DE102007016735B4 - Testeinrichtung für mikromechanische Bauelemente - Google Patents

Testeinrichtung für mikromechanische Bauelemente Download PDF

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Abstract

Testeinrichtung für mikromechanische Bauelemente, wobei mindestens ein ein bewegliches Teil aufweisendes mikromechanisches Bauelement auf einer Auflage angeordnet ist und eine Vorrichtung zum Hervorrufen einer Auslenkung des beweglichen Teils und eine Vorrichtung zum Erfassen der Auslenkung vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zum Hervorrufen einer Auslenkung Mittel (1, 2, 8, 10) zur Erzeugung eines elektrostatischen Feldes aufweist, dem das bewegliche Teil (6) des mikromechanischen Bauelementes (3) ausgesetzt ist, wobei die Mittel zur Erzeugung eines elektrostatischen Feldes mindestens eine Elektrode (1) umfasst, die in einem Abstand zu dem beweglichen Teil (6) und extern zu dem mikromechanischen Bauelement (3) angeordnet ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Testeinrichtung für mikromechanische Bauelemente nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.
  • Mikromechanische Bauelemente werden zunehmend als Sensoren, zum Beispiel Druck- und Beschleunigungssensoren, Detektoren für Drehrate, Vibration und Neigung und als Mikroaktoren, beispielsweise Laserscanner benötigt und eingesetzt. Die spezifische Herstellungstechnologie auf der Grundlage von Halbleiterprozessen, bei der bis zu mehr als 1.000 dieser Bauelemente als Chips im Waferverband zeitlich parallel entstehen, ist die Grundlage für eine rationelle Fertigung. Test und Packaging der Sensor- oder Aktorchips verursachen in den meisten Fällen bis zu 60% der Gesamtkosten der fertigen Bauteile. Es ist deshalb wichtig, nur Chips dem Packaging zuzuführen, deren Parameter der jeweiligen Spezifikation entsprechen. Dazu ist eine effektive und sichere Testtechnologie erforderlich. Im Gegensatz zum Test von elektronischen Bauelementen werden beim Test von mikromechanischen Chips zusätzlich zu elektrischen Parametern auch mechanische Funktionsparameter, Geometrie, Werkstoffparameter und Oberflächeneigenschaften geprüft.
  • Forschung und Entwicklung im Zusammenhang mit mikromechanischen Bauelementen erfordern die messtechnische Charakterisierung der Bauelemente auf mehreren Entwicklungsetappen. Die bei der Vorausberechnung des Verhaltens während der Designphase eingesetzten Modelle bedürfen in der Regel einer messtechnischen Validierung an fertigen Bauelemente, um betroffene Modellannahmen zu begründen oder eine Korrektur der Modelle zu ermöglichen. Dazu sind in der Regel Geometrie- und Werkstoffparameter und Funktionsparameter der mikromechanischen Bauelemente messtechnisch zu ermitteln. Die Prüfung der Herstellungstechnologie anhand der entstandenen Geometrie mechanischer Komponenten der mikromechanischen Bauelemente, wie zum Beispiel Membrandicken von Drucksensoren oder Federbreiten bei Beschleunigungssensoren, gestattet Rückschlüsse auf Parameter bei der Herstellung, zum Beispiel der ätztechnischen Strukturierung. Die Prüfung der applikationsrelevanten Eigenschaften der entwickelten Bauelemente gestattet letztendlich Entscheidungen über den Erfolg der Entwicklung. Aus diesen Gründen besteht gegenwärtig ein breites Spektrum von hochwertigen kommerziell angebotenen Messgeräten zum Test von nahezu allen wichtigen Parametern an mikromechanischen Bauelementen, die für den Einsatz im Forschungs- und Entwicklungslabor bestimmt sind. Darüber hinaus wird in der Fachliteratur in Verbindung mit der Vorstellung neuartiger Sensoren oder Aktoren über zahlreiche sehr spezifische Messtechniken berichtet, die als typische Laboraufbauten zur Charakterisierung der jeweiligen Bauelemente eingesetzt wurden. Diese Geräte und Einrichtungen sind jedoch nur bedingt für den Einsatz beim Test in einer Serienfertigung geeignet.
