on and off of the dosing become. The mechanical interruption of the layer formation can, for example. by a blocking device blocking the layer formation be generated.
Die Flüssigkeit kann beim erfindungsgemäßen Verfahren direkt in den Spalt zudosiert werden. Eine bevorzugte Ausführungsform sieht vor, dass die Flüssigkeit in ein im Filmapplikator vorgesehenes Reservoir zudosiert wird, was eine gleichmäßigere und einfachere Zudosierung erlaubt. Es ist empfehlenswert, die Flüssigkeit kontinuierlich zuzudosieren, um ein unbeabsichtigtes Abreißen des Films zu vermeiden.The liquid can in the inventive method be dosed directly into the gap. A preferred embodiment Provides that the liquid is added to a reservoir provided in the film applicator, what a smoother and easier Metering allowed. It is recommended the liquid continuously metered to prevent unintentional tearing of the Avoid movies.
Als Filmapplikator kann bspw. ein Rakel verwendet werden.When Film applicator can be used, for example, a squeegee.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im Folgenden anhand der beigefügten Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigen in schematischer, nicht maßstabsgetreuer Darstellung:embodiments The invention will be described in more detail below with reference to the accompanying drawings. Shown schematically, not to scale:
Die
Die
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2007
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