  • Beim Test der mechanischen Funktion spielt ein Verfahren mit mechanischer Anregung der beweglichen Komponenten mikromechanischer Bauelemente bei gleichzeitiger Beobachtung, beispielsweise optischer Art, deren mechanische Auslenkung oder der Schwinggeschwindigkeit eine dominierende Rolle. Enthalten die zu untersuchenden Bauelemente bereits Wandler zur elektrischen Detektion der mechanischen Reaktion, wie beispielsweise Piezowiderstände oder Kondensatoranordnungen als Plattenpaare oder ineinandergreifende Kämme, werden diese zur Detektion der Bewegung durch elektrische Messungen genutzt, wobei eine Separation der Wandlereigenschaften vom Messergebnis unter Umständen nicht ausreichend möglich ist. Zur direkten Beobachtung der mechanischen Auslenkung werden alternativ laseroptische Fokusmessverfahren, Interferometer und seltener Triangulationsverfahren eingesetzt. Die Nutzung von Laser-Doppler-Vibrometern zur Schwingungsmessung ist weit verbreitet, da dieses Verfahren wenig sensitiv bezüglich Einkopplung von Störungen ist. Die genannte Technik ist gut geeignet, in manuelle oder automatische Waferprober integriert zu werden. Wenn die zu testenden Bauelemente bereits interne Wandler zur Krafterzeugung enthalten, wie beispielsweise kapazitive oder piezoelektrische Wandler, erfolgt die mechanische Anregung oft durch Anlegen geeigneter Spannungssignale über Probe-Tipps der Waferprober. Alle mikromechanischen Bauelemente, die einen optischen Zugang zu deren beweglichen Komponen ten besitzen, zum Beispiel Laserscanner, wie in US 6 633 426 B2 beschrieben, sind bei interner Anregung extern mittels Schwingungsmesstechnik beobachtbar.
  • Oft werden jedoch Bauelemente getestet, die generell keine krafterzeugenden internen Wandler enthalten, wie beispielsweise piezoresistive Sensoren oder es sollen Wafer gestestet werden, deren Herstellungsprozess noch nicht bis zur Fertigstellung der Wandler fortgeschritten ist. Das ist beispielsweise bei zahlreichen Ausführungsformen von kapazitiven Beschleunigungssensoren oder elektrostatischen Aktoren, die durch Bulkmikromechanik-Technologie und Waferbonden gefertigt werden, der Fall. Die Anregungskraft muss extern eingebracht werden. Gegenwärtig werden dabei Beschleunigungskräfte durch Vibrationen der Waferauflage der Prober, durch den hydrostatischen Druck eines Luftstrahls einer Düse, die unmittelbar über dem jeweilig zu testenden Chip angeordnet wird, durch Erwärmung ( DE 199 09 777 C2 ), durch unmittelbare Berührung ( DE 197 03 271 A1 ) oder durch akustische Wellen eingesetzt. Zahlreiche andere Möglichkeiten, zum Beispiel durch lokale Erwärmung mittels Laser oder Wirbelströme eines magnetischen Wechselfeldes, sind möglich.
  • Die genannten Verfahren zur mechanischen Anregung zeigen jeweils starke Beschränkungen hinsichtlich des Frequenzbereichs. Eine über die Oberfläche nahezu konstante Beschleunigung ist im Falle von vibrierenden Waferauflagen, die beispielsweise piezoelektrisch oder elektrodynamische Wandler angetrieben werden, besonders bei Frequenzen größer als 10 kHz aufgrund der Masseträgheit und der nicht perfekten Steifigkeit der Waferauflage technisch schwierig zu erreichen. Eine statische Anregung ist damit ebenfalls nicht möglich. Das Verfahren mit Nutzung des Luftstrahls einer Düse bietet die Möglichkeit einer statischen Anregung, wobei jedoch bei Frequenzen größer als 10 Hz nur wenig Signalintensität zu erwarten ist. Akustisch anregende Systeme sind im Frequenzbereich oft auf den Hörfrequenzbereich beschränkt.
  • Aufgrund der Signale aus der Beobachtung der mechanischen Auslenkung und der Anregung werden durch Verfahren der Signalanalyse Frequenzgänge gewonnen. Aus der Amplitude bei sehr niedrigen Frequenzen weit unterhalb der ersten Resonanzfrequenz kann auf die statischen Eigenschaften geschlossen werden. Die Resonanzfrequenzen und Dämpfungen geben Aufschluss über die dynamischen Eigenschaften, wie beispielsweise die Empfindlichkeit von Beschleunigungssensoren, die Arbeitsfrequenz von Laserscannern oder Drehratesensoren. Weiterhin ist durch numerische Auswertung der Resonanzfrequenzen und geeignete Simulation durch theoretische Modellierung die Möglichkeit gegeben, Rückschlüsse auf geometrische Parameter der mechanischen Komponenten oder Materialeigenschaften zu ziehen. Dazu müssen mindestens so viele Resonanzfrequenzen messtechnisch ermittelt werden, wie Parameter gesucht sind. Mechanische Resonanzfrequenzen bis in einen Bereich zwischen 50 kHz und teilweise mehr als 1 MHz müssen dabei erfasst werden. Das erfordert hinsichtlich mechanischer Anregung eine Frequenzbandbreite von bis zu mehr als 1 MHz. Die oben beschriebenen Verfahren sind dazu nicht geeignet.
  • Die Druckschriften US 6567715 B1 und US 6633426 B2 beschreiben jeweils eine Anordnung zur elektrostatischen Anregung zum Test von mikromechanischen Bauteilen, wobei die Elektrode zur Erzeugung des Feldes ein Bestandteil des zu testenden Bauteils ist. Das schränkt die Anwendbarkeit dieser Lösung ein und schließt Bauteile und Wafer mit Halbfabrikaten von einem Tests aus, bei denen eine solche zusätzliche Elektrode nicht oder noch nicht vorhanden ist.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Testeinrichtung für mikromechanische Bauelemente zu schaffen, mit der eine externe mechanische Anregung mechanisch beweglicher Komponenten mikromechanischer Bauelemente mit großer Frequenzbandbreite, vorzugsweise zwischen 0 Hz und 1 MHz erzielt wird, wobei die Eigenschaften der zu testenden Bauelemente durch die Anregung nicht oder vernachlässigbar wenig beeinflusst werden sollen und wobei ein Test auch für große Stückzahlen möglich sein soll.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Hauptanspruchs in Verbindung mit den Merkmalen des Oberbegriffs gelöst.
  • Durch die in den Unteransprüchen angegebenen Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen möglich.
  • Dadurch, dass die Testeinrichtung Mittel zur Erzeugung eines elektrostatischen Feldes aufweist, dem das bewegliche Teil des mikromechanischen Bauelementes ausgesetzt ist, d. h., das sich in den Bereich des mechanisch beweglichen Teils des zu testenden Bauelementes ausbreitet, wird jeweils eine elektrostatische Kraft F verursacht, die das bewegliche Teil auslenkt bzw. bei Aufbringen eines in seiner Stärke wechselnden elektrostatischen Feldes in Schwingung versetzt.
  • Die Testeinrichtung ermöglicht somit die direkte mechanische Anregung von beweglichen Teilen oder Kompo nenten mikromechanischer Bauelemente, ohne dass ein darin befindlicher interner Wandler benötigt wird. Die Anregung erfolgt gezielt, so dass beispielsweise bei einem Wafer-Level-Test, bei dem eine Vielzahl von mikromechanischen Bauelementen auf einem Wafer angeordnet sind, nur die beweglichen Komponenten des jeweilig getesteten Chips angeregt wird. Dabei befindet sich der Wafer bzw. das zu testende Chip in Ruhe und unterliegt keiner Vibration, so dass bei einer möglicherweise gleichzeitigen elektrischen Kontaktierung des Chips keine Reibung zwischen den Probetipps und den Kontaktflächen des Chips auftreten, die diese beschädigen könnten.
  • Die Mittel zur Erzeugung eines vorteilhafterweise in seiner Stärke wechselnden elektrostatischen Feldes weisen eine oder mehrere auf ein Elektrodensubstrat aufgebrachte Elektroden auf, die in einen vorgegebenen Abstand zu dem beweglichen Teil angeordnet sind, wobei zwischen einer Elektrode und dem mikromechanischen Bauteil bzw. zwischen zwei Elektroden oder jeweils mehreren Elektroden eine Anregungsspannung zu Erzeugung elektrostatischen Feldes und damit der Auslenkung bzw. der Schwingungen des beweglichen Teils angelegt ist. Die gezielte Anordnung der mindestens einen Elektrode in Bezug auf das bewegliche Teil des mikromechanischen Bauelementes gestattet in besonders fokussierter Weise die Aufbringung des elektrischen Feldes, so dass der Test eines gewünschten Bauelementes, selbst wenn dieses im Waferverband ist, möglich ist.
  • Bei Einsatz mehrerer Elektroden, zwischen denen die Anregungsspannung angelegt wird, spielt die elektrische Leitfähigkeit des Materials, aus dem das bewegliche Teil des mikromechanischen Bauelementes be steht, eine untergeordnete Rolle. Metallische Leiter, Halbleiter und Isolatoren mit einer Dielektrizitätszahl εrel > 1 vergrößern bei entsprechender mechanischer Bewegung die Kapazität zwischen den Elektroden und folglich entsteht eine elektrostatisch verursachte Kraft F.
  • Vorteilhaft ist, dass abhängig von der Gestaltung der Elektroden und von der angelegten Anregungsspannung das mikromechanische Bauteil mit einer Vielzahl von Schwingmoden mit ausreichend großer Kraft beaufschlagt werden kann.
  • Die mechanische Anregung mit großer Frequenzbandbreite kann in einfacher Weise durch Aufbringen der Anregungsspannung mit einer Frequenz oder einem Frequenzbereich beispielsweise im Bereich zwischen 0 MHz und 1 MHz durchgeführt werden.
  • In einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die eine oder mehreren Elektroden aus einem optischen transparenten Material hergestellt und auf einem transparenten Elektrodensubstrat angeordnet. Auf dieser Weise kann die Schwingungsanregung optisch beobachtet werden, beispielsweise durch einen Laser-Doppler-Vibrometer, oder ein Mikroskop.
  • Ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel sieht vor, dass die Anregungsspannung als breitbandige Wechselspannung mit überlagerter Gleichspannung ausgebildet ist, wobei die Gleichspannung größer als die Amplitude der Wechselspannung ist. Dadurch kann die Beziehung zwischen Anregungsspannung und elektrostatischer Kraft weitgehend linearisiert werden.
  • Besonders vorteilhaft ist, dass die Elektrode bzw. das Elektrodensystem in einem Wafer-Prober integriert ist, wobei es anstelle eines Probe-Tip flexibel positionierbar angebracht wird oder Bestandteil einer Probe-Card ist. Ein Probe-Card-Adapter und Aufnahmeplatten bilden dabei gleichzeitig eine in ihrer Höhe verstellbare Haltevorrichtung für das Elektrodensystem.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung eines Teils der Testvorrichtung nach der Erfindung,
  • 2 eine Aufsicht auf eine Elektrodenstruktur nach einer möglichen Ausführungsform und
  • 3 eine schematische Darstellung der Testeinrichtung als Bestandteil eines Waferprobers.
  • Die in 1 dargestellte Anordnung zur elektrostatischen Anregung, die Bestandteil der erfindungsgemäßen Testeinrichtung ist, weist eine auf ein Substrat 12, vorzugsweise aus einem optische transparenten Material, wie Glas, aufgebrachte erste Elektrode 1 und eine ebenfalls auf das Substrat aufgebrachte zweite Elektrode 2 auf, die mit Abstand zu einem mikromechanischen Bauteil 3 angeordnet sind. Die Elektroden 1 und 2 können beispielsweise wie in 2 ausgebildet sein, d. h., die erste Elektrode 1 ist kreisförmig oder punktförmig und mit einem Leiterbahnabschnitt für den Anschluss an einer Spannungsversorgung verbunden und die zweite Elektrode 2 umgibt ringförmig die erste Elektrode 1 und weist gleichfalls einen Leiterbahnabschnitt für den Spannungsanschluss auf. Beide Elektroden sind auf das Substrat 12 aufgebracht.
  • Das mikromechanische Bauteil 3 ist im vorliegenden Fall Bestandteil eines Wafers 14, das eine Vielzahl von mikromechanischen Bauteilen im Waferverband umfasst. Das Wafer befindet sich auf einer Waferauflage 15 und ist dort durch Blue Foil, Vakuumansaugung oder durch die Schwerkraft fixiert. Im vorliegenden Fall ist die Waferauflage 15 mit Ausnehmungen 16 versehen, die unterhalb des beweglichen Teils bzw. Komponente 6 des mikromechanischen Bauelementes 3 angeordnet ist.
  • Das aus der ersten inneren Elektrode 1 und dem äußeren Elektrodenring als zweite Elektrode 2 bestehende Elektrodensystem 9 ist in geringem Abstand zu der anzuregenden mechanisch beweglichen Komponente 6 des mikromechanischen Bauelementes 3 platziert und wird an eine hier nicht näher dargestellte Spannungsversorgung angeschlossen, die eine Anregungsspannung liefert. Diese Anregungsspannung weist eine Frequenzbandbreite etwa zwischen 0 Hz bis 1 MHz auf, wobei höhere Frequenzen nicht ausgeschlossen sind, und ist in diesem Bereich einstellbar. Durch Anlegen der elektrischen Spannung zwischen der Elektrode 1 und dem mikromechanischen Bauelement 3 bzw. zwischen den Elektroden 1 und 2, wenn mehrere zum Einsatz kommen, entsteht ein elektrostatisches Feld wechselnder Stärke, das hier mit 5 bezeichnet ist und sich in den Bereich der mechanisch beweglichen Komponente 6 des zu testenden Bauelementes ausbreitet. Dieses Feld verursacht eine elektrostatische Kraft F, die durch den Pfeil 7 bezeichnet ist und so gerichtet ist, dass sich die Kapazität zwischen der ersten Elektrode 1 und dem mechanisch beweglichen Teil 6 bzw. die Kapazität zwischen den Elektroden 1 und 2 durch eine von dieser Kraft F 7 verursachten Bewegung vergrößert.
  • Für den Testvorgang werden Verfahren angewandt, bei denen die Frequenz durchgestimmt wird (Sweep-Verfahren), aber auch Verfahren, bei denen mit einem zeitlich konstanten Frequenzgemisch gearbeitet wird (z. B. random noise). Für die Auswertung der erfassten Schwingungen wird beispielsweise eine Spektral- Analyse verwendet.
  • Wie weiter unten beschrieben wird, wird die Auslenkung bzw. Schwingung des beweglichen Teils 6 optisch beobachtet, wobei, wie schon erwähnt, die Elektrode 1 bzw. das Elektrodensystem 9 aus einem optisch transparenten Material, wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO) auf transparentem Elektrodensubstrat 12 hergestellt ist. In einer anderen Ausführungsform ist es jedoch auch möglich, dass Elektrode 1 oder das Elektrodensystem 9 nur einen Teil der mechanisch beweglichen Komponente 6 des mikromechanischen Teils überdecken, so dass der nicht überdeckte Teil optisch zugänglich ist.
  • In 3 ist schematisch eine Testeinrichtung dargestellt, die Bestandteil eines Waferprobers 4 ist. Dabei kann die Elektrode 1 bzw. das Elektrodensystem 9 anstelle eines Probe-Tips vorgesehen sein oder Bestandteil einer Probe-Card 11 sein.
  • Die Probe-Card 11 bildet zusammen mit dem Elektrodensubstrat 12 und dem Elektrodensystem 9 einen Elektrodenkopf 19, wobei das Elektrodensystem 9 an dessen Unterseite so befestigt ist, dass das Elektrodensubstrat 12 mechanisch stabil gehaltert wird und mechanische Schwingungen des Elektrodensubstrats 12 weitgehend unterdrückt werden. Der Elektrodenkopf 19 wird über einen Probe-Card-Adapter 18 und damit verbundenen Aufnahmeplatten 17 gehalten. Die Aufnahmeplatten 17 und damit der Probe-Card-Adapter 18 und der Elektrodenkopf 19 sind in Bezug auf das mikromechanische Bauelement 3 einstellbar, wobei beispielsweise im Elektrodenkopf 19 eine laseroptische Abstandsdetektion auf Basis der Triangulationsmesstechnik integriert sein kann. Der Abstand zwischen dem Elektrodensystem 9 und dem Bauelement 3 wird beispielsweise auf 100 μm eingestellt.
  • Zur Beobachtung der Auslenkung bzw. der Schwingung des mikromechanischen Bauteils 3 ist im Waferprober 4 ein nicht dargestelltes Mikroskop integriert und ein Laser-Doppler-Interferometer 13 vorgesehen. Das Elektrodensystem 9 ist mit einem Verstärker 8 über eine Zuleitung 10 zur Beaufschlagung der Elektroden 1 und 2 mit elektrischen Ansteuersignalen verbunden.
  • Zum Testen wird durch das im Waferprober 4 integrierte Mikroskop und das Laser-Doppler-Interferometer 13 dessen Lage in Bezug auf das mikromechanische Bauelement 3 justiert, wobei die Fläche des mikromechanischen Bauelementes 3 unterhalb des Elektrodensystems 9 aufgrund der Ausführung des Elektrodensubstrats 12 aus Glas und der Elektroden 1 und 2 aus ITO optisch zugänglich ist. Zwischen den Elektroden 1 und 2 des Elektrodensystems 9 und zwischen dem Elektrodensystem 9 und dem mikromechanischen Bauelement 3 bildet sich bei Anlegen des elektrischen Ansteuersignals das elektrostatische Feld 5, das zu der elektrostatischen Kraft F 7 auf die bewegliche Komponente 6 des mikromechanischen Bauteils 3 führt. Die dadurch ausgelösten Schwingungen der beweglichen Komponente 6 werden durch das Interferometer 13 detektiert und anschließend über beispielsweise eine Fourieranalyse ausgewertet.
  • Da eine direkte mechanischen Anregung der mechanisch beweglichen Komponente 6 erfolgt und die Kraft F 7 gleichzeitig mit dem elektrostatischen Feld 5 wirkt, wird die Frequenzbandbreite der Erregung hauptsächlich durch den Verstärker 8, dessen Innenwiderstand und der elektrischen Kapazität des Elektrodensystems 9 bzw. deren Zuleitung 10 bestimmt. Die Anregungsspannung, die von dem Verstärker 8 aufgebracht wird, beträgt je nach Abstand zwischen Elektrodensystem 9 und mikromechanischen Bauteil 3 bis zu mehreren 100 Volt. Um die Kapazität der Zuleitung 10 so gering wie möglich zu halten, wird der Verstärker 8 räumlich nahe dem Elektrodensystem 9 angeordnet. Zur Linearisierung der Beziehung zwischen Anregungsspannung und elektrostatischer Kraft 7 – die elektrostatische Kraft ist proportional zum Quadrat der Spannungsdifferenz – und zur Verringerung des Einflusses der Oberwellen ist es erforderlich, der verwendeten, oft breitbandigen Wechselspannung eine Gleichspannung zu überlagern, die die Amplitude der Wechselspannung übersteigt.
  • Üblicherweise wird für einen Festvorgang die Anregung der beweglichen Komponente des mikromechanischen Bauelementes 3 über ein in seiner Stärke wechselndes elektrostatisches Feld durchgeführt.
  • Es kann aber auch die statische Reaktion, d. h. die statische Auslenkung mit einer Anregung von 0 Hz getestet werden. Dabei müssen teilweise längere Messzeiten in Kauf genommen werden, da die statische Reaktion oft viel weniger stark und somit vom Rauschen und anderen Störungen überdeckt ist. Sie kann aber auch beispielsweise bei Integration eines Weißlichtinterferometers in ein Laser-Doppler-Vibrometer detektiert werden.

Claims (16)

  1. Testeinrichtung für mikromechanische Bauelemente, wobei mindestens ein ein bewegliches Teil aufweisendes mikromechanisches Bauelement auf einer Auflage angeordnet ist und eine Vorrichtung zum Hervorrufen einer Auslenkung des beweglichen Teils und eine Vorrichtung zum Erfassen der Auslenkung vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zum Hervorrufen einer Auslenkung Mittel (1, 2, 8, 10) zur Erzeugung eines elektrostatischen Feldes aufweist, dem das bewegliche Teil (6) des mikromechanischen Bauelementes (3) ausgesetzt ist, wobei die Mittel zur Erzeugung eines elektrostatischen Feldes mindestens eine Elektrode (1) umfasst, die in einem Abstand zu dem beweglichen Teil (6) und extern zu dem mikromechanischen Bauelement (3) angeordnet ist.
  2. Testeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel (1, 2, 8, 10) zur Erzeugung eines elektrostatischen Feldes ausgebildet sind, ein in seiner Stärke wechselndes elektrostatisches Feld zu erzeugen.
  3. Testeinrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass in einem vorgegebenen Abstand zu dem beweglichen Teil (6) des mikromechanischen Bauteils (3) mindestens zwei Elektroden (1, 2) angeordnet sind und dass zwi schen den zwei Elektroden eine Anregungsspannung zur Erzeugung des elektrostatischen Feldes anlegbar ist.
  4. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zwischen der mindestens einen Elektrode und dem mikromechanischen Bauelement oder zwischen den zwei Elektroden anzulegende Anregungsspannung eine Frequenz oder ein Frequenzgemisch im Bereich zwischen 0 und 1 MHz aufweist.
  5. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass abhängig von der Gestaltung der Elektroden (1, 2) und von der angelegten Anregungsspannung unterschiedliche Schwingmoden erzeugbar sind.
  6. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Elektrode (1, 2) aus einem optisch transparenten Material auf einem transparenten Elektrodensubstrat (12) hergestellt ist.
  7. Testeinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Elektrode (1, 2) aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) hergestellt ist.
  8. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Anregungsspannung aus einer Wechselspannung und einer überlagerten Gleichspannung zusammengesetzt ist.
  9. Testeinrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Gleichspannung größer als die Amplitude der Wechselspannung ist.
  10. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste (1) und eine zweite Elektrode (2) vorgesehen sind, wobei die zweite Elektrode (2) die erste Elektrode (1) ringförmig umgreift.
  11. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das mikromechanische Bauelement (3) als einzelner Chip oder im Waferverband vorliegt.
  12. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Elektrodensubstrat (12) in dem vorgegebenen Abstand zu dem auf der Auflage (15) gelagerten mikromechanischen Bauelemente (3) von einer Haltevorrichtung (17, 18, 11) gehalten ist.
  13. Testeinrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Haltevorrichtung Bestandteil eines Waferprobers (14) ist.
  14. Testeinrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Haltervorrichtung eine mit dem Elektrodensubstrat (12) verbundene Probe-Card (11) und einen Probe-Card-Adapter (18) sowie mit dem Probe-Card-Adapter (18) verbindbare, in ihrer Höhe einstellbare Aufnahmeplatten (17) aufweist.
  15. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur Erfassung der Auslenkung bzw. der Schwingungen ein Laserinterferometer (13), wie ein Laser-Doppler-Inferometer oder ein Weißlichtinterferometer aufweist.
  16. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur Erzeugung von Schwingungen einen Verstärker (8) zum Liefern der Anregungsspannung an die Elektroden (1, 2) bzw. an die mindestens eine Elektrode (1) und das mikromechanische Bauteil (3) aufweist.
